《半导体三极管》教案设计.pdf

《半导体三极管》教案设计邯郸市涉县职业技术教育中心张晓刚

第二课时

半导体三极管电流分配与放大原理

一、课前提问（约10分钟）

1.请举例说出三极管在实际生活中的应用？

2.请说出三极管的内部机构原理？

二、新课教学（约30分钟）

三极管的放大作用是在一定的外部条件控制下，通过载流子传输体现出来的。

外部条件：发射结正偏，集电结反偏。

1. 内部载流子的传输过程

发射区：发射载流子；

集电区：收集载流子；

基区：传送和控制载流子（以NPN为例）

图 4 载流子的传输过程

以上看出，三极管内有两种载流子(自由电子和空穴)参与导电，故称为双极型三极管，或BJT (Bipolar Junction Transistor)。

2. 电流分配关系

I e=I b+I c

3. 三极管的三种组态

共发射极接法，发射极作为公共电极，用CE表示。

共基极接法，基极作为公共电极，用CB表示。

共集电极接法，集电极作为公共电极，用CC表示。

课前提问，检查

学生对上节课知

识的掌握能力

第三学时 半导体三极管输入,输出的特性曲线

一、课前提问（约10分钟）

1.请说出三极管的内部电流分配关系？

2.请说出三极管的电流放大原理？

二、新课教学（约30分钟） 1. 输入特性曲线

const V BE B CE V f i ==|)(

(1) 当 时，相当于发射结的正向伏安特性曲线。

(2) 当 时， ，集电结已进入反偏状态，开始

收集电子，基区复合减少，同样的 下， 减小，特性曲线右移。

(3) 输入特性曲线的三个部分：死区；非线性区；线性区 2. 输出特性曲线

课前提问，检查学生对上节课知识的掌握能力

v CE = 0V

v CE ≥ 1V

V V CE 0

=V

V

CE 1≥V V V V BE CE CB 0>−=BE V B

I 图 5 三极管的输入特性曲线

图 6 三极管的输出特性曲线

其输出特性曲线满足下面公式：

其中：放大区：i C平行于v CE轴的区域，曲线基本平行等距。此时，发射结正偏，集电结反偏。

截止区：i C接近零的区域，相当i B=0的曲线的下方。此时，v BE小于死区电压，集电结反偏。

饱和区：i C明显受v CE控制的区域，该区域内，一般v CE＜0.7V(硅管)。此时，发射结正偏，集电结正偏或反偏电压很小。

三、课堂小结：（约5分钟）

通过本节课的学习，同学们能够掌握三极管的输入和输出特性曲线图的画法，并能利用本节课的知识总结出三极管的输出特性曲线的特点

四、课后作业

1.请分别画出三极管的输入和输出曲线。

2.请同学们利用本节课的知识总结出三极管的输出特性曲线的特点。

附：板书设计

主板书副板书

新授课：（约30分钟）

1. 输入特性曲线

2. 输出特性曲线

1.课前提问（约10分钟）

2.课堂小结（约5分钟）

const

i

CE

C B

V

f

i

=

=|)

(

v CE = 0V v CE≥ 1V

V（BR）CEO是指基极开路时集电极-发射极间的反向击穿电压。V（BR）CEO<< V （BR）CBO

。

各击穿电压大小之间有如下的关系：

V（BR）CBO> V（BR）CES> V（BR）CER> V（BR）CEO

三、课堂小结（约5分钟）

通过本节课的学习，同学们能够掌握三极管的各种参数，并能够很好的去理解它们，这样在选择三极管的时候就不会出错。

四、课后作业：

请同学们说出半导体三极管的参数有哪些？

附：板书设计

主板书副板书

新授课：（约30分钟）

1. 半导体三极管的电流放大系数

2. 半导体三极管的极间反向电流

3.半导体三极管的极限参数

1.课前提问（约10分钟）

2.课堂小结（约5分钟）