电路与模拟电子学课后习题详解

10、北邮2017年电子电路冲刺题及答案

北京邮电大学电子电路（802）模拟试题模拟部份一、填空题（共15分，每空0.5分） 1．电子技术分为模拟电子技术和数字电子技术两大部分，其中研究在平滑、连续变化的电压或电流信号下工作的电子电路及其技术，称为【1】电子技术。 2．PN 结反向偏置时，PN 结的内电场【2】。PN 具有【3】特性。 3．硅二极管导通后，其管压降是恒定的，且不随电流而改变，典型值为【4】伏；其门坎电压V th 约为【5】伏。 4．为了保证三极管工作在放大区，要求： ①发射结【6】偏置，集电结【7】偏置。 ②对于ＮＰＮ型三极管，应使VBC 【8】。 5．放大器级间耦合方式主要有阻容（RC ）耦合、直接耦合和【9】耦合三大类。 6．在三极管组成的三种不同组态的放大电路中，共射和共基组态有电压放大作用，【10】组态有电流放大作用，【11】组态有倒相作用；【12】组态带负载能力强，【13】组态向信号源索取的电流小，【14】组态的频率响应好。 7．场效应管是【15】器件，只依靠【16】导电。 8．石英晶体振荡器是【17】的特殊形式，因而振荡频率具有很高的稳定性。 9．将交流电变换成脉动直流电的电路称为整流电路；半波整流电路输出的直流电压平均值等于输入的交流电压（即变压器副边电压）有效值的【18】倍；全波整流电路输出的直流电压平均值等于输入的交流电压（即变压器副边电压）有效值的【19】倍。 10．差动放大电路中的长尾电阻Ｒe 或恒流管的作用是引人一个【20】反馈。(1分) 11．为了分别达到下列要求，应引人何种类型的反馈： ①降低电路对信号源索取的电流：【21】。 ②当环境温度变化或换用不同值的三极管时，要求放大电路的静态工作点保持稳定：【22】。 ③稳定输出电流：【23】。 12．在构成电压比较器时集成运放工作在开环或【24】状态。 13．某负反馈放大电路的开环放大倍数Ａ=100000，反馈系数Ｆ＝0.01，则闭环放大倍数【25】。 14．差分式放大电路能放大直流和交流信号，它对【26】具有放大能力，它对【27】具有抑制能力。 15．乙类功放的主要优点是【28】，但出现交越失真，克服交越失真的方法是【29】。二、单项选择题(每小题1分，共10分) 1．在本征半导体中掺入（）构成P 型半导体。 β≈

2018年4月电子电路EDA答案

、单项选择题 1.B 2.D 3.C 4.D 5.A 6.C 7.A 8.B 9.C10.D 11.A12.A13.B14.D15.B 、名词解释题 16. 电子设计自动化(Electronics Design Automation ) 17. 硬件描述语言(Hardware Description Language ) 18. 知识产权核(intellectual property core ) 三、判断改错题 19. 对。 20. 对。 21. 错。交换“硬IP Core”和“软IP Core”的位置 22. 错。将“功能仿真”改为“时序仿真” 四、简答题 23. 传统的设计方法都是自底向上的，即首先确定可用的元器件，然后根据这些器件进行逻辑设计，完成各模块后进行连接，并形成系统，最后经调试、测量看整个系统是否达到规定的性能指标。这种设计方法常常受到设计者的经验及市场器件情况等因素的限制，且没有明显的规律可循。另外，系统测试在系统硬件完成后进行，如果发现系统设计需要修改，则需要重新制作电路板，重新购买器件，重新调试与修改设计。整个修改过程需要花费大量的时间与经费。再者，传统的电路设计方式是原理图设计方式，而原理图设计的电路对于复杂系统的设计、阅读、交流、修改、更新和保存都十分困难，不利于复杂系统的任务分解与综合。基于EDA技术的所谓“自顶向下”的设计方法主要采用并行工程和“自顶向下”的设计方法，使开发者从一开始就要考虑到产品生成周期的诸多方面，包括质量、成本、开发时

间及用户的需求等。该设计方法首先从系统设计入手，在顶层进行功能划分和结构设计，由于采用高级语言描述，因此能在系统级采用仿真手段验证设计的正确性，然后再逐级设计底层的结构，用VHDL、Verilog HDL 等硬件描述语言对高层次的系统行为进行电路描述，最后再用逻辑综合优化工具生成具体的门级逻辑电路的网表，其对应的物理实现级可以是印刷电路板或专用集成电路。“自顶向下”设计方法的特点表现在以下几个方面： (1) 基于可编程逻辑器件PLD和EDA开发工具支撑。 (2) 采用系统级、电路级和门级的逐级仿真技术，以便及早发现问题，进而修改设计方案。 (3) 现代的电子应用系统正向模块化发展，或者说向软、硬核组合的方向发展。对于以往成功的设计成果稍作修改、组合就能投入再利用，从而产生全新的或派生的设计模块。 (4) 由于采用的是结构化开发手段，所以可实现多人多任务的并行工作方式，使复杂系统的设计规模和效率大幅度提高。 (5) 在选择器件的类型、规模、硬件结构等方面具有更大的自由度。 24. 随着集成度的不断提高，IC行业的产品更新换代的周期越来越短，使用IP Core能更快地完成大规模电路的设计；利用IP Core可使设计师不必了解设计芯片所需要的所有技术，从而降低了芯片设计的技术难度；调用IP Core能避免重复劳动，大大减轻了工程师的负担；复制IP Core是不需要花费任何代价的。因此，使用IP Core称为目前现代数字系统设计的发展趋势。 25. 在整个设计流程中仿真的地位十分重要，行为模型的表达、电子系统的建模、逻辑电路的验证及门级系统的测试等，都离不开仿真。完成设计输入并成功进行编译仅能说明设计符合一定的语法规范，并不能说明设计功能的正确性，因为在芯片内部存在着传输延时，工作时并不一定严格按照程序运行。此外，在高频的情况下，对时钟的建立时间和保持时间等都有严格的要求，所以实际运行的结果与程序往往不相符或毛刺过多，只有通过仿真才能了解程序在芯片内部的工作情况，然后根据情况和需要进行修改和优化，以便于在成品前发现问题，进而解决问题，完善设计。所以，在现代数字系统设计中需要进行系统仿真。 26. CPLD中的逻辑单元采用PAL结构，由于这样的单元功能强大，一般的逻辑在单元内均可实现，故互连关系简单，一般通过集总总线即可实现，与FPGA同样集成规模的芯片相比内部触发器的数量较少。逻辑单元功能强大的CPLD还具有很宽的输入结构，适用于实现高级的有限状态机，如控制器等，这种系统逻辑复杂，输入变量多，但对触发器的需求量相对较少。 FPGA逻辑单元采用查找表结构，每单元只有一个或两个触发器，这样的工艺结构占用芯片面积小、速度高，每块芯片上能集成的单元数多，但逻辑单元的功能较弱。要实现一个较复杂的逻辑功

大学电路与电子学模拟试题

填空题： 1、在电压和电流的关联参考方向下，ui p =中的p 是代表这段电路吸收功率；若在非关联参考方向下，p 代表这段电路发出功率。 2、四种基本组态的负反馈放大电路分别是电压串联负反馈、电压并联负反馈和电流并联负反馈、电流串联负反馈。 3、基尔霍夫电流定律是指对于电路中任何一个节点，流出或流入电流的代数和为零；基尔霍夫电压定律是指沿任一闭合回路绕行一周，各支路电压的代数和恒等于零。 4、运算放大器的两个输入端分别叫做正向输出端和反向输入端；运放的特性是和。 5、正弦交流电的三要素是指正弦量的最大值、角频率和初相位。 6、在支路电流分析法中，对于具有m 个支路，n -1个独立节点的电路有且仅有 m-(n-1) 个独立回路。 7、三极管的四种工作状态是放大状态、饱和状态、截止状态和倒置状态。 8、三极管工作在放大区的条件分别是：。 9、二极管最主要的特性是单向导电性。 10、在多个电源共同作用的线性电路中，任一支路的响应均可看成是由各个激励单独作用下在该支路上所产生的响应的代数和，称为叠加定理。 11、以客观存在的支路电流为未知量，直接应用 KCL 定律和 KVL 定律求解电路的方法，称为法。 12、小功率直流稳压电源由变压器、、、四部分组成。 13、放大器中晶体管的静态工作点是指I BQ 、和。 14、小功率稳压电源的组成主要由电源变压器、整流电路、直流稳压电路等四部分组成。选择题： 1、已知空间有a 、b 两点，电压U ab =10V ，a 点电位为V a =4V ，则b 点电位V b 为（ B ） A ．6V B ．－6V C ．14V 2、某电阻R 的u 、i 参考方向不一致，令u =10V ，消耗功率为0.5W ，则电阻R 为（ B ） A ．200Ω B ．－200Ω C ．±200Ω 3、在输入量不变的情况下，若引入反馈后（ D ），则说明引入的反馈是负反馈。 A ．输入电阻增大 B ．输出量增大 C ．净输入量增大 D ．净输入量减小 4、直流负反馈是指（ C ） A ．直接耦合放大电路中所引入的负反馈； B ．只有放大直流信号时才有的负反馈； C ．在直流通路中的负反馈。 5、当电流源开路时，该电流源内部（ B ） A ．有电流，有功率损耗 B ．无电流，无功率损耗 C ．有电流，无功率损耗 6、影响晶体管放大电路工作点稳定的主要因素是（ C ）。 A ．β值 B ．穿透电流 C ．温度 D ．频率 7、在正弦交流电路中，电感元件的瞬时值伏安关系可表达为（ C ） A ．L iX u = B ．u ＝jiωL C ．dt di L u = 8、在输入量不变的情况下，若引入反馈后（ D ），则说明引入的反馈是负反馈。

《电路与模拟电子学》部分习题参考答案

《电路与模拟电子学》部分习题参考答案第一章 1.1 (a) 10W 吸收功率 (b)10W 吸收功率 (c) 10W 发出功率 (d) 10W 发出功率 1.2 1P =8W 吸收功率； 2P =－16W 吸收功率； 3P =12W 发出功率 1.3 (a) A 5.0-＝I (b)6V -＝U (c) Ω1＝R 1.4 A 1.0=I 1.5 Ω1210＝R h 6KW ?＝W 1.6 F 2C μ= J 1046 -?＝W 1.7 (a) A 5=I (b) 6V ＝U (c) 2A ＝I 1.8 (a) 10V ＝U 50W ＝P (b) 50V ＝U 50W 2＝P (c) V 3-＝U 5W 1-＝P (d) V 2＝U 10W ＝P 1.9 (a) A I 2= (b) 10V ＝U (c) 2A ＝I 1.10 (a) 18.75V ＝U (b) 3A ＝I (c) 0.9A ＝I 1.11 (a) 2V ＝U (b) 2.5A ＝I 1.12 (a) 2V 11＝U 72W -＝P (发出功率) (b) 0.5A 2＝I 5W 1＝P (吸收功率) 1.13 (a) 4V ＝U (b) 2A -＝I ；2A 1＝I 1.14 (a) A I 3-= (b) 4V ＝U (c) 1A ＝I 1.15 (a) A I 0= 2V -＝U (b)A I 20-= V 10-＝U (c) 1A 1＝ I 2A 2＝I 1.16 (a) 2V ＝ab U (b) 7V ＝ab U (c) 2V ＝ab U 1.17 (a) 0V 1＝a V 8V ＝b V 6V 1＝ c V 0V 1＝ d V 6V ＝ e V (b) 4V ＝a V 0V ＝b V 0V ＝c V 9V ＝d V V 11-＝e V 1.18 断开：2V -＝A V ；闭合： 3.6V ＝A V

模拟电路期末试卷及答案

《模拟电子技术基础（1）》期末试题（A 卷）参考答案及评分标准一、填空（每空1分，共20分） 1. 双极型晶体管工作在放大区的偏置条件是发射结正偏、集电结反偏。 2. 放大器级间耦合方式有三种：直接耦合；阻容耦合；变压器耦合；在集成电路中通常采用直接耦合。 3. 差分放大器的基本特点是放大差模信号、抑制共模信号。 4. 乙类推挽放大器的主要失真是交越失真，要消除此失真，应改用甲乙类推挽放大器。 5. 图1所示两级放大电路，图中级间采用阻容耦合方式，1T 接成共基组态，2T 接成共集组态，1R 和2R 的作用是为T1管提供基极偏置。 6. 在阻容耦合放大器中，若要降低下限频率，应将耦合电容的值增大。 7. 共射－共基组合电路中，由于共射电路的上限频率小于共基电路的上限频率，故此组合电路的上限频率主要取决于共射电路。 8. 负反馈系统产生自激的条件是1)(-=ωj T ，相应的振幅条件是1)(=ωj T ，相位条件是()πω?±=T 。

二、简答（共3小题，每小题5分，共15分） 1. 测得工作在放大电路中两个晶体管的三个电极电流如图2所示（1）判断它们各是NPN 管还是PNP 管，在图中标出e ，b ，c 极；答：见图中标识（判断NPN 管还是PNP 管各1分，标出e ，b ，c 极1分，共3分）（2）估算(b)图晶体管的β和α值。 601 .06 === B C I I β， 985.01≈+= ββα （各1分，共2分）

2.电路如图3所示，试回答下列问题（1）要使电路具有稳定的输出电压和高的输入电阻，应接入何种负反馈？ R f 应如何接入？（在图中连接）答：应接入电压串联负反馈（1分） R接法如图（1分） f （2）根据前一问的反馈组态确定运放输入端的极性（在图中“□”处标出），并根据已给定的电路输入端极性在图中各“○”处标注极性。答：见图中标识（3分）（共6空，两个1分） 3.简述直流电源的主要组成部分及各部分功能。答：直流电源主要由整流电路、滤波滤波、稳压电路组成，其中整流电路的作用是将交流电压转换为直流电压，滤波电路的作用是减小电压的脉动，稳压电路的作用是使输出直流电压基本不受电网电压波动和负载电阻变化的影响，从而获得足够高的稳定性。（组成部分3分，功能2分）

专升本电子电路模拟试题

2011年福建省高职高专升本科入学考试模拟与数字电子技术测试卷一一．单项选择题（每小题3分，共15分） 1. 设二极管的端电压为U ，则二极管的电流方程是。（） A. I S e U B. T U U I e S C. )1e (S －T U U I 2. 若三级放大电路的A V1=A V2=20dB,A V3=30 dB ，则其总电压增益为（） A. 50dB B. 60dB C. 70dB D. 12000dB 3.集成运放构成的放大电路如图，已知集成运放的最大输出电压OM U =10V,i U =5V,则电路的输出电压（） A -5 B.0 C.5 D.10 4. 在深度负反馈放大电路中，若开环放大倍数A 增加一倍，则闭环增益A f 将（） A. 基本不变 B. 增加一倍 C. 减小一倍 D. 不能确定 5. 正弦波振荡电路的振幅平衡条件是（） A ．..A Fu u <1 B. ..A Fu u =0 C. ..A Fu u =1 D. . .A Fu u >1 二．填空题（每空3分，共54分） 6 .二极管反向电流是由________载流子形成，其大小与________有关，而与外加电压无关。 7. 晶体三极管用来放大时，应使发射结处于偏置，集电结处于偏置。 8. 当Ugs=0时，漏源之间存在导电沟道的称为____ _____型场效应管，漏源之间不存在导电沟道的称为型场效应管 9. 乙类推挽放大器的主要失真是，要消除此失真，应改用类推挽放大器。 10. 在桥式整流电阻负载中，理想二极管承受最高反压是__________。 11. 运放构成的电压比较器工作于非线性状态，其输出电平只有__________ 和_______两种状态 12．如图所示555定时器组成的多谐振荡器只有两个__________状态，其输出的脉冲周期为_________输出的脉冲宽度为_________. 13 D/A 转换器是将________转换为______________ 14. 在RAM 容量扩展中，_片1K X 4位的RAM 可以组成 2K X 8 位 RAM 15. 要存储8位二进制信息时，需要_____________个触发器。 16. OC 门的输出端可并联使用，实现________功能三计算题（第17题15分，第18题16分，第19题16分，共47分） 17. 电路如图所示，晶体管的＝100，'bb r =100Ω。 Ui + - C

电路与电子学答案王文辉第3版

电路与电子学答案王文辉第3 版

第一章习题答案: 1、l=3A,U=4V 2、U=2V 3、(a)耗能=120W 释放能量=120W , (b)耗能 =122W 释放能量=122W i 壬 125 4、 l=2.8A U=10V 5、 l=0.5A U=9.6V 6、 U=-45V 7、 U=-4V U=8V I=18A P=1012.5W (a) 1 1 1 1 U S1 ( )U A U B 岂-I S3 R 1 R 2 R 3 R 3 R 1 1 1 1 1 U R 3 A (丄」 (b) R 3 R 4 R 5 R 5 1 1 1 (2 4 心蔦 U B 1 1 U A (丁 1)U B 4 4 1 ?2U 4-I 10、 11、 1 1 1 ( )U A - U B R 1 R 2 R 4 R 2 R 4 R 1 1 1 1 1 U S3 U A -( )U B U c = I S 3 竺 R 2 R 2 R 3 R 3 R 3 1U 1 U C U ^1 _ I S1 … I S3 R 3 U=1.2V

14、U= —1/9 V I=17/7 A 15、I=19A 16、(a)U oc =8V R eq =16 Q (b) R eq =10/7Q 17、(a)U oc =15V R eq =12.5Q (b) V R eq = — 0?6 Q 18、 U=1.2V 19、I=0.5A 20、 (a)R L =R eq =6 Q 13、l=7A U=14V U oc =26/7 V U oc = — 4.8 \max =37.5W P=0.16W (a)R L =R eq =9 Q P Lmax = 4/9W 21、 R eq = 400 Q l=0?04A U=4V P Lmax = 0.25W 22、 U OC =1 ?25V R eq =1 ?25Q 第二章习题答案 2-1 (a ) u ci (0 )=100V i L (0 )=0A i 2 (0 )=0A u c2 (0 )=0V

模拟电路考试题及答案【精】

自测题一一、判断题 1．因为P型半导体的多数载流子是空穴，所以它带正电。（F） 2．在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体。（T） 3．处于放大状态的三极管，集电极电流是多数载流子漂移所形成的。（F）二、单选题 1．半导体中的少数载流子产生的原因是（D）。 A．外电场B．内电场C．掺杂D．热激发2．用万用表测二极管的正、反向电阻来判断二极管的好坏，好的管子应为（C）。 A．正、反向电阻相等B．正向电阻大，反向电阻小 C．反向电阻比正向电阻大很多倍D．正、反向电阻都等于无穷大 3．二极管的伏安特性曲线的正向部分在环境温度升高时将（B）。(X 轴为电压) A．右移B．左移C．上移D．下移 4．当外加偏置电压不变时，若工作温度升高，二极管的正向导通电流将（A）。 A．增大B．减小C．不变D．不确定 5．三极管β值是反映（B ）能力的参数。（三极管可改为电流控制电流源） A．电压控制电压B．电流控制电流C．电压控制电流D．电流控制电压 6．温度升高时，三极管的β值将（A ）。 A．增大B．减少C．不变D．不能确定 7．下列选项中，不属三极管的参数是（B ）。 A．电流放大系数B．最大整流电流 C．集电极最大允许电流D．集电极最大允许耗散功率 8．某放大电路中三极管的三个管脚的电位分别为V U6 1 =，V U4.5 2 =，V U12 3 =，则对应该管的管脚排列依次是（B）。 A．e, b, c B．b, e, c C．b, c, e D．c, b, e 9．晶体三极管的反向电流是由（B）运动形成的。 A．多数载流子B．少数载流子 C．扩散D．少数载流子和多数载流子共同 10．三极管工作在放大区，三个电极的电位分别是6V、12V和6.7V，则此三极管是（D）。（发正偏集反偏） A．PNP型硅管B．PNP型锗管C．NPN型锗管D．NPN型硅管 11．场效应管起放大作用时应工作在漏极特性的（B）。 A．非饱和区B．饱和区C．截止区D．击穿区12．增强型绝缘栅场效应管，当栅极g与源极s之间电压为零时（B）。 A．能够形成导电沟道B．不能形成导电沟道 C．漏极电流不为零D．漏极电压为零三、填空题 1．在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于掺杂浓度。 2．少数载流子在内电场力作用下有规则的运动称为漂移。 3．PN结正偏导通，反偏截止，称为PN结的单向导电性性能。 4．PN结加正向电压时，空间电荷区将变窄。 5．PN结正向偏置时，PN结的内电场被削弱。 6．三极管最重要的特性是电流放大作用。 7．温度升高时，晶体管的反向饱和电流将增大。 8．场效应晶体管属于电压控制器件。精选文档

电路与电子学模拟复习题

《电路基础》部分一、是非题 1、欧姆定律适合各类电阻。（）欧姆定律只适用于纯电阻电路 2、在电路中，必须全部元件均为线性元件才可以用基尔霍夫定律去分析求解。（否）基尔霍夫定律是分析线性电路和非线性电路的基本定律 3、通常电路分析均可以用节点电压和回路电流法。（） 4、叠加定理仅适用于线性电路。（√） 5、任何有源二端网络都可用戴维南定理求出它的电压源与电阻串联的等效电路。（√） 6、周期性的电压与电流都可以用向量来表征。（） 7 倍。（） 8、存在如电感、电容动态元件的直流电路，在电路达到稳态时，电感可看作短路，电容可看作开路。（） 9、无源一端口网络的阻抗与信号的频率无关。（） 10、在正弦稳态电路中，整个电路的平均功率是该电路中各电阻元件消耗功率的总和。（）二、填空题 1、电路的基本构成为： 2、电路变量主要有： 3、电路元件主要有： 4、电阻、电导的单位为： 5、受控源主要有那几种： 6、某一电路元件，其电压与电流如图所示，计算其功率 7、节点电压法是以电压为参变量列写KCL方程，网孔电流法是以电流为参变量列写KVL方程。

8、叠加原理，戴维宁定理适用于电路。 9、理想运算放大器电路运算符合和两个条件。 10、电容器的V-A 关系为，电感器的V-A 关系为 11、集总线性电感线圈中磁通链ψ与感应电势u 的关系是 , 与激励电流i 的关系为 12、电容和电感在00t =时的换路原则是 13、零输入响应指，零状态响应指 14、电容器的储能为电感器的储能为 15、一阶动态电路在直流电源激励下的全响应()f t 可写为： 16、复数1z j =-+的极坐标形式为复数245z =∠-o 的直角坐标形式为 17、电流()cos(135)i t t ω= +o 的相量形式为电压相量530U =∠-o &的时域形式为 18、画出正弦量()10cos(30)u t t ω=+o 的时域波形 19、KVL 和KCL 定律的相量形式分别为 20、电容C 和电感L 的容抗与感抗分别为 21、写出基本无源RC 低通滤波器电路的网络函数： 22、()f t 为某周期性的电压或电流，()f t 有效值的表达式为_ ______。

电子电路第十二章习题及参考答案

习题十二 12-1 写出题图12-1所示逻辑电路输出F 的逻辑表达式，并说明其逻辑功能。解：由电路可直接写出输出的表达式为： 301201101001301201101001D A A D A A D A A D A A D A A D A A D A A D A A F +++==??? 由逻辑表达式可以看出：当A 1A 0=00 F =D 0 A 1A 0=01 F =D 1 A 1A 0=10 F =D 2 A 1A 0=11 F =D 3 这个电路的逻辑功能是，给定地址A 1A 0以后，将该地址对应的数据传输到输出端F 。 12-2 组合逻辑电路如题图12-2所示。（1）写出函数F 的表达式；（2）将函数F 化为最简“与或”式，并用“与非”门实现电路；（3）若改用“或非”门实现，试写出相应的表达式。解：（1）逻辑表达式为：C A D B D C B A F += （2）化简逻辑式 C A D B D B C A C A D B D C A D B C A D C B BC A C A D B A C A D B D C B A C A D B D C B A F +=+++++=++++++=++++=+=?)1()1())(()( 这是最简“与或”表达式，用“与非”门实现电路见题解图12-2-1，其表达式为： C A D B F ?= （3）若用“或非”门实现电路见题解图12-2-2，其表达式为： C A D B C A D B C A D B C A D B F +++=+++=++=+=))(( 由图可见，对于同一逻辑函数采用不同的门电路实现，所使用的门电路的个数不同，组合电路的速度也有差异，因此，在设计组合逻辑电路时，应根据具体不同情况，选用不同的门电路可使电路的复杂程度不同。 A A 3210 题图12-1 习题12-1电路图

电路与模拟电子技术习题集(模拟电子技术部分)答案1

A.共射; B.共集;C共基 i 18 .为了提高差动放大电路的共模抑制比，可用（B ）替代公共发射极电阻Re。i A?恒压源；B.恒流源;C.大电容 119 .为了减小零点漂移，集成运放的输入级大多采用（C 1 I ! : I A .共射电路；B .共集电路；C.差分放大电路；D .乙类放大电路 ! | 20 .减小零点漂移最有效的方法是采用（C 1 | A .共射电路;B .共集电路；C.差分放大电路；D .乙类放大电路 ? ! ! ! : : I 21 ?图1.2所示集成运算放大器的U OPP二±20V ,则输出电压U P（C ）V。 : A.0V ； B.+4V ； C.+20V ； D. -20V : I I 22.对功率放大器的要求主要是（B 1（C 1 （ E X ! : : 1 A.Uo高；B.Po大； C.功率大；D.Ri大；E.波形不失真 : | 23.共模抑制比是差分放大电路的一个主要技术指标,它反映放大电路（A ）能力。 : I A.放大差模抑制共模; B.输入电阻高; C.输出电阻低 ! : | 24?差分放大电路R E上的直流电流I EQ近似等于单管集电极电流I CQ（B）倍。 ! : ? A.1 ; B. 2 ; C. 3 : I 25.差分放大电路是为了（C ）而设置的。 I ! : I A.稳定Au; B.放大信号;C.抑制零点漂移 I ! : | 26.直接耦合放大电路存在零点漂移的主要原因是（C） : | A.电阻阻值有误差;B.晶体管参数的分散性;C.晶体管参数受温度的影响 I ! I 27?互补输出级采用共集接法是为了使（D \ : ! ! A.电压放大倍数增大；B.抑制共模信号能力增强；C.最大不失真输出电压增大；D.带负载能力强 ! : | 28?功率放大电路与电压放大电路的共同之处是（C I ! ! I A.都放大电压；B.都放大电流；C.都放大功率 ? : !

电路与电子学基础第二版第四章答案

电路与电子学基本第二版第四章答案 4.1 解：用万用表测量二极管的正向直流电阻，选择量程越大，通二极管的电流就减小，由二极管的伏安特性曲线可知，电流急剧减小时，电压减小的很慢，所以测量出来的电阻值会大副增大。 4.2 (a) D 导通,U ab =12V (b) D 1,D 2截止，U ab =0V 改为：D 1导通,D 2截止，U ab =0V (c) D 1截止,D 2导通，U ab =-12V 4.3 (a) U=-5V I=K 10)5(5--?=1mA (b) U=-5V I=0A (c) U=3V I= K 1)5(3--=8mA (d) U=8V I=K 61212--=4mA? 4.4 图 4.5 (a) 因为30V>D 1z 的稳定电压6V ,所以D 1z 导通，D 2z 稳压，故U 0=0.7+9=9.7V (b) 因为30V> D 1z + D 2z 的稳定电压，所以D 1z 与 D 2z 都起稳压作用，故U 0=6+9=15V (c) 因为30V> D 1z 的稳定电压6V ,所以D 1z 稳定，D 2z 导通，故U 0=6+0.7=6.7V (d) 因为30V> D 1z 的正向导通电压，所以D 1z 导通，D 2z 截止，故U 0=0.7V (e) 因为30V>9V ，30V>6V ，故D 1z 起稳压作用，D 2z 截止，故U 0=6V 4.6 ① 因为12V>6V ，所以D z 稳压，故U 0=6V ，I z = K 2620--K 26=4mA<5mA ，稳压效果差 ② 因为5V<6V ，所以D z 不稳压，有计算可知，D z 视为开路，所以U 0=5V ，I z =0mA 4.7 图 4.8 ⑴此晶体管类型为PNP 型，1为集电极，2为基极，3为发射极。 ⑵β=03 .02.1=40 4.9 (a)饱和区 (b)放大区 (c)放大区 (d)截止区 (e)放大区 (f)截止

电路与模拟电子技术复习试题

一、选择题（共30分，每小题2分） 1、若有三个电阻R 1、R 2、R 3串联，其总电导的表达式R 是（） A 、123R R R ++ B 、 123123R R R R R R ++ C 、111 1/( 123 R R R ++ D 、1/(123R R R ++) 2、电路如图1-1所示，图中所示参考方向下，电压V 应为（） A 1V B 2V C 3V D 4V 电子科技大学中山学院考试参考试卷课程名称: 电路与模拟电子技术试卷类型： 201 —201 学年第学期考试考试方式：拟题人：日期：审题人：学院：班级：学号：姓名：提示：考试作弊将取消该课程在校期间的所有补考资格，作结业处理，不能正常毕业和授位，请诚信应考。

图1-1 图1-2 3、某有源二端口网络如图1-2所示，求：当负载R L＝（）时，负载与而端口相连后，负载上的功率最大。 A 8KΩ B 10KΩ C 15KΩ D 20KΩ 4、一正弦交流电的表达式为，则该正弦交流电的频率为（）Hz。 A.60 B. 120 C. 30 D. 2 60 / 5、正弦交流电的电压最大值Um和有效值U之间的关系是（）。 A. Um=2U B. Um = U/2 C. Um = 2U D. Um = U/2 6、三极管的主要特点是：（） A、稳压作用 B、电流放大作用 C、单向导电性 D、电压放大作用 7、若要使三极管处于饱和状态，则此时应该满足的条件是（）。 A. 集电结反偏，发射结正偏 B. 集电结正偏，发射结反偏 C. 发射结反偏，集电结反偏 D. 集电结正偏，发射结正偏 8、已知CF741运算放大器的电源电压为+/-15V,开环电压放大倍数为1×106，最大输出电压为+/-13.5V，当V+ = 5mV, V- =0V时，运放的输出电压为( )。 A．-5V B. 5V， C. 13.5V D. -13.5V 9、电感L1和L2并联后，其等效电感L等于（）； A、L1+L2 B. L1-L2 C. L1*L2/(L1+L2) D. (L1+L2)/L1*L2 10、图1-3中A点的点位为（）。

电路与电子学基础B答案

一、填空题（每小题2分，共22分） 1、KVL体现了电路中能量守恒的法则。 2、一只100Ω，1w的电阻器，使用时电阻上的电压不得超过10 V。 3、含U S和I S两直流电源的线性非时变电阻电路，若I S单独作用时，R上的电流为I′，当U S单独作用时，R上的电流为I"，（I′与I"参考方向相同），则当U S和I S共同作用时，R上的功率应为（I′+I"）2R 。 4、若电阻上电压u与电流i为非关联参考方向，则电导G的表达式为G=-i/u 。 5、若电容上电压u与电流i为非关联参考方向，则u，i的瞬时VCR表达式为i=Cdu c/dt 。 6、若一阶电路电容电压的完全响应为u c(t)=8-3e-10t V,则电容电压的零输入响应为5e-10t V 。 7、若一个正弦电压的瞬时表达式为10cos(100πt+45°)V,则它的周期T为0.02s 。 8、正弦稳态电路中,一个无源单口网络的功率因数为0.5, 端口电压u(t)＝10cos (100t +ψu)V，端口电流i(t)=3cos(100t-10°)A (u,i为关联参考方向),则电压的初相ψu 为50°或-70°。 9、若电感L＝2H的电流i =2 cos(10t+30°)A (设u, i为关联参考方向)，则它的电压u 为40cos(10t+120°)或40sin(10t+210°) 。 10、正弦稳态L，C串联电路中, 电容电压有效值为8V, 电感电压有效值为12V, 则总电压有效值为4V 。 11、L1=5H, L2=2H, M=1H 的耦合电感反接串联的等效电感为5H 。二、选择题（每小题3分，共18分） ( C )1、一RL电路在振动频率为ω的正弦信号作用下，表现出来的阻抗为1+j3 Ω，当正弦信号频率变为3ω时，RL电路表现出来的阻抗为： A. 1+j Ω B. 1+j3 Ω C. 1+j9 Ω D. 1+j6 Ω ( B )2、两存在互感的线圈，已知L1=6H、L2=2H、M=2H，当线圈采用反向串联时其等效电感为： A. 6H B. 4H C. 8H D. 12H ( C )3、若RLC并联电路的谐振角频率为ω0，则在角频率ω＞ω0时电路呈现： A. 纯阻性 B.感性 C. 容性 D. 不能确定的性质

电路与模拟电子学课程总结

电路与模拟电子学课程总结姓名：学号：班级：级计科系软件工程（）班一、课程总结电路与模拟电子学也学了一个学期了，自己也颇有感悟。本学期的课程共分为十章：第一章：电路的基本概念；第二章：电阻电路分析；第三章：动态电路分析；第四章：交流电路分析；第五章：半导体二极管及其应用电路；第六章：放大电路基础；第七章：负反馈放大电路；第八章：集成运放的应用；第九章：波形产生电路与直流稳压电源；第十章：模拟可编程器件的原理及其应用。而我们主要学习了前六章。第一章电路的基本概念：这一章主要介绍的是电路中的一些概念，大部分名词对我们已经不陌生了。这章我们要了解无源和有源二端元件概念，并熟悉电阻、电容和电感三个典型无源二端元件。同时，运算放大器会在后面的章节着重介绍，第一章中还有一个重要的定律就是“基尔霍夫定律”，包括“电流和电压定律”。第二章电阻电路分析：

由线性无源元件、线性受控源和独立电源组成的电路成为线性电路。否则就称为非线性电路。如果构成线性电路的无源元件均为线性电阻，则称为线性电阻电路，简称电阻电路。简单电路的分析我们已经在高中或者初中开始接触，学起来比较轻松，但是，第二小节开始接触复杂电路的分析。复杂电路分析中可能有多个有源二端元件以及受控源，在复杂电路分析中我们要熟练掌握“节点点位法”、“叠加定理”和“等效电源定理（戴维南定理）”。如果分析含有受控源的复杂电路时，分析的依据任然是元件的伏安关系和基尔霍夫定律。但是必须注意两点：一是电路进行简化时，当受控源被保留是，不要把受控源的控制量消除掉；二是在用叠加定理、戴维南定理或者诺顿定理时，所有受控源均应保留，不能像独立源那样处理。后面介绍的非线性电阻电路比较复杂，可以根据兴趣去了解。第三章动态电路分析：前面一直在介绍的都是静态电路，即电路始终处于稳定状态，在这章中我们开始介绍动态电路。本章讨论含有电容和电感等储能元件的动态电路。描述这类电路的方程式微分方程。对于只含有一个储能元件或经简化后只含一个独立储能元件的电路，他的微分方程式一阶的，故称为一阶电路。本章首先分析动态电路的初始条件，着重讨论一阶电路的零输入响应、零状态响应、全响应以及阶跃等重要内容。首先理解一阶电路的零输入响应：电路的输入为零，仅由储能元件的初始储能引起的响应。一阶电路的零状态响应：电路的初始状态为零，仅由输入（独立电源）所引起的响应称为零状态响应，本节只讨论在

电路与模拟电子技术第4章练习题(附详细答案) (4)

第四章练习题第一部分：作业、课堂举例第二部分：一、单项选择题 1.如图是二级管在温度T I 、T 2下的伏安特性曲线，且T I >T 2 ，则该二级管为（ A ） A 锗管，实线对应温度T I B 硅管，实线对应温度T 2 C 锗管，实线对应温度T 2 D 硅管，实线对应温度T I 2.电路如图，二极管是理想的，则 ( D )。二、填空题 1．电路如图所示，稳压管D z1的稳压值为4.5V ，D z2的稳压值为9.5V ，正向压降均为0.5V ，则电阻R 上的电压U R = 14 V 。 2. 电路如下左图所示，二极管是理想的，则1KΩ电阻上的电压为 6 V 。 A ．D 2导通，D 1截止，U ac = 4V ； B. D 1导通，D 2截止，U ab =－4V ； C ．D 1导通，D 2截止，U ab = 4V ； D. D 2导通，D 1截止，U ac =－4V 。

3．在电子电路中，稳压管通常工作于__反向击穿__状态。三、辨析题答题要求：认为正确的请在“（）”内填“√”；认为错误的请在“（）”内填“×”，并写出正确的结论。四、简答题 1. 什么是二极管的死区电压？为什么会出现？答：使得二极管开始导通的临界电压称作“死区电压”。死区电压的出现是因为电源所加的外电场如果较小而无法抵消PN 结周围的内电场作用，载流子就无法穿过“耗尽层”形成较大的电流。五、计算题 1．电路如图所示，已知直流电源的端电压5V U =，测得1m A I =。若将直流电源的电压U 提高到10V ，试计算这时的I 是等于、大于、还是小于2m A 。 R VD + _ 5V 答：mA R U I VD 151=-= ， mA R U VD 2252=-?；R U I VD -?= 522；因为VD VD U U 25252-??-?,所以mA I 22?。 2．电路如图所示，二极管为理想的，试画出输出电压o u 的波形。设 i 6s i n (V )u t ω=。

电路与电子学基础-科学出版社课后参考答案第五章答案

5.1 (a)因为基极通过R b 与发射极等电位，发射结零偏，所以不能放大 (b) 没有基极电阻，不能放大 (c)因为基极电位高于发射极电位，使发射结反偏，所以不能放大 (d)因为基极在动态时将交流电源短路，所以不能放大 (e)因为当电路工作在动态时，C将交流电源短路，所以不能放大 (f)可以 (g)因为电容C阻直导交，所以当工作在静态时，集电极无电位，故不能放大 (h)当工作在动态时，输出被短路，所以不能放大 5.2 (a)放大(b)饱和(c)截止(d)放大 5.3 (1)I BQ =-0.13mA I CQ =? I BQ =-5.2mA U CEQ =-8.2V (2)若管子坏了，换上?=80的晶体管，则I CQ =? I BQ =-11.2mA, U CEQ=-0.8V<0 所以电路工作在饱和区，不能达到放大效果 5.4 (1) I BQ =0.0314mA I CQ =?I BQ =1.53mA U CEQ =8.94V改为：I BQ =0.0314mA I CQ =? I BQ =1.57mA U CEQ =8.86V (2)u A.=-43改为：-44 R i=1.1KΩR o=2 KΩ (3)u i 的有效值大于25.2mV时将出现失真，首先出现截止失真 5.5 (1) I BQ =20.4μA I CQ =? I BQ =1.632mA U CEQ ≈4V (2) u A.= -13.6 R i=1.6KΩR o=3.3 KΩ (3)U max o =3V (4)R b =122KΩ 5.6 (1) I BQ =24μA I EQ =1.224mA I CQ =? I BQ =1.2mA U CEQ =16.8V (2) u A.= -62.5 R i=1.2KΩR o=3 KΩ (3)U max o =1.8V U max i =28.8mV 所以U i 有效值大于28.8mV时将首先出现截止失真 5.7 (1) I BQ =20μA I CQ =? I BQ =1mA U CEQ ≈3.6V (2) u A.= -12.7 R i=5.8KΩR o=6 KΩ (3) 若C e 开路，则u A.= -1.21 R i=10.3KΩR o=6 KΩ 5.8 (1) I BQ =96μA I CQ =? I BQ =7.68mA U CEQ ≈-4.06V