TiO2-忆阻器
第四种电子元件——忆阻器
长沙学院CHANGSHA UNIVERSITY 《信息科学与技术导论》课程论文论文题目:第四种基本电路元件--忆阻器系部：电子与通信工程系专业：电子信息工程学生姓名：班级：学号长沙学院教务处二○一一年二月制摘要5年前《自然》杂志的一篇论文，让“忆阻器”三个字广为人知。
这一被美国加州大学伯克利分校教授蔡少棠于1971年预言存在的第四种基本电路元件，在经历晶体管时代漫长的“下落不明”后，被惠普实验室首先“找到”，轰动了全球电子学界。
忆阻器是一类具有电阻记忆行为的非线性电路元件，被认为是除电阻、电容、电感外的第四个基本电路元件。
本文回顾了忆阻器的概念和数学定义，重点介绍了惠普实验室的P t / T iO 2 / P t 三明治结构的忆阻器薄膜器件模型和忆阻器元件某些值得关注的特性，如滞回曲线特性。
阐述了忆阻器在D-RAM的替代品、类脑系统、生物记忆行为仿真、基础电路和器件设计方面的应用前景。
关键词：忆阻器，理想元件，忆阻应用ABSTRACT5 years ago "Nature" magazine of a paper，so that "memristor" words known. This is the University of California，Berkeley professor Leon Chua predicted the existence of a fourth basic circuit element in 1971，after the transistor era long "missing" after being the first "found" HP Labs，the global electronic academic sensation. Memristor is a class of nonlinear circuit element having a resistance memory behavior is considered in addition to resistors，capacitors，inductors outside the fourth basic circuit element. This paper reviews the memristor concept and mathematical definition，focusing on the HP Labs P t / T iO 2 / P t memristor film memristor device model and some of the sandwich structure components noteworthy features，such as hysteresis curve characteristics. Memristor elaborated in alternative D-RAM, the class brain systems, biological memory behavioral simulation, basic circuits and devices prospect design.Keywords：memristor，ideal components，memristive applications目录摘要................................................................................................................... I I ABSTRACT .......................................................................................................... I I 一引言.. 0二忆阻器的概念和定义 0三忆阻器应用领域及研究方向展望 (2)（一）D-RAM的替代品——非易失性阻抗存储器( RRAM) (2)（二）类脑系统——模拟大脑的功能 (3)四中国忆阻器现状 (4)（一）有望续写摩尔定律 (4)（二）国内外鲜明对比 (5)（三）鸿沟待跨越 (6)结束语 (6)参考文献 (7)一引言很多人知道电阻器（抵抗电流）、电容器（存储电荷）和电感器（抵抗电流的变化），但很少有人知道第四类可记忆二端元件：忆阻器、忆容器和忆感器。
第四种电子元件——忆阻器
长沙学院CHANGSHA UNIVERSITY 《信息科学与技术导论》课程论文论文题目:第四种基本电路元件--忆阻器系部：电子与通信工程系专业：电子信息工程学生姓名：班级：学号长沙学院教务处二○一一年二月制摘要5年前《自然》杂志的一篇论文，让“忆阻器”三个字广为人知。
这一被美国加州大学伯克利分校教授蔡少棠于1971年预言存在的第四种基本电路元件，在经历晶体管时代漫长的“下落不明”后，被惠普实验室首先“找到”，轰动了全球电子学界。
忆阻器是一类具有电阻记忆行为的非线性电路元件，被认为是除电阻、电容、电感外的第四个基本电路元件。
本文回顾了忆阻器的概念和数学定义，重点介绍了惠普实验室的P t / T iO 2 / P t 三明治结构的忆阻器薄膜器件模型和忆阻器元件某些值得关注的特性，如滞回曲线特性。
阐述了忆阻器在D-RAM的替代品、类脑系统、生物记忆行为仿真、基础电路和器件设计方面的应用前景。
关键词：忆阻器，理想元件，忆阻应用ABSTRACT5 years ago "Nature" magazine of a paper，so that "memristor" words known. This is the University of California，Berkeley professor Leon Chua predicted the existence of a fourth basic circuit element in 1971，after the transistor era long "missing" after being the first "found" HP Labs，the global electronic academic sensation. Memristor is a class of nonlinear circuit element having a resistance memory behavior is considered in addition to resistors，capacitors，inductors outside the fourth basic circuit element. This paper reviews the memristor concept and mathematical definition，focusing on the HP Labs P t / T iO 2 / P t memristor film memristor device model and some of the sandwich structure components noteworthy features，such as hysteresis curve characteristics. Memristor elaborated in alternative D-RAM, the class brain systems, biological memory behavioral simulation, basic circuits and devices prospect design.Keywords：memristor，ideal components，memristive applications目录摘要................................................................................................................... I I ABSTRACT .......................................................................................................... I I 一引言.. 0二忆阻器的概念和定义 0三忆阻器应用领域及研究方向展望 (2)（一）D-RAM的替代品——非易失性阻抗存储器( RRAM) (2)（二）类脑系统——模拟大脑的功能 (3)四中国忆阻器现状 (4)（一）有望续写摩尔定律 (4)（二）国内外鲜明对比 (5)（三）鸿沟待跨越 (6)结束语 (6)参考文献 (7)一引言很多人知道电阻器（抵抗电流）、电容器（存储电荷）和电感器（抵抗电流的变化），但很少有人知道第四类可记忆二端元件：忆阻器、忆容器和忆感器。
忆阻器.ppt
对（5）式求积分
x (t ) v
RON q (t ) 2 D
（7）
令
D2
V
v(t ) [ X (t ) ROFF dx (1 X (t ))] RON dt
由（2）（3）（5）得
（8）
假设施加电压的时刻为
t t
t0
vdt , r
ROFF RON
t0
v( s )d ( s ) ( X ( s )
忆阻器的仿真与特性分析
忆阻器的研究背景
忆阻器理论与原理
忆阻器simulink仿真
忆阻器的提出
忆阻器是由加州大学伯克利分校蔡少棠教授 1971 年提出。 顾名思义，忆阻器的得名来源于其阻值对所通过的电荷量 的依赖性。简单的说，忆阻器的电阻值取决于多少电荷经 过了这个器件。也就是说，让电荷以一个方向流过，电阻 会增加；如果让电荷以相反的方向流过，电阻就会减小。
f ( x) 1 (2 x 1)2 p
（6）
其中p是一个正整数，是函数的控制参数。这个函数的缺 点是存在边界效应，即当到达边界点（ x =0或者x =1） 后就永远保持那个状态，再施加反向电流也无法改变忆阻 器的阻值了。
1 In1 Scope2
100 Constant1 Product Add1
这里存在一个明显的问题：就是缺少了一种能够将电荷与 磁通量关联起来的电路元件。而这种元件可由电荷和磁通 量之间的关系来定义。忆阻器代表了磁通与电荷之间的关 系，因而它被认为是电阻、电容、电感之外的第四种基本 无源电路元件。
美国惠普实验室研究人员于2008年 成功研制了首个能工作的忆阻器
由17条二氧化钛纳米结构 （约50nm宽）所制成的 忆阻器，中间以导线连接
忆阻器新型非线性窗口函数的伏安特性研究
x 用来描述掺杂区与忆阻器宽度的比值， µV 为离子迁移速率。i(t)表示通过忆阻器的电流，引入激励
(
)
由于忆阻器的设计要求较高，直接利用实物忆阻器来研究较为困难，因此，目前通常人们将忆阻器 引入到理想电路中构建理论模型，然后利用数值仿真来分析其特性是较为广泛的一种研究方法[2] [19]。
3. 结果与讨论
Keywords
Memristor, Window Function, Voltammetric Characteristics, Terminal State Problem
忆阻器新型非线性窗口函数的伏安特性研究
谢朔俏，张季谦，徐 飞，张健生，黄守芳，方婷婷
安徽师范大学，物理与电子信息学院，安徽 芜湖
Research on the Voltammetric Characteristics of a New Nonlinear Window Function of Memristor
Shuoqiao Xie, Jiqian Zhang, Fei Xu, Jiansheng Zhang, Shoufang Huang, Tingting Fang
College of Physics and Electronic Information, Anhui Normal University, Wuhu Anhui
th th th
Received: Dec. 4 , 2017; accepted: Dec. 18 , 2017; published: Dec. 25 , 2017
Biophysics 生物物理学, 2017, 5(4), 25-32 Published Online November 2017 in Hans. /journal/biphy https:///10.12677/biphy.2017.54004
分数阶忆阻器模型特性
第41卷第5期2023年10月沈阳师范大学学报(自然科学版)J o u r n a l o f S h e n y a n g N o r m a lU n i v e r s i t y(N a t u r a l S c i e n c eE d i t i o n)V o l.41N o.5O c t.2023文章编号:16735862(2023)05045905分数阶忆阻器模型特性陈岚峰,吕嫣,申海,李柳(沈阳师范大学物理科学与技术学院,沈阳110034)摘要:由于忆阻器具有对电变量的记忆特性,所以在工业领域有着广泛的应用前景㊂但是,它的机理和特性较为复杂,现今还没有得到广泛认同的数学模型,因而急需为其建立精确的数学模型,从而实现工业应用和商业化㊂基于忆阻器的数学定义,结合分数阶理论知识,为其建立精确的分数阶数学模型㊂通过对建立模型的时域和频域的分析,得到忆阻器模型的工作性能和特点:在时域内,电压和电流的旁瓣面积随着数学模型的阶次变化而变化;在频域内,模型的幅值随频率的升高而下降,相位变化相对较小㊂研究为进一步研究忆阻器的特点夯实了基础㊂关键词:忆阻器;数学模型;分数阶;时域;频域中图分类号:T P29文献标志码:Ad o i:10.3969/j.i s s n.16735862.2023.05.014C h a r a c t e r i s t i c s o f f r a c t i o n a l-o r d e rm e m r i s t o rm o d e lC H E NL a n f e n g,L Y UY a n,S H E N H a i,L IL i u(C o l l e g e o f P h y s i c a l S c i e n c e a n dT e c h n o l o g y,S h e n y a n g N o r m a lU n i v e r s i t y,S h e n y a n g110034,C h i n a)A b s t r a c t:T h em e m r i s t o r h a s aw i d e a p p l i c a t i o n p r o s p e c t i n m a n y i n d u s t r i a l f i e l d sb e c a u s eo f i t sm e m o r y c h a r a c t e r i s t i c s o f e l e c t r i c a l v a r i a b l e s.D u e t o i t sc o m p l e x m e c h a n i s m a n dc h a r a c t e r i s t i c s,t h e r e i sn ow i d e l y r e c o g n i z e dm a t h e m a t i c a lm o d e l.T h e r e f o r e,i t i su r g e n t t oe s t a b l i s ha na c c u r a t em a t h e m a t i c a l m o d e lf o r i t t o r e a l i z e i n d u s t r i a l i z a t i o n a n d c o mm e r c i a l i z a t i o n.B a s e d o n t h em a t h e m a t i c a ld e f i n i t i o n o f m e m r i s t o ra n d c o m b i n e d w i t h f r a c t i o n a l-o r d e rt h e o r y,a n a c c u r a t ef r a c t i o n a l-o r d e rm a t h e m a t i c a lm o d e lw a s e s t a b l i s h e d f o r i t i n t h i s p a p e r.B y a n a l y z i ng th e ti m e a n df r e q u e n c y d o m a i no f t h i sm o d e l,t h ew o r k i n gp e r f o r m a n c ea n dc h a r a c t e r i s t i c so fm e m r i s t o rm o d e la r e ob t a i n e d.I n t h e t i m e d o m a i n,t h e s i d e l o b e a r e a o f v o l t a g e a n dc u r r e n t c h a n g ew i t h t h e o rde r o fm a t h e m a t i c a lm o d e l.I n t h e f r e q u e n c y d o m a i n,t h e a m p l i t u d eo fm o d e l d e c r e a s e sw i t h t h e i n c r e a s eo f f r e q u e n c y,a n dt h e p h a s ec h a n g e i sr e l a t i v e l y s m a l l.S o,i t l a y sa g o o df o u n d a t i o nf o r f u r t h e rr e s e a r c ho n t h e c h a r a c t e r i s t i c s o fm e m r i s t o r s.K e y w o r d s:m e m r i s t o r s;m a t h e m a t i c a lm o d e l;f r a c t i o n a l-o r d e r;t i m e d o m a i n;f r e q u e n c y d o m a i n 1971年,研究人员[1]从电路变量和电路元件的公理完备性㊁逻辑相容性及形式对称性角度考虑,提出了迷失电路元件,即忆阻元,它是一种表征电荷和磁通关系的非线性无源二端口元件[2],改变了人们对传统电路的认知㊂2008年,该元件模型由H P实验室研究人员基于一阶线性常微分方程制造[3]㊂自无源忆阻器问世以来,人们对与该元件相关的应用领域产生了极大的兴趣,提出了许多新项目[4]㊂忆阻器的数学模型分为整数阶模型和分数阶模型两大类㊂在现阶段的研究中,整数阶模型分为数学模型和电路模型,而分数阶模型仅有数学模型的研究成果[5]㊂在整数阶模型研究上,B i o l e k等[6]提出了一类被称为S P I C E的忆阻器整数阶模型,该模型能够较好地模拟忆阻器的特性,为具有记忆的元件收稿日期:20230204基金项目:国家自然科学基金资助项目(61174175)㊂作者简介:陈岚峰(1979 ),男,辽宁沈阳人,沈阳师范大学讲师,博士㊂建模提供了一种较为新颖的研究方法与思路㊂在分数阶忆阻器模型研究中,P e t r a s 等[7]探究了建立忆阻器分数阶模型的建模方法,提出用分数阶微积分来描述忆阻器㊂F o u d a 等[89]基于对忆阻器分数阶模型的状态方程得到了忆阻器分数阶模型的组织表达形式,分析了忆阻器分数阶模型的响应特性,但是没有指出哪种窗函数对忆阻器分数阶建模最为适用㊂为了研究忆阻器分数阶模型的建立方法,本文提出一种具有非线性窗函数的荷控忆阻器分数阶模型,分析了该模型在激励的作用下产生的时域响应,说明可以基于改变模型参数来实现该系统记忆性的改变,并分析了忆阻器的频域响应,为实现对其精准的控制打下了良好的基础㊂1 分数阶微积分自然界的许多现象依靠现有的传统微分方程不能精确描述㊂分数阶微分方程是扩展传统微积分学的一种最直接的方式,即允许微分方程中对函数的求导阶次选择为非整数,而不仅是现有的整数[10]㊂随着分数阶微积分理论的不断推进,其被广泛地应用于如神经网络㊁求解微分方程㊁量子力学㊁衍射理论㊁光学系统处理及雷达㊁通信㊁声呐等领域,成为跨学科的研究方向[11]㊂常见的分数算子的定义有R i e m a n n -L i o u v i l l e (R -L )定义㊁C a p u t o 定义和G r u n w a l d -L e t n i k o v (G -L )定义㊂R i e m a n n -L i o u v i l l e 左右的分数导数定义如下[12]:R i e m a n n -L i o u v i l l e 左边的分数导数:aD αxf (x )=1Γ(n -α)d d æèçöø÷x nʏx a(x -τ)n -α+1f (τ)d τ(1) R i e m a n n -L i o u v i l l e 右边的分数导数:xD αbf (x )=1Γ(n -α)-d d æèçöø÷x nʏx a(τ-x )n -α+1f (τ)d τ(2)这里的Γ代表G a mm a 函数,α是导数的阶数,其中n -1<α<n ㊂如果α是一个整数,则微分就是通常意义上的形式,表示如下:aD αxf (x )=d dæèçöø÷x nf (x )(3)a D αtf (x )=d d æèçöø÷x nf (t )(4)2 忆阻器理论基础图1所示的忆阻器物理模型由2层薄膜(尺寸D ʈ10n m )的T i O 2组成,夹在铂触点之间[13]㊂其中图1 忆阻器模型F i g.1 M e m r i s t o rm o d e l 一层掺杂有氧空穴,因而其表现为半导体㊂第2个未掺杂区域具有绝缘特性㊂作为复杂材料工艺的结果,掺杂区的宽度w 取决于通过忆阻器而被调制的电荷量㊂当电流沿给定方向流动时,2个区域之间的边界沿相同方向移动㊂忆阻器的总电阻R M E M 是掺杂区和未掺杂区的电阻之和,w 是掺杂区的宽度,参考T i O 2层的总长度D ,R O F F 和R O N 是w =0和w =D时忆阻器电阻的极限值㊂2个电阻的比值通常为102~103㊂R ME M (x )=xR ON +(1-x )R O F F (5)其中x =w Dx ɪ(0,1)064沈阳师范大学学报(自然科学版) 第41卷欧姆定律指出v (t )=R ME M (q ,x ,t )i (t )(6)其中,x 表示忆阻器的状态变量,其物理上表示掺杂区域的长度与忆阻器D 的总长度之间的比率㊂此外,R O N 和R O F F 分别表示忆阻器的最小电阻和最大电阻㊂其状态方程由下式给出:d x d t=ʃk i (t )f (x )(7)其中:ʃ号表示忆阻器的极性;k =μv R O N /D 2是取决于掺杂剂迁移率μv 的忆阻器常数;f (x )是忆阻器掺杂漂移窗函数,由下式给出,其中变量p 为正整数㊂f (x )=1-(2x -1)2p (8)表达式(8)的形式保证了在接近任一边界时x 坐标的零速度㊂此外,线性和非线性漂移模型之间的差异随着参数p 的增加而消失[8]㊂3 分数阶忆阻器模型有关研究表明,分数阶微分方程能够更加准确地描述自然现象[14]㊂分数阶忆阻器的状态方程可以由式(9)表示如下:d αx d tα=ʃk i (t )f (x )(9)对式(5)两侧取微分,并将结果带入式(9),可以得到如下表达式:d αR ME M d t α=-R d d αxd tα(10)其中R d 是R O F F 和R O N 之间的差值㊂把线性窗函数f (x )=n 2x代入式(6),并根据R i e m a n n -L i o u v i l l e 提出的分数阶微积分的基本定义:J αf (t )=1Γ(α)ʏt(t -τ)α-1f (τ)d τ(11)可得2x α+1-x α+10Γ(α+2éëêêùûúú)=n k Γ(α)ʏt0(t -τ)α-1i (τ)d τ(12)其中x 0为x 在t =0时的初始值㊂对x 求解,可得忆阻器的表达式如下:R ME M =12R d [α(α+1)n k ʏt(t -τ)α-1i (τ)d τ+x α+10]11+α+R O F F (13)可见,忆阻器的阻值与参数α,n ,i 有关㊂4 分数阶忆阻器特性4.1 时域特性基于以上分析的分数阶忆阻器模型,结合应用某商业软件的函数[15],首先研究时间域内的电流㊁忆阻器阻值㊁电压随时间的变化情况(图2)㊂其中的电流变量为正弦量,取值为i (t )=I s i n (2πft )(m A )㊂这里的参数I =0.1,f =1Hz ,则i (t )=0.1s i n (2πt )(m A )㊂在计算R M E M 时,参数选择为R d =R O N -R O F F ,R O N =100Ω,R O F F =38k Ω,n =1,x 0=0.5,D =10n m ,μv =10-10c m 2㊃s -1㊃V -1㊂其次,当荷控分数阶忆阻器模型的阶次变化时,对忆阻器的时域影响进行了研究㊂阶次α的取值范围是0.1ʒ0.1ʒ1,电流与电压的变化曲线如图3所示㊂可见,电压与电流波形㊁旁瓣面积随着微积分阶次的变化而改变㊂荷控分数阶忆阻器在正弦信号激励下的阻值随时间的变化情况如图4所示,可见其阻值也是随时间趋近于正弦的,并且掺杂一定的直流信号,存在记忆性质㊂164第5期 陈岚峰,等:分数阶忆阻器模型特性264沈阳师范大学学报(自然科学版)第41卷图2电流㊁阻值㊁电压时域波形F i g.2T h ew a v e f o r m s o f c u r r e n t,r e s i s t a n c ea n dv o l t a g e i n t i m ed o m a i n图3电流和电压随微分阶变化情况F i g.3T h ev a r i a t i o no f c u r r e n t a n dv o l t a g ew i t hd i f f e r e n t i a l o r d e r图4阻值时域波形F i g.4T h ew a v e f o r m s o f r e s i s t a n c e i n t i m ed o m a i n4.2频域特性荷控分数阶忆阻器频域响应如图5所示㊂其中的参数选择如下,α=0.8,x0=0.5㊂其它参数选择同上㊂由幅频特性曲线和相频特性曲线可知,随着频率的升高,忆阻器模型的阻值幅度在减小,而相位特性变化较小,且在高频段相位基本不变㊂基于以上对忆阻器模型频率特性的分析,可以为忆阻器的进一步研究提供指导㊂图5 荷控忆阻器阻值的频域响应图F i g .5 T h ed i a g r a mo f c h a r g e -c o n t r o l l e dm e m r i s t o r r e s i s t a n c e r e s p o n s e i n f r e q u e n c y do m a i n 5 结 语本文基于忆阻器的数学理论研究分析了其工作原理,得到了忆阻器阻值模型的数学表达式㊂主要针对分数阶忆阻器模型的表达式进行了研究,分析了其时域特性和频域特性㊂在时域内,分析了数学模型的阶次对阻值及其响应电流和电压的影响及变化规律㊂在频域内,得到了忆阻器模型的响应图,分析了各个频率段内幅值和相位的变化规律㊂本文为深入了解忆阻器性能提供了研究基础㊂参考文献:[1]谷雅娟.基于忆阻器的分数阶神经网络的控制研究[D ].北京:北京交通大学,2020.[2]徐诚.分数阶广义忆阻器特性分析及其在混沌电路中的应用研究[D ].西安:西安理工大学,2019.[3]张士英.一种荷控忆阻器分数阶模型的研究[D ].武汉:武汉科技大学,2017.[4]P U Y F ,Y U B ,H E Q Y ,e ta l .F r a c t i o n a l -o r d e r m e m r i s t i v en e u r a ls y n a p t i c w e i g h t i n g a c h i e v e db yp u l s e -b a s e d f r a c m e m r i s t o r b r i d ge c i r c u i t [J ].信息与电子工程前沿(英文版),2021,22:862876.[5]吴宇鑫.一种忆阻器的分数阶模型及其应用研究[D ].武汉:武汉科技大学,2016.[6]B I O L E K D ,B I O L E KZ ,B I O L K O V A V.I n t e r p r e t i n g a r e ao f p i n c h e dm e m r i s t o rh y s t e r e s i s l o o p [J ].E l e c t r o nL e t t ,2014,50(2):5074.[7]P E T R A S I ,C H E N Y Q ,C O O P MA N S C .F r a c t i o n a l -o r d e r m e m r i s t i v es y s t e m s [C ]ʊP r o c e e d i n g so f12t hI E E E I n t e r n a t i o n a l C o n f e r e n c eo n E m e r g i n g T e c h n o l o g i e sa n dF a c t o r y A u t o m a t i o n .P a l m ad e M a l l o r c a ,S pa i n :I E E E ,2009:12511258.[8]F O U D A M E ,R A DWA N A G.O n t h e f r a c t i o n a l -o r d e rm e m r i s t o rm o d e l [J ].JF r a c tC a l cA p p l ,2013,4(1):17.[9]F O U D A M E ,R A DWA N A G.F r a c t i o n a l -o r d e r m e m r i s t o rr e s p o n s eu n d e rD Ca n d p e r i o d i cs i g n a l s [J ].C i r cS y s S i gn a l P r ,2015,34(3):961970.[10]陈震.压电智能材料I P M C 的建模与控制研究[D ].沈阳:东北大学,2013.[11]王福兴,蒲亦非,周激流.分数阶微积分的应用研究[J ].通信观察,2011(8):1214.[12]A L AWA I D E H Y ,A L K HAM I S E H W ,A I -K HAM I S E H B M ,e ta l .P o d o l s k y s g e n e r a l i z e df r a c t i o n a l -o r d e r m o d e l [J ].I n f S c i L e t t ,2022,11(6):20052012.[13]S T R U K O V D B ,S N I D E R G S ,S T E WA R T D R ,e ta l .T h e m i s s i n g m e m r i s t o rf o u n d [J ].N a t u r e ,2008,453:8083.[14]吴朝俊,祁永伟,刘璋,等.基于分数阶忆阻器的混沌电路分析与设计[J ].电子元件与材料,2022,41(2):186194.[15]陈岚峰,崔崧.基于I P M C 分数阶系统的频域辨识研究[J ].沈阳师范大学学报(自然科学版),2016,34(1):6265.364第5期 陈岚峰,等:分数阶忆阻器模型特性。
忆阻器在神经网络中的应用
忆阻器在神经网络中的应用作者：王敬蕊来源：《山东工业技术》2016年第03期摘要：忆阻器是除电阻器、电容器、电感器之外的第四种基本无源电子元件。
忆阻器和电阻的量纲相同，但是它的电阻值会随着流经的电荷量而发生改变，因而具有不同于普通电阻的非线性电学性能。
忆阻器能够在电流断开时，仍能记忆之前通过的电荷量，从而保持之前的阻值状态，因而具有记忆功能。
忆阻器的这些特性与生物大脑中神经突触的工作原理及结构有着高度相似性，并且，忆阻器有着很简单的金属/介质层/金属三明治结构，集成度高，因此在新型神经突触仿生电子器件领域引起极为广泛的关注。
基于忆阻器，有望在不久的将来实现无数科学家一直以来的梦想——开发出与人脑结构类似的认知型计算机以及类人机器人。
关键词：相似性；可塑性；阻变机理DOI：10.16640/ki.37-1222/t.2016.03.1020 引言人工神经网络是一种旨在模仿人脑结构及其功能的信息处理系统。
神经元之间突触的联系强度是可变，这是学习和记忆的基础。
人工神经网络可以通过“训练”而具有自学习和自适应的能力。
神经网络技术的关键是权重设计，权重的硬件实现需要一个长期保持记忆且不耗能的纳米级元件。
传统的人工神经网络技术都是在传统计算机基础上进行的，其主要缺点是运算量巨大且运算不是并行处理。
如果在硬件上实现人工神经网络的并行分布式处理、非线性处理，自我学习功能和自适应性等功能，就能够解决了人工神经网络在传统计算机上运算量巨大的缺点。
而单个忆阻器便可实现神经突触功能的模拟，而且忆阻器能够很容易与纳米交叉连接技术相结合，具有大规模并行处理、分布式信息存储、巨大存储量等优势。
所以利用忆阻系统是人工神经网络实现神经突触功能的模拟的最好的方式之一，因而成为近年来研究的热点。
1 忆阻与神经突触的相似性神经元是大脑处理信息的基本单元。
人脑大约含有1011-1012个神经元，神经元互相连接成神经网络。
突触是神经元间信息传递的关键部位，决定了前后神经元之间的联系强度。
二元氧化物忆阻器材料及其在突触领域研究进展
DOI:10.19551/ki.issn1672-9129.2021.08.167金融学专业中外合作办学问题及对策章㊀郡㊀㊀胡㊀霄㊀㊀蔡㊀琳(武汉东湖学院㊀湖北㊀518000)摘要:全球经济的发展在一定程度上促进了我国经济的快速发展㊂只有牢牢抓住机遇,我国经济才能高速发展㊂这门课程需要很多人才,尤其是金融专家,这对中国大学的教育工作提出了更高的要求㊂大学培养的人才必须能够满足社会的发展和需求,并满足社会的包容性需求㊂与过去相比,我国的高等教育有了显着改善,但还不完善㊂由于受过训练的大学生无法充分满足社会的需求,因此必须引入国外的教学方法和教学模式㊂本文主要分析了金融学专业中外合作办学的问题,并针对这些问题提出了具体的解决方案㊂关键词:金融学;运营;中外合作;措施中图分类号:F830-4;G648.9㊀㊀㊀文献标识码:A㊀㊀㊀文章编号:1672-9129(2021)08-0173-01㊀㊀1㊀金融学专业中外合作办学中存在的问题1.1教科书的问题㊂一些接受中外合作教育的金融大学向外界宣称,他们正在从国外进口他们使用的教科书,实际上,这些学校的金融教科书根本没有引入外国教科书,即使引入了外国教科书,教师也没有在实际教科书中有效地利用它们㊂为了提高国内外学校运营的质量,一些大学引入了许多外国金融教科书和大纲㊂但是,由于学校没有为引进的教科书提供固定的评估标准,因此引入了许多质量较差和不合适的教科书㊂不仅教科书没有提高教育质量,而且由于教科书的不合理性,金融专业的学习效果大大降低㊂以上两种情况反映了大学的中外合作教育理念,但并未真正实现中外合作教育的内容㊂1.2低级合作伙伴㊂一些合作伙伴的学术和教育水平不能得到完全保证,对合作伙伴的具体条件也没有清晰的了解㊂因此,我国大学在学校运营中的中外合作总体水平较低,可引进的教育方法和教育资源不足以开展深入合作㊂此外,为了吸引学生并增加在校学生的数量,许多大学在公关过程中夸大了中外合作教育的一流质量,因此大大降低了教育质量㊂1.3教师专业性问题㊂金融专业需要很多中外合作的高级教师,但如今,我国教师教育水平参差不齐,而恰好这个专业的教师要求比普通专业更高,因此在聘请老师时,不仅要注意他们的的工作和教学经验,还要注意他们各个方面的能力㊂然而,目前在金融专业任职的教师有高学历,但没有相关的工作经验和出国留学经验,或者没有实践经验和出国留学经验,但是学历相对较低㊂另外,还应具有开放思想的年轻教师,年长的老师是教学团队的坚决拥护者,年轻的老师是教学团队的领导者,二者共同努力,以提高整体教学质量㊂2㊀完善金融学专业中外合作办学的措施2.1选择适合中外合作管理的教科书㊂为了提高中外金融合作的教育质量和水平,首先要解书本问题,改善金融课书本的质量㊂目前,我国大多数已经进行中外合作的学校并没有使用国外的教科书,依旧使用根据我国的基本国情编写的书,虽然适合所有学生,但是由于中外合作教育所要培养的人才是国际人才,中外合作教育的金融学生必须了解本国国情和金融发展,也要了解金融发展㊂但是,国内的教科书无法为金融专业的学生提供这样的学习内容㊂为真正实现中外合作经营金融专业,培养国际人才的目标,应利用中英文双语教科书或英文原版教科书㊂除了国内外教科书所关注的国家以外,还有另一个明显的区别㊂换句话说,国内教科书更侧重于理论,而外国教科书更侧重于实践㊂金融专业的学生不仅可以使用外国教科书来拓宽视野,而且可以将自己的知识与国外的现状相结合以达到国际水平㊂2.2选择合适的合作伙伴㊂我国大学中外合作过程中选择的合作目标水平决定了学校管理中的合作水平㊂想要中外合作教育的质量高,我们的合作伙伴的教学质量就必须高,教学资源必须丰富㊂反之,如果合作伙伴的教学质量较差,教学资源不足,学校的教学质量就会大大降低了㊂因此,大学在开展学校运营中的中外合作时必须选择合适的合作伙伴,在发展中外金融合作教育之前,大学应该对外国合作大学和大学进行充分的了解和详细分析,对外国学校办学的能力和资格有深入的了解㊂2.3教师质量的提高㊂如果教师水平不高,那么我们想要金融专业的合作质量就不会高㊂如果还有别的专业的参与,教学能力就很高,因为合作教学的质量还不错,因为教学经验非常丰富㊂可以看出,财务教师的专业水平与合作教育水平直接相关㊂要培养国际金融人才,必须首先确保培训团队的国际化㊂可以派一些金融教师到外国合作伙伴或其他享有声誉的学校学习,以增进他们的知识并丰富他们的学习经验㊂金融专业的教师必须具有出国留学的经验,还需要回到中国,招募到国外学习的硕士或博士,并招募优秀的外国教师㊂3㊀总结为社会培养高层次的人力资源,合作教育的发展已在一定程度上解决了这一问题㊂现在,已经有好几所大学正在按这个标准进行合作教育,通过使用外国教科书,有高质量的教师,老师的教学质量和学生的学习质量有了很明显的进步,相比之前取得了相当不错的成绩㊂参考文献:[1]张漾滨.改革开放以来中外合作办学问题研究[D].河北师范大学,2008[2]李晨.高等教育国际化背景下的中外合作办学研究[D].青岛大学,2007[3]王悦,房红.中外合作办学存在的问题及对策[J].科技创业月刊,2014(2)[4]贾欣宇,裴英凡,房红.基于中外合作办学的金融学专业人才培养模式研究[J].科技创业月刊,2015(10)DOI:10.19551/ki.issn1672-9129.2021.08.168二元氧化物忆阻器材料及其在突触领域研究进展周小霞㊀邵一凡㊀杨㊀晗㊀王敬蕊(宁波工程学院㊀浙江㊀315211)摘要:近几年该材料在突触仿生功能的运用,让人们对人造神经网络有了更深一步的认识,同时也被认为实现高效脑人工神经网络的独特器件㊂本文将综述近几年研究的二元氧化物材料,如:ZnO㊁TiO x㊁SiO x㊁WO x㊁HfO x㊁TaO x㊁ZrO x氧化物材料关于突触仿生功能的实现,也将概述氧化物材料特点㊁目前采用的制备为忆阻器的方法㊁突触领域的现有研究,并展望未来该领域的更多可能性㊂关键词:二元氧化物;忆阻器;神经元;突触中图分类号:TN606㊀㊀㊀文献标识码:A㊀㊀㊀文章编号:1672-9129(2021)08-0173-02㊀㊀引言:忆阻器,全称记忆电阻器(Memristor),表示磁通与电荷之间的关系,最早是由华裔科学家蔡少棠提出,后由惠普实验室证实了它的存在㊂目前基于忆阻器实现的神经网络架构中,通常使用电导表示权重,其用施加电压㊁检测电流的方式来更新和读取权重的过程存在不可避免的电能损耗㊂由于忆阻器的逻辑运算和存储功能的突出特点,也是硬件实现人工神经网络突触的最好方式㊂1㊀忆阻器人工突触功能仿生突触作为连接神经元的重要且必要接口,它的连接强度即权值会随着实现功能过程的不断改变而做自身的调整,脉冲信号是通过神经元产生㊁而经突触传递的,因此,神经元和突触的模型建立是构建脉冲神经网络模型中最重要的两部分㊂1.1突触可塑性㊂人工突触器件的电导可以模拟式地连续调节功能的实现是模拟生物神经突触的可塑性的必要条件㊂㊃371㊃DOI:10.19551/ki.issn1672-9129.2021.08.169关于无机非金属材料的发展趋势浅谈康宇瀚(重庆科技学院㊀401331)摘要:我国金属能源供应不足㊂无机非金属材料是我国现代工业,农业和国防发展必不可少的一部分,本文分析了无机非金属材料工业的发展趋势㊂在考察了国内无机非金属材料的发展现状后,考虑理论指导对材料科学未来发展的影响的同时,对无机非金属应用和发展趋势提出了一些建议㊂关键词:无机非金属;发展趋势中图分类号:TB321㊀㊀㊀文献标识码:A㊀㊀㊀文章编号:1672-9129(2021)08-0174-02㊀㊀引言:新型无机非金属材料的出现是为了朝鲜军队的发展,由于后来对无机非金属的深入研究,按照当前材料工业的发展趋势,新型无机非金属材料复合材料被广泛应用于各个领域,并逐渐取代现有的材料,例如,在汽车速度控制,城市建设等行业中,无机非金属材料取代所有普通材料的趋势十分明显㊂1㊀无机非金属材料的优点对金属材料,有机材料和无机非金属材料这三种材料的分析研究表明,无机非金属材料具有很强的完整性㊂由于无机非金属材料本质上是固体材料,因此无机非金属材料具有相对稳定的物理和化学性质,并且在使用过程中不会发生无机非金属材料的老化和风化㊂第二,在正常情况下,无机非金属材料可以承受0.5H-1.0H的高温影响,属于耐火材料中的第一至第三类耐火材料㊂其次,无机非金属材料的结构相对稳定并且具有致密的结构,因此无机非金属材料在防水方面起着很大的作用,并且无机非金属材料可以有效地防止土地和土地的渗透㊂2㊀无机非金属材料的缺陷和措施2.1缺陷㊂从客观的角度来看,无机非金属材料在许多方面表现都相对较好,但这并不意味着该材料没有缺陷㊂相反,目前正在研究的无机非金属材料在缺陷方面更为突出㊂从类别的角度来看,无机非金属材料的问题包括附着力不足,陶瓷现象,陶瓷层破裂和麻泡沫㊂这些缺陷使无机非金属材料无法获得所需的效果㊂最终产品也不理想㊂此外,如果选择有缺陷的无机非金属材料进行生产和加工,则最终产品在使用过程中也会表现出更大的安全隐患,例如更大的爆炸,裂缝,光泽度下降等㊂这对生活和工作产生了不利影响㊂2.2解决方案㊂无机非金属材料中出现缺陷并非偶然,每种类型的缺陷都有其自身的原因,因此需要有效的方法来解决㊂为了避免缺陷的再次发生,有必要通过许多实验客观地选择的解决方案㊂首先,考虑到气泡和针孔的出现,在实际工作中,建议对表面进行有效的酸处理并稀释稀碱溶液,以免出现气泡和针孔㊂3㊀无机非金属材料的应用(1)在建筑工程中的应用㊂尽管我国的建筑业最近发展很快,但同时也出现了能源短缺的问题,但是非金属材料具有能够满足发展需求的优势㊂(2)适用于国防装备㊂作为新型的无机非金属材料,人造晶体㊁无机纤维㊁高级陶瓷等已广泛用于现代国防建设,是不可替代的材料基础㊂首先是人造晶体,其更广泛用于海底通信㊁电子对策㊁弹道制导㊁激光武器等,其次是由于其耐高温和高韧性而广泛用于航空航天的特殊陶瓷㊂4㊀无机非金属材料的发展趋势随着我国化学技术的飞速发展,化学工业日常生产中使用的材料种类也在增加,极大地提高了我国化学工业的发展水平㊂无机非金属材料已逐渐成为社会发展过程中相对普遍的创新材料,并已广泛应用于许多领域,特别是在绿色建筑,信息技术和军事领域㊂无机非金属材料产品丰富,衍生物相对较多,具有环保㊁节能㊁实际使用效率高的优点,可以有效地促进我国经济的快速发展㊂(1)低维发展㊂无机非金属材料的低维发展可以用宏观和微观两种方式表达㊂首先,从宏观的角度来看,低维㊀㊀1.2突触的电阻切换机制㊂忆阻器的电阻切换机制可被分为两种:一种是具有突变的高低两种电阻状态实现 0和 1 之间的储存㊂另一种则表现出电阻缓变的行为㊂2㊀二元氧化物材料二元氧化物相对于多元来说,结构相对简单,制备工艺以及CMOS兼容等优点,是研究突触仿生的重要材料,这些二元氧化物材料主要是来自过渡区的金属氧化物,以及部分镧系金属氧化物,在这些材料中,ZnO㊁TiO x㊁SiO x㊁WO x㊁HfO x㊁TaO x等材料备受研究者的关注㊂2.1ZnO㊂ZnO一般具有良好的生物相容性,并且成本较低,对环境友好的优秀阻变材料㊂ZnO的纯电子结构构成的忆阻器件,它可以模拟生物的神经突触仿生功能和长程可塑性的学习行为㊂ZnO作为最常用的氧化物材料,经常作为一介质层参与其他材料的忆阻器性能测试㊂目前制备该忆阻器件的方法有电沉积㊁热氧化㊁纺丝涂层方法等,不同方法制备出来可有不同特性㊂2.2TiO x㊂TiO x是最具有代表性的一个氧化物忆阻器,忆阻器的实物发现则是惠普实验时提出的TiO x双层结构( 三明治 结构)模拟器㊂由于该忆阻器件本身性能的可靠性㊁稳定性㊁良好可透性㊁成本低㊁易于制造以及有很高的介电常数等性质㊂目前现有的资料显示,由于该物质在现实生活中应用很广泛,故该忆阻器件的制备方法也呈现多样性㊂2.3WO x㊂WO x材料在近几年移动电子需求增加的趋势下,因为它出色的耐受力,灵活的可控性,且当前CMOS工艺兼容结构简单等优良特性,该忆阻器件将成为下一代非易失性存储器的理想选择㊂由于该器件记忆神经网络的低功耗和高集成度等优点,这一功能也就被广泛运用在图像识别㊂2.4SiO x㊂SiO x具有半导体电阻特性且物质的超硬度㊁不易传热等特点,是当前电子技术行业运用最广泛的忆阻器材料之一㊂目前制备SiO x忆阻器件可以通过磁控溅射㊁射频溅射等方法㊂由于SiO x在薄膜不能实现突触权重的可调性,在人工神经网络突出领域得到了限制,就解决该物质在突触领域的性能稳定和权重连续可调问题,仍然是目前实现SiO x在突触领域更好运用的重要问题㊂2.5HfO x㊁TaO x㊁ZrO x㊂HfO x㊁TaO x和SiO x一样,被当做最具潜力的忆阻器材料㊂其中TaO x独特的结构,还具有很好的CMOS兼容性,以此为基础制作出来的器件为新型忆阻器件提供了更优良的特性㊂TaO x和TiO x是现在三星公司研究的最主要研究材料,具有优良的突触可塑性㊂ZrO x㊁HfO x 材料的忆阻器都表现出较高稳定性,同时HfO x忆阻器件还具有低压㊁高速㊁重复性好等优点,可呈现相对于Ti㊁W等更好的突触性能 速度快㊁均一性好㊁可重复写入/擦除,且可以很好地模拟STDP㊁STM和LTM的学习 遗忘 再学习等突触功能㊂3㊀忆阻器在突触领域应用前景现如今,人工智能是现在科技的发展热点,在计算机系统领域有着广阔的前景优势,且忆阻器作为可以实现人体大脑神经网络的重要器件,在这方面的运用或许可以成为改变IT行业的重要器件㊂忆阻器模拟人体大脑突触结构通过脉冲信号实现信息传输,并且它的学习规则与神经网络极其相似㊂结语:忆阻器可通过不同的阻变机制模拟不同的突触功能,上述所有二元氧化物的实现途径都是基于氧空位原理,因此可以明白他们之间的通性 CMOS技术兼容性㊁可操作性强,尺寸小等特点㊂参考文献:[1]李清江,刘海军,徐晖.忆阻器的发展现状与未来\ [J\].国防科技,2016,37(06):9-16.[2]承艳坤,林亚,王中强,徐海阳,刘益春.WO x基忆阻器的信息存储及神经突触仿生研究\[J\].微纳电子与智能制造,2019,1(04):112-120.[3]承艳坤,林亚,王中强,徐海阳,刘益春.WO x基忆阻器的信息存储及神经突触仿生研究\[J\].微纳电子与智能制造,2019,1(04):112-120.(本文通讯作者:王敬蕊)㊃471㊃。
二氧化钒忆阻器-概述说明以及解释
二氧化钒忆阻器-概述说明以及解释1.引言1.1 概述在引言部分的概述中，我们将介绍二氧化钒忆阻器的基本概念和它在电子领域的重要性。
忆阻器是一种特殊的电阻器，它具有自我记忆能力。
二氧化钒作为一种常见的忆阻器材料，在忆阻器的研究和应用中具有重要地位。
忆阻器能够根据输入信号的幅度和频率改变其电阻值，具有非线性的电阻特性。
这种特性使得忆阻器能够在模拟电路和存储器中发挥重要作用。
而二氧化钒作为一种经济、易得和稳定的材料，被广泛应用于制造忆阻器。
引言部分还将介绍忆阻器的原理和特点。
忆阻器的工作原理主要基于材料表面电荷重构、晶格结构变化和离子扩散等机制。
这些机制使得二氧化钒具有非线性的电阻-电流关系和可编程的电阻切换特性。
这些特点使得忆阻器在存储器、电路设计和人工智能等领域具有广泛的应用前景。
通过本文的概述部分，读者将了解到二氧化钒忆阻器的基本概念、原理和特点。
这为后续章节中对二氧化钒忆阻器性质和应用以及未来发展方向的探讨奠定了基础。
1.2文章结构1.2 文章结构本文将分为三个主要部分，以探讨二氧化钒忆阻器的性质、应用以及其潜在的优势和未来发展方向。
具体结构如下：第一部分是引言部分，将从概述、文章结构和目的三个方面介绍本文的主题和组织结构。
首先，我们将简要概述二氧化钒忆阻器的背景和意义，引发读者对该主题的兴趣。
其次，我们将说明本文的结构框架，帮助读者理解全文的逻辑关系和内在联系。
最后，我们将阐明本文的目的，即通过对二氧化钒忆阻器的研究和探讨，探索其在现实应用中的潜力。
第二部分是正文部分，将详细介绍二氧化钒的物理性质和主要应用，以及忆阻器的工作原理和特点。
在二氧化钒的性质和应用方面，我们将探讨其化学成分、晶体结构以及独特的电学性质，并总结其在能源存储、传感器和信息存储等领域的广泛应用。
在忆阻器的原理和特点方面，我们将解释其内部结构和工作机制，以及与传统电阻器之间的区别和优势。
通过这一部分的介绍，读者将对二氧化钒忆阻器有更全面的了解。
忆阻器的发展与应用
未来研究方向和前景展望
新型材料与技术
探索新型材料和技术，提高忆 阻器的性能、稳定性和可靠性
，降低成本。
神经形态计算
利用忆阻器模拟神经元和突触的 功能，构建神经形态计算系统， 实现更高效、智能的计算。
物联网与边缘计算
将忆阻器应用于物联网和边缘计 算领域，实现数据的就近存储和 处理，提高响应速度和能效比。
化学气相沉积
通过化学反应在基底上生 成忆阻材料薄膜。
微纳加工技术
光刻技术
利用光刻胶和光刻机对忆 阻材料进行微细加工。
刻蚀技术
采用干法刻蚀或湿法刻蚀 技术，对忆阻材料进行高 精度刻蚀。
纳米压印技术
利用纳米压印模板在忆阻 材料上压印出纳米级图案。
性能测试与表征方法
电学性能测试
测试忆阻器的电阻、电容、电感等电 学性能。
应用
MRAM具有非易失性、高速、低功耗等优点， 被广泛应用于嵌入式系统、移动设备、航空航 天等领域。同时，MRAM还有望成为未来神经 形态计算和量子计算的重要硬件基础。
各类存储器性能比较
01
02
03
04
速度
RRAM和PCRAM的读写速度 较快，而MRAM的读写速度
相对较慢。
功耗
RRAM和PCRAM的功耗较低 ，而MRAM的功耗相对较高
神经形态计算挑战
神经形态计算在硬件实现、算法设计 、系统集成等方面面临诸多挑战，如 神经元和突触的复杂动态特性、硬件 资源的有限性等。
基于忆阻器的突触仿生器件
忆阻器作为突触仿生器件
忆阻器具有非易失性、连续可调电阻等特性，可模拟生物突触的权重调节和信息传递功 能。
突触仿生器件应用
基于忆阻器的突触仿生器件在图像识别、语音识别、自然语言处理等任务中展现出良好 性能。
忆阻器及忆阻混沌电路
式中，a.b.c和d是正常数；sgn(.)为符号常数。
忆阻器及忆阻混沌 电路
忆阻器及忆阻混沌 电路
图 4 分段线性忆阻特性曲线
2.3.2 三次型非线性模型
➢ 该部分主要针对磁控忆阻器展开相应的研究工作。定义磁控忆阻 器是由一条光滑单调上升的三次非线性特性曲线来描述，即
图1 电路的四个基本变量与四个基本元件
忆阻器及忆阻混沌 电路
1 引言
忆阻器具有其他三种基本元件任意组合都不能复制的特性 ，是一种有记忆功能的非线性电阻，可以记忆流经它的电 荷数量，通过控制电流的变化可改变其阻值。
2008年5月，惠普公司实验室研究人员Strukov等在 Nature上首次报道了忆阻器的实现性，其研究成果震惊了 国际电工电子技术世界，极大的唤起了人们开展忆阻器的 全方位研究的兴趣。
1
duo dt
1 R1C1
ui
即uo
ui dt
式中τ=R1C1为电路的时间常数，可用来调节系统的时间尺 度即工作频率。
忆阻器及忆阻混沌 电路
图 （4） 反向积分电路
3.1.2非线性运算电路
（1）乘法电路 模拟乘法器是完成乘法运算 的常用集成电路，一般的模拟 乘法器的输出具有一个增益系 数。 图所示电路分别是二次项和三 次项乘法电路，可对输入电压 进行乘法运算。 由图可得 uo=u1u2 由图可得 uo=u1u2u3 当u。ou=1=uu2 2,为=u二时次，项式乘可法以电写路成 当写路u成。1u=ou=2u=3u，3为=三u时次，项式乘可法以电
→_→
2008年11月，美国加州大学Pershi和Ventra二位学者 在Physical Review B上发表文章，描述了在半导体自 旋电子器件中发现了自旋记忆效应，提出了自旋电子忆阻 器器件。
什么是忆阻器
什么是忆阻器？忆阻器忆阻器的英文 Memristor 来自「Memory（记忆）」和「Resistor（电阻）」两个字的合并，从这两个字可以大致推敲出它的功用来。
最早提出忆阻器概念的人，是华裔的科学家蔡少棠，当时任教于美国的柏克莱大学。
时间是 1971 年，在研究电荷、电流、电压和磁通量之间的关系时，蔡教授推断在电阻、电容和电感器之外，应该还有一种组件，代表着电荷与磁通量之间的关系。
这种组件的效果，就是它的电阻会随着通过的电流量而改变，而且就算电流停止了，它的电阻仍然会停留在之前的值，直到接受到反向的电流它才会被推回去。
用常见的水管来比喻，电流是通过的水量，而电阻是水管的粗细时，当水从一个方向流过去，水管会随着水流量而越来越粗，这时如果把水流关掉的话，水管的粗细会维持不变；反之当水从相反方向流动时，水管就会越来越细。
因为这样的组件会「记住」之前的电流量，因此被称为忆阻器。
忆阻器有什么用？在发现的当时...没有。
蔡教授之所以提出忆阻器，只是因为在数学模型上它应该是存在的。
为了证明可行性，他用一堆电阻、电容、电感和放大器做出了一个模拟忆阻器效果的电路，但当时并没有找到什么材料本身就有明显的忆阻器的效果，而且更重要的，也没有人在找 -- 那是个连集成电路都还刚起步不久的阶段，离家用电脑开始普及都还有至少 15 年的时间呢！于是这时候 HP 就登场了。
事实上 HP 也没有在找忆阻器，当时是一个由 HP 的 Phillip J Kuekes 领军的团队，正在进行的一种称为Crossbar Latch 的技术的研究。
Crossbar Latch 的原理是由一排横向和一排纵向的电线组成的网格，在每一个交叉点上，要放一个「开关」连结一条横向和纵向的电线。
如果能让这两条电线控制这个开关的状态的话，那网格上的每一个交叉点都能储存一个位的数据。
这种系统下数据密度和存取速度都是前所未闻的，问题是，什么样的材料能当这个开关？这种材料必需要能有「开」、「关」两个状态，这两个状态必需要能操纵，更重要的，还有能在不改变状态的前提下，发挥其开关的效果，允许或阻止电流的通过。
忆阻器
忆阻器(Memristor)忆阻器被证实存在按照我们目前的知识，基本的无源电子元件只有3大类，即电阻器、电容器和电感器。
而事实上，无源电路中有4大基本变量，即电流、电压、电荷和磁通量。
早在1971年加州大学伯克利分校的蔡少棠(Leon Chua)教授就提出一种预测：应该有第四个元件的存在。
他在其论文《忆阻器：下落不明的电路元件》提出了一类新型无源元件—记忆电阻器(简称忆阻器)的原始理论架构，推测电路有天然的记忆能力。
忆阻器是一种有记忆功能的非线性电阻。
通过控制电流的变化可改变其阻值，如果把高阻值定义为“1”，低阻值定义为“0”，则这种电阻就可以实现存储数据的功能。
2008年，美国惠普实验室下属的信息和量子系统实验室的研究人员在英国《自然》杂志上发表论文宣称，他们已经证实了电路世界中的第四种基本元件———忆阻器(Memristor)的存在，并成功设计出一个能工作的忆阻器实物模型。
在该系统中，固态电子和离子运输在一个外加偏置电压下是耦合在一起的。
这一发现可帮助解释过去50年来在电子装置中所观察到的明显异常的回滞电流—电压行为的很多例子。
忆阻器器件的最有趣的特征是它可以记忆流经它的电荷数量。
其电阻取决于多少电荷经过了这个器件，即让电荷以一个方向流过，电阻会增加；如果让电荷以反向流动，电阻就会减小。
简单地说，这种器件在任一时刻的电阻是时间的函数———多少电荷向前或向后经目前已经可以通过一些技术途径实现忆阻器，但制约这类新硬件发展的主要问题是电路中的设计。
目前还没有忆阻器的设计模型使其用于电路当中。
有人预测，这种产品5年后才可能投入商业应用。
忆阻器将有可能用来制造非易失性存储设备、即开型PC（个人电脑）、更高能效的计算机和类似人类大脑方式处理与联系信息的模拟式计算机等，甚至可能会通过大大提高晶体管所能达到的功能密度，这将对电子科学的发展历程产生重大影响。
忆阻器基础电子学教科书列出三个基本的被动电路元件：电阻器、电容器和电感器；电路的四大基本变量则是电流、电压、电荷和磁通量。
氧化镓忆阻器
氧化镓忆阻器
氧化镓忆阻器是一种新型的存储器件，它利用了氧化镓材料的特殊性质来实现信息的存储和读取。
相比传统的存储器，如DRAM 和SRAM，氧化镓忆阻器具有更高的密度、更快的读写速度和更低的能耗。
此外，氧化镓忆阻器还具有非易失性，即使在断电的情况下，存储的信息也不会丢失。
氧化镓忆阻器的工作原理基于氧化镓材料的电阻变化。
当施加电场时，氧化镓材料的电阻会发生变化，这种变化可以用来表示二进制信息的0 和1。
通过控制电场的大小和方向，可以实现对氧化镓忆阻器的读写操作。
目前，氧化镓忆阻器已经在实验室中得到了成功的验证，并引起了广泛的关注。
随着技术的不断发展，氧化镓忆阻器有望在未来的存储器件中得到广泛应用。
tio2忆阻器制备
tio2忆阻器制备TiO2忆阻器是一种基于钛酸盐材料制备的电子元件，具有可调控电阻的特性。
本文将从TiO2材料的特性、制备方法、应用领域等方面进行介绍。
TiO2是一种常见的金属氧化物，具有优良的光电性能和化学稳定性。
TiO2材料的特性决定了其在电子器件中的应用潜力。
其中，TiO2忆阻器是一种利用TiO2材料的电阻可控性制备的电子元件。
制备TiO2忆阻器的方法有多种，其中最常见的是溶液法和物理气相沉积法。
溶液法制备TiO2忆阻器的步骤如下：首先，将适量的TiO2前驱体溶解在溶剂中，形成均匀的溶液。
然后，将溶液滴在导电基底上，并通过控制溶液的浓度和滴液速度来控制TiO2薄膜的厚度和形貌。
最后，将薄膜进行热处理，使其形成TiO2晶体结构。
物理气相沉积法制备TiO2忆阻器的步骤较为复杂，主要包括蒸发源的制备、气相输运和沉积等过程。
TiO2忆阻器具有很多应用领域，其中最为重要的是非易失性存储器（Non-volatile Memory，NVM）领域。
非易失性存储器是一种能够在断电后保持数据的存储器，具有数据存储稳定性好、读写速度快等特点。
由于TiO2忆阻器具有可调控的电阻特性，可以实现数据的存储和读取，因此被广泛应用于非易失性存储器中。
此外，TiO2忆阻器还可以用于模拟神经网络、人工智能芯片等领域，具有很高的应用价值。
虽然TiO2忆阻器具有很多优点，但也存在一些挑战和问题。
首先，制备TiO2忆阻器的工艺较为复杂，需要控制好材料的形貌和薄膜的厚度等参数。
其次，TiO2材料在制备过程中容易出现晶格缺陷和杂质的问题，会影响其电阻特性。
此外，TiO2忆阻器在长时间使用后可能出现退化现象，导致电阻变化不稳定。
因此，需要进一步研究和改进TiO2忆阻器的制备工艺和性能。
TiO2忆阻器是一种基于TiO2材料制备的电子元件，具有可调控电阻的特性。
通过溶液法和物理气相沉积法等制备方法可以获得TiO2忆阻器。
TiO2忆阻器在非易失性存储器等领域具有广泛的应用前景。
钙钛矿忆阻器的国内外研究
钙钛矿忆阻器的国内外研究
钙钛矿忆阻器是一种新型的电子器件，具有忆阻效应，可以在电场作用下改变电阻值，具有非常广泛的应用前景。
近年来，国内外对钙钛矿忆阻器的研究越来越深入，取得了一系列重要进展。
在国外，美国、日本、韩国等国家的科学家们一直在钙钛矿忆阻器的研究领域中发挥着重要作用。
美国的科学家们在钙钛矿忆阻器的制备和性能研究方面取得了很多重要进展，他们发现，通过控制钙钛矿晶体的缺陷结构和掺杂材料，可以显著提高钙钛矿忆阻器的性能。
日本的科学家们则在钙钛矿忆阻器的应用方面取得了很多重要进展，他们发现，钙钛矿忆阻器可以用于存储器、逻辑电路、传感器等领域，具有非常广泛的应用前景。
在国内，钙钛矿忆阻器的研究也在不断深入。
中国科学院物理研究所的科学家们在钙钛矿忆阻器的制备和性能研究方面取得了很多重要进展，他们发现，通过控制钙钛矿晶体的生长条件和掺杂材料，可以显著提高钙钛矿忆阻器的性能。
此外，中国科学院物理研究所的科学家们还在钙钛矿忆阻器的应用方面取得了很多重要进展，他们发现，钙钛矿忆阻器可以用于人工智能、量子计算等领域，具有非常广泛的应用前景。
钙钛矿忆阻器是一种非常有前途的电子器件，国内外的科学家们在钙钛矿忆阻器的研究领域中取得了很多重要进展，这些进展为钙钛矿忆阻器的应用提供了坚实的基础，也为我们探索更多的应用领域
提供了新的思路和方法。
钙钛矿 忆阻器
钙钛矿忆阻器钙钛矿晶体结构独特，具有多种出色的物理和化学性质，因此被广泛应用于电子器件、光电设备、太阳能电池等领域。
其中，钙钛矿作为一种记忆材料，被用于制作忆阻器。
本文主要介绍钙钛矿的结构、性质以及忆阻器的制作与应用。
一、钙钛矿晶体结构钙钛矿是一种ABX3型离子化合物，其中A位是一价或二价金属离子，B位是四面体配位的二价过渡金属离子，X位是六面体配位的氧离子。
钙钛矿的晶体结构特点是硬度高、对称性好。
常见的钙钛矿有氧化钛(TiO2)、氧化锆(ZrO2)、氧化铈(CeO2)、铁电体钙钛矿(BaTiO3)等。
钙钛矿的晶体结构可以通过X射线衍射实验获得。
由于其对称性好，因此可以通过点阵参数和对称性操作来描述其晶体结构。
例如，钙钛矿的点阵参数可以表示为a=b=c=3.905 Å，α=β=γ=90°，其中a、b、c分别代表三个周期性方向的长度，α、β、γ代表三个周期性方向的夹角。
此外，钙钛矿的对称性操作包括旋转和反射。
旋转操作会将晶体沿着某个轴旋转一定角度，并保持化学组成和晶胞体积不变。
反射操作则会将原有晶胞沿着中垂直于晶面的面进行反射，也会保持化学组成和晶胞体积不变。
二、钙钛矿的性质钙钛矿的性质涵盖了电学、热学、光学等方面。
其中，最有名的是其铁电性质。
铁电体钙钛矿可以在外加电场下发生极化，而且在去极化后可以保持一定的极化程度。
这种铁电效应可以应用于制作记忆材料，如忆阻器。
忆阻器是一种新型记忆材料，其基本原理为电阻值随电压的变化而变化。
而其内部结构则采用了铁电体钙钛矿。
在应用电场作用下，铁电体会发生电极化，增大或减小其电阻值，进而实现存储数据的作用。
因此，忆阻器在信息存储方面具有广泛的应用前景，比如说可用于神经网络的人工智能学习中。
三、忆阻器的制作与应用忆阻器能够将记忆效应转化为电学信号，由此可以制成可编程电阻、存储电路等器件。
忆阻器的制作过程包括了钙钛矿薄膜的制备和电性测量等方面。
钙钛矿薄膜的制备通常采用物理或化学气相沉积法。
基于忆阻器的鉴相电路设计与分析
基于忆阻器的鉴相电路设计与分析张小勇;杨立波;常浩;史俊斌;尚珍珍【摘要】分析忆阻器的基本理论,推导忆阻器阻值与电量、时间的函数关系,使用Simulink建立忆阻器模型,并验证该模型在正弦信号激励下,电流和电压具有滞回特性.设计基于忆阻器的鉴相电路,将相位差测量转化成对脉冲宽度的测量,对方法进行理论分析,并通过仿真实验验证了电路的功能.通过仿真、计算,得到忆阻器在边界非线性效应的影响下,非线性误差为9.82％.【期刊名称】《太原师范学院学报（自然科学版）》【年(卷),期】2018(017)004【总页数】5页(P65-68,87)【关键词】忆阻器;惠普模型;鉴相;非线性效应【作者】张小勇;杨立波;常浩;史俊斌;尚珍珍【作者单位】太原学院计算机工程系,山西太原030032;中北大学动态测试省部共建实验室,山西太原030051;太原学院计算机工程系,山西太原030032;太原学院计算机工程系,山西太原030032;太原学院计算机工程系,山西太原030032;中北大学动态测试省部共建实验室,山西太原030051【正文语种】中文【中图分类】TP391鉴相电路是指能够测量输入信号的相位差的电路,它是锁相环的重要组成部分,同时在一些测量电路中鉴相电路也有非常重要的应用,例如相位式激光测距仪中,可以通过测量两路信号的相位差来获得距离信息,目前应用最为广泛的鉴相器为数字式的,主要有Conventional PFD，precharged PFD等,但这些方法都存在死区,过充等缺陷[1].根据电路理论中的逻辑完整性,蔡少棠提出了根据电荷和磁通量关系定义的第四种基本元件忆阻器[2].近年来,在忆阻器在应用方面的研究取得了广泛的进展,目前这些研究主要集中于:存储器、神经网络、混沌电路等方面[3～6].忆阻器具有体积小、功耗低、便于集成等优点,利用忆阻器的特性,本文提出一种基于忆阻器的鉴相电路.1 惠普忆阻模型理论图1 惠普物理模型惠普模型是最早被提出的忆阻器模型,应用较为普遍,是目前最被业内认可的模型之一.其物理模型如图 1所示[7].该模型采用三明治结构,由两个Pt电极夹着两层薄膜结构构成,其中一层为TiO2,这一层是不导电的,另一层为缺少约0.5%氧原子的TiO2层,表示为 TiO2-x,这一层具有导电性.在忆阻器上加正向电压时,TiO2-x层中的氧空位向TiO2层中漂移,使部分TiO2转化为TiO2-x,TiO2-x层的厚度增加,整个器件表现为阻值减小.同理,当施加反向电压时,整个器件的表现为阻值增大.图1中,D表示TiO2和 TiO2-x的总厚度,W表示TiO2-x层的厚度.当W=D的时候,忆阻器阻值最小,用RON表示,当W=0时,忆阻器阻值为最大,用ROFF表示.根据这一模型,可以将忆阻器的阻值定义为(公式1)所示形式.Rm(t)=ROFF+(RON-ROFF)x(1)其中,x是TiO2-x层的厚度与总厚度的比值,可表示为:x=ω/D在掺杂区宽度一定时,电子在其内部的迁移速度由公式(3)决定.(3)式(3)中,η=±1,分别对应在忆阻器两端施加正、反向电压时的情形.μD为半导体中的电子在单位电压下的迁移速度,其值约为10-10cm2V-1s-1,i(t)为t时刻的电流大小.因为:对(3)两边积分可得(4).(4)(4)中是忆阻器中能够迁移的总的电荷量.将(4)代入(1)可得公式(5),其中ΔR=RON-ROFF.(5)根据欧姆定理,u(t)=Rm(t)i(t),由(5)可得:(6)取q(0)=0,解此微分方程可得:(7)其中Φ(t)是通过忆阻器的磁通量.在忆阻器边界上会发生非线性的离子漂移,为使得模型更加接近实际,在(3)的右侧乘上不同的窗函数,得到(8).(8)其中:w(x)是非线性的窗函数,这里使用的窗函数为1-(2x-1)2p,该函数是目前较常用的窗函数之一[8].在该函数的作下,离子在到边界处时,移动速度减小为0.将(8)代入(2)中,p取1时,通过求解微分方程,得到(9).(9)由(9)可知,忆阻值是由电荷量决定的,而电荷量是t的函数,所以当忆阻器参数一定时,两者是一个确定的函数关系.2 忆阻器的Simulink模型及特性验证根据(1)、(3)、(8)构建忆阻器的Simulink模型如图2所示,采用的窗函数为1-(2x-1)2p.图2 忆阻器Simulink模型图3 电压、电流滞回特性曲线仿真实验中的具体参数如下:初始状态x0取0.1,RON取100,ROFF100 kΩ,P取1,忆阻器上所加的信号为频率为30 kHZ的正弦恒流信号,仿真时间30 ms.仿真得到图3所示.从图3中可以看出:当施加的信号正向增大时,随着流过忆阻的磁通量的增大,器件阻值减小,在电压达到峰值前,曲线斜率逐渐增大;电压达到峰值后,曲线斜率逐渐减小,忆阻器的阻值增大,该模型所构成的器件具有电流和电压滞回特性,符合忆阻器的特性要求.3 鉴相电路设计与仿真3.1 鉴相电路设计与分析相位差存在于电压或电流信号中,可以使用填脉冲法、傅立叶变换等对其进行测量.这些方法一般都是将被测信号与参考信号的相位差转换成一定宽度的脉冲,通过测量脉冲宽度来获得相位差,技术的核心难点在于对脉冲宽度进行测量[9].这里设计了如图4所示的基于忆阻器的鉴相电路.图4 忆阻器的鉴相电路组成结构框图这里假设输入信号为正弦信号,参考信号与测量信号经过整形之后转换成脉冲信号,两路方波信号输入到RS触发器,RS触发器将两路输入的信号相位差转换成一路脉冲信号输出.脉冲的宽度与相位差成正比,因此,只需要测量方波信号的宽度即可得到相应的相位差.这里被测的相位差被转换成了相应时间长度的脉冲信号,即等效成是相应时间长度的直流信号.当忆阻器两端所加的信号恒流流信号,即电流为常数I时,由于:q(t)=I(τ)dτ=I·t这里考虑施加正向激励,即η取1的情况,由(9)得(10).(10)所以(1)可转换为(11).(11)对(11)第2个因子分子,分母乘以D+ω0[exp(-It/Q0)-1]得:(12)这里为了表示简洁,设{D+ω0[exp(4It/Q0)-1]}{D+ω0[exp(-4It/Q0)-1]}=ξ,由于电流是有限的,Q0是一个较大的量,当时间较短时,ξ近似等于D,整理得(13).(13)根据泰勒级数公式:可得(14).(14)由(14)可知,在忆阻器两端施加恒流信号,当忽略式中非线性项时,忆阻器电阻值与信号的施加时间呈线性关系,但是由于式中仍含有与D和ω0的差相关的丰富的非线性项,当输入信号为脉冲信号时,忆阻器的输出是非线性的.3.2 系统仿真这里通过图4模型对系统进行仿真,忆阻器参数取如下:RON取100,ROFF取100 kΩ,P取1,取x0=0.5,参考信号与测量信号均为频率为16 kHz的正弦信号,相位差为π,其时域波形如图5(a)所示,参考信号与测量信号经过整形之后转换成方波信号如图5(b)所示,方波信号输出如图5(c)所示,忆阻值随时间的变化如图5(d)所示.图5 仿真结果由图5可知,相位差转换成了忆阻器的变化量,通过忆阻器阻值的测量可以间接得到脉冲的宽度,即实现鉴相.系统是非线性的,对图5(d)中0到31.25 us内输入输出特性曲线进行最小二乘法拟合,可求得其非线性误差为3.43%.由于窗函数的存在,忆阻器在边界上的非线性效应非常明显,非线性误差会进一步增大,当取x0=0.9时,其他参数不变时,仿真求得其非线性误差增加到9.82%.4 结论本文在分析忆阻器原理的基础上,建立了忆阻器Simulink模型,设计了基于该模型的忆阻器鉴相电路,并进行了分析与仿真,通过仿真验证了理论分析的正确性,该电路能够将被测相位转换成相应的电阻值变化,但由于忆阻器在边界上的非线性效应非常明显,该鉴相器在使用时,其测量范围与精度将受到系统非线性效应的影响.参考文献：【相关文献】[1] 司龙,胡贵才,熊元新,等.一种新型的高性能鉴频鉴相器[J].微电子学与计算机,2006,23(7):188-191[2] CHUA L O.Memristor-the missing circuit element [J].IEEE Trans CircuitTheory,1971,18(5):507-519[3] 陈菊芳,徐影,于倩倩.基于单T网络的忆阻混沌电路[J].物理实验,2018,38(6):20-25[4] 张芬,李智.基于忆阻时滞神经网络的耗散研究[J].工程科学与技术,2017,49(3):129-136[5] 胡飞,尤志强,刘鹏,等.基于忆阻器交叉阵列的卷积神经网络电路设计[J].计算机研究与发展,2018,55(5):1097-1107[6] 乔晓华,徐毅,孙玉霞,等.忆阻超混沌Lü系统的隐藏动力学特性研究[J].电子科技大学学报,2018,47(3):402-409[7] Strukov D B,Snider G S,Stewart D R,Williams R S. The missing memristor found [J]. Nature,2008,453:80-83[8] Joglekar Y N,Wolf S J. The elusive memristor:properties of basic electrical circuits [J]. European Journal of Physics (S0143-0807),2009,30(4):661-675[9] 刘锋.脉冲半导体激光测距机的研制及应用[J].红外与激光工程,2003,32(2):118-122。
- 1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性，平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
- 2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
- 3、如文档侵犯您的权益，请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间：9:00-18:30)。
忆阻器的材料体系
忆阻器的空间结构主要采用 薄膜结构的原因：
（1）实验和理论上都可到，器件尺寸做的越小， 忆阻特性就越明显 （2）忆阻器件与CMOS器件相比，本身结构就容 易做到几纳米尺寸，而CMOS管很难做到 （3）忆阻器的结构与当前集成电路工艺兼容性较 好，这就降低了成本，加快了忆阻器应用的 量产和商业化
硅基TiO2薄膜器件—忆阻器
目录：
一、TiO2和忆阻器 二、TiO2薄膜器件 —忆阻器模型 三、忆阻器的研究进展与应用前景
一、TiO2和忆阻器 TiO2
TiO2是一种新型半导体材料，由于具 有众多的优越性能，如稳定性、在可 见和近红外光波段可透性及高的介电 常数等。在光催化、太阳能电池和电 学器件等领域有重要的应用前景，成 为目前国际学术界关注的一个重点。
HP实验室的研究模型
由一排横向和一排纵向的电线组成的网格，在每 一个交叉点上，要放一个开关连接一条横向和纵向的 电线。让这两条电线控制这个开关的状态，那网格上 的每一个交叉点都能储存一个位的数据。这种材料必 须要能有“开”、“关”两个状态，这两个状态必须 要能控制，在不改变状态的前提下，发挥其开关的效 果，允许或阻止电流的流过。
具有忆阻现象的十字交叉矩阵示意图
二、TiO2薄膜器件—忆阻器模型
两个电极为Pt材料，薄膜夹层左边区域为TiO2具有很高的忆阻值Roff, 右边区域为TiO2-x(掺杂氧缺位)具有低的忆阻值Ron，当掺杂的那一半带 正电，电流通过时电阻较小，而且当电流从掺杂的一边通向正常的一边 时，在电场的影响之下缺氧的掺杂物会逐渐往正常的一侧游移，使得以 整块材料来言，掺杂的部分会占比较高的比重，杂质均匀的分布在金属 氧化半导体中，整体的电阻也会降低。反之，当电流从正常的一侧流向 掺杂的一侧时，电场会把缺氧的掺杂物往回推，被推到某一端,导致杂质 的分布极端不均，电阻就会跟着增加。因此，整个器件就相当于一个滑 动变阻器。
四层交叉开关矩阵刨面图
利用原子沉积技术制备TiO2薄膜器件 —忆阻器模型
上电极Al2O3/ZnO Al2O3/TiO2栅保护层 TiO2-x TiO2 SiO2用于阻止从硅片上泄露电流
n型硅片(100)衬底
背电极Al
忆阻器对于周期性的电流输入，忆阻系统 的输入与输出特性表现为一条滞回曲线 （类似于磁滞现象的磁滞回线），这表现 出忆阻元件在偏压变化下的情况下会产生 超前或滞后的效应。另外，忆阻器工作在 高频下时体现出线性电阻特性，在低频下 体现出非线性电阻器的特性。
忆阻器
笔记本电脑在电池电量耗尽后，没 有保存文档，或没有正常退出程序， 这时你不会失去任何东西，当你电 脑充上电后，笔记本屏幕会立即恢 复到原来状态，且没有很长的重新 启动，没有任何的文件恢复操作。
忆阻器原理
忆阻器，即阻变随机存储器（Resistive ran-dom access memory），它是具有记忆功能的非线性电 阻元件，是继电阻、电容和电感之外的第四种基 本电路元件。这种组件的效果，就是它的电阻会 随着通过的 电流量而改变，而且就算电流停止了， 它的电阻仍然会停留在之前的值，直到接受到反 向的电流它才会被推回去。 忆阻器是主要是利用某些薄膜材料在电激励的作 用下会出现不同电阻状态（高、低阻态）的转变 现象来进行数据的存储。
三、忆阻器的研究进展及应用前景
1、忆阻器的研究进展
2、应用前景
1）忆阻器在人工神经网络中的应用
纳米忆阻器作为突触的应用
2）在模拟电路和器件设计中的应用 忆阻器与其他电子器件构成新型的混合电路， 可实现非常规波形发生器、混沌振荡器等。忆 阻器以其独特的记忆性能和电路特性，在电路 设计方面给人们提供了新思路。 3）在存储器中的应用 忆阻器作为基本存储单元，体积和功耗比传统 要小，优点突出，可用于商业量产。 4）对生物记忆行为的仿真 Pershin等用于多头绒泡菌对环境刺激学习行为 电路的仿真，他们成功地用电路对外加激励的 电学相应模仿了生物对外界环境刺激的相应行 为。 5）开发新型计算机系统
开关机制取决于： 1、氧化物材料(掺杂氧空位的浓度、氧化物的 最佳生长窗口、正常氧化物的电阻率不可 过高也不可过低、适当退火温度的电学性 质最优） 2、电极材料 3、偏压幅度大小和脉冲时间（频繁正负偏压 之间的激励） 4、环境条件（器件需洁净，小的水分子或金 属纳米粒子可能导致器件短路）
1、用扫描隧道显微镜去探测双极性开关 中导电细丝的形成与减退 2、用X射线衍射分析掺杂薄膜的结晶相 3、用X射线光电子谱分析金属的氧化态 4、测其I-V特性
1、当施加一定的正向电压时，就会在堆 栈中形成导电细丝，此时器件为低阻状 态，高阻态时，需要一定的正向电压激 励氧空位就会从掺杂区向正常区迁移， 同时与只有正常区的相比，正常区的激 励电压较小 2、器件一直保持着低阻状态，仅当一定 的负偏压施加在器件上时，则双层栈器 件转变为高阻态。 3、当施加的正向偏压较小时，氧空位就 会被限制在掺杂区，不能进入正常区， 且不能形成导电细丝
为了提高忆阻器存储的密度，HP公司实 验室研制出堆叠式多层交叉开关矩阵结构的 NVRAM，上层为四层存储矩阵，最下层是完 成地址译码和读写控制的CMOS电路。
传统的闪存也推出了层叠 式结构，使得存储密度得 以提高，但传统的IC工艺 即将接近极限，密度提高 受到限制。而忆阻器尺寸 缩 小 空 间 比 较 大 。
HP实验室的TiO2薄膜器件
1、忆阻器的种类
HP实验室的TiO2薄膜器件， Intel与Numonyx B v等公司研制的相变存储器 （PCM） Everspin公司推出的磁性存储器（MRAM） Unity公司的复杂金属氧化物（CMO）存储器 件 Ramtron和富士通公司推出的铁电存储器 密歇根大学研制的硅和银的薄膜存储器件 这些器件都具有非易失的忆阻器特性，其中以 TiO2薄膜器件较受关注。目前研究重点在存储器和 模拟神经网络中的应用。
常见的水管来比喻，电流是通过的水量， 而电阻是水管的粗细，当水从一个方向流 过，水管会随着水流量而越来越粗，这时 如果把水流关掉的话，水管的粗细会维持 不变；反之当水从相反方向流动时，水管 会越来越细。因为这样的组件会记住之前 的电流量，因此被称为忆阻器。
忆阻器与相关器件的比较忆阻来自的特性1、由于忆阻器是连续器件，因而存储的精度是无 限的。 2、由于忆阻器在使用过程中其内部的结构发生变 化，因而具有不易失性。 3、由于忆阻器是基础元器件，可以方便的将忆阻 器设计在电路中，获得混合型的电路，便于使 用。 4、随着忆阻器内部变量变化方式的不同，可以实 现数字与模拟俩种状态。