《光电子材料与器件》考试重点复习
最新《光电子材料与器件》复习提纲
《光电子材料与器件》复习提纲Sciprince一、1、激光的原理、特点、本质P42、受激辐射三能级、四能级系统(为什么四能级系统效率高)3、固体激光器如何锁模P364、光谱线的宽度线性函数P55、均匀加宽(碰撞加宽、自然加宽)线性函数P56、增益饱和的物质实质二、1、红宝石激光器P182、Nd3+:YAG激光器P183、自由电子激光器P22三、1、横模选择技术P402、纵模选择技术P433、稳频技术P464、兰姆凹陷稳频P485、Q调制原理P256、锁模的基本原理P33四、1、电光调制概念P532、怎么调制(怎么调,计算栅极调制和正负调制)3、光电振幅调制原理P534、电光效应P55五、1、声光衍射现象P632、耦合波理论和耦合波方程P643、磁光调制P684、Ramman-Nath衍射图P635、Bragg衍射图P64六、1、光纤衰减P752、光纤弧子P76七、1、光伏探测器2、光电池P85八、1、光电子学研究对象F12、3、爱因斯坦受激辐射理论P24、几种激光器工作物质和原理P155、声光调制概念P655、两种调制的区别6、光纤衰减有哪些(09诺贝尔)P757、光电转换器概念P848、哪几种物理效应P839、CCD工作原理,反型层,转移,P型n型,外加电压正负,栅极电压P88附件:由光学和电子学结合形成的技术学科。
电磁波范围包括X射线、紫外光、可见光和红外线。
光电子学涉及将这些辐射的光图像、信号或能量转换成电信号或电能,并进行处理或传送;有时则将电信号再转换成光信号或光图像。
以光波代替无线电波作为信息载体,实现光发射、控制、测量和显示等。
通常有关无线电频率的几乎所有的传统电子学概念、理论和技术,如放大、振荡、倍频、分频、调制、信息处理、通信、雷达、计算机等,原则上都可延伸到光波段。
在激光领域中,激光器提供光频的相干电磁振荡源,光电子学是指光频电子学。
光电子学有时也狭义地指光-电转换器件及其应用的领域。
光电子器件考试(DOC)
普遍的器件都需要封装,所谓封装就是用绝缘的塑料材料或者陶瓷对器件进行包装,起到保护器件电路,便于运输等诸多的作用。对于一些光电的器件来说,封装也是相当的重要,在LED上面需要用到的封装透镜就是一个例子。把LED IC封装成LED光电零组件时,需要用到封装透镜,这里的封装透镜就是一个微光学元件,一次封装透镜直接封装在LED上,有点胶,灌封,模压三种方式,透镜的材料可以用PC,光学玻璃,硅胶等。透镜封装在LED上面,用到的一些材料可以使得其导热性下降,从而使LED得到保护,同时封装也具有良好的透光性,不影响LED光的强度。这样的封装对LED这样的光电子器件来说是十分的重要的。
②混合式的制造工艺用到实际生产上,成本很高。
③探测器与传输器之间材料的膨胀系数对应不好,会使得探测器阵列冷却时使得铟对接处的剪切材料变型。
④功耗比较大,芯片尺寸比较大。
二者的相同点:①二者都是红外焦阵列的平面结构。即探测器在透镜的焦点位置。
二者的不同点:①结构不同:混合式红外成像的红外光敏部分和信号处理部分做在两个半导体上面,而单片式红外成像的红外部分和信号处理部分在同一个半导体上面。
光电器件设计与制作
科 目:光电器件设计与制造
任教老师:
姓 名:
学 Байду номын сангаас:
学 院:
1、光电导摄像管是如何将一幅光图像变为电信号传递出去的?
答:可以把这个过程简单的分成三个步骤:
下面是我画的简易的一个光电摄像管:
步骤一:光学图形转化为电荷:
由透明导电膜和光电导层组成了摄像管的靶面,光电导层一般都是通过工艺比如沉积法沉淀在透明导电膜上的。电源的工作电压VT加在靶光电导体和电子束扫描枪,右端接地,即使没有光照也会在靶光电导体上面产生偏置电压。由于是半导体,所以我们将靶面看做是无数个单位小光电导体(也称像素单位)组成的如图二,当光照很强的时候,发生跃迁,导电的电子就会越多。传输到靶面的光学图形中各个地方的光照度是不相同的,所以不同部位参与导电的电子数目就不一样。这样就把图形转换成了电荷的分布。
光电子材料与器件考试试题
光电子材料与器件考试试题
一、选择题:
1. 下列哪种材料不属于光电子材料?
A. 硅
B. 红宝石
C. 铜
D. 石英玻璃
2. 以下哪种器件不属于光电子器件?
A. 光电二极管
B. 晶体管
C. 激光器
D. 光纤
3. 光电二极管是将光电效应和何种效应结合成的器件?
A. 霍尔效应
B. 热电效应
C. 压电效应
D. 光电效应
4. 下列哪种光电子材料是半导体?
A. 铬
B. 镓砷化镓
C. 银
D. 铝
5. 光纤是由哪种材料制成的?
A. 红宝石
B. 石英玻璃
C. 铜
D. 铁
二、填空题:
6. 光电子器件有什么特点?__________
7. 光电效应是指材料受到光照后产生__________的现象。
8. 透明度较好的材料是做__________的好材料。
9. 激光器是一种能产生__________ 的器件。
10. 在光电子器件中,常用的探测器件有__________和__________。
三、简答题:
11. 请简要解释光电效应的原理,并说明在光电子器件中的应用。
12. 什么是激光器?请说明其结构和工作原理。
13. 光电二极管的工作原理是什么?它在哪些领域有广泛的应用?
四、计算题:
14. 某光电子器件的能带宽度为1.5 eV,若输入的光子能量为2.5 eV,求该光子被吸收后产生的电子的动能。
15. 如果一个光电子器件的反射率为30%,则透射率是多少?
以上为光电子材料与器件考试试题,祝您好运!。
光电子材料和器件复习资料
试卷题型分布100分选择题、填空题、名词解释、问答题、论述题选择题内容不仅仅在这里面,包括书里、课堂讲授第一章一、单项选择题可见光的波长范围为[C ]A 200—300nmB 300—380nmC 380—780nmD 780—1500nm二、填空1.异质p-n结指p端与n端为不同材料形成的p-n结2.P型半导体是向本征半导体中参入低价元素形成的。
P型半导体中的导电粒子为空穴。
3. 红外线,它是一种人眼看不见的光线,但实际上它与其他任何光线一样,也是一种客观存在的物质。
任何物质,只要它的温度高于__ O K __,就会有红外线向周围空间辐射。
三、名词解释:非本征半导体,pn结,直接带隙,间接带隙,光致发光,电致发光,内量子效率,外量子效率,发光效率,垂直腔面发射激光器,l·pn结的空间电荷区具有什么样的特点?它是如何形成的?2·简述直接带隙半导体及间接带隙半导体材料的发光过程。
两者有何不同?3.发光二极管的发光原理是什么?4·理解半导体材料中实现光放大的粒子数反转条件。
5·半导体激光器产生激光需要满足哪些条件?6·双异质结半导体激光器为什么可以显著降低阈值电流?7、垂直腔面发射激光器优点8、什么是半导体材料的本征吸收?9、双异质结半导体激光器为什么可以显著降低阈值电流?第二章常用的激光晶体、激光玻璃、激光陶瓷有哪些?P28-32常用的固体激光器的基质材料有哪些?光泵固体激光器的三个基本组成部分P41固体激光器的主要优点谐振腔腔长公式P47阈值增益系数公式P58常见的固体激光器P62激活离子P27,基质材料P28光学谐振腔的基本结构及其作用。
P44第六章光子效应、光热效应、光电导效应、光生伏特效应光电发射效应光热效应有哪些?光子效应有哪些?常见的光电二极管。
硅太阳能电池类型光热效应的特点有哪些?光电二极管的原理及其主要的物理过程。
光电池从材料和结构上分为4类,各有什么特点?PIN光电二极管优点和特点雪崩光电二极管的工作原理雪崩光电二极管的特点论述光敏电阻的基本特性。
光电子器件总复习
1.2.1 典型半导体发光材料
一、GaAs
GaAs是一种重要的III-V族化合物半导体,典型的 直接跃迁型发光材料。直接跃迁发射的光子能量 在1.42ev左右,相应波长在873nm附近,属于近红 外波段。
GaAs发光二级管主要是在P区发光,原因在于注 入电子的迁移率远高于空穴的迁移率。
本征半导体:
本征半导体是纯净而不含任何杂质的理想半导体 材料。
由于晶体中原子的热振动,价带中的一些电子被 激发到导带,同时在价带中留下空穴,形成电子空穴对。因此,本征半导体中的电子浓度与空穴 浓度相等。
本征半导体:
由此我们可以看出:
1. 本征半导体中有两种载流子 — 自由电子和空穴 它们是成对出现的
LED的主波长随温度关系可表示为λp( T′)=λ0(T0)
+△Tg×0.1nm/℃ ,从而可知,每当结温
升高
10℃,则波长向长波漂移1nm,且发光的均匀性、一致性变差。
这对于作为照明用的灯具光源要求小型化、密集排列以提高单位
面积上的光强、光亮度的设计尤其应注意用散热好的灯具外壳或
专门通用设备、确保LED长期工作。
(1)子午光线
当入射光线通过光纤轴线,且入射角θ1大 于界面临界角 0 sin 1(n2 / n1)时,光线将在柱体
界面上不断发生全反射,形成曲折回路,而
且传导光线的轨迹始终在光纤的主截面内。
这种光线称为子午光线,包含子午光线的平
面称为子午面。
P
P
n2 r
n1
n1
Q
n2
Q
光波在光纤中传播, 就是交变的电场和磁场在光纤中的传 播。电磁场的各种不同分布形式叫做“模式”。根据传输理论, 引入特征参数V, 称为光纤的归一化频率参数, 其表达式为
光电子复习(知识点)
那么,通过检偏器后的总电场强度是
Ex ( L) 和 E y ( L)
x P1 Ii 入射光 L y z x 调制光 Io 起偏器
在y方向的投影之和
(E y )o A i (e 1) 2
,
P2
~ V 图 纵向电光强度调制
/4波片
检偏器
与之相应的输出光强为
* y o
A2 i I o [(E y ) o ( E ) ] (e 1)(e i 1) 2 A2 sin 2 2 2
*上述三、四能级图并不是激活介质的实际能级结构
3. 光振荡的阈值条件
光在谐振腔内来回反射的过程中,对光
强变化的影响存在两个对立因素:
1. 激活介质的增益,它使光强放大; 2. 光能量在激光器中有各种损耗,它使光强 变小。 要使光强不断加强就必须使增益大于损耗
产生激光必须满足的条件 1. 激活介质处于粒子数反转分布状态; 2. 满足光振荡的阈值条件。
2. 横模
横模:自再现模在垂直腔轴横截面上的场分布
谐振腔所允许的光场的各种横向稳定分布形 成的原因较复杂。
由腔内光束多次在反射镜边缘产生的衍射非 轴向光束的加强干涉激活介质的色散、散射
方法:在一块镜面上,给定频率为ω的任意光 场分布,然后利用基尔霍夫衍射积分 公式计算另一块镜面上的光场分布。
uq ( x, y)
1 f n(0) sin(z )
f
1 n(0) sin(z )
f随z的变化如图5所示, z=/4时,f=fmin。
z
=2/
f
(a)
fmin=1/n(0) 1/n(0) /2 / 2/ 3/ z
A
(b)
图5自聚焦光纤的透镜特性 (a) 子午光线;(b) f的周期变化
光电子器件考试重点
1、光伏效应:热平衡时,结势垒区内存在较强的内建电场(自n区指向p区)。
光照时,符合条件的入射光子被吸收产生电子-空穴对,结两边的光生少数载流子受内建电场的作用,各自向相反方向运动:p区的电子穿过p-n结进入n 区;n区的空穴进入p区,使p端电势升高,n 端电势降低,于是在p-n结两端形成了光生电动势,这就是p-n结的光生伏特效应。
2、光电池的基本原理:在pn结开路的情况下,光生电流和正向电流相等时,pn结两端建立起稳定的电势差,。
如将pn结与外电路通,只要光照不停止,就会有源源不断的电流通过电路,p-n结起了电源的作用。
这就是光电池的基本原理。
3、光伏组件要成功运作需满足:(1)入射光子被吸收产生电子-空穴对---hγ≥Eg;(2)电子-空穴对在复合之前被分开---p-n结存在内建电场;(3)分开的电子和空穴传输至负载---连接导线。
4、表征太阳能电池的参数:(1)开路电压V oc:在p-n结开路情况下(R=∞),此时pn结两端的电压即为开路电压V oc。
这时,I=0,即:IL=IF。
将I=0代入光电池的电流电压方程,得开路电压为:V oc=(kT/q) x ln(IL/Is+1)(2)短路电流Isc:如将pn结短路(V=0),因而IF=0,这时所得的电流为短路电流Isc。
显然,短路电流等于光生电流,即:Isc = IL (3)填充因子FF:在光电池的伏安特性曲线任一工作点上的输出功率等于该点所对应的矩形面积,其中只有一点是输出最大功率,称为最佳工作点,该点的电压和电流分别称为最佳工作电压V op和最佳工作电流Iop。
填充因子定义为:FF =V opIop/V ocIsc= Pmax/V ocIsc(4)太阳能电池能量转换效率η:表示入射的太阳光能量有多少能转换为有效的电能。
即:η=(太阳能电池的输出功率/入射的太阳光功率)x100% = (V op x Iop/Pin x S)X100%= V oc•Isc•FF/Pin • S其中Pin是入射光的能量密度,S为太阳能电池的面积,当S是整个太阳能电池面积时,η称为实际转换效率,当S是指电池中的有效发电面积时,η叫本征转换效率。
光电材料与器件期末复习题-图文
光电材料与器件期末复习题-图文第一章1.光电探测器:光电导效应、光伏效应———内光电效应发光二极管、半导体激光器:载流子的注入和复合发光效应太阳能电池:光生伏特效应外光电效应:在光线的作用下,物体内的电子逸出物体表面向外发射的现象,光电管、光电倍增管。
2.(1)原子核外电子排布能量最低原理核外电子在原子轨道上的排布,应使整个原子的能量处于最低状态。
即填充电子时,是按照近似能级图中各能级的顺序由低到高填充的。
泡利不相容原理在同一原子中,不可能有两个电子具有完全相同的四个量子数。
如果原子中三个量子数相同,第四个一定不同,即同一轨道最多能容纳2个自旋方向相反的电子。
洪特规则在同一亚层的各个轨道上,电子的排布尽可能分占不同的轨道,并且自旋相同。
(2)电子在能带中的排布排布原则:能量最低原理——按由低到高的顺序填充各能级。
泡利不相容原理——同一能级最多容纳2个自旋方向相反的电子。
3.费米能级EF是反映电子在各个能级中分布情况的参数。
对于具体的电子体系,在一定温度下,只要确定了EF,电子在能级中的分布情况也就完全确定了。
对于一定的半导体,费米能级随温度以及杂质的种类和数量而变化。
费米能级位置较高,说明有较多的能量较高的量子态上有电子。
在绝对零度(T=0)时,费米能级EF可看成量子态是否被电子占据的一个界限。
4.(注意)(1)非平衡载流子的注入光注入:用光照射半导体产生非平衡载流子的方法。
(光-电器件,光-光器件)电注入:给PN结加正向偏压,PN结在接触面附近产生非平衡载流子。
当金属和半导体接触时,加上适当的偏压,也可以注入非平衡载流子。
电-光器件)(2)非平衡载流子的复合非平衡载流子的复合:非平衡载流子是在外界作用下产生的,当外界作用撤除以后,由于半导体的内部作用,导带中的非平衡电子将落入到价带的空状态中,使电子和空穴成对地消失。
非平衡载流子的复合是半导体由非平衡态趋向平衡态的一种弛豫过程,属于统计性的过程。
《光电子材料与器件》-题库
《光电子材料与器件》题库选择题:1. 如下图所示的两个原子轨道沿z轴方向接近时,形成的分子轨道类型为( A )(A) *σ(B) σ(C) π(D) *π2. 基于分子的对称性考虑,属于下列点群的分子中不可能具有偶极矩的为(C)(A)C n(B)C n v(C)C2h(D)C s3. 随着温度的升高,光敏电阻的光谱特性曲线的变化规律为(B)。
(A)光谱响应的峰值将向长波方向移动(B)光谱响应的峰值将向短波方向移动(C)光生电流减弱(D)光生电流增强4. 利用某一CCD来读取图像信息时,图像积分后每个CCD像元积聚的信号在同一时刻先转移到遮光的并行读出CCD中,而后再转移输出。
则该CCD的类型为(B )(A)帧转移型CCD (B)线阵CCD (C)全帧转移型CCD (D)行间转移CCD5. 对于白光LED器件,当LED基片发射蓝光时,其对应的荧光粉的发光颜色应该为(D)(A)绿光(B)紫光(C)红光(D)黄光6. 在制造高效率太阳能电池所采取的技术和工艺中,下列不属于光学设计的为(C)(A)在电池表面铺上减反射膜;(B)表面制绒;(C)把金属电极镀到激光形成槽内;(D)增加电池的厚度以提高吸收7. 电子在原子能级之间跃迁需满足光谱选择定则,下列有关跃迁允许的表述中,不正确的是(B ):(A)总角量子数之差为1(B)主量子数必须相同(C)总自旋量子数不变(D)内量子数之差不大于28. 物质吸收一定波长的光达到激发态之后,又跃迁回基态或低能态,发射出的荧光波长小于激发光波长,称为(B)。
(A)斯托克斯荧光(B)反斯托克斯荧光(C)共振荧光(D)热助线荧光9. 根据H2+分子轨道理论,决定H原子能否形成分子的主要因素为H原子轨道的(A )(A)交换积分(B)库仑积分(C)重叠积分(D)置换积分10. 下列轨道中,属于分子轨道的是(C)(A)非键轨道(B)s轨道(C)反键轨道(D)p 轨道11. N2的化学性质非常稳定,其原因是由于分子中存在(D )(A)强σ 键(B)两个π键(C)离域的π键(D)NN≡三键12. 测试得到某分子的光谱处于远红外范围,则该光谱反映的是分子的(B )能级特性。
《光电子材料与器件》考试重点复习
1、能带形成的原理孤立原子的电子占据一定的原子轨道,形成一系列分立的能级。
如果一定数量的原子相互结合形成分子,则原子轨道发生分裂,形成的分子轨道数正比于组成分子的原子数。
在包括半导体在内的固体中,大量原子紧密结合在一起,轨道数变得非常巨大,轨道能量之差变得非常小,与孤立原子中的分立能级相比,这些原子轨道可视为能量是近似连续分布的。
这种能级近似连续分布的能量范围,即为能带。
2、半导体发光机理半导体材料中的电子由高能态向低能态跃迁的同时,会以光子的形式释放多余的能量,这称为辐射跃迁,辐射跃迁的过程也就是半导体材料的发光过程。
电子由高能态向低能态跃迁的同时,产生相应能量间隔的光子。
电子的跃迁,要求价带有价带电子,同时导带有相应的空穴,即在导带、价带中存在电子空穴对,通过电子空穴的复合,半导体可以发射光子。
3、光电探测原理将光辐射的作用,视为所含光子与物质内部电子的直接作用,也就是物质内部电子在光子的作用下,产生激发而使物质的电学特性发生变化。
4、pn结形成空间耗电区的原理形成PN结后,由于n区和p区载流子浓度的差异,n区的多数载流子电子、p区的多数载流子空穴分别向对方区域扩散并与其多数载流子复合。
这就造成PN 结n区一侧附近电子浓度降低,留下不能移动的施主离子,产生局部的正电荷区域。
PN结p区一侧的附近空穴浓度降低,留下不能移动的受主离子,产生局部的负电荷区域。
由于局部正负电荷的存在,PN结附近会产生一个由n区指向p 区的内建电场。
电场阻碍n区的电子继续向p区扩散,同时使n区的少数载流子空穴向p区漂移,同样,电场阻碍p区的空穴继续向n区扩散,同时使p区的少数载流子电子向n区漂移。
随着扩散的减弱,飘移的增强,最终实现载流子的动态平衡。
PN结附近载流子被耗尽的区域称为空间电荷区,或者耗尽区。
5、直接带隙半导体和间接带隙半导体的区别直接带隙:导带的最低位置位于价带最高位置的正上方;电子空隙复合伴随光子的发射。
光电材料与器件 期末复习题
光电材料与器件复习题第一章1.光电探测器:光电导效应、光伏效应———内光电效应发光二极管、半导体激光器:载流子的注入和复合发光效应太阳能电池:光生伏特效应外光电效应 :在光线的作用下,物体内的电子逸出物体表面向外发射的现象,光电管、光电倍增管。
2.(1)原子核外电子排布能量最低原理核外电子在原子轨道上的排布,应使整个原子的能量处于最低状态。
即填充电子时,是按照近似能级图中各能级的顺序由低到高填充的。
泡利不相容原理在同一原子中,不可能有两个电子具有完全相同的四个量子数。
如果原子中三个量子数相同,第四个一定不同,即同一轨道最多能容纳2个自旋方向相反的电子。
洪特规则在同一亚层的各个轨道上,电子的排布尽可能分占不同的轨道,并且自旋相同。
(2)电子在能带中的排布排布原则:能量最低原理——按由低到高的顺序填充各能级。
泡利不相容原理——同一能级最多容纳2个自旋方向相反的电子。
3.费米能级EF是反映电子在各个能级中分布情况的参数。
对于具体的电子体系,在一定温度下,只要确定了EF,电子在能级中的分布情况也就完全确定了。
对于一定的半导体,费米能级随温度以及杂质的种类和数量而变化。
费米能级位置较高,说明有较多的能量较高的量子态上有电子。
在绝对零度(T=0)时,费米能级EF可看成量子态是否被电子占据的一个界限。
4.(注意)(1)非平衡载流子的注入光注入:用光照射半导体产生非平衡载流子的方法。
(光-电器件,光-光器件)电注入:给PN结加正向偏压,PN结在接触面附近产生非平衡载流子。
当金属和半导体接触时,加上适当的偏压,也可以注入非平衡载流子。
电-光器件)(2)非平衡载流子的复合非平衡载流子的复合:非平衡载流子是在外界作用下产生的,当外界作用撤除以后,由于半导体的内部作用,导带中的非平衡电子将落入到价带的空状态中,使电子和空穴成对地消失。
非平衡载流子的复合是半导体由非平衡态趋向平衡态的一种弛豫过程,属于统计性的过程。
5.量子限制效应(QCE,Quantum Confinement Effect),指固体材料的尺度缩小到一定值时,即在某一维度上可与电子的德布洛意波长或电子平均自由程相比拟或更小时,电子的运动受到局限,电子态呈量子化分布,连续的能带分解为分立的能级。
光电子学复习提纲
光电子学复习提纲光电子学是研究光与电子之间相互作用的学科,它涉及到光的产生、传播、探测以及与物质的相互作用等方面。
本文将为您提供一份光电子学复习提纲,帮助您全面复习光电子学的相关知识。
一、光的基本概念和特性1.光的波动性和粒子性:光的波粒二象性以及爱因斯坦对光的解释。
2.光的电磁波性质:光的振荡特性、光的波长、频率、波速等基本概念。
3.光的干涉和衍射现象:干涉和衍射的基本原理以及干涉条纹和衍射图样的特点。
二、光的产生与传播1.光的产生方式:自发辐射、受激辐射和受激吸收等。
2.激光原理和特性:受激辐射的产生、激光的特点和分类、激光的放大和调谐等。
3.光纤通信:光纤的结构和工作原理、光纤传输的优势和应用领域、光纤通信系统的组成和性能。
三、光的探测和测量1.光电二极管:光电二极管的结构和工作原理、灵敏度和响应速度等。
2.光电倍增管:光电倍增管的基本原理、增益特性和应用。
3.光谱仪:光谱仪的工作原理、光栅和衍射光栅的特性、光谱分析的应用等。
四、光与物质的相互作用1.光电效应:光电效应的基本原理、光电效应的实验和测量以及应用。
2.光电导效应:光电导效应的概念和原理、光电导材料的特点和应用。
3.光致发光和光致发色:光致发光的基本原理、光致发光技术的应用。
4.光致变色:光致变色的基本原理、光致变色材料的种类和应用。
五、光电子学的应用1.光电子器件:光电二极管、激光器、光纤传感器等光电子器件的原理和应用。
2.光电子技术在生物和医学领域的应用:光纤光谱仪的生物分析应用、激光在医学中的应用等。
光电子学是一门重要的学科,它在现代科学和技术中有着广泛的应用。
通过对光的产生传播、探测测量以及光与物质的相互作用等方面的研究,我们可以更好地理解光学现象,并将光电子学应用于光通信、光信息处理、生物医学等领域,为人类社会的进步做出贡献。
以上就是光电子学复习提纲的内容,希望能对您的复习有所帮助。
祝您复习顺利!。
光电子(1,2章)复习题(1)
光电器件基础·期末复习指导第一章半导体光学基础知识[基本概念]1.光电子技术:光子技术和电子技术相结合而形成的一门技术。
2.光的波粒二象性:某物质同时具备波的特质及粒子的特质。
3.直接带隙半导体:导带底和价带顶在k 空间同一点的半导体4.间接带隙半导体:导带底和价带顶不在k 空间同一点的半导体5.内建电场:半导体pn结界面处两侧的离子带电类型不同,使得空间电荷层中存在着从n 型区一侧指向p 型区一侧的电场6.半导体异质结构:专指不同单晶半导体之间的晶体界面。
[基本理论]1.光的电磁波谱众所周知,光是一种电磁波。
如图1.5 所示,从无线电波到γ射线的整个电磁波谱中,光辐射只是从波长1 nm ~ 1 mm(频率为3×1011 Hz ~ 3×1017 Hz)范围内的电磁辐射,它包括真空紫外线、紫外线、可见光、红外辐射等部分。
可见光是波长为380 nm ~ 780 nm 的光辐射,这一波段范围内的电磁波被人眼所感知。
图1.5 光的电磁波谱2.pn 结的伏安特性pn 结加正向偏压时,通过pn 结的电流主要为扩散电流,电流随电压成指数增加;加负向偏压时,扩散运动受到严重抑制,通过pn 结的电流主要是很小的漂移电流。
这里仅给出电流电压关系为[exp(/)1]s a b J J eV K T =-其中0[]p n n p p n eD P eD n Js L L =+上式称为理想二极管方程。
它是在很大电流与电压范围内pn 结电流电压特性的最佳描述。
图1.17 为pn 结电流电压关系曲线。
假如V a 为负值(反向偏压),反偏电流会随着反偏电压的增大而迅速趋向于一个恒定值-J s ,与反向偏压的大小就无关了。
J s 称为反向饱和电流密度。
很显然,pn 结的电流电压特性是非对称的。
[综合问题]1.单晶硅、锗与砷化镓能带结构有何特点?硅和锗的能带结构有何特点:硅和锗的导带在布里渊区中心虽然都有极小值,但导带中最小的极小值却不在布里渊区中心Γ 点,如图1.10所示,硅导带中的最小极值在空间[1 0 0]方向上,Γ 点之间的距离约为Γ 点和X 点间距的5/6,锗导带中的最小极值在空间[1 1 1]方向上的L 点处。
电子科大光电材料与器件(复习)
1.利用像增强器,人类突破了视见灵敏阈的限制。
2.光电技术的必要性:扩展人眼对微弱光图像的探测能力;将超快速现象存储下来;开拓人眼对不可见辐射的接收能力;捕捉人眼无法分辨的细节3.1900年普朗克( Planck )提出了光的量子属性4.爱因斯坦认为光是由光子组成的粒子流,它不仅是一份份地被吸收、辐射,而且光所具有的能量也是聚集成一份份在空间传播,具有的能量hv。
用光量子理论成功地解释了光电效应.方程5.光电技术是在人类探索和研究光电效应的进程中产生和发展起来的6.大气窗口(um):0.76-1.2;3-5;8-147.1929年,科勒制成了第一个实用的光电发射体——银氧铯光阴极。
8.红外变像管,实现了将不可见的红外图像转换成可见光图像9.人眼视觉受到的限制:灵敏度;分辨力;时间;空间;光谱10.自然界波长:10^-16m的宇宙射线到波长为10^8m的长电振荡,全波段电磁波都可成为信息的载体11.长波限,短波限;标准辐射源(或标准光源)作为输入源12.光电器件分类:单元,多元,固态,真空13.光照射到物体表面的能量将被反射、透射、和吸收。
光电器件主要利用吸收的光能。
14.光电器件利用物体吸收光能后的热效应或光电效应,光电效应可分为内光电效应和外光电效应15.转换系数G光电成像器件在法线方向输出的亮度与输入的辐照度之比值。
亮度增益光增益单色转换系数16.朗伯发光:M=3.14L--------G0=3.14G1。
;都与输入光谱分布有关17.电流响应率,电压响应率,单色灵敏度(峰值波长灵敏度,长波限)18.时间响应滞后:存在惰性环节,如荧光屏、光电导靶;直视型(荧光屏—余辉)非直(光电,电容)19.光电转换上升过程的滞后远小于下降过程的滞后20.当光电成像器件的输入辐照度(或照度)为脉冲函数时,得到的输出信号是时间的函数,取其归一化的函数脉冲响应函数。
比例函数衰减型负指数函数衰减型双曲函数衰减型21.瞬时调制传递函数系统所输出的归一化时间频谱函数与理想输出(无惰性)的归一化时间频谱函数之比。
光电功能材料与器件复习题.doc
填空题1.当输出信号电压等于输出噪声电压均方根时的探测器的入射辐射功率称为最小可探测辐射功率。
2.对半导体而言,材料吸收光的原因在于光于处在各种状态的电子、晶格原子和杂质原子的相互作用。
3.材料吸收光子能量后,岀现一电子■空穴对,引起电导率变化或电流电压现象,称为内光电效应。
4.光敏电阻器制作在陶瓷基体上,光敏面均做成蛇形,冃的是要保证有较大的受光而积。
5.当P型与N型半导体相接触,电子和空穴相互扩散在接触区附近形成空间电荷区和耗尽层,结区两边形成内建电场。
6.光电池是直接把光变成电的光电器件,它是利用各种势垒的光牛伏特效应制成的。
7.光电二极管等结型光电器件的噪声主要是_电流散粒噪声和屯阻的热噪声。
8.光电三极管相当于一个基极一集电极组成的光电二极管加上一•个普通的晶体放大管。
9.光电阴极是根据外光电效应制成的光电发射材料。
10.光电倍增管主要由光电阴极、电子光学输入系统、倍增系统和阳极组成。
11.当具有足够能量的电子轰击物体时,该物体有电子发射出来,这种现象称为二次电子发射O12.像管屮电子光学系统的任务有两个,一是一加速光电子,二是使光电子成像在像面上。
13.除喑背景外,像管受到辐照吋还要引起一种与入射信号无关的附加背景亮度,称为信号感牛背景o14.配合第二代近贴结构和负电了亲和势光电阴极,以及先进的MCP技术,出现了第三代微光像增强器。
15.把N个亮度信号转变为电信号的方法称为扫描。
16.视像管的结构由光学系统、靶、电子枪、聚焦、扫描系统等纽成。
17.从结构上讲CCD是由许多MOS (金属■氧化物■半导体)电容组成。
D的电荷转移信道有两种形式,即表面转移信道和体内(或埋沟)转移信道。
19.H前有四种主要类型的光子探测器,即光电导、光伏、MIS型和肖特基势垒型。
20.当H标与背景的温差使系统输出的峰值信号电压与噪声均方根电压相等吋, 测试图案上n标与背景的温差就是噪声等效温差。
21.因吸收辐射能使物体温度升高,从而改变物体性能的现象称为热效应。
- 1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性,平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
- 2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
- 3、如文档侵犯您的权益,请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间:9:00-18:30)。
1、能带形成的原理孤立原子的电子占据一定的原子轨道,形成一系列分立的能级。
如果一定数量的原子相互结合形成分子,则原子轨道发生分裂,形成的分子轨道数正比于组成分子的原子数。
在包括半导体在内的固体中,大量原子紧密结合在一起,轨道数变得非常巨大,轨道能量之差变得非常小,与孤立原子中的分立能级相比,这些原子轨道可视为能量是近似连续分布的。
这种能级近似连续分布的能量范围,即为能带。
2、半导体发光机理半导体材料中的电子由高能态向低能态跃迁的同时,会以光子的形式释放多余的能量,这称为辐射跃迁,辐射跃迁的过程也就是半导体材料的发光过程。
电子由高能态向低能态跃迁的同时,产生相应能量间隔的光子。
电子的跃迁,要求价带有价带电子,同时导带有相应的空穴,即在导带、价带中存在电子空穴对,通过电子空穴的复合,半导体可以发射光子。
3、光电探测原理将光辐射的作用,视为所含光子与物质内部电子的直接作用,也就是物质内部电子在光子的作用下,产生激发而使物质的电学特性发生变化。
4、pn 结形成空间耗电区的原理形成PN结后,由于n区和p区载流子浓度的差异,n区的多数载流子电子、p 区的多数载流子空穴分别向对方区域扩散并与其多数载流子复合。
这就造成PN 结n 区一侧附近电子浓度降低,留下不能移动的施主离子,产生局部的正电荷区域。
PN结p区一侧的附近空穴浓度降低,留下不能移动的受主离子,产生局部的负电荷区域。
由于局部正负电荷的存在,PN 结附近会产生一个由n 区指向p 区的内建电场。
电场阻碍n区的电子继续向p区扩散,同时使n区的少数载流子空穴向p 区漂移,同样,电场阻碍p 区的空穴继续向n 区扩散,同时使p 区的少数载流子电子向n区漂移。
随着扩散的减弱,飘移的增强,最终实现载流子的动态平衡。
PN 结附近载流子被耗尽的区域称为空间电荷区,或者耗尽区。
5、直接带隙半导体和间接带隙半导体的区别直接带隙:导带的最低位置位于价带最高位置的正上方;电子空隙复合伴随光子的发射。
III-V 族元素的合金,典型的如GaAs 等。
间接带隙:导带的最低位置不位于价带最高位置的正上方;电子空隙复合需要声子的参与,声子振动导致热能,降低了发光量子效率。
6、半导体发光材料特性砷化傢(GaAs):直接跃迁型闪锌矿结构发射的光子能量1.42eV左右,相应波长873nm 附近,红外波段磷化傢(GaP):间接跃迁型闪锌矿结构间接带隙宽度2.26eV,离子性为0.374,氮化傢(GaN):直接跃迁型纤锌矿结构带隙宽度3.39eV7、什么是发光二极管发光二极管是由数层很薄的搀杂半导体材料制成,一层带过量的电子,另一层因缺乏电子而形成带正电的“空穴” ,当有电流通过时,电子和空穴相互结合并释放出能量,从而辐射出光芒。
对于偏折射光线有:NA S n 0 sin (S ) Sin 0m0m cos cos 2n 2 8、 半导体激光器的阈值条件1J m gL L In (1/RR 2)9、 激光器的构成,⑴•工作物质⑵•激励源⑶谐振腔10、 三能级、四能级系统工作原理在三能级系统中,E1为基态,同时也是激光下能级。
E2和E3虽都是激发 态,但E3为短寿命能级,E2为激光上能级,是具有较长寿命的亚稳态。
从基态 被泵浦WP 抽运到E3的原子能够迅速通过无辐射跃迁转移到 E2能级。
E1上的 原子被向上抽运和E2能级上原子数的积累便形成了这两个能级间的集居数密度 反转分布。
四能级系统激光下能级E1是一个距基态E0有足够大能级差的激发态。
在 热平衡情况下,该能级原子集居数密度很小,近似是一个空的能级,且具有很短 的能级寿命。
通常跃迁到E1能级的原于能迅速返回基态。
具有大的无辐射跃迁几率, 或者以大的速率将下能级抽空是四能级系统能否形成足够大的反转集居数密度 并且维持这种反转分布的关健之一。
区别:下能级是一个空的能级,是四能级系统的泵浦性能优于三能级系 统的原因所在,因为实现上能级与一个空能级之间的反转分布毕竟要比与一个相 当满的基态能级之间的反转分布来得容易。
11、 谐振腔横模的表示方法12、光纤的分类(一)、按照纤芯折射率分布:阶跃折射率光纤,渐变折射率光纤;(二八按照传输模式划分:单模光纤,多模渐变型光纤,多模阶跃型光纤;(三八按照波长划分:传输波长分为:紫外、可见、红外(短波长08-0.9微米,长波长 1.3-1.6um )(四八按照材料划分:石英光纤、多成分玻璃光纤、塑料光纤、复合材料光纤(如塑料包层、液体纤芯等)、红外材料等。
按被覆材料还可分为无机材料(碳 等)、金属材料(铜、镍等)和塑料等。
(五八按照用途功能划分:传输信息(光通信)的光纤和传输能量的光纤(导光纤维)传输信息的光纤大多采用光缆(很多根光纤组成)传输能量的光纤主要有低双折射光纤、 模梯度光纤等。
13、光纤数值孔径的概念的相关计算。
对于阶跃型光纤有:N .A. n 0 sin高双折射光纤、涂层光纤、液芯光纤和多 n 12 n 2 2 n114、石英玻璃的几种损耗的定义及异同点。
吸收损耗:本征吸收损耗,杂质吸收损耗,原子缺陷损耗散射损耗:瑞丽散射,波导散射,非线性效应散射弯曲损耗:宏弯损耗,微弯损耗。
影响传输距离15、光纤无源器件、有源器件的定义及异同。
光纤无源器件:是一种能量消耗型器件,主要包括:光纤连接器件、光开关、光衰减器、光隔离器件、光滤波器和波分复用/解复用器等光纤有源器件:区别:元件在实现其本身功能时是否发生光电能量的转换。
16、光纤耦合器相关特性参量计算。
分光定册分光症黑聽需曲氛附加损耗定义—值饵“严出腸囂笄叭插人损耗定义…耗值…r恣叽17、光调制的定义及分类定义:通过改变光波的振幅、强度、相位、频率或偏振等参数,使传播的光波携带信息的过程。
这种将信息加载于激光的过程称之为调制。
(在光通信系统中实现从电信号到光信号的转换)分类:(一)、调制位置:内调制(直接调制),外调制(间接调制);(二八物理调制:电光调整,声光调制,磁光调制,其他(如:电吸收调制)(三)、调制形式:模拟调制,数字调制,脉冲调制;(四)、调制光波的参量:振幅调制,相位调制,偏振调制。
18、内调制和外调制的区别和异同点内调制:是指加载调制信号是在激光振荡过程中进行的,即以调制信号去改变激光器的振荡参数,从而改变激光输出特性以实现调制。
外调制:是指激光形成之后,在激光器外的光路上放置调制器,用调制信号改变调制器的物理特性,当激光通过调制器时,就会使光波的某参量受到调制。
19、电光调制种类(一) 、 纵向电光调制(通光方向与电场方向一致)(二) 、横向电光调制(通光方向与电场方向垂直)20、 布拉格方式和拉曼赖斯衍射方式的异同点。
拉曼:声光作用长度短,超声波的频率低,光波垂直于声场反向,声光介质可视 为静止的平面相位光栅;布拉格:声光作用长度长,超声波的频率高,光波以一定的角度入射声光介质, 会贯穿多个声波面,声光介质具有“体光栅”的特性。
21、 光电探测器的分类光子器件,热电器件22、 光电效应和光热效应的区别光子效应(光电效应):指单个光子能够直接产生光生载流子的一类光电效应。
探测器吸收光子后,直接 引起原子或分子的内部电子状态的改变。
光子能量的大小,直接影响内部电子状 态的改变。
特点一一光子效应对光波频率表现出选择性,响应速度一般比较快。
光热效应:探测元件吸收光辐射能量后,并不直接引起内部电子状态的改变, 而 是把吸收的光能变为晶格的热运动能量,引起探测元件温度上升 ,温度上升的结 果又使探测元件的电学性质或其他物理性质发生变化。
特点一一原则上对光波频率没有选择性,响应速度一般比较慢。
23、光敏电阻工作原理原理:光敏电阻阻值对光照特别敏感,是一种典型的利用光电导效应制成的光电 探测器件。
当光照射到半导体材料时,材料吸收光子的能量,使非传导态电子变 为传导态电子,引起载流子浓度增大,因而导致材料电导率增大。
无光照时,光敏电阻的阻值很大,电路中的电流很小;有光照时,光生载流子迅速增加,阻值急剧减小,在电路中形成电流。
i 区是一层接近本征的掺杂很低 的n区,在这种结构中,零场区 薄,i 区厚,耗尽层几乎占据所有 pn 结。
光子充分吸收。
本征层掺杂低,电阻率低,电阻 很高,从而暗电流很小。
i 区的引入增大了耗尽层厚度,结 电容减小特点:结电容明显减小,频率响 应特性得到改善;电阻很高,从而暗电流很小。
Si-PIN 暗电流小于1nA 。
耗尽层加宽,量子效率提高。
25、雪崩光电二极管的工作原理 雪崩24、PIN 光电二极管的组成结构和特点优点:光电二极管具有增益的功能,能对光信号进行放大。
雪崩光电二极管能承受高的反向偏压,在pn 结内部形成高的电场区。
光生电子或空穴经过高场区被加速,从而获得足够的能量。
电子和空穴在高速运动中与晶格发生碰撞,使晶体中的原子电离,从而激发新的电子空穴对,即所谓的碰撞电离。
碰撞电离后产生的电子再次被电场加速,碰撞出更多的电子空穴对,使载流子浓度增加,即发生雪崩增益。
26、液晶显示、等离子体显示、电致发光显示的异同点。
液晶显示:液晶材料在电场的作用下对外界进行调制,从而实现显示。
等离子体显示:利用惰性气体放电形成等离子体。
电致发光显示:可直接把电能转换为光能,发光效率高,通常作为一种冷光源使用。
27、等离子体的概念由部分电子被剥夺后的原子及原子团被电离后产生的正负电子组成的离子化气体状物质,它广泛存在于宇宙中,常被视为是除去固、液、气外,物质存在的第四态。
等离子体是一种很好的导电体物质由分子组成,分子由原子组成,原子由带正电的原子核和围绕它的、带负电的电子构成。
当被加热到足够高的温度或其他原因,外层电子摆脱原子核的束缚成为自由电子,电子离开原子核,这个过程就叫做“电离” 。
这时,物质就变成了由带正电的原子核和带负电的电子组成的、一团均匀的“浆糊” ,因此人们戏称它为离子浆,这些离子浆中正负电荷总量相等,所以就叫等离子体。
28、AC-PDP 的工作原理及存储特性解释工作原理:当放电单元的电极加上比着火电压Vf 低的维持电压VS 时,单元中气体不会着火,如在维持电压间隙加上幅度高于Vf 的书写电压Vwr ,单元将放电发光,放电形成的电子、离子在电场作用下分别向该瞬时加有正电压和负电压的电极移动,由于电极表面是介质,电子、离子不能直接进入电极而在介质表面累积起来,形成壁电荷,在外电路中,壁电荷形成与外加电压极性相反的壁电压放电空腔上的电压为外加电压和壁电压之和。
它将小于维持电压,使放电空间电场减弱,致使放电单元在2—6卩s内逐渐停止放电,因介质电阻很高,壁电荷会不衰减地保持下来,当反向的下一个维持电压脉冲到来时,上一次放电形成的壁电压与此时的外加电压同极性,叠加电压峰值大于Vf ,单元再次着火发光并在放电腔的两壁形成与前半周期极性相反的壁电荷,并再次使放电熄灭直到下一个相反极性的脉冲的到来单元一旦由书写脉冲电压引燃,只需要维持电压脉冲就可维持脉冲放电,这个特性称为AC-PDP 单元的存储特性。