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电工电子三极管放大电路 (共87张PPT)

电工电子三极管放大电路 (共87张PPT)
任务二 学习放大电路的主要性能指标 睡昆杭霈簧渡烀蛟谊延隙黄槲镁缴扶笏劈瞒瓴皙厩绛弋昆獍榕尾美荠捂袜潴汗挡宪板括舐涤
• 差模输入信号uid——大小相等而极性相反的两个输入信号。
(a)扩音机的功能框图 这种失真是因为三极管进入饱和引起的
任务三 学习放大电路的图解分析法 ②共射极放大电路的倒相作用——ib、ic与ui 相位相同;
图6-3 简化的单管放大电路
(a)信号直接输入输出
(b)变压器耦合信号输入输出
图6-4 信号输入输出的其他形式
2 放大电路中电压和电流符号的规定
• 表6-1 放大电路中电压和电流的符号
名称
直流值
交流分量
瞬时值
有效值
总电压或 电流
瞬时值
基极电流
IB
ib
集电极电流 发射极电流
IC IE
ic ie
集-射极电压
• 1.三极管微变等效电路 • 2.放大电路的微变等效电路
1.三极管微变等效电路
• (1)输入端等效
• 如果输入信号很小,可认为三极管在静态工 作点附近的工作段是线性的
• uCE为常数的条件下,当晶体管在静态工 作点上叠加一个交流信号时,有输入 电压的微小变化量ΔuBE以及相应的基极电
流变化量ΔiB。
• 设输入信号ui=ωt V,则晶体三极管发射
结上的总电压
• uBE=UBEQ+ui=(+ωt)在之间变化。 • 由于晶体三极管工作在输入特性曲线
的线性区,随着uBE的变化,工作点沿 着Q→Q1→Q→Q2→Q往复变化,故iB随 ui按正弦规律变化,变化范围为20~60μA
之间,
• 即ib=20sinωt μA
大电路输出端看进去的等效内阻称为输出电阻ro。

三极管的工作原理,详细、通俗易懂、图文并茂

三极管的工作原理,详细、通俗易懂、图文并茂

三极管的工作原理,详细、通俗易懂、图文并茂一、很多初学者都会认为三极管是两个PN 结的简单凑合(如图1)。

这种想法是错误的,两个二极管的组合不能形成一个三极管。

我们以NPN 型三极管为例(见图2 ),两个PN 结共用了一个P 区——基区,基区做得极薄,只有几微米到几十微米,正是靠着它把两个PN 结有机地结合成一个不可分割的整体,它们之间存在着相互联系和相互影响,使三极管完全不同于两个单独的PN 结的特性。

三极管在外加电压的作用下,形成基极电流、集电极电流和发射极电流,成为电流放大器件。

二、三极管的电流放大作用与其物理结构有关,三极管内部进行的物理过程是十分复杂的,初学者暂时不必去深入探讨。

从应用的角度来讲,可以把三极管看作是一个电流分配器。

一个三极管制成后,它的三个电流之间的比例关系就大体上确定了(见图 3 ),用式子来表示就是β 和α 称为三极管的电流分配系数,其中β 值大家比较熟悉,都管它叫电流放大系数。

三个电流中,有一个电流发生变化,另外两个电流也会随着按比例地变化。

例如,基极电流的变化量ΔI b =10 μA ,β =50 ,根据ΔI c =βΔI b 的关系式,集电极电流的变化量ΔI c =50×10 =500μA ,实现了电流放大。

三、三极管自身并不能把小电流变成大电流,它仅仅起着一种控制作用,控制着电路里的电源,按确定的比例向三极管提供I b 、I c 和I e 这三个电流。

为了容易理解,我们还是用水流比喻电流(见图 4 )。

这是粗、细两根水管,粗的管子内装有闸门,这个闸门是由细的管子中的水量控制着它的开启程度。

如果细管子中没有水流,粗管子中的闸门就会关闭。

注入细管子中的水量越大,闸门就开得越大,相应地流过粗管子的水就越多,这就体现出“以小控制大,以弱控制强”的道理。

由图可见,细管子的水与粗管子的水在下端汇合在一根管子中。

三极管的基极 b 、集电极 c 和发射极e 就对应着图4 中的细管、粗管和粗细交汇的管子。

图说三极管工作原理(以NPN为例)

图说三极管工作原理(以NPN为例)

图说三极管工作原理(以NPN为例)
如图所示为三极管电路图,以NPN为例:
Ib:指代基极B流到发射极E的电流。

Ic:指代集电极C流到发射极E的电流。

基本表现原理:
放大:集电极流出的电流会受到基极电流的控制,基极电流很小的变化就会引起集电极
电流很大的变化,且这种变化满足一定的比例关系,一般Ic=nIb,我们称这个n就是放大系数。

根据公式U=R*I,那么此时的Rc上的电压就会变大,我们就可以把找个时候的电压信号取出来,
输出到它用,这个状态我们称之为三极管的放大状态。

截止:试想基极B与发射极C间表现为一个二极管,那么三级管的放大状态一定会满足一定条件的,
二极管的开启电压0.6--0.7v,小于这个电压,我们称三极管工作在截止区。

饱和:当Ic增大到一定程度后,再增大Ib,Ic也不会增大了,因为有电源电压在那里,况且Rc电阻固定,
最大电流也超不过(电源电压/Rc),这个时候我们成三极管工作于饱和状态。

利用截止和饱和我们可以当开关使用。

(完整版)三极管及放大电路原理

(完整版)三极管及放大电路原理

测判三极管的口诀三极管的管型及管脚的判别是电子技术初学者的一项基本功,为了帮助读者迅速掌握测判方法,笔者总结出四句口诀:“三颠倒,找基极;PN结,定管型;顺箭头,偏转大;测不准,动嘴巴。

”下面让我们逐句进行解释吧。

一、三颠倒,找基极大家知道,三极管是含有两个PN结的半导体器件。

根据两个PN结连接方式不同,可以分为NPN型和PNP型两种不同导电类型的三极管,图1是它们的电路符号和等效电路。

测试三极管要使用万用电表的欧姆挡,并选择R×100或R×1k挡位。

图2绘出了万用电表欧姆挡的等效电路。

由图可见,红表笔所连接的是表内电池的负极,黑表笔则连接着表内电池的正极。

假定我们并不知道被测三极管是NPN型还是PNP型,也分不清各管脚是什么电极。

测试的第一步是判断哪个管脚是基极。

这时,我们任取两个电极(如这两个电极为1、2),用万用电表两支表笔颠倒测量它的正、反向电阻,观察表针的偏转角度;接着,再取1、3两个电极和2、3两个电极,分别颠倒测量它们的正、反向电阻,观察表针的偏转角度。

在这三次颠倒测量中,必然有两次测量结果相近:即颠倒测量中表针一次偏转大,一次偏转小;剩下一次必然是颠倒测量前后指针偏转角度都很小,这一次未测的那只管脚就是我们要寻找的基极(参看图1、图2不难理解它的道理)。

二、PN结,定管型找出三极管的基极后,我们就可以根据基极与另外两个电极之间PN结的方向来确定管子的导电类型(图1)。

将万用表的黑表笔接触基极,红表笔接触另外两个电极中的任一电极,若表头指针偏转角度很大,则说明被测三极管为NPN型管;若表头指针偏转角度很小,则被测管即为PNP型。

三、顺箭头,偏转大找出了基极b,另外两个电极哪个是集电极c,哪个是发射极e呢?这时我们可以用测穿透电流ICEO的方法确定集电极c和发射极e。

(1) 对于NPN型三极管,穿透电流的测量电路如图3所示。

根据这个原理,用万用电表的黑、红表笔颠倒测量两极间的正、反向电阻Rce和Rec,虽然两次测量中万用表指针偏转角度都很小,但仔细观察,总会有一次偏转角度稍大,此时电流的流向一定是:黑表笔→c 极→b极→e极→红表笔,电流流向正好与三极管符号中的箭头方向一致(“顺箭头”),所以此时黑表笔所接的一定是集电极c,红表笔所接的一定是发射极e。

三极管的工作原理详解,图文案例,立马教你搞懂

三极管的工作原理详解,图文案例,立马教你搞懂

三极管的工作原理详解,图文案例,立马教你搞懂大家好,我是李工,希望大家多多支持我。

今天给大家讲一下三极管。

什么是三极管?三极管全称是“晶体三极管”,也被称作“晶体管”,是一种具有放大功能的半导体器件。

通常指本征半导体三极管,即BJT管。

典型的三极管由三层半导体材料,有助于连接到外部电路并承载电流的端子组成。

施加到晶体管的任何一对端子的电压或电流控制通过另一对端子的电流。

三极管实物图三极管有哪三极?•基极:用于激活晶体管。

(名字的来源,最早的点接触晶体管有两个点接触放置在基材上,而这种基材形成了底座连接。

)•集电极:三极管的正极。

(因为收集电荷载体)•发射极:三极管的负极。

(因为发射电荷载流子)三极管的分类三极管的应用十分广泛,种类繁多,分类方式也多种多样。

根据结构•NPN型三极管•PNP型三极管根据功率•小功率三极管•中功率三极管•大功率三极管根据工作频率•低频三极管•高频三极管根据封装形式•金属封装型•塑料封装型根据PN结材料锗三极管硅三极管除此之外,还有一些专用或特殊三极管三极管的工作原理这里主要讲一下PNP和NPN。

PNPPNP是一种BJT,其中一种n型材料被引入或放置在两种p型材料之间。

在这样的配置中,设备将控制电流的流动。

PNP晶体管由2个串联的晶体二极管组成。

二极管的右侧和左侧分别称为集电极-基极二极管和发射极-基极二极管。

NPNNPN中有一种 p 型材料存在于两种 n 型材料之间。

NPN晶体管基本上用于将弱信号放大为强信号。

在 NPN 晶体管中,电子从发射极区移动到集电极区,从而在晶体管中形成电流。

这种晶体管在电路中被广泛使用。

PNP和NPN 符号图三极管的3种工作状态分别是截止状态、放大状态、饱和状态。

接下来分享我在微信公众号看到的一种通俗易懂的讲法:三极管工作原理-截止状态三极管的截止状态,这应该是比较好理解的,当三极管的发射结反偏,集电结反偏时,三极管就会进入截止状态。

这就相当于一个关紧了的水龙头,水龙头里的水是流不出来的。

三极管的电流放大原理

三极管的电流放大原理

三极管的电流放大原理2007-09-03 16:07晶体三极管(以下简称三极管)按材料分有两种:储管和硅管。

而每一种又有NPN和PNP两种结构形式,但使用最多的是硅NPN和PNP两种三极管,两者除了电源极性不同外,其工作原理都是相同的,下面仅介绍NPN硅管的电流放大原理。

图一:晶体三极管(NPN)的结构图一是NPN管的结构图,它是由2块N型半导体中间夹着一块P型半导体所组成,从图可见发射区与基区之间形成的PN结称为发射结,而集电区与基区形成的 PN 结称为集电结,三条引线分别称为发射极e、基极b和集电极c。

当b点电位高于e点电位零点几伏时,发射结处于正偏状态,而C点电位高于b点电位几伏时,集电结处于反偏状态,集电极电源Ec要高于基极电源Ebo。

在制造三极管时,有意识地使发射区的多数载流子浓度大于基区的,同时基区做得很薄,而且,要严格控制杂质含量,这样,一旦接通电源后,由于发射结正确,发射区的多数载流子(电子)极基区的多数载流子(控穴)很容易地截越过发射结构互相向反方各扩散,但因前者的浓度基大于后者,所以通过发射结的电流基本上是电子流,这股电子流称为发射极电流Ie。

由于基区很薄,加上集电结的反偏,注入基区的电子大部分越过集电结进入集电区而形成集电集电流Ic,只剩下很少(1-10%)的电子在基区的空穴进行复合,被复合掉的基区空穴由基极电源Eb重新补纪念给,从而形成了基极电流Ibo根据电流连续性原理得: Ie=Ib+Ic 这就是说,在基极补充一个很小的Ib,就可以在集电极上得到一个较大的Ic,这就是所谓电流放大作用,Ic与Ib是维持一定的比例关系,即:β1=Ic/Ib 式中:β--称为直流放大倍数,集电极电流的变化量△Ic 与基极电流的变化量△Ib之比为:β= △Ic/△Ib 式中β--称为交流电流放大倍数,由于低频时β1和β的数值相差不大,所以有时为了方便起见,对两者不作严格区分,β值约为几十至一百多。

三极管放大电路-PPT..

三极管放大电路-PPT..

多级放 大器常 用的耦 合方式
1.阻容耦合
阻容耦合就是利用电容作为耦合和隔直流元件。
阻容耦合方式
• 阻容耦合的
• 优点是:
• 前后级直流通路彼此隔开,每一级的静态工作点 都相互独立。便于分析、设计和应用。
• 缺点是:
• 信号在通过耦合电容加到下一级时会大幅度衰减 。在集成电路里制造大电容很困难,所以阻容耦 合只适用于分立元件电路。
2.3.2 用微变等效电路法分析放大电路
• 1画出放大电路的交流通路
用微变等 效电路法 分析放大 电路的步

• 2用相应的等效电路代替三极管
• 3计算性能指标
小知识 输入电阻是从输入端看放 大电路的等效电阻,输出电阻是 从输出端看放大电路的等效电阻 。因此,输入电阻要包括RB ,而 输出电路就不能把负载电阻算进 去。
本章导读
第2章 基本放大电路
本章重点学习基本放大电路的工作原理和 放大电路的基本分析方法。同时介绍放大电路的 性能指标,并介绍多级放大电路及应用。
本章以共射极的基本放大电路为基础,分析 放大电路的原理和实质,讲述了电压偏置电路的 意义。通过图解法和微变等效电路两种方法,讨 论如何设置工作点,计算输入电阻、输出电阻和 电压放大倍数,了解多级放大电路的级间耦合方 式及场效应管放大电路。
2.3 微变等效电路
• 2.3.1 放大电路的微变等效电路 • 1.晶体管的微变等效电路 • 放大电路的微变等效电路,其核心是晶体管的
微变等效电路。
晶体管的微变等效电路
• 2.共射极放大电路的微变等效电路
• 小知识
• 交流通路上电压、电流都是交变量,既可 用交流量表示,也可以用相量表示,上图 箭标表示它们的参考方向。

三极管_放大电路_原理

三极管_放大电路_原理

三极管是电流放大器件,有三个极,分别叫做集电极C,基极B,发射极E。

分成NPN和PNP 两种。

我们仅以NPN三极管的共发射极放大电路为例来说明一下三极管放大电路的基本原理。

一、电流放大下面的分析仅对于NPN型硅三极管。

如上图所示,我们把从基极B流至发射极E的电流叫做基极电流Ib;把从集电极C流至发射极E的电流叫做集电极电流 Ic。

这两个电流的方向都是流出发射极的,所以发射极E上就用了一个箭头来表示电流的方向。

三极管的放大作用就是:集电极电流受基极电流的控制(假设电源能够提供给集电极足够大的电流的话),并且基极电流很小的变化,会引起集电极电流很大的变化,且变化满足一定的比例关系:集电极电流的变化量是基极电流变化量的β倍,即电流变化被放大了β倍,所以我们把β叫做三极管的放大倍数(β一般远大于1,例如几十,几百)。

如果我们将一个变化的小信号加到基极跟发射极之间,这就会引起基极电流Ib的变化,Ib的变化被放大后,导致了Ic 很大的变化。

如果集电极电流Ic是流过一个电阻R的,那么根据电压计算公式 U=R*I 可以算得,这电阻上电压就会发生很大的变化。

我们将这个电阻上的电压取出来,就得到了放大后的电压信号了。

二、偏置电路三极管在实际的放大电路中使用时,还需要加合适的偏置电路。

这有几个原因。

首先是由于三极管BE结的非线性(相当于一个二极管),基极电流必须在输入电压大到一定程度后才能产生(对于硅管,常取0.7V)。

当基极与发射极之间的电压小于0.7V时,基极电流就可以认为是0。

但实际中要放大的信号往往远比 0.7V要小,如果不加偏置的话,这么小的信号就不足以引起基极电流的改变(因为小于0.7V时,基极电流都是0)。

如果我们事先在三极管的基极上加上一个合适的电流(叫做偏置电流,上图中那个电阻Rb就是用来提供这个电流的,所以它被叫做基极偏置电阻),那么当一个小信号跟这个偏置电流叠加在一起时,小信号就会导致基极电流的变化,而基极电流的变化,就会被放大并在集电极上输出。

(完整版)三极管的放大作用

(完整版)三极管的放大作用

三极管的放大作用下面以NPN型三极管为例,来讨论三极管的放大作用。

图a所示的NPN三极管的结构,由于内部存在两个PN结,表面看来,似乎相当于两个二极管背靠背地串联在一起,如下左图所示,但是假设将两个单独的二极管如下右图所示地连接起来,将会发现它们并不具有放大作用。

为了使三极管实现放大,还必须由三极管的内部结构和外部所加电源的极性两方面的条件来保证。

从三极管的内部结构来看,主要有两个持点。

第一,发射区进行高掺杂,因而其中的多数载流子浓度很高。

NPN三极管的发射区为N型,(其中的多子是电子),所以电子的浓度很高。

第二,基区做得很薄,通常只有几微米到几十微米,而且掺杂比较少,则基区中多子的浓度很低。

NPN 三极管的基区为P型,(其中的多子空穴)的浓度相对很低。

三极管放大的外部条件:外加电源的极性应使发射结处于正向偏置状态,而集电结处于反向偏置状态。

1.发射由于发射结正向偏置,因而外加电场有利于多数载流子的扩散运动。

又因为发射区的多子电子的浓度很高,于是发射区发射出大量的电子。

这些电子越过发射结到达基区,形成电子电流。

因为电子带负电,所以电子电流的方向与电子流动的方向相反,见图1.3.5(a)和(b)。

与此同时,基区中的多子空穴也向发射区扩散而形成空穴电流,上述电子电流和空穴电流的总和就是发射极电流。

由于基区中空穴的浓度比发射区中电子的浓度低得多,因此与电子电流相比,空穴电流可以忽略,可以认为,主要由发射区发射的电子电流所产生。

图1.3.5 三极管中载流子的运动和电流关系(a)载流子的运动 (b)各极电流关系2. 复合和扩散电子到达基区后,因为基区为P型,其中的多子是空穴,所以从发射区扩散过来的电子和空穴产生复合运动而形成基极电流,基区被复合掉的空穴由外电源不断进行补充。

但是,因为基区空穴的浓度比较低,而且基区很薄,所以,到达基区的电子与空穴复合的机会很少,因而基极电流比发射极电流小得多。

大多数电子在基区中继续扩散,到达靠近集电结的一侧。

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一、三极管的电流放大原理
晶体三极管(以下简称三极管)按材料分有两种:锗管和硅管。

而每一种又有NPN和PNP
两种结构形式,但使用最多的是硅NPN和PNP两种三极管,两者除了电源极性不同外,
其工作原理都是相同的,下面仅介绍NPN硅管的电流放大原理。

图一:晶体三极管(NPN )的结构
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图一是NPN管的结构图,它是由2块N型半导体中间夹着一块P型半导体所组成,从图可
见发射区与基区之间形成的PN结称为发射结,而集电区与基区形成的PN结称为集电结,三
条引线分别称为发射极e、基极b和集电极。

当b点电位高于e点电位零点几伏时,发射结处于正偏状态,而C点电位高于b点电位几伏时,集电结处于反偏状态,集电极电源Ec
要高于基极电源Ebo。

在制造三极管时,有意识地使发射区的多数载流子浓度大于基区的,同时基区做
得很薄,而且,要严格控制杂质含量,这样,一旦接通电源后,由于发射结正确,发射区的多数载流子(电子)及基区的多数载流子(控穴)很容易地截越过发射结构互相向反方各扩散,但因前者的浓度基大于后者,所以通过发射结的电流基本上是电子流,这股电子流称为
发射极电流Ie。

由于基区很薄,加上集电结的反偏,注入基区的电子大部分越过集电结进入集电区而形成集电集电流lc,只剩下很少(1-10% )的电子在基区的空穴进行复合,被复合掉的基区空穴由基极电源Eb重新补纪念给,从而形成了基极电流Ibo根据电流连续性原理
得:le=lb+lc这就是说,在基极补充一个很小的lb,就可以在集电极上得到一个较大的lc, 这就是所谓电流放大作用,lc与lb是维持一定的比例关系,即:31=lc/lb式中:3-称为
直流放大倍数,集电极电流的变化量△ Ic与基极电流的变化量△ lb之比为:3= △ lc/△ lb
式中3■-称为交流电流放大倍数,由于低频时3和3的数值相差不大,所以有时为了方便起
见,对两者不作严格区分,3值约为几十至一百多。

三极管是一种电流放大器件,但在实际
使用中常常利用三极管的电流放大作用,通过电阻转变为电压放大作用。

二、晶体三极管的开关特性
1、静态特性
晶体三极管由集电结和发射结两个PN结构成。

根据两个PN结的偏置极性,三极管有截止、放大、饱和3种工作状态。

图3.5(a)和(b)分别给岀了一个用NPN型共发射极晶体三极管组
成的简单电路及其输出特性曲线。

该电路工作特点如下:
1 ).截止状态:u B V 0 ,两个PN结均为反偏,i B «0,i Cp,u CE PJ CC。

三极管呈
现高阻抗,类似于开关断开。

2) .放大状态:U B >0 ,发射结正偏,集电结反偏,i C=3B。

3) .饱和状态:U B > 0,两个PN结均为正偏,i B N BS(基极临界饱和电流)-U cc/3R c ,
此时i c=l cs(集电极饱和电流)-U cc/R c。

三极管呈现低阻抗,类似于开关接通
在数字逻辑电路中,三极管被作为开关元件工作在饱和与截止两种状态,相当于一个由基
极信号控制的无触点开关,其作用对应于触点开关的"闭合"与"断开
图3.6( a)、( b )给出了图3.5所示电路在三极管截止与饱和状态下的等效电路。

图3.5 晶体三极管电路及其输出特性曲线
U GG:
Rf
2、动态特性
晶体三极管在饱和与截止两种状态转换过程中具有的特性称为三极管的动态特性。

三极管的开关过程和二极管一样,管子内部也存在着电荷的建立与消失过程。

因此,饱和与截止两种状态的转换也需要一定的时间才能完成。

假如在图3.5(a)所示电路的输入端输入一个理想的矩形波电压,那么,在理想情况下,i c 和U CE的波形应该如图3.7(a)所示。

但实际转换过程中i c和U CE的波形如图3.7(b)所示,无论从截止转向导通还是从导通转向截止都存在一个逐渐变化的过程。

图3.6 三极管截止与饱和状态下的等效电路
晶体三极管在截止与饱和这两种稳态下的特性称为三极管的静态开关特性。

1•开通时间
开通时间:三极管从截止状态到饱和状态所需要的时间称为开通时间。

三极管处于截止状态时,发射结反偏,空间电荷区比较宽。

当输入信号U i由-U1跳变到+U2 时,由于发射结空间电荷区仍保持在截止时的宽度,故发射区的电子还不能立即穿过发射结到达基区。

这时发射区的电子进入空间电荷区,使空间电荷区变窄,然后发射区开始向基区发射电
子,晶体管开始导通。

这个过程所需要的时间称为延迟时间t d。

经过延迟时间t d后,发射区不断向基区注入电子,电子在基区积累,并向集电区扩散,形
成集电极电流i c。

随着基区电子浓度的增加,i c不断增大。

i c上升到最大值的90%所需要的时
间称为上升时间t r。

开通时间t on =t d+t r
开通时间的长短取决于晶体管的结构和电路工作条件。

2 •关闭时间
关闭时间:三极管从饱和状态到截止状态所需要的时间称为关闭时间。

进入饱和状态后,集电极收集电子的能力减弱,过剩的电子在基区不断积累起来,称为超
量存储电荷,同时集电区靠近边界处也积累起一定的空穴,集电结处于正向偏置。

当输入电压U i由+U2跳变到-U1时,存储电荷不能立即消失,而是在反向电压作用下产生
漂移运动而形成反向基流,促使超量存储电荷泄放。

在存储电荷完全消失前,集电极电流维持
I CS不变,直至存储电荷全部消散,晶体管才开始退岀饱和状态,i c开始下降。

这个过程所需要
的时间称为存储时间t s
基区存储的多余电荷全部消失后,基区中的电子在反向电压作用下越来越少,集电极电流
i c也不断减小,并逐渐接近于零。

集电极电流由0.9l cs降至O.ll cs所需的时间称为下降时间t f。

关闭时间t off=t s+t f
同样,关闭时间的长短取决于三极管的结构和运用情况。

开通时间t on和关闭时间t off的大小反映了三极管由截止到饱和与从饱和到截止的开关速
度,它们是影响电路工作速度的主要因素。

三极管放大原理(形象)
对三极管放大作用的理解,切记一点:能量不会无缘无故的产生,所以,三极管一定不会产生能量,。

但三极管厉害的地方在于:它可以通过小电流控制大电流
放大的原理就在于:通过小的交流输入,控制大的静态直流。

假设三极管是个大坝,这个大坝奇怪的地方是,有两个阀门,一个大阀门,一个小阀门。


阀门可以用人力打开,大阀门很重,人力是打不开的,只能通过小阀门的水力打开。

所以,平常的工作流程便是,每当放水的时候,人们就打开小阀门,很小的水流涓涓流出,
如果不停地改变小阀门开启的大小,那么大阀门也相应地不停改变,假若能严格地按比例改
这涓涓细流冲击大阀门的开关,大阀门随之打开,汹涌的江水滔滔流下。

变,那么,完美的控制就完成了。

在这里,Ube就是小水流,Uce就是大水流,人就是输入信号。

当然,如果把水流比为电流的话,会更确切,因为三极管毕竟是一个电流控制元件。

如果某一天,天气很旱,江水没有了,也就是大的水流那边是空的。

管理员这时候打开了小阀门,尽管小阀门还是一如既往地冲击大阀门,并使之开启,但因为没有水流的存在,所以,
并没有水流出来。

这就是三极管中的截止区。

饱和区是一样的,因为此时江水达到了很大很大的程度,管理员开的阀门大小已经没用了。

如果不开阀门江水就自己冲开了,这就是二极管的击穿。

在模拟电路中,一般阀门是半开的,通过控制其开启大小来决定输出水流的大小。

没有信号的时候,水流也会流,所以,不工作的时候,也会有功耗。

而在数字电路中,阀门则处于开或是关两个状态。

当不工作的时候,阀门是完全
关闭的,没有功耗。

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