模拟电子电路习题课.

场效应管饱和区电流
MOS
ID
nCoxW
2l
VGS VGSth
2
2
JFET ID
P作业本21 3.3
I DSS
1
VGS VGS off
p书129 3-6
沟道长度调制效应忽略不计， 0
IGQ 0
VGS
RG 2 VDD RG1 R G2
-
IDQRS
4 I DQ V
设MOS管工作在饱和区，则
反
P15 2.1(4)
2.1 E
P NP
C 1.8
0.7 B
0.4
1.4
三极管直流分析,估算法
1.设晶体管处于线性放大状态。 2.分析线性电路，VBE VBEON ，IC IB 。 3.确定晶体管工作状态。
放大 饱和 截止
NPN VBE>0.7V;VCE>0.3 VBE>0.7V;VCE<0.3 VBE<0.5V;VCE>0.3
二极管估算法
1.判断二极管导通与截止。 假设电路中二极管全部开路，分析二极管两
端电位（当电路存在多个二极管时，存在 优先导通权，正偏电压最大的管子优先导 通），分为理想和实际二极管两种。 2.利用上述分析方法将截止的二极管开路， 3.画输出信号波形。 P书28 例2
确定二极管的工作状态。P7(四）1、
1
2.62 mA
+6V 2K RE
IB IE IC 0.03mA
VCE VC VE 6 12 IC 0.7 24.74mA
满足-VCE<0.3，处于饱和模式，
I EQ 2.65mA
I CQ
6 0.4 0.53mA 12
P书93 2-19
-6V RC 12K
100
复合管
2.判断管型。NPN型管 VB VE ,PNP管 VB VE 。 3.判断材料。硅管的 VBE 0.7V ,锗管的 VBE 0.2V 。
PNP三极管特点：
放大区 饱和区 截止区
发射结
正 VBE=-0.7 正 VBE=-0.7
反
集电结
反 (电源VCC为负值） 正 VBC=-0.4 VCE=-0.3
假设成立
gm 2
CoxW
2l
I DQ
0.34 mA
因为， 0 则 rds 1/ IDQ
P书131 3-13
场效应管估算法
无论P还是N沟道，都先假设工作在饱和区。 （1）由直流通路写出管外电路VGS与ID之间的关系式。 （2）根据FET的类型，选择合适的数学模型。 （3）联立求解上述方程。在得到的两组解中，根据FET选
取合适（VGS）的一组。
（4）判断电路工作模式： VDS VGS VGSth
PNP -VBE>0.7V;-VCE>0.3
-VBE>0.7V;-VCE<0.3
-VBE>0.7V;-VCE>0.3
复合管
P书92 2-13
结论： 1 2
P书92 2-19
VCC(-9V)
RB1
RC
RB2
RE
P16 2.6(b）
假设工作在放大模式
IE
6 0.7 RE
2.65mA
IC
IE
P书92 2-13
结论： 1 2
场效应管
判断P、N沟道？增强型还是耗尽型或结型？ （1）N沟道：VDS>0,ID流入管子漏极。
P沟道：VDS<0,ID自管子漏极流出。 （2）VGS极性取决于工作方式及沟道类型
JFET:VGS与VDS极性相反。
MOSFET增耗强尽型型：：VVGGSS与取V值DS任极意性相同
ID
nCoxW
2l
VGS VGSth
2 0.08 VGSQ 1.5 2
mA
联立求解上述方程：VIGDSQQ
0.37mA 3.63V
IDQ 17.14mA
VGSQ 13.14V 舍去
由图及上述分析结果得 VDSQ VDD - - IDQ R D RS 5.99
满足 VDS VGS VGSth
模拟电子电路习题课
——主讲教师： 玄玉波
画出二极管输出电路波形？
1.根据输入信号大小，判断二极管导通与截 止。
假设电路中二极管全部开路，分析二极管两 端电位（当电路存在多个二极管时，存在 优先导通权，正偏电压最大的管子优先导 通）
2.找出 VO 与 Vi 的关系。 3.画输出信号波形。 P6(三）P8六1.
+
5V -
VO
+ 5V-
确定二极管的工作状态。P7(四）1、
+
VZ
i
正向 +
-
O
v
A
IZmin
来自百度文库
反向
B
IZmax
双极性三极管，放大状态，用直 流电压表测得各三极管的各极电 位（对地）。试判断三极管的电 极、管型及所用材料？p13
1.判断电极：基极电位 VB 居中。对NPN管 VE VB VC 对PNP管 VE VB VC 。发射极和基极 电位差绝对值硅管0.7V左右，锗管0.2V左右， 据此可找出发射极e,并判断管子材料。最后 剩下的电极便为集电极c。