内存相关知识总结PPT参考幻灯片

http://www.intl.samsungsemi.com/Memory/
http://www.necel.com/
http://www.toshiba.com/
http://www.siemens.com/
http://www.mitsubishi.com/ghp_japan
http://www.fujitsu.com/
RANK：处理器和内存能够进行一次完整的数据读取所需 要的颗粒数目组成一个RANK。如64位处理器，一次完整 的数据读取分别需要16个x4，8个x8，16个x4的颗粒组成 一个RANK。
PAGE：在一个RANK中，相同逻辑地址的BANK（分属 于不同颗粒）同一行地址所包含的列的存储单元数目称 为一个PAGE。
http://www.thethirdmedia.com/pc/dnyjcs/www.adata.com.tw
http://www.thethirdmedia.com/pc/dnyjcs/www.infineon.com/cn
http://www.lg-semicon.com/
http://www.micron.com/
数据传输率(MHz)
66/100/133
200/266/333/400 400/533/667/800 800/1066/1333/1600
密度(Mb)
位宽(bit) BANK
Termination DATA Strobe
System Synchronization 储存温度(摄氏度)
封装
64/128/256/512 x4/x8/x16/x32
描述
CLOCK Input
Clock Enable
RANK Select On die termination 可通过设置寄存器EMR(1)使能内部端接电阻 行选通，列选通，写输ቤተ መጻሕፍቲ ባይዱ使能
Write data mask: DM for ×4 ×8 DMU/DML for ×16
BANK SELECT Address input:提供行地址，列地址，读写命令的预充电位 在预充电命令期间，A10为低，只对一个BANK充电；A10为高时，对所有
8 ODT 差分/单端 Master Reset (-55)-100 FBGA 12
SDR信号描述
Symbol A[n:0] BA0(A13) BA1(A12) CLK CKE RAS# CS# CAS# WE#
Type I
I
I I I I I I
DQM,DQML/DQMH
I
DQ(x:0) VCC/VCCQ VSS/VSSQ
WRA
RDA
Precharging
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DDR2 内存基本时序(JESD79-2E)
DDR2 SDRAM内部有4个模式配置寄存器： MR/EMR(1)/EMR(2)/EMR(3)
向4个寄存器中写入相应的值，也就是命令，即配置了DDR2 SDRAM 的工作参数。
命令的写入是通过地址线和BA片选线实现。
BA2 BA1 BA0 A13- A12 A11 A10 A9 A8 A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0 A15
向上述表格中信号写入不同的值即实现了对各个 寄存器命令的写入
18
初始化
上电时，CKE=ODT=Low，VDD/VDDL/VDDQ来自同一Power Source，VTT<0.95V， VREF=VDDQ/2，待VDDQ>VDDQmin时，完成上电。
http://www.hitachi.com/
http://www.ti.com/
10
内存代码含义
SDRAM （以时钟频率来命名） PC100 PC133
DDR（DDR/DDR2/DDR3以数据传输率命名，单位 MB/s） PC 1600---〉 DDR200 (64bit×100MHz×2÷8＝1600MB/s) PC 2100---〉 DDR266 （64bit×133MHz×2÷8＝2128MB/s） PC 2700---〉 DDR333 PC 3200 ---〉DDR400
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DDR3信号描述
信号 CK/CK# CKE CS# ODT RAS#，CAS#，WE# DM DMU/DML
BA0-BA2 A0-A15
BC#/A12 DQ TDQS, TDQS#
ZQ DQU, DQL, DQS,DQS#, DQSU,DQSU#,DQSL,DQSL#
VDDQ/VDD/VREFDQ/VREFCA VSSQ/VSS
BANK预充电
Data input/output
Data strobe: ×4 DQ S/DQ S# ×8 DQ S/DQ S# RDQ S/RDQ S#(可配置为一对或两对选通) ×16 UDQ S/UDQ S#(对应DQ8-DQ15) LDQ S/LDQ S#(对应DQ0-DQ7)
POWER
GND
BANK预充电
Burst chop
Data input/output Termination Data Strobe: for ×8
Reference Pin for ZQ calibration
Data strobe:
POWER
GND
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4.内存基本时序
初始化
Initialization
预充电 BANK激活 读写 预充电
Siemens（西门子） Mitsubishi（三菱） Fujitsu（富士通）
Hitachi（日立） TI（德州仪器）
厂商网址
http://www.kingmax.com/
http://kcs.hei.co.kr/models/
http://www.thethirdmedia.com/pc/dnyjcs/www.kingston.com
BANK 片选 地址线 数据线 数据选通
For x16：LDQS/UDQS For x8/x4:DQS
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DDR2信号描述
信号 CK/CK# CKE CS# ODT RAS#，CAS#，WE# DM UDM/LDM
BA0-BA2 A0-A15
DQ DQ S/DQ S# RDQ S/RDQ S# UDQ S/UDQ S# LDQ S/LDQS# VDDQ/VDDL/VDD/VREF VSSQ/VSSDL/VSS
指提供相同信号，一次最高传输32bit数据。 DIMM：dual inline memory module 双列直插内存模块，金手指两侧各自独
立传输信号。
3
位宽：内存芯片颗粒的数据线位数，目前常用有x4，x8， x16三种。
BANK：颗粒内部的存储阵列，一个阵列就是一个BANK， 目前主要有4BANK和8BANK。
不断的充电，也叫刷新(Refresh)。 SDRAM：Synchronous DRAM 同步动态随机存储器，64位带宽，3.3V工作
电压。 DDR：Double Data Rate SDRAM 双倍速率同步动态随机存储器。 DDR2： Double Data Rate2 SDRAM 4倍速率同步动态随机存储器。 DDR3： Double Data Rate3 SDRAM 8倍速率同步动态随机存储器。 SIMM：single inline memory module 单列直插内存模组，内存条两侧金手
启动时钟，在VDD/VDDL/VDDQ/VREF/VTT稳定后至少200us，CK/CK#稳定，执行NOP， 并将CKE=High。
400us后，执行Precharge All。 EMRS to EMR(2).(BA0=BA2=Low，BA1=High) EMRS to EMR(3).(BA2=Low，BA0=BA1=High) EMRS—〉使能DLL。 MRS—〉reset DLL。 Precharge all. Auto-refresh 2 or more. MRS（A8=Low）.初始化 Device。 OCD Calibration，exit OCD Calibration mode。 DDR2 SDRAM 初始化完成。
I/O Power GND
Description1 地址信号
BANK片选与地址复用
时钟 时钟使能 行地址选通 片选 列地址选通 写使能 DQ Mask.写屏蔽 For x16：DQML/DQMH For x8/x4:DQM 数据信号
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DDR信号描述
Symbol
CK/CK#
Type
CKE
I
Description1
11
3. 几种内存的区别及信号描述
SDR/DDR/DDR2/DDR3区别
SDR
DDR
DDR2
DDR3
工作电压(V)
3.3 (LVTTL标准) 2.5 (SSTL2标准) 1.8 (SSTL_18)
1.5V
CLOCK 频率(MHz)
66/100/133
100/133/167/200 100/133/167/200 100/133/167/200
差分时钟
时钟使能
CS# RAS# CAS# WE#
DM LDM/UDM
BA0/BA1 A0—A13 DQ DQS LDQS/UDQS VDDQ/VDD/VREF VSSQ/VSS
I I
I
I I I/O I/O
电源 地
片选
行地址选通 列地址选通 写使能
DQ Mask.写屏蔽 For x16：LDM/UDM For x8/x4:DM
244 pin DDR2 工作电压 1.8V
9
内存主要厂商
内存芯片及内存条生产 厂商 KINGMAX（胜创） HyunDai（现代） Kingston(金士顿) Adata(威刚) Infineon(英飞凌) LGS（高士达） Micron（麦康） Samsung（三星） NEC Toshiba（东芝）
内存设计相关知识总结
RD中心SBC组 王海
1
内容
内存相关名词解释 内存种类 内存区别及信号描述 内存基本时序 内存设计 Example
2
1.名词解释
RAM：随机存储器 ROM：只读存储器 SRAM：Static RAM 静态随机存储器，利用双稳态触发器保存信息。 DRAM：Dynamic RAM 动态随机存储器，利用电容充放电保存信息，需要
4 无 无
(-55)-125 TSOP/FBGA
256/512/1Gb x4/x8/x16 4 无 单端
256/512/1Gb/2Gb x4/x8/x16 4/8
ODT (optional) 差分/单端
0-70 (-40)-85 TSOP/FBGA
0-85 (-40)-95 FBGA
1Gb/2Gb x4/x8/x16
DDR2 PC2-4300---〉 DDR2 533 PC2-5300---〉 DDR2-667 PC2-6400---〉 DDR2 -800
DDR3 PC3-6400---〉 DDR3 800 PC3-8500---〉 DDR3-1066 PC3-10600---〉 DDR3 -1333 PC3-12800---〉 DDR3 -1600
描述
CLOCK Input
Clock Enable
RANK Select
On die termination 可通过设置寄存器EMR(1)使能内部端接电阻
行选通，列选通，写输入使能
Write data mask: DM for ×4 ×8 UDM/LDM for ×16
BANK SELECT
Address input:提供行地址，列地址，读写命令的预充电位 在预充电命令期间，A10为低，只对一个BANK充电；A10为高时，对所有
Setting
(E)MRS
MR/EMR(1-2)
WR
Writing
All Banks Precharged
ACT
Activating
Bank Active
REF Refreshing
Command: (E)MRS REF ACT WR RD WRA RDA
RD
Reading
详细内容见JESD相关规范
频率：如DDR2等效工作频率400/533/667/800对应实际 时钟频率为100/133/166/200MHz
4
内 存 的 仓 库 解 释
5
2. 内存种类
DIMM内存条
168Pin SDRAM 两个卡口 工作电压 3.3V
184Pin DDR 工作电压 2.5V
240 pin DDR2 工作电压 1.8V
6
SODIMM内存条
144Pin SDRAM 工作电压 3.3V
200 pin DDR 工作电压 2.5V
200 pin DDR2 工作电压 1.8V
7
Micro-DIMM内存条 用于笔记本
172 pin DDR 工作电压 2.5V
214 pin DDR2 工作电压 1.8V
8
MINI Registered DIMM内存条 用于笔记本