三极管练习题

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晶体三极管及放大电路练习题

晶体三极管及放大电路练习题一、填空题1、三极管的输出特性曲线可分为三个区域，即______区、______区和______区。

当三极管工作在______区时，关系式IC=βIB才成立；当三极管工作在______区时，IC=0；当三极管工作在______区时，UCE≈0。

2、NPN型三极管处于放大状态时，三个电极中电位最高的是______，______极电位最低。

4、晶体三极管反向饱和电流ICBO随温度升高而________，穿透电流ICEO随温度升高而________，β值随温度升高而________。

6、输入电压为20mV，输出电压为2V，放大电路的电压增益为________。

8当半导体三极管的正向偏置，反向偏置偏置时，三极管具有放大作用，即极电流能控制极电流。

9、(2-1，低)根据三极管的放大电路的输入回路与输出回路公共端的不同，可将三极管放大电路分为，，三种。

11、(2-1，中)三极管输入特性曲线指三极管集电极与发射极间所加电压V CE一定时，与之间的关系。

12、(2-1，低)为了使放大电路输出波形不失真,除需设置外,还需输入信号。

13、(2-1，中)为了保证不失真放大，放大电路必须设置静态工作点。

对NPN管组成的基本共射放大电路，如果静态工作点太低，将会产生失真，应调R B，使其，则I B，这样可克服失真。

15、(2-1，低)三极管的电流放大原理是电流的微小变化控制电流的较大变化。

16、(2-1，低)共射组态既有放大作用，又有放大作用。

18、(2-1，难)某三极管3个电极电位分别为V E=1V,V B=1.7V,V C=1.2V。

可判定该三极管是工作于区的型的三极管。

19、(2-1，难)已知一放大电路中某三极管的三个管脚电位分别为①3.5V，②2.8 V，③5V，试判断：a．①脚是，②脚是，③脚是（e, b，c）；b．管型是（NPN，PNP）；c．材料是（硅，锗）。

22、(2-1，低)一般情况下，晶体三极管的电流放大系数随温度的增加而，发射结的导通压降V BE则随温度的增加而。

二极管三极管练习题

二极管三极管练习题一、选择题1. 二极管的主要功能是：A. 放大信号B. 开关电路C. 电压稳定D. 电流放大2. 二极管的PN结在正向偏置时，其特性是：A. 电阻增大B. 电阻减小C. 电流增大D. 电流减小A. 半导体器件B. 电子元件C. 电阻元件D. 电容元件4. 三极管中的基极、发射极和集电极分别对应：A. 输入端、输出端、控制端B. 控制端、输出端、输入端C. 输入端、控制端、输出端D. 输出端、输入端、控制端5. 三极管工作在放大状态时，其集电极电流与基极电流的关系是：A. 集电极电流等于基极电流B. 集电极电流小于基极电流C. 集电极电流大于基极电流D. 集电极电流与基极电流无关二、填空题1. 二极管正向导通的条件是______。

2. 三极管放大电路中，基极电压比发射极电压______。

3. 三极管在放大状态时，______电流控制______电流。

4. 二极管的伏安特性曲线在______区域内表示正向导通。

三、判断题1. 二极管在反向偏置时，电流会迅速增大。

（）2. 三极管工作在饱和状态时，基极电压高于发射极电压。

（）3. 二极管具有单向导电性，可以用来实现整流功能。

（）4. 三极管放大电路中，集电极电流与基极电流成反比关系。

（）四、简答题1. 简述二极管的主要特性。

2. 简述三极管的三种工作状态及其特点。

3. 解释什么是三极管的放大作用。

4. 简述二极管整流电路的工作原理。

五、计算题1. 已知二极管正向压降为0.7V，正向电流为10mA，求二极管的正向电阻。

2. 一个三极管放大电路中，基极电流为1mA，集电极电流为10mA，求电流放大倍数。

3. 在一个简单的放大电路中，输入信号电压为1V，输出信号电压为10V，求电压放大倍数。

六、分析题1. 分析二极管在电路中的作用，并举例说明其在实际应用中的几个典型应用。

2. 分析三极管在不同工作状态下的电流和电压关系，并解释为什么三极管能够实现信号放大。

13级《计算机电路基础》§2.3双极性晶体三极管习题二-1-参考答案2015-10-7

113级《计算机电路基础》习题二-1答案§2.3 双极性晶体三极管一、填空题1、晶体三极管是晶体管电子电路的核心器件，具有电流放大和开关作用。

在模拟电子电路中，它起放大作用；在脉3.、PN 结是许多半导体元器件的最重要和最基本的单元。

如果我们把两个PN 结做得相距很近，结合在一起就构成一个新的器件，即半导体三极管，又称为晶体三极管。

双极型晶体管外形如图：4、晶体三极管两个PN 结将整个半导体基片分成三个区域：发射区、基区和集电区，其中基区较薄。

由这三个区各引出一个电极，分别称为发射极、基极和集电极，分别用字母E、B 、C 表示。

将发射极与基极之间的PN 结称为发射结；集电极与基极之间的PN 结称为集电结。

如下图所示：在图中填出三个区域，两个结，画出三极管符号。

5、晶体三极管按导电类型的不同，三极管可分为PNP 型和NPN 型两大类。

由图可见，有箭头的电极是发射极，箭头方向表示发射结正向偏置时的电流方向，箭头方向向外是 NPN 型，箭头方向向内是 PNP 型，两种符号的区别在于发射极的箭头方向不同，实际上发射极箭头方向就是发射极正向电流的真实方向。

6、三极管种类很多：按功率分有小功率管、中功率管和大功率管；按工作频率分有低频管、高频管；按管芯所用半导体制造材料分有硅管与锗管。

7、本标准适用于无线电电子设备所用半导体器件的型号命名。

【了解】示例要求：查2.2表写出型号硅整流二极管硅NPN 型高频小功率管8、型号组成部分的符号及意义表7.5.1给出了各种型号的半导体二极管、三极管的符号、构成材料、名称性能以及表达这些意义的符号。

表2.2 型号组成部分的符号及意义8. 三极管各电极上的电流分配NPN 型三极管为例搭成的实验电路如图7.3.2所示，图中V BB 为基极电源，V cc 为集电极电源，V cc 电压应高于V BB 电压。

即发射结正偏，集电结反偏。

电路接通后，在电路中就有三支电流通过三极管，即基极电流I B 、集电极电流I C 和发射极电流I E ，这三路电流方向如图中所示。

三极管基础知识练习(3)

晶体三极管与单级低频小信号放大器章节练习（2015.6）一、判断题（对的打“√”，错的打“×” ）1、为使三极管处于放大工作状态，其发射结应加反向电压，集电结应加正向电压；（）2、无论是哪种三极管，当处于放大工作状态时，b 极电位总是高于e 极电位，c 极电位也总是高于b 极电位；（）3、三极管的发射区和集电区是由同一种类半导体（N 型或P 型）构成的，所以e 极和c 极可以互换使用；（）4、三极管的穿透电流I CEO 的大小不随温度而变化；（）5、三极管的电流放大系数β随温度的变化而变化，温度升高，β减小；（）6、对于NPN 型三极管，当V BE ﹥0时，V BE ﹥V CE ，则该管的工作状态是饱和状态；（）7、已知某三极管的发射极电流I E ＝1.36mA ，集电极电流I C ＝1.33mA ，则基极电流I B ＝30μA ；（）8、某三极管的I B ＝10μA 时，I C ＝0.44mA ；当I B ＝20μA 时，I C ＝0.89mA ，则它的电流放大系数β＝45；9、三极管无论工作在何种工作状态，电流I E ＝I B ＋I C ＝（1＋β）I B 总是成立；（）10、由于三极管的核心是两个互相联系的PN 结，因此可以用两个背靠背连接的二极管替换；（）11、三极管是一种电流控制器件；（） 12、同一只三极管的β和β数值上很接近，在应用时可相互代替；（）13、共发射极放大器的输出电压信号和输入电压信号反相；（） 14、交流放大电路之所以能实现小信号放大，是由于三极管提供了较大的输出信号能量；（） 15、放大器的静态工作点一经设定后，不会受外界因素的影响；（） 16、在单管放大电路中，若V G 不变，只要改变集电极电阻R C 的值就可改变集电极电流I C 的值；（）17、三极管放大电路工作时，电路中同时存在直流分量和交流分量，直流分量用来表示静态工作点，交流分量用来表示信号的变化情况；（）二、选择题1、万用表测得一PNP 型三极管三极电位分别有V C =3.3V ，V E =3V ，V B =3.7V ，则该管工作在（）A ．饱和区B ．截止区C ．放大区D ．击穿区 2、测得某三极管三个极在放大电路中的对地电压分别为6V 、4V 、3.3V ，则该三极管是（）A ．硅材料的NPN 管B ．硅材料的PNP 管C ．锗材料的NPN 管D ．锗材料的PNP 管3、三极管放大器设置合适的静态工作点，以保证放大信号时，三极管（） A ．发射结为反向偏置 B ．集电结为正向偏置 C ．始终工作在放大区4、在共发射极单管低频电压放大电路中，输出电压可表示为（） A ．0c c v i R = B ．0c c v i R =- C ．0c c v I R = D ．0c c v I R =-5.已知工作在放大区的某硅晶体三极管的三个电极电位如题5图所示，则a 、b 、c 三个电极分别为( )A 、集电极、发射极、基极B 、集电极、基极、发射极C 、发射极、集电极、基极D 、基极、集电极、发射极 6、采用分压式偏置电路可以（）。

半导体三极管及其放大电路练习及标准答案

半导体三极管及其放大电路一、选择题1.晶体管能够放大的外部条件是_________a 发射结正偏，集电结正偏b 发射结反偏，集电结反偏c 发射结正偏，集电结反偏答案：c2.当晶体管工作于饱和状态时，其_________a 发射结正偏，集电结正偏b 发射结反偏，集电结反偏c 发射结正偏，集电结反偏答案：a3.对于硅晶体管来说其死区电压约为_________a 0.1Vb 0.5Vc 0.7V答案：b4.锗晶体管的导通压降约|UBE|为_________a 0.1Vb 0.3Vc 0.5V答案：b5. 测得晶体管三个电极的静态电流分别为 0.06mA,3.66mA 和 3.6mA 。

则该管的β为_____a 40b 50c 60答案：c6.反向饱和电流越小，晶体管的稳定性能_________a 越好b 越差c 无变化答案：a7.与锗晶体管相比，硅晶体管的温度稳定性能_________a 高b 低c 一样答案：a8.温度升高，晶体管的电流放大系数 ________a 增大b 减小c 不变答案：a9.温度升高，晶体管的管压降|UBE|_________a 升高b 降低c 不变答案：b10.对 PNP 型晶体管来说，当其工作于放大状态时，_________ 极的电位最低。

a 发射极b 基极c 集电极答案：c11.温度升高，晶体管输入特性曲线_________a 右移b 左移c 不变答案：b12.温度升高，晶体管输出特性曲线_________a 上移b 下移c 不变答案：a12.温度升高，晶体管输出特性曲线间隔_________a 不变b 减小c 增大答案：c12.晶体管共射极电流放大系数β与集电极电流Ic的关系是_________a 两者无关b 有关c 无法判断答案：a15. 当晶体管的集电极电流Icm>Ic时，下列说法正确的是________a 晶体管一定被烧毁b 晶体管的PC=PCMc 晶体管的β一定减小答案：c16.对于电压放大器来说，越小，电路的带负载能力越强________a 输入电阻b 输出c 电压放大倍数答案：b17.测得晶体管三个电极对地的电压分别为 -2V 、 -8V 、 -2.2V ，则该管为 _________a NPN 型锗管b PNP 型锗管c PNP 型硅管答案：b18.测得晶体管三个电极对地的电压分别为 2V 、 6V 、 -2.2V ，则该管 _________a 处于饱和状态b 放大状态c 截止状态d 已损坏答案：c19在单级共射放大电路中，若输入电压为正弦波形，则输出与输入电压的相位_________a 同相b 反相c 相差 90 度答案：b20在单级共射放大电路中，若输入电压为正弦波形，而输出波形则出现了底部被削平的现象，这种失真是_________ 失真a 饱和b 截止c 饱和和截止答案：a21.引起上题放大电路输出波形失真的主要原因是______a 输入电阻太小b 静态工作点偏低c 静态工作点偏高答案：c23.利用微变等效电路可以计算晶体管放大电路的_______a 输出功率b 静态工作点c 交流参数答案：c25. 既能放大电压，也能放大电流的是 _________ 放大电路。

晶体三极管及放大电路练习题

11、(2-1，中)三极管输入特性曲线指三极管集电极与发射极间所加电压V一定时，晶体三极管及放大电路练习题CE与之间的关系。

填空题一、12、(2-1，低)为了使放大电路输出波形不失真,除需设置外,区。

当三1、三极管的输出特性曲线可分为三个区域，即______区、______区和______还需输入信号。

13、(2-1，中)为了保证不失真放大，放大电路必须设置静态工作点。

对NPN管组成的；______区时，关系式IC=IC=0______区时，βIB才成立；当三极管工作在极管工作在基本共射放大电路，如果静态工作点太低，将会产生失真，应调R，使B0。

______当三极管工作在区时，UCE≈其，则I ，这样可克服失真。

B14、(2-1，低)共发射极放大电路电压放大倍数是与的比值。

极电位最______、2NPN型三极管处于放大状态时，三个电极中电位最高的是，______15、(2-1，低)三极管的电流放大原理是电流的微小变化控制电流的低。

较大变化。

必须正________________PN3、晶体三极管有两个结，即________和，在放大电路中16、(2-1，低)共射组态既有放大作用，又有放大作用。

17、(2-1，中)共基组态中，三极管的基极为公共端，极为输入端，极偏，________反偏。

为输出端。

随温度升4、晶体三极管反向饱和电流，穿透电流ICEO________ICBO随温度升高而18、(2-1，难)某三极管3个电极电位分别为V=1V,V=1.7V,V=1.2V。

可判定该三极管CEB是工作于区的型的三极管。

高而________。

，β值随温度升高而________19、(2-1，难)已知一放大电路中某三极管的三个管脚电位分别为①3.5V，②2.8 V，③5V，，锗三极管发射结的死区电压约为________V5、硅三极管发射结的死区电压约为试判断：a．①脚是，②脚是，③脚是（e, b，c）；，晶体三极管处在正常放大状态时，硅三极管发射结的导通电压约为________Vb．管型是（NPN，PNP）；。

二极管三极管练习题(学生用)

一、填空题1．纯净的具有晶体结构的半导体称为，采用一定的工艺掺杂后的半导体称为。

2．本征半导体的主要特性有、、。

3．杂质半导体中有和两种载流子参与导电，其中带正电，而带负电。

4．N型半导体是在本征半导体中掺入__ _价元素，其多数载流子是_ ___，少数载流子是__ _。

5．P型半导体是在本征半导体中掺入___价元素，其多数载流子是____ _，少数载流子是__ __ _。

6．已知杂质半导体中的载流子和离子如图0001所示，请指出各为何种类型的杂质半导体：(a)为；(b为。

图0001 杂质半导体中的载流子和离子7．PN结正向偏置时，内、外电场方向；PN结反向偏置时，内、外电场方向。

8．PN结具有性，______偏置时导通，______偏置时截止。

9．PN结的电击穿包括和两类。

10．按材料不同，二极管可分为和两类。

11．按制造工艺及结构不同，二极管可分为、两类。

12．二极管P区接（高，低）电位端，N区接（高，低）电位端，称正向偏置，二极管导通；反之，称反向偏置，二极管截止，所以二极管具有性。

13．U T为温度的电压当量，当温度为室温时，U T≈mV。

14．三极管属控制型器件。

15．在构建放大电路时，双极型三极管应工作于区，即发射结应为偏置，集电结应为偏置。

16．根据器件的符号填上器件的名称：7．某三极管，当测得A I B μ30=时，mA I C 2.1=，则发射极电流=E I mA18．根据图0014填空（设晶体管处于放大状态）。

图001419．某处于放大状态的三极管，测得三个电极的对地电位为U 1=-9V ，U 2=-6V ，U 3=-6.2V ，则三极管为型管。

单项选择题1．杂质半导体中多数载流子的浓度主要取决于（）。

A. 温度B. 掺杂工艺C. 掺杂浓度D. 晶体缺陷2．当环境温度降低时，二极管的反向电流（）A. 不变B. 增大C. 减小D. 无法判断3．用万用表检测某二极管时，发现其正、反电阻均约等于1k Ω，说明该二极管（）。

三极管和场效应管练习题2

三极管和场效应管练习题2一、单项选择题〔每题1分〕1.场效应管本质上是一个〔〕。

A、电流控制电流源器件B、电流控制电压源器件C、电压控制电流源器件D、电压控制电压源器件2.放大电路如下图，硅三极管的P =50 ,那么该电路中三极管的工作状态为〔〕。

3.放大电路如下图，三极管的P =50,那么该电路中三极管的工作状态为〔A.截止B.饱和C.放大D.无法确定I ---------------- [------------------ 〔10V〕J,能加% 〞O--------------------------------- ---------- ■~Or -A.截止B.饱和C.放大D.无法确定4.某三极管的P CM =100mW,I cM =20mA,U〔BR〕cEo =15V ,那么以下状态下三极管能正常工作的是〔〕。

A. U CE =3V, I C =10mAB. U CE =2V,Ic=40mAC. U CE =6V,I C = 20mAD. U CE = 20V , I C = 2mA5.场效应管的转移特性曲线如下图，那么此场效应管的类型是〔〕。

I 2 3 * VA.增强型PMOSB.增强型NMOSC.耗尽型PMOSD.耗尽型NMOS6.( )情况下，可以用H参数小信号模型分析放大电路。

A.正弦小信号B.低频大信号C.低频小信号D.高频小信号7.在三极管放大电路中，以下等式不正确的选项是( )。

A. I E=I B I CB. I C c I I BC. I CBO = (1 1- ) I CEOD.:-:-8.硅三极管放大电路中，静态时测得集-射极之间直流电压U CE=0.3V,那么此时三极管工作于( )状态。

A.饱和B.截止C. 放大D.无法确定9.三极管当发射结和集电结都正偏时工作于( )状态。

A.放大B.截止C.饱和D.无法确定10.下面的电路符号代表( )管。

A. 耗尽型PMOSB.耗尽型NMOSC.增强型PMOSD.增强型NMOS11.关于三极管反向击穿电压的关系，以下正确的选项是( )。

三极管练习题

第二章基本放大单元电路一、填空题1、三极管具有电流放大作用的内部条件是：（基区）区很薄；（发射）区的多数载流子浓度很高；（集电）区的面积较大。

2、三极管具有放大作用的外部条件是：（发射）结正向偏置；（集电）结反向偏置。

3、三极管电流放大作用是指三极管的（）电流约是（）电流的β倍，即利用（）电流来控制（）电流。

4、某个放大电路的对数电压增益为40dB ，换算成电压放大倍数为（）倍；另一个放大电路的电压放大倍数为150倍，换算成对数电压增益应是（）dB 。

5、某放大电路在负载开路时的输出电压为4V ，接入3K Ω的负载电阻后，输出电压降为3V ，则该放大电路的输出电阻R o =（）KΩ。

6、FET 管属于（）控制器件；BJT 管则可以认为是（）控制器件。

7、已知某基本共射放大电路V6V ,V 4R I CEQ 'LCQ ==，现在输入一个正弦信号，若逐渐增大信号的幅度，首先出现的失真是（）；若要使该电路具有最大的动态范围应使（）=（）。

8、单管共射放大电路、三极管的输出特性曲线、直流和交流负载线如下图所示。

根据图填空回答下列问题：V o-+（1）电源电压V CC=（）；（2）静态集电极电流I CQ=（）；静态管压降V CEQ=（）；（3）集电极负载电阻R C=（），负载电阻R L=（）；（4）放大电路输出最大不失真正弦电压有效值约为（）；（5）当输入信号幅度逐渐增大时，将首先出现（）失真现象；（6）要使放大电路不出现失真，基极正弦电流的振幅应小于（）。

9、判断下列说法是否正确，正确的在括号中画√，错误的画x。

（1）利用微变等效电路可以方便地分析计算小信号输入时三极管的静态工作点。

（）（2）三极管的输入电阻r be是一个动态电阻，故与静态工作点无关。

（）（3）在基本共射放大电路中，为了获得较高的输入电阻，在R b固定不变的条件下，三极管的β应该尽可能大些。

二极管三极管练习题

二极管三极管练习题一、选择题1. 下列哪种器件属于半导体器件？A. 二极管B. 稳压管C. 晶体管2. 二极管的正向导通电压约为多少？A. 0.1VB. 0.2VC. 0.7VD. 1.5V3. 下列哪种类型的二极管具有稳压功能？A. 普通二极管B. 发光二极管C. 稳压二极管D. 变容二极管4. 三极管的工作原理是基于哪种效应？A. 光电效应B. 热电效应C. 晶体管效应D. 二极管效应5. 三极管的三个工作区域分别是：A. 放大区、饱和区、截止区B. 放大区、截止区、饱和区C. 饱和区、放大区、截止区D. 截止区、饱和区、放大区6. 三极管放大状态下，基极电流与集电极电流的关系是：A. Ib = IcB. Ib < IcC. Ib > IcD. Ib = 07. 下列哪种电路属于三极管放大电路？A. 共发射极电路B. 共集电极电路C. 共基极电路8. 三极管放大电路中，输入信号与输出信号相位关系为：A. 同相B. 反相C. 90°相位差D. 180°相位差二、填空题9. 二极管的主要特性是________和________。

10. 三极管的工作原理是基于________、________和________。

11. 三极管放大电路有________、________和________三种基本接法。

12. 二极管正向导通时，其正向电阻________，反向截止时，其反向电阻________。

13. 三极管在放大状态时，基极电流________，集电极电流________。

14. 三极管放大电路中，输入信号与输出信号的相位关系为________。

三、判断题15. 二极管具有单向导电性。

（）16. 三极管可以工作在放大、饱和和截止三种状态。

（）17. 二极管的反向电流随温度升高而减小。

（）18. 三极管放大电路中，输入信号与输出信号相位相同。

（）19. 二极管和三极管都是半导体器件。

1半导体器件复习练习题二极管三极管场效应管差动放大电路集成运放

半导体基本知识和半导体器件（二极管、三极管、场效应管、集成运放）一、选择题：1、PN结外加正向电压时，其空间电荷区（）。

A.不变B.变宽C.变窄D.无法确定2、PN结外反正向电压时，其空间电荷区（）。

A.不变B.变宽C.变窄D.无法确定3、当环境温度升高时，二极管的反向饱和电流I s将增大，是因为此时PN结内部的（）A. 多数载流子浓度增大B.少数载流子浓度增大C.多数载流子浓度减小D.少数载流子浓度减小4、PN结反向向偏置时，其内电场被（）。

A.削弱B.增强C.不变D.不确定5、在绝对零度（0K）和没有外界激发时，本征半导体中( ) 载流子。

A.有B.没有C.少数D.多数6、集成运放的输入级采用差分放大电路是因为可以（）。

A．减小温漂B. 增大放大倍数C. 提高输入电阻D. 减小输出电阻7、以下所列器件中，（）器件不是工作在反偏状态的。

A、光电二极管B、发光二极管C、变容二极管D、稳压管8、当晶体管工作在放大区时，（）。

A. 发射结和集电结均反偏B.发射结正偏，集电结反偏C. 发射结和集电结均正偏D.发射结反偏，集电结正偏9、稳压二极管稳压时，其工作在( )，A．正向导通区B．反向截止区C．反向击穿区 D.不确定10、抑制温漂（零漂）最常用的方法是采用（）电路。

A.差放B.正弦C.数字D.功率放大11、在某放大电路中，测得三极管三个电极的静态电位分别为0 V，-10 V，-9.3 V，则这只三极管是（）。

A．NPN 型硅管 B.NPN 型锗管ArrayC.PNP 型硅管D.PNP 型锗管12、某场效应管的转移特性如右图所示，该管为（）。

A．P沟道增强型MOS管 B.P沟道结型场效应管C.N沟道增强型MOS管D.N沟道耗尽型MOS管13A．输入电阻高 B.输出电阻低C.共模抑制比大D.电压放大倍数大14、如右图所示复合管，已知V1的β1 = 30，V2的β2 =50，则复合后的β约为（）。

A．1500 B.80 C.50 D.3015、发光二极管发光时，工作在( )。

02《电子技术基础》单元练习(二)(三极管与场效应管)

《电子技术基础》单元练习（二）晶体三极管与场效应管一、填空题1、三极管按导电类型可分为和。

它属于控制器件，即通过来控制。

2、三极管具有作用，应使发射结，集电结。

3、晶体三极管的内部特点是和。

4、晶体三极管各极电流的分配关系是。

5、某晶体三极管的管压降保持不变，基极电流I B=30微安时，I C=1.2毫安，则发射极电流I E=，如果基极电流I B增大到50微安时，I C增加到2毫安，则三极管的电流放大系数β=。

6、工作在放大状态的三极管可作为器件；工作在截止状态和饱和状态的三极管可作为器件。

7、三极管的I CEO与I CBO间的关系式为，它们反映了管子的性能，在选用管子时，希望I CEO尽量。

8、一般情况下，三极管的电流放大系数随温度的增加而。

9、晶体管有、和三种工作状态。

10、晶体管的β大小应适当，β太小则，β太大则。

11、三极管的三个主要极限参数是、、。

12、晶体三极管的反向饱和电流I CBO随温度升高而；穿透电流I CEO随温度升高而；β值随温度升高而。

13、场效应管从结构上可分为和；从导电类型上可分为沟道和沟道。

场效应管属于控制器件，即通过来控制，它的控制能力用参数来表示。

14、场效应管有三个电极，即极，极和极。

用字母表示分别为、和。

15、场效应管相对于晶体三极管而言最大的特点是高。

其中结型场效应管的输入电阻可达，而绝缘栅型场效应管的输入电阻可达。

16、绝缘栅型场效应管简称MOS管，Ｍ是指，Ｏ是指，Ｓ是指。

17、NMOS管是指，PMOS管是指。

18、绝缘栅型场效应管在存放时极不能悬空，一般极和极要短接。

二、是非题1、三极管处在放大状态时，Ｃ极电位总是高于B极电位，B极电位总是高于E极电位。

（）2、对于NPN型三极管，当V BE＞0，V BE＞V CE，则该三极管一定工作在饱和状态。

（）3、一般来说硅三极管理的穿透电流小于锗三极管的穿透电流，故硅管的热稳性能比锗三极管的热稳性能要好。

（）4、晶体三极管有发射结和集电结，它相当于两个二极管反向连接，所以我们可以用两个三极管来代替一个三极管。

二极管、三极管放大电路练习题

R
Ui
D
VD＋ = Ui = 5V
+
U0
_
VD－ =0V
R
+
Ui
D U0
_
(2)求出断开两点间的电位差VD 。
VD= VD＋－ VD－ =5V
例1：设二极管为理想二极管，试求出Ui=5V时
的输出电压U0的大小。
(3)判断二极管的导通状态
R
+
Ui
D
U0
_
∵ VD= 5V>0 ∴ 二极管D导通
R
+
UD+－UD－≥UF，二极管导通，等效为UF恒压源； UD+－UD－<UF，二极管截止，等效为断路。 • 折线模型
UD+－UD－≥Uth，二极管导通，等效为Uth恒压源串联电阻； UD+－UD－<Uth，二极管截止，等效为断路。
例1：设二极管为理想二极管，试求出Ui=5V时
的输出电压U0的大小。
解:(1)断开二极管D
二极管及其基本电路、三极管练习
二极管复习
1、二极管基本电路的分析方法：
关键是判断二极管的导通与截止
首先假设二极管断开，然后求得二极管正极和负极之间的电压。如该电压大于导通电压，则说明该二极管导通，两端的实际电压为二极管的导通电压；如果该电压小于导通电压，则说明该二极管截止。然后进一步计算所要求的各物理量。
可见，二极管接入后，反向偏置，VD处于截止状态。电路中电流为0，电阻上压降为0，所以
Vo=VB=VC=-5V
3：设二极管为理想二极管，试判断各个二极管的工作状态，求输出电压U0的大小。
(1)设D1、D2都断开，设0电位点

半导体三极管及其放大电路练习及答案

半导体三极管及其放大电路一、选择题1.晶体管能够放大的外部条件是_________a发射结正偏，集电结正偏b发射结反偏，集电结反偏c发射结正偏，集电结反偏答案：c2.当晶体管工作于饱和状态时，其_________a发射结正偏，集电结正偏b发射结反偏，集电结反偏c发射结正偏，集电结反偏答案：a3.对于硅晶体管来说其死区电压约为_________a0.1Vb0.5Vc0.7V答案：b4.锗晶体管的导通压降约|UBE|为_________a0.1Vb0.3Vc0.5V答案：b5.测得晶体管三个电极的静态电流分别为0.06mA,3.66mA和3.6mA。

则该管的β为_____a40b50 c60答案：c6.反向饱和电流越小，晶体管的稳定性能_________a越好b越差c无变化答案：a7.与锗晶体管相比，硅晶体管的温度稳定性能_________a高b低c一样答案：a8.温度升高，晶体管的电流放大系数________a增大b减小c不变答案：a9.温度升高，晶体管的管压降|UBE|_________a升高b降低c不变答案：b10.对PNP型晶体管来说，当其工作于放大状态时，_________极的电位最低。

a发射极b基极c集电极答案：c11.温度升高，晶体管输入特性曲线_________a右移b左移c不变答案：b12.温度升高，晶体管输出特性曲线_________a上移b下移c不变答案：a12.温度升高，晶体管输出特性曲线间隔_________a不变b减小c增大答案：c12.晶体管共射极电流放大系数β与集电极电流Ic的关系是_________a两者无关b有关c无法判断答案：a15.当晶体管的集电极电流Icm>Ic时，下列说法正确的是________a晶体管一定被烧毁b晶体管的PC=PCMc晶体管的β一定减小答案：c16.对于电压放大器来说，越小，电路的带负载能力越强________a输入电阻b输出c电压放大倍数答案：b17.测得晶体管三个电极对地的电压分别为-2V、-8V、-2.2V，则该管为_________aNPN型锗管bPNP型锗管cPNP型硅管答案：b18.测得晶体管三个电极对地的电压分别为2V、6V、-2.2V，则该管_________a处于饱和状态b放大状态c截止状态d已损坏答案：c19在单级共射放大电路中，若输入电压为正弦波形，则输出与输入电压的相位_________a同相b反相c相差90度答案：b20在单级共射放大电路中，若输入电压为正弦波形，而输出波形则出现了底部被削平的现象，这种失真是_________失真a饱和b截止c饱和和截止答案：a21.引起上题放大电路输出波形失真的主要原因是______a输入电阻太小b静态工作点偏低c静态工作点偏高答案：c23.利用微变等效电路可以计算晶体管放大电路的_______a输出功率b静态工作点c交流参数答案：c25.既能放大电压，也能放大电流的是_________放大电路。

三极管练习题

晶体三极管一、填空题（40分）1、半导体三极管按结构分为型和型，前者的图形符号是，后者的图形符号是。

2、三极管放大作用的实质是是电流对电流的控制作用。

3、三极管的三个管脚电流关系是，直流电流放大系数β的定义式是。

4、三极管处于正常放大状态，硅管的V BE约为V,锗管的V BE约为。

5、三极管的输出特性曲线可分为、和三个区域。

6、三极管的微小变化，将会引起的较大变化，这说明三极管具有放大作用。

7、当U CE不变时，和之间的关系曲线称为三极管的输入特性曲线；当I B一定时，和之间的关系曲线称为三极管的输出特性曲线。

8、硅三极管发射结的死区电压约V，锗三极管死区电压约V。

晶体三极管处在正常放大状态时，硅管的导通电压约为V，锗管约为V。

9、当三极管的发射结、集电结时，工作在放大区；发射结、集电结或时工作在饱和区；发射结或、集电结时，工作在截止区。

10、三极管的穿透电流I CEO随温度的升高而，硅三极管的穿透电流比锗三极管。

11、三极管的极限参数分别是、和。

12、工作在放大状态的三极管可作为器件；工作在截止和饱和状态的三极管可作为器件。

二、判断题（5分）1、三极管有两个PN结，因此它具有单向导电性。

（）2、为使晶体三极管处于放大工作状态，其发射结应加反向电压，集电结应加正向电压。

（）3、无论是哪种晶体三极管，当处于放大工作状态时，b极电位总是高于e极电位，c极电位也总是高于b极电位。

（）4、对于某晶体三极管的I B=10μA时，I C=0.44mA;当I B=20μA时，I C=0.89mA，则它的电流放大系数为45。

（）5、已知某三极管的射极电流I E=1.36 mA，集电极电流I C=1.33mA，则基极电流I B=30μA。

（）三、选择题（30分）1、三极管是一种（）的半导体器件。

A 电压控制B电流控制C既是电压又是电流控制2、三极管的（）作用是三极管最基本和最重要的特性。

A、电流放大B、电压放大C、功率放大D、电压放大和电流放大3、三极管的伏安特性是指它的（）。

(完整版)三极管练习题

1 1三极管练习题一、填空题：1．晶体管工作在饱和区时发射结偏；集电结偏。

2．三极管按结构分为_ 和两种类型，均具有两个PN 结，即______和______。

3.放大电路中，测得三极管三个电极电位为U 1=6.5V ,U 2=7.2V ,U 3=15V ，则该管是______类型管子，其中_____极为集电极。

4．三极管的发射结和集电结都正向偏置或反向偏置时，三极管的工作状态分别是__ __和______。

5.三极管有放大作用的外部条件是发射结________，集电结______。

6．若一晶体三极管在发射结加上反向偏置电压，在集电结上也加上反向偏置电压，则这个晶体三极管处于＿＿＿＿＿＿状态。

二、选择题：1.有万用表测得PNP 晶体管三个电极的电位分别是V C =6V ，V B =0.7V ，V E =1V 则晶体管工作在（）状态。

A 、放大B 、截止C 、饱和D 、损坏2、三级管工作在截止区，要求（）A 、发射结正偏，集电结正偏B 、发射结正偏，集电结反偏C 、发射结反偏，集电结正偏D 、发射结反偏，集电结反偏3. NPN 型三极管三个极电位分别有V C =3.3V ，V E =3V ，V B =3.7V ，则该管工作在（）A ．饱和区B ．截止区C ．放大区D ．击穿区4.下列三极管各个极的电位，处于放大状态的三极管是（）A V C =0.3V ，V E =0V ， VB =0.7V B VC =-4V ， V E =-7.4V ，V B =-6.7VC V C =6V ， V E =0V ， V B =-3VD V C =2V ， VE =2V ， V B =2.7V5.如果三极管工作在饱和区，两个PN 结状态（）A ．均为正偏B ．均为反偏C ．发射结正偏，集电结反偏D ．发射结反偏，集电结正偏6. 有万用表测得PNP 晶体管三个电极的电位分别是V C =6V ，V B =0.7V ，V E =1V 则晶体管工作在（）状态。