内存相关知识总结PPT参考幻灯片
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《内存条知识培训》课件
04
内存颗粒的品质和性能 对整个内存条的性能有 很大影响。
电路板
01
02
03
04
电路板是内存条的基板，负责 连接和固定各个部件。
电路板上的布线要尽可能地短 、直，以减小信号延迟和干扰
。
电路板上通常会有一些电容和 电感等元件，用于滤波和稳压
。
电路板的品质和工艺也会影响 内存条的性能和稳定性。
金手指
更低功耗
更广泛的应用领域
随着云计算、物联网等技术的普及， 未来内存条的应用领域将更加广泛。
未来内存条将更加注重节能环保，降 低功耗，减少能源消耗。
THANKS
感谢观看
稳定性
总结词
稳定性是衡量内存条可靠性的重要指 标，稳定性越高，内存条越不容易出 错。
详细描述
稳定性通常通过长时间运行测试和压 力测试来评估，稳定性高的内存条可 以保证计算机长时间稳定运行。
04
内存条的选购与使用
选购注意事项
01
02
03
04
品牌信誉
选择知名品牌，确保产品质量 和售后服务的可靠性。
避免频繁插拔
尽量避免频繁插拔内存条，以免造成接触不 良或损坏。
检查内存容量与速度
定期检查内存容量与速度是否正常，如有异 常及时处理。
05
内存条常见问题与解决方案
兼容性问题
总结词
内存条与主板或其他硬件不匹配导致的问题
详细描述
当内存条与主板或其他硬件不兼容时，可能会出现电脑无法启动、运行缓慢、蓝屏等问题。解决方案 包括检查内存条规格与主板要求是否匹配，确保购买的内存条与原有内存条品牌、型号、容量相同。
金手指是内存条与主板连接的部分， 用于传输数据和控制信号。
内存基础知识-PPT课件
CDRAM(带高速缓存动态随机存储器) 是日本三菱电气公司开发的专有技术， 它通过在DRAM芯片上集成一定数量 的高速SRAM作为高速缓冲存储器和同 步控制接口来提高存储器的性能。
DRDRAM(Direct Rambus DRAM)
DRDRAM (接口动态随机存储器)是Rambus 在Intel支持下制定的新一代RDRAM标准， 与传统DRAM的区别在于引脚定义会随命令 而变，同一组引脚线可以被定义成地址，也 可以被定义成控制线。其引脚数仅为正常 DRAM的三分之一。当需要扩展芯片容量时， 只需要改变命令，不需要增加芯片引脚。
内存速度性能指标
时钟周期TCK CAS延迟时间（CL） CL=2，CL=3 存取时间（TAC） 内存总延迟时间 =TCK*CL+TAC
CAS的延迟时间
这是纵向地址脉冲的反应时间,也是在一 定频率下衡量支持不同规范内存的重要标 志之一。比如现在大多数的SDRAM在外 频为100MHz时都能运行于CAS Latency = 2或3的模式下，这时的读取数据的延迟时 间可以是二个时钟周期也可以是三个时钟 周期，若为二个时钟周期就会有更高的效 能。
KINGMAX
三星（SAMSUNG）
创见（JETRAM）
金邦（WINBOND）
美凯龙/美光（MICRON）
金士顿（KINGSTON）
金士顿（KINGSTON）
现代（HY/HYUNDAI）
现代（HY/HYUNDAI）
KINGMAX
KINGMAX
SPD芯片
SPD(Serial Presence Detect，串行 存在探测)，它是1个8针的256字 节的EEPROM (电可擦写可编程 只读存储器)芯片。一般处在内 存条正面的右侧，里面记录了诸 如内存的速度、容量、电压与行、 列地址带宽等参数信息。当开机 时PC的BIOS将自动读取SPD中 记录的信息，并为内存设置最优 化的工作方式，它是识别PC100 内存的一个重要标志。
内存基础知识讲解PPT课件
第8页/共13页
1. 符合主板上的内存插槽要求
• 不同的主板支持不同的内存，目前主板市场的主流是DDR2内存，因此在购买计算机时应该选购DDR2内存。 如果是升级计算机，就应该先查明主板是支持SDRAM内存还是DDR内存，以及主板所支持内存的最大容 量。
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2. 注意内存的做工
• 内存的做工影响着内存的性能。一般来说，要使内存能稳定工作，要求使用的PCB板层数在6层以上，否则 内存在工作时会出现不稳定的情况。
4.1.1 内存的作用
• 内存（Memory）也被称为内存储器，其作用是用于暂时存放CPU中的运算数据，以及与硬盘等外部存储 器交换的数据。只要计算机在运行中，CPU就会把需要运算的数据调到内存中进行运算，当运算完成后 CPU再将结果传送出来，内存的运行也决定了计算机的稳定运行。
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内存的外观
第2页/共13页
4.1.3 内存的分类
• 按照内存的工作原理可将内存分为RAM和ROM两类。 • 按表现形式可分为RAM、ROM和Cache三大类。
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ROM（Read Only Memory，只读存储器）
• ROM的特点是价格高、容量小，而且一般只能从中读取信息而不能写入信息。但是ROM保存的数据在断电 后可保持不变，因此多用于存放一次性写入的程序或数据，如用于存储主板和显卡BIOS芯片的相关信息。
第10页/共13页
3.速度的选择
• 目前DDR2内存的主流都是DDR2 800，这种类型的内存提供了比 较大的带宽，对系统性能的提升也是比较明显的。因此，选购内存 时建议选择DDR2 800以上内存。
第11页/共13页
4. 注意内存的品牌
由于内存的生产相对
1. 符合主板上的内存插槽要求
• 不同的主板支持不同的内存，目前主板市场的主流是DDR2内存，因此在购买计算机时应该选购DDR2内存。 如果是升级计算机，就应该先查明主板是支持SDRAM内存还是DDR内存，以及主板所支持内存的最大容 量。
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2. 注意内存的做工
• 内存的做工影响着内存的性能。一般来说，要使内存能稳定工作，要求使用的PCB板层数在6层以上，否则 内存在工作时会出现不稳定的情况。
4.1.1 内存的作用
• 内存（Memory）也被称为内存储器，其作用是用于暂时存放CPU中的运算数据，以及与硬盘等外部存储 器交换的数据。只要计算机在运行中，CPU就会把需要运算的数据调到内存中进行运算，当运算完成后 CPU再将结果传送出来，内存的运行也决定了计算机的稳定运行。
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内存的外观
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4.1.3 内存的分类
• 按照内存的工作原理可将内存分为RAM和ROM两类。 • 按表现形式可分为RAM、ROM和Cache三大类。
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ROM（Read Only Memory，只读存储器）
• ROM的特点是价格高、容量小，而且一般只能从中读取信息而不能写入信息。但是ROM保存的数据在断电 后可保持不变，因此多用于存放一次性写入的程序或数据，如用于存储主板和显卡BIOS芯片的相关信息。
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3.速度的选择
• 目前DDR2内存的主流都是DDR2 800，这种类型的内存提供了比 较大的带宽，对系统性能的提升也是比较明显的。因此，选购内存 时建议选择DDR2 800以上内存。
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4. 注意内存的品牌
由于内存的生产相对
计算机内存知识详解ppt课件
3）SDRAM（同步动态随机存储器）
SDRAM（Synchronous Dynamic RAM）采用一 种双存储体结构，它的工作频率与CPU的外频 一样。SDRAM内存的规格有PC 100，PC 133和 PC 150等，其中的数字表示内存工作的时钟频 率。SDRAM内存一般按照其工作频率来命名， SDRAM除了作为内存存储芯片外还可以作为显 卡的存储芯片。SDRAM在目前的零售市场中几 乎难以看到，更多时候出现在二手市场。
4.1.1 内存的作用
内存（Memory）也被称为内存储器，其 作用是用于暂时存放CPU中的运算数据， 以及与硬盘等外部存储器交换的数据。只 要计算机在运行中，CPU就会把需要运算 的数据调到内存中进行运算，当运算完成 后CPU再将结果传送出来，内存的运行也 决定了计算机的稳定运行。
4.1.2 内存的外观
计算机内存知 识详解
本课要点
内存的分类 内存的封装方式 内存的性能指标 内存选购指南
具体要求
了解内存的外观 掌握内存的分类 了解内存的封装方式 掌握内存的性能指标 掌握内存的选购
本章导读
内存是计算机运行的核心组件之一，计算 机中所有程序的运行都是在内存中进行的， 因此内存对系统的性能和稳定有着非常大 的影响。本课将介绍内存的相关知识，包 括内存的作用、内存的外观、内存的种类、 内存芯片的封装方式对内存性能的影响以 及影响内存性能的指标，最后将介绍如何 选购内存。
内存是由内存芯片、电路板、金手指等部分组 成的。
内存的几个重要组成部分的作用如下所述。 内存芯片：是内存中最重要的元件，用于临时
存储数据。 电路板：用于承载和焊接内存芯片的PCB板。 金手指：是内存与主板进行连接的“通道”。 内存卡槽：用于将内存固定在内存插槽中。 内存缺口：与内存插槽中的防凸起设计配对，
内存基础知识-PPT精品文档
内存的分类
我们通常所说的内存就是指RAM，根 据结构和工作原理 RAM又可分为两类： 静态RAM（Static RAM ）和动态RAM （Dynamic RAM ）。 动态RAM 静态RAM 两者比较
内存数据存放形式
以队列方式进行组织 适合内存容量小，CPU速度比较慢的场合。 采用一维形式，地址作为一个整体。 以阵列方式进行组织 采用二维形式，指标
时钟周期TCK CAS延迟时间（CL） CL=2，CL=3 存取时间（TAC） 内存总延迟时间 =TCK*CL+TAC
CAS的延迟时间
这是纵向地址脉冲的反应时间,也是在一 定频率下衡量支持不同规范内存的重要标 志之一。比如现在大多数的SDRAM在外 频为100MHz时都能运行于CAS Latency = 2或3的模式下，这时的读取数据的延迟时 间可以是二个时钟周期也可以是三个时钟 周期，若为二个时钟周期就会有更高的效 能。
EDO(Extended Data Out)
EDO(扩展数据输出)内存取消了主板与内存 两个存储周期之间的时间间隔，每隔2个时 钟脉冲周期传输一次数据，大大地缩短了存 取时间，使存取速度提高30％，达到60ns。 EDO内存主要用于72线的SIMM内存条，以 及采用EDO内存芯片的PCI显示卡。
ECC
ECC(Error Correction Coding或Error Checking and Correcting)是一种具有自动纠错功能的内 存，但由于ECC内存成本比较高，所以主要 应用在要求系统运算可靠性比较高的商业计 算机中，一般的家用与办公计算机也不必采 用ECC内存。
TAC
TAC(Access time from CLK)是最大CAS 延迟时的最大数输入时钟，PC 100规范 要求在CL=3时TAC不大于6ns。某些内存 编号的位数表示的是这个值。目前大多 数SDRAM芯片的存取时间为5、6、7、8 或10ns。
第05章内存-ppt
金手指直接影响内存在长期运行过程中的稳定性 如果金手指的制作工艺有问题，安装时容易受到磨损， 工作一段时间以后就会出现金手指表面氧化的情况，经 常导致系统不稳定，频繁死机 如果PC系统周围的使用环境比较潮湿、多尘，那么也容 易出现上述的症状
5.6.7 奇偶校验和ECC
内存错误通常分为两大类：硬错误（hard fail）和软错误 （soft error） 软错误的产生原因：电源不稳或电压抖动 、内存的参数设 置不正确、无线电波干扰、静电放电、宇宙射线干扰等
5.3 内存芯片的封装
mBGA Micro Ball Grid Array Package微型球栅阵列封装 是BGA的改进版 封装呈正方形，内存芯片的面积比较小 内存芯片的针脚都在芯片下部，连接短、电气性能好、也不易受干 扰，带来更好的散热及超频性能
5.4 内存模块与插槽
DIMM DIMM有三种类型，通常使用标准SDRAM、DDR-SDRAM或DDR2SDRAM芯片 这三种类型可以通过其物理特性加以区分 • 标准DIMM有168针，每一面都有1个槽口，在连接的地方还有2 个槽口 • DDR DIMM有184针，每一面有2个槽口，在连接的地方只有1个 槽 • DDR2 DIMM有240针，每一面都有2个槽口，在连接的地方有1 个槽口，位置比DDR偏向中间的位置大概2-3mm DIMM都是64位（非奇偶校验）或72位（奇偶校验或纠错码ECC） 宽
5.6.5 内存模块的SPD芯片
从PC100标准开始内存模块上带有SPD（Serial Presence Detect，串行存在检测）芯片 SPD芯片一般位于内存模块正面右侧，是一块8针脚小芯片， 容量为256字节,里面保存着内存的速度、时钟频率、容量、 工作电压、CAS、tRCD、tRP、tAC、SPD版本等信息 SPD信息一般都是在出厂前，由内存模块制造商根据内存 芯片的实际性能写入到芯片中
5.6.7 奇偶校验和ECC
内存错误通常分为两大类：硬错误（hard fail）和软错误 （soft error） 软错误的产生原因：电源不稳或电压抖动 、内存的参数设 置不正确、无线电波干扰、静电放电、宇宙射线干扰等
5.3 内存芯片的封装
mBGA Micro Ball Grid Array Package微型球栅阵列封装 是BGA的改进版 封装呈正方形，内存芯片的面积比较小 内存芯片的针脚都在芯片下部，连接短、电气性能好、也不易受干 扰，带来更好的散热及超频性能
5.4 内存模块与插槽
DIMM DIMM有三种类型，通常使用标准SDRAM、DDR-SDRAM或DDR2SDRAM芯片 这三种类型可以通过其物理特性加以区分 • 标准DIMM有168针，每一面都有1个槽口，在连接的地方还有2 个槽口 • DDR DIMM有184针，每一面有2个槽口，在连接的地方只有1个 槽 • DDR2 DIMM有240针，每一面都有2个槽口，在连接的地方有1 个槽口，位置比DDR偏向中间的位置大概2-3mm DIMM都是64位（非奇偶校验）或72位（奇偶校验或纠错码ECC） 宽
5.6.5 内存模块的SPD芯片
从PC100标准开始内存模块上带有SPD（Serial Presence Detect，串行存在检测）芯片 SPD芯片一般位于内存模块正面右侧，是一块8针脚小芯片， 容量为256字节,里面保存着内存的速度、时钟频率、容量、 工作电压、CAS、tRCD、tRP、tAC、SPD版本等信息 SPD信息一般都是在出厂前，由内存模块制造商根据内存 芯片的实际性能写入到芯片中
《内存基础知识》课件
《内存基础知识》 ppt课件
目录
CONTENTS
• 内存的定义与作用 • 内存的工作原理 • 内存的性能指标 • 内存的常见问题与解决方案 • 内存技术的发展趋势 • 总结与展望
01 内存的定义与作用
什么是内存
内存是计算机中用于存储数据 和指令的硬件设备，是计算机 的重要组成部分。
内存通常由一系列存储单元组 成，每个存储单元可以存储一 个字节或多个字节的数据。
储设备更好地协同工作，以提高数据读写速度和效率。
感谢您的观看
THANKS
写操作
当CPU需要写入数据时，它会向内存 发出地址信号和数据信号，内存会根 据地址信号找到对应的存储单元，并 将数据存储到该单元中。
内存的存储单元
01
每个存储单元可以存储一个字节 的数据，是内存中最小的存储单 位。
02
存储单元的大小和数量决定了内 存的容量和性能。
内存的寻址方式
直接寻址
CPU直接给出内存地址，通过该地址找到对应的存储 单元。
VS
详细描述
内存延迟是衡量内存性能的重要指标之一 ，它反映了内存处理指令的速度。较小的 延迟可以提供更好的性能，使得计算机能 够更快地响应指令和执行操作。
内存带宽
总结词
内存带宽是指内存条每秒传输的数据量，通常以MB/s为单位表示。
详细描述
内存带宽决定了计算机处理大量数据的能力。较大的带宽可以提供更好的数据传输性能，使得计算机在处理复杂 任务和大数据量时更加高效。
内存溢
总结词
内存溢出是指程序申请的内存空间超过了系统可分配的内存上限， 导致程序无法正常运行。
详细描述
内存溢出通常是由于程序中申请了过多内存，或者申请的内存块大 小超过了系统允许的最大值。
目录
CONTENTS
• 内存的定义与作用 • 内存的工作原理 • 内存的性能指标 • 内存的常见问题与解决方案 • 内存技术的发展趋势 • 总结与展望
01 内存的定义与作用
什么是内存
内存是计算机中用于存储数据 和指令的硬件设备，是计算机 的重要组成部分。
内存通常由一系列存储单元组 成，每个存储单元可以存储一 个字节或多个字节的数据。
储设备更好地协同工作，以提高数据读写速度和效率。
感谢您的观看
THANKS
写操作
当CPU需要写入数据时，它会向内存 发出地址信号和数据信号，内存会根 据地址信号找到对应的存储单元，并 将数据存储到该单元中。
内存的存储单元
01
每个存储单元可以存储一个字节 的数据，是内存中最小的存储单 位。
02
存储单元的大小和数量决定了内 存的容量和性能。
内存的寻址方式
直接寻址
CPU直接给出内存地址，通过该地址找到对应的存储 单元。
VS
详细描述
内存延迟是衡量内存性能的重要指标之一 ，它反映了内存处理指令的速度。较小的 延迟可以提供更好的性能，使得计算机能 够更快地响应指令和执行操作。
内存带宽
总结词
内存带宽是指内存条每秒传输的数据量，通常以MB/s为单位表示。
详细描述
内存带宽决定了计算机处理大量数据的能力。较大的带宽可以提供更好的数据传输性能，使得计算机在处理复杂 任务和大数据量时更加高效。
内存溢
总结词
内存溢出是指程序申请的内存空间超过了系统可分配的内存上限， 导致程序无法正常运行。
详细描述
内存溢出通常是由于程序中申请了过多内存，或者申请的内存块大 小超过了系统允许的最大值。
第04章内存-PPT课件
第4章 内存
4.2 内存储器的分类
1）只读存储器（ROM） 特点：存储的数据掉电不丢失，且只可读取不可写入。
（1）FROM(掩模式自读存储器)其内容出厂时即固化并永远不变。
（2）PROM（可编程ROM）其内容由用户自己用专用设备一次性写入，以后永远不变。 （3）EPROM： （多次擦写可编程ROM）其内容可用专用设备擦除并重写，一旦写 入即相对固定。 （4）EEPROM： （电擦写可编程ROM）其内容可用软件改写，一旦写入即相对固定。 （5）FlashROM： （闪存）其内容可用软件改写，一旦写入即相对固定。
第4章 内存
（2）SRAM 静态RAM，用半导体管导通和截止两种状态存放二值数字“0”和“1”。 因为信息保存靠消耗电功率来维持，所以SRAM发热量大、集成度低、 成本高，但因无需刷新，故读取速度比DRAM快。高速缓存Cache采用SRAM。 ROM和RAM以及DRAM和SRAM的对比图
第4章 内存
4.3 内存
按照内存所在位置来区分，又分为系统内存、显示内存等，本章所提的内 存是指系统内存，即平日常说的内存条。 1）内存的组成 内存主要由印刷电路板、内存颗粒、SPD芯片、金手指等组成。 （1）印刷电路板（PCB） 4层或6层电路板，内部有金属布线，类似主板电路板。 （2）内存颗粒 内存的核心，决定内存的性能、速度、容量等，也叫内存芯片。 （3）SPD芯片 是一块ROM芯片，主要记录内存基本设置及相关信息。 主板就是通过这块SPD芯片去识别内存。 （4）金手指 内存与插槽的物理连接点，不同规格的内存金手指数量不同。
第4章 内存
4.1 存储设备简介
疑问一：什么叫存储器？ 是计算机系统中的记忆设备，用来存放数据。 包括原始数据、中间运行结果和最终运行结果等所有计算机信息均保存在 由控制器指定的存储器中。 存储器分内存储器（或称主存储器），简称内存（主存）；外存储器（或 称辅助存储器），简称外存（辅存）。 疑问二：主存和外存有什么区别？ 主存是CPU能直接访问的存储器，数据只有存放在主存中，才能被CPU使用。 比如：内存、高速缓存等。 外存是CPU不能直接访问的存储器，存放暂时不用但将来也许会用的数据。 比如：硬盘、软盘、光盘、闪存盘等。 CPU要和外存访问，必须通过第三方接口才可以，比如光驱、读卡器、I/O 设备等。
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BANK 片选 地址线 数据线 数据选通
For x16：LDQS/UDQS For x8/x4:DQS
14
DDR2信号描述
信号 CK/CK# CKE CS# ODT RAS#，CAS#，WE# DM UDM/LDM
BA0-BA2 A0-A15
DQ DQ S/DQ S# RDQ S/RDQ S# UDQ S/UDQ S# LDQ S/LDQS# VDDQ/VDDL/VDD/VREF VSSQ/VSSDL/VSS
4 无 无
(-55)-125 TSOP/FBGA
256/512/1Gb x4/x8/x16 4 无 单端
256/512/1Gb/2Gb x4/x8/x16 4/8
ODT (optional) 差分/单端
0-70 (-40)-85 TSOP/FBGA
0-85 (-40)-95 FBGA
1Gb/2Gb x4/x8/x16
数据传输率(MHz)
66/100/133
200/266/333/400 400/533/667/800 800/1066/1333/1600
密度(Mb)
位宽(bit) BANK
Termination DATA Strobe
System Synchronization 储存温度(摄氏度)
封装
64/128/256/512 x4/x8/x16/x32
频率：如DDR2等效工作频率400/533/667/800对应实际 时钟频率为100/133/166/200MHz
4
内 存 的 仓 库 解 释
5
2. 内存种类
DIMM内存条
168Pin SDRAM 两个卡口 工作电压 3.3V
184Pin DDR 工作电压 2.5V
240 pin DDR2 工作电压 1.8V
/Memory/
/
/
/
/ghp_japan
/
/
/
10
内存代码含义
SDRAM （以时钟频率来命名） PC100 PC133
DDR（DDR/DDR2/DDR3以数据传输率命名，单位 MB/s） PC 1600---〉 DDR200 (64bit×100MHz×2÷8＝1600MB/s) PC 2100---〉 DDR266 （64bit×133MHz×2÷8＝2128MB/s） PC 2700---〉 DDR333 PC 3200 ---〉DDR400
11
3. 几种内存的区别及信号描述
SDR/DDR/DDR2/DDR3区别
SDR
DDR
DDR2
DDR3
工作电压(V)
3.3 (LVTTL标准) 2.5 (SSTL2标准) 1.8 (SSTL_18)
1.5V
CLOCK 频率(MHz)
66/100/133
100/133/167/200 100/133/167/200 100/133/167/200
描述
CLOCK Input
Clock Enable
RANK Select On die termination 可通过设置寄存器EMR(1)使能内部端接电阻 行选通，列选通，写输入使能
Write data mask: DM for ×4 ×8 DMU/DML for ×16
BANK SELECT Address input:提供行地址，列地址，读写命令的预充电位 在预充电命令期间，A10为低，只对一个BANK充电；A10为高时，对所有
/pc/dnyjcs/
/pc/dnyjcs//cn
/
/
启动时钟，在VDD/VDDL/VDDQ/VREF/VTT稳定后至少200us，CK/CK#稳定，执行NOP， 并将CKE=High。
400us后，执行Precharge All。 EMRS to EMR(2).(BA0=BA2=Low，BA1=High) EMRS to EMR(3).(BA2=Low，BA0=BA1=High) EMRS—〉使能DLL。 MRS—〉reset DLL。 Precharge all. Auto-refresh 2 or more. MRS（A8=Low）.初始化 Device。 OCD Calibration，exit OCD Calibration mode。 DDR2 SDRAM 初始化完成。
差分时钟
时钟使能
CS# RAS# CAS# WE#
DM LDM/UDM
BA0/BA1 A0—A13 DQ DQS LDQS/UDQS VDDQ/VDD/VREF VSSQ/VSS
I I
I
I I I/O I/O
电源 地
片选
行地址选通 列地址选通 写使能
DQ Mask.写屏蔽 For x16：LDM/UDM For x8/x4:DM
8 ODT 差分/单端 Master Reset (-55)-100 FBGA 12
SDR信号描述
Symbol A[n:0] BA0(A13) BA1(A12) CLK CKE RAS# CS# CAS# WE#
Type I
I
I I I I I
DQM,DQML/DQMH
I
DQ(x:0) VCC/VCCQ VSS/VSSQ
6
SODIMM内存条
144Pin SDRAM 工作电压 3.3V
200 pin DDR 工作电压 2.5V
200 pin DDR2 工作电压 1.8V
7
Micro-DIMM内存条 用于笔记本
172 pin DDR 工作电压 2.5V
214 pin DDR2 工作电压 1.8V
8
MINI Registered DIMM内存条 用于笔记本
244 pin DDR2 工作电压 1.8V
9
内存主要厂商
内存芯片及内存条生产 厂商 KINGMAX（胜创） HyunDai（现代） Kingston(金士顿) Adata(威刚) Infineon(英飞凌) LGS（高士达） Micron（麦康） Samsung（三星） NEC Toshiba（东芝）
WRA
RDA
Precharging
17
DDR2 内存基本时序(JESD79-2E)
DDR2 SDRAM内部有4个模式配置寄存器： MR/EMR(1)/EMR(2)/EMR(3)
向4个寄存器中写入相应的值，也就是命令，即配置了DDR2 SDRAM 的工作参数。
命令的写入是通过地址线和BA片选线实现。
不断的充电，也叫刷新(Refresh)。 SDRAM：Synchronous DRAM 同步动态随机存储器，64位带宽，3.3V工作
电压。 DDR：Double Data Rate SDRAM 双倍速率同步动态随机存储器。 DDR2： Double Data Rate2 SDRAM 4倍速率同步动态随机存储器。 DDR3： Double Data Rate3 SDRAM 8倍速率同步动态随机存储器。 SIMM：single inline memory module 单列直插内存模组，内存条两侧金手
BANK预充电
Data input/output
Data strobe: ×4 DQ S/DQ S# ×8 DQ S/DQ S# RDQ S/RDQ S#(可配置为一对或两对选通) ×16 UDQ S/UDQ S#(对应DQ8-DQ15) LDQ S/LDQ S#(对应DQ0-DQ7)
POWER
GND
指提供相同信号，一次最高传输32bit数据。 DIMM：dual inline memory module 双列直插内存模块，金手指两侧各自独
立传输信号。
3
位宽：内存芯片颗粒的数据线位数，目前常用有x4，x8， x16三种。
BANK：颗粒内部的存储阵列，一个阵列就是一个BANK， 目前主要有4BANK和8BANK。
内存设计相关知识总结
RD中心SBC组 王海
1
内容
内存相关名词解释 内存种类 内存区别及信号描述 内存基本时序 内存设计 Example
2
1.名词解释
RAM：随机存储器 ROM：只读存储器 SRAM：Static RAM 静态随机存储器，利用双稳态触发器保存信息。 DRAM：Dynamic RAM 动态随机存储器，利用电容充放电保存信息，需要
I/O Power GND
Description1 地址信号
BANK片选与地址复用
时钟 时钟使能 行地址选通 片选 列地址选通 写使能 DQ Mask.写屏蔽 For x16：DQML/DQMH For x8/x4:DQM 数据信号
13
DDR信号描述
Symbol
CK/CK#
Type
CKE
I
Description1
Siemens（西门子） Mitsubishi（三菱） Fujitsu（富士通）
Hitachi（日立） TI（德州仪器）
厂商网址
/
http://kcs.hei.co.kr/models/
/pc/dnyjcs/
BA2 BA1 BA0 A13- A12 A11 A10 A9 A8 A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0 A15
向上述表格中信号写入不同的值即实现了对各个 寄存器命令的写入
18
初始化
上电时，CKE=ODT=Low，VDD/VDDL/VDDQ来自同一Power Source，VTT<0.95V， VREF=VDDQ/2，待VDDQ>VDDQmin时，完成上电。
描述
CLOCK Input
Clock Enable
RANK Select
On die termination 可通过设置寄存器EMR(1)使能内部端接电阻
行选通，列选通，写输入使能
For x16：LDQS/UDQS For x8/x4:DQS
14
DDR2信号描述
信号 CK/CK# CKE CS# ODT RAS#，CAS#，WE# DM UDM/LDM
BA0-BA2 A0-A15
DQ DQ S/DQ S# RDQ S/RDQ S# UDQ S/UDQ S# LDQ S/LDQS# VDDQ/VDDL/VDD/VREF VSSQ/VSSDL/VSS
4 无 无
(-55)-125 TSOP/FBGA
256/512/1Gb x4/x8/x16 4 无 单端
256/512/1Gb/2Gb x4/x8/x16 4/8
ODT (optional) 差分/单端
0-70 (-40)-85 TSOP/FBGA
0-85 (-40)-95 FBGA
1Gb/2Gb x4/x8/x16
数据传输率(MHz)
66/100/133
200/266/333/400 400/533/667/800 800/1066/1333/1600
密度(Mb)
位宽(bit) BANK
Termination DATA Strobe
System Synchronization 储存温度(摄氏度)
封装
64/128/256/512 x4/x8/x16/x32
频率：如DDR2等效工作频率400/533/667/800对应实际 时钟频率为100/133/166/200MHz
4
内 存 的 仓 库 解 释
5
2. 内存种类
DIMM内存条
168Pin SDRAM 两个卡口 工作电压 3.3V
184Pin DDR 工作电压 2.5V
240 pin DDR2 工作电压 1.8V
/Memory/
/
/
/
/ghp_japan
/
/
/
10
内存代码含义
SDRAM （以时钟频率来命名） PC100 PC133
DDR（DDR/DDR2/DDR3以数据传输率命名，单位 MB/s） PC 1600---〉 DDR200 (64bit×100MHz×2÷8＝1600MB/s) PC 2100---〉 DDR266 （64bit×133MHz×2÷8＝2128MB/s） PC 2700---〉 DDR333 PC 3200 ---〉DDR400
11
3. 几种内存的区别及信号描述
SDR/DDR/DDR2/DDR3区别
SDR
DDR
DDR2
DDR3
工作电压(V)
3.3 (LVTTL标准) 2.5 (SSTL2标准) 1.8 (SSTL_18)
1.5V
CLOCK 频率(MHz)
66/100/133
100/133/167/200 100/133/167/200 100/133/167/200
描述
CLOCK Input
Clock Enable
RANK Select On die termination 可通过设置寄存器EMR(1)使能内部端接电阻 行选通，列选通，写输入使能
Write data mask: DM for ×4 ×8 DMU/DML for ×16
BANK SELECT Address input:提供行地址，列地址，读写命令的预充电位 在预充电命令期间，A10为低，只对一个BANK充电；A10为高时，对所有
/pc/dnyjcs/
/pc/dnyjcs//cn
/
/
启动时钟，在VDD/VDDL/VDDQ/VREF/VTT稳定后至少200us，CK/CK#稳定，执行NOP， 并将CKE=High。
400us后，执行Precharge All。 EMRS to EMR(2).(BA0=BA2=Low，BA1=High) EMRS to EMR(3).(BA2=Low，BA0=BA1=High) EMRS—〉使能DLL。 MRS—〉reset DLL。 Precharge all. Auto-refresh 2 or more. MRS（A8=Low）.初始化 Device。 OCD Calibration，exit OCD Calibration mode。 DDR2 SDRAM 初始化完成。
差分时钟
时钟使能
CS# RAS# CAS# WE#
DM LDM/UDM
BA0/BA1 A0—A13 DQ DQS LDQS/UDQS VDDQ/VDD/VREF VSSQ/VSS
I I
I
I I I/O I/O
电源 地
片选
行地址选通 列地址选通 写使能
DQ Mask.写屏蔽 For x16：LDM/UDM For x8/x4:DM
8 ODT 差分/单端 Master Reset (-55)-100 FBGA 12
SDR信号描述
Symbol A[n:0] BA0(A13) BA1(A12) CLK CKE RAS# CS# CAS# WE#
Type I
I
I I I I I
DQM,DQML/DQMH
I
DQ(x:0) VCC/VCCQ VSS/VSSQ
6
SODIMM内存条
144Pin SDRAM 工作电压 3.3V
200 pin DDR 工作电压 2.5V
200 pin DDR2 工作电压 1.8V
7
Micro-DIMM内存条 用于笔记本
172 pin DDR 工作电压 2.5V
214 pin DDR2 工作电压 1.8V
8
MINI Registered DIMM内存条 用于笔记本
244 pin DDR2 工作电压 1.8V
9
内存主要厂商
内存芯片及内存条生产 厂商 KINGMAX（胜创） HyunDai（现代） Kingston(金士顿) Adata(威刚) Infineon(英飞凌) LGS（高士达） Micron（麦康） Samsung（三星） NEC Toshiba（东芝）
WRA
RDA
Precharging
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DDR2 内存基本时序(JESD79-2E)
DDR2 SDRAM内部有4个模式配置寄存器： MR/EMR(1)/EMR(2)/EMR(3)
向4个寄存器中写入相应的值，也就是命令，即配置了DDR2 SDRAM 的工作参数。
命令的写入是通过地址线和BA片选线实现。
不断的充电，也叫刷新(Refresh)。 SDRAM：Synchronous DRAM 同步动态随机存储器，64位带宽，3.3V工作
电压。 DDR：Double Data Rate SDRAM 双倍速率同步动态随机存储器。 DDR2： Double Data Rate2 SDRAM 4倍速率同步动态随机存储器。 DDR3： Double Data Rate3 SDRAM 8倍速率同步动态随机存储器。 SIMM：single inline memory module 单列直插内存模组，内存条两侧金手
BANK预充电
Data input/output
Data strobe: ×4 DQ S/DQ S# ×8 DQ S/DQ S# RDQ S/RDQ S#(可配置为一对或两对选通) ×16 UDQ S/UDQ S#(对应DQ8-DQ15) LDQ S/LDQ S#(对应DQ0-DQ7)
POWER
GND
指提供相同信号，一次最高传输32bit数据。 DIMM：dual inline memory module 双列直插内存模块，金手指两侧各自独
立传输信号。
3
位宽：内存芯片颗粒的数据线位数，目前常用有x4，x8， x16三种。
BANK：颗粒内部的存储阵列，一个阵列就是一个BANK， 目前主要有4BANK和8BANK。
内存设计相关知识总结
RD中心SBC组 王海
1
内容
内存相关名词解释 内存种类 内存区别及信号描述 内存基本时序 内存设计 Example
2
1.名词解释
RAM：随机存储器 ROM：只读存储器 SRAM：Static RAM 静态随机存储器，利用双稳态触发器保存信息。 DRAM：Dynamic RAM 动态随机存储器，利用电容充放电保存信息，需要
I/O Power GND
Description1 地址信号
BANK片选与地址复用
时钟 时钟使能 行地址选通 片选 列地址选通 写使能 DQ Mask.写屏蔽 For x16：DQML/DQMH For x8/x4:DQM 数据信号
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DDR信号描述
Symbol
CK/CK#
Type
CKE
I
Description1
Siemens（西门子） Mitsubishi（三菱） Fujitsu（富士通）
Hitachi（日立） TI（德州仪器）
厂商网址
/
http://kcs.hei.co.kr/models/
/pc/dnyjcs/
BA2 BA1 BA0 A13- A12 A11 A10 A9 A8 A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0 A15
向上述表格中信号写入不同的值即实现了对各个 寄存器命令的写入
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初始化
上电时，CKE=ODT=Low，VDD/VDDL/VDDQ来自同一Power Source，VTT<0.95V， VREF=VDDQ/2，待VDDQ>VDDQmin时，完成上电。
描述
CLOCK Input
Clock Enable
RANK Select
On die termination 可通过设置寄存器EMR(1)使能内部端接电阻
行选通，列选通，写输入使能