薄膜电容esr计算公式

电容器ESR频率特性

【导读】本文为解说电容器基础的技术专栏。

通过电容器的阻抗大小|Z|和等价串联电阻(ESR)的频率特性进行阐述。

了解电容器的频率特性，可对诸如电源线消除噪音能力和抑制电压波动能力进行判断，可以说是设计回路时不可或缺的重要参数。

对频率特性中的阻抗大小|Z|和ESR进行说明 1.电容器的频率特性如假设角频率为ω，电容器的静电容量为C，则理想状态下电容器(图1)的阻抗Z可用公式 (1)表示。

图1.理想电容器Xc = 1/（ω×C）= 1/（2×π×f×C）；Xc--------电容容抗值；欧姆ω---------角频率π---------3.1415926；f---------频率，C---------电容值法拉由公式(1)可看出，阻抗大小|Z|如图2所示，与频率呈反比趋势減少。

由于理想电容器中无损耗，故等价串联电阻(ESR)为零。

图2.理想电容器的频率特性但实际电容器(图3)中除有容量成分Ｃ外，还有因电介质或电极损耗产生的电阻（ESR）及电极或导线产生的寄生电感(ESL)。

因此，|Z|的频率特性如图4所示呈V字型（部分电容器可能会变为U字型）曲线，ESR也显示出与损耗值相应的频率特性。

图3.实际电容器|Z|和ESR变为图4曲线的原因如下：低频率围：低频率围的|Z|与理想电容器相同，都与频率呈反比趋势减少。

ESR值也显示出与电介质分极延迟产生的介质损耗相应的特性。

共振点附近：频率升高，则|Z|将受寄生电感或电极的比电阻等产生的ESR影响，偏离理想电容器（红色虚线），显示最小值。

|Z|为最小值时的频率称为自振频率，此时|Z|=ESR。

若大于自振频率，则元件特性由电容器转变为电感，|Z|转而增加。

低于自振频率的围称作容性领域，反之则称作感性领域。

图4.实际电容器的|Z|/ESR频率特性(例)ESR除了受介电损耗的影响，还受电极自身抵抗行程的损耗影响。

高频围：共振点以上的高频率围中的|Z|的特性由寄生电感(L)决定。

电容的计算公式

电容的计算公式电容是电路中常见的一个元件，用来存储电荷。

它是由两个导体板之间的绝缘材料组成，当在这两个导体板上加上电压时，就会在板之间形成电场，并在绝缘材料中储存电荷。

电容的计算公式是电容等于电容系数乘以两个导体板之间的面积除以板之间的距离。

下面将对电容的计算公式进行详细解释。

首先，我们需要了解两个导体板之间的面积。

一般情况下，导体板为平行板，其形状为长方形或圆形。

对于长方形导体板，面积可以通过长度乘以宽度来计算；对于圆形导体板，面积可以通过π乘以半径的平方来计算。

这个面积用来表示电容器的大小。

其次，我们需要知道两个导体板之间的距离。

这个距离是指两个导体板之间的绝缘材料的厚度，也就是电容器的间隔。

当两个导体板之间的距离较小时，电场的强度就会增加，导致电容器的电容增大；相反，当两个导体板之间的距离增大时，电场的强度减小，电容器的电容也会减小。

最后，我们需要考虑电容系数。

电容系数是一个比例常数，用来表示电容器的构造和性能，它与绝缘材料的介电常数有关。

介电常数越大，电容系数就越大，从而电容也会增加。

综上所述，电容的计算公式可以表示为：C = ε0 * εr * A / d其中，C表示电容，ε0表示真空中的介电常数，其值约为8.85 × 10^-12 F/m；εr表示绝缘材料的介电常数；A表示两个导体板之间的面积；d表示两个导体板之间的距离。

需要注意的是，上述计算公式适用于理想情况下的电容器，即两个导体板之间的电场分布均匀且没有任何电荷外泄。

在实际情况下，由于电容器的结构设计和制造工艺的限制，电容器的实际电容值可能会有一定的偏差。

除了上述的计算公式，还有其他一些与电容相关的公式，如电容器的充电和放电过程中的电荷变化公式、电容器在交流电路中的阻抗等。

这些公式都是基于电荷守恒定律和电场理论推导得出的，用于描述电容器的特性和行为。

总之，电容是电路中常见的元件，用于存储电荷。

电容的计算公式是C = ε0 * εr * A / d，其中C表示电容，ε0表示真空中的介电常数，εr表示绝缘材料的介电常数，A表示两个导体板之间的面积，d表示两个导体板之间的距离。

高压薄膜电容的损耗计算公式

高压薄膜电容的损耗计算公式
高压薄膜电容的损耗是指在工作过程中电容器内部发生的能量损失。

这种损耗是由于电容器内部的电介质材料和电极之间存在的电阻和电容的等效串联电阻而引起的。

损耗的大小直接影响电容器的性能和稳定性。

高压薄膜电容的损耗可以通过以下公式来计算：
损耗= 0.5 * C * V^2 * tan(δ) * f
其中，C是电容值，V是电压，δ是电介质材料的损耗角，f是工作频率。

这个公式告诉我们，损耗与电容值、电压、损耗角和工作频率之间有密切的关系。

当电容值较大、电压较高、损耗角较大或工作频率较高时，损耗也会相应增加。

在实际应用中，我们希望尽量减小电容器的损耗，以提高电容器的效率和性能。

为了达到这个目标，我们可以采取一些措施，如选择低损耗的电介质材料、优化电容器的结构设计、降低工作电压和频率等。

高压薄膜电容的损耗是电容器内部能量损失的结果，可以通过计算公式来估算。

减小损耗可以提高电容器的性能和稳定性，从而更好地满足实际应用需求。

BASDAI-ESR的计算式公式

BASDAI-ESR的计算式公式
超级电容(EDLC)和电池不同，随着电荷放电电位下降。

因此电容中可以存储的能量由Ｑ（电荷）Ｖ（电压）乘积的1/2表示。

然而由于超级电容电极构造复杂，实际测定的静电容量根据充电条件和放电条件的不同而有所差异。

村田的超级电容因为比较适用于较大电流输出的应用中，因此标称容量基于100mA的测定值进行规定。

标称容量计算＜放电法＞
温度条件: 25℃+/-5℃在下图电路中，如下图图表所示，在最高额定电压下充电30分钟后进行放电。

充电/放电电流：100mAV80%: 最大额定电压的80%V40%: 最大额定电压的40%t1: 到达V80%的时间t2: 到达V40%的时间Id: 放电电流(一定)
容量通过以下公式计算得出：
测定回路
ESR的计算＜交流法＞
等效串联阻抗（ESR）适合用交流法进行测定。

测定电容器通过
10mA交流电流时的两端电压(Vc)，通过以下公式计算得出。

测定温度条件: 25℃+/-5℃测定频率: 1kHz交流电流(Ic): 10mA电容器电压: Vc
测定回路。

薄膜电容的寿命计算

薄膜电容的寿命计算
薄膜电容的寿命计算是一个复杂的过程，涉及多个因素和公式。

下面介绍三种常见的薄膜电容寿命计算公式：
电化学腐蚀寿命计算公式：
Tc = h/k(Ia*U/0.01)
其中，Tc表示电容的寿命，单位为小时；h为随机失效时间；k为系数，取值通常为3~10左右；Ia为电容板的表面积，单位为cm²；U为电容器工作电压，单位为V。

热老化寿命计算公式：
Tc = A*e^(Ea/RT)
其中，Tc表示电容器的寿命；A为材料常数；Ea为活化能，单位为J/mol；R为普适气体常量；T为温度，单位为K。

电压应力aging寿命计算公式：
其中，Tc表示电容寿命；k为常数；U为电压；n为指数，通常取值为0.5~4之间。

除了上述公式外，薄膜电容的寿命还受到多种因素的影响，如工作温度、工作电压、环境因素和加工工艺等。

在实际应用中，需要根据具体情况综合考虑这些因素，选择合适的材料和工艺，并采取必要的措施来延长薄膜电容的寿命。

总之，薄膜电容的寿命计算是一个复杂的过程，需要综合考虑多个因素和公式。

在实际应用中，应结合具体情况进行选择和调整，以获得最佳的寿命延长效果。

电容器参数的基本公式

电容器参数的基本公式1、容量（法拉）英制：C = ( 0.224 ×K ·A) / TD公制：C = ( 0.0884 ×K ·A) / TD2、电容器中存储的能量E = ? CV23、电容器的线性充电量I = C (dV/dt)4、电容的总阻抗（欧姆）Z = √[ R S2+ (X C–X L)2]5、容性电抗（欧姆）X C= 1/(2πfC)相位角Ф理想电容器：超前当前电压90o理想电感器：滞后当前电压90o理想电阻器：与当前电压的相位相同7、耗散系数(%)D.F. = tg δ（损耗角）= ESR / X C= (2πfC)(ESR)8、品质因素Q = cotan δ= 1/ DF9、等效串联电阻ESR（欧姆）ESR = (DF) XC = DF/ 2πfC10、功率消耗Power Loss = (2πfCV2) (DF)11、功率因数PF = sin δ(loss angle) –cos Ф(相位角) 12、均方根rms = 0.707 ×V p13、千伏安KVA （千瓦）KVA = 2πfCV2×10-314、电容器的温度系数T.C. = [ (C t–C25) / C25(T t–25) ] ×10615、容量损耗(%)CD = [ (C1–C2) / C1] ×10016、陶瓷电容的可靠性L0/ L t= (V t/ V0) X (T t/ T0)Y17、串联时的容值n 个电容串联：1/C T= 1/C1+ 1/C2+ …. + 1/C n两个电容串联：C T= C1·C2/ (C1+ C2)18、并联时的容值C T= C1 + C2+ …. + C n19、重复次数（Againg Rate）A.R. = % ΔC / decade of time上述公式中的符号说明如下：K = 介电常数 A = 面积TD = 绝缘层厚度V = 电压t = 时间RS = 串联电阻f = 频率L = 电感感性系数δ= 损耗角Ф= 相位角L0 =使用寿命Lt = 试验寿命V t= 测试电压V0 = 工作电压T t= 测试温度T0= 工作温度X , Y = 电压与温度的效应指数。

电容器公式资料

词汇Aluminum Electrolytic Capacitor (铝质电解电容器)由两个铝质电极组成的电容器，中间以注满电解质的纸分隔。

介电质是电容器阳极的氧化物。

Anode (阳极)电容器的正电极。

Blocking (阻隔)由于高电阻关系，直接电流(DC)被隔于电路部件之外。

By-passing (De-coupling) (旁路/ 去耦)讯号的 AC 部分被隔于电路部件外，并通过一个低阻抗途径，与电路部件平行。

Capacitance (电容值)用以量度某种电压下电容器的电力储存能力，一般以法拉 (farads)、微法拉 (microfarads)、微微法拉 (nanofarads) 和毫法拉 (picofarads) 来表示。

Capacitive Reactance (Xc) (容抗)电容器阻碍交流电流或脉冲电流流过，以 ohms 为量度单位。

是电容器阻抗的虚拟成份。

Capacitor (电容器)一个可以储存电力及在预定时间以预定比率释放电力被动电路部件。

Cathode (阴极)电容器的负电极。

Charge (电荷)充电量，以库伦 (coulomb) 为单位。

Coupling (耦合)连接两个电路，只供 AC 电压流过。

Current (电流)在一段时间内流过某点的电量。

Dielectric (介电质)在电容器板之间的绝缘体或非感应媒介。

Dielectric Absorption (介电质吸收)用以量度电容器介电质完全放电的磁阻，通常以原来放电量的百分比来表示。

Dielectric Constant (介电质常数)指定介电质电容器与真空介电质电容器的电容值比例Dissipation Factor (D.F or Tan delta) (耗损因素)用以量度电容器耗损，以特定频率和温度下容抗的等效串联电阻比例来表示。

Dv/dt Rating (dv/dt 比率)在不造损坏的情况下电容器可以承受的最大电压或放电时间。

电容计算公式-电容的所有公式

电容计算公式:电容的所有公式基本概念电容（Capacitance）亦称作“电容量”，是指在给定电位差下的电荷储藏量，记为C，国际单位是法拉（F）。

一般来说，电荷在电场中会受力而移动，当导体之间有了介质，则阻碍了电荷移动而使得电荷累积在导体上，造成电荷的累积储存，储存的电荷量则称为电容。

电容是指容纳电场的能力。

任何静电场都是由许多个电容组成，有静电场就有电容，电容是用静电场描述的。

一般认为：孤立导体与无穷远处构成电容，导体接地等效于接到无穷远处，并与大地连接成整体。

电容（或称电容量）是表现电容器容纳电荷本领的物理量。

电容从物理学上讲，它是一种静态电荷存储介质，可能电荷会永久存在，这是它的特征，它的用途较广，它是电子、电力领域中不可缺少的电子元。

主要用于电源滤波、信号滤波、信号耦合、谐振、滤波、补偿、充放电、储能、隔直流等电路中。

、定义：电容器所带电量Q与电容器两极间的电压U的比值，叫电容器的电容。

在电路学里，给定电势差，电容器储存电荷的能力，称为电容（capacitance），标记为C。

采用国际单位制，电容的单位是法拉（farad），标记为F。

电容的符号是C。

C=εS/d=εS/4πkd（真空）=Q/U计算公式：一个电容器，如果带1库的电量时两级间的电势差是1伏，这个电容器的电容就是1法拉，即：C=Q/U 。

但电容的大小不是由Q（带电量）或U（电压）决定的，即电容的决定式为：C=εS/4πkd 。

其中，ε是一个常数，S为电容极板的正对面积，d为电容极板的距离，k则是静电力常量。

常见的平行板电容器，电容为C=εS/d（ε为极板间介质的介电常数，S为极板面积，d为极板间的距离）。

定义式：电容器的电势能计算公式：E=CU^2/2=QU/2=Q^2/2C多电容器并联计算公式：C=C1+C2+C3+…+Cn多电容器串联计算公式：1/C=1/C1+1/C2+…+1/Cn三电容器串联：C=（C1*C2*C3）/（C1*C2+C2*C3+C1*C3）单位及转换在国际单位制里，电容的单位是法拉，简称法，符号是F，由于法拉这个单位太大，所以常用的电容单位有毫法（mF）、微法（μF）、纳法（nF）和皮法（pF）等，换算关系是：1法拉（F）=1000毫法（mF）=1000000微法（μF）1微法（μF）=1000纳法（nF）=1000000皮法（pF）。

电容器ESR频率特性

【导读】本文为解说电容器基础的技术专栏。

通过电容器的阻抗大小|Z|和等价串联电阻(ESR)的频率特性进行阐述。

了解电容器的频率特性，可对诸如电源线消除噪音能力和抑制电压波动能力进行判断，可以说是设计回路时不可或缺的重要参数。

对频率特性中的阻抗大小|Z|和ESR进行说明1.电容器的频率特性如假设角频率为ω，电容器的静电容量为C，则理想状态下电容器(图1)的阻抗Z可用公式(1)表示。

图1.理想电容器Xc=1/（ω×C）=1/（2×π×f×C）；Xc--------电容容抗值；欧姆ω---------角频率π---------3.1415926；f---------频率，C---------电容值法拉由公式(1)可看出，阻抗大小|Z|如图2所示，与频率呈反比趋势减少。

由于理想电容器中无损耗，故等价串联电阻(ESR)为零。

图2.理想电容器的频率特性但实际电容器(图3)中除有容量成分Ｃ外，还有因电介质或电极损耗产生的电阻（ESR）及电极或导线产生的寄生电感(ESL)。

因此，|Z|的频率特性如图4所示呈V字型（部分电容器可能会变为U字型）曲线，ESR也显示出与损耗值相应的频率特性。

图3.实际电容器|Z|和ESR变为图4曲线的原因如下：低频率范围：低频率范围的|Z|与理想电容器相同，都与频率呈反比趋势减少。

ESR值也显示出与电介质分极延迟产生的介质损耗相应的特性。

共振点附近：频率升高，则|Z|将受寄生电感或电极的比电阻等产生的ESR影响，偏离理想电容器（红色虚线），显示最小值。

|Z|为最小值时的频率称为自振频率，此时|Z|=ESR。

若大于自振频率，则元件特性由电容器转变为电感，|Z|转而增加。

低于自振频率的范围称作容性领域，反之则称作感性领域。

图4.实际电容器的|Z|/ESR频率特性(例)ESR除了受介电损耗的影响，还受电极自身抵抗行程的损耗影响。

高频范围：共振点以上的高频率范围中的|Z|的特性由寄生电感(L)决定。

电容esr公式

电容esr公式
【原创实用版】
目录
1.电容 ESR 公式介绍
2.电容 ESR 的含义
3.电容 ESR 公式的推导过程
4.电容 ESR 公式的应用实例
正文
1.电容 ESR 公式介绍
电容 ESR 公式是一种计算电容器等效串联电阻（Equivalent Series Resistance）的公式。

电容器在电路中常常用于滤波、耦合和储能等作用，然而在高频电路中，电容器会表现出一定的电阻，这就是所谓的等效串联电阻。

为了更好地分析电容器在高频电路中的性能，我们需要计算出电容器的 ESR。

2.电容 ESR 的含义
电容 ESR 是指电容器内部存在的等效串联电阻。

在直流电路中，电容器的 ESR 可以忽略不计，但在交流电路和高频电路中，ESR 会影响电容器的性能。

ESR 越小，电容器在高频电路中的性能越好。

3.电容 ESR 公式的推导过程
电容 ESR 公式的推导过程较为复杂，涉及到电容器的物理结构和电路特性。

简单来说，电容 ESR 公式是通过将电容器的内部结构分解为等效电路，然后计算等效电路中的串联电阻得出的。

4.电容 ESR 公式的应用实例
在实际应用中，电容 ESR 公式可以用于分析和选择合适的电容器。

例如，在设计一个滤波器时，我们需要选用 ESR 较小的电容器，以保证滤波器在高频时的性能。

此外，ESR 公式还可以用于评估电容器的性能和寿命。

总之，电容 ESR 公式是一种计算电容器等效串联电阻的方法，对于分析电容器在高频电路中的性能具有重要意义。

高压薄膜电容的损耗计算公式

高压薄膜电容的损耗计算公式
高压薄膜电容的损耗可以通过多种方式进行计算，其中最常见
的是使用电容器的等效串联电阻和等效串联电感来计算。

一般来说，高压薄膜电容的损耗可以由以下公式计算：
损耗角正切 = (等效串联电阻 / 电容器电容值) 100。

其中，等效串联电阻可以通过电容器的等效串联电阻和等效串
联电感来计算。

另外，损耗角正切也可以通过电容器的等效串联电
导和等效串联电纳来计算。

另一种常见的计算损耗的方法是使用电容器的损耗因子，即损
耗因子tan δ，它可以通过以下公式计算：
tan δ = 等效串联电导 / 等效串联电纳。

其中，等效串联电导和等效串联电纳可以通过电容器的等效串
联电阻和等效串联电感来计算。

此外，还有一些其他方法可以用来计算高压薄膜电容的损耗，
例如通过电容器的功率因数来计算损耗。

综合考虑以上因素，可以得出全面的高压薄膜电容损耗的计算公式。

需要根据具体的电容器参数和工作条件来选择合适的计算方法和公式。

电容esr公式

电容esr公式
（最新版）
目录
1.电容 ESR 公式的概述
2.电容 ESR 公式的计算方法
3.电容 ESR 公式的应用实例
4.电容 ESR 公式的优缺点分析
正文
1.电容 ESR 公式的概述
电容 ESR 公式是用于计算电容器等效串联电阻（Equivalent Series Resistance）的公式。

电容器的 ESR 是指电容器两端的电压变化与电容器电流变化之间的比值。

在实际应用中，电容器的 ESR 对电路的工作稳定性和性能有着重要的影响。

通过计算电容 ESR 公式，可以有效地评估电容器在电路中的性能。

2.电容 ESR 公式的计算方法
电容 ESR 公式的计算方法如下：
ESR（欧姆）= (π * ε * A) / (2 * π * ε * A + C)
其中，ε代表电介质的介电常数，A 代表电容器的电极面积，C 代表电容器的电极电容。

3.电容 ESR 公式的应用实例
在实际应用中，电容 ESR 公式可以用于分析和选择适合电路的电容器。

例如，在设计一个滤波电路时，需要选用具有较低 ESR 的电容器，以减小滤波电路的损耗和提高滤波效果。

同时，电容 ESR 公式还可以用于评估电容器的性能和寿命。

4.电容 ESR 公式的优缺点分析
电容 ESR 公式的优点在于可以较为准确地计算电容器的等效串联电阻，从而为电路设计提供参考。

同时，该公式考虑了电容器的主要参数，如电极面积、电介质介电常数等，具有较好的通用性。

电容的ESR以及损耗正切角

漏电流
Leakage current
Time (minutes)
Fig. 1-6 Leakage current vs. Time
Measuring temperature and voltage affect the leakage current. The leakage current shows higher values as the temperature and voltage increase.
2 About the Life of an Aluminum electrolytic Capacitor 2-1 Estimation of life with minimal ripple current (negligible). Generally, the life of an aluminum electrolytic capacitor is closely related with its ambient temperature and the life will be approximately the same as the one obtained by Arrhenius' equation.
δ 图１－５
Tanδ ＝RESR/ (1/ωC)= ωC RESR
RESR
其中：RESR=ESR（120 Hz）
ω=2πf
f=120Hz
Tanδ 随着测量频率的增加而变大，随测量温度的下降而增大。
1-3-3 等效串联电阻（ＥＳＲ）由铝箔氧化膜的介质电阻、电解液以及电解纸的复合电阻以及由于引出线与铝箔的接触电阻共同构成了等效串联电阻。等效串联电阻的值和温度有关系。温度下降，电解液电阻率上升，从而导致等效串联电阻上升，测试频率的上升，等效串联电阻下降并几乎达到一个常数值，该值主要是由电解液和电解纸引起的与频率无关的复合电阻。

esr零点补偿推导

esr零点补偿推导ESR零点补偿推导引言电容器是电子电路中常用的元件，而电容器的等效串联电阻（ESR）是影响其性能的一个重要参数。

在实际应用中，为了提高电容器的性能，需要对其进行零点补偿。

本文将介绍ESR零点补偿的推导过程。

一、ESR的定义和意义1. ESR的定义等效串联电阻（Equivalent Series Resistance，简称ESR）是指在理想情况下，一个电容器所具有的纯电容特性与实际情况下所存在的串联等效电阻之间所产生的差异。

即：C = C0 / (1 + jωRC)其中C0为理想情况下的纯电容值，ω为角频率，R为实际情况下存在的串联等效电阻。

2. ESR的意义ESR反映了一个电容器内部存在着多种损耗机制所引起的能量损失。

这些损耗机制包括：金属层间接触、内部连接线、内部金属薄膜、内部极板和绕组等。

二、ESR对性能影响分析1. ESR对频率响应影响当频率越高时，由于C0和ESR之间的差异越来越小，电容器的等效电容值会逐渐降低。

因此，在高频应用中，需要选择具有低ESR的电容器。

2. ESR对稳定性影响由于ESR存在，当电容器被放置在外部电路中时，其内部的损耗机制会导致其温度升高。

这种升温现象会导致电容器的等效电容值发生变化，从而影响整个电路的稳定性。

三、ESR零点补偿推导1. ESR零点补偿原理为了消除ESR对电路性能的影响，可以采用ESR零点补偿技术。

其基本思想是通过添加一个与ESR相等但方向相反的串联等效电阻来抵消原有的ESR。

2. ESR零点补偿推导过程（1）首先，考虑一个由纯电容和串联等效电阻构成的简单RC滤波器。

（2）在该RC滤波器中，若加入一个与原有串联等效电阻相等但方向相反的串联等效电阻，则可得到如下所示的新RC滤波器：（3）将上述新RC滤波器表示为传递函数的形式：H(jω) = 1 / (1 + jωRC - jωRC)= 1（4）由此可知，在加入与原有串联等效电阻相等但方向相反的串联等效电阻后，新的RC滤波器的传递函数为常数1。

薄膜电容容量计算公式

薄膜电容容量计算公式薄膜电容是一种在电子电路中经常用到的元件，而要了解它，就绕不开容量的计算。

先来说说薄膜电容的容量计算公式吧，它通常可以用C = ε×S/d 来表示。

这里的 C 就是电容的容量啦，ε 呢是介质的介电常数，S 是两极板的相对面积，d 则是两极板之间的距离。

举个例子哈，就像我之前帮一个学生解决电路问题的时候。

他在做一个简单的直流电路实验，里面就用到了薄膜电容。

他怎么都搞不明白为啥电容的容量会对电路产生那么大的影响。

我就给他仔细地讲了这个公式，还拿他实验里的那个薄膜电容举例。

那个电容的介质是聚酯薄膜，介电常数是个固定值，然后我们量了一下两极板的面积和距离。

通过这个公式一计算，算出的容量和电容上标注的差不多，这可把他给高兴坏了，一下子就明白了其中的原理。

咱再深入讲讲这个公式里的各个部分。

介电常数ε ，这就好比是每个介质的“个性标签”，不同的介质，这个值可不一样。

像聚酯薄膜和聚丙烯薄膜，它们的介电常数就有差别。

面积 S 越大，容量就越大，这很好理解吧，就像一个大水桶能装的水肯定比小水桶多。

而距离 d 越小，容量越大，就好像两个板子靠得越近，它们能“抓住”的电荷就越多。

在实际的电路设计中，准确计算薄膜电容的容量至关重要。

如果容量算小了，可能会导致电路的滤波效果不好，出现各种干扰和噪声；要是算大了呢，又会浪费成本，还可能影响电路的性能。

所以呀，这个小小的公式可有着大作用。

我还碰到过一个情况，有个工程师在设计电源电路的时候，因为薄膜电容容量计算错误，结果整个电源的输出纹波特别大，设备工作都不稳定了。

后来经过仔细检查，重新根据正确的公式计算并更换了合适容量的薄膜电容，问题才得以解决。

总之，薄膜电容容量的计算公式虽然看起来简单，但要真正掌握并能准确运用，还需要我们多实践、多思考。

不管是在学习中还是在实际工作中，都不能马虎对待，不然就可能会像前面说的那些例子一样，出现各种问题。

希望大家都能把这个公式牢记于心，在电子电路的世界里畅游无阻！。

电容器参数的基本公式

电容器参数的基本公式1、容量（法拉）英制： C = ( × K · A) / TD公制： C = ( × K · A) / TD2、电容器中存储的能量E = CV23、电容器的线性充电量I = C (dV/dt)4、电容的总阻抗（欧姆）Z = √ [ RS 2 + (XC– XL) 2 ]5、容性电抗（欧姆）XC= 1/(2πfC)相位角Ф理想电容器：超前当前电压 90o理想电感器：滞后当前电压 90o理想电阻器：与当前电压的相位相同7、耗散系数 (%). = tg δ（损耗角）= ESR / XC= (2πfC)(ESR)8、品质因素Q = cotan δ = 1/ DF9、等效串联电阻ESR（欧姆）ESR = (DF) XC = DF/ 2πfC10、功率消耗Power Loss = (2πfCV2) (DF)11、功率因数PF = sin δ (loss angle) – cos Ф (相位角) 12、均方根rms = × Vp13、千伏安KVA （千瓦）KVA = 2πfCV2× 10-314、电容器的温度系数. = [ (Ct – C25) / C25(Tt– 25) ] × 10615、容量损耗(%)CD = [ (C1– C2) / C1] × 10016、陶瓷电容的可靠性L0 / Lt= (Vt/ V) X (Tt/ T)Y17、串联时的容值n 个电容串联：1/CT = 1/C1+ 1/C2+ …. + 1/Cn两个电容串联：CT = C1· C2/ (C1+ C2)18、并联时的容值CT = C1+ C2+ …. + Cn19、重复次数（Againg Rate）. = % ΔC / decade of time上述公式中的符号说明如下：K = 介电常数 A = 面积 TD = 绝缘层厚度 V = 电压 t = 时间 RS = 串联电阻f = 频率 L = 电感感性系数δ = 损耗角Ф = 相位角 L0 =使用寿命 Lt = 试验寿命V t = 测试电压 V= 工作电压 Tt= 测试温度 T= 工作温度 X, Y = 电压与温度的效应指数。

薄膜电容放电电阻计算公式

薄膜电容放电电阻计算公式在电子电路中，薄膜电容是一种常见的电子元件，它具有较高的电容值和较小的体积，因此在很多电路中得到了广泛的应用。

在电路中，薄膜电容的放电电阻是一个重要的参数，它决定了电容放电的速度和放电过程中的电压变化。

因此，正确地计算薄膜电容的放电电阻是非常重要的。

薄膜电容的放电电阻可以通过公式来计算，这个公式可以帮助工程师和设计师在设计电路时准确地估算电容的放电特性。

下面我们将介绍薄膜电容放电电阻的计算公式以及相关的计算方法。

薄膜电容的放电电阻计算公式如下：R = (t ε A) / d。

其中，R是薄膜电容的放电电阻，t是电容的厚度，ε是电容的介电常数，A是电容的面积，d是电容的两个极板之间的距离。

在这个公式中，电容的厚度、介电常数、面积和极板之间的距离都是影响电容放电电阻的重要因素。

下面我们将分别介绍这些因素对电容放电电阻的影响。

首先是电容的厚度。

电容的厚度决定了电子在放电过程中通过电容的时间，厚度越大，放电电阻越小，放电速度越快。

因此，设计电路时需要根据放电速度的要求来选择合适的电容厚度。

其次是电容的介电常数。

介电常数是描述介质在电场中的响应能力的物理量，介电常数越大，电容的放电电阻越小，放电速度越快。

因此，选择介电常数较大的材料制作电容可以提高电容的放电速度。

再次是电容的面积。

电容的面积也会影响电容的放电电阻，面积越大，放电电阻越小，放电速度越快。

因此，在设计电路时需要根据放电速度的要求来选择合适的电容面积。

最后是电容的极板之间的距离。

极板之间的距离越小，电容的放电电阻越小，放电速度越快。

因此，在设计电路时需要根据放电速度的要求来选择合适的极板间距。

通过以上分析，我们可以看到薄膜电容的放电电阻受到多个因素的影响，因此在设计电路时需要综合考虑这些因素，选择合适的电容参数来满足电路的要求。

除了上述的计算公式外，还可以通过实验来测量电容的放电电阻。

通过给电容充电，然后测量电容放电的时间和电压变化，可以得到电容的放电特性曲线，从而计算出电容的放电电阻。

esr

-20 3.01 2.91 2.84 2.77 2.75 2.71 2.66 2.60 2.53 2.41 2.10 1.74 1.32 0.81 0.51 0.30 0.25
-40 30.02 29.33 28.69 27.88 27.68 26.98 25.43 21.76 17.71 13.19 7.85 4.85 2.78 1.20 0.60 0.30 0.25
重写一次上面df的公式esr可由下面的公式来模2fcesrhf用esr来表示在低频时esr随着频率的增加稳定的下降关电源的体积不断缩小能量转换效率不断提高使得开关电源的工作频率不断提高从20khz到500khz甚至达到1mhz以上导致其输出部分的高频噪声加大为了有效滤波必须使用超低高频阻抗或低等效串联电阻esr的电容器
25 0.41 0.26 0.18 0.14 0.13 0.12 0.11 0.11 0.10 0.10 0.10 0.10 0.10 0.10 0.10 0.09 0.09
0 0.74 0.62 0.55 0.51 0.50 0.49 0.48 0.47 0.46 0.46 0.45 0.43 0.40 0.34 0.27 0.20 0.18
1
Frequency (Hz)
ESR vs Freq & Temp 105C , 470uf /450V , 35x50 mm
100.00
ESR (Ohms)
10.00 1.00 0.10 0.01 1 10 100 1,000 Freq (Hz) 10,000 100,000 1,000,00 0
65 0.46 0.25 0.15 0.08 0.07 0.06 0.05 0.04 0.04 0.04 0.04 0.04 0.04 0.04 0.04 0.04 0.05

介电常数计算公式

电容与介电常数的转换
2
00r d C S d C r ⋅⋅⋅=⋅⋅=πεεε 9
14.3854.8104110⨯⨯⋅⋅⋅=⋅⋅=d C S d C r εε 0ε=8.854⨯10-12（F/m ）
r ε为陶瓷样品的相对介电系数
C 为薄膜样品的电容(F)
S 为薄膜样品的面积(m 2)
d 为薄膜样品的厚度(nm)
r 为电极半径（mm ）
0ε为真空介电系数(8.854×10-12F/m)。

=100000000000*(C*4*400)/(8.854*3.14*9)
利用阻抗图谱计算介电常数：
ω=2πf
f 为测得阻抗频率值电容C=-1/（ω*Z”）
Z” 为测得阻抗虚部值电容C=S*ε/4πKd
介电常数ε=4πKdC/S
K 为静电常数 9E+09
d 为薄膜厚度
S 为薄膜面积
介电损耗D=1/tanθ=Z'/Z" Z’ 为测得阻抗实部值
利用LCR 仪计算介电常数：
电容量与电极极板面积和电介质介电常数成正比，与极板间距(电介质的厚度)成反比： s C=4kd επ
式中，s 为极板面积，d 为电极间距离。

介电损耗直接可读。