模电总结复习资料模拟电子技术基础第五版样本
模电总结复习资料_模拟电子技术基础(第五版)
绪论一.符号约定•大写字母、大写下标表示直流量。
如：V CE、I C等。
•小写字母、大写下标表示总量〔含交、直流〕。
如：v CE、i B等。
•小写字母、小写下标表示纯交流量。
如：v ce、i b等。
•上方有圆点的大写字母、小写下标表示相量。
如：等。
二．信号〔1〕模型的转换〔2〕分类〔3〕频谱二.放大电路〔1〕模型〔2〕增益如何确定电路的输出电阻r o？三．频率响应以及带宽第一章半导体二极管一.半导体的根底知识1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。
2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。
3.本征半导体----纯洁的具有单晶体结构的半导体。
4. 两种载流子----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。
5.杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。
表达的是半导体的掺杂特性。
*P型半导体:在本征半导体中掺入微量的三价元素〔多子是空穴，少子是电子〕。
*N型半导体: 在本征半导体中掺入微量的五价元素〔多子是电子，少子是空穴〕。
6. 杂质半导体的特性*载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度，少子浓度与温度有关。
*体电阻---通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。
*转型---通过改变掺杂浓度，一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。
7. PN结* PN结的接触电位差---硅材料约为0.6~0.8V，锗材料约为0.2~0.3V。
* PN结的单向导电性---正偏导通，反偏截止。
8. PN结的伏安特性二. 半导体二极管*单向导电性------正向导通，反向截止。
*二极管伏安特性----同ＰＮ结。
*正向导通压降------硅管0.6~0.7V，锗管0.2~0.3V。
*死区电压------硅管0.5V，锗管0.1V。
3.分析方法------将二极管断开，分析二极管两端电位的上下:假设 V阳 >V阴( 正偏 )，二极管导通(短路);假设 V阳 <V阴( 反偏 )，二极管截止(开路)。
模拟电子技术基础华成英第五版复习与考试
思路与方法：
（1）零、极点的概念；
A j
A0
（2）中频增益的贡献因子与求解方法；
多级放大器
单级放大器 B
（3) 结合波特图，求解高、低频截止频率；
0
l
h
1.00，n 1
(4) 注意极点相同或相近，收缩因子的求解方法； 电子线路
Sn
0.64，n 0.51，n
2 3
0.44，n 4
典型题解1_Av（S）的复频域分析
R
Vimin Vz ILmax I z min
电子线路
第二章 PN结二极管及其应用
本章重点：
6、二极管限幅电路
下限幅电路
上限幅电路
上、下双向限幅电路
电子线路
第二章 PN结二极管及其应用
本章重点：
7、钳位电路: 保持信号不失真，而将信号顶部、底部电平钳制在指定电平上;
vo vi vc
VM sin0t VM VB
（4分），
题1：某放大器电压增益函数为
AV
(S)
(S
1015 S(S 5) 2)(S 50)(S
106
)2
，求该放
大器的中频增益 AV ，以及高频截止频率h 和低频截止频率 l
解：归一化处理
AV
(S)
1015
S
(1+
S 5
)
*
5
*
1 2
*
1 50
*
1 1012
(1
S 2
)(1
S )(1 50
（2）高频
re
26mV I EQ
hie
0ib rc'
E
加上发射结电容Cπ 和集电结电
电子技术基础(模拟部分)第五版
2V2 sin td (t)
IL= VL /RL ≈ 0.45 V2 / RL
7
二极管上的平均电流及承受的最高反向电压：
vD
Ta
D
iL vD
v1
v2
RL vL
0
2
t
b
VDRM
二极管上的平均电流： ID = IL 承受的最高反向电压: VDRM= 2V2
8
*二、全波整流电路
Ta
D1
+ – + –
I2 ＝1.5 IL ＝1.5×200＝300 mA 这样就对电源变压器的绕制提出了依据。
43
10.2 串联式稳压电路
引起输出电压变化的原因是负载电流的变化和输入电压的变化
稳压电路的作用:
交流 整流
脉动
滤波 有波纹的 稳压 直流
电压
直流电压
直流电压
电压
44
稳压电源类型:
常用稳压电路 (小功率设备)
对谐波分量: f 越高，XL 越大,电压大部分降在XL上。 因此，在输出端得到比较平滑的直流电压。
当忽略电感线圈的直流电阻时，输出平均电压 约为： VL=0.9V2
34
特点：
VL
（1）电感滤波电路的外特性是很平坦 0.9V2
的，UL随IL增大而略有下降的原因是 输出电流增大时，整流电路的内阻和 电感的整流电阻压降也略有增加的缘 故。
S定义：整流输出电压的基波峰值VL1M与VL平均值之比。 S越小越好。
用傅里叶级数对全波整流的输出 vo 展开:
vL =
2V2
2
4
3
cos 2t
4
15
cos 4t
4
35
《模拟电子技术基础(第五版 康华光主编)》 复习提纲
模拟电子技术基础复习提纲第一章绪论）信号、模拟信号、放大电路、三大指标。
（放大倍数、输入电阻、输出电阻）第三章二极管及其基本电路）本征半导体：纯净结构完整的半导体晶体。
在本征半导体内，电子和空穴总是成对出现的。
N型半导体和P型半导体。
在N型半导体内，电子是多数载流子；在P型半导体内，空穴是多数载流子。
载流子在电场作用下的运动称为漂移；载流子由高浓度区向低浓度区的运动称为扩散。
P型半导体和N型半导体的接触区形成PN结，在该区域中，多数载流子扩散到对方区域，被对方的多数载流子复合，形成空间电荷区，也称耗尽区或高阻区。
空间电荷区内电场产生的漂移最终与扩散达到平衡。
PN结最重要的电特性是单向导电性，PN结加正向电压时，电阻值很小，PN结导通；PN结加反向电压时，电阻值很大，PN结截止。
PN 结反向击穿包括雪崩击穿和齐纳击穿；PN结的电容效应包括扩散电容和势垒电容，前者是正向偏置电容，后者是反向偏置电容。
）二极管的V-I 特性（理论表达式和特性曲线））二极管的三种模型表示方法。
（理想模型、恒压降模型、折线模型）。
（V BE=）第四章双极结型三极管及放大电路基础）BJT的结构、电路符号、输入输出特性曲线。
（由三端的直流电压值判断各端的名称。
由三端的流入电流判断三端名称电流放大倍数））什么是直流负载线什么是直流工作点）共射极电路中直流工作点的分析与计算。
有关公式。
(工作点过高，输出信号顶部失真，饱和失真，工作点过低，输出信号底部被截，截止失真)。
）小信号模型中h ie和h fe含义。
）用h参数分析共射极放大电路。
（画小信号等效电路，求电压放大倍数、输入电阻、输出电阻）。
）常用的BJT放大电路有哪些组态（共射极、共基极、共集电极）。
各种组态的特点及用途。
P147。
（共射极：兼有电压和电流放大，输入输出电阻适中，多做信号中间放大；共集电极（也称射极输出器），电压增益略小于1，输入电阻大，输出电阻小，有较大的电流放大倍数，多做输入级，中间缓冲级和输出级；共基极：只有电压放大，没有电流放大，有电流跟随作用，高频特性较好。
(完整word版)电子技术基础 模拟部分 第五版 复习思考题答案
第二章运算放大器2.1 集成电路运算放大器2。
1。
1答；通常由输入级,中间级，输出级单元组成，输入级由差分式放大电路组成，可以提高整个电路的性能.中间级由一级或多级放大电路组成，主要是可以提高电压增益。
输出级电压增益为1，可以为负载提供一定的功率。
2.1.2答：集成运放的电压传输曲线由线性区和非线性区组成，线性区的直线的斜率即Vvo很大,直线几乎成垂直直线.非线性区由两条水平线组成，此时的Vo达到极值，等于V+或者V-。
理想情况下输出电压+Vom=V+，-Vom=V-。
2.1.3答:集成运算放大器的输入电阻r约为10^6欧姆，输出电阻r约为100欧姆，开环电压增益Avo约为10^6欧姆。
2.2 理想运算放大器2.2。
1答：将集成运放的参数理想化的条件是:1.输入电阻很高,接近无穷大。
2。
输出电阻很小，接近零.3.运放的开环电压增益很大。
2.2。
2答：近似电路的运放和理想运放的电路模型参考书P27。
2。
3 基本线性运放电路2.3。
1答：1.同相放大电路中，输出通过负反馈的作用，是使Vn自动的跟从Vp,使Vp≈Vn，或Vid=Vp-Vn≈0的现象称为虚短。
2。
由于同相和反相两输入端之间出现虚短现象，而运放的输入电阻的阻值又很高，因而流经两输入端之间Ip=In≈0,这种现象称为虚断。
3.输入电压Vi通过R1作用于运放的反相端，R2跨接在运放的输出端和反相端之间,同相端接地。
由虚短的概念可知,Vn≈Vp=0,因而反相输入端的电位接近于地电位，称为虚地。
虚短和虚地概念的不同:虚短是由于负反馈的作用而使Vp≈Vn,但是这两个值不一定趋向于零，而虚地Vp,Vn接近是零.2.3.2答：由于净输入电压Vid=Vi—Vf=Vp—Vm,由于是正相端输入，所以Vo为正值,Vo等于R1和R2的电压之和，所以有了负反馈电阻后，Vn增大了，Vp不变，所以Vid变小了，Vo变小了,电压增益Av=Vo/Vi变小了。
由上述电路的负反馈作用，可知Vp≈Vn,也即虚短。
模电总结复习资料-模拟电子技术基础(第五版)
模电总结复习资料-模拟电子技术基础(第五版) 前几天模电总结了这本书，希望大家都能在这个学期继续坚持下去，有时间一定要看看。
希望大家看完之后可以收获很多经验与知识。
有一句话叫：“把时间浪费在不该花的地方，是一件最愚蠢的事。
”今天为大家分享的是模电总结资料之一：模拟电子基础（第五版),本书共分三册，共36章、120多页，是电子技术专业学生学习、复习和备考中不可缺少的重要资料。
在本教材中对基本概念和基本理论作了进一步的阐述，对所学知识进行了梳理，同时结合模拟电路实际设计方法对测试题型作了相应介绍，并给出了实验原理与应用方法。
一、基本概念电路的构成过程是：(1)产生信号的电源：由电路产生的电压和电流组成的电流源及谐波。
(2)信号的基本特性：由输入信号和输出信号组成的一组数字信号或一组模拟信号。
(3)信息形式：用来表示信号形式的一组信息和表达信息的符号。
电路所能实现的全部物理过程，以及所对应的控制策略对电路系统产生的影响和变化过程。
例如，电路图对逻辑关系的影响、电阻、电压互感和通信方法等。
电信号是通过测量在电路中被处理过的信号来描述和再现物理状态的。
有：时间步长、频率）时钟钟、电压基准；时间继电器式电路板(SOSD)等。
(4)模拟信号是在单片机或集成电路上按一定原理经过处理，以实现某种特定功能和性能而制造出来的数据符号。
1、模拟电路的结构电路是由输入信号、输出信号构成的。
模拟电子电路由输入输出端组成。
A.输入端的输出信号包括：频率和电压；谐波分量和电源谐波分量。
B.输出端是处理后的数字信号的一种输出方法或器件，主要是对信号进行采样和运算的部件。
C.时间继电器式电路板，也称为功率继电器。
D.控制输出的一种电路，包括：时间基准和电流基准。
2、模电信号的组成及与数字信号的关系电感在电路中起到传递电压的作用。
电流在经过电感后，在通过电感的电流场作用下转换为数字信号，其特性曲线称为数字信号。
电感在数字信号中起着很重要的作用。
高教版《模拟电子技术基础(第五版)课程讲义复习要点第4章教案3(4.3.3-4.3.4)
iE1 I
iE2
VT3
E I
RE
RB2
－VEE
思考：恒流源的恒定电流I如何求取？对差模输入信号， E点电位=？分析电路时，调零电位器RP如何处理？
讨论一
若uI1=10mV，uI2=5mV，则uId=？ uIc=？
uId uI1 uI2
uIc
uI1
2
uI2
uId=5mV ， uIc=7.5mV
⑤共模抑制比
注意：只要是单出电 路，不管输入方式如 何，如果有共模输入 信号，Ac的分析方法
KCMR
Ad Ac
Rb rbe 2(1 )Re
2 Rb rbe
完全相同。 总结四种
Re
Ac
KCMR
性能越好 电路特点
4.3.4 改进型差分放大电路
一、 问题的提出
如何提高共模抑
若电路参数理想对称，则对于双出电路
2 Rb rbe
②输入电阻
Ri=2(Rb+rbe)
③输出电阻
Ro=Rc
④共模放大倍数
因为双入电路无共模输入信号， 所以一般不必求Ac。
双端输入单端输出问题讨论：
Ad
1 2
(Rc∥RL ) Rb rbe
Ri 2(Rb rbe )，Ro Rc
（1）T2的Rc可以短路吗？ （2）什么情况下Ad为“＋”？ （3）双端输出时的Ad是单端输出时的2倍吗？
制比？
Ac=0，KCMR=∞
对于单出电路
Ac
uOc uIc
Rb
(Rc // RL ) rbe 2(1 )Re
若Re=∞，则 Ac=0， KCMR=∞
调零电位器 实现0入0出
二、 恒流源差分放大电路的实现
模拟电子技术基础(第五版)
其中
0
2π T
V S ——直流分量 2
2 V S ——基波分量 π
2VS 1 ——三次谐波分量 π3
可编辑ppt
5
1.2 信号的频谱
2. 信号的频谱
频谱：将一个信号分解为正弦信号的集合，得到其正弦信号幅值和相位 随角频率变化的分布，称为该信号的频谱。
B. 方波信号
v ( t) V 2 S 2 V π S (s ω 0 ti 1 3 n s3 iω 0 n t 1 5 s5 iω 0 n t )
该图称为波特图 纵轴：dB 横轴：对数坐标
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18
1.5 放大电路的主要性能指标
4. 频率响应
B.频率失真（线性失真）
幅度失真： 对不同频率的信号增
益不同产生的失真。
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19
1.5 放大电路的主要性能指标
4. 频率响应
B.频率失真（线性失真）
幅度失真： 对不同频率的信号增
益不同产生的失真。
1.1 信号 1.2 信号的频谱 1.3 模拟信号和数字信号 1.4 放大电路模型 1.5 放大电路的主要性能指标
可编辑ppt
1
1.1 信号
1. 信号： 信息的载体
微音器输出的某一段信号的波形
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2
1.1 信号
2. 电信号源的电路表达形式
电压源等效电路
is
vs Rs
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电流源等效电路
幅度谱
可编辑ppt
相位谱
6
1.2 信号的频谱
C. 非周期信号
傅里叶变换：
周期信号 非周期信号
离散频率函数 连续频率函数
非周期信号包含了所有可能的频
电子技术基础_第五版(模拟部分)第一章
32
1.5 放大电路的主要性能指标
5. 非线性失真
由元器件非线性特性引 起的失真。
非线性失真系数:
Vo2k
k2 100%
Vo1
VO1是输出电压信号基波分量的有
效值，Vok是高次谐波分量的有效值，k
为正整数。
end
33
Avo ——负载开路时的电压增益
Ro ——从负载端看进去的放大
电路的输出电阻
戴维宁等效
Ri ——输入电阻
20
1.4 放大电路模型
由输出回路得 则电压增益为
vo
AVOvi
RL Ro RL
AV
vo vi
Avo
RL Ro RL
由此可见 RL
Av 即负载的大小会影响增益的大小
要想减小负载的影响，则希望…？ （考虑改变放大电路的参数）
– 基本电路：单管（三种接法）、差分、互补输出级
– 基本方法：等效电路法、图解法
• 反馈
– 概念：反馈、正反馈与负反馈、直流反馈与交流反馈、电压反馈与
电流反馈、串联反馈与并联反馈
– 判断方法
– 深度负反馈放大倍数的估算方法
– 交流负反馈对放大电路性能的影响及引入反馈的方法
– 负反馈放大电路的稳定性及消除振荡的方法
–实验方法
• 常用电子仪器的使用方法 • 电子电路的测试方法 • 故障的判断与排除方法 • EDA软件的应用方法
–上好理论-EDA-实践三个台阶
5
课程在本科生素质教育中的作用
一个电路从信号输入、中间的处理到最后的
• 由于电子技术基础输出课，程各的级基之础间的性增和益广分泛配性、参，数使设之置在、逻
模拟电子技术基础(第五版)
实用文档
1.5 放大电路的主要性能指标
1.用文档
1.5 放大电路的主要性能指标
2. 输出电阻
vt
R o
vs 0,RL
it
注意：输入、输出电阻为交流电阻
实用文档
1.5 放大电路的主要性能指标
3. 增益
反映放大电路在输入信号控制下，将供电电源能量转
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模拟集成电路的特点：
•电阻值不能很大，精度较差，阻值一般在几十欧至几 十千欧。需要大电阻时，通常用恒流源替代； • 电容利用PN结结电容，一般不超过几十pF。需要大 电容时，通常在集成电路外部连接。不能制电感，级 与级之间用直接耦合； • 二极管用三极管的发射结代。比如由NPN型三极管 短路其中一个PN结构成。
由元器件非线性特性引 起的失真。
非线性失真系数:
Vo2k
k2 100%
Vo1
Vo1 是 输 出 电 压 信 号 基 波 分 量 的有效值，Vok是高次谐波分量的有 效值，k为正整数。
实用文档
end
2.1 集成电路运算放大器 2.2 理想运算放大器 2.3 基本线性运放电路 2.4 同相输入和反相输入放大电
1.4 放大电路模型
2. 放大电路模型
A. 电压放大模型
A vo ——负载开路时的
电压增益
R i ——输入电阻
R o ——输出电阻
由输出回路得
vo
Avovi
RL Ro RL
则电压增益为
Av
vo vi
Avo
RL Ro RL
由此可见 RL
Av 即负载的大小会影响增益的大小
要想减小负载的影响，则希望…？ （考虑改变放大电路的参数）
模电第五版康华光复习大纲
40 带宽 20 0 2 20 fL 2 102 2 103 2 104 fH f/Hz
第三章 二极管及其基本电路
1、理解半导体中有两种载流子 电子 空穴——当电子挣脱共价键的束缚成为自由电子后， 共价键就留下一个空位，这个空位就称为空穴 2、理解本征半导体和本征激发 本征半导体——化学成分纯净的半导体 •两种载流子参与导电，自由电子 数（n）=空穴数（p） 本征激发的特点—— •外电场作用下产生电流，电流大 小与载流子数目有关 •导电能力随温度显著增加
第五章 场效应管放大电路
双极型三极管是电流控制器件，场效应管是电压控制器件。 1、能够根据转移特性判别场效应管的类型（P237 表5.5.1） 结型场效应管 N型：VGS＜0 VDS＞0夹断电压VP＜0 P型：VGS＞0 VGS＜0夹断电压VP＞0 N型：VGS＞0 VDS＞0开启电压VT＞0 P型： VGS＜0 VGS＜0开启电压VT＜0
4、熟练掌握PN结 形成——由于浓度差，而出现扩散运动，在中间形成空 间电荷区（耗尽层），又由于空间电荷区的内电场作用，存 在漂移运动，达到动态平衡。 单向导电性 —— 不外加电压，扩散运动=漂移运动，iD=0 加正向电压（耗尽层变窄），扩散运动＞漂移运动形成iD 加反向电压（耗尽层变宽），扩散运动为0，只有很小的 漂 移运动 形成反向电流 特性方程：iD=IS（eVo/VT-1） 特性曲线 ： 正向导通：死区、导通区 反向截止：截止区、击穿区
3、正确理解变压器反馈式，电容三点式，电感三点式LC 正弦波振荡电路的结构和工作原理 4、了解石英晶体正弦振荡电路的工作原理及特点 5、能够利用相位平衡条件判断电路是否振荡。 6、电压比较器及电压传输特性。 习题9.6.1；9.6.2；9.7.1；9.7.2；
电子技术基础-模拟部分(第五版)期末复习指南
电子技术基础复习指南模拟部分〔第五版〕一、绪论1.3模拟信号和数字信号区别:在时间和幅度上均是连续的信号称为模拟信号，在时间和幅度上不是连续的而是离散的，这种信号称为模拟信号〔数字信号较为稳定〕。
1.4放大电路模型四种增益(1)电压增益————i A υυυ=0 (2)电流增益————i i i A i =0 (3)互阻增益————i r i A =0υ (4)互导增益————ig A i υ=0 1.5放大电路的主要性能指标二、运算放大器2.1传输特性2.2理想运算放大器解题步骤(1)根据虚短 0=id v ⇒ N p v v =(2)根据虚断 0=id i ⇒ 未接反馈端电位(3)列电流方程〔接反馈〕(4)结果例题1：分析(1)根据虚短 N p v v =(2)根据虚断 0=idi ，又接地 0=N v (3)因 f i i i =有：30100R v R v i -=- (4)结果)(0i v f v =;例题2**、二输入运算放大电路（1）根据虚短 N p v v =（2）根据虚断 0=id i ，又接地 0=N v（3）因 f i i i i i =+21 有：402010021R v R v R v i i -=-+- （4）结果),(210i i v v f v=;例题3***、三输入运算放大电路（1）根据虚短 N p v v =（2）根据虚断 0=id i ，又接地 0=N v（3）因 f i i i i i i i =++321 有：402010021R v R v R v i i -=-+- （4）结果),(210i i v v f v=; 三、二极管及其基本电路3.半导体3.1.1 P 型半导体杂质离子:3价元素杂质〔硼〕，空穴数远大于自由电子数，空穴为多数载流子，自由电子为少数载流子。
3.1.2 N 型半导体杂质离子:5价元素杂质〔磷，砷 等〕，自由电子为多数载流子，空穴为少数载流子。
模拟电子技术基础-第五版-总结、习题课
（3）由 UZ UBE3 UO
R5
可得
R4 RP R5
(UZ UBE3) R 4 R5 UO (UZ UBE3) R 4 RP R5
R5
R5
总结习题课 - 7
10.12 习题解答
10.12 电路如图P10.12所示，已知稳压管的稳定电压 为 6V ， 最 小 稳 定 电 流 为 5mA ， 允 许 耗 散 功 率 为 240mW；输入电压为20～24V，R1＝360Ω。试问：
UO1≈( 1.3V)
UO2＝( 0 )
UO3≈( －1.3V)
UO4≈( 2V )， UO5≈( 1.3V)， UO6≈( －2V)
稳压二极管
在正向特性区和反 向截止区稳压管特性曲线 与普通二极管的特性曲线 基本一样。
在反向击穿区，稳压 管特性曲线更加陡直。
即UBR几乎为定值（作为UZ）；或当∆UZ有微小 变化时， ∆IZ有很大变化。利用此特性稳压管工作在 反向击穿区时起稳压作用。
总结习题课 - 1
已知UZ＝6V， UBE＝0.7V， R1＝R2＝R3＝300Ω， UI＝24V
1）UO≈24V； >>>>>>>>（1）T1的c、e 短路； 2）UO≈23.3V； >>>>>>>>（2）Rc 短路； 3）UO≈12V且不可调； >>>>>>（3）R2 短路； 4）UO≈6V且不可调； >>>>>>（4）T2的b、c 短路； 5）UO可调范围变为6～12V。>>>>>（5）R1 短路。
IL=UZ/RL=12mA
模拟电子技术基础(第五版)第二章
模拟电子技术基础(第五版)第二章模电课件2.1 集成电路运算放大器2.2 理想运算放大器2.3 基本线性运放电路2.4 同相输入和反相输入放大电路的其他应用模电课件2.1 集成电路运算放大器1. 集成电路运算放大器的内部组成单元图2.1.1 集成运算放大器的内部结构框图特点：电路对称性，提高整个电路的性能若干级电压放大带负载能力强，电流放大模电课件2.1 集成电路运算放大器1. 集成电路运算放大器的内部组成单元图2.1.2 运算放大器的代表符号(a)国家标准规定的符号(b)国内外常用符号特点：两个输入端(同相+、反相― ),一个输出端，单向模电课件2. 运算放大器的电路模型通常(实际): 开环电压增益Avo的≥105 (很高) 输入电阻ri ≥ 106Ω (很大) 输出电阻ro ≤100Ω (很小)图2.1.3 运算放大器的电路模型vO=Avo(vP-vN) ,当(V- vO V+) 注意输入输出的相位关系模电课件2. 运算放大器的电路模型当Avo(vP-vN) ≥V+ 时vO= V+ 当Avo(vP-vN) ≤ V-时vO= V-电压传输特性vO= f (vP-vN)线性范围内vO=Avo(vP-vN) Avo――斜率非线性(饱和)范围内？end模电课件2. 运算放大器的电路模型例：一运放Avo= 2×105 ,ri = 0.6 MΩ , 电源电压V+ = +12 V, V- = -12 V. (1)当vO=±Vom = ± 12 V时，输入电压的最小幅值vP-vN = ? 输入电流ii = ? (2)画出传输特性曲线vO=f(vP-vN) (1)线性范围内: vP-vN = vO / Avo = ± 12 V/( 2×105) = ± 60 v (2)传输特性曲线vO=f(vP-vN)ii =( vP-vN )/ ri = ± 60 0.6 MΩ v/ = ± 100 pA模电课件2.2 理想运算放大器1. vO的饱和极限值等于运放的电源电压V+和V- 2. 运放的开环电压增益很高ri≈∞ 若(vP-vN)0 则vO= +Vom=V+ (饱和) 若(vP-vN)0 则vO= CVom=V- (饱和)3. 若V- vO V+ (线性) 则(vP-vN) 0 ,虚短4. 输入电阻ri的阻值很高使iP≈ 0、iN≈ 0 ,虚断5. 输出电阻很小，ro ≈ 0图2.2.1 运放的简化电路模型理想：ri≈∞ ro≈0 Avo→∞ vO=Avo(vN-vP)模电课件2.3 基本线性运放电路线性运放电路：运放一定工作在线性范围(状态), 电路通过接入负反馈来保证。
高教版《模拟电子技术基础(第五版)课程讲义复习要点第6章复习
（b）
课堂练习：
一、 理想运放构成如图T6-9所示电路，试写出uO 与 u I 的关系式。
R4
uI1
R1
uI2
R2
A1
uo1 R5
A2
uO
R3
R6
C
图T6-9 题6-10图
二、 电路如图所示，设所有运放均为理想运放。图中， u1=0.6V，u2=0.4V，u3=－1V。 1、A1、A2、A3、A4各构成什么运算电路？ 2、试求uO1=？uO2=？uO3=？ 3、设电容两端的初始电压为2V，极性如图中所示，求使 uO4=－6V所需的时间t=？
七、熟练掌握电压比较器的工作原理及典型电压比较器的分析 方法。
6-8 理想运放组成如图T6-7（a）所示电路，其输入电压波形 如图T6-7（b）所示，当t 0 时，uO 0
试画出输出电压 uO 的波形。
R1
uI 1k
R
C
1μF
A
uI V
2
uO
0 10 20 30 40
t ms
-2
（a）
图T6-7 题6-8图
第六章 集成运算放大器复习
一、 集成运放工作在线性区的电路特征
必须要在电路中引入深度负反馈
二、 理想运放在线性工作区的特点
“虚短” “虚断
“虚地
三、 分析理想运”放运算电路的”思路
1、确定uP：对同相端列KCL方程； 2、确定uN：利用“虚短”的概念 ； 3、求输出电压uO：对与输出相关联的端列KCL方程即可。
对多级运放电路，从左到右逐级完成分析。
四、熟练掌握由运放实现的比例、加法、减法、加减、积分等 线性运算电路的分析。 （注意记住常用运算电路的电路结构及输出电压表达式，注 意P159页表6-2-1）
电子技术基础模拟部分第五版期末考试重点 PPT
VSSRIDVSS
当NMOS管工作在饱和区
Cb1
IDK nV G SV T2
Rs vi
V D S V D V D S S I D R d R
Rg1 g
Rg2
Rd
d id T
B s
R
+VDD Cb2
vo
-VSS
大家好
16
小信号模型分析 g
i d 2 K n V G V S T v Q g s g m v gs
d
Rs
+ vi vs
-
Vgs
s
Rg1|| Rg2
g mVgs
R
Rd vo
V i V gsgmV gsR V o gmV gsRd AV V V oi 1gmgRmdR
R iR g|1|R g2 R oR d
大家好
17
JFET放大电路
直流偏置电路
.分压器式自偏压电路
计算Q点：
Cb1 + vi
－
+VDD
Rc
+ vo －
Rc
无负载时：
AVDVViOd
RC rbe
有负载时：
Rb T1
v+o1
－
v+o2
－
T2 Rb
+
E
+
v i1
v id
－
2
－ v id
v i2
2
－
AVD
RL rbe
RL RC
RL 2
R i 2 rbe Ro 2RC
Ib
V
id
2
rbe
Vid
V
id
2
电子技术基础模拟部分(第五版)康华光总复习课件
vi 2
5 4
vi1
2vi 2
18
二、习题
习题2.4.6 加减运算电路如图所示，求输出电压：vo的表达式。
令 vi1= vi2 = vi4 =0,
R1 40kΩ
R6
vi1
vi2 vi3
R2 25kΩ R3 10kΩ
–
vn
+
vp
vi4
R4 20kΩ
vo''
(1
R6 ) R1 // R2
R4 // R5 R3 R4 // R5
（2）同相输入加法运算电路
RP R11 // R12 // R RN R1 // Rf
uo
(1
Rf R1
)( RP R11
ui1
RP R12
ui2 )
当 RP = RN时，
uo
Rf R1
ui1
Rf R2
ui2
3、减法运算电路
RP R2 // R3 RN R1 // Rf
uo
(1
Rf R1
二、习题
习题2.4.6 加减运算电路如图所示，求输出电压vo的表达式。
解： 利用“虚短”、“虚断” 和叠加
R1 40kΩ
R6
vi1
原理 令 vi3= vi4 =0, 可看作是求和电路
vi2 vi3
R2 25kΩ R3 10kΩ
–
vn
+
vp
R4 20kΩ
vi4
R5
30kΩ
vo
vo'
R6 R1
vi1
R6 R2
iE
–
静态分析： 直流通路
IBQ
VCC Rb
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绪论
一. 符号约定
大写字母、大写下标表示直流量。
如: V CE、I C等。
小写字母、大写下标表示总量( 含交、直流) 。
如: v CE、i B 等。
小写字母、小写下标表示纯交流量。
如: v ce、i b等。
上方有圆点的大写字母、小写下标表示相量。
如: 等。
二．信号
( 1) 模型的转换
( 2) 分类
( 3) 频谱
二.放大电路( 1) 模型
( 2) 增益
如何确定电路的输出电阻r o ?
三．频率响应以及带宽
第一章半导体二极管
一.半导体的基础知识
1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。
2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。
3.本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。
4. 两种载流子----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称
为载流子。
5.杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。
体现的是半导体的掺杂特性。
*P型半导体:在本征半导体中掺入微量的三价元素( 多子是空穴, 少子是电子) 。
*N型半导体: 在本征半导体中掺入微量的五价元素( 多子是电子, 少子是空穴) 。
6. 杂质半导体的特性
*载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度, 少子浓度与温度有关。
*体电阻---一般把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。
*转型---经过改变掺杂浓度, 一种杂质半导体能够改型为另外一种杂质半导体。
7. PN结
* PN结的接触电位差---硅材料约为0.6~0.8V, 锗材料约为0.2~0.3V。
* PN结的单向导电性---正偏导通, 反偏截止。
8. PN结的伏安特性
二. 半导体二极管
*单向导电性------正向导通, 反向截止。
*二极管伏安特性----同ＰＮ结。
*正向导通压降------硅管0.6~0.7V, 锗管0.2~0.3V。
*死区电压------硅管0.5V, 锗管0.1V。
3.分析方法------将二极管断开, 分析二极管两端电位的高低:
若 V阳 >V阴( 正偏 ), 二极管导通(短路);
若 V阳 <V阴( 反偏 ), 二极管截止(开路)。
1) 图解分析法
该式与伏安特性曲线
的交点叫静态工作点Q。
2) 等效电路法
➢直流等效电路法
*总的解题手段----将二极管断开, 分析二极管两端电位的高低:若 V阳 >V阴( 正偏 ), 二极管导通(短路);
若 V阳 <V阴( 反偏 ), 二极管截止(开路)。
*三种模型
➢微变等效电路法
三. 稳压二极管及其稳压电路
*稳压二极管的特性---正常工作时处在PN结的反向击穿区, 因此稳压二极管在电路中要反向连接。
第二章三极管及其基本放大电路
一. 三极管的结构、类型及特点
1.类型---分为NPN和PNP两种。
2.特点---基区很薄, 且掺杂浓度最低; 发射区掺杂浓度很高, 与基区接触
面积较小; 集电区掺杂浓度较高, 与基区接触面积较大。
二. 三极管的工作原理
1. 三极管的三种基本组态
2. 三极管内各极电流的分配
* 共发射极电流放大系数 (表明三极管是电流控制器件
式子称为穿透电流。
3. 共射电路的特性曲线
*输入特性曲线---同二极管。
* 输出特性曲线
(饱和管压降, 用U CES表示
放大区---发射结正偏, 集电结反偏。
截止区---发射结反偏, 集电结反偏。
4. 温度影响
温度升高, 输入特性曲线向左移动。
温度升高I CBO、I CEO、I C以及β均增加。