2007试卷_固体电子器件原理_参考答案
固态电子器件答案
固态电子器件答案固态电子器件答案【篇一：微波固态电路复习题】1. 微波是指频率在（300mhz~300ghz）范围内的电磁波，对应的波长范围为（1mm~1m）。
2. ku波段是指频率在（12ghz~18ghz）范围内的电磁波，对应的波长范围为（2.5~1.67cm）。
vhf波段是指频率在（0.1ghz~0.3ghz）范围内的电磁波，对应的波长范围为（300~100cm） uhf波段是指频率在（0.3ghz~1ghz）范围内的电磁波，对应的波长范围为（100~30cm）s波段是指频率在（2ghz~4ghz）范围内的电磁波，对应的波长范围为（15~7.5cm）c波段是指频率在（4ghz~8ghz）范围内的电磁波，对应的波长范围为（7.5~3.75cm）3. 在大气中，影响微波/毫米波传播的主要是（氧分子）和（水分子），由于气体的（谐振）会对微波/毫米波产生（吸收）和（散射）。
4.毫米波的四个大气“窗口”是（35ghz）、（94ghz）（140ghz）（220ghz）。
简答题1. 简述微波电路的发展历程由最初的电子管向固态化发展，由大型元件向小型元件、集成电路、器件方向发展，同时开发新系统。
目前微波技术的发展趋势是朝小型化、高集成化、高可靠、低功耗、大批量应用方向发展。
2. 什么是mmic利用半导体批生产技术，将电路中所有的有源元件和无源元件都制作在一块砷化镓衬底上的电路称为微波单片集成电路。
第2章选择与填空题1. 列举几种常用的平面传输线（微带线、悬置式微带线、倒置式微带线、带线、槽线、共面波导、鳍线）2. 微带线主要传输的模式是（准tem），带线的传输主模是（tem）11. 槽线的传输模式是（te模）。
12. 共面波导的传输模式是（准tem模）。
8. 鳍线的传输模式是（te与tm模式组成的混合模）。
3. 微带线最高工作频率的影响因素有（寄生模的激励、较高的损耗、严格的制造公差、处理过程中的脆性、显著地不连续效应、不连续处的辐射引起低的q值）（列举四个即可）4. 定向耦合器常用表征参量有（耦合度、方向性、隔离度）7. 耦合器的耦合度的定义是（c= 10lgp1/p3 = 20lg|s31| db ）。
固体物理809真题1997-2012 含部分答案(整理版)
du d 2 u (r ) = 0, > 0, dr dr 2 d 2 u (r ) m(m + 1)α n(n + 1) mα =− + n + 2 = m + 2 ( n − m) > 0 2 dr r0m+ 2 r0 r0
所以 n>m。 三 解：1 根据态密度定义可以给出 g (ω )dω =
α
r
m
+
β
rn
，其中α，β，m,n 均为>0 的常数，试证明此
系统可以处于稳定平衡态的条件是 n>m。 三 已知由 N 个质量为 m，间距为的相同原子组成的一维单原子链的色散关系为
qa ⎛ 4β ⎞ 2 ω = ⎜ ⎟ sin 2 ⎝ m ⎠
1 试给出它的格波态密度 g (ω ) ，并作图表示 2 试绘出其色散曲线形状，并说明存在截止频率 ωmax 的意义 四 半导体材料的价带基本上填满了电子（近满带） ，价带中电子能量表示式
得： g (ω ) =
ωm
ω
2N
π
(ω
2 =
4β m
2
截 止 频 率 是 只 有 频 率 在 ω 到 ω m 之间的格波才能在晶体中传播，其它 频率的格波被强烈衰减，一维单原子 晶格看作成低通滤波器。
L dq （这里 L＝Na） 2π
一维原子链应考虑正负两支 所以 g (ω ) = 2 ×
L 2π
dω L = dq π
dω dq
g（ω）
⎛ 4β ⎞ 将ω = ⎜ ⎟ ⎝ m ⎠
1
2
sin
qa 代入得： 2
1
dω a qa a 2 = ωm cos = (ωm − ω 2 ) 2 dq 2 2 2
[教育学]电子技术基础一02234历年试卷和答案
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全国2002年4月高等教育自学考试电子技术基础(一)试题课程代码：02234一、单项选择题(本大题共15小题，第1—10小题，每小题1分，第11—15小题，每小题2分，共20分)在每小题列出的四个选项中只有一个选项是符合题目要求的，请将正确选项前的字母填在题后的括号内。
1.当P—N结承受反向电压时，其内部电流关系为( )A.扩散电流大于漂移电流B.扩散电流等于漂移电流C.扩散电流小于漂移电流D.无法确定2.半导体三极管的特点是( )A.输入电流控制输出电流B.输入电压控制输出电压C.输入电流控制输出电压D.输入电压控制输出电流3.图示电路，R F引入了( )A.串联电流负反馈B.串联电压负反馈C.并联电压负反馈D.正反馈4.共模抑制比K CMRR是( )A.差模输入信号与共模输入信号之比B.输入量中差模成份与共模成份之比C.差模放大倍数与共模放大倍数(绝对值)之比D.交流放大倍数与直流放大倍数(绝对值)之比5.与八进制数(537)８相等的十六进制数是( )A.(17C)16B.(16B)16C.(17B)16D.(16C)166.四变量逻辑函数F(ABCD)的最小项m8为( )A.ABC DB.A BC DC.A B CDD.ABCD7.电路如图所示，设灯F亮为逻辑1，灭为逻辑0，开关A、B的逻辑状态如图中所示，则灯Ｆ与开关A、B的逻辑关系为( )A.F=A+BB.F=A B+A BC.F+ABD.D=AB+AB8.图示电路，当EN=1时，F的状态为( )A.F=0B.F=1C.F=AD.F=A9.基本RS触发器，当R D，S D都接高电平时，该触发器具有( )A.置“1”功能B.保持功能C.不定功能D.置“0”功能10.图示逻辑符号代表( )A.或非门电路B.与或非门电路C.集电极开路与非门电路(OC门)D.异或门电路11.NPN型三极管工作于饱和状态时，三个电极的电位关系为( )A.U B>ＵC,U B>U EB.U E>U C,U C>U BC.U C>U B>U ED.U E>U B>U C12.图示电路，若β=100,UＢE=0.7伏，则静态基极电流I BQ等于( )A.6μAB.8μAC.9.5μAD.10.5μA13.图示OCL功率放大电路，在输入u i为正弦电压时，互补管T2、T3的工作方式为( )A.甲类B.乙类C.始终截止D.甲乙类14.图示LC振荡电路，为了满足振荡的相位条件，应将( )A.1与4连接，2与5连接B.1与5连接，2与4连接C.2与3连接，4与5连接D.1与3连接，2与4连接15.图示电路，变压器副边电压u2=2U2sinωt V,该电路的输出特性(外特性)，应是图中( )A.①B.②C.③D.④二、多项选择题(本大题共5小题，每小题2分，共10分)在每小题列出的五个选项中有二至五个选项是符合题目要求的，请将正确选项前的字母填在题后的括号内。
固体电子学试卷及答案(一)
福州大学至诚学院《固体电子学》试卷答案（一）一、单项选择（每题 2 分，共10 分）1．电子在晶体中的共有化运动指的是 C 。
A．电子在晶体中各处出现的几率相同B．电于在晶体原胞中各点出现的几率相同C. 电子在晶体各原胞对应点出现的几率相同D．电子在晶体各原胞对应点有相同位相2．离子晶体可能的最大配位数是 B 。
A．12 B．8 C．6 D．43．根据费米分布函数，电子占据（E F + kT）能级的几率 B 。
A．等于空穴占据（E F + kT）能级的几率 B. 等于空穴占据（E F－kT）能级的几率C．大于电子占据E F的几率D．大于空穴占据E F的几率4．下列说法中错误的是 A 。
A．特鲁德模型，即量子的自由电子气模型，是建立在金属电子气体假设基础上的。
B. 在特鲁德模型中，认为金属电子气体是玻色子，遵循玻尔兹曼统计规律。
C．在索末菲模型中，认为金属电子气体是费米子，遵循费米统计规律。
D. 特鲁德对金属结构的基本描述是金属原子由原子实和价电子两部分构成。
5．对于只含一种杂质的非简并n型半导体，费米能级E F随温度上升而 D 。
A．单调上升 B. 单调下降C．经过一极小值趋近E F D．经过一极大值趋近E F二、填空（每空 2 分，共20 分）1．氯化钠结构复式格子可以看作是由两个面心立方结构子晶格套构而成。
2．电子亲和能一般随着原子半径的减小而增大。
3．由正负离子相间排列的一维离子链的马德隆常数是2ln2 。
4．B原子在Si晶体中形成的是p型半导体，P原子在Si晶体中形成的是n型半导体。
5．原子电负性=0.18（电离能+ 电子亲和能），用它来作为一种元素的原子对外层电子吸引能力的衡量尺度。
6．两种不同金属接触后，费米能级高的金属带正电，对导电有贡献的是费米面附近位置的电子。
7．我们一般采用回旋共振实验来测量有效质量。
三、简答题（每题8分，共24分）1．从能带论的角度解释为什么导体，半导体和绝缘体的导电能力存在差别；半导体与导体，半导体与绝缘体的最大区别在哪里？答：满带和空带不导电，半满带才导电。
电力电子技术-模拟试题1-答案
电⼒电⼦技术-模拟试题1-答案哈尔滨⼯业⼤学远程教育学院 2007年秋季学期电⼒电⼦技术模拟试题1（开卷，时间：120分钟）（所有答案必须写在答题纸上）⼀、填空题（40分，每空1分）1. 电⼒电⼦器件是直接⽤于主电路电路中，实现电能的变换或控制的电⼦器件。
2. 主电路是在电⽓设备或电⼒系统中，直接承担电能的变换或控制任务的电路。
3. 电⼒电⼦器件⼀般⼯作在开关状态。
4. 电⼒电⼦器件组成的系统，⼀般由控制电路、驱动电路、主电路三部分组成，由于电路中存在电压和电流的过冲，往往需添加保护电路。
5. 按照器件能够被控制的程度，电⼒电⼦器件可分为以下三类：不可控器件、半控型器件、全控型器件。
6．按照驱动电路信号的性质，电⼒电⼦器件可分为以下分为两类：电流驱动型和电压驱动型。
7. 电⼒⼆极管的⼯作特性可概括为单向导电性。
8. 电⼒⼆极管的主要类型有普通⼆极管、快恢复⼆极管、肖特基⼆极管。
9. 普通⼆极管⼜称整流⼆极管多⽤于开关频率不⾼,⼀般为1K Hz以下的整流电路。
其反向恢复时间较长，⼀般在5µs以上。
10.快恢复⼆极管简称快速⼆极管，其反向恢复时间较长，⼀般在5µs以下。
11.肖特基⼆极管的反向恢复时间很短,其范围⼀般在10～40ns之间。
12.在如下器件：电⼒⼆极管（Power Diode）、晶闸管（SCR）、门极可关断晶闸管（GTO）、电⼒晶体管（GTR）、电⼒场效应管（电⼒MOSFET）、绝缘栅双极型晶体管（IGBT）中，属于不可控器件的是电⼒⼆极管，属于半控型器件的是SCR，属于全控型器件的是GTO, GTR, 电⼒MOSFET, IGBT；属于单极型电⼒电⼦器件的有电⼒MOSFET，属于双极型器件的有电⼒⼆极管, SCR ,GTO, GTR，属于复合型电⼒电⼦器件得有IGBT ；在可控的器件中，容量最⼤的是SCR ，⼯作频率最⾼的是电⼒MOSFET，属于电压驱动的是电⼒MOSFET, IGBT，属于电流驱动的是SCR, GTO, GTR。
固体电子器件原理期末考试题A卷及答案教学文稿
固体电子器件原理期末考试题A 卷及答案一、能带图 (27分)1. 画出硅pn 结零偏、反偏和正偏条件下的能带图，标出有关能量。
(9 分)2. 画出n 型衬底上理想的金属-半导体接触（理想金属-半导体接触的含义：金属-半导体界面无界面态，不考虑镜像电荷的作用）的能带图，(a) φm > φs , (b) φm < φs . 分别指出该接触是欧姆接触还是整流接触? （要求画出接触前和接触后的能带图）( 8 分 )φm > φs ,φm < φs ,3. 画出p 型硅衬底上理想MOS 结构（理想MOS 结构的含义：栅极材料与衬底半导体无功函数差，栅极-氧化层-衬底无界面态，氧化层为理想的介质层）半导体表面处于反型状态时的能带图。
(5分)4. 重掺杂的n +多晶硅栅极-二氧化硅-n 型半导体衬底形成的MOS 结构，假定氧化层电荷为零。
画出MOS 结构在平衡态的能带图，说明半导体表面状态。
（5分）二、器件工作机理和概念(35 分)1. 简述突变空间电荷区近似的概念。
(5分)现在以突变pn 结为例来研究平衡pn 结的特性。
我们知道，在p 型半导体中，空穴是多数载流子，电子是少数载流子；而在n 型半导体中，电子是多数载流子，空穴是少数载流子。
于是，在pn 结冶金界面的两侧因浓度差而出现了载流子的扩散运动。
p 区的空穴向n 区扩散，在冶金界面的p 型侧留下电离的不可动的受主离子; 同理，n 区的电子向p 区扩散，在冶金界面的n 型侧留下电离的不可动的施主离子。
电离的受主离子带负电，电离的施主离子带正电。
于是，随着扩散过程的进行，在pn 结界面两侧的薄层内，形成了由不可动的正负电荷组成的非电中性区域。
我们把这一区域称为pn 结空间电荷区， 如图所示。
空间电荷的出现，在pn 结两侧产生了由正电荷指向负电荷的电场E bi ， 即由n 区指向p 区的电场。
这一电场称为自建电场或内建电场。
固态电子器件复习题答案
固态电子器件复习题答案一、单项选择题1. 固态电子器件中，二极管的导电特性是（A）。
A. 单向导电性B. 双向导电性C. 无导电性D. 可变导电性2. 在半导体材料中，硅的能隙宽度大约是（B）。
A. 0.1 eVB. 1.1 eVC. 3.4 eVD. 5.5 eV3. 金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）的源极和漏极是（C）。
A. 两个P型半导体区域B. 两个N型半导体区域C. 一个P型和一个N型半导体区域D. 两个金属电极4. 双极型晶体管（BJT）的放大作用主要依赖于（D）。
A. 电子的漂移运动B. 电子的扩散运动C. 空穴的漂移运动D. 电子和空穴的复合运动二、填空题1. 在PN结中，当外加电压为正向偏置时，电流主要由____载流子注入N区，空穴注入P区。
答案：电子2. MOSFET的阈值电压是指使沟道形成并允许电流流动的最小______电压。
答案：栅极3. 在半导体材料中，掺杂可以改变材料的______性，从而制造出N型或P型半导体。
答案：导电4. 肖特基二极管是一种金属与半导体接触形成的______结。
答案：肖特基三、简答题1. 简述PN结的整流作用原理。
答：PN结的整流作用原理基于其单向导电性。
在正向偏置时，P区的空穴和N区的电子注入对方区域，形成电流；而在反向偏置时，由于内建电场的作用，多数载流子被阻止，只有少数载流子（少数载流子）能够通过，因此电流很小。
2. 描述MOSFET的工作原理。
答：MOSFET的工作原理基于栅极电压对沟道的控制。
当栅极电压高于阈值电压时，沟道形成，允许电流从源极流向漏极。
栅极电压的变化可以控制沟道的导电性，从而控制漏极电流的大小。
四、计算题1. 计算一个硅二极管在正向偏置电压为0.7V时的电流，已知其正向导通电阻为10Ω。
答：根据欧姆定律，电流I = V/R = 0.7V / 10Ω = 0.07A。
2. 给定一个MOSFET的阈值电压为2V，漏极电流为1mA，求其在阈值电压下的漏极电流。
华中科技大学历年考研真题
华中科技大学数学系数学分析1997，2000——2007（2004有答案）数值分析1999，2001——2002高等代数1997——2002，2004——2007概率统计2001——2002综合课程（应用数学、计算数学、概率统计专业）2003C语言程序设计（数学系计算数学专业）2002常微分方程2001——2002数理方程与泛函分析2001——2002专业英语翻译（概率论与数理统计、应用数学、计算数学专业）2006物理系数学（含高等数学线性代数）（物理系各专业）2007数学（物理类）2001，2003——2006数学（工科）（单考）2005数学（工科各专业）2003数学（理、工科类）（单）2002数学（单考）（工科各专业）2004数学（理工科）2006数学(理工类)(单考)2007高等数学（物理系）2002量子力学2001，2002，2003，2004，2005，2006（第1种），2006（第2种），2007统计物理2001——2002电动力学2001力学与电磁学2001——2004化学系物理化学2000——2007（2000——2002有答案）化学综合2007化工基础2007生物化工基础2007有机化学（化学各专业、结构工程、环境工程、生物化工专业）2000（2000有答案）有机化学（化学各专业、生物化工、材料加工工程、结构工程等专业）2001（2001有答案）有机化学（化学系各专业、环境科学专业）2002（2002有答案）有机化学（化学各专业）2003（2003有答案）有机化学（化学各专业、材料加工、环境化学专业）2004（2004有答案）有机化学（化学各专业、生物化学与分子生物学、生物信息技术、生物制药工程专业）2005有机化学（B卷）（应用化学等专业）2002有机化学（含高分子化学）（化学各专业及其他相关专业）2006有机化学（环境科学专业）2005无机化学2001——2002，2004——2005无机及分析化学2006无机与分析化学2003分析化学（分析化学、高分子化学与物理专业）2005分析化学（分析化学、高分子化学专业）2004分析化学（化学类各专业）2002分析化学（环境科学专业）2002——2005分析化学（环境科学、能源与环境工程专业）2006分析化学（有机化学、高分子化学与物理、环境工程专业）2001高分子化学2002——2003，2005——2006高分子化学（二）2004——2005高分子化学（一）2004高分子化学及物理2001——2002机械科学与工程学院机械设计1997——2002（1997——2001有答案）机械设计基础2002——2007机械原理1999——2002机械原理及机械零件2001液压传动2000——2002液压流体力学2000——2001画法几何与机械制图2001机械工程控制基础2006信号与线性系统1996——2002，2006——2007（1997有答案）信号与系统2002——2006控制理论（化工过程机械专业）2001控制理论（经典控制理论、现代控制理论）（控制理论与控制工程、检测技术及自动化装置、系统工程、系统信息化技术、系统分析与集成、建筑技术科学、模式识别与智能系统、机械制造及其自动化、机械电子工程、机械设计及理论、精微制造工程、数字化设计及制造、设计艺术学专业）2005控制理论（经典控制理论、现代控制理论）（控制系所有专业、模式识别与智能系统、建筑技术科学专业）2006控制理论（控制理论与控制工程、检测技术及自动化装置、系统工程、机制、机电、车辆、材料加工、轮机工程、模式识别、导航、制导专业）2002（2002有答案）控制理论（控制系、图象所各专业及生物物理学、机械制造及自动化、机械电子工程等专业）2001（2001有答案）控制理论（自控系各专业、机电学院各专业、模式识别与智能控制、内燃机专业）1996（1996有答案）控制理论（自控系各专业、机械学院、交通学院有关专业、制冷及低温工程、模式识别与智能控制专业）1998（1998有答案）控制理论（自控系各专业、机械学院及其他有关专业）1997（1997有答案）控制理论（自控系各专业、机械学院有关专业、制冷及低温工程、生物医学工程、模式识别与智能系统、电力电子与电力传动、轮机工程、动力机械及工程专业）1999（1999有答案）控制理论（自控系各专业、机械制造、机械电子、材料加工、动力机械、模式识别、制冷、轮机工程、车辆工程等专业）2000（2000有答案）控制理论（自控系各专业、模式识别、机电控制等专业）1995（1995有答案）控制理论基础（船舶与海洋工程专业）2007自动控制理论（电机与电器、电力系统及其自动化、电力电子与电力传动专业）2001自动控制理论（电机与电器、电力系统及其自动化、高电压与绝缘技术、电力电子与电力传动、电工理论与新技术、脉冲功率与等离子体、动力工程及其自动化专业）2005自动控制理论（电机与电器、电力系统及其自动化专业）2000自动控制理论（电力系统及其自动化、水力发电工程专业）1998自动控制理论（电气工程所有专业、动力机械及工程专业）2004自动控制理论（电气工程所有专业、制冷及低温工程专业）2002自动控制理论（电气学院所有专业）2006自动控制理论（电气学院所有专业、能源学院部分专业）2003自动控制理论（水利水电工程、电机与电器、电力系统及其自动化专业）1999 自动控制理论（水利水电工程、系统分析与集成专业）2003自动控制理论（水利水电工程专业）2001，2004——2007自动控制原理（水文学及水资源、水利水电工程、系统分析与集成专业）2002 自动控制原理（系统分析与集成、控制科学与工程、机械工程、仪器科学与技术、建筑技术与科学专业）2007电子技术基础（测试计量技术及仪器专业）2001电子技术基础（电磁场与微波技术、电路与系统、电力电子与电力传动、微电子学与固体电子学、半导体芯片系统与工艺、软件工程、模式识别与智能系统、信息安全、光学工程、光电信息工程、物理电子学、机械工程、仪器科学与技术专业）2007电子技术基础（电机与电器、电力电子与电力传动、微电子学与固体电子学、动力机械及工程、轮机工程、车辆工程专业）2000电子技术基础（电机与电器、电力电子与电力传动专业）1999电子技术基础（电机与电器、电力系统及其自动化、电力电子与电力传动、电工理论与新技术、轮机工程等专业）2001电子技术基础（电机与电器、电力系统及其自动化、电力电子与电力传动、电工理论与新技术、轮机工程等专业）2001电子技术基础（电气学院各专业、模式识别、精密仪器、测试计量、光学工程、物理电子学、微电子学专业）2002电子技术基础（光学工程、物理电子学、固体力学、流体力学、微电子学与固体电子学、模式识别与智能系统专业）1999电子技术基础（光学工程、物理电子学、光电信息工程、机械学院各专业）2005 电子技术基础（光学工程、物理电子学、机械制造及其自动化、机械电子工程、机械设计及理论、精微制造工程专业）2004电子技术基础（光学仪器、物理电子学与光电子学、固体力学、流体力学、电子材料与元器件、模式识别与智能控制、内燃机、汽车设计制造专业）1998电子技术基础（光学仪器、物理电子学与光电子学、固体力学、汽车设计制造、电子材料与元器件、模式识别与智能控制、内燃机专业）1997电子技术基础（化工过程机械专业）2005——2006电子技术基础（精密仪器及机械专业）2003电子技术基础（轮机工程、车辆工程、精密仪器及机械、测试计量技术及仪器专业）2005电子技术基础（生物医学工程、生物物理学、生物材料与组织工程专业）2005——2006电子技术基础（生物医学工程、生物物理学专业）2003——2004电子技术基础（生物医学工程专业）2002电子技术基础（微电子学与固体电子学、半导体芯片系统设计与工艺、电力电子与电力传动、模式识别与智能系统专业）2005电子技术基础（微电子学与固体电子学、半导体芯片系统设计与工艺、电力电子与电力传动、模式识别与智能系统专业）2006电子技术基础（微电子学与固体电子学、电力电子与电力传动、导航、制导与控制专业）2003电子技术基础（微电子学与固体电子学、电力电子与电力传动、导航、制导与控制专业）2004电子技术基础（物理电子学、光信息科学与技术、光学工程专业）2006电子技术基础（物理电子学、光学工程、模式识别与智能系统、流体力学专业）2000电子技术基础（物理电子学、光学工程、模式识别与智能系统专业）2001电子技术基础（物理电子学与光电子学专业）1995数据结构1999——2001，2006——2007数据结构及程序设计技术2004——2006数据结构与算法分析2006——2007数据库系统原理1996——2002，2004计算机组成原理（计算机科学与技术、模式识别与智能系统、机械工程、仪器科学与技术、建筑技术科学专业）1992——2002，2006——2007（另有模拟试题一份）计算机组成原理（生物医学工程、生物信息技术专业）2007C语言程序设计（计算机软件与理论专业）2001——2002操作系统1995——2002程序设计基础1995——2002程序设计语言及编译1999——2002互换性与技术测量2000——2007工业设计史2004——2005工业设计史论2006——2007工业设计综合考试2004——2007微机原理（8086）及应用（控制科学系各专业、模式识别与智能系统、力学各专业、材料加工工程专业）2000（2000有答案）微机原理（8086）及应用（控制科学与工程系各专业、模式识别与智能系统专业）2001（2001有答案）微机原理（8086）及应用（自动控制工程系各专业、模式识别与智能系统、流体力学、工程力学专业）1999（1999有答案）微机原理（电信系各专业、电子材料与元器件专业）1996（1996有答案）微机原理（电信系各专业、电子材料与元器件专业）1998微机原理（电信系各专业、微电子学与固体电子学专业）1999微机原理（二）（光学工程、物理电子学专业）2002微机原理（光学工程、物理电子学专业）1999——2002微机原理（光学仪器、物理电子学与光电子学专业）1997——1998（1997有答案）微机原理（软件工程专业）2007微机原理（三）（电路与系统专业）2002微机原理（通信与电子系统、信号与信息处理、电路与系统、电磁场与微波技术、电子材料与元器件专业）1997微机原理（一）（电机与电气、电力系统及其自动化、高电压与绝缘技术、电力电子与电力传动、电工理论与新技术专业）2002微机原理及微机控制技术（自动控制理论及应用、工业自动化、模式识别与智能控制专业）1996——1998（1997——1998有答案）微机原理及应用（材料加工工程、数字化材料成形专业）2005——2006微机原理及应用（材料加工工程专业）2003——2004微机原理及应用（电机与电器、电力系统及其自动化、电力电子与电力传动专业）2001微机原理及应用（二）（电力电子与电力传动、微电子学与固体电子学专业）2002 微机原理及应用（机械制造及其自动化、机械电子工程专业）2001微机原理及应用（控制科学与工程系各专业、模式识别与智能系统专业）2001 微机原理及应用（软件工程专业）2006微机原理及应用（三）（控制理论与控制工程、系统工程、固体力学、模式识别、检测技术及自动化装置、工程力学、导航、制导专业）2002（2002有答案）微机原理及应用（水利水电工程、轮机工程、微电子学与固体电子学、供热、供燃气通风及空调工程专业）2001微机原理三（电路与系统专业）2002微机原理与接口技术（生物医学工程专业）2004微机原理与应用（机械制造及其自动化、机械电子工程、车辆工程、精密仪器及机械、测试计算技术及仪器、材料加工工程、轮机工程专业）2002微机原理与应用（机械制造及其自动化、机械电子工程等专业）2001结构力学（固体力学、工程力学专业）2001——2002结构力学（结构工程、道路与桥梁工程专业）2004结构力学（结构工程、桥梁隧道工程、防灾减灾及防护工程专业）2005——2006 结构力学（结构工程、桥梁隧道与工程专业）2002——2003结构力学（结构工程、岩土工程专业）1997——2000（1999有答案）结构力学（结构工程专业）1996，2001结构力学（市政工程、道路与铁道工程专业）2001电动力学2001综合考试（含C语言程序设计、数据结构）（计算机应用技术专业）2001综合考试（含计算机系统结构、计算机网络、数据结构）（计算机系统结构专业）2002综合考试（计算机应用技术专业）（数据结构、C语言程序设计）1999——2001 通信原理（电路与系统、通信与信息系统、信号与信息处理专业）2001通信原理（通信与信息系统、信号与信息处理专业）2002通信原理（物理电子学、光学工程专业）2001汽车理论2004——2006汽车理论和设计2001——2002汽轮机原理2001——2002发动机原理2001综合考试（1）（脉冲与数字电路、微机、高频电路）（电信系各专业、模式识别与智能系统专业）2000综合考试（含程序设计技术、数据结构、计算机组成原理、离散数学）（计算机学院各专业、机械学院各专业、模式识别与智能系统专业）2003综合考试（含数字电路、微机原理）（通信与信息系统、信号与信息处理、模式识别与智能系统专业）2002综合考试二（含通信原理、高频电子线路）（电信系各专业、模式识别与智能系统专业）2000综合考试一（传感器原理、数字电子技术）（控制、机械各专业、建筑技术科学、模式识别专业）2005综合考试（含数据结构、计算机组成原理、离散数学）2004——2005光电检测技术2001——2003，2005综合考试（含信号与线性系统、数字信号处理）2005综合考试（一）（含信号与线性系统、数字信号处理）2003——2004（2004有答案）专业英语翻译（计算机体系结构、软件与理论、应用技术、信息安全专业）2006 专业英语翻译（模式识别与智能系统专业）2006英语专业翻译（机械工程、工业工程、仪器科学与技术、管理科学与工程专业）2006材料科学与工程学院量子力学2001，2002，2003，2004，2005，2006（第1种），2006（第2种），2007物理化学2000——2007（2000——2002有答案）计算机图形学2002化学综合2007化工基础2007生物化工基础2007塑性成形原理2002有机化学（化学各专业、结构工程、环境工程、生物化工专业）2000（2000有答案）有机化学（化学各专业、生物化工、材料加工工程、结构工程等专业）2001（2001有答案）有机化学（化学系各专业、环境科学专业）2002（2002有答案）有机化学（化学各专业）2003（2003有答案）有机化学（化学各专业、材料加工、环境化学专业）2004（2004有答案）有机化学（化学各专业、生物化学与分子生物学、生物信息技术、生物制药工程专业）2005有机化学（B卷）（应用化学等专业）2002有机化学（含高分子化学）（化学各专业及其他相关专业）2006有机化学（环境科学专业）2005无机化学2001——2002，2004——2005无机及分析化学2006无机与分析化学2003分析化学（分析化学、高分子化学与物理专业）2005分析化学（分析化学、高分子化学专业）2004分析化学（化学类各专业）2002分析化学（环境科学专业）2002——2005分析化学（环境科学、能源与环境工程专业）2006分析化学（有机化学、高分子化学与物理、环境工程专业）2001高分子化学2002——2003，2005——2006高分子化学（二）2004——2005高分子化学（一）2004高分子化学及物理2001——2002材料成形原理2003——2007材料科学基础2002——2003，2005——2007材料学基础2001微机原理及接口技术（材料加工工程、数字化材料成形、环境科学与工程专业）2007微机及接口技术（生物医学工程、生物物理学专业）2001微机接口与技术（生物医学工程专业）2003微机原理及接口技术（生物医学工程专业）2002微机原理（8086）及应用（控制科学系各专业、模式识别与智能系统、力学各专业、材料加工工程专业）2000（2000有答案）微机原理（8086）及应用（控制科学与工程系各专业、模式识别与智能系统专业）2001（2001有答案）微机原理（8086）及应用（自动控制工程系各专业、模式识别与智能系统、流体力学、工程力学专业）1999（1999有答案）微机原理（电信系各专业、电子材料与元器件专业）1996（1996有答案）微机原理（电信系各专业、电子材料与元器件专业）1998微机原理（电信系各专业、微电子学与固体电子学专业）1999微机原理（二）（光学工程、物理电子学专业）2002微机原理（光学工程、物理电子学专业）1999——2002微机原理（光学仪器、物理电子学与光电子学专业）1997——1998（1997有答案）微机原理（软件工程专业）2007微机原理（三）（电路与系统专业）2002微机原理（通信与电子系统、信号与信息处理、电路与系统、电磁场与微波技术、电子材料与元器件专业）1997微机原理（一）（电机与电气、电力系统及其自动化、高电压与绝缘技术、电力电子与电力传动、电工理论与新技术专业）2002微机原理及微机控制技术（自动控制理论及应用、工业自动化、模式识别与智能控制专业）1996——1998（1997——1998有答案）微机原理及应用（材料加工工程、数字化材料成形专业）2005——2006微机原理及应用（材料加工工程专业）2003——2004微机原理及应用（电机与电器、电力系统及其自动化、电力电子与电力传动专业）2001微机原理及应用（二）（电力电子与电力传动、微电子学与固体电子学专业）2002 微机原理及应用（机械制造及其自动化、机械电子工程专业）2001微机原理及应用（控制科学与工程系各专业、模式识别与智能系统专业）2001 微机原理及应用（软件工程专业）2006微机原理及应用（三）（控制理论与控制工程、系统工程、固体力学、模式识别、检测技术及自动化装置、工程力学、导航、制导专业）2002（2002有答案）微机原理及应用（水利水电工程、轮机工程、微电子学与固体电子学、供热、供燃气通风及空调工程专业）2001微机原理三（电路与系统专业）2002微机原理与接口技术（生物医学工程专业）2004微机原理与应用（机械制造及其自动化、机械电子工程、车辆工程、精密仪器及机械、测试计算技术及仪器、材料加工工程、轮机工程专业）2002微机原理与应用（机械制造及其自动化、机械电子工程等专业）2001结构力学（固体力学、工程力学专业）2001——2002结构力学（结构工程、道路与桥梁工程专业）2004结构力学（结构工程、桥梁隧道工程、防灾减灾及防护工程专业）2005——2006 结构力学（结构工程、桥梁隧道与工程专业）2002——2003结构力学（结构工程、岩土工程专业）1997——2000（1999有答案）结构力学（结构工程专业）1996，2001结构力学（市政工程、道路与铁道工程专业）2001电动力学2001综合考试（材料加工工程专业）2001——2002陶瓷材料2005——2006陶瓷材料学2001——2002，2004金属材料2004金属材料学2001——2002金属塑性成形原理1997，1999，2001金属学及热处理2001——2002铸件形成理论2002铸件形成理论基础1998，2001铸造金属学及热处理1998，2001专业英语（材料学、纳米材料及技术专业）2006能源与动力工程学院传热学1999，2000，2001（第1种），2001（第2种），2003——2007（1999，2000，2001（第1种）有答案）锅炉原理2001——2002，2005流体机械原理2002内燃机原理2001——2002离心压缩机原理2001工程流体力学2002，2007结构力学（固体力学、工程力学专业）2001——2002结构力学（结构工程、道路与桥梁工程专业）2004结构力学（结构工程、桥梁隧道工程、防灾减灾及防护工程专业）2005——2006 结构力学（结构工程、桥梁隧道与工程专业）2002——2003结构力学（结构工程、岩土工程专业）1997——2000（1999有答案）结构力学（结构工程专业）1996，2001结构力学（市政工程、道路与铁道工程专业）2001不可压缩流体力学2001——2006低温原理与设备2000——2002（2000有答案）电工电子技术2001，2003电站锅炉原理2004化工原理2001，2005制冷原理与设备2001——2002热工自动化2002工程热力学2001（第1种），2001（第2种），2002——2006专业英语翻译（动力机械及工程专业）2006电气与电子工程学院电路理论（电力系统及其自动化、高电压与绝缘技术、电机与电器、电工理论与新技术、电力电子与电力传动、环境工程专业）2001——2003电路理论（电气工程、环境科学与工程专业）2007电路理论（电气工程学科所有专业、环境工程、机械制造及自动化、精密制造、数字化设计专业）2005电路理论（电气工程学科所有专业、环境工程等专业）2006电路理论（电气工程学科所有专业、机械制造及自动化、环境工程、机械电子工程、机械设计及其理论、精微制造工业等专业）2004电路理论（光学工程、物理电子学、控制理论与控制工程、检测技术与自动化装置、系统工程、模式识别与智能系统专业）2002电路理论（光学工程、物理电子学专业）1999——2001电路理论（物理电子学与光电子学、光学仪器专业）1998电磁场2002，2007电磁场与电磁波2001——2006电磁学与热学2005电机学2001——2002电力电子技术2000——2001电力电子学2001——2002电力系统分析1999——2002发电厂及电力系统1998高电压技术2001——2002高压电器2001电子器件2002力学与电磁学2001——2004英语（电力系统及其自动化、电力电子与电力传动、电工理论与新技术、电气信息检测技术专业）2006交通科学与工程学院交通工程2001——2002，2004交通工程学2003，2005——2007综合考试（轮机工程专业）2004高级语言程序设计（C语言）2001——2002城市道路规划与设计2002，2006——2007城市道路设计2001——2005船舶力学基础2007船舶设计原理2001——2002船舶原理2001——2002控制理论（化工过程机械专业）2001控制理论（经典控制理论、现代控制理论）（控制理论与控制工程、检测技术及自动化装置、系统工程、系统信息化技术、系统分析与集成、建筑技术科学、模式识别与智能系统、机械制造及其自动化、机械电子工程、机械设计及理论、精微制造工程、数字化设计及制造、设计艺术学专业）2005控制理论（经典控制理论、现代控制理论）（控制系所有专业、模式识别与智能系统、建筑技术科学专业）2006控制理论（控制理论与控制工程、检测技术及自动化装置、系统工程、机制、机电、车辆、材料加工、轮机工程、模式识别、导航、制导专业）2002（2002有答案）控制理论（控制系、图象所各专业及生物物理学、机械制造及自动化、机械电子工程等专业）2001（2001有答案）控制理论（自控系各专业、机电学院各专业、模式识别与智能控制、内燃机专业）1996（1996有答案）控制理论（自控系各专业、机械学院、交通学院有关专业、制冷及低温工程、模式识别与智能控制专业）1998（1998有答案）控制理论（自控系各专业、机械学院及其他有关专业）1997（1997有答案）控制理论（自控系各专业、机械学院有关专业、制冷及低温工程、生物医学工程、模式识别与智能系统、电力电子与电力传动、轮机工程、动力机械及工程专业）1999（1999有答案）控制理论（自控系各专业、机械制造、机械电子、材料加工、动力机械、模式识别、制冷、轮机工程、车辆工程等专业）2000（2000有答案）控制理论（自控系各专业、模式识别、机电控制等专业）1995（1995有答案）控制理论基础（船舶与海洋工程专业）2007自动控制理论（电机与电器、电力系统及其自动化、电力电子与电力传动专业）2001自动控制理论（电机与电器、电力系统及其自动化、高电压与绝缘技术、电力电子与电力传动、电工理论与新技术、脉冲功率与等离子体、动力工程及其自动化专业）2005自动控制理论（电机与电器、电力系统及其自动化专业）2000自动控制理论（电力系统及其自动化、水力发电工程专业）1998自动控制理论（电气工程所有专业、动力机械及工程专业）2004自动控制理论（电气工程所有专业、制冷及低温工程专业）2002自动控制理论（电气学院所有专业）2006自动控制理论（电气学院所有专业、能源学院部分专业）2003自动控制理论（水利水电工程、电机与电器、电力系统及其自动化专业）1999 自动控制理论（水利水电工程、系统分析与集成专业）2003自动控制理论（水利水电工程专业）2001，2004——2007自动控制原理（水文学及水资源、水利水电工程、系统分析与集成专业）2002 自动控制原理（系统分析与集成、控制科学与工程、机械工程、仪器科学与技术、建筑技术与科学专业）2007结构力学（固体力学、工程力学专业）2001——2002结构力学（结构工程、道路与桥梁工程专业）2004结构力学（结构工程、桥梁隧道工程、防灾减灾及防护工程专业）2005——2006 结构力学（结构工程、桥梁隧道与工程专业）2002——2003结构力学（结构工程、岩土工程专业）1997——2000（1999有答案）结构力学（结构工程专业）1996，2001结构力学（市政工程、道路与铁道工程专业）2001专业英语翻译（船舶与海洋结构物设计制造、轮机工程、交通工程专业）2006力学系材料力学（船舶与海洋结构物设计制造专业）2003——2004材料力学（船舶与海洋结构物设计制造、化工过程机械专业）2001——2002材料力学（船舶与海洋结构物设计制造、水下工程专业）2005——2006材料力学（固体力学、工程力学、材料加工工程专业）2001——2002材料力学（力学系所有专业）2002，2005——2006材料力学（岩土工程、道路与铁道工程、化工过程机械专业）2005——2006材料力学（岩土工程、道路与铁道工程专业）2003——2004材料力学（岩土工程专业）2001——2002材料力学一（固体力学、工程力学、动力机械及工程专业）2004理论力学1997——2006（1997——2001有答案）（另有《理论力学》考研复习内部资料，含理论力学课程考研基本要求、考研试题内容及题型的分析，10元。
半导体物理学(乙)B卷真题2007年
2007年硕士学位研究生入学统一考试试题半导体物理学(乙) B卷一、解释下列名词及概念1．半导体中深能级杂质 2．禁带宽度 3．热载流子4．空穴 5．半导体的迁移率 6．准费米能级 7．欧姆接触8．表面复合速度 9．本征吸收 10．p-n结势垒电容二、简答题1．简述多能谷散射；2．简述霍耳效应；3．简述禁带变窄效应；4．简述半导体的几何磁阻效应。
三、平面正六方晶格如图所示，其矢量为：式中a为六角形两个平行对边间的距离。
1．求倒格子基矢；2．证明倒格子原胞的面积等于正格子原胞面积的倒数；(不考虑(2π) 2因子) 3．画出此晶格的第一布里渊区。
四、晶格常数为a的一维晶格，其导带极小值附近能量为价带极大值附近能量为为电子的惯性质量，h=6.63×10-34，s为普朗克常数，，a=0.314nm，求1．禁带宽度；2．导带底电子有效质量；3．价带顶电子有效质量；4．价带顶电子跃迁到导带底时准动量的变化。
五、设在一个金属--二氧化硅--p型硅构成的MOS结构上加一电压，如图所示，p型硅接低电位，金属接高电位，使半导体表面层出现耗尽状态。
1．根据耗尽层近似，求耗尽层内电势v(x) 。
2．若p-si的表面势Vs =0.4V，外加电压为5V，受主杂质浓度NA=1016/cm3，求耗尽层厚度。
(硅的介电常数εr =11.9，真空介电常数ε=8.85×10-14F/cm，电子电量q=1.60×10-19C) 。
六、已知硅突变结两边杂质浓度为NA =1016cm-3，ND=1020cm-3，1．求势垒高度和势垒宽度(300K时) ；2．画出电场E(x) 及电势V(x) 图。
(硅中本征载流子浓度ni =1.5×1010cm-3，硅的介电常数εr=11.9，真空介电常数E 0=8.85×10-14F/cm，玻耳兹曼常数k=1.38×10-23/K，300K时kT=0.026eV) 2007年半导体物理学(乙) B卷参考答案1．深能级杂质：在半导体的禁带产生的施主能级距离导带底较远，产生的受主能级距离价带顶也较远。
2007等级考试选择题题库
等级考试选择题1．______软件是系统软件。
A. 编译程序B. 工资管理软件C. 绘图软件D. 制表软件答案： A2．Visual Basic语言是______。
A. 操作系统B. 机器语言C. 高级语言D. 汇编语言答案： C3．计算机工作过程中，______从存储器中取出指令，进行分析，然后发出控制信号。
A. 运算器B. 控制器C. 接口电路D. 系统总线答案： B4．存储器中的信息可以是指令，也可以是数据，计算机依靠______来判别的。
A. 存储单元的地址B. 最高位是1还是0C. ASCII表D. CPU执行程序的过程答案： D5．关于“指令”，正确的说法是______。
A. 指令就是计算机语言B. 指令是全部命令的集合C. 指令是专门用于人机交互的命令D. 指令通常由操作码和操作数组成答案： D6．美国电气与电子工程师协会(IEEE)于1989年提出将计算机分为六种，它们是个人计算机(PC)、工作站（WS）、小型计算机（Minicomputer）、主机（Mainframe）、小巨型计算机（Minisupercomputer）和______。
A. 巨型计算机（Supercomputer）B. 神经网络计算机C. 生物计算机D. 光子计算机答案： A7．关于电子计算机的特点，以下论述错误的是______。
A. 运算速度快B. 运算精度高C. 具有记忆和逻辑判断能力D. 运行过程不能自动、连续，需人工干预答案： D8．计算机应用最早，也是最成熟的应用领域是______。
A. 数值计算B. 数据处理C. 过程控制D. 人工智能答案： A9．______是计算机应用最广泛的领域。
A. 数值计算B. 数据处理C. 过程控制D. 人工智能答案： B10．金卡工程是我国正在建设的一项重大计算机应用工程项目，它属于下列哪一类应用______。
A. 科学计算B. 数据处理C. 实时控制D. 计算机辅助设计答案： B11．CAD的中文含义是______。
700V VDMOS设计
长的增加可以降低 J FET 和外延层的特 征电阻 ,但 是同样也会带来耐压的下降 . 一种方法就是运用仿 真工具进行一定量的模拟 ,选取其中比较合适的点 . 选取外延 6 2 μm/ 2 4 Ω ·cm2 ,栅间距 9 μm 作为模 拟的条件.
从图 4、图 5 和图 6 可以看出栅长越短击穿电压 相对较高 ,而且特征栅漏电容也越小 ,但是带来的就 是特征电阻的增加 ,反之则结果相反. 这与现有的理 论是一致的. 如果把特征电阻和特征栅漏电容之积作 为一个判断的标准如图 7 ,则选取栅长偏短的为宜 , 同时还要考虑到 2 个 PBODY 的间距不宜太近 ; 对于 有些电容要求不是很高的应用 ,可以在特征电阻和击 穿电压方面作个适当的折中即可. 综合考虑击穿电压 和电容电阻的乘积 ,选取 poly 长度8μm左右.
图 2 击穿电压与外延参数的关系
图 4 击穿电压与 poly 长度 的关系
图 3 特 征导通电阻与外延参数的关系 得到如图 2、图 3 的一组数据. 图 2 表明 ,对于不同的 外延层电阻率 ,器件的击穿电压都是随着外延的厚度 呈近似线性的变化 ,且外延的厚度越大 ,电阻率越大 , 其击穿电压也越高. 为了满足击穿电压 700 V 的要 求 ,外延厚度应大于 58 μm ,电阻率 > 22 Ω ·cm2 . 在 设计是还必须考虑一定的余量 ,按 50 V 余量计算. 可 以考虑 750 V 附近的几个点 ,否则要不耐压不够 ,要 不导通电阻偏大. 图 3 给出了外延参数和器件特征导 通电阻的关系.
文献标识码 :A 文章编号 :100529490( 2007) 0220419204
功率集成电路可以应用于白色家电 、电视机 、个 人电脑 、移动电话 、膝上型电脑 、无绳钻 机、数码相 机 、M P3 播放机和数量与日俱增的各种便携式设备 的适配器等等 ,同时由于它降低了元件数量 ,使产品 性价比高 ,并且更小和更轻. 近年来 ,各种 M OS 型 功率集成电路纷纷出现 , 他们不但在应用中取代了 许多原来为双极型器件所占据的领域 ,而且平面工 艺更便于与其它电路相集成 ,促进了新的高压/ 功率 集成电路 ( HV/ P IC) 的实现. 进而推动电力电子技 术的发展 ,成为机电一体化 、节能 、传统电气设备的 电子化等等方面的一个基石 ,MOS 型功率管之所以 取代这个地位 ,主要在于它在功率及速度兼顾上胜 于双极型晶体管[1 ] .
固态电子器件 中文习题集
习题第一部分PN 结1. pn结的单向导电性是怎样形成的, 说明并画图。
2. 有两个pn结, 其中一个结的杂质浓度N D=5x1015 cm-3, N A=5x1017 cm-3, 另一个pn结的杂质浓度N D=5x1017 cm-3, N A=5x1019 cm-3, 在室温全电离近似下分别求它们的接触电势差, 并解释为什么杂质浓度不同, 接触电势差的大小也不同。
3. 证明pn结电流与费米能级的关系式(2.13)及(2.14)式。
4. 试说明准费米能级的物理意义。
5. 用(2.19)式说明, 当外加电压为正值和负值条件下的pn结状态。
6. 同一导电类型但杂质浓度不同的半导体n+n结, 也存在接触电势差。
设两边的杂质浓度分别为N D1和N D2(N D1>>N D2), 画出此n+n结的能带图, 导出接触电势差的表达式。
7. pn结的杂质浓度N D=5x1015 cm-3, N A=5x1017 cm-3, 计算n区及p区空间电荷区宽度的大小。
若以n区空间电荷区的宽度来近似pn结空间电荷区的宽度, 其误差是多少?8. 一线性缓变pn结, 杂质浓度从冶金界面的n侧1μm处的N D=5x1017cm-3线性变化到冶金界面的p侧1μm处的N A=5x1017 cm-3, 计算平衡pn结的接触电势差和外加2V反向电压下的空间电荷区宽度。
9. pn结的杂质浓度分别为N D=2x1017cm-3, N A=1x1015cm-3, n区和p区的宽度大于少数载流子扩散长度, τn=τp=1μs, 结面积=1600μm2, 取D n=35cm2/s,D p=13cm2/s, 计算(1) T=300K下, 正向电流等于1mA时的外加电压;(2) 要使电流从1mA增大到2mA, 外加电压应增大多少?(3) 维持(1)的电压不变, 当T由300K上升到400K时, 电流上升到多少?10. 突变pn结外加电压为0.5V, 掺杂浓度分别为N A=1017cm-3、N D=2.25X1015 cm-3, 求n区及p区耗尽层边界处的少数载流子浓度。
《光纤通信》试卷题及答案
2007-2008年度教学质量综合评估测验试卷《光纤通信》试题注：1、开课学院：通信与信息工程学院。
命题组：通信工程教研组·张延锋2、考试时间：90分钟。
试卷满分：100分。
3、请考生用黑色或蓝色中性笔作答，考试前提前带好必要物件（含计算器）。
4、所有答案请写于相应答题纸的相应位置上，考试结束后请将试卷与答题一、 选择题（每小题仅有一个选项是符合题意要求的，共10小题，每小题2分，共20分）1、表示光纤色散程度的物理量是A.时延B.相位差C.时延差D.速度差2、随着激光器使用时间的增长，其阈值电流会A.逐渐减少B.保持不变C.逐渐增大D.先逐渐增大,后逐渐减少3、当平面波的入射角变化时，在薄膜波导中可产生的三种不同的波型是A.TEM 波、TE 波和TMB.导波、TE 波和TM 波C.导波、衬底辐射模和敷层辐射模D.TEM 波、导波和TM 波4、平方律型折射指数分布光纤中总的模数量等于A. 121n n n -B. ∆21nC. 22VD. 42V 5、光接收机中将升余弦频谱脉冲信号恢复为“0”和“1”码信号的模块为A. 均衡器B. 判决器和时钟恢复电路C. 放大器D. 光电检测器6、在光纤通信系统中，EDFA 以何种应用形式可以显著提高光接收机的灵敏度A.作前置放大器使用B.作后置放大器使用C.作功率放大器使用D.作光中继器使用7、EDFA 中用于降低放大器噪声的器件是A.光耦合器B.波分复用器C.光滤波器D.光衰减器8、关于PIN 和APD 的偏置电压表述，正确的是A.均为正向偏置B.均为反向偏置C.前者正偏,后者反偏D.前者反偏,后者正偏9、下列哪项技术是提高每个信道上传输信息容量的一个有效的途径？A.光纤孤子(Soliton)通信B. DWDMC. OTDMD. OFDM10、光纤数字通信系统中不能传输HDB3码的原因是A.光源不能产生负信号光B.将出现长连“1”或长连“0”C.编码器太复杂D.码率冗余度太大二、 填空题（本题共三部分，每部分6分，共18分）（一）、基本概念及基本理论填空（每空1分，共4小题6小空，共6分）11、以色散为基，对于单模光纤来说，主要是材料色散和，而对于多模光纤来说，占主要地位。
固态电子器件课后题答案1
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模拟电子技术期末试卷含答案
试 题_ 2007 _年~__2008__年第 1 学期课程名称： 模拟电子技术 专业年级： 自动化06级 考生学号： 考生姓名： 试卷类型： A 卷 ■ B 卷 □ 考试方式: 开卷 □ 闭卷 ■………………………………………………………………………………………………………一、选择正确答案填入空内。
(每空2分，共20分)1、在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于（ ）。
A ．温度B ．掺杂工艺C ．杂质浓度2、在单级放大电路中，若输入电压为正弦波形，用示波器观察o u 和i u 的波形，发现波形相位相反，则该电路为（ ）。
A ．共基极放大电路B ．共射级放大电路C ．共集电极放大电路3、三级放大电路中dB 20V3V2V1===A A A ，电路将输入信号放大了（ ）倍。
A ．60 B ．103 C ．1064、多级直接耦合放大器中，影响零点漂移最严重的一级是（ ）。
A ．输入级 B ．增益最高的一级 C ．输出级5、差分放大电路中，当m V 300i1=v ，m V 200i2=v 时，共模信号=ic v （ ）。
A ．500mV B ．100mV C ．250mV6、为了提高放大电路的输入电阻并稳定输出电流，则应在放大电路中引入（ ）。
A ．电压并联负反馈 B ．电流串联负反馈 C ．电压串联负反馈7、某二阶滤波器的传递函数表达式为：24522+++S S S ，则该滤波器是（ ）。
A ．二阶高通滤波器B ．二阶带通滤波器C ．二阶带阻滤波器8、单相桥式整流电路由四个二极管组成，流过每个二极管的电流为（ ）。
A ．4O I B ．2O IC ．O I 9、在图1所示电路中，设运算放大器是理想器件，输出电压约为（ ）。
A ．─7.5 VB ．─3.5VC ．─2.5 V图110、与甲类功率放大方式比较，乙类OCL 互补对称功率放大方式的主要优点是（ ）。
A ．不用输出变压器 B ．不用输出端大电容 C ．效率高二、填空题。
(完整版)数电试题及答案
通信 071~5 班 20 08 ~20 09 学年 第 二 学期 《数字电子技术基础》 课试卷 试卷类型： A 卷一、 单项选择题（每小题2分，共24分）1、8421BCD 码01101001.01110001转换为十进制数是：（ ）A ：78.16B ：24.25C ：69.71D ：54.562、最简与或式的标准是：（ ）A ：表达式中乘积项最多，且每个乘积项的变量个数最多B ：表达式中乘积项最少，且每个乘积项的变量个数最多C ：表达式中乘积项最少，且每个乘积项的变量个数最少D ：表达式中乘积项最多，且每个乘积项的变量个数最多3、用逻辑函数卡诺图化简中，四个相邻项可合并为一项,它能：（ ） A ：消去1个表现形式不同的变量，保留相同变量 B ：消去2个表现形式不同的变量，保留相同变量C ：消去3个表现形式不同的变量，保留相同变量 表1D ：消去4个表现形式不同的变量，保留相同变量4、已知真值表如表1所示，则其逻辑表达式为：（ ） A ：A ⊕B ⊕CB ：AB + BCC ：AB + BCD ：ABC （A+B+C ）5、函数F(A ，B ，C)=AB+BC+AC 的最小项表达式为：（ ） A ：F(A,B,C)=∑m （0，2，4） B ：F(A,B,C)=∑m （3，5，6，7）C ：F(A,B,C)=∑m （0，2，3，4）D ：F(A,B,C)=∑m （2，4，6，7）6、欲将一个移位寄存器中的二进制数乘以（32）10需要（ ）个移位脉冲。
A ：32B ： 10C ：5D ： 67、已知74LS138译码器的输入三个使能端（E 1=1，E 2A =E 2B =0）时，地址码A 2A 1A 0=011，则输出Y 7 ～Y 0是：（ ）A ：11111101B ：10111111C ：11110111D ：111111118、要实现n1n Q Q =+，JK 触发器的J 、K 取值应是：（ ） A ：J=0，K=0 B ：J=0，K=1 C ：J=1，K=0 D ：J=1，K=19、能够实现线与功能的是：（ ） A ： TTL 与非门 B ：集电极开路门 C ：三态逻辑门 D ： CMOS 逻辑门10、个四位串行数据，输入四位移位寄存器，时钟脉冲频率为1kHz ，经过（ ）可转换为4位并行数据输出。
固体物理12-13年考试题及答案
固体物理12-13年考试题一、选择题1.在__A___晶格的晶格振动谱中，只有声学波而没有光学波。
A.CuB. GaAsC. SiD. 金刚石2.ZnS属于闪锌矿结构，其一个原胞包含____A___个原子。
A.2个原子B. 1个原子C. 6个原子D. 4个原子3.当波矢q→0时，长声学波的物理图像是：晶体原胞内不同原子的振动___C___。
A.位相相反，振幅不同B. 位相相同但振幅不同C. 位相和振幅均相同D. 振幅相同但位相不同4. Si晶体的结合形式是___B____A. 完全分子结合B. 完全共价结合C. 完全离子结合D. 介于B与C之间5. 晶体中，费米面处的能量，取决于：___B____A. 晶体中的原子电子结构B. 取决于晶体电子浓度C. 取决于晶体结构D. 取决于晶体倒易空间结构6. 在准经典运动中，晶体的电子速度的方向____A____A. 平行于等能面的法线方向B. 平行于波矢kC. 垂直于等能面的法线方向D. 垂直于波矢k7. 根据能带理论的紧束缚电子近似，晶体中电子____A____A. 波函数是各原子轨道的线性组合B. 局域在原子周围C. 波函数是行进平面波与各散射波的叠加D. 完全自由运动8. 金属的电阻率随温度的升高而增大，这是由于温度升高___D____的缘故A. 导带的载流子浓度增加B. 电子的平均自由程增大C. 导带的载流子浓度减小D. 电子的平均自由程减小9. 刚性原子堆积模型中，下面哪种结构是最致密的___C___A. 简单立方B. 体心立方C. 面心立方D. 金刚石结构10. 晶体中的声子，___B____A. 声子数量守恒B. 声子数量不守恒，可以产生，也可以湮灭C. 声子与电子伴随产生，或者湮灭D. 声子是波色子，可以离开晶体存在11. 晶体中电子有效质量的说法，哪一个是正确的___B___A. 有效质量是一正实数，且大于电子的惯性质量B. 在导带底附近，电子的有效质量是正实数C. 有效质量就是电子的惯性质量D. 有效质量小于电子静止质量12. 常温下可以不必考虑电子热运动对金属热容量的贡献，这是因为常温下___B___A. 所有电子都不能被热激发B. 只有少数电子被热激发C. 大部分电子都被热激发D. 所有电子都被热激发13. 离子晶体中的极化激元是指___D___A. 电子与晶格振动的耦合态B. 价电子与纵向电磁波的耦合态C. 声学支格波与电子的耦合态D. 光学支格波与电磁波的耦合态一、描述晶格热容的爱因斯坦和德拜模型及它们的优缺点，你认为用什么方法才能得到更准确的晶格热容？（10分）(1)爱因斯坦模型：所有原子都以相同的频率振动。
固体电子器件原理期末考试题A卷及答案
固体电子器件原理期末考试题A 卷及答案一、能带图 (27分)1. 画出硅pn 结零偏、反偏和正偏条件下的能带图，标出有关能量。
(9 分)2. 画出n 型衬底上理想的金属-半导体接触（理想金属-半导体接触的含义：金属-半导体界面无界面态，不考虑镜像电荷的作用）的能带图，(a) φm > φs , (b) φm < φs . 分别指出该接触是欧姆接触还是整流接触? （要求画出接触前和接触后的能带图）( 8 分 )φm > φs ,φm < φs ,3. 画出p 型硅衬底上理想MOS 结构（理想MOS 结构的含义：栅极材料与衬底半导体无功函数差，栅极-氧化层-衬底无界面态，氧化层为理想的介质层）半导体表面处于反型状态时的能带图。
(5分)4. 重掺杂的n +多晶硅栅极-二氧化硅-n 型半导体衬底形成的MOS 结构，假定氧化层电荷为零。
画出MOS 结构在平衡态的能带图，说明半导体表面状态。
（5分）二、器件工作机理和概念(35 分)1. 简述突变空间电荷区近似的概念。
(5分)现在以突变pn 结为例来研究平衡pn 结的特性。
我们知道，在p 型半导体中，空穴是多数载流子，电子是少数载流子；而在n 型半导体中，电子是多数载流子，空穴是少数载流子。
于是，在pn 结冶金界面的两侧因浓度差而出现了载流子的扩散运动。
p 区的空穴向n 区扩散，在冶金界面的p 型侧留下电离的不可动的受主离子; 同理，n 区的电子向p 区扩散，在冶金界面的n 型侧留下电离的不可动的施主离子。
电离的受主离子带负电，电离的施主离子带正电。
于是，随着扩散过程的进行，在pn 结界面两侧的薄层内，形成了由不可动的正负电荷组成的非电中性区域。
我们把这一区域称为pn 结空间电荷区， 如图所示。
空间电荷的出现，在pn 结两侧产生了由正电荷指向负电荷的电场E bi ， 即由n 区指向p 区的电场。
这一电场称为自建电场或内建电场。
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衬底费米势
氧化层电容
衬底最大耗尽层厚度
衬底耗尽层电荷
“突变空间电荷区近似”模型认为，由于自建电场的作用，可近似认为空间电荷区内的自由载流子—电子和空穴被完全“扫出”该区域，只剩下电离受主和电离施主原子，空间电荷区是一个高阻区，所以空间电荷区又称为耗尽区或阻挡层。此外，空间电荷区的边界虽然是缓变的，但计算表明过度区很窄，因此，可近似认为空间电荷区边界是突变的。空间电荷区外是电中性的，与空间电荷区内相比，电阻率很小，可近似为零。这三个近似条件，称为突变空间电荷区近似或突变耗尽近似。
题号
一
二
三
四
五
六
七
总分
统分人
得分
得分
评分人
一、能带理论（共22分）
1.画出零偏理想条件下金属-n型硅半导体接触后的能带图（不考虑界面态和表面态），(a) 金属功函数大于半导体功函数；(b) 金属功函数小于于半导体功函数。分别说明是整流接触还是欧姆接触。（8分）
2.画出p型硅衬底上的理想MOS结构在零偏、负偏和正偏条件下的能带图，指出半导体表面的积累、耗尽和反型状态。（共14分）
3．简述正向有源状态下双极型晶体管的发射结注入效率、基区输运系数两参数的物理意义。（6分）
提要：以npn晶体管为例，正偏的BE结，既有发射区电子向基区的注入，也有基区空穴向发射区的注入。就晶体管的使用而言，希望发射区电子向基区的注入的比例越大越好，可称其为正向有效注入。发射结注入效率指正向有效注入与总注入的比例。
氧化层等效电荷
近似认为，对于n+多晶硅栅极，费米能级 与导带底能级 重合，则n+多晶硅栅极与衬底功函数差为
阈值电压
阈值电压调整到0.8V，需注入P型杂质，设注入杂质位于耗尽区内，且注入杂质只改变耗尽区电荷密度，其他效应忽略不计，则注入剂量为
3．双极型晶体管开关转换过程中，存储过程和存储时间的物理实质是什么？有何措施可缩短存储时间（5分）
提要：双极型晶体管饱和导通条件下，在基区和集电区有所谓超量存储电荷（集电区分量是主要的），双极型晶体管要从导通转换为关断状态，必须首先使超量存储电荷消散，否则，晶体管状态不会改变。超量存储电荷的消散过程就是存储过程，所需时间就是存储时间。消散途径为基极反抽、复合。
“突变空间电荷区近似”模型认为，由于自建电场的作用，可近似认为空间电荷区内的自由载流子—电子和空穴被完全“扫出”该区域，只剩下电离受主和电离施主原子，空间电荷区是一个高阻区，所以空间电荷区又称为耗尽区或阻挡层。此外，空间电荷区的边界虽然是缓变的，但计算表明过度区很窄，因此，可近似认为空间电荷区边界是突变的。空间电荷区外是电中性的，与空间电荷区内相比，电阻率很小，可近似为零。这三个近似条件，称为突变空间电荷区近似或突变耗尽近似。
提要：冶金界面两边的浓度差—多数载流子扩散—界面n型侧留下不可动的带正电的电离施主，界面p型侧留下不可动的带负电的电离受主。电离施主和电离受主形成的区域称为空间电荷区。由电离施主指向电离受主的电场称为自建电场。自建电场对载流子有反方向的漂移作用。当扩散作用与漂移作用达到动态平衡时，空间电荷区电荷固定，自建电场的大小固定，接触电势差为定值。
氧化层电容
衬底最大耗尽层厚度
衬底耗尽层电荷
氧化层等效电荷
近似认为，对于n+多晶硅栅极，费米能级 与导带底能级 重合，则n+多晶硅栅极与衬底功函数差为
阈值电压
阈值电压调整到0.8V，需注入P型杂质，设注入杂质位于耗尽区内，且注入杂质只改变耗尽区电荷密度，其他效应忽略不计，则注入剂量为
贵州大学2006-2007学年第二学期考试试卷B卷
但对于深亚微米短沟道器件，即使漏源电压较低，沟道电场也很容易达到饱和电场强度，在漏端沟道夹断前，载流子已经达到饱和漂移速度，于是，漏极电流达到饱和，这就是速度饱和导致电流饱和模型。
得分
评分人
三、简答题（共10分,每小题2分）
三个npn晶体管的基区杂质浓度和基区宽度如下表，其余材料参数和结构参数相同，就下列特性参数判断，哪一个晶体管具有最大值，并简述理由。
MOSFET的沟道长度调制效应指，漏端沟道夹断后，漏极电压增大时，夹断点沿沟道向源端移动，从源到漏漂移的载流子路程缩短，导致漏极电流增大。反映在漏极输出特性曲线上，是漏极电流随漏源电压的增大而上翘。
2.简述pn结空间电荷区（耗尽区）形成的原因，说明“突变空间电荷区近似”的概念。（9分）
提要：冶金界面两边的浓度差—多数载流子扩散—界面n型侧留下不可动的带正电的电离施主，界面p型侧留下不可动的带负电的电离受主。电离施主和电离受主形成的区域称为空间电荷区。由电离施主指向电离受主的电场称为自建电场。自建电场对载流子有反方向的漂移作用。当扩散作用与漂移作用达到动态平衡时，空间电荷区电荷固定，自建电场的大小固定，接触电势差为定值。
科目名：固体电子器件原理
参考答案
注意事项：
1.请考生按要求在试卷装订线内填写姓名、学号和年级专业。
2.请仔细阅读各种题目的回答要求，在规定的位置填写答案。
3.不要在试卷上乱写乱画，不要在装订线内填写无关的内容。
4.满分100分，考试时间为120分钟。
题号
一
二
三
四
五
六
七
总分
统分人
得分
得分
评分人
一、能带理论（共22分）
1.发射结注入效率。A
2.基区输运系数。A
3.穿通电压。C
4．相同BC结反向偏压下的BC结耗尽层电容。B
5．共发射极电流增益。A
器件
基区杂质浓度
基区宽度
NB= NB0
xB=xB0
B
NB= 2NB0
xB= xB0
C
NB= NB0
xB=2xB0
得分
评分人
四、计算题（T=300K，介电常数Si: 11.7；SiO2: 3.9;
真空介电常数: 8.8510-14F/cm）(共38分)
1．硅pn结NA=1.51018cm-3,ND=1.51016cm-3,计算0.3V正偏条件下p区及n区空间电荷区边界处载流子浓度，画出空间电荷区外侧载流子浓度分布示意图。（12分）
2.硅pn结NA=1.51018cm-3,ND=1.51016cm-3,设pn结击穿时的最大电场为5105V/cm,计算pn结的击穿电压。(10分)
提要：pn结空间电荷区的电荷随外加电压的变化而变化的电容效应就是pn结耗尽层电容（势垒电容）。pn结空间电荷区的外侧非平衡载流子扩散区内载流子电荷随外加电压的变化而变化的电容效应就是pn结的扩散电容。
5．简述MOSFET的漏端沟道夹断饱和模型、速度饱和导致电流饱和模型。（6分）
提要：MOSFET的漏端沟道夹断以后，在导电沟道与漏端出现了耗尽高阻区，当漏源电压进一步增大时，电压的增加部分几乎全部降落在耗尽区，沟道电场几乎不变，因而载流子的漂移速度不变，于是，漏极电流几乎为常数，这就是MOSFET的漏端沟道夹断饱和模型。
真空介电常数: 8.8510-14F/cm）(共34分)
1.硅pn结NA=1.51017cm-3,ND=1.51016cm-3,计算pn结的接触电势差以及反偏电压为1V时的耗尽区宽度。（10分）
2.硅n-沟道JFET的参数如下：Na= 51018cm-3,Nd=31016cm-3，a=0.35m. (a)计算内夹断电压。(b)确定VGS=1V条件下的沟道厚度a–h。(10分)
发射区向基区注入的电子，进入基区边界后继续向BC结空间电荷区边界输运，输运过程中部分电子与基区多数载流子空穴复合。基区输运系数定义到达BC结空间电荷区边界处的电子电流与进入基区BE结空间电荷区边界处的电子电流之比，因此，基区输运系数表示基区复合损失的大小。
4．什么是pn结耗尽层电容（势垒电容）？什么是pn结的扩散电容？（6分）
4．简述JFET工作原理，画出并说明其转移特性和漏极输出特性曲线。（8分）
提要:反偏的栅pn结上的电压的变化时，沟道中的空间电荷区跟着变化，源漏之间的导电沟道厚度随着改变，因而漏源电流随着改变。这样就实现了栅源电压对漏源电流的控制作用。
得分
评分人
三、简答题（共10分,每小题2分）
三个npn晶体管的基区杂质浓度和基区宽度如下表，其余材料参数和结构参数相同，就下列特性参数判断，哪一个晶体管具有最大值，并简述理由。
1.画出pn结在零偏、正偏和反偏条件下的能带图。（9分）
2.画出n型硅衬底上的理想MOS结构在零偏、正偏和负偏条件下的能带图，指出半导体表面的积累、耗尽和反型状态。（共13分）
得分
评分人
二、概念题（共30分）
1.简述双极型晶体管的基区宽度调制效应和MOSFET的沟道长度调制效应。（8分）
答题要点：BC结反偏电压增大，BC结空间电荷区向中性基区扩展，中性基区宽度变窄，基区非平衡载流子浓度梯度增大，因而导致基区输运的电流增大，集电极电流增大，反映在共射输出特性曲线上，是集电极电流随CE电压的增大而上翘。
1.发射结注入效率。C
4.基区输运系数。C
5.穿通电压。B
4．相同BC结反向偏压下的BC结耗尽层电容。B
5．共发射极电流增益。C
器件
基区杂质浓度
基区宽度
NB= NB0
xB= xB0
B
NB= 2NB0
xB= xB0
C
NB= NB0xB=ຫໍສະໝຸດ xB0/2得分评分人
四、计算题（T=300K，介电常数Si: 11.7；SiO2: 3.9;
贵州大学2006-2007学年第二学期考试试卷A卷
科目名：固体电子器件原理