现代电子线路(模拟电子技术基础)复习
总复习-模电基础篇
学习方法与建议
01
02
03
04
理论与实践相结合
既要掌握基本理论知识，又要 注重实验和实践操作能力的培
养。
多角度思考
对于同一个问题，可以从不同 的角度进行分析和思考，培养
创新思维。
勤加练习
通过大量的习题和实验练习， 加深对知识点的理解和掌握程
度。
及时总结
在学习过程中要及时总结归纳 ，形成自己的知识体系和思维
BTL功率放大电路设计要点
BTL电路采用双电源供电，两个放大器的输出端分别与负载的两端相连。设计要点包括选择合适的电源电 压和偏置电路，确保两个放大器在安全工作区内，并实现低的交越失真、高的电源利用率和良好的平衡 性。
直流稳压电源组成及工作原理
直流稳压电源组成
直流稳压电源主要由整流电路、滤波电路、稳压电路等部分组成。其中整流电路 将交流电转换为脉动直流电，滤波电路将脉动直流电平滑为稳定的直流电，稳压 电路则保证输出电压的稳定性。
集成运算放大器（简称集成运放）是一种高电压放大倍数、高输 入阻抗和低输出阻抗的电子器件。
集成运算放大器特点
具有高放大倍数、高输入阻抗、低输出阻抗、低噪声、低失真等特 点，广泛应用于模拟电路中。
集成运算放大器分类
根据制造工艺可分为双极型和单极型；根据输入级类型可分为差分 输入和单端输入。
集成运算放大器线性应用
功率放大电路基本概念及分类
功率放大电路定义
功率放大电路是指能输出足够大功率以驱动负载的电子电路 。它是电子设备中重要的组成部分，用于将微弱的输入信号 放大为具有足够功率的输出信号。
分类
根据放大器的输出级与负载的连接方式，功率放大电路可分 为变压器耦合功率放大电路、无输出变压器功率放大电路（ OTL电路）、无输出电容功率放大电路（OCL电路）和桥式 推挽功率放大电路（BTL电路）等类型。
模拟电子技术基础华成英第五版复习与考试
思路与方法：
（1）零、极点的概念；
A j
A0
（2）中频增益的贡献因子与求解方法；
多级放大器
单级放大器 B
（3) 结合波特图，求解高、低频截止频率；
0
l
h
1.00，n 1
(4) 注意极点相同或相近，收缩因子的求解方法； 电子线路
Sn
0.64，n 0.51，n
2 3
0.44，n 4
典型题解1_Av（S）的复频域分析
R
Vimin Vz ILmax I z min
电子线路
第二章 PN结二极管及其应用
本章重点：
6、二极管限幅电路
下限幅电路
上限幅电路
上、下双向限幅电路
电子线路
第二章 PN结二极管及其应用
本章重点：
7、钳位电路: 保持信号不失真，而将信号顶部、底部电平钳制在指定电平上;
vo vi vc
VM sin0t VM VB
（4分），
题1：某放大器电压增益函数为
AV
(S)
(S
1015 S(S 5) 2)(S 50)(S
106
)2
，求该放
大器的中频增益 AV ，以及高频截止频率h 和低频截止频率 l
解：归一化处理
AV
(S)
1015
S
(1+
S 5
)
*
5
*
1 2
*
1 50
*
1 1012
(1
S 2
)(1
S )(1 50
（2）高频
re
26mV I EQ
hie
0ib rc'
E
加上发射结电容Cπ 和集电结电
模拟电子技术基础(第四版)第1章
ID
理想二极管符号 UD
(V)
ID
开关模型等效电路
0.7V 0 0.7
0
UD
(V)
（a）理想模型 特性 ）理想模型VA特性
（b）开关模型 特性 ）开关模型VA特性
3、折线模型：正向导通时。相 、折线模型：正向导通时。 当于理想二极管串联一个等效 和一个电压源U 电阻rD和一个电压源 ON ，特 性曲线如图（ 所示 所示。 性曲线如图（c)所示。
二极管的伏安特性仍可由 二极管的伏安特性仍可由
iD = IS (e
近似描述。 近似描述。
UD / UT
−1)
D E
导通电压
IS：反向饱和电流 UT：电压当量，室温下26mV
IR
反向 漏电
开启电压 Uon
开启电压 导通电压
硅二极管 0 .5 V 0 . 6 ~ 0 .8 V (取 0 .7 V )
锗二极管 0 .1 V 0 . 2 ~ 0 .3 V (取 0 .3 V )
发射区：发射载流子 发射区： 集电区： 集电区：收集载流子 基区： 基区：传送和控制载流子 为例） （以NPN为例） 为例
演示
载流子的传输过程
以上看出，三极管内有两种载流子 自由电子 自由电子和 以上看出，三极管内有两种载流子(自由电子和空 参与导电， 穴)参与导电，故称为双极型三极管－BJT (Bipolar 参与导电 故称为双极型三极管－ Junction Transistor)。 。
二极管伏安特性与温度T的关系： 二极管伏安特性与温度T的关系：
的增加而增加 所以二极管的正向压降 增加， 的增加而降低 降低。 由于IS随T 的增加而增加，所以二极管的正向压降VF随T 的增加而降低。 一般线性减少2 2.5mV/C° 一般线性减少2～2.5mV/C° （利用该特性，可以把二极管作为温度传感器） 利用该特性，可以把二极管作为温度传感器）
《模拟电子技术基础》习题参考答案
《模拟电子技术基础》习题及参考答案一、填空题：1.半导体中有自由电子和空穴两种载流子参与导电。
2.半导体中由漂移形成的电流是反向电流，它由少数载流子形成，其大小决定于温度，而与外电场无关。
3.PN结的P型侧接高电位，N型侧接低电位称为正向偏置（正偏），反之称为反向偏置（反偏）。
4.PN结最重要的特性是单向导电性，它是一切半导体器件的基础。
在NPN型三极管中，掺杂浓度最大的是发射区。
5.晶体三极管因偏置条件不同，有放大、截止、饱和三种工作状态。
6.晶体三极管的集电极电流Ic=βI B所以它是电流控制元件。
7.工作在放大区的晶体管，当IB 从10μA增大到20μA，IC从1mA增大到2mA，它的β为100，α为1。
8.通常晶体管静态工作点选得偏高或偏低时，就有可能使放大器的工作状态进入饱和区或截止区，而使输出信号的波形产生失真。
9.测得某正常线性放大电路中晶体管三个管脚x、y、z对地的静态电压分别为6.7伏、2.4伏、1.7伏，则可判断出x、y、z分别为三极管的集电（C）极、基（B）极、发射(E)极。
10.一只晶体管在放大电路中，用万用表测出管脚对地电压分别是：A脚为12伏，B脚为11.7伏，C脚为6伏，则该管为PNP型锗管，A为发射(E)极，B为基（B）极，C为集电（C）极。
11.稳压二极管工作在反向击穿区，主要用途是稳压。
12.稳压二极管稳压时是处于反向偏置状态，而二极管导通时是处于正向偏置状态。
13.晶体管电流放大系数是频率的函数，随着频率的升高而下降。
共基极电路比共射极电路高频特性好。
14.场效应管的输出特性曲线可分为三个区：分别是可变电阻区、恒流区、击穿区。
15.电子线路中常用的耦合方式有直接耦合和电容耦合。
16.通常把与信号源相连接的第一级放大电路称为输入级，与负载相连接的末级放大电路称为输出级，它们之间的放大电路称为中间级。
17.某放大电路空载输出电压为4V，接入3KΩ负载后，输出电压变为3V，该放大电路的输出电阻为1KΩ。
模拟电子技术基础复习资料
模拟电路基础复习资料一、填空题1. 在P型半导体中, 多数载流子是（空隙）, 而少数载流子是（自由电子）。
2. 在N型半导体中, 多数载流子是（电子）, 而少数载流子是（空隙）。
3. 当PN结反向偏置时, 电源的正极应接（ N ）区, 电源的负极应接（ P ）区。
4．当PN结正向偏置时, 电源的正极应接（ P ）区, 电源的负极应接（ N ）区。
5. 为了保证三极管工作在放大区, 应使发射结（正向）偏置, 集电结（反向）偏置。
6．根据理论分析, PN结的伏安特性为,其中被称为（反向饱和）电流, 在室温下约等于（ 26mV ）。
7. BJT管的集电极、基极和发射极分别与JFET的三个电极（漏极）、（栅极）和（源极）与之相应。
8. 在放大器中, 为稳定输出电压, 应采用（电压取样）负反馈, 为稳定输出电流, 应采用（电流取样）负反馈。
9. 在负反馈放大器中, 为提高输入电阻, 应采用（串联－电压求和）负反馈, 为减少输出电阻, 应采用（电压取样）负反馈。
10.放大器电路中引入负反馈重要是为了改善放大器. 的电性. ）。
11. 在BJT放大电路的三种组态中, （共集电极）组态输入电阻最大, 输出电阻最小。
（共射）组态即有电压放大作用, 又有电流放大作用。
12.在BJT放大电路的三种组态中，.共集电. ）组态的电压放大倍数小于1，.共.）组态的电流放大倍数小于1。
13. 差分放大电路的共模克制比KCMR＝（）, 通常希望差分放大电路的共模克制比越（大）越好。
14. 从三极管内部制造工艺看, 重要有两大特点, 一是发射区（高掺杂）, 二是基区很（薄）并掺杂浓度（最低）。
15．在差分放大电路中发射极接入长尾电阻后, 它的差模放大倍数将（不变）, 而共模放大倍数将（减小）, 共模克制比将（增大）。
16. 多级级联放大器中常用的级间耦合方式有（阻容）, （变压器）和（直接）耦合三种。
17. 直接耦合放大器的最突出的缺陷是（零点漂移）。
模拟电子技术基础完整版
rD 正向约为几-几十
第一章
半导体器件
半导体物理基础知识
电子—空穴对 当T 或光线照射下,少数价电子因热激发而获得 足够的能量挣脱共价键的束缚 ,成为自由电子. 同时在原来的共价键中留下一个空位称 空穴 在本征半导体中电子和空穴是成对出现的 本征半导体在热或光照射作用下, 产生电子空穴对-----本征激发 T↑光照↑→电子-空穴对↑→导电能力↑ 所以 半导体的导电能力 与 T，光照 有关
§1.1 PN结及二极管
二 PN结的特征——单向导电性 1.正向特征—又称PN结正向偏置 外电场作用下多子 推向耗尽层，使耗尽 层变窄，内电场削弱 扩散 > 漂移 从而在外电路中出现 了一个较大的电流 称 正向电流
Vb
V
§1.1 PN结及二极管
在正常工作范围内，PN结上外加电压 只要有变化，就能引起电流的显著变化。 ∴ I 随 V 急剧上升，PN结为一个很 小的电阻（正向电阻小） 在外电场的作用下，PN结的平衡状态 被打破，使P区中的空穴和N区中的电子 都向PN结移动，使耗尽层变窄
单向导电 性
§1.1 PN结及二极管
3.PN结伏安特性表示式
Is —— 反向饱和电流
决定于PN结的材料，制造工艺、温度 UT =kT/q ---- 温度的电压当量或热电压 当 T=300K时, UT = 26mV K—波耳兹曼常数 T—绝对温度 q—电子电荷 u—外加电压 U 为反向时，且
(完整版)模拟电子基础的复习题及答案
模拟电子技术基础复习题图 1图 2一、填空题1、现有基本放大电路：①共射放大电路 ④共源放大电路②共基放大电路 ③共集放大电路一般情况下，上述电路中输入电阻最大 的电路是 ③ ，输入电阻最 ，频带最宽 的电路是 ；只能放大电流，小 的电路是②，输出电阻最小 的电路是③② ；既能放大电流，又能放大电压 的电路是 ①不能放大电压 的电路是 ③；只能放大电压，不能放大电流 的电路是②。
2、如图 1所示电路中，已知晶体管静态时 B- E 间电压为 U ，电流放大系BEQ数为β，B- E 间动态电阻为 r 。
填空：beV CC U BEQ（ 1）静态时， I 的表达式为BQ， I 的表达式为CQI BQR BI CQ I BQ；，U 的表达式为CEQU CEQ V CC I R C CQR L （2）电压放大倍数 的表达式为A u，输入电阻 的表达式为r be，输出电阻 的表达式为R R // r be R R ；0 Ci B（3）若减小 R ，则 I 将 A ，r 将 C ，将 C ，R 将iC ，A B CQ bc u R 将 B 。
oA.增大B.不变C.减小当输入电压不变时， R 减小到一定程度，输出将产生 BA 失真。
A.饱和B.截止 3、如图 1所示电路中，（1）若测得输入电压有效值为 10mV ，输出电压有效值为 1.5V ，则其电压放 大倍数 = 150 ；若已知此时信号源电压有效值为 20mV ，信号源内阻A u为 1k Ω，则放大电路 的输入电阻 R = 1 。
i（2）若已知电路空载时输出电压有效值为 1V ，带 5 k Ω负载时变为 0.75V ， 则放大电路 的输出电阻 Ro（3）若输入信号增大引起电路产生饱和失真，则可采用将 R BRc 减小 的方法消除失真；若输入信号增大使电路既产生饱和失真又产生 1.67。
增大或将截止失真，则只有通过设置合适 的静态工作点 的方法才能消除失真。
模拟电子技术基础课后答案(完整版)
模拟电子技术基础课后答案(完整版)第一章简介1.描述模拟信号和数字信号的区别。
模拟信号是连续变化的信号，可以表示任意数值；数字信号是离散变化的信号，只能表示有限的数值。
2.简要介绍电子技术的分类和应用领域。
电子技术可以分为模拟电子技术和数字电子技术。
模拟电子技术主要应用于信号处理、放大、调制、解调等领域；数字电子技术主要应用于数字电路设计、逻辑运算、通信、计算机等领域。
第二章电压电流基本概念1.定义电压和电流，并给出它们的单位。
电压（V）是电势差，单位为伏特（V）；电流（I）是电荷通过导体的速率，单位为安培（A）。
2.列举常见的电压源和电流源。
常见的电压源有电池、发电机、电源等；常见的电流源有电流表、发电机、电源等。
3.简述欧姆定律的定义和公式。
欧姆定律规定了电压、电流和电阻之间的关系。
根据欧姆定律，电流等于电压与电阻之间的比值，即I=V/R，其中I为电流，V为电压，R为电阻。
第三章电阻与电阻电路1.简述电阻的定义和单位。
电阻是指导体对电流的阻碍程度，单位为欧姆（Ω）。
2.串联电阻和并联电阻的计算方法是什么？给出示意图。
–串联电阻的计算方法是将所有电阻值相加，即R= R1 + R2 + … + Rn，其中R为总电阻，R1、R2、…、Rn为各个电阻值。
–并联电阻的计算方法是将所有电阻的倒数相加，再取倒数，即1/R= 1/R1 + 1/R2 + … + 1/Rn，其中R为总电阻，R1、R2、…、Rn为各个电阻值。
串联和并联电阻示意图3.简述电压分压原理并给出示意图。
电压分压原理指的是当在一个电阻网络中，多个电阻串联，电压将按照电阻值的比例分配给各个电阻。
电压分压原理示意图第四章电容与电容电路1.简述电容的定义和单位。
电容是指导体上储存电荷的能力，单位为法拉（F）。
2.串联电容和并联电容的计算方法是什么？给出示意图。
–串联电容的计算方法是将所有电容的倒数相加，再取倒数，即1/C= 1/C1 + 1/C2 + … + 1/Cn，其中C为总电容，C1、C2、…、Cn为各个电容值。
模拟电子线路期末试题及其答案(两套)
《模拟电子技术基础（一）》期末试题〔A 〕一、填空题（15分）1．由PN 结构成的半导体二极管具有的主要特性是 性。
2、双极性晶体三极管工作于放大模式的外部条件是 。
3．从信号的传输途径看，集成运放由 、 、 、 这几个部分组成。
4．某放大器的下限角频率L ω，上限角频率H ω，则带宽为 Hz 。
5．共发射极电路中采用恒流源做有源负载是利用其 的特点以获得较高增益。
6．在RC 桥式正弦波振荡电路中，当满足相位起振条件时，则其中电压放大电路的放大 倍数要略大于 才能起振。
7．电压比较器工作时，在输入电压从足够低逐渐增大到足够高的过程中，单限比较器的 输出状态发生 次跃变，迟滞比较器的输出状态发生 次跃变。
8．直流稳压电源的主要组成部分是 、 、 、 。
二、单项选择题（15分）1．当温度升高时，二极管反向饱和电流将 。
[ ] A 增大 B 减小 C 不变 D 等于零2．场效应管起放大作用时应工作在漏极特性的 。
[ ] A 非饱和区 B 饱和区 C 截止区 D 击穿区3．直接耦合放大电路存在零点漂移的原因主要是 。
[ ] A 电阻阻值有误差 B 晶体管参数的分散性 C 晶体管参数受温度影响 D 受输入信号变化的影响4．差动放大电路的主要特点是 。
[ ] A 有效放大差模信号，有力抑制共模信号；B 既放大差模信号，又放大共模信号 C 有效放大共模信号，有力抑制差模信号；D 既抑制差模信号，又抑制共模信号。
5．互补输出级采用射极输出方式是为了使 。
[ ] A 电压放大倍数高 B 输出电流小 C 输出电阻增大 D 带负载能力强 6．集成运放电路采用直接耦合方式是因为 。
[ ] A 可获得较高增益 B 可使温漂变小C 在集成工艺中难于制造大电容D 可以增大输入电阻 7．放大电路在高频信号作用下放大倍数下降的原因是 。
[ ] A 耦合电容和旁路电容的影响 B 晶体管极间电容和分布电容的影响 C 晶体管的非线性特性 D 放大电路的静态工作点设置不合适 8．当信号频率等于放大电路的L f 和H f 时，放大倍数的数值将下降到中频时的 。
完整版)模拟电子技术基础-知识点总结
完整版)模拟电子技术基础-知识点总结共发射极、共基极、共集电极。
2.三极管的工作原理---基极输入信号控制发射结电流，从而控制集电极电流，实现信号放大。
3.三极管的放大倍数---共发射极放大倍数最大，共集电极放大倍数最小。
三.三极管的基本放大电路1.共发射极放大电路---具有电压放大和电流放大的作用。
2.共集电极放大电路---具有电压跟随和电流跟随的作用。
3.共基极放大电路---具有电压放大的作用，输入电阻较低。
4.三极管的偏置电路---通过对三极管的基极电压进行偏置，使其工作在放大区，保证放大电路的稳定性。
四.三极管的应用1.放大器---将弱信号放大为较强的信号。
2.开关---控制大电流的通断。
3.振荡器---产生高频信号。
4.稳压电源---利用三极管的负温度系数特性，实现稳定的输出电压。
模拟电子技术复资料总结第一章半导体二极管一.半导体的基础知识1.半导体是介于导体和绝缘体之间的物质，如硅Si、锗Ge。
2.半导体具有光敏、热敏和掺杂特性。
3.本征半导体是纯净的具有单晶体结构的半导体。
4.载流子是带有正、负电荷的可移动的空穴和电子，是半导体中的两种主要载流体。
5.杂质半导体是在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。
根据掺杂元素的不同，可分为P型半导体和N型半导体。
6.杂质半导体的特性包括载流子的浓度、体电阻和转型等。
7.PN结是由P型半导体和N型半导体组成的结，具有单向导电性和接触电位差等特性。
8.PN结的伏安特性是指在不同电压下，PN结的电流和电压之间的关系。
二.半导体二极管半导体二极管是由PN结组成的单向导电器件。
1.半导体二极管具有单向导电性，即只有在正向电压作用下才能导通，反向电压下截止。
2.半导体二极管的伏安特性与PN结的伏安特性相似，具有正向导通压降和死区电压等特性。
3.分析半导体二极管的方法包括图解分析法和等效电路法等。
三.稳压二极管及其稳压电路稳压二极管是一种特殊的二极管，其正常工作状态是处于PN结的反向击穿区，具有稳压的作用。
(完整word版)模拟电子技术基础-知识点总结
模拟电子技术复习资料总结第一章半导体二极管一.半导体的基础知识1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。
2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。
3.本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。
4. 两种载流子----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。
5.杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。
体现的是半导体的掺杂特性。
*P型半导体: 在本征半导体中掺入微量的三价元素（多子是空穴，少子是电子）。
*N型半导体: 在本征半导体中掺入微量的五价元素（多子是电子，少子是空穴）。
6. 杂质半导体的特性*载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度，少子浓度与温度有关。
*体电阻---通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。
*转型---通过改变掺杂浓度，一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。
7. PN结* PN结的接触电位差---硅材料约为0.6~0.8V，锗材料约为0.2~0.3V。
* PN结的单向导电性---正偏导通，反偏截止。
8. PN结的伏安特性二. 半导体二极管*单向导电性------正向导通，反向截止。
*二极管伏安特性----同ＰＮ结。
*正向导通压降------硅管0.6~0.7V，锗管0.2~0.3V。
*死区电压------硅管0.5V，锗管0.1V。
3.分析方法------将二极管断开，分析二极管两端电位的高低:若V阳>V阴( 正偏)，二极管导通(短路);若V阳<V阴( 反偏)，二极管截止(开路)。
1）图解分析法该式与伏安特性曲线的交点叫静态工作点Q。
2) 等效电路法➢直流等效电路法*总的解题手段----将二极管断开，分析二极管两端电位的高低:若V阳>V阴( 正偏)，二极管导通(短路);若V阳<V阴( 反偏)，二极管截止(开路)。
*三种模型➢微变等效电路法三.稳压二极管及其稳压电路*稳压二极管的特性---正常工作时处在PN结的反向击穿区，所以稳压二极管在电路中要反向连接。
模拟电子技术基础笔记（一）
模拟电⼦技术基础笔记（⼀）2.1 既然BJT具有两个PN结，可否⽤两个⼆极管取代PN结并相联以构成⼀只BJT?试说明其理由。
答：不可以，因为BJT的两个PN结掺杂浓度、⾯积等制作⼯艺与⼆极管不同2.2 要使BJT具有放⼤作⽤，发射结和集电结的偏置电压应如何联接？答：集电极结反偏，发射结正偏2.3 ⼀只NPN型BJT，具有e、b、c三个电极，能否将e、c两电极交换使⽤？为什么？答：不可以，因为未吸收更多的电⼦，集电极⾯积⼤，为发射更多的电⼦发射极掺杂浓度⾼。
交换后，集电极发射电⼦的能⼒很低，三极管的放⼤能⼒降低。
2.4 为什么BJT的输出特性在VCE＞1V以后是平坦的？⼜为什么说，BJT是电流控制器件？答：BJT的输出特性在VCE＞1V以后因为发射极发射出来的所有电⼦都被集电极吸收，此时再增加集电极与发射极之间的电压，发射极也没有更多的电⼦向外发射了所以VCE＞1V以后的输出特性是平坦的。
2.5 BJT的电流放⼤系数a、b是如何定义的，能否从共射极输出特性上求得b值，并算出a值？在整个输出特性上，b或a值是否均匀⼀致？答：b =IC/IB，a=IC/IE，在整个输出特性上，b或a值基本是均匀⼀致的。
2.6 如何⽤⼀台欧姆表（模拟型）判别⼀只BJT的三个电极e、b、c？答：数字表：因为数字表红表棒接表内电源正极，所以红表棒接⼀只⽤⿊表棒测另两只脚均为低阻的脚为NPN型管的基极，由于发射极参杂浓度⾼，导电性也好，所以阻值较⼩的为发射极。
如果模拟表测出如上结果，则为PNP型管。
2.7 为什么说，放⼤器是⼀种能量控制器件？⼀台输出功率为5W的扩⾳机，这5W功率来⾃何处？当扩⾳机接通电源和微⾳器，但⽆⼈对着微⾳器讲话时，喇叭⽆声⾳发出。
于是有⼈对放⼤器⽤两句话来描述：“⼩能量控制⼤能量，放⼤对象是变化量”，对此有如何体会？答：话⾳产⽣的功率是很低的，经放⼤器放⼤后声⾳加⼤，说明信号的功率被放⼤。
这种功率来⾃于放⼤器将直流电源的电功率转换成了声⾳的功率。
模拟电子基础知识点100条
1．在常温下，硅二极管的门槛电压约为0.5V，导通后在较大电流下的正向压降约为0.7V；锗二极管的门槛电压约为0.1V，导通后在较大电流下的正向压降约为0.2V。
2、二极管的正向电阻小；反向电阻大。
3、二极管的最主要特性是单向导电性。
ＰＮ结外加正向电压时，扩散电流大于漂移电流，耗尽层变窄。
4、二极管最主要的电特性是单向导电性，稳压二极管在使用时，稳压二极管与5、电子技术分为模拟电子技术和数字电子技术两大部分，其中研究在平滑、连续变化的电压或电流信号下工作的电子电路及其技术，称为模拟电子技术。
6、PN结反向偏置时，PN结的内电场增强。
PN具有具有单向导电特性。
7、硅二极管导通后，其管压降是恒定的，且不随电流而改变，典型值为0.7伏；其门坎电压Vth约为0.5伏。
8、二极管正向偏置时，其正向导通电流由多数载流子的扩散运动形成。
流子为电子—空穴对。
10、因掺入杂质性质不同，杂质半导体可为空穴（P）半导体和电子（N）半导体两大类。
11、二极管的最主要特性是单向导电性，它的两个主要参数是反映正向特性的最大整流电流和反映反向特性的反向击穿电压。
12、在常温下，硅二极管的开启电压约为0.5 V，导通后在较大电流下的正向压降约为0.7V。
13、频率响应是指在输入正弦信号的情况下，输出随频率连续变化的稳态响应。
15、N型半导体中的多数载流子是电子，少数载流子是空穴。
16、按一个周期内一只三极管的导通角区分，功率放大电路可分为甲类、乙类、甲乙类三种基本类型。
17、在阻容耦合多级放大电路中，影响低频信号放大的是耦合和旁路电容，影响高频信号放大的是结电容。
18、在NPN三极管组成的基本共射放大电路中，如果电路的其它参数不变，三极管的β增加，则IBQ增大，ICQ增大，UCEQ减小。
19、三极管的三个工作区域是截止，饱和，放大。
集成运算放大器是一种采用直接耦合方式的放大电路。
20、某放大电路中的三极管，在工作状态中测得它的管脚电压Va = 1.2V， Vb = 0.5V, Vc = 3.6V, 试问该三极管是硅管管（材料），NPN型的三极管，该管的集电极是a、b、c中的C。
模拟电子技术基本教程课后习题答案
《模拟电子技术基础简明教程》课后习题答案第一章1-1 二极管的正向电阻愈小愈好，反向电阻愈大愈好。
1-7 ① I Z =14mA ② I Z =24mA ③ I Z =17mA1-13 （a ）放大区（b ）截止区（c ）放大区（d ）饱和区（e ）截止区（f ）临界饱和（g ）放大区（h ）放大区1-15 （a ）NPN 锗管（b ）PNP 硅管第二章2-1 （a ）无（b ）不能正常放大（c ）有（d ）无（e ）有（f ）无（g ）无（h ）不能正常放大（i ）无2-7 ②U BQ =3.3V ，I CQ = 2.6mA ，U CEQ =7.2V2-8①饱和失真2-10 ① I BQ = 10μA ，I CQ = 0.6mA ，U CEQ ≈3V②r be = 2.6k Ω③uA =－51.7,R i ≈2.9k Ω, R o =5k Ω 2-11 先估算Q 点，然后在负载线上求Q 点附近的β，最后估算r be 、 u A 、R i 、R o ，可得r be ≈1.6k Ω，uA =－80.6,R i =0.89k Ω, R o =2k Ω 2-14 ① I BQ = 20μA ，I CQ = 1mA ，U CEQ ≈6.1V②r be = 1.6k Ω，uA =－0.94,R i =84.9k Ω, R o =3.9k Ω 2-16 ① I BQ ≈10μA ，I CQ = 1mA ，U CEQ ≈6.4V②r be = 2.9k Ω，当R L =∞时，R e /= R e ∥R L = 5.6k Ω,uA ≈0.99; 当R L =1.2k Ω时，R e /= R e ∥R L = 0.99k Ω,uA ≈0.97。
③当R L =∞时，R i ≈282k Ω；当R L =1.2k Ω时，R i ≈87k Ω ④R o ≈2.9k Ω2-19 （a ）共基组态（b ）共射组态（c ）共集组态（d ）共射组态（e ）共射－共基组态第三章3-2 如︱u A ︱=100，则20lg ︱uA ︱=40dB; 如20lg ︱u A ︱=80dB,则︱uA ︱=10000。
电路与模拟电子技术基础 习题及实验指导答案 第二版
《电路与模拟电子技术基础 习题及实验指导答案 第二版》第1章 直流电路一、填 空 题1.4.1 与之联接的外电路；1.4.2 1-n ，)1(--n b ；1.4.3 不变；1.4.4 21W ，负载；1.4.5 Ω1.65A ， ；1.4.6 1A 3A ， ； 1.4.7 3213212)(3)23(R R R R R R R +++=； 1.4.8 1A ；1.4.9 Ω4.0，A 5.12；1.4.10 电压控制电压源、电压控制电流源、电流控制电压源、电流控制电流源；1.4.11 3A ；1.4.12 3A ；1.4.13 Ω2；1.4.14 15V ，Ω5.4；1.4.15 V 6S =U 。
二、单 项 选 择 题1.4.16 C ； 1.4.17 B ； 1.4.18 D ； 1.4.19 A ；1.4.20 A ； 1.4.21 C ； 1.4.22 B ； 1.4.23 D 。
第2章一阶动态电路的暂态分析一、填 空 题2.4.1 短路，开路；2.4.2 零输入响应；2.4.3 短路，开路；2.4.4 电容电压，电感电流；2.4.5 越慢；2.4.6 换路瞬间；2.4.7 三角波；2.4.8 s 05.0，k Ω25； 2.4.9 C R R R R 3232+； 2.4.10 mA 1,V 2。
二、单 项 选 择 题2.4.11 B ； 2.4.12 D ； 2.4.13 B ；2.4.14 D ； 2.4.15 B ； 2.4.16 C 。
第3章 正弦稳态电路的分析一、填 空 题3.4.1 ︒300.02s A 10， ， ； 3.4.2 V )13.532sin(25)(︒+=t t u ；3.4.3 容性， A 44；3.4.4 10V ，2V3.4.5 相同；3.4.6 V 30，20V ；3.4.7 A 44，W 7744；3.4.8 A 5；3.4.9 减小、不变、提高；3.4.10 F 7.87μ；3.4.11 20kVA ，12kvar -；3.4.12 不变、增加、减少；3.4.13 电阻性，电容性； 3.4.14 LC π21，阻抗，电流；3.4.15 1rad/s ，4；3.4.16 Ω10；3.4.17 P L U U =，P L 3I I =，︒-30； 3.4.18 P L 3U U =，P L I I =，超前。
电子技术基础(模拟部分)
能够存储磁场能量，具有阻抗特性，常用于滤波、 振荡等电路。
集成电路
模拟集成电路
模拟集成电路是指由电阻、电容、 晶体管等模拟元件构成的集成电 路，用于实现模拟信号的处理和 放大。
数字集成电路
数字集成电路是指由逻辑门、触发 器等数字元件构成的集成电路，用 于实现数字信号的处理和运算。
混合信号集成电路
可维护性
电路设计应便于维护和升级。
电路设计的方法和步骤
原理图设计
根据需求设计电路 原理图。
仿真测试
利用仿真软件对电 路进行测试和验证。
需求分析
明确电路的功能需 求，分析性能指标。
元件选择
选择合适的电子元 件，确保性能和可 靠性。
实际制作
根据仿真结果，制 作实际的电路板。
电路设计的优化和改进
优化性能
集成电路时代
20世纪60年代，集成电路的发 明使得电子设备进一步微型化 ，功能也更加复杂。
微电子技术时代
20世纪80年代，微电子技术的 快速发展使得芯片上集成的元 件数量剧增，推动了电子技术
的进步。
电子技术的应用领域
通信
电子技术在通信领域的 应用包括无线通信、卫 星通信、光纤通信等。
计算机与互联网
由半导体材料制成的电子 器件，具有放大和开关作 用，是构成各种电子电路 的基本元件。
集成电路
将多个电子元件集成在一 块衬底上，实现一定的电 路或系统功能。
分立元件
电阻器
用于限制电流或调节电压，是电子电路中最基本 的元件之一。
电容器
用于储存电荷，具有隔直通交的特性，在滤波、 耦合、旁路等电路中广泛应用。
降低成本
根据仿真测试结果，优化电路性能，提高 稳定性。
模拟电子技术基础(完整课件)
>100000
封装好的集成电路
课程的教学方法
模电——“魔”电 特点：电路形式多、公式多、工程性强 教学方法： 课堂讲课 ——每章小结 ——自我检测题
——作业 ——作业反馈
——实验 ——答疑
总成绩＝期末（70％）＋平时（30％） 平时：作业、课堂、实验等
教材：《模拟电子技术基础》，李国丽王涌李如 春主编，高等教育出版社，国家级十二 五规划教材
就在这个过程中，爱迪生还发现了一 个奇特 的现象：一块烧红的铁会散发出电子云。后人 称之为爱迪生效应，但当时不知道利用这一效 应能做些什么。
1904年，英国发明家弗莱明在真空中加热的 电丝(灯丝)前加了一块板极，从而发明了第一 只电子管，称为二极管。
1906 年，美国发明家德福雷斯特，在二极管 的灯丝和板极之间巧妙地加了一个栅板，从而 发明了第一只真空三极管，建树了早期电子技 术上最重要的里程碑——电子工业真正的诞生 起点 。
2000年10月10日，基尔比 与另外两位科学家共同分享 诺贝尔物理学奖。
获得2000年Nobel物理奖
1958年第一块集成电路：TI公司的Kilby，12个器件，Ge晶片
1959年7月30日，硅谷的仙童半导体公司的诺依斯 采用先进的平面处理技术研制出集成电路，也申请到 一项发明专利 ，题为“半导体器件——导线结构”； 时间比基尔比晚了半年，但确实是后来微电子革命的 基础。
1959年仙童制造的IC
诺依斯
1971年：全球第一个微处理器4004由Intel 公司推出，在它3毫米×4毫米的掩模上，有 2250个晶体管，每个晶体管的距离是10微米， 每秒运算6万次。也就是说，一粒米大小的芯片 内核，其功能居然与世界上第一台计算机—— 占地170平方米的、拥有1.8万个电子管的 “爱
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〈〈模拟电子技术基础〉〉复习纲要
第一章:常用半导体器件
（1）熟悉下列定义、概念及原理：自由电子与空穴，扩散与漂移,复合，空间电荷区、PN结、耗尽层，导电沟道，二极管的单向导电性,稳压管的稳压作用，晶体管与场效应管的放大作用及三个工作区域。
（2）掌握二极管、稳压管、晶体管、场效应管的外特性、主要参数的物理意义。
掌握其应用。
（3）了解选用器件的原则。
了解集成电路制造工艺。
第二章:基本放大电路
（1）掌握以下基本概念和定义：放大、静态工作点、饱和失真与截止失真、直流通路与交流通路、直流负载线与交流负载线、h参数等效模型、放大倍数、输入电阻和输出电阻、最大不失真输出电压。
掌握静态工作点稳定的必要性及稳定方法。
（2）掌握组成放大电路的原则和各种基本放大电路的工作原理及特点，理解派生电路的特点,能够根据具体要求选择电路的类型。
（3）掌握放大电路的分析方法,能够正确估算常用基本放大电路（共射、共集、共源为主）的静态工作点和动态参数Au、Rｉ、Ro，正确分析电路的输出波形和产生截止失真、饱和失真的原因。
第三章:多级放大电路
（1）掌握以下概念和定义:零点漂移与温度漂移，共模信号与共模放大倍数，差模信号与差模放大倍数,共模抑制比，互补输出电路。
（2）掌握各种耦合方式的优缺点,能够正确估算多级放大电路的Au、Rｉ、Ｒo。
（3）掌握差动放大器静态工作点和动态参数的计算方法。
（4）掌握ＯCＬ电路。
第四章：集成运算放大电路
（1）熟悉集成运放的组成及各部分电路的特点、作用,正确理解其主要指标参数的物理意义、使用注意事项及其模型。
（2）理解电流源电路的工作原理。
（3）理解Ｆ０07的电路原理。
第五章：放大电路的频率响应
（1）掌握以下概念：上限频率,下限频率，通频带,波特图,增益带宽积，幅值裕度，相位裕度，相位补偿。
（2）能够计算放大电路中只含一个时间常数时的f H和f L，并能画出波特图。
（3）了解多级放大器频率响应与组成它的各级电路频率响应间的关系。
（4）了解集成运放中常用的相位补偿方法。
第六章:放大电路中的反馈
（1）能够正确的判断电路中是否引入了反馈以及反馈的性质,例如是直流反馈还是交流反馈,是正反馈还是负反馈,如是交流负反馈,是哪种组态的反馈等。
（2）能够估算深度负反馈条件下电路的放大倍数。
（3）掌握负反馈的四种组态对放大电路性能的影响，并能够根据需要在放大电路中引入合适的交流负反馈。
（4）正确理解负反馈放大电路产生自激振荡的原因，能够利用环路增益的波特
图判断电路的稳定性,并了解消除自激振荡的方法。
第七章：信号的运算和处理
（1）掌握比例、加减、积分、微分、对数和指数电路的工作原理及运算关系，能够运用“虚短”和“虚断”的概念分析各种运算电路输出电压与输入电压之间的运算关系,能够根据需要合理地选择电路。
（2）正确理解LPF、HＰＦ、BＰF、BEF的工作原理和电路计算,并能够根据需要合理地选择电路。
（3）了解干扰和躁声的来源及抑制方法。
第八章:波形的发生和信号的转换
（1）熟练掌握电路产生正弦波振荡的幅值平衡条件和相位平衡条件，RC桥式正弦波振荡电路的组成、起振条件和振荡频率。
正确理解变压器反馈式、电感反馈式、电容反馈式ＬＣ振荡电路和石英晶体振荡电路的工作原理，能够根据相位平衡条件正确判断电路是否可能产生正弦波。
正确理解它们的振荡频率与电路参数的关系。
（2）正确理解由集成运放构成的矩形波、三角波和锯齿波发生电路的工作原理、波形分析和有关参数。
（3）了解锁相环电路的方框图及工作原理。
第九章：功率放大电路
（1）掌握下列概念:晶体管的甲类、乙类和甲乙类工作状态,各类电路的优缺点,最大输出功率，转换效率。
（2）正确理解功率放大电路的组成原则,掌握ＯTL、OＣL的电路及原理，并理解其它类型功率放大电路的特点。
（3）掌握功率放大电路的最大输出功率和效率的计算,掌握功放管的选择方法。
（4）了解集成功率放大电路的工作原理和应用。
第十章：直流电源
（1）正确理解直流稳压电源的组成及各部分的作用。
（2）能够分析整流电路的工作原理，估算输出电压及电流的平均值。
（3）了解滤波电路的工作原理，能够估算电容滤波电路输出电压平均值。
（4）掌握稳压管稳压电路的工作原理，能够正确进行限流电阻的估算。
（5）正确理解串联型稳压电路的工作原理,能够估算输出电压的调节范围。
（6）掌握集成稳压器的工作原理及使用方法。
（7）理解开关型稳压电路的工作原理及特点。