椭偏仪操作规程样本

椭偏仪操作规程

一.目的

使用椭偏仪测量经PECVD镀膜后的SiN膜的厚度(d)和折射率(n).

二.适用范围

适用于CENTECH公司的SE 400advanced型号的椭偏仪

三.设备主要性能及相关参数

3.1 设备型号: SE 400advanced

3.2 设备构成:

A 光学系统部分: 由支架、定位显微镜、线偏振光发射器( 包括632.8nm激光源) 、椭圆偏振光接受和分析器组成。此部分完成整个光学部分的测试。

B PC机部分。此部分完成数据的分析和输出。

四.运行前的检查

主要检查设备光学仪器部分是否损坏和电脑是否可正常使用。

五. 设备操作

1. 启动软件

将椭偏仪控制器和PC的电源打开, 为了仪器快速可用和延长激光器寿命, 推荐将椭偏仪控制器连续运转。

SE 400advanced程序一般被安装在文件夹:

C:\program files\SE 400Adv\ApplicationFrame\SiAFrame.exe.

使用资源管理器或者直接双击桌面的SE 400advanced图标, 启动软件。

Fig. 错误!文档中没有指定样式的文字。-1: SE 400advanced图标软件打开时会自动进入上次退出时的登陆用户界面。

Fig. 错误!文档中没有指定样式的文字。-2: SE 400advanced 用户认证经过菜单"Logon", 能够添加、更改或删除用户和用户权限。

2. 用户主窗口

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2 Fig. 错误!文档中没有指定样式的文字。-3: SE 400advanced主窗口

最后一次使用的模式会被自动加载。经过菜单, 工具栏或模式列表, 能够选择另外的模式。

在软件界面的右下角, 一个图标( 2) 用来显示椭偏仪控制器的连接状态, 它一般显示为绿色。如果显示不为绿色, 请检查椭偏仪和控制器之间的网络连接是否正常, 并检查屏幕右下角的任务栏的网络状态。

3. 样品测试

1) 在recipe下拉菜单中选择08 Si3N4 on silicon 100 nm .

2) 将样品平放于测试台, 并定位

3) 经过按来开始测量, 测量完成后, 结果被显示在主结

果区( 3) 和protocol区( 4) 。

4. 测量选项

在"Measurement options"页面中, 能够按照测量的数值计算方法、数值极限和结果报告, 对一些设定进行更改。另外, 设定入射角度和对多角度测量所使用角度的选择, 也能够在这里进行。

Fig. 错误!文档中没有指定样式的文字。-4: 模式选项 (测量)

测量任务

Psi, Delta 椭偏角度的测量。

Substrate ns, ks 使用free surface.模型时, 基底的复折射率。

Thickness

使用单层透明膜模型, 并指定指定膜层折射率和基底折射率时, 膜层的厚度;

开始膜厚由用户给出或由CER测量给出。

Thickness + n

使用单层膜模型时, 膜层的厚度和折射率。(基底的复折射率作为固定值);

开始膜厚由用户给出或由CER测量给出