4.1静态存储器扩展实验
硬件实验四 存储器扩展
实验四存储器
实验要求:
用所给的1*1bit存储器的电路,构成一个2*4bit的存储器电路。
其中输入数据用开关，输出用指示灯（或发光二极管）。
验证实验结果，需记录实验结果。
叙述字扩展和位扩展的基本原理。
注意：实际的存储器一般是输入输出数据线是合用的。
R/W端高电平为读操作,低电平为写操作。
片选信号为高电平即为选中。
实验报告要求
1．实验目的
2．实验原理（详细说明什么是字扩展，什么是位扩展，本实验应用的是什么扩展。
实验逻辑图）
3．实验结果记录和分析：参考电路图
4．实验心得
5．思考题
a.本实验存储器电路的寻址范围是多少？容量是多少？
b.实验存储器电路中哪些线可作为地址线？共几位？为什么？
c.如果用本实验构成的2*4bit存储器电路作为一个存储器单元，再构成一4*8bit
的存储器电路，应该如何连接？请画出逻辑框图。
静态存储器 实验报告
静态存储器实验报告静态存储器实验报告引言：静态存储器（Static Random Access Memory，简称SRAM）是一种常见的存储器类型，具有快速读写速度和稳定性等优点。
在本次实验中，我们将对SRAM 进行测试和分析，以评估其性能和可靠性。
实验目的：1. 了解静态存储器的基本原理和工作方式；2. 测试SRAM的读写速度和稳定性；3. 分析SRAM的性能特点和应用范围。
实验步骤：1. 准备工作：搭建SRAM测试平台，包括电源、控制电路和数据输入输出接口等；2. 读写速度测试：通过控制电路发送读写指令，并记录SRAM的读写时间；3. 稳定性测试：连续进行大量的读写操作，并观察SRAM的稳定性表现；4. 性能分析：根据测试结果，分析SRAM的读写速度、稳定性和功耗等性能指标。
实验结果：1. 读写速度：经过多次测试，我们得出了SRAM的平均读写速度为XX ns。
这一速度相对较快，适用于对存储器响应速度要求较高的应用场景。
2. 稳定性：在连续读写测试中，SRAM表现出了较好的稳定性，未出现数据丢失或错误的情况。
这证明了SRAM在数据存储和传输过程中的可靠性。
3. 功耗：SRAM在读写操作时会消耗一定的功耗，但相对于动态存储器（DRAM）而言，SRAM的功耗较低。
这使得SRAM在低功耗要求的电子设备中具有一定的优势。
讨论与分析：1. SRAM的优点：相对于动态存储器，SRAM具有读写速度快、稳定性高和功耗低等优点。
这使得SRAM在高性能计算机、嵌入式系统和高速缓存等领域得到广泛应用。
2. SRAM的缺点：与之相对应的是，SRAM的成本较高。
由于SRAM采用了更复杂的电路结构，导致其制造成本较高。
这使得SRAM在大容量存储器领域的应用受到一定的限制。
3. SRAM的应用范围：由于SRAM的快速读写速度和稳定性，它在高性能计算领域得到了广泛应用。
同时，由于SRAM的低功耗特性，它也适用于移动设备、物联网和嵌入式系统等低功耗要求的场景。
存储器扩展实验｜计算机原理存储器扩展实验word版
存储器扩展实验
一、实验目的
掌握单片机系统中存储器扩展方式。
二、实验设备
TDN86/51教学实验系统一台
三、实验内容及步骤
1、实验电路如图所示，扩展的外部数据存储器6264的地址范围为
6000H-7FFFH,共8K字节。
将片内
RAM40H-4FH单元中的6个数据，传送到外部RAM7000H-7FFFH单元中，然后翻读到片内RAM的50H-5FH单元中。
2、实验程序如下
ORG 0000H
LJMP MAIN
ORG 1000H MAIN: MOV R0, #40H MOV R2, #10H MOV DPTR, #7000H L1: MOV A, @R0 MOVX @DPTR, A INC R0
INC DPTR
DJNZ R2, L1
MOV R0, #50H
MOV DPTR, #7000H MOV R2, #10H
L2: MOVX A, @DPTR MOV @R0, A
INC R0
INC DPTR
DJNZ R2, L2
L3: SJMP L3
END
实验步骤
（1）按图接线。
（2）输入程序检查无错误，经汇编、连接后装入系统。
（3）在101AH处设断点。
（4）用R07**命令在40H-4FH单元中送入16个数。
（5）GB=0000运行程序。
（6）用R07**命令检查50H-5FH单元中的内容是否与40H-4FH单元一致。
实验四 存储器扩展实验
实验四存储器扩展实验一、实验目的1．掌握存储器扩展的基本方法及存储器接口地址的设置。
2．了解80X86微型机计算机的存储空间分配。
3．熟悉静态存储器6264的使用方法。
4．掌握存储器的读写原理。
二、实验任务1．在80X86微型计算机上扩展8K字节的RAM。
编制存储器的测试程序，从0单元开始写入数据，首先写0，然后地址每增1，数据都加1，当数据加到FFH后再从0开始，直到存储器的8K字节写满为止；每写入一个数据读出比较一次，若写入的数据与读出的数据相等，则继续；否则显示出错信息。
2．利用DEBUG调试程序中的F命令，将“FFH”填充到6264RAM中C000段的0000H～0FFFH单元中，而将“00H”填充到同一段的1000H～1FFFH单元中，再检查该段0000H～1FFFH单元的内容。
三、实验设备器材1．80X86系列微型计算机一台。
2．微机硬件实验平台。
3．存储器芯片6264及基本门电路若干。
四、实验准备1．预习存储器6264芯片的使用方法。
2．预习存储器扩展的方法，了解80X86系列微型计算机的内存空间分配。
3．设计存储器扩展的接口电路，画出连线图。
4．根据实验任务要求，编写源程序。
五、实验原理提示1．对于存储器的扩展设计，首先要确定存储器的结构和存储器芯片。
本实验扩展8KB RAM，可以采用单存储体结构；选用6264芯片。
6264芯片的管脚图如图1所示。
6264的引脚分为以下三部分：①地址线A0～A12，可访问213个存储单元②数据线D0～D7②控制线：片选信号CE、写信号WE、输出允许信号OE接着进行存储器接口电路的设计。
这也是扩展存储器设计的关键。
在80286以上微型计算机中，用户可用的内存空间为0C0000H～0DFFFFH（可查附录2内存分配表）128KB。
扩展的8KB内存可以从C0000H开始。
设地址范围为C0000H～C1FFFH，可写出地址位图如下。
A19 A18 A17 A16 A15 A14 A13 A12 A11 A10 A9 A8 A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A01 1 0 0 0 0 0高位地址译码选片低位地址直接相连那么对高位地址总线的译码，产生存储器的片选信号；低位地址直接与芯片的地址线相连，实验电路可参考框图2。
微机原理实验---存储器的扩展实验
深圳大学实验报告课程名称：_____________ 微机计算机设计__________________实验项目名称：静态存储器扩展实验______________学院：_________________ 信息工程学院____________________专业：_________________ 电子信息工程____________________指导教师：____________________________________________报告人：________ 学号：2009100000班级：＜1＞班实验时间：_______ 2011.05. 05实验报告提交时间：2011. 05. 31教务处制一、实验目的1. 了解存储器扩展的方法和存储器的读/ 写。
2. 掌握CPU寸16位存储器的访问方法。
二、实验要求编写实验程序，将OOOOH H OOOFH共16个数写入SRAM的从0000H起始的一段空间中，然后通过系统命令查看该存储空间，检测写入数据是否正确。
三、实验设备PC 机一台，TD-PITE 实验装置或TD-PITC 实验装置一套。
四、实验原理1、存储器是用来存储信息的部件，是计算机的重要组成部分，静态RAM是由MOS 管组成的触发器电路，每个触发器可以存放1 位信息。
只要不掉电，所储存的信息就不会丢失。
此，静态RAM工作稳定，不要外加刷新电路，使用方便。
2、本实验使用两片的62256芯片，共64K字节。
本系统采用准32位CPU具有16 位外部数据总线，即D0 D1、…、D15,地址总线为BHE^(#表示该信号低电平有效)、BLE#、A1、A2、…、A20。
存储器分为奇体和偶体，分别由字节允许线BH四和BLE#选通。
存储器中，从偶地址开始存放的字称为规则字，从奇地址开始存放的字称为非规则字。
处理器访问规则字只需要一个时钟周期，BH即和BLE #同时有效，从而同时选通存储器奇体和偶体。
存储器扩展实验.
实验一存储器扩展实验一、实验目的1、学习掌握存储器扩展方法和存储器读/写。
2、掌握存储器地址译码方法。
3、了解6264RAM特性。
二、实验设备1、TDN86/51或TDN86/88教学实验系统一套2、排线、导线若干三、实验内容及步骤（共2个实验）1、扩展存储器的地址编码2、存储器扩展实验（1）、按实验（1）线路图所示编写程序，通过8255产生适当的时序对6264RAM进行读/写。
实验程序如下：STACK SEGMENT STACK DW 64 DUP(?) STACK ENDSCODE SEGMENTASSUME CS:CODESTART: MOV BX,3000H MOV DX,0E010HMOV CX,0010HMOV AL,80HOUT 63H,ALA1: MOV AL,DHOUT 62H,ALMOV AL,DLOUT 61H,ALMOV AL,[BX]OUT 60H,ALMOV AL,0CHOUT 63H,ALMOV AL,0DHOUT 63H,ALINC BXINC DXLOOP A1MOV AL,90HOUT 63H,ALMOV BX,3000HMOV CX,0010HMOV DX,0E010HMOV SI,4000HA2: MOV AL,DHOUT 62H,ALMOV AL,DLOUT 61H,ALMOV AL,0EHOUT 63H,ALIN AL,60HMOV [SI],ALCMP AL,[BX]JNZ A4MOV AL,0FHOUT 63H,ALINC SIINC BXINC DXLOOP A2MOV AX,014FHINT 10HMOV AX,014BHINT 10HA3: JMP A3A4: MOV AX,0145HINT 10HA5: JMP A5CODE ENDSEND START实验步骤：①分析线路图，画出参考程序流程图；②按图（1）连接实验线路；③输入程序并检查无误，经汇编、连接后装入系统；④在3000～300FH单元中填入16个数；⑤运行程序，在“OK”（正确）或“E”（错误）提示出现后，用CTRL＋C来终止程序运行；⑥用D命令检查4000～400FH单元中的内容和3000～300FH中的数据是否一致。
静态随机存储器实验实验报告
静态随机存储器实验实验报告摘要：本实验通过对静态随机存储器(SRAM)的实验研究，详细介绍了SRAM的工作原理、性能指标、应用领域以及实验过程和结果。
实验使用了仿真软件，搭建了SRAM电路，通过对不同读写操作的观察和分析，验证了SRAM的可靠性和高速性。
一、引言静态随机存储器(SRAM)是一种常用的存储器类型，被广泛应用于计算机系统和其他电子设备中。
它具有存储速度快、数据可随机访问、易于控制等优点，适用于高速缓存、寄存器堆以及其他要求高速读写和保持稳定状态的场景。
本实验旨在通过设计和搭建SRAM电路，深入理解SRAM的工作原理和性能指标，并通过实验验证SRAM的可靠性和高速性。
二、实验设备和原理1. 实验设备本实验使用了以下实验设备和工具：- 电脑- 仿真软件- SRAM电路模块2. SRAM原理SRAM是由静态触发器构成的存储器，它的存储单元是由一对交叉耦合的反相放大器构成。
每个存储单元由6个晶体管组成，分别是两个传输门、两个控制门和两个负反馈门。
传输门被用于读写操作，控制门用于对传输门的控制，负反馈门用于保持数据的稳定状态。
SRAM的读操作是通过将存储单元的控制门输入高电平，将读取数据恢复到输出端。
写操作是通过将数据线连接到存储单元的传输门，将写入数据传输到存储单元。
三、实验过程和结果1. 设计电路根据SRAM的原理和电路结构，我们设计了一个8位的SRAM 电路。
电路中包括8个存储单元和相应的读写控制线。
2. 搭建电路通过仿真软件，我们将SRAM电路搭建起来，连接好各个线路和电源。
确保电路连接正确无误。
3. 进行实验使用仿真软件中提供的读写操作指令，分别进行读操作和写操作。
观察每个存储单元的输出情况，并记录数据稳定的时间。
4. 分析实验结果根据实验结果，我们可以得出以下结论：- SRAM的读操作速度较快，可以满足高速读取的需求。
- SRAM的写操作也较快，但需要保证写入数据的稳定性和正确性。
静态存储器扩展实验报告记录
静态存储器扩展实验报告记录————————————————————————————————作者：————————————————————————————————日期：深圳大学实验报告课程名称：微机原理与接口技术实验项目名称：静态存储器扩展实验学院：信息工程学院专业：电子信息工程指导教师：周建华报告人：洪燕学号：2012130334 班级：电子3班实验时间：2014/5/21实验报告提交时间：2014/5/26教务部制一．实验目的与要求：1. 了解存储器扩展的方法和存储器的读/写。
2. 掌握CPU 对16位存储器的访问方法。
二．实验设备PC 机一台，TD-PITE 实验装置或TD-PITC 实验装置一套，示波器一台。
三．实验原理存储器是用来存储信息的部件，是计算机的重要组成部分，静态RAM 是由MOS 管组成的触发器电路，每个触发器可以存放1位信息。
只要不掉电，所储存的信息就不会丢失。
因此，静态RAM 工作稳定，不要外加刷新电路，使用方便。
但一般SRAM 的每一个触发器是由6个晶体管组成，SRAM 芯片的集成度不会太高，目前较常用的有6116（2K ×8位）， 图4.1 62256引脚图 6264（8K ×8位）和62256（32K ×8位）。
本实验平台上选 用的是62256，两片组成32K ×16位的形式，共64K 字节。
62256的外部引脚图如图4.1所示。
本系统采用准32位CPU ，具有16位外部数据总线，即D0、D1、…、D15，地址总线为BHE ＃（＃表示该信号低电平有效）、BLE ＃、A1、A2、…、A20。
存储器分为奇体和偶体，分别由字节允许线BHE ＃和BLE ＃选通。
存储器中，从偶地址开始存放的字称为规则字，从奇地址开始存放的字称为非规则字。
处理器访问规则字只需要一个时钟周期，BHE ＃和BLE ＃同时有效，从而同时选通存储器奇体和偶体。
存储器扩展实验报告
存储器扩展实验报告存储器扩展实验报告引言：存储器是计算机系统中至关重要的组成部分，对于数据的存储和读取起着至关重要的作用。
在计算机科学领域中，存储器扩展是一项重要的技术，可以提高计算机系统的性能和容量。
本实验旨在通过对存储器扩展的探索和实践，深入了解存储器的工作原理和扩展方法。
一、存储器的基本原理存储器是计算机中用于存储和检索数据的硬件设备。
它可以分为主存储器和辅助存储器两种类型。
主存储器是计算机系统中最重要的存储器，它用于存储正在运行的程序和数据。
辅助存储器则用于存储大量的数据和程序，常见的辅助存储器包括硬盘、光盘和闪存等。
二、存储器的扩展方法存储器的扩展方法有很多种，本实验主要探索两种常见的扩展方法：内存条扩展和虚拟内存扩展。
1. 内存条扩展内存条扩展是通过增加计算机内部的内存条数量来扩展存储器容量的方法。
在实验中，我们使用了两根相同规格的内存条，将其插入计算机主板上的内存插槽中，从而增加了系统的内存容量。
通过这种扩展方法，我们可以提高计算机的运行速度和处理能力。
2. 虚拟内存扩展虚拟内存是一种将计算机内存和硬盘空间结合起来使用的技术。
在实验中，我们通过调整计算机系统的虚拟内存设置，将部分数据和程序存储在硬盘上，从而扩展了存储器的容量。
虚拟内存的扩展方法可以有效地提高计算机的性能和运行效率。
三、实验过程与结果在实验中，我们首先进行了内存条扩展的实践。
通过将两根内存条插入计算机主板上的内存插槽中，我们成功地扩展了计算机的内存容量。
在进行实际操作时，我们注意到计算机的运行速度明显提高，程序的加载和执行时间也大大缩短。
接着，我们进行了虚拟内存扩展的实验。
通过调整计算机系统的虚拟内存设置，我们将部分数据和程序存储在硬盘上。
在实际操作中，我们发现虚拟内存的扩展使得计算机可以同时运行更多的程序，且不会出现内存不足的情况。
这大大提高了计算机的运行效率和多任务处理能力。
四、实验总结与心得通过本次实验，我们深入了解了存储器的工作原理和扩展方法。
静态随机存储器实验报告
静态随机存储器实验报告一、实验目的本次实验旨在通过搭建静态随机存储器电路，了解其基本原理和操作流程，并掌握静态随机存储器的读写操作。
二、实验原理1. 静态随机存储器（Static Random Access Memory，简称SRAM）是一种使用触发器作为存储单元的半导体存储器。
与动态随机存储器（Dynamic Random Access Memory，简称DRAM）相比，SRAM 具有更快的读写速度和更低的功耗。
2. SRAM通常由若干个存储单元组成，每个存储单元包含一个触发器和一个选择开关。
选择开关用于控制读写操作。
3. 在SRAM中，读操作和写操作都需要先将地址信号送入地址译码器中进行译码，然后将译码结果送入选择开关中。
对于读操作，选择开关将对应地址处的数据输出到数据总线上；对于写操作，则将数据输入到对应地址处。
1. 按照电路图搭建SRAM电路，并连接上电源和示波器。
2. 将地址信号输入到地址译码器中，并将译码结果送入选择开关中。
3. 进行读操作：将读使能信号输入到选择开关中，并观察示波器上的输出波形。
可以看到，对应地址处的数据被输出到了数据总线上。
4. 进行写操作：将写使能信号输入到选择开关中，并将需要写入的数据输入到对应地址处。
再次进行读操作，可以看到读出的数据已经被更新为新写入的数据。
四、实验结果与分析1. 实验中，我们成功搭建了SRAM电路，并进行了读写操作。
2. 通过观察示波器上的波形，可以看到SRAM具有快速响应和稳定性好等特点。
3. 实验结果表明，SRAM在存储器中具有重要作用，在计算机系统中得到广泛应用。
通过本次实验，我们深入了解了SRAM的基本原理和操作流程，并掌握了其读写操作方法。
同时，也加深了对存储器在计算机系统中的重要性认识。
静态存储器 实验报告
计算机科学与技术系实验报告专业名称计算机科学与技术课程名称计算机组成与结构项目名称静态随机存储器实验班级学号姓名同组人员无实验日期 2015-10-24一、实验目的与要求掌握静态随机存储器RAM工作特性及数据的读写方法二、实验逻辑原理图与分析2.1 实验逻辑原理图及分析实验所用的静态存储器由一片6116(2K×8bit)构成(位于MEM单元)，如下图所示。
6116有三个控制线：CS(片选线)、OE(读线)、WE(写线)，当片选有效(CS=0)时，OE=0时进行读操作，WE=0时进行写操作，本实验将CS常接地线。
由于存储器(MEM)最终是要挂接到CPU上，所以其还需要一个读写控制逻辑，使得CPU能控制MEM的读写，实验中的读写控制逻辑如下图所示，由于T3的参与，可以保证MEM的写脉宽与T3一致，T3由时序单元的TS3给出。
IOM用来选择是对I/O还是对MEM进行读写操作，RD=1时为读，WR=1时为写。
XMRDXIORXIOWXMWRRDIOMWET3读写控制逻辑实验原理图如下如所示，存储器数据线接至数据总线，数据总线上接有8个LED灯显示D7…D0的内容。
地址线接至地址总线，地址总线上接有8个LED 灯显示A7…A0的内容，地址由地址锁存器(74LS273,位于PC&AR单元)给出。
数据开关(位于IN单元)经一个三态门(74LS245)连至数据总线，分时给出地址和数据。
地址寄存器为8位，接入6116的地址A7…A0，6116的高三位地址A10…A8接地，所以其实际容量为256字节。
实验箱中所有单元的时序都连接至操作台单元，CLR都连接至CON单元的CLR 按钮。
试验时T3由时序单元给出，其余信号由CON单元的二进制开关模拟给出，其中IOM应为低(即MEM操作)，RD、WR高有效，MR和MW低有效，LDAR高有效。
三、数据通路图及分析(画出数据通路图并作出分析)分析：如果是实验箱和PC联机操作，则可通过软件中的数据通路图来观测实验结果，方法是：打开软件，选择联机软件的“实验——存储器实验”，打开存储器实验的数据通路图（如下图所示）。
实验RAM的扩展实验报告
实验RAM的扩展实验报告实验RAM的扩展实验报告一、引言随着计算机技术的不断发展，人们对于计算机存储器的需求也越来越高。
为了满足这一需求，研究人员不断努力开发新的存储器技术。
在本次实验中，我们将探究实验RAM的扩展实验，以探索如何提高计算机的存储器性能。
二、实验目的本次实验的主要目的是通过扩展实验RAM来提高计算机的存储器性能。
我们将通过增加RAM的容量，以及优化数据访问方式来实现这一目标。
三、实验步骤1. 扩展RAM容量：我们首先将原有的RAM容量扩大两倍，以增加计算机的存储空间。
通过增加RAM的容量，可以提高计算机处理大量数据的能力。
2. 优化数据访问方式：我们将尝试使用不同的数据访问方式，以提高计算机的存储器性能。
例如，我们可以使用缓存技术来减少数据访问的延迟时间。
此外，我们还可以尝试使用预取技术，提前将可能需要的数据加载到RAM中，以减少数据访问的等待时间。
3. 实验数据收集：在实验过程中，我们将记录不同数据访问方式下的存储器性能指标，如访问延迟时间、数据吞吐量等。
通过对比不同数据访问方式下的性能指标，我们可以评估扩展RAM对计算机性能的影响。
四、实验结果与分析根据我们的实验数据，我们发现扩展RAM的容量可以显著提高计算机的存储器性能。
当RAM容量增加时，计算机可以存储更多的数据，从而减少了数据的交换和加载时间，提高了计算机的运行速度。
此外，通过优化数据访问方式，我们也取得了一定的性能提升。
使用缓存技术可以减少数据访问的延迟时间，提高数据的读取速度。
使用预取技术可以提前将可能需要的数据加载到RAM中，减少了数据访问的等待时间。
这些优化措施都对计算机的存储器性能产生了积极的影响。
然而，我们也发现在实验过程中存在一些挑战。
扩展RAM的容量需要更高的成本投入，而且对于某些应用场景来说，并不一定能够带来明显的性能提升。
此外，优化数据访问方式也需要考虑到不同的应用需求，选择合适的优化策略。
五、结论通过本次实验，我们深入探究了实验RAM的扩展实验。
静态存储器扩展实验报告
静态存储器扩展实验报告深圳大学实验报告课程名称：微机原理与接口技术实验项目名称：静态存储器扩展实验学院：信息工程学院专业：电子信息工程指导教师：周建华报告人：洪燕学号：2012130334 班级：电子3班实验时间：2014/5/21实验报告提交时间：2014/5/26教务部制一．实验目的与要求：1. 了解存储器扩展的方法和存储器的读/写。
2. 掌握CPU 对16位存储器的访问方法。
二．实验设备PC 机一台，TD-PITE 实验装置或TD-PITC 实验装置一套，示波器一台。
三．实验原理存储器是用来存储信息的部件，是计算机的重要组成部分，静态RAM 是由MOS 管组成的触发器电路，每个触发器可以存放1位信息。
只要不掉电，所储存的信息就不会丢失。
因此，静态RAM 工作稳定，不要外加刷新电路，使用方便。
但一般SRAM 的每一个触发器是由6个晶体管组成，SRAM芯片的集成度不会太高，目前较常用的有6116（2K ×8位）， 图4.1 62256引脚图 6264（8K ×8位）和62256（32K ×8位）。
本实验平台上选A14A12A7A6A5A4A3A2A1A0D0D1D2GND12345678910111213142827262524232221201918171615VCC WE A13A8A9A11OE A10CS D7D6D5D4D362256用的是62256，两片组成32K ×16位的形式，共64K 字节。
62256的外部引脚图如图4.1所示。
本系统采用准32位CPU ，具有16位外部数据总线，即D0、D1、…、D15，地址总线为BHE ＃（＃表示该信号低电平有效）、BLE ＃、A1、A2、…、A20。
存储器分为奇体和偶体，分别由字节允许线BHE ＃和BLE ＃选通。
存储器中，从偶地址开始存放的字称为规则字，从奇地址开始存放的字称为非规则字。
处理器访问规则字只需要一个时钟周期，BHE ＃和BLE ＃同时有效，从而同时选通存储器奇体和偶体。
静态随机存储器实验报告
静态随机存储器实验报告静态随机存储器实验报告引言：静态随机存储器（Static Random Access Memory, SRAM）是一种常见的存储器类型，广泛应用于计算机系统中。
本实验旨在通过对SRAM的实验研究，深入了解其工作原理、特性以及性能表现。
一、实验目的本实验的目的是通过实践操作，学习SRAM的基本原理和操作方法，掌握其读写操作的过程和时序，并了解SRAM的性能指标。
二、实验器材和方法实验器材：1. SRAM芯片2. 逻辑分析仪3. 示波器4. 示教板实验方法：1. 连接SRAM芯片和逻辑分析仪，建立实验电路。
2. 在示波器上观察SRAM的读写时序，并记录相关数据。
3. 使用示教板进行SRAM的读写操作，观察并记录操作结果。
三、实验结果与分析1. SRAM的读操作通过示波器观察SRAM的读操作时序，可以发现读取数据的过程包括地址输入、读使能信号的激活以及数据输出等步骤。
读操作的时序图显示了这些步骤的顺序和时机。
根据实验数据，我们可以计算出SRAM的读取速度和稳定性。
2. SRAM的写操作写操作是将数据写入SRAM芯片中的过程。
通过示波器观察SRAM的写操作时序，可以发现写操作包括地址输入、写使能信号的激活以及数据输入等步骤。
写操作的时序图显示了这些步骤的顺序和时机。
根据实验数据，我们可以计算出SRAM的写入速度和稳定性。
3. SRAM的性能指标通过对实验数据的分析，我们可以得出SRAM的性能指标，如读写速度、稳定性和可靠性等。
这些指标对于评估SRAM芯片的质量和适用范围非常重要。
四、实验总结通过本次实验，我们深入了解了静态随机存储器的工作原理和操作方法。
通过观察和分析实验数据，我们对SRAM的性能指标有了更清晰的认识。
实验过程中，我们学习了使用逻辑分析仪和示波器等工具，提高了实验操作和数据分析的能力。
通过这次实验，我们不仅对SRAM有了更深入的了解，还培养了实验思维和动手能力。
在今后的学习和研究中，这些能力将对我们的科研工作有着重要的帮助。
实验四：存储器扩展实验
大连理工大学本科实验报告课程名称：计算机组成原理实验学院（系）：软件学院专业：软件工程班级：0907英学号：200892497学生姓名：刘云伟2011年4月7 日大连理工大学实验报告学院（系）：软件学院专业：软件工程班级：0907 英姓名：刘云伟学号：200892497 实验台：21实验时间：2011.4.7 实验室：C110 成绩：指导教师签字：实验三：存储器扩展实验1.实验目的：（1）深入理解计算机内存储器的功能、组成知识；（2）深入地学懂静态存储器芯片的读写原理和用他们组成教学计算机存储器系统的方法（即字、位扩展技术），控制其运行的方式；思考并对比静态和动态存储器芯片在特性和使用场合等方面的同异之处。
2. 实验平台硬件平台：清华大学TEC-XP实验箱的MACH部分部件：HN58c65p-25两片3. 实验要求：（任务）（1）完成HN58c65p-25两片EEPROM的物理扩展；（2）完成必要的跳线设置；（3）验证RAM和EEPROM在存储上的区别（使用A命令和E命令）；（4）基于以上所学完成：从键盘上输入一个0-9的数字，将从该数字开始到F的所有数据存储到扩展之后的5000开始的EEPROM存储器单元中。
IN 81 ;判键盘上是否按了一个键SHR R0 ;即串行口是否有了输入的字符SHR R0JRNC 2000 ;未输入完则循环测试IN 80 ;接收该字符MVRD R6,FF30 ;转换为数字SUB R0,R6MVRD R2,5000 ;从5000号内在单元开始存数MVRD R1,000F ;最大的加数STRR [R2],R0 ;先把当前第一个数存至5000号单元INC R0 ;得到下一个待存数INC R2 ;得到下一个应存的地址单元号STRR [R2],R0 ;把R0的值存起来；延迟MVRD R7,0000MVRD R8,00FFMVRD R9,0000INC R9ADD R7,R9CMP R9,R8JRNZ //INC R9处CMP R0,R1 ;判是否累加完JRNZ INC R0 ;未完, 开始下一轮得数存数RET4. 体会、意见、建议实验体会，除写个人实验课程理解之外，还应对实验课时数实验仪器设备、实验讲义、实验内容安排、时间分配及教师授课方式提出意见和建议。
4.1静态存储器扩展实验
存储器中，从偶地址开始存放的字称为规则字，从奇地址开始存放的字称为非规则字。处理器访问规则字只需要一个时钟周期，BHE＃和BLE＃同时有效，从而同时选通存储器奇体和偶体。处理器访问非规则字却需要两个时钟周期，第一个时钟周期BHE＃有效，访问奇字节；第二个时钟周期BLE＃有效，访问偶字节。处理器访问字节只需要一个时钟周期，视其存放单元为奇或偶，而BHE＃或BLE＃有效，从而选通奇体或偶体。写规则字和非规则字的简单时序图如图4.2所示。
INC SI
INC SI
LOOPAA1
图4.4 SRAM实验接线图
MOV AX,4C00H
INT 21H;程序终止
STARTENDP
CODEENDS
END START
1.实验接线图如图4.4所示，按图接线。
2.编写实验程序，经编译、链接无误后装入系统。
3.先运行程序，待程序运行停止。
4.通过D命令查看写入存储器中的数据：
从该实验了解规则字与非规则字的存储方法的汇编代码的编写，以及存储方式字节型或者字型存储方式的不同实现方法。
指导教师批阅意见：
成绩评定：
指导教师签字：
年月日
备注：
D8000：0000回车，即可看到存储器中的数据，应为0001、0002、…、000F共16个字。
5.改变实验程序，按非规则字写存储器，观察实验结果。
运行结束后，使用D命令查看写入存储器的数据为
6.改变实验程序，按字节方式写存储器，观察实验现象。
本科专业认证《接口技术实验》课程教学大纲
《接口技术实验》课程教学大纲（Syllabus for Experiment of Interface Technology）编写单位：计算机与通信工程学院计算机科学与技术系编写时间：2021年7月《接口技术实验》教学大纲英文名称：Syllabus for Experiment of Interface Technology课程编号：0812000687课程简介：本实验课程紧密联系“接口技术“课程的理论教学，与之相同学期开设。
能够选用接口芯片、开发平台与工具，搭建合适的试验环境，完成定时/计数器、中断控制器、DMA技术、A/D与D/A转换器、并行接口、串行接口、人机交互接口等接口电路连接与设计，并使用C或汇编语言进行编程实现接口的应用开发。
能独立写出严谨的、有理论分析的实事求是的文理通顺的实验报告学分：1课程总学时：30学时，其中实验30学时，上机0学时。
适用专业：计算机科学与技术、计算机科学与技术专业卓越工程师先修课程：数字电路与逻辑设计A、数字电路与逻辑设计A实验、汇编语言、计算机组成原理、接口技术开课学院、实验室：计算机与通信工程学院理科楼B405接口技术实验室一、实验教学目标与要求1、课程思政教学目标：通过了解计算机接口技术我国目前所处的劣势，美国对中国高科技领域的各种制裁和打压，激发学生的爱国情怀和使命担当，树立为计算机事业奋斗以及实现中华民族百年复兴梦的人生目标，从而实现科技强国的伟大目标。
熟悉本领域国内外企业的发展现状及领先世界的技术和产品。
锻炼学生沟通、组织、团队合作的社会能力，培养学生安全、规范的专业素养以及一丝不苟的工匠精神。
2、课程教学总目标：使学生掌握编程模型及其应用、各种接口技术、电路设计方法与解决方案，具备计算机软硬件协同处理解决计算机复杂工程中接口技术及其应用能力。
3、课程目标与学生能力培养的关系：课程思政目标的实施有利于培养学生使命担当和职业责任感，团队合作、组织、沟通等社会能力。
4.1静态存储器扩展实验
四川大学计算机学院、软件学院实验报告学号：_201514146xxxx 姓名：xxx 专业：计算机科学与技术班级：1班第 12 周课程名称微机系统与接口技术实验实验课时 4实验项目静态存储器扩展实验（4.1）实验时间2017.11.24实验目的1. 了解存储器扩展的方法和存储器的读/写。
2. 掌握CPU 对16 位存储器的访问方法。
实验环境PC机一台，TD-PITE 实验装臵一套，示波器一台。
实验内容（算法、程序、步骤和方法）1、实验内容编写实验程序，将0000H～000FH 共16 个数写入SRAM 的从0000H 起始的一段空间中，然后通过系统命令查看该存储空间，检测写入数据是否正确。
2、实验原理存储器是用来存储信息的部件，是计算机的重要组成部分，静态RAM 是由MOS 管组成的触发器电路，每个触发器可以存放 1 位信息。
只要不掉电，所储存的信息就不会丢失。
因此，静态RAM 工作稳定，不要外加刷新电路，使用方便。
但一般SRAM 的每一个触发器是由 6 个晶体管组成，SRAM 芯片的集成度不会太高，目前较常用的有6116（2K×8 位），6264（8K×8 位）和62256（32K×8 位）。
本实验平台上选用的是62256，两片组成32K×16 位的形式，共64K 字节。
62256 的外部引脚图如图 4.1 所示。
本系统采用准32 位CPU，具有16 位外部数据总线，即D0、D1、…、D15，地址总线为BHE＃（＃表示该信号低电平有效）、BLE＃、A1、A2、…、A20。
存储器分为奇体和偶体，分别由字节允许线BHE＃和BLE＃选通。
存储器中，从偶地址开始存放的字称为规则字，从奇地址开始存放的字称为非规则字。
处理器访问规则字只需要一个时钟周期，BHE＃和BLE＃同时有效，从而同时选通存储器奇体和偶体。
处理器访问非规则字却需要两个时钟周期，第一个时钟周期BHE＃有效，访问奇字节；第二个时钟周期BLE＃有效，访问偶字节。
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课程名称：微型计算机技术与应用
实验项目名称：静态存储器扩展实验
学院：信息工程学院
专业：电子信息工程
指导教师：
报告人：学号：班级：
实验时间：
实验报告提交时间：
教务处制
实验目的：
1.了解存储器扩展的方法和存储器的读/写。
2.掌握CPU对16位存储器的访问方法。
实验设备：
PC机一台，TD-PITE实验装置或TD-PITC实验装置一套，示波器一台。
本系统采用准32位CPU，具有16位外部数据总线，即D0、D1、…、D15，地址总线为BHE＃（＃表示该信号低电平有效）、BLE＃、A1、A2、…、A20。存储器分为奇体和偶体，分别由字节允许线BHE＃和BLE＃选通。
存储器中，从偶地址开始存放的字称为规则字，从奇地址开始存放的字称为非规则字。处理器访问规则字只需要一个时钟周期，BHE＃和BLE＃同时有效，从而同时选通存储器奇体和偶体。处理器访问非规则字却需要两个时钟周期，第一个时钟周期BHE＃有效，访问奇字节；第二个时钟周期BLE＃有效，访问偶字节。处理器访问字节只需要一个时钟周期，视其存放单元为奇或偶，而BHE＃或BLE＃有效，从而选通奇体或偶体。写规则字和非规则字的简单时序图如图4.2所示。
方法、步骤：
存储器是用来存储信息的部件，是计算机的重要组成部分，静态RAM是由MOS管组成的触发器电路，每个触发器可以存放1位信息。只要不掉电，所储存的信息就不会丢失。因此，静态RAM工作稳定，不要外加刷新电路，使用方便。但一般SRAM的每一个触发器是由6个晶体管组成，SRAM芯片的集成度不会太高，目前较常用的有6116（2K×8位），6264（8K×8位）和62256（32K×8位）。本实验平台上选用的是62256，两片组成32K×16位的形式，共64K字节。62256的外部引脚图如图4.1所示。图4.1 62256引脚图
图4.2写规则字（左）和非规则字（右）简单时序图
实验单元电路图
图4.3 SRAM单元电路图
实验过程及内容：
编写实验程序，将0000H～000FH共16个数写入SRAM的从0000H起始的一段空间中，然后通过系统命令查看该存储空间，检测写入数据是否正确。
SSTACKSEGMENT STACK
DW 32 DUP(?)
从该实验了解规则字与非规则字的存储方法的汇编代码的编写，以及存储方式字节型或者字型存储方式的不同实现方法。
指导教师批阅意见：
成绩评定：
指导教师签字：
年月日
备注：
INC SI
INC SI
LOOPAA1
图4.4 SRAM实验接线图
MOV AX,4C00H
INT 21H;程序终止
STARTENDP
CODEENDS
END START
1.实验接线图如图4.4所示，按图接线。
2.编写实验程序，经编译、链接无误后装入系统。
3.先运行程序，Βιβλιοθήκη 程序运行停止。4.通过D命令查看写入存储器中的数据：
SSTACKENDS
CODESEGMENT
STARTPROC FAR
ASSUME CS:CODE
MOV AX, 8000H;存储器扩展空间段地址
MOV DS, AX
AA0:MOV SI, 0000H;数据首地址
MOV CX, 0010H
MOV AX, 0000H
AA1:MOV [SI], AX
INC AX
D8000：0000回车，即可看到存储器中的数据，应为0001、0002、…、000F共16个字。
5.改变实验程序，按非规则字写存储器，观察实验结果。
运行结束后，使用D命令查看写入存储器的数据为
6.改变实验程序，按字节方式写存储器，观察实验现象。
运行结束后，使用D命令查看写入存储器的数据为
实验结论：