高功率808nm红外激光灯
44瓦超高功率808nm半导体激光器设计与制作
44瓦超高功率808 nm半导体激光器设计与制作仇伯仓，胡海，何晋国深圳清华大学研究院深圳瑞波光电子有限公司1. 引言半导体激光器采用III-V化合物为其有源介质，通常通过电注入，在有源区通过电子与空穴复合将注入的电能量转换为光子能量。
与固态或气体激光相比，半导体激光具有十分显著的特点：1）能量转换效率高，比如典型的808 nm高功率激光的最高电光转换效率可以高达65%以上[1]，与之成为鲜明对照的是，CO2气体激光的能量转换效率仅有10%，而采用传统灯光泵浦的固态激光的能量转换效率更低, 只有1%左右；2）体积小。
一个出射功率超过10 W 的半导体激光芯片尺寸大约为mm3, 而一台固态激光更有可能占据实验室的整整一张工作台；3）可靠性高，平均寿命估计可以长达数十万小时[2]；4）价格低廉。
半导体激光也同样遵从集成电路工业中的摩尔定律，即性能指标随时间以指数上升的趋势改善，而价格则随时间以指数形式下降。
正是因为半导体激光的上述优点，使其愈来愈广泛地应用到国计民生的各个方面，诸如工业应用、信息技术、激光显示、激光医疗以及科学研究与国防应用。
随着激光芯片性能的不断提高与其价格的持续下降，以808 nm 以及9xx nm为代表的高功率激光器件已经成为激光加工系统的最核心的关键部件。
高功率激光芯片有若干重要技术指标，包括能量转换效率以及器件运行可靠性等。
器件的能量转换效率主要取决于芯片的外延结构与器件结构设计，而运行可靠性主要与芯片的腔面处理工艺有关。
本文首先简要综述高功率激光的设计思想以及腔面处理方法，随后展示深圳清华大学研究院和深圳瑞波光电子有限公司在研发808nm高功率单管激光芯片方面所取得的主要进展。
2.高功率激光结构设计图1. 半导体激光外延结构示意图图2. 外延结构以及与之对应的光场分布图3. 量子阱限制因子与SCH层厚度之间的关系图4. 光束发散角与SCH层厚度之间的关系图1给出了一个典型的基于AlGaAs材料的808 nm半导体激光外延结构示意图，由其可见，外延结构由有源区量子阱、AlGaAs波导以及AlGaAs包层材料组成，在材料选取上包层材料的Al 组分要高于波导层材料的Al组分，以保证在材料生长方向形成波导结构，即材料对其中的光场有限制作用（见图2）。
实验报告-半导体泵浦激光原理
激光器主要有：工作物质、谐振腔、泵浦源组成。
工作物质主要提供粒子数反转。
泵浦过程使粒子从基态E1抽运到激发态E3，E3上的粒子通过无辐射跃迁（该过程粒子从高能级跃迁到低能级时能量转变为热能或晶格振动能，但不辐射光子），迅速转移到亚稳态E2。
E2是一个寿命较长的能级，这样处于E2的粒子不断累积，E1上的粒子又由于抽运过程而减少，从而实现E2与E1能级间的粒子数反转。
激光产生必须有能提供光学正反馈的谐振腔。
处于激发态的粒子由于不稳定性而自发辐射到基态，自发辐射产生的光子各个方向都有，偏离轴向的光子很快逸出腔外，只有沿轴向的光子，部分通过输出镜输出，部分被反射回工作物质，在两个反射镜间往返多次被放大，形成受激辐射的光放大即产生激光。
光的倍频是一种最常用的扩展波段的非线性光学方法。
激光倍频是将频率为ω的光，通过晶体中的非线性作用，产生频率为2ω的光。
当光与物质相互作用时，物质中的原子会因感应而产生电偶极矩。
单位体积内的感应电偶极矩叠加起来，形成电极化强度矢量。
电极化强度产生的极化场发射出次级电磁辐射。
当外加光场的电场强度比物质原子的内场强小得多时，物质感生的电极化强度与外界电场强度成正比。
P=ε0χE在激光没有出现前，当有几种不同频率的光波同时与该物质作用时，各种频率的光都线性独立地反射、折射和散射，满足波的叠加原理，不会产生新的频率。
当外界光场的电场强度足够大时（如激光），物质对光场的响应与场强具有非线性关系：P=αE+βE2+γE3+⋯式中α，β，γ，…均为与物质有关的系数，且逐次减小。
考虑电场的平方项E=E0cosωtP(2)=βE2=βE02cos2ωt=βE02(1+cos2ωt)出现直流项和二倍频项cos2ωt,直流项称为光学整流，当激光以一定角度入射到倍频晶体时，在晶体产生倍频光，产生倍频光的入射角称为匹配角。
倍频光的转换效率为倍频光与基频光的光强比，通过非线性光学理论可以得到：η=I2ωω∝βL2Iωsin2(Δkl/2)式中L为晶体长度，Iω、I2ω分别为入射的基频光、输出的倍频光光强。
红外激光光源
红外激光光源苏美开（济南福来斯光电技术有限公司，flsoe@ ）1概述尽管低照度CCD 摄像技术和微光夜视技术现在已经取得巨大进步，但是在低照度环境下，所有的图像监视装置接收到的仍然只是高噪声、低分辨率的模糊图像。
原因是光线太弱。
采用半导体激光红外光源可以从根本上改进夜间、尤其是夜间远距离拍摄的效果。
半导体红外激光光源是专为红外夜视系统配置的、远距离红外照明光源；配合红外摄像机、黑白CCD 摄像机或微光夜视系统用于夜间及24小时的、全天候条件下的监视摄像，照明距离从几米到数公里。
2 光束整形激光束压缩透镜主要用于将激光光束发散角进行压缩,在一般距离上观察时为了在不同距离上都能正常观察目标,通常采用变倍镜头,即近距离将光束发散角变大,这样照明范围大,光强度变弱,成像部分不会因为光强度大而饱和,远距离让将光束发散角变小,这样照明范围小,光强度变强,成像部分不会因为远距离衰减,从而增大观察距离。
光斑整型的目的主要是为了将半导体激光器光斑整成圆型或方型。
我们知道，半导体激光器输出光斑是椭圆形，水平和垂直发散角一般为θ‖×θ⊥=8º×40º。
不可能用于直接照明观察，因此需要整成圆型或方型。
对于用于有监视器观察显示的通常整理成长方型。
CCD 光敏面为矩型,且其长宽之比为3:4，这样如果我们将激光光斑整形为此比例的矩行，则正好相互匹配，产生的视觉效果非常好。
如果其中一个方向上视场角正好为激光器水平发散角（如8º）。
可以将垂直方向发散角压缩为11º或6º。
设柱透镜焦距为f, LD 发光带尺寸为d ，则，由几何光学可知，LD 光束经透镜后发散角为f d=θ 则θdf =（1） 由（1）即可确定需要的最短焦距值。
由此可以得到需要的激光器最小有效孔径为 )2/tan(2⊥=θf D （2）LD LEN例如，808nm 2W 管子光带尺寸为0.001×0.2mm,θ=6×180π=0.1，代入（1）得f=2mm 。
新品808nm近红外激光灯的应用
新品808nm近红外激光灯
新品808nm近红外激光灯管芯采用日本进口半导体激光二极管，内置电路板经改良，具有很强的抗干扰性、高稳定性、抑制浪涌电流及缓启动等特点，新品808nm近红外激光灯特别适于工业工作环境，能有效保证产品的稳定性和使用寿命。
新品808nm近红外激光灯多用于触摸桌面类、互动投影类产品中，该激光器出光后打出一个扇面，在目标上形成一条人眼看不到的直线，配合专门的设备观察（如CCD摄像机）等实现触控-互动投影。
同类产品还有：
808nm半导体红外一字线、多点触控-互动投影用808nm--200mw红外一字线激光器、电子
波长激励方式
输出功率光斑模式
运行方式供电电压
工作电流光学透镜
光束发散度出光张角度
直线度线宽
工作温度储存温度
尺寸；
使用寿命
1）激光定位灯使用应注意相关的激光使用安全规定，不能直射人眼；
2）激光器中半导零贰玖陆捌伍捌壹柒零捌体激光管属静电敏感器件，应遵守相关的静电防护规定。
测试和使用环境应保证没有静电；
3）电源线请勿用力拽拉；
4）电源电压不要超过DC5V，最好选用激光器专用直流稳压电源供电，“+”（红线）、“−”（黑线）极性绝对不可接反；
5）激光器通电时，“+”（红线）、“−”（黑线）极电源线绝对不可短路，以免烧毁激光器；
6）自制稳压电源请注意消除浪涌脉冲电压电流，稳压5V或<5V将延长使用寿命，避免在各种浪涌脉冲较大的场合中使用激光器；Yxl。
不可见光红外激光器
不可见光红外激光器此款808nm200mw远红外线灯打出一个扇形面，然后在目标上形成一条肉眼看不到的直线，需要用专门的设备观察（如CCD摄像机），主要应用于触摸桌面类、互动投影类产品中……808nm200mw远红外线灯发射出来的红外面铺满整个屏幕，这个激光红外面的厚度大概在2mm左右，手指等物体贴近触摸屏时，红外线平面上的红外线被反射，形成亮点，手指的尖部会作为一个红外点显示出来。
红外摄像头捕捉到这些亮点，并将画面传给计算机，计算机对这些画面进行处理和分析，识别出触摸事件及其位置，然后调用相应的指令，作出反馈，并生产新的图像，然后将新的图像通过投影仪投射到投影软幕上。
利用激光平面多点触摸技术来实现多点触摸装置是种简易以及价格便宜的方法，多数的装置需要四到六个激光头（甚至八个），从屏幕的四个角落照射在平面上。
激光光线拨零贰玖陆捌伍捌壹柒零玖的亮度取决于激光的功率（mW，功率越大亮度就越高，感应效果越好！技术指标：输出波长：808nm 980nm 850nm输出功率：635nm 0.5〜30mw650nm 0.5 〜200mw660nm 0.5 〜300mw工作电压：2.7~24V DC 工作电流：w 450mA 光束发散度：0.1〜1.5mrad 出光张角：10 o〜1350 光线直径：w 0.5mm @0.5m ；w 1.0mm @3.0m；w 1.5mm @6.0m ;直线度：w 1.0mm @ 6.0m光学透镜：光学镀膜玻璃透镜或塑胶透镜尺寸：C 19.5 X 120 mm C 8X 25mm 0 9X 35mm 0 11 x 37mm 0 12 x 40mm 0 16X 55mm 0 16X 65mm 0 16X 80mm 0 22x 85mm 0 26x 110mm（可定制）工作温度：—10〜75C 储存温度：—40〜85 C 激光等级：川b 售后服务：精工级系列一年保修。
（以出厂日期计算）lye。
高可靠性无铝有源层808 nm半导体激光器泵浦源
第50卷第4期2021年4月人㊀工㊀晶㊀体㊀学㊀报JOURNAL OF SYNTHETIC CRYSTALS Vol.50㊀No.4April,2021高可靠性无铝有源层808nm 半导体激光器泵浦源刘㊀鹏1,2,3,朱㊀振2,陈㊀康2,王荣堃1,夏㊀伟2,3,徐现刚1,2(1.山东大学,新一代半导体材料研究院,晶体材料国家重点实验室,济南㊀250100;2.山东华光光电子股份有限公司,济南㊀250101;3.济南大学物理科学与技术学院,济南㊀250022)摘要:针对高功率808nm 激光器泵浦源的应用需求,设计并制备了InGaAsP /GaInP 材料体系的无铝有源区半导体激光器㊂使用双非对称的限制层及波导层结构,降低了P 侧材料的热阻及光吸收㊂优化了金属有机化学气相沉积(MOCVD)中As 和P 混合材料的生长条件,制备出界面陡峭的四元InGaAsP 单晶外延薄膜㊂制作的激光器室温测试阈值电流为1.5A,斜率效率为1.26W /A,10A 下的功率达到10.5W,功率转换效率为58%㊂连续电流测试最大功率为23W@24.5A,准连续电流测试最大功率为54W@50A,没有产生灾变性光学损伤(COD)㊂在15A 电流加速老化下,激光器工作4200h 未出现功率衰减及COD 现象,说明制备的无铝有源区808nm 激光器具有高可靠性的输出性能㊂关键词:无铝材料;高可靠性;InGaAsP;808nm;非对称;泵浦源;半导体激光器中图分类号:TN248.4㊀㊀文献标志码:A ㊀㊀文章编号:1000-985X (2021)04-0757-05High Reliable Al-Free 808nm Semiconductor Laser Diode Pump SourceLIU Peng 1,2,3,ZHU Zhen 2,CHEN Kang 2,WANG Rongkun 1,XIA Wei 2,3,XU Xiangang 1,2(1.Institute of Novel Semiconductors,State Key Laboratory of Crystal Material,Shandong University,Jinan 250100,China;2.Shandong Huaguang Optoelectronics Co.,Ltd.,Jinan 250101,China;3.School of Physics and Technology,University of Jinan,Jinan 250022,China)Abstract :For 808nm high power laser used as pump source,Al-free active-region laser diode was designed and fabricated,consisting of InGaAsP /GaInP.In this work,a double asymmetric structure of cladding and waveguide layers to reduce the thermal resistance and optical loss of P-side layers were proposed.By optimizing the MOCVD growth of As and P hybrid material,InGaAsP single-crystal epitaxial film with steep interface was fabricated.The threshold current is 1.5A at room temperature and the slope efficiency is 1.26W /A.The output power is 10.5W at 10A and the power efficiency is 58%.Under continuous wave (CW)operation,the maximum output power is 23W@24.5A,while it can reach 54W@50A under quasi continuous wave (QCW)mode without catastrophic optical damage (COD).No power degradation or COD occurred for accelerated aging over 4200h at 15A,showing high long-term reliability of Al-free active-region 808nm laser diode.Key words :Al-free material;high reliabile;InGaAsP;808nm;asymmetric;pump source;semiconductor laser diode㊀㊀收稿日期:2021-03-01㊀㊀基金项目:山东省激光装备创新创业共同体项目㊀㊀作者简介:刘㊀鹏(1994 ),男,山东省人,硕士研究生㊂E-mail:seekersliupeng@㊀㊀通信作者:朱㊀振,博士,高工㊂E-mail:zhuzhen@ 徐现刚,博士,教授㊂E-mail:xxu@ 0㊀引㊀㊀言半导体激光器具有体积小㊁质量轻㊁效率高及易于集成等优点,在工业加工㊁智能传感㊁医养健康及固体和光纤激光器泵浦源等方面有着重要应用㊂其中808nm 半导体激光器是Nd 掺杂YAG 固体激光器的理想泵浦源,被广泛用于精细加工㊁雷达测距等领域[1-2]㊂除了激光器的功率和效率,可靠性是实际应用中最为关注的性能㊂随着激光器输出功率越来越高,灾变性光学损伤(COD)成为影响半导体激光器可靠性及寿命的关键因素㊂这和激光器的材料生长和腔面处理有直接关系㊂由于AlGaAs 材料生长工艺比较成熟,目前758㊀研究论文人工晶体学报㊀㊀㊀㊀㊀㊀第50卷808nm激光器大部分使用AlGaInAs/AlGaAs作为有源层㊂但是含铝材料不稳定,极易氧化形成缺陷并在材料内部延伸造成器件失效㊂国际上,大功率808nm激光器一般都在腔面做特殊处理来控制缺陷的产生或延伸,如美国II VI公司的E2工艺[3],德国FBH研究所的H离子清洗工艺[4]㊂但特殊处理会带来复杂的工艺问题,降低良率,给808nm激光器的批量化生产增加难度㊂本文通过量产型金属有机化学气相沉积(MOCVD)设备生长了InGaAsP/GaInP结构的808nm半导体激光器㊂由于有源区不含活泼性的铝元素,材料生长及腔面处理的工艺窗口较大,激光器的性能更加稳定和可靠㊂在15A电流加速老化下,激光器工作4200h未出现功率衰减及COD现象,10W工作寿命推测在40000h以上㊂本文是继承和发扬了蒋民华院士 为晶体提供泵源 的指导思想,不忘初心,通过各单位多年持久的产学研紧密结合,坚持创新,在山东华光光电子股份有限公司实现了规模化量产,满足了市场需求㊂同时开发了630~1100nm波段的多种半导体激光器泵浦源,其中808nm激光器由于具有优异的性能,是产业化较为成功的泵源之一㊂1㊀实㊀㊀验1.1㊀激光器结构如上所述,无铝结构的激光器在抑制体材料缺陷及提高腔面光学损伤方面有很多优势,但和传统的AlGaAs材料相比,InGaAsP/GaInP材料也有一些短板㊂根据JDSU的研究[5],GaInP材料的热导率是0.08W/(cm㊃K),为Al0.25Ga0.75As材料的一半,而其相同掺杂浓度下的电导率也要低于AlGaAs材料,这会影响激光器的高功率和高转换效率输出㊂在激光器外延结构设计上采用双非对称结构,如表1所示,P侧GaInP波导层的厚度要小于N侧GaInP波导层的厚度,P型AlGaInP限制层的Al组分要高于N型AlGaInP 限制层的Al组分㊂这不仅使光场偏向N区,降低空穴对光子的吸收,同时还能缩减P侧的外延层厚度,降低P区外延层的热阻及电阻㊂GaInP波导层中间为一层8nm厚度的InGaAsP单量子阱㊂InGaAsP材料可以通过调节III族及V族原子的组分实现量子阱的压缩和伸张应变,进而得到不同的激光偏振模式㊂为获得更低的阈值电流密度,可以使用压应变的InGaAsP量子阱㊂表1㊀808nm激光器的外延结构Table1㊀Epitaxial structure of808nm laser diodeLayer Material Thickness/nm Doping/cm-3Contact GaAs200>1ˑ1019P-cladding Al x Ga0.5-x In0.5P9001ˑ1018P-waveguide Ga0.5In0.5P400Quantum well InGaAsP8N-waveguide Ga0.5In0.5P800N-cladding Al y Ga0.5-y In0.5P15001ˑ1010Buffer GaAs2002ˑ1018为满足激光器耦合进入400μm芯径的光纤的需求,激光器发光区的宽度设计为390μm,周期为750μm,腔长为2mm㊂1.2㊀激光器制备外延材料生长使用量产型MOCVD系统㊂衬底为偏向<111>A方向15ʎ的GaAs(100)晶面,可以有效抑制GaInP材料的有序结构,增加材料生长窗口㊂III族有机源采用三甲基镓(TMGa)㊁三甲基铝(TMAl)和三甲基铟(TMIn),V族源材料为砷烷(AsH3)和磷烷(PH3),N型掺杂为Si,P型掺杂为Mg㊂外延层生长过程的温度控制在600~700ħ,反应室压力为104Pa㊂量子阱是整个激光器结构的核心,其生长质量决定了激光器的性能㊂InGaAsP为四元材料,且AsH3和PH3在不同生长条件下的分配系数差别较大,需要对量子阱的生长方式进行特殊设计㊂如图1所示,通过优化量子阱及两侧界面的生长温度及气流切换方式,得到界面陡峭的InGaAsP量子阱㊂外延层的结晶质量和表面状态也会影响激光器的性能参数㊂图2是经过优化后㊀第4期刘㊀鹏等:高可靠性无铝有源层808nm半导体激光器泵浦源759㊀的单层GaInP的原子力显微镜(AFM)照片,可以看到外延层的表面非常平整,粗糙度Ra仅为0.13nm,很接近外延生长前的GaAs衬底表面㊂图1㊀GaInP/InGaAsP量子阱的TEM照片Fig.1㊀TEM image of GaInP/InGaAsP quantum well图2㊀GaInP外延层的AFM照片Fig.2㊀AFM image of GaInP epitaxial layer 外延片生长完成以后进行芯片工艺的制作㊂使用湿法腐蚀工艺形成390μm的宽条,并在宽条两侧覆盖SiO2绝缘膜,形成电流注入区㊂P面金属电极为Ti/Pt/Au,N面金属电极为Ge/Ni/Au㊂解理成2mm腔长的巴条,使用电子束蒸发设备在前后腔面分别蒸镀5%的增透膜及98%的高反膜㊂解离成管芯,P面朝下烧结于AlN陶瓷材料的AuSn热沉上㊂2㊀结果与讨论为验证设计的外延结构及生长的材料质量,测试并计算了芯片的内量子效率和腔内损耗㊂将工艺晶片分别解理成1.0mm㊁1.5mm㊁2.0mm㊁2.5mm四种腔长的巴条,在未镀膜的条件下,利用脉冲电流分别测试它们的斜率效率和阈值电流,然后通过数值拟合,得到图3和4的曲线㊂通过计算得到芯片的内量子效率ηi 为97%,光吸收损耗系数αi为1.1cm-1,透明电流密度J tr为96A㊃cm-2,模式增益系数ΓG0为15cm-1㊂这个结果同德国Jenoptik公司及FBH研究所报道的808nm激光器结果是接近的[6-7]㊂图3㊀外微分量子效率和腔长的拟合曲线Fig.3㊀Curve of external differential efficiency and cavity length图4㊀阈值电流密度和腔长的拟合曲线Fig.4㊀Curve of threshold current density and cavity length图5为封装后的808nm激光器在25ħ条件下的功率-电流-电压曲线㊂从图中可以看出,激光器的阈值电流为1.5A,对应的阈值电流密度为192A㊃cm-2㊂激光器的斜率效率为1.26W/A,对应的外量子效率为82%㊂在10A电流下,激光器的输出功率达到了10.5W,电压1.82V,转换效率为58%㊂图6为热沉温度分别是25ħ㊁35ħ㊁45ħ及55ħ下的功率及电压曲线㊂随着温度增加,激光器的载流子溢出变得严重,阈值电流会增加,斜率效率会下降㊂由于P型限制层使用了高带隙的AlGaInP材料,高温下可以很好地将载流子限制在有源区内,激光器在55ħ及10A电流下的输出功率仍达到了9.3W,具有较好的温度特性㊂图7是激光器在10A电流下测试的光谱曲线㊂其峰值波长为807.9nm,光谱的半高宽(FWHM)为1.7nm㊂图8是激光器的远场特性测试㊂激光器工作时的水平发散角为9ʎ,垂直发散角为31ʎ㊂760㊀研究论文人工晶体学报㊀㊀㊀㊀㊀㊀第50卷图5㊀808nm LD的功率-电流-电压曲线Fig.5㊀Power-current-voltage curves of808nm LD图6㊀不同温度下的808nm LD功率曲线Fig.6㊀Power curves of808nm LD at different temperatures图7㊀808nm LD的光谱曲线Fig.7㊀Optical spectrum of808nm LD图8㊀808nm LD的远场发散角Fig.8㊀Far field angle of808nm LD图9㊀CW及QCW大电流测试下的功率曲线Fig.9㊀Power curves at high current CW and QCW testing图10㊀激光器加速老化曲线Fig.10㊀Accelerated aging curves of the laser 808nm的大功率激光器一般在工业及特种行业中作为泵浦源使用,需要具有高的可靠性㊂由于大功率激光器的主要失效模式为COD造成的突然失效,其COD功率是影响激光器可靠性的重要因素㊂在实验中,可以通过大电流测试考评激光器的COD水平㊂图9为连续电流(CW)及准连续电流(QCW,脉宽1ms,周期100ms)模式测试下的激光器功率曲线图㊂受限于测试电源的最大电流,激光器在CW24.5A下功率达到了23W,在QCW50A下的功率达到了54W,并且两种测试方式均没有COD产生,说明制作的808nm激光器的腔面COD功率在54W以上,具有高的抗腔面光学损伤特性㊂激光器的寿命和稳定性可以通过提高电流或温度的加速老化方式进行快速考评㊂由于808nm激光器的主要失效原因是腔面COD,提高电流(功率)的加速方式更能反映808nm激光器的可靠性水平㊂国内外同行大部分使用12A以内的加速电流进行老化[6,8-9],鉴于无铝结构激光器在抗腔面光学损伤方面的优势,使用更高的15A加速电流㊂图10是10只㊀第4期刘㊀鹏等:高可靠性无铝有源层808nm半导体激光器泵浦源761㊀808nm激光器在15A电流㊁水冷温度25ħ下的在线监控老化曲线㊂经过4200h的老化,激光器没有出现功率衰减及突然失效现象㊂通过文献所用的加速因子计算方法[10],推算808nm激光器在10W下的寿命为40000h以上,12W下的寿命也在20000h以上㊂3㊀结㊀㊀论本文使用MOCVD方法生长了高质量的InGaAsP/GaInP材料体系的激光器外延片,并制作了390μm条宽及2mm腔长的器件㊂室温测试阈值电流为1.5A,斜率效率1.26W/A,10A下的功率达到10.5W,转换效率为58%㊂CW电流测试最大功率为23W@24.5A,QCW电流测试最大功率为54W@50A㊂在15A电流加速老化下,激光器工作4200h未出现功率衰减及COD现象,推算808nm激光器在10W下的寿命为40000h以上,12W下的寿命在20000h以上㊂参考文献[1]㊀陈良惠,杨国文,刘育衔.半导体激光器研究进展[J].中国激光,2020,47(5):13-31.CHEN L H,YANG G W,LIU Y 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808nm激光器
808nm激光器
（cl）808nm激光器在照明领域中应用的最大优势在于激光具有极高的发光效率和发光强度，半导体激光的光电转换效率最高可达80%，大大的降低能耗，增加照明距离。
其中，808nm激光器可轻易实现100-1000米照明距离，满足风光供电监控项目对远距离监控的需要。
如在野外建立监控点，距离一般都比较远。
还在监控夜领域也逐渐被广泛的使用。
技术参数均可按客户实际需要订制。
本产品采用原装进口激光二极管，体积小，光线清晰，出光张角大，直线度高。
我们可以制作固定焦点同时可以制作可调焦的红光线状激光器，请打零贰玖捌捌柒贰陆柒柒叁客户可以根据各种要求调整焦点。
输出功率：635nm 0.5～30mw
650nm 0.5～200mw
660nm 0.5～300mw
工作电压：2.7~24V DC
工作电流：≤450mA
光束发散度：0.1～1.5mrad
出光张角：10º～135º
光线直径：≤0.5mm ＠0.5m；≤1.0mm ＠3.0m；≤1.5mm ＠6.0m；直线度：≤1.0mm ＠6.0m
光学透镜：光学镀膜玻璃或塑胶透镜
尺寸：Φ8×25mm；Φ9×35mm；Φ11×37mm；Φ12×40mm；Φ
16×55mm；Φ16×65mm；Φ16×80mm；Φ22×85mm；Φ26×110mm （可定制）
工作温度：－10～75℃
储存温度：－40～85℃
激光等级：Ⅲb。
808nm红外激光转化成532nm绿激光的变化过程
808nm红外激光转化成532nm绿激光的变化
过程
808nm红外激光转化成532nm绿激光的过程通常通过二倍频技术来实现。
下面是详细的变化过程：
1. 首先，使用一个808nm红外激光器作为初始激光源。
这种激光器通常使用GaN或GaAs半导体材料，并且经过特定的电流注入产生808nm波长的红外光。
2. 然后，将808nm红外激光通过一个非线性光学晶体（通常是KTP晶体）进行二倍频。
这个过程利用了非线性晶体材料的光学效应，将808nm的红外光转化为532nm的绿光。
3. 在二倍频过程中，晶体中的非线性光学效应会导致光的频率加倍，同时波长减半。
这是由于非线性晶体中原子或分子的振动和排列引起的。
4. 最终，532nm的绿激光输出，可以用于许多应用，如激光显示、激光测距、医学领域等。
需要注意的是，转换过程中存在能量损耗，因此转换效
率可能不是100%。
而且，这个过程还需要精确的光学设计和控制，以确保高质量的转换效果。
夜视监控红外摄像机如何选配红暴强弱不同的红外激光补光灯
夜视监控红外摄像机如何选配红暴强弱不同的红外激光补光灯——红外光波长越长，红暴越弱，红暴距离越近近几年来，高清晰的红外激光夜视监控在为平安城市、天网工程、雪亮工程等的公共安全视频监控系统中起到了举足轻重的作用。
现代化安防监控系统，不仅需要满足治安管理、城市管理、交通管理、应急指挥等需求，而且还要兼顾灾难事故预警、安全生产监控等方面对图像监控的需求，利用图像采集、传输、控制、显示等设备和控制软件组成，对固定区域进行实时监控和信息记录的视频监控系统，是充分调动人民群众参与社会治安管理的有力武器。
在某些特定夜视监控应用场景中，对监控设备要求具有较高的隐蔽性。
但是，众所周知绝大多数的红外摄像机都会有或多或少的红暴现象。
甚至乎，市场上不少商家直接把有无红暴作为一种技术水平来宣传，好像有红暴就是低技术，无红暴就是高技术。
这到底是怎么回事呢？红外激光夜视监控设备厂家又该如何选用不同红暴强弱的红外激光补光灯？红外光属于人眼不可见，早已成为科学定论。
关于红暴的成因，网络上众说纷纭，却难有个让人信服说法。
更甚者，有人认为红暴说明了红外光是人眼可见的，只是因为红外光剂量大小的问题，造成有的看不见，有的能看见；808nm红外光比940nm的红暴更明显，说明了波长越短红外光的剂量越大，波长越长红外光的剂量越少。
很显然，这只是一种想当然的、为博取眼球的谬论。
有实验证明，一束1550nm的红外激光与650nm的红色激光，同样能在瞬间击穿一块薄铁板，而人眼却仍无法看见这束1550nm的红外激光。
如按这谬论计算，人们根本无法想像究竟需要多大剂量的红外光，才能被人眼所见。
因此，在决定如何选用红外激光补光灯之前，我们非常有必要先明确这几个问题：什么是红暴现象？红暴的真正原因是什么？红暴的强弱受哪些因素影响？什么是红暴现象？人眼可见光的波长范围为380nm-780nm，其中620-780nm为红色光范围，当直接观察780nm的光波时，仍可看见一个非常暗淡的樱桃红色光。
808nm高功率半导体激光巴条
808nm高功率半导体激光巴条：创新驱动的激光技术应用随着科技的不断发展，激光技术已经渗透到各个领域，为人们的生产和生活带来了前所未有的变革。
在众多激光技术中，808nm高功率半导体激光巴条以其独特的优势和应用前景，正逐渐受到业界的关注和重视。
一、808nm高功率半导体激光巴条简介808nm高功率半导体激光巴条是一种采用808nm波长的半导体激光器制造的激光巴条。
这种激光巴条具有高功率、高亮度、高可靠性等特点，被广泛应用于材料加工、医疗、科研等领域。
与传统的激光器相比，808nm高功率半导体激光巴条具有更高的光电转换效率、更长的使用寿命和更低的成本，成为了一种极具竞争力的激光技术。
二、808nm高功率半导体激光巴条的应用领域1．材料加工领域在材料加工领域，808nm高功率半导体激光巴条可以用于金属和非金属材料的切割、焊接、熔覆等加工过程。
与传统激光器相比，808nm高功率半导体激光巴条具有更高的加工效率、更低的加工成本和更好的加工质量。
此外，由于其高功率和高亮度的特点，还可以实现大型工件的远程加工，从而降低了工件表面的热影响区和变形量。
这些优势使得808nm高功率半导体激光巴条在材料加工领域具有广泛的应用前景。
2．医疗领域在医疗领域，808nm高功率半导体激光巴条可以用于皮肤科、外科等领域，用于治疗血管瘤、雀斑、痤疮等皮肤疾病。
与传统激光器相比，808nm高功率半导体激光巴条具有无痛、无副作用、恢复快等优点。
此外，由于其高精度和高稳定性的特点，还可以实现精确的皮肤重塑和美容整形手术。
这些优势使得808nm高功率半导体激光巴条在医疗领域具有广泛的应用前景。
3．科研领域在科研领域，808nm高功率半导体激光巴条可以用于光谱分析、激光雷达、光学通信等领域。
与传统激光器相比，808nm高功率半导体激光巴条具有更高的精度和稳定性，以及更长的使用寿命和更低的维护成本。
这些优势使得808nm高功率半导体激光巴条在科研领域具有广泛的应用前景。
808nm千瓦级高效大功率半导体激光光源
808nm千瓦级高效大功率半导体激光光源单肖楠;刘云;曹军胜【摘要】A kind of beam shaping technique was presented to improve the beam quality of a semiconductor laser and to achieve the beam splitting, translating, and rearranging by a parallel plate glass stack. The experiment uses a 20-layer 808 nm semiconductor laser array designed by ourselves with the output power of 60 W per bar, 19 light-emitting points of 1 μm× 135 μm each and 30％ filling factor to expand beam at a slow axis through a telescope system,and also uses a focusing lens to focus on both the slow axis and the fast one at the same time. Experiments show that the technique can achieve the 1 kW output power on the focal plane, focused spot of 1 mm × 1 mm and coupling efficiency of 90 ％,which basically satisfies the needs of laser cladding and welding.%提出了一种新型光束整形技术,该技术通过平行平板玻璃堆实现光束的分割、平移、重排,从而改善半导体激光的光束质量.该试验采用自主设计的中心波长为808 nm,连续输出功率为60W/bar,填充因子为30 %,具有19个发光点,每个发光点尺寸为1μm×135μm的20层半导体激光叠阵,通过望远镜系统对慢轴方向进行扩束后用一个聚焦镜同时对快慢轴聚焦,最终在焦平面上得到了1kW输出,且聚焦光斑达到1mm×1mm,耦合效率达到90%,基本满足激光熔覆和激光焊接的要求.【期刊名称】《光学精密工程》【年(卷),期】2011(019)002【总页数】5页(P452-456)【关键词】高功率激光器;半导体激光器;光束整形【作者】单肖楠;刘云;曹军胜【作者单位】中国科学院长春光学精密机械与物理研究所,吉林,长春,130033;中国科学院长春光学精密机械与物理研究所,吉林,长春,130033;中国科学院长春光学精密机械与物理研究所,吉林,长春,130033【正文语种】中文【中图分类】TN248.4千瓦级半导体激光系统在工业、军事、核能等领域都有广泛的应用。
808nm光纤耦合半导体激光泵浦源
808nm光纤耦合半导体激光泵浦源808nm光纤耦合半导体激光泵浦源是一种常见的激光器泵浦技术。
它采用光纤将半导体激光器的红外激光传输到需要激发的介质中，具有高效率、紧凑和可靠等优势。
本文将从原理、结构、工作原理和应用等方面对808nm光纤耦合半导体激光泵浦源进行详细介绍。
首先，我们来了解808nm光纤耦合半导体激光泵浦源的原理。
其原理基于半导体激光器能够产生高能量的激光，并且可以通过单模光纤进行传输。
808nm激光是一种红外激光，具有较长的波长和高能量，可以实现高效的激发效果。
通过光纤耦合技术，将808nm激光器的输出光纤耦合到需要激发的介质中，实现对介质的激发。
808nm光纤耦合半导体激光泵浦源的结构主要由激光器模块、光纤连接器和激光输出端口等组成。
激光器模块包括激光二极管芯片、散热器和光学系统。
光纤连接器用于连接激光器模块和激光输出端口，确保激光的传输效率和稳定性。
激光输出端口用于调节激光器的输出功率和波长等参数。
808nm光纤耦合半导体激光泵浦源的工作原理是通过激光二极管芯片产生激光，并经过散热器散去热量。
然后，激光经过光学系统，通过光纤连接器传输到激光输出端口。
在激发介质中，808nm激光被吸收，并转化为其他波长的激光，实现对介质的激发。
808nm光纤耦合半导体激光泵浦源在许多领域都有广泛的应用。
首先，在医学美容领域，它常用于激光除毛、皮肤美白、血管疾病治疗等。
其次，在工业领域，它常用于激光切割、激光打标、激光焊接等加工工艺。
再次，在科学研究领域，它常用于生物医学、光谱分析、光学显微镜等实验研究。
总之，808nm光纤耦合半导体激光泵浦源是一种高效率、紧凑和可靠的激光器泵浦技术。
它通过光纤传输808nm激光到介质中，实现对介质的激发。
在医学美容、工业加工和科学研究等领域都有广泛的应用。
随着激光技术的不断发展，808nm光纤耦合半导体激光泵浦源将会有更广阔的应用前景。
808nm红外激光器操作流程
808nm红外激光器操作流程下载温馨提示:该文档是我店铺精心编制而成，希望大家下载以后，能够帮助大家解决实际的问题。
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红外激光灯的种类划分与性能比较分析
安防监控夜视补光灯与红外激光补光灯的区别红外激光补光灯种类划分与性能比较分析市场上的监控夜视补光灯种类、名堂繁多，让人眼花缭乱，无从选择。
究其原因，一是种类划分依据不一样，二是部分不良商家刻意概念炒作、浑水摸鱼。
在此，我们就将安防监控夜视补光灯种类与划分进行详细介绍，以便客户根据不同的市场需求选择适合的夜视监控补光灯。
安防监控夜视技术按原理分为主动式（主动发光夜视）与被动式（被动光夜视）两种。
被动光夜视包括了微光夜视（自然界的微光如月光、星光、天空辉光等）、热红外夜视（物体本身所发的热）两种。
主动光夜视（利用非可视光作光源，如红外、紫外、X 射线等），目前市场上主要有红外补光、红外激光补光两种，也是本文所介绍划分的内容——安防监控红外夜视补光灯。
安防监控夜视红外补光灯种类与区别到2016年2月为止，安防监控夜视红外补光灯出现过5种不同的红外光源，按面世先后顺序排列为：第一代传统LED红外灯、第二代阵列式LED红外灯、第三代点阵式LED红外灯、VCSEL红外线面射型激光补光灯板（也叫投射器）、红外激光灯。
其中的第一、二、三代LED红外灯的红外技术原理是一样的，只是芯片工艺封装技术、结构设计不一样，其所导致的性能也不一样。
VCSEL红外线面射型激光补光灯板采用的光源是半导体激光器，其结构设计、光学原理却与第三代LED红外灯类似。
红外激光灯采用的光源是半导体激光器，但其结构设计、光学原理与前面4种完全不一样，包括了发光系统、红外激光光学处理系统、散热系统、智能化控制系统等几个主要部分，对红外激光按计划需求或不同的应用环境进行光学技术处理。
而且，高端的红外激光灯还具备智能化、自动化功能，与摄像机系统配合组成智能化的监控系统。
这些功能特点是其它4种红外补光灯无法实现的。
四种监控夜视红外补光灯的区别：第二代LED 第三代LED VCSEL激光补光灯板红外激光灯使用寿命1-3个月 3-6个月 3-5年 5-6年年光衰减率20-40% 10-20% 2-5% 0.5-5%光电转化率10-15% 20-25% 20-25% 50-90%智能化功能无无无有最远有效距离50米以内 100米以内 200米以内可达10公里以上相对成本低低中高相对功耗高高中低亮度低低中高效果清晰度低低中高注：第一代LED红外灯比第二代的性能效果更差，已经被淘汰；不同品牌的产品，数据值有所差异，因此此表只给出一个范围数值。
激光半导体808nm
附件
•附 件：专用电源 工业用固定支架、万向旋转支架 •1 、专用电源（ 配套专用电源，具有很强的抗干扰性、高稳定 性、抑制浪涌电流及缓启动等特点，特别适于恶劣的工作环境， 能有效保证产品的稳定 性和使用寿命） •2、工业支架（配套专用支架：具有良好的导热性和灵活性，使 镭射激光产品可安装在任何垂直或水平面，并使之在三维空间任 意360度调整，以达到最佳使用效果
产品特点
• 特点4：产品光斑清晰，准直性好，体积小，工业适用性强，在 工业和工艺待业的校正与定位中，取代了标尺、三角板、挡块 等设备。并且能够帮助您在无法采用机械导向或在需要双手同 时工作的地方工作。可以调节亮度，使之适合于材料表面和您 所在位置的环境光线。对人眼起到有效的保护。 • 特点5：专用红外线激光定位器光斑清晰、小巧、易于安装，使 用简单方便。从根本解决了传统的红外线激光标线器的主要问 题，如使用寿命较短、光线强度低等。激光标线器管芯采用日 本进口半导体激光二极管，内置电路板经改良，具有高抗干扰 性、高稳定性、抑制浪涌电流及缓启动等特点，特别适于恶劣 的工作环境，能有效保证产品的稳定性和使用寿命。
产品的优势
• 现代激光定位工艺与传统定位方式相比具有无可替代的优势 • a.传统定位过程繁琐；激光使用简易，通电即有断电即无。 • b.传统定位模糊且不准，生产过程中耗损严重；激光效果清晰 定位准确。 。 • c. 传统定位生产工艺落后、耗时、人工成本高；激光定位工艺 先进，节省成本。 • d. 安装方便（若另配我厂生产万向转动支架，能使使用更简 便）；拆卸简单。
产品参数
• •光斑形状：圆点、一字线、十字线（大十字线、小十字线）、丰字形 •光线颜色：红色 绿色（可选） •输出波长： 532nm 635nm 650nm •管芯功率：10～300mW •规 格：Φ10×35mm Φ12×36mm Φ12×60mm Φ 16×80mm Φ22×85mm Φ26×110mm（可定制） •光学透镜：光拨打零贰玖陆捌伍捌壹柒零捌学镀膜玻璃透镜G3 •出光张角：10°～120° •直 线 度：≥1/5000 •线 宽：3米处线宽≤1.0mm •工作电压： 直流 5V •使用寿命：连续使用大于8000小时 •工作温度：-10℃~75℃ •储藏温度：-40℃~85℃
808嫩肤原理
808嫩肤原理宝子们，今天咱们来唠唠超火的808嫩肤，这可是让好多小姐妹皮肤变得像剥了壳的鸡蛋一样嫩的神奇项目呢！808嫩肤啊，它主要是利用808nm波长的激光来发挥作用的。
这个808nm的激光可不得了，就像一个超级精准的小能手。
咱们的皮肤里有好多东西呢，像毛囊里的黑色素就特别吸引这个808nm激光的注意。
激光一照过去，就像小磁石找到了铁屑一样，一下子就被毛囊里的黑色素吸收了。
你想啊，黑色素就像皮肤上的小坏蛋，让我们的皮肤看起来暗沉、粗糙，还可能会长出小毛毛变得不好看。
这808激光一被黑色素吸收，就会产生热量。
这个热量就像是给黑色素这个小坏蛋来了一场“热风暴”，把它破坏掉。
而且啊，这个热量可不会乱跑到别的地方去伤害我们的皮肤细胞，它就专门针对黑色素，是不是很厉害呀？当黑色素被破坏了之后呢，我们的皮肤就开始有变化啦。
那些因为黑色素沉淀而变得暗沉的地方，就会慢慢变得白皙起来。
就像是乌云散去，阳光洒下来的感觉呢。
而且啊，808嫩肤对毛囊也有作用哦。
毛囊里的黑色素被破坏了，毛发的生长可能也会受到影响。
对于那些毛发比较旺盛，想让皮肤变得更光滑细腻的小姐妹来说，这简直是个福音呢。
不过呢，808嫩肤可不是只做一次就一劳永逸的。
咱们的皮肤一直在新陈代谢，黑色素也可能会重新出现。
所以一般要按照疗程来做。
每次做的时候，就像是给皮肤来一次大扫除，把新冒出来的黑色素小坏蛋再清理一遍。
还有哦，宝子们在做808嫩肤的时候，一定要找正规的地方。
毕竟这是在我们的脸上做事情呢，可不能马虎。
正规的地方，他们的仪器是经过严格检测的，操作人员也是经过专业培训的。
这样才能保证这个808激光在我们脸上发挥最大的好处，又不会对我们的皮肤造成伤害。
做完808嫩肤之后呢，皮肤可能会有点小反应，就像刚运动完有点累一样。
可能会有一点点红啊，或者稍微有点干。
这个时候可不要慌，按照医生或者美容师的嘱咐，好好做皮肤护理就好啦。
多敷敷补水的面膜，做好防晒。
808nm激光器说明
808nm激光器说明808nm激光器是一种常见的激光器类型，其波长为808纳米。
本文将对808nm激光器进行详细说明，包括其原理、应用领域以及特点。
一、激光器原理808nm激光器是一种半导体激光器，其工作原理基于半导体材料的电子能级结构。
当外加电流通过半导体材料时，电子会从低能级跃迁到高能级，形成电子空穴对。
当这些电子和空穴重新结合时，会释放出光子能量，产生激光。
二、应用领域808nm激光器在医疗、工业和科研领域有广泛的应用。
1. 医疗应用：808nm激光器被广泛应用于医疗美容领域，用于脱毛、皮肤再生和血管治疗等。
其波长能够被黑色素吸收，可以有效地破坏毛囊和血管，达到治疗的效果。
2. 工业应用：808nm激光器在工业领域主要用于材料加工，如激光焊接、激光切割和激光打标等。
其高能量密度和较高的光束质量使其成为高效、精确的加工工具。
3. 科研应用：808nm激光器在科研领域被广泛用于光谱分析、光学测量和实验研究等。
其稳定的输出功率和较窄的光谱线宽使其成为研究人员进行精确实验的理想选择。
三、特点808nm激光器具有以下特点：1. 高效能：808nm激光器的电光转换效率较高，能够将大部分电能转化为激光能量，具有较高的能量利用率。
2. 窄线宽：808nm激光器的光谱线宽较窄，能够提供较高的光束质量和较好的光学性能。
3. 长寿命：808nm激光器采用半导体材料作为激光介质，具有较长的使用寿命和稳定性。
4. 易于控制：808nm激光器的输出功率和频率可以通过调节电流和温度等参数进行精确控制，具有较好的可调性。
5. 安全性高：808nm激光器的波长处于近红外区域，对人体组织的穿透性较强，但对眼睛的损伤较小，使用时需要注意眼睛的防护。
808nm激光器是一种重要的激光器类型，具有广泛的应用领域和独特的特点。
随着科技的不断进步，808nm激光器在各个领域的应用将会更加广泛，为人们的生活和工作带来更多便利和创新。
大族激光设备工艺参数(3篇)
第1篇一、概述大族激光设备是一种集激光技术、光学技术、机械技术、自动化技术于一体的高新技术产品。
它广泛应用于金属加工、非金属加工、医疗、科研等领域。
本文将对大族激光设备的工艺参数进行详细介绍。
二、激光设备的主要工艺参数1. 激光波长激光波长是指激光光束的频率对应的波长。
大族激光设备常用的激光波长有：（1）红外激光：波长为1064nm、915nm、808nm等，主要用于金属加工、焊接、切割等。
（2）可见光激光：波长为532nm、355nm等，主要用于非金属加工、医疗、科研等。
2. 激光功率激光功率是指激光设备输出的激光能量。
大族激光设备常用的激光功率有：（1）低功率激光：功率为1-10W，主要用于医疗、科研等领域。
（2）中功率激光：功率为10-100W，主要用于金属加工、焊接、切割等。
（3）高功率激光：功率为100-10000W，主要用于大型金属切割、焊接、热处理等。
3. 激光束质量激光束质量是指激光束的形状、大小、发散角等参数。
大族激光设备常用的激光束质量有：（1）高斯光束：光束形状呈高斯分布，发散角小，聚焦效果好。
（2）多模激光束：光束形状呈多模分布，发散角较大，聚焦效果一般。
4. 激光脉冲宽度激光脉冲宽度是指激光脉冲持续的时间。
大族激光设备常用的激光脉冲宽度有：（1）纳秒级脉冲：脉冲宽度为1-10ns，主要用于高精度加工、激光打标等。
（2）微秒级脉冲：脉冲宽度为10-1000μs，主要用于焊接、切割等。
5. 激光束扫描速度激光束扫描速度是指激光束在加工表面上的移动速度。
大族激光设备常用的激光束扫描速度有：（1）低速扫描：扫描速度为0.1-1m/s，主要用于高精度加工、激光打标等。
（2）高速扫描：扫描速度为1-10m/s，主要用于金属切割、焊接等。
6. 激光加工距离激光加工距离是指激光束与加工表面之间的距离。
大族激光设备常用的激光加工距离有：（1）短距离加工：加工距离为0-5mm，主要用于激光打标、焊接等。
808nm1WC封装激光器使用说明书
808nm1W激光器应用范围泵源、医疗、目标指示、舞台灯光夜视、红外监控主要特征有源区无铝应变量子阱结构、高效率、长寿命封装形式C-mount封装性能参数（室温下测量）808nm1W—C参数最小值典型值最大值阈值电流（mA）150180输出功率(mW)10001200中心波长λ(nm)805808810工作电流(mA)12001500工作电压(V) 1.85 2.20发散角θ⊥×θ∥(deg)38×6工作温度（℃）2540存储温度（℃）-4080封装形式C-mount典型测试曲线808nm光谱：(功率=1W，温度=25℃)外形尺寸及说明使用注意事项：1.激光二极管发射的激光有可能对人眼造成伤害。
二极管工作时，严禁直接注视其端面。
2.器件需要合适的驱动电源，瞬时反向电流不能超过20μA，反向电压不能超过3V，否则会损坏器件。
激光二极管和电源连接时，电源输出电压应为零；电流调节时应缓慢增加或减少，以免冲击电流损坏器件。
3.器件应当存放干燥环境。
4.在较高温度下工作，会增大阈值电流，降低转换效率，加速器件的老化。
5.输出功率高于指定参数工作，会加速器件老化。
6.器件需要充分散热或在制冷条件下使用，C-mount的温度严格控制在20度以下，保证寿命。
7.本产品属于静电敏感器件，在人体有良好接地的情况下才可拿取，防静电可采用防静电手镯的方法。
8.激光器的输出波长受工作电流与散热的影响，要保持良好散热条件，降低工作时管芯的温度。
2。
808nm光纤耦合激光器功率
808nm光纤耦合激光器功率808nm光纤耦合激光器功率是一个重要的激光器性能参数，通常用来描述光源的输出功率大小。
在医疗美容、半导体制造和科研领域中，808nm光纤耦合激光器广泛应用于激光照射、激光切割、激光焊接等工艺中。
本文将介绍808nm光纤耦合激光器功率的相关概念、其影响因素以及提高功率的方法。
首先，我们来了解一下光纤耦合激光器的功率概念。
光纤耦合激光器的功率指的是激光器输出端的平均功率，通常以瓦特（W）作为单位进行衡量。
光纤耦合激光器的功率与其泵浦源的功率、光纤的光损耗以及光学系统的效率密切相关。
其次，光纤耦合激光器功率受到多个因素的影响。
首先是泵浦源的功率。
泵浦源是提供能量给激光器介质的光源，在泵浦能量越大的情况下，激光器的输出功率也会相应增加。
其次是光纤的光损耗。
光纤会对传输的激光束进行损耗，导致输出功率下降。
因此，选择光损耗小、传输效率高的光纤对于提高输出功率非常重要。
最后是光学系统的效率。
光学系统包括透镜、反射镜等光学元件，其设计和质量都会直接影响输出功率的大小。
为了提高808nm光纤耦合激光器的功率，可以采取以下方法。
首先是增加泵浦源的功率，例如使用功率更大的二极管激光器来提供泵浦能量。
其次是选择光损耗小的光纤，例如低损耗的光纤材料以及精细加工的光纤连接接头。
此外，还可以通过优化光学系统来提高传输效率，例如使用高透射率的透镜和反射镜，减小反射和散射损耗。
此外，合理的整体激光器设计以及良好的冷却措施也有助于提高功率。
总而言之，808nm光纤耦合激光器功率是一个重要的性能指标，和泵浦源功率、光纤光损耗以及光学系统效率等因素密切相关。
通过增加泵浦源功率、选择光损耗小的光纤、优化光学系统和整体激光器设计等方法，我们可以有效地提高808nm光纤耦合激光器的输出功率。
这对于满足各种实际应用的需求非常重要。
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• 描述： • 高功率808nm红外激光灯在照明领域中应用的最大优势在于激光 具有极高的发光电零贰玖捌捌柒贰陆柒柒叁效率和发光强度， 高功率808nm红外激光灯的光电转换效率最高可达 80%，大大的 降低能耗，增加照明距离。 • 高功率808nm红外激光灯可轻易实现100-1000米照明距离，满足 风光供电监控项目对远距离监控的需要。如在野外建立监控点， 距离一般都比较远。还在监控夜领域也逐渐被广泛的使用。技 术参数均可按客户实际需要订பைடு நூலகம்。 • yyz • 对本公司售出的产品一律保证一年保修，三年维修的原则，在 保修期内出现的任何质量问题将给予认真负责的处理。欢迎用 户提供宝贵的改进意见yyz