纳米压印光刻中的多步定位研究
纳米压印 研究报告
纳米压印研究报告摘要本报告探讨了纳米压印技术在材料科学和纳米技术领域的应用及发展。
纳米压印技术作为一种重要的纳米加工技术,具有高精度、高效率和低成本的优势,被广泛应用于纳米结构的制备、器件加工以及表面功能化等方面。
本报告将从纳米压印技术的原理、应用领域及发展趋势等方面进行详细阐述,旨在为相关领域的研究人员及科技工作者提供参考和借鉴。
一、引言纳米材料的制备和加工技术是当前材料科学和纳米技术领域的研究热点之一。
在众多的纳米加工技术中,纳米压印技术因其简单、高效、成本低等特点备受关注。
纳米压印技术是一种通过对待加工材料施加压力,从而在其表面或体内形成微纳米结构的加工方法。
二、纳米压印技术的原理纳米压印技术的基本原理是通过在材料表面施加压力,使材料表面产生塑性变形,从而形成微纳米结构。
其主要包括压印头、基座、压印模具等关键部件。
在压印过程中,通过压印头对压印模具施加一定的力和温度条件,从而在待加工材料表面形成微纳米结构。
三、纳米压印技术的应用领域1. 纳米结构制备:纳米压印技术可以制备出各种纳米结构,包括纳米线、纳米孔洞、纳米颗粒等。
这些纳米结构对于材料的光学、电学和磁学性能均具有重要的影响,因此在纳米材料的制备领域具有重要应用价值。
2. 器件加工:纳米压印技术可以用于微纳器件的加工制备,例如微纳米通道、微型光栅等器件的制备。
这些器件对于微纳系统和光电器件具有重要应用前景。
3. 表面功能化:纳米压印技术可以对材料表面进行微纳米结构的设计和加工,从而实现对材料表面的功能化改性。
可以实现超疏水、超亲水、抗菌等功能,对于材料的表面处理具有广泛的应用前景。
四、纳米压印技术的发展趋势1. 多功能化:未来纳米压印技术将朝着多功能化方向发展,不仅可以实现微纳米结构加工,还可以实现对材料表面的化学、生物、光学功能化。
2. 高度集成:纳米压印技术将与MEMS技术、纳米光子学等领域相结合,实现器件的高度集成和微纳系统的制备。
纳米刻蚀工艺中的精准定位技术
纳米刻蚀工艺中的精准定位技术是现代微纳米技术的重要组成部分,它涉及到对微小尺寸的精确控制和操作。
在纳米刻蚀工艺中,精准定位技术的重要性不言而喻,因为它直接影响到刻蚀的精度和效率。
本文将探讨纳米刻蚀工艺中的精准定位技术,并解释其工作原理和实现方式。
首先,让我们了解一下纳米刻蚀工艺的基本原理。
纳米刻蚀是一种利用物理或化学手段将材料从基板上剥离的过程,其精度通常在纳米级别。
这种技术广泛应用于制造微电子器件、生物医学设备、光学元件等许多高科技领域。
那么,精准定位技术是如何实现的呢?其主要依赖于精密的测量仪器和计算机控制系统。
在纳米刻蚀过程中,操作者需要准确地控制刻蚀液的流量、温度、浓度以及刻蚀时间等参数,以确保刻蚀过程在指定的位置精确进行。
为此,科学家们开发出了一系列先进的测量和定位技术,如光学显微镜、电子显微镜、原子力显微镜等,以及基于这些技术的计算机辅助控制系统。
这些技术能够实时监测刻蚀过程,并精确地调整刻蚀参数,以确保刻蚀液准确地到达指定的位置。
此外,这些技术还可以通过反馈控制机制,对误差进行实时纠正,从而提高刻蚀的精度和效率。
精准定位技术的应用范围非常广泛。
在微电子制造领域,它有助于提高芯片的制造精度和成品率;在生物医学领域,它有助于制造精确的医疗设备;在光学元件制造领域,它有助于提高光学元件的精度和稳定性。
总的来说,纳米刻蚀工艺中的精准定位技术是实现微纳米级别精确控制的关键。
它依赖于先进的测量仪器和计算机控制系统,通过实时监测和调整刻蚀过程,确保刻蚀液准确地到达指定的位置。
这种技术对于提高微纳器件的性能、降低制造成本、推动科技进步具有重要意义。
未来,随着纳米技术的不断发展,精准定位技术也将不断改进和完善,为更多的应用领域提供更高效、更精确的纳米刻蚀解决方案。
纳米压印光刻工艺的研究进展和技术挑战
g n r t g s b 1 0 m tu t r s e e ai u 一 0 n s r c u e ,wh c e d o m a e t e p te nn y tm o e c m p i n ih tn s t k h a tr i g s se m r o l — c td a d e p n i e a e n x e sv .Th a omp i tl h g a h en n i rn i o r p y,wh c e l e a tr r n frb od t ih r ai sp te n ta s e yam l z rp iai gp o e s a r wn s ro s at n in d e t t i h r r s l to n o tefc e l tn r c s ,h s d a e iu te to u o is hg e e ou in a d c s— fe — c t e es i n s .Asag o ercc n tan h o o mi gp o e s h a o mp itl h g a h rn s v e m ti o s ri tr e f r n r c s ,t en n i rn i o rp yb i g t
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纳米压印光刻技术的研究与发展
陕西理工学院学报 ( 自然科学版 )
第2 9卷
印盘 ; 为减 小 模 具 和 基 片 的 磨 损 , 该 设 备 中还 设 有 弹 性 缓 冲
垫, 同时也 起 到一 定 的 自调节 作用 , 从 而 保持 模具 与基 片平 行
的作 用 ; 通 过连 接 球 传递 压 力可 以 自动 调 节模 具 与基 片 的水
学、 密西根 大学 、 普林 斯 顿大学 、 林 肯实 验 室 、 德 克 萨 斯 大学 、 摩托罗拉 、 惠普公司、 瑞士的 P a u l S c h e me r 研 究 所及 德 国亚琛 工业 大学 等 。近年来 , 西 安交 通大 学 大机 械学 院微 纳米 制 造研 究 团队依 托 机械 制 造 系统 工程 国家 重 点 实 验 室 , 在 国 家 自然 科 学 基 金 重 大 研 究 计 划 “ 纳米 制造的基础研究 ” 重 点 项 目和 “ 9 7 3 ” 计划 项 目课 题 支持 下 , 于 国内较 早 开展 纳米 压 印技 术 研 究 , 在 纳米 结 构成 形 机 理 、 工 艺 开发 和 装
源、 高精度聚焦系统 、 极短波长透镜系统 以及抗蚀剂分辨率受光波场效应的限制和要求 , 该方法是 由美 国普林斯顿大学 的华裔科学家 S t e p h e n Y . C H O U等于 1 9 9 5 年首先提出, 为纳米光刻技术的研究与发展 提供 了新 思路 , 许 多知名 大学 和研 究机 构都 在致 力 于纳米 压 印光刻 技 术 的研 究 、 开 发 与应 用 , 如 哈佛 大
0e t . 2 0 1 3
Vo 1 . 29 No. 5
[ 文章 编号 ] 1 6 7 3— 2 9 4 4( 2 0 1 3 ) 0 5— 0 0 0 1— 0 5
面向纳米压印光刻设备的精密定位工作台的设计方法与实验的开题报告
面向纳米压印光刻设备的精密定位工作台的设计方法与实验的开题报告一、选题背景与研究意义随着半导体技术、纳米技术以及光学技术的发展,纳米压印光刻技术成为了一种重要的微纳加工方法。
在该技术中,高精度的定位工作台是必不可少的设备,它可以实现纳米级别的定位和精密加工。
因此,精密定位工作台的设计和研究成为了工程界和学术界的热点问题之一。
精密定位工作台是一种高精度的位置控制系统,常常被应用于微纳制造领域,用于进行微纳加工、光学测试、环境监测、位置定位等工作。
在纳米压印光刻设备中,精密定位工作台的设计和性能直接影响纳米压印光刻的成功率、加工精度和加工速度等指标。
因此,本文将从精密定位工作台的设计方法和实验分析两方面入手,探究一种适用于纳米压印光刻设备的精密定位工作台的设计和优化方法。
二、研究内容和目标本研究的主要内容包括:1. 精密定位工作台的设计和组成,包括传动系统、控制系统、定位系统等。
2. 研究精密定位工作台的工作原理,包括精度分析、稳定性分析等。
3. 基于传感设备,设计了一套基于成像处理的高精度定位方法。
4. 设计实验方案进行实验分析。
通过实验数据的分析,优化设计方案,提高定位工作台的性能。
三、研究方法和调研本研究主要采用文献研究法、理论分析法和实验分析法三种方法。
根据文献研究,查阅了关于精密定位工作台的设计方法和优化方案的相关研究成果,并对等效刚度、阻尼和质量等指标的计算方法进行了理论分析。
在调研中,本研究采用现场观察、实验采集和问卷调查等方法获取数据,以评估实验模型的性能,发现可能的不足和问题,并提供改进方案。
此外,还通过研究现有高精度定位方法的缺陷,提出优化的方案。
四、预期成果与创新点本研究将主要取得以下预期成果:1. 设计一套适用于纳米压印光刻设备的高精度定位系统,能够满足比纳米级更高的加工精度要求。
2. 开发一套基于成像处理的高精度定位方法,提供了一种高精度、快速的定位方案。
3. 实现基于实验数据的精密定位工作台的参数优化,提高了定位系统的定位精度和稳定性。
纳米压印光刻技术
纳米压印光刻技术纳米压印技术是美国普林斯顿大学华裔科学家周郁在20世纪1995年首先提出的。
这项技术具有生产效率高、成本低、工艺过程简单等优点,已被证实是纳米尺寸大面积结构复制最有前途的下一代光刻技术之一。
目前该技术能实现分辨率达5nm以下的水平。
纳米压印技术主要包括热压印、紫外压印以及微接触印刷。
纳米压印技术是加工聚合物结构最常用的方法,它采用高分辨率电子束等方法将结构复杂的纳米结构图案制在印章上,然后用预先图案化的印章使聚合物材料变形而在聚合物上形成结构图案。
1、热压印技术纳米热压印技术是在微纳米尺度获得并行复制结构的一种成本低而速度快的方法。
该技术在高温条件下可以将印章上的结构按需复制到大的表面上,被广泛用于微纳结构加工。
整个热压印过程必须在气压小于1Pa的真空环境下进行,以避免由于空气气泡的存在造成压印图案畸变,热压印印章选用SiC材料制造,这是由于SiC非常坚硬,减小了压印过程中断裂或变形的可能性。
此外SiC化学性质稳定,与大多数化学药品不起反应,因此便于压印结束后用不同的化学药品对印章进行清洗。
在制作印章的过程中,先在SiC表面镀上一层具有高选比(38&1)的铬薄膜,作为后序工艺反应离子刻蚀的刻蚀掩模,随后在铬薄膜上均匀涂覆ZEP抗蚀剂,再用电子束光刻在ZEP抗蚀剂上光刻出纳米图案。
为了打破SiC的化学键,必须在SiC上加高电压。
最后在350V的直流电压下,用反应离子刻蚀在SiC表面得到具有光滑的刻蚀表面和垂直面型的纳米图案。
整个热压印过程可以分为三个步骤:(1)聚合物被加热到它的玻璃化温度以上。
这样可减少在压印过程中聚合物的粘性,增加流动性,在一定压力下,就能迅速发生形变。
但温度太高也没必要,因为这样会增加升温和降温的时间,进而影响生产效率,而对模压结构却没有明显改善,甚至会使聚合物弯曲而导致模具受损。
同时为了保证在整个压印过程中聚合物保持相同的粘性,必须通过加热器控制加热温度不变。
向下一代半导体制造技术“UV纳米压印光刻”的普及迈进
向下一代半导体制造技术“UV纳米压印光刻”的普及迈进本文1588字,阅读约需4分钟摘要:UV纳米压印光刻是一种利用紫外光的精密加工技术,因其优异的工艺速度和可大面积加工能力,作为一种适合大规模生产的低成本技术而备受关注。
本研究中,通过模拟再现了UV纳米压印光刻中,树脂填充过程中的分子行为,并阐明了成功将树脂填充到数纳米的沟(槽)中所必需的特性。
该研究成果为UV纳米压印光刻中的树脂选择和设计提供了指导,并有望为提高半导体制造效率作出贡献。
关键字:半导体制造技术、UV纳米压印光刻、精密加工技术、低成本、树脂填充概要UV纳米压印光刻是一种精密加工技术,它用紫外光(UV)固化树脂填充基板,使用模具(模板)对纳米级图案压缩成形后,照射紫外光以瞬间固定形状。
UV纳米压印光刻因其优异的工艺速度和可大面积加工能力,作为适合大规模生产的低成本技术备受关注。
然而,决定图案形成成败的UV固化树脂分子的行为尚未阐明。
研究小组以4种UV固化树脂为对象,对UV纳米压印光刻中宽度为数纳米的微细沟槽的填充过程进行了分子动力学模拟,并阐明了成功填充所需的主要分子特征。
该研究为UV纳米压印光刻中的树脂选择和设计提供了指导,并有望为提高半导体制造等微细加工技术效率作出贡献。
研究背景为增加可记录在半导体芯片上的信息量,需要缩小电路的线宽,并尽可能将电路画得更密集。
在现有技术中,在基板上涂上感光剂后,将除电路图案以外的区域遮盖,然后用UV光照射,使被照射区域的感光材料熔化,基板暴露;通过在该区域添加蚀刻剂,暴露区域与蚀刻剂发生反应,基板由此变得凹凸不平。
然而,为了制作超精细的电路图案,在制造过程中存在消耗大量电力的问题。
纳米压印光刻作为一种精密加工技术备受关注,其功耗成本低于现有方法。
其中,UV纳米压印光刻在工艺速度和加工面积方面表现突出,正在半导体制造和生命科学领域投入实际应用。
然而,另一方面,由树脂的机械性能造成的缺陷一直是一个问题,例如在填充过程中用于加工的树脂粘附在模具上或从基板上剥离。
带型纳米压印光刻机的研究与开发的开题报告
带型纳米压印光刻机的研究与开发的开题报告一、选题背景及意义随着半导体、光电子、生物医学、材料科学等领域的不断发展,对微纳米加工技术的需求越来越高。
纳米压印光刻技术由于具有高分辨率、低成本、高效率等优点,已经成为制备纳米光子学器件、生物芯片、纳米电子器件等领域的重要工具。
但是传统纳米压印光刻技术只能单次压印,对于柔性电子、生物芯片等应用有限。
带型纳米压印光刻技术可以实现连续压印,是目前制备纳米光子学器件、生物芯片的重要工具之一。
因此,开展带型纳米压印光刻机的研究与开发,对推动微纳加工技术的发展具有重大意义。
二、研究内容及研究方法1. 研究内容(1)带型纳米压印光刻机的结构设计与建模:根据带型纳米压印光刻的特点,设计带型纳米压印光刻机的结构,并进行建模模拟。
(2)带型模板的制备与优化:研究不同材料、不同形状、不同尺寸的带型模板的制备方法,并对其进行优化。
(3)连续压印过程的控制:研究连续压印过程中的控制方法,包括约束层的运动控制和模板与基板的对位控制等。
2. 研究方法(1)理论分析:通过理论分析制备过程中的关键问题,优化纳米光刻工艺流程,提高加工效率和准确度。
(2)实验验证:通过实验验证理论分析的可行性和准确性,并根据实验结果进一步优化工艺。
(3)系统集成:将纳米压印光刻机与自动化控制系统集成到一起,形成完整的带型纳米压印光刻机系统。
三、研究进展与计划1. 研究进展针对带型纳米压印光刻机的研究,目前已完成了如下工作:(1)分析了带型纳米压印光刻的工艺特性和应用领域。
(2)研究了常见的纳米压印光刻技术,分析了其优缺点。
(3)针对带型纳米压印光刻的特点,设计了初步的光刻机结构,并进行了初步的建模模拟。
2. 研究计划接下来的研究计划如下:(1)进一步优化带型模板的制备方法,提高制备效率和模板质量。
(2)完善带型纳米压印光刻机的结构设计,并进行详细的建模模拟。
(3)设计并制作带型纳米压印光刻机的样机,并进行实验验证。
纳米压印光刻技术及其发展现状
纳 米 压 印 技 术 的 基 本 原 理 和 工 艺
学 ,它 可 以达 到 1n 0m的分 辨 率 。先 将 低 粘 度 的 单
体溶液滴在压印的衬底上 ,用很低 的压力将模版压 倒圆片上 ,使液态分散开并填充模版 中的空腔。紫
外 光透 过模 版背 面辐 照单 体 ,固化成 型后 ,移 去模
正 在使 用压 印光刻 技术 来制 作一 种 图形表 面 ,其 上
的细 胞 不 能 生 长 或 沿 特 定 方 向 生 长 。Wae a 学 sd 大 和一 家 日本 的医疗 器械 公 司正在 研究 一个 细 胞排 列
4n 的实验存储 芯片。他说 : “ 5m 我们正在使用纳
米 压 印 光 刻 技 术 来 稳 定 制 作 可 用 的 、线 宽 为 3 n 0m
作。 3 微接 触压 印光 刻 ( co o t tN L ) Mircna — I) c 微 接触压 印 光刻 技术 要先 通过 光 学或 电子束 光
③待光刻胶冷却固化成形之后 ,释放压力并且将模 版脱离硅基板 。④最后对硅基板进行反应离子刻蚀
( eci o t ig R ateInEc n)去 除残 留的光 刻胶 ,即可 以 v h 复制 出与模 版 等 比例 的纳米 图案 。
版 。最 后刻蚀 残 留层 和进 行 图案转 移 ,得 到 高纵 横 比的结 构 。
目前 大概 可 以归纳 出四种代 表技 术 :热 压 印光
刻技 术 、紫外 硬化 压 印光 刻技 术 、软压 印 、激光 辅 助直 接光 刻技 术 。
1 热压 印Байду номын сангаас( E N L ) H — I)
很 明显 ,紫外压 印相 对 于热 压 印来 说 ,不 需要 高 温 、高 压 的条件 ,它 可 以廉价 的在纳 米 尺度 得 到
纳米压印 研究报告
纳米压印研究报告摘要:纳米压印技术是一种高分辨率、高效率的纳米级制造工艺,广泛应用于微电子、生物医学、纳米光学等领域。
本报告将详细介绍纳米压印技术的概念、原理及其在各领域的应用,通过实验材料与方法、实验结果与分析、问题与讨论以及优化与改进措施,深入探讨纳米压印技术的优势与局限,并提出可行的改进方案。
最后,总结该领域未来发展方向及可能涉及到的挑战和机遇。
一、纳米压印技术的概念与原理纳米压印技术是一种基于压印和纳米级复制的制造工艺,通过将特定材料填充到微米级甚至纳米级的模具中,再施加一定的压力和温度,将材料转移到另一表面上,从而实现纳米级图案的复制。
该技术具有高分辨率、高效率、低成本等优点,是当前纳米制造领域的研究热点之一。
二、实验材料与方法1. 材料实验所用的基底为硅片,具有高质量的表面平整度和良好的热稳定性。
油墨选用聚酰亚胺(PI),具有高粘度、高弹性、优良的耐热性和化学稳定性等特点。
模具选用镍(Ni)材质,具有高硬度、高耐磨性、高耐腐蚀性等优点。
2. 设备与技术手段实验过程中使用的设备包括纳米压印机、烘箱、显微镜、表面轮廓仪等。
纳米压印机用于压制过程,烘箱用于油墨的固化,显微镜用于观察压制过程和结果,表面轮廓仪用于测量压制后的表面形貌。
3. 操作流程(1)将硅片放置在烘箱中加热至指定温度,待油墨熔化后取出;(2)将熔化的油墨均匀涂布在硅片表面;(3)将涂有油墨的硅片放置在纳米压印机上,选择合适的模具和压力;(4)压制完成后,将硅片取出并放入烘箱中加热至指定温度,使油墨固化;(5)最后,使用表面轮廓仪对压制后的硅片进行测量,观察图案的复制情况。
三、实验结果与分析1. 实验现象与数据结果通过实验,我们成功地在硅片上压制出了特定图案,并使用表面轮廓仪对压制后的硅片进行了测量。
测量结果显示,压制后的图案高度为100纳米左右,宽度为200纳米左右,图案复制率较高。
此外,我们还发现压制过程中温度和压力的控制对图案质量有重要影响。
纳米压印技术的研究
纳米 压 印技 术 的研 究
段 家现
( 州学 院 , 梧 广西 梧 州 5 30 ) 4 0 2
摘 要 : 绍了纳 米压印技 术的原理 , 介 讨论 了纳米压印 中材料的制备及热压印 、 紫外压印 、 微接 触印刷 等 3种 常用的压印工艺及 其关键
度 Gast si e prt e 和 压 力 下 , “ 印 ” I pit l —r io T m ea r) s a tn n u 去 压 (m r ) n
定性 、 黏度低 、 易于流动和好 的抗 干法刻蚀性 能。常用光刻胶
有 Mi o ei eh o g c R s t c nl y提 供 的 m r sT o r— I00 m 8 0 、 r— I9 0 , 0 0
印章上 的图形质量 ,决定 了纳米压 印能够达到 的转移 到 聚合 物上 的图形质 量 ; 印章上 的分辨率 , 定了聚合 物上 图案 决 的分辨率 。印章 的制备 , 以采用多种方式实现 , 可 常用的有 电 子束 、 极紫外光 、 聚焦离子束 或反应 离子刻 蚀等。常用的印章
具有超高分辩率 , 高产量 , 低成 本。纳米压 印技术 已经展示 了 广阔的应用领域 , }于制作纳米电子元件 、 如J = } j 生物或化学 的硅 片 燃料电池H 超 高存储密度磁盘口 光学元件[ 。 、 、 1 、 6 1 等
技 术 , 出纳 米压 印技 术的 研 究 方 向 和 面 临 的挑 战 。 提
关键词 : 纳米压 印; 材料制备 ; 热压印 ; 紫外压印; 微接 触印刷
中 图 法分 类 号 : N 0 T 45 文 献标 识 码 : A 文 童编 号 : 7 — 4 X 2 1 0 — 0 2 0 1 2 5 5 ( 0 7 0 3 — 3 6 0)
光刻机中微纳米级别的位置精度控制
光刻机中微纳米级别的位置精度控制光刻技术作为当今微纳加工领域中的重要工艺之一,被广泛应用于集成电路制造、微纳米器件制备等领域。
而在光刻过程中,位置精度控制是确保制作微纳米级图案的关键。
本文将针对光刻机中微纳米级别的位置精度控制进行深入探讨。
光刻机中微纳米级别的位置精度控制是为了满足微纳米级图案的高精度要求而进行的。
在光刻过程中,光刻胶层被暴光后,光线的位置精度对图案的形成至关重要。
这要求光刻机在控制光束位置时具有高度精准的能力。
为了实现微纳米级别的位置精度控制,光刻机通常采用以下几种关键技术。
首先是光刻底座的设计和精度控制。
光刻底座是支撑并保持光刻胶层的基础设备,在光刻过程中起到固定和定位的作用。
光刻底座的设计必须满足对位置精度的要求,并具有良好的稳定性和刚性,以保证光刻胶层的位置稳定性。
其次是光刻机的控制系统。
控制系统是实现光刻机位置精度控制的核心部件。
通过对光刻机各个运动部件进行实时控制,可以精确地控制光刻胶层的位置。
同时,控制系统还需要具备高速响应的能力,以应对光刻机在不同速度下的位置控制需求。
此外,光刻机中使用的传感器技术也对位置精度的控制起着重要作用。
传感器可以实时感知光刻机各个部位的位置,并将信息反馈给控制系统,从而实现对光刻胶层位置的精确控制。
常用的传感器包括位移传感器、光电传感器等,它们能够提供高精度的位置测量数据,为光刻机的位置控制提供准确的参考依据。
最后,精确的光源和光学系统也是位置精度控制的重要因素。
光刻机中的光源和光学系统负责产生和调节光束,对光刻胶层进行暴光。
光源的稳定性和光学系统的精度将直接影响光刻图案的位置精度。
因此,优化设计光源和光学系统,保证其稳定性和精度,对于光刻机中微纳米级别的位置精度控制具有重要意义。
在实际应用中,光刻机中微纳米级别的位置精度控制仍然面临一些挑战。
首先,光刻胶层的性质和工艺参数对位置精度的要求往往较高,需要对胶层进行精确的调控。
其次,光刻机中的机械振动和温度变化等因素也可能对位置精度的控制带来影响,需要采取相应的抑制措施。
纳米压印光刻技术原理与实验研究
华中科技大学硕士学位论文摘要本文介绍了纳米压印光刻技术的原理并进行了相关的实验研究,目的在于研究采用纳米压印光刻技术制备三维微结构的工艺,以促进此项技术更快的走向广泛的实际应用。
本文首先介绍了纳米压印光刻技术的原理,以及纳米压印光刻技术的趋势和面临的挑战,并针对这些挑战提出了可能的解决方案。
为了满足纳米压印光刻技术研究的需要,本文研制了纳米压印光刻机。
该光刻机可以同时满足热软化纳米压印光刻和光固化纳米压印光刻的需要,并能够适应从纳米级到毫米级各种尺寸范围微结构加工的需要。
在该纳米光刻机的设计中,一种新型的楔形补偿模块被研制,该模块避免了国外设计中存在的问题.提高了图形加工的均匀性,而且还具有过载保护的辅助功能。
针对光刻胶力学性能测试的要求,本文研制了一台聚合物单轴试验机,该试验机能够同时对温度和压力加载,以测试聚合物光刻胶在不同温度下的力学性能。
试验机的研制还包含了一种高精度六维力传感器的研制,该传感器通过新颖的基体结构设计和巧妙的布片方案实现了结构解耦,大大简化了信号处理电路的设计并降低了成本。
本文还进行了与温度相关的光刻胶力学特性研究。
这些研究对纳米压印光刻工艺中温度、压力等参数的控制具有指导性的意义。
此外,本文在总结传统的样品加热方式的基础上,提出了模板加热的工艺方案,理论分析和实验结果证明,该方案比常规的样品加热方案具有更好的图形复制效果。
针对纳米压印光刻最重要的高分辨率特点,本文采用扫描电子束曝光制备了纳米级模板,并采用该模板在PMMA光刻胶上制备成功200rim直径的点阵列。
此外,针对纳米压印光刻在制备三维微结构方面的优势,采用热压印方法制备了二元光学微透镜阵列,折射微透镜阵列,微流体通道、血糖检测芯片封盖等。
本文还对热压印工艺中温度、压力、脱模温度等参数的对实验结果的影响进行了研究,并摸索出合适的工艺参数。
关键字:纳米压印光刻光刻技术三维微加工纳米加工华中科技大学硕士学位论文AbstractThethesispresentstheprincipleandexperimentalstudyofnanoimprimlithography.Theprimaryobjectiveistoinvestigatetheapplicationofnanoimprintlithographyint11ree—dimensionalmicro-structurefabricationandtostudytheprocesscontrolofnanoimprintlithography.Inthisthesis,ananoimprintsystemisdesignedandsetup.ThisnanoimprintsystemisthermalnanoimprintlithographyandUV-curingdesignedtobesuitableforbothnanoimprint.Furthermore,itperformancesverywellin3-Dmicro—structurefabricationwithsizefrom2millimetersto50nallometers.Anovelsamplewedgecompensationmoduleisalsopresented,whichgreatlyimprovesthepattemuniformityofthefinalmicrostructure.Besides,thewedgecompensationmodulehasitssecondaryhmctionofoverloadprotection.Apolymersingle—axismechanicaltesterisalsopresentedtostudythemechanicalpropertiesofaphotoresistatdifferenttemperature,becauseagoodcontrolofnanoimprintprocessrequiresfundamentalunderstandingoftheunderlyingmechanicalpropertiesofandbuiltforthesingleaxistesteranditspolymers.Anewsix-axisforcesensorisdesignedperformanceisverified.Theforcesensorfeatureshighlevelofintrinsicdecouplingofthesignalsfromthestraingauges,whichgreatlysimplifiesthedesignofthesignalprocessingsimulationresultsoftheSeBSoraresystemandreducescost.Themeasurementprincipleandpresentedandthedecouplingalgorithmisdiscussed.Threetypeofmoldsfabricationprocessfornanoimprintlithographyarealsopresented.Usingthesemolds,nano-dot·arraywith200rimdiameter,binaryopticalmicro—lensarray,refractivemicro—Iensarray,crossmicro-fluidicchannelandcapforglucoseteststripsarefabricatedbythermalnanoimpfintprocess.Futhermore,thecontrolmethodofimprinttemperature,seperationtemperature,pressureandotherparametersinnanoimprimprocessjsstudied.Keywords:NanoimprintLithographyHotEmbossingLithographyNanO.fabrication——————————————————————————————————一独创性声明本人声明所呈交的学位论文是我个人在导师指导下进行的研究工作及取得的研究成果。
纳米压印光刻技术
纳米压印光刻技术
纳米压印光刻技术是一种利用光刻技术进行纳米尺度工艺加工
的技术。
它可以将所需图案深度精确地压缩到纳米尺度里。
这种技术具有低成本、高精度和良好的粗糙度特性,是纳米加工技术、晶体学和微纳加工技术领域的重要科学技术。
纳米压印光刻技术可以用于制造复杂的三维微纳细胞结构,如用于碳纳米管的合成或碳量子点的制备等。
它也可以用于制作像半导体或其他准非晶态器件的晶体芯片以及各种微机械元件的微动态系统。
纳米压印光刻技术可以看作是一种特殊的光刻技术,它利用光能量在二维或三维材料表面上刻出任意形状的微细结构。
它包括一系列多步骤,每一步都能获得高精度和精细的结构质量。
在压印光刻技术中,首先需要用一个有形质量的夹具将图案的凸和凹部分进行固定,然后利用一种特殊的光源来产生在夹具上的压力以及相应的凹凸图案,使得介质表面形变,形成所需的精细纳米尺寸结构。
纳米压印光刻技术有三个主要优点:首先,它具有低成本,可以在成本低廉的情况下制造出精确的纳米尺度结构,并且可以在大批量生产中使用;其次,它具有高精度,可以制造出准确度、粗糙度和尺寸范围都满足要求的结构;第三,它可以在高效率下实现复杂的设计,可以灵活的进行结构的改变,并且具有较好的自我修正能力。
纳米压印光刻技术在很多领域都有广泛的应用,其中包括制备复杂的纳米结构及其功能材料、用于通讯、先进制造和计算机技术、用于生物及医学应用器件、用于机器人及生物机器人技术、精密机械自
控制、微型太阳能动力装置、光器件及生物传感器等。
因此,纳米压印光刻技术在纳米尺度加工行业中具有重要的科学价值和社会价值,对于塑造微纳单位结构和制备传感器来说,纳米压印光刻技术已经成为未来发展的关键技术。
纳米压印光刻中的多步定位研究
第4 0卷
第 3 期
西 安
交 通
大 学 学 报
Vo. 0 14
№3
20 0 6年 3月
J OURNAL O F XI AN I T0NG UNI RS TY JA0 VE I
M a. 2 6 r 00 i i to u e lo i m s n r d c d,wh c n be h t n lc st p e rm o o o e o - s i ao y a d t ih e a lst emo i o u o a p a n t n ,n no cl t r n o l
m ut se p r a hn ,a d t er n o e r r r m ig ed rc in d iig mo e a d t e b c — li tp a p o c i g n h a d m ro sfo sn l ie t rvn d n h a k — o ls ro sb r-o dn o to r l n td c mp e ey Th x e i e t l e ut t i — a h e r r y p ela ig c n r la eei mi ae o ltl. ee p r m n a s lswihn mo r to a g f1 0m m o fr t a h sn n ie rt o in r n eo 0 c n im h tt i o l a i c mp n a in i v r fe tv o i r v h n y e s t ey e fciet mp o et e o s p sto ig a c r c p t 0 n u ig t emu t se p itn r c s. o iinn c u a y u o 1 m d rn h li t p i rn ig p o e s — m Ke wo d : n n m p i tlt o r p y y rs a o i rn ih g a h ;m ut s e o iinn li tp p st ig;n n ie rt o to — o o l ai c n rl n y
纳米压印光刻中的多步定位研究
纳米压印光刻中的多步定位研究刘红忠;丁玉成;卢秉恒;王莉;邱志惠【期刊名称】《西安交通大学学报》【年(卷),期】2006(040)003【摘要】在步进重复式压印光刻中,为了避免承片台支撑绞链结构间隙及微观姿态调整往返运动导致的表面材料不规则形变,建立了单调、无振荡、多步逼近目标位置的宏微两级驱动系统,并提出了径向基函数-比例、积分、微分(RBF-PID)及单调位置控制算法.控制结果证明,使用具有强鲁棒性的RBF-PID非线性控制模式,使得驱动过程呈现无超调、无振荡的单调过程,因此避免了由于系统微观振荡调节而引入的间隙误差和材料表面形变误差.此控制方式可使步进重复式压印系统的定位精度在满足100 mm行程驱动的前提下,达到小于10 nm的定位技术指标.【总页数】5页(P261-264,269)【作者】刘红忠;丁玉成;卢秉恒;王莉;邱志惠【作者单位】西安交通大学机械制造系统工程国家重点实验室,710049,西安;西安交通大学机械制造系统工程国家重点实验室,710049,西安;西安交通大学机械制造系统工程国家重点实验室,710049,西安;西安交通大学机械制造系统工程国家重点实验室,710049,西安;西安交通大学机械制造系统工程国家重点实验室,710049,西安【正文语种】中文【中图分类】TH112;TH113.1【相关文献】1.纳米压印光刻中抗蚀剂膜厚控制研究 [J], 严乐;李寒松;刘红忠;卢秉恒2.软膜紫外光固化纳米压印中Amonil光刻胶的刻蚀参数优化 [J], 陈静;石剑;刘正堂;DECANINI Dominique;HAGHIRI-GOSNET Anne-Marie3.纳米压印光刻技术--下一代批量生产的光刻技术 [J],R.Pelzer;P.Lindner;T.Glinsner;B.Vratzov;C.Gourgon;ndis;P.Kettner;C.Scha efer4.纳米压印光刻在CMOS HDD中的快速发展 [J],5.SUSS光刻机实现大面积纳米压印光刻 [J],因版权原因,仅展示原文概要,查看原文内容请购买。
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第40卷 第3期2006年3月 西 安 交 通 大 学 学 报J OU RNAL O F XI′AN J IAO TON G U N IV ERSIT YVol.40 №3Mar.2006纳米压印光刻中的多步定位研究刘红忠,丁玉成,卢秉恒,王 莉,邱志惠(西安交通大学机械制造系统工程国家重点实验室,710049,西安)摘要:在步进重复式压印光刻中,为了避免承片台支撑绞链结构间隙及微观姿态调整往返运动导致的表面材料不规则形变,建立了单调、无振荡、多步逼近目标位置的宏微两级驱动系统,并提出了径向基函数Ο比例、积分、微分(RB F2PID)及单调位置控制算法.控制结果证明,使用具有强鲁棒性的RB F2PID非线性控制模式,使得驱动过程呈现无超调、无振荡的单调过程,因此避免了由于系统微观振荡调节而引入的间隙误差和材料表面形变误差.此控制方式可使步进重复式压印系统的定位精度在满足100mm行程驱动的前提下,达到小于10nm的定位技术指标.关键词:纳米压印光刻;多步定位;非线性控制中图分类号:T H112;T H11311 文献标识码:A 文章编号:0253Ο987X(2006)03Ο0261Ο04 R esearch on Multi2Step Positioning for N ano Imprint LithographyLiu Hongzhong,Ding Yucheng,L u Bingheng,Wang Li,Qiu Zhihui (State Key Laboratory for Manufacturing Systems Engineering,Xi′an Jiaotong University,Xi′an710049,China)Abstract:In multi2step imprinting lit hograp hy p rocess,t he gap existing in t he hinges of t he stage st ruct ure and t he random motio n during t he stage positio n adjust ment usually lead to errors quite different fro m ones in t he t raditional precision po sitioning.To avoid t hese nonlinear errors,a ra2 dial basis f unctionΟp roportional integral differential(RB F2PID)and monotony position cont rolling algorit hm is int roduced,which enables t he motion locus to appear monotone,non2oscillatory and multi2step app roaching,and t he random errors f rom single direction driving mode and t he back2 lash errors by pre2loading control are eliminated completely.The experimental result s wit hin mo2 tion range of100mm confirm t hat t his nonlinearity compensation is very effective to improve t he po sitioning accuracy up to10nm during t he multi2step imp rinting process.K eyw ords:nano imprint lit hograp hy;multi2step positioning;nonlinearity cont rol 由于传统光学光刻存在着严重的衍射现象[1,2],因此当曝光特征尺寸小于100nm后,会大大降低曝光分辨率.近年来,提出的压印光刻、软压印光刻、接触式压印光刻和毛吸填充式压印光刻等非光学光刻方式,比投影、X射线、离子束及无掩模电子束光刻等先进技术具有更为广泛的应用前景[3Ο6],其复型的最小特征尺寸可达6nm[7Ο9].为此,纳米级定位及驱动将是实现上述目标的关键技术之一,也是压印光刻套刻对准的前提条件.如Sakuta 等[10]、Lee和K im等[11]在双伺服运动控制结构中都做了深入研究,解决了大行程高精度驱动模式及驱动过程中由摩擦而产生的误差.但是,在驱动过程中,由驱动间隙、振荡调整位姿及材料表面形变而带来的非线性误差还没有得到较好的抑制.由于压印光刻基本结构的不同,其驱动要求也不相同,因此对应的控制模式应该有所区别.针对步进重复式压印光刻机本身的结构特性,本文将对宏微两级驱动结构模式、柔性绞链机构及单调无振荡多步逼近控制收稿日期:2005Ο07Ο11. 作者简介:刘红忠(1971~),男,博士后;丁玉成(联系人),男,教授,博士生导师. 基金项目:国家自然科学基金资助项目(50505037);国家重点基础研究发展计划资助项目(2003CB716203);中国博士后科学基金资助项目(2005037242).模式做详细的论述,其目的在于消除压印光刻高精度驱动过程中产生的非线性误差,使系统能够达到纳米级定位精度的要求.1 压印系统的结构分析及模型建立本文研究的压印光刻实验原型机如图1所示,系统由加载微驱动器及固化光源、压印模具、微驱动器(PZT )、承片台、柔性支撑、宏驱动器和激光干涉仪(德国SISO ,分辨率为1124nm )等7个部分组成.其中,宏驱动的行程可达150mm ,重复定位精度为1μm ;微驱动的行程为30μm ,定位精度可达1nm.宏微两级的组合似乎已经可以实现大行程驱动及纳米级定位精度,但在实际驱动过程中远非这样简单.例如,,机构间隙所产生的误差将可能达到微米数量级,完全会吞噬系统的精度.针对机构误差问题,宏微两级驱动采用无摩擦的柔性绞链连接结构,即承片台采用三根柔性绞链支撑.为了优化控制模式,必须先建立机构的动力学模型[12](见图2).图1 分步式压印光刻的系统结构h :铰链外轮廓圆弧半径;R :铰链颈部宽度图2 承片台的柔性绞链连接结构 结构的抗弯刚度[13]为k B =(Eh 7/2)/(20R 1/2)(1)式中:E 为杨氏模量.由于承片台在水平面上做三自由度(x Οy Οθ)运动,因此采用3个微驱动器(PZT ),使承片台的整体运动可以被解耦分解为3个微驱动器的直线运动,且承片台在微位移调节过程中产生的弹性能量可分解为3根柔性绞链的总弹性能量U =∑ni =112k B d 2L 2(2)式中:L 为宏微两级连接的有效长度;n 为绞链数量;d 为输出位移量.经过推导,得到系统的运动方程为m+n m h l 2/L2d ″+λd d =0(3)式中:m 为承片台的质量;m h 为柔性绞链的质量;l为柔性绞链的长度;λd 为柔性绞链的静态刚度,即λd =ΔUd Δd=∑n i =1k BL2(4)对式(3)进一步推导得到系统的固有频率ωn =λd /(m +n m h l 2)/L21/2(5)整个系统的动力学模型为k A d p =m d ¨+μd ・+(k A +k B )d(6)式中:μ为系统阻尼系数;d p 为输入位移量.进一步推导得到系统的传递函数G (s )=kω2n /(s 2+2ξωn s +ω2n )(7)ξ=μ/2m ωn式中:ξ为阻尼比.在建立系统动力学模型的基础上,下面将实现对控制策略的优化.2 控制过程误差分析由于比例、积分、微分(PID )控制器简单、成熟,因此本系统采用PID 控制方式,系统的运动方式为步进重复式,运动的基本形式为往复运动.图3为承片台在驱动过程中的方波(行程D =10μm )响应结果.从图中可以看出,没有经过优化的简单PID 控制过程存在着正负两向超调及微观振荡调节,超调量达到3μm ,振荡调节过程误差在1μm 左右.具备1nm 定位精度的PZT 驱动器出现了1μm 左右定位误差的原因是在整个定位过程中出现了超调和振荡.超调将引入机构的间隙误差,如宏驱动的辊轴丝杠间隙、柔性绞链与承片台连接处的微间隙等.振荡过程的随机性使得间隙误差的方向随机,这种控制结果不仅使系统达不到纳米级定位精度,而且因为误差的随机性而难以实现对系统采取的补偿措施.可见,尽管系统在结构上已经做了优化处理,但是不经过优化的简单PID 控制也难以实现系统纳米级的定位目标. 如图4所示,当D =1μm 时,图中的三步驱动应该达到3μm 的目标,但实际只达到212μm 左右;当d 为1μm 时,承片台回归位置不仅达不到3μm 行程,甚至比正向位移量还小.产生这一非线262西 安 交 通 大 学 学 报 第40卷 (a )行程响应全过程(D =10μm)(b )对超调过程的放大图3 简单PID控制的方波响应图4 微驱动过程中承片台材料表面的形变误差性误差的原因是当PZT 伸长时,载荷作用点落在承片台侧面,使得接触表面发生微观形变,导致驱动量不能达到目标,当PZT 收缩返回时,材料表面的形变有可能恢复不彻底,所以控制模式的建立必须要考虑到此类非线性误差的消除.3 宏微两级优化控制模式根据控制过程的误差分析结果,承片台的运动控制过程必须克服超调、振荡,所以在运动起始点必须采取措施来避免材料表面的形变误差.由于宏驱动完成的是系统驱动目标的主要行程,所以宏驱动过程中不能存在超调和振荡,否则所累积的误差在系统微驱动过程中将无法得到补偿.根据无超调和无振荡的原则,系统宏驱动采用的RB F 2PID 控制模式[13]如图5所示.r (t ):控制器输入;e :表征化偏差(0~1);k p 、k i 、k d :比例、积分、微分控制参数;u :PID 控制器的输出;y (t ):控制器输出图5 RBF 2PID 控制模式 为了防止控制器输出出现饱和现象,模糊控制器将偏差信号模糊化和标准化,即E =5sgn (e )|e/r |≥01804sgn (e )|e/r |≥01503sgn (e )|e/r |≥01302sgn (e )|e/r |≥01101sgn (e )|e/r |≥01030|e/r |≥0103(8)同时Sigmoid 函数被用于径向基函数(RB F )神经网络以解释模糊规则,并控制PID 的3个控制参数(k p ,k i ,k d ),其控制输出为u (k )=u (k -1)+k p (e (k )-e (k -1))+k i e (k )+k d (e (k )-2e (k -1)+e (k -2))(9)Δk p =-η5E 5k p ;Δk i =-η5E5k iΔk d =-η5E5k d(10)式中:η为自学习速度.通过自学习和自调整,将建立起具有强非线性控制能力的优化PID 控制器,它可以在承片台运动驱动过程中实现PID 3个控制参数的强制调整,使得u (k )更适合系统的驱动要求,从而实现控制过程的高速、无振荡、无超调的多步逼近驱动方式.如图6所示,由激光干涉仪测量控制器对承片台无法运动的控制结果,其中500μm 行程驱动的响应时间仅为15ms ,而20mm 行程驱动的响应时间为31ms .与图3相比,控制过程在保证高速驱动的前提下,没有产生超调和振荡,整个控制是一个非线性过程且具有强鲁棒性. 由于宏驱动的定位精度只能达到微米级,因此宏微两级的切换是非常必要的.宏微两级控制的模式为:由宏驱动完成主要行程,将剩余10~20μm 的行程留给微驱动来完成,且微驱动过程采用多步362 第3期 刘红忠,等:纳米压印光刻中的多步定位研究(a )D =500μm(b )D =20mm图6 RBF 2PID 的控制结果逼近方式,从而严格杜绝了驱动过程中出现的超调和振荡现象.因此,整个驱动过程将呈现为单调性,且定位误差始终为负或正.另外,由于驱动过程的单调性,在驱动过程的开始点就采取PZT 预加载控制,从而在开始阶段就消除了驱动接触点上材料表面的形变误差.如图7所示,在50μm 行程的驱动过程中,宏驱动完成了45μm 的驱动量,而微驱动完成了5μm 的驱动量,定位精度均小于7nm ,整个驱动定位时间约为110ms 左右.在100mm 行程的驱动过程中,宏驱动完成了99198mm 的驱动量,微驱动则完成了20μm 的驱动量,定位精度均小于8nm,(a )D =50μm(b )D =50μm的局部放大(c )D =100mm(d )D =100mm 的局部放大图7 宏微两级的控制结果整个驱动定位时间约为550ms 左右.单调、多步和无超调控制模式的优点在于控制过程不再受驱动行程的限制,并通过宏微切换控制来保证系统整体定位精度的稳定性.4 结 论本文针对步进重复式压印光刻驱动过程存在的各种非线性误差,通过对系统结构的优化,采用柔性绞链结构,使系统消除了由于摩擦而带来的误差.本文通过对控制策略的优化,使用具有强鲁棒性的RB F 2PID 非线性控制模式,使得驱动过程呈现无超调、无振荡的单调过程,因此避免了由于系统微观振荡调节而引入的间隙误差和材料表面形变误差.最终,系统在满足100mm 行程驱动目标的前提下,定位精度能够达到小于10nm 的技术指标.参考文献:[1] Xia Y ,Whitesides G M.Soft lithography [J ].AnnuRev Mater Sci ,1998,13(28):153Ο184.[2] Chou S Y ,Krauss P R ,Renstrom P J.Imprint of sub 225nm vias and trenches in polymers [J ].Appl Phys Lett 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