《模拟电子技术基础》模拟试卷3参考答案

合集下载

模拟电子技术基础试卷及答案(期末) 3

模拟电子技术基础试卷及参考答案试卷三（本科）及其参考答案试卷三一、选择题（这是四选一的选择题，选择一个正确的答案填在括号内）（共16分）1．有两个增益相同，输入电阻和输出电阻不同的放大电路A和B，对同一个具有内阻的信号源电压进行放大。

在负载开路的条件下，测得A放大器的输出电压小，这说明A的（）a. 输入电阻大b. 输入电阻小c. 输出电阻大d. 输出电阻小2．共模抑制比K CMR越大，表明电路（）。

a. 放大倍数越稳定b. 交流放大倍数越大c. 抑制温漂能力越强d. 输入信号中的差模成分越大3．多级放大电路与组成它的各个单级放大电路相比，其通频带（）。

a. 变宽b. 变窄c. 不变d. 与各单级放大电路无关4．一个放大电路的对数幅频特性如图1-4所示。

当信号频率恰好为上限频率或下限频率时，实际的电压增益为（）。

a. 43dBb. 40dBc. 37dBd. 3dB图1-4 图1-55．LC正弦波振荡电路如图1-5所示，该电路（）。

a. 满足振荡条件，能产生正弦波振荡b. 由于无选频网络，不能产生正弦波振荡c. 由于不满足相位平衡条件，不能产生正弦波振荡d. 由于放大器不能正常工作，不能产生正弦波振荡6．双端输入、双端输出差分放大电路如图1-6所示。

已知静态时，V o=V c1－V c２＝０，设差模电压增益100vd =A ，共模电压增益mV 5V mV,10,0i2i1c ===V A V ，则输出电压o V 为（）。

a. 125mVb. 1000 mVc. 250 mVd. 500 mV图1-6 图1-77．对于图1-7所示的复合管，假设CEO1I 和CEO2I 分别表示T 1、T 2单管工作时的穿透电流，则复合管的穿透电流CEO I 为（）。

a. CEO2CEO I I =b. CEO2CEO1CEO I I I +=c. CEO1CEO I I =d. CEO12CEO2CEO )1(I I I β++=8．某仪表放大电路，要求R i 大，输出电流稳定，应选（）。

模拟电子技术基础测试题及参考答案

模拟电子技术基础测试题及参考答案一、单选题（共50题，每题1分，共50分）1、贴片电阻的封装是:( )A、0805B、SOT-23C、TO-92D、以上都正确正确答案：A2、引起直接耦合放大器零点漂移的因素很多，其中最难控制的是( )A、电源电压的变化B、元器件的对称性C、电路中电容和电阻数值的变化D、半导体器件参数的变化正确答案：D3、某多级放大电路由三级基本放大器组成，已知每级电压放大倍数为Au，则总的电压放大倍数为( )A、3AuB、Au3C、AuD、以上答案均不正确正确答案：B4、乙类推挽功率放大电路的静态工作点在三极管的( )边缘。

A、放大区B、截止区C、饱和区D、截止区与饱和区正确答案：B5、直流放大器中的级间耦合通常采用( )A、阻容耦合B、直接耦合C、电感抽头耦合D、变压器耦合正确答案：B6、下列关于三极管S8050的性质描述对的是 ( )A、锗材料NPN型B、硅材料NPN型C、硅材料PNP型D、锗材料PNP型正确答案：B7、元件引脚的剪脚高度为( )。

A、0.5MM以下B、0.5-2.5MMC、2.5MM以上D、无所谓，没关系正确答案：B8、下列集成稳压器,不能实现稳压输出+9 V的是( )A、CW7909B、CW317C、CW117D、CW7809正确答案：A9、由NPN型管构成的基本共射放大电路，输入是正弦信号,若从示波器显示的输出信号波形发现顶部(正半周)削波失真,则该放大电路产生了( )失真。

A、截止B、放大C、饱和D、无法确定正确答案：C10、把电动势是 1.5伏的干电池以正向接法直接接到一个硅二极管的两端，则该管( )A、击穿B、被烧坏C、电流基本正常D、电流为零正确答案：C11、多级放大电路各级的电压增益分别是：10dB、20 dB、30 dB，则电压总增益是( )。

A、0 dBB、30 dBC、60 dBD、6000 dB正确答案：C12、在单级射极输出器中,输人电压信号和输出电压信号的相位是( )A、同相B、相差90° D .相差270°C、反相正确答案：A13、CW7900系列稳压器的1脚为 ( )A、公共端B、输出端C、输入端D、调整端正确答案：A14、电烙铁焊接完成后与被焊体约( )度角移开A、90B、30C、60D、45正确答案：D15、下列关于电感线圈描述正确是( )A、线圈中通直流电流会产生磁场B、电感线圈中的电流能发生突变C、线圈中会产生一定的自感电动势，增强电流的变化D、电感线圈的品质因素越高，损耗越大正确答案：D16、当晶体二极管的PN结导通后，则参加导电的是 ( )A、少数载流子B、多数载流子C、既有少数载流子又有多数载流子D、以上答案均不正确正确答案：C17、下列关于变压器表述不正确的是 ( )。

《模拟电子技术》试卷(十套附答案)

《模拟电子技术》试卷目录《模拟电子技术》试卷1 (1)《模拟电子技术》试卷1答案 (5)《模拟电子技术》试卷2 (7)《模拟电子技术》试卷2答案 (10)《模拟电子技术》试卷3 (12)《模拟电子技术》试卷3答案 (16)《模拟电子技术》试卷4 (18)《模拟电子技术》试卷4答案 (20)《模拟电子技术》试卷5 (23)《模拟电子技术》试卷5答案 (26)《模拟电子技术》试卷6 (28)《模拟电子技术》试卷6答案 (30)《模拟电子技术》试卷7 (32)《模拟电子技术》试卷7答案 (35)《模拟电子技术》试卷8 (36)《模拟电子技术》试卷8答案 (39)《模拟电子技术》试卷9 (41)《模拟电子技术》试卷9答案 (44)《模拟电子技术》试卷10 (46)《模拟电子技术》试卷10答案 (49)《模拟电子技术》试卷1班级：姓名总分：一、填空（每空1分，共15分）1. 二极管最主要的特性是（），它的两个主要参数是反映正向特性的（）。

2. 三极管工作在三个区域的条件是：放大区（），饱和区（）截止区（）。

３. 场效应管从结构上分成（）和（）两大类型，它属于（）控制型器件。

４. 集成运算放大器是一种采用（）耦合方式的放大电路，最常见的问题是（）。

５. 差动放大电路的基本功能是对差模信号的（）作用和对共模信号的（）作用。

６. 小功率直流稳压电源由变压器、（）、（）、（）四部分组成。

二、选择题（每空2分，共10分）1. 在图示电路中，当电源V=5V时，测得I=1mA。

若把电源电压调整到V=10V，则（）。

A. I=2mAB. I<2mAC. I>2mAD. I=10mA2. 集成运放的输入所采用差分放大电路是因为可以（）。

Ａ. 减小温漂Ｂ.增大放大倍数Ｃ. 提高输入电路Ｄ. 减小噪声３. 欲减小电路从信号源索取的电流，增大带负载能力，应在放大电路中引入（）负反馈。

Ａ. 电压串联Ｂ. 电压并联Ｃ. 电流串联Ｄ. 电流并联４. 欲实现Au＝-100的放大电路，应选用（）电路。

模拟电子技术基础课后答案(完整版)

第三部分习题与解答习题1客观检测题一、填空题1、在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于掺入的杂质浓度，而少数载流子的浓度则与温度有很大关系。

2、当PN 结外加正向电压时，扩散电流大于漂移电流，耗尽层变窄。

当外加反向电压时，扩散电流小于漂移电流，耗尽层变宽。

3、在N 型半导体中，电子为多数载流子，空穴为少数载流子。

二．判断题1、由于P 型半导体中含有大量空穴载流子，N 型半导体中含有大量电子载流子，所以P 型半导体带正电，N 型半导体带负电。

（ × ）2、在N 型半导体中，掺入高浓度三价元素杂质，可以改为P 型半导体。

（ √ ）3、扩散电流是由半导体的杂质浓度引起的，即杂质浓度大，扩散电流大；杂质浓度小，扩散电流小。

（× ）4、本征激发过程中，当激发与复合处于动态平衡时，两种作用相互抵消，激发与复合停止。

（ × ）5、PN 结在无光照无外加电压时，结电流为零。

（ √ ）6、温度升高时，PN 结的反向饱和电流将减小。

（ × ）7、PN 结加正向电压时，空间电荷区将变宽。

（× ）三．简答题1、PN 结的伏安特性有何特点？答：根据统计物理理论分析，PN 结的伏安特性可用式)1e (I I T V Vs D -⋅=表示。

式中，I D 为流过PN 结的电流；I s 为PN 结的反向饱和电流，是一个与环境温度和材料等有关的参数，单位与I 的单位一致；V 为外加电压； V T =kT/q ，为温度的电压当量（其单位与V 的单位一致），其中玻尔兹曼常数k .J /K -=⨯2313810，电子电量)(C 1060217731.1q 19库伦-⨯=，则)V (2.11594TV T =，在常温（T=300K ）下，V T =25.875mV=26mV 。

当外加正向电压，即V 为正值，且V 比V T 大几倍时，1eTV V >>，于是TV V s eI I ⋅=，这时正向电流将随着正向电压的增加按指数规律增大，PN 结为正向导通状态.外加反向电压，即V 为负值，且|V|比V T 大几倍时，1eTV V <<，于是s I I -≈，这时PN 结只流过很小的反向饱和电流，且数值上基本不随外加电压而变，PN 结呈反向截止状态。

(完整版)《模拟电子技术》复习题10套及答案

《模拟电子技术》复习题一一、填空题1、在N型半导体中，多数载流子是；在P型半导体中，多数载流子是。

2、场效应管从结构上分为结型和两大类，它属于控制性器件。

3、为了使高阻信号源与低阻负载能很好地配合，可以在信号源与负载之间接入（共射、共集、共基）组态放大电路。

4、在多级放大器中，中间某一级的电阻是上一级的负载。

5、集成运放应用电路如果工作在线性放大状态，一般要引入____________。

6、根据下图中各三极管的电位，判断它们所处的状态分别为_________、_________、_________。

7、正弦波振荡电路通常由，，和四部分组成。

二、选择题1、利用二极管的（）组成整流电路。

A 正向特性B 单向导电性C反向击穿特性2、P型半导体是在本征半导体中加入（）后形成的杂质半导体。

A空穴B三价元素硼C五价元素锑3、场效应管的漏极特性曲线如图2-3所示，其类型为( )场效应管。

A P沟道增强型MOS型B P沟道耗尽型MOS型C N沟道增强型MOS型D N沟道耗尽型MOS型E N沟道结型F P沟道结型图2－10 4、有一晶体管接在放大电路中，今测得它的各极对地电位分别为V 1＝-4Ｖ，V 2＝-1.2Ｖ，V 3＝-1.4Ｖ，试判别管子的三个管脚分别是（）。

A 1：ｅ、2：ｂ、3：ｃB 1：ｃ、2：e 、3：ｂC 1：ｃ、2：ｂ、3：ｅD 其它情况 5、集成运放中间级的作用是（）。

A 提高共模抑制比 B 提高输入电阻 C 提高放大倍数 D 提供过载保护 6、根据相位平衡条件，判断图2-6所示振荡电路中（）发生振荡。

A 可能 B 不能7、差模信号电压是两个输入信号电压（）的值。

A 差 B 和 C 算术平均8、在单相桥式整流电容滤波电路中，已知变压器二次电压有效值U 2＝24V ，设二极管为理想二极管，用直流电压表测得R L 的电压值约为21.6V ，问电路的现象是( )。

A 正常工作情况 B R L 开路 C C 开路 D 一个二极管和C 开路 E 一个二极管开路 F 其它情况9、某仪表放大电路，要求输入电阻大，输出电流稳定，应选（）负反馈。

模拟电子技术基础模拟综合试卷十套(附答案)

模拟综合试卷一一．填充题1．集成运算放大器反相输入端可视为虚地的条件是a ，b 。

2．通用运算放大器的输入级一般均采用察动放大器，其目的是a ,b 。

3．在晶体三极管参数相同，工作点电流相同条件下，共基极放大电路的输入电阻比共射放大电路的输入电阻。

4．一个NPN晶体三极管单级放大器，在测试时出现顶部失真，这是失真。

5．工作于甲类的放大器是指导通角等于，乙类放大电路的导通角等于，工作于甲乙类时，导通角为。

6．甲类功率输出级电路的缺点是，乙类功率输出级的缺点是故一般功率输出级应工作于状态。

7．若双端输入，双端输出理想差动放大电路，两个输入电压ui1=ui2,则输出电压为 V；若ui1=1500µV, ui2=500µV，则差模输入电压uid为µV，共模输入信号uic为µV。

8．由集成运放构成的反相比例放大电路的输入电阻较同相比例放大电路的输入电阻较。

9．晶体三极管放大器的电压放大倍数在频率升高时下降，主要是因为的影响。

10．在共射、共集、共基三种组态的放大电路中，组态电流增益最；组态电压增益最小；组态功率增益最高；组态输出端长上承受最高反向电压。

频带最宽的是组态。

二．选择题1．晶体管参数受温度影响较大，当温度升高时，晶体管的β，ICBO,uBE的变化情况为（）。

A．β增加，ICBO,和 uBE减小 B. β和ICBO增加，uBE减小C．β和uBE 减小，ICBO增加 D. β、ICBO和uBE都增加2．反映场效应管放大能力的一个重要参数是（）A. 输入电阻B. 输出电阻C. 击穿电压D. 跨导3．双端输出的差分放大电路主要（）来抑制零点飘移。

A. 通过增加一级放大B. 利用两个C. 利用参数对称的对管子D. 利用电路的对称性4．典型的差分放大电路由双端输出变为单端输出，共模电压放大倍数（）。

A. 变大B. 变小C. 不变D. 无法判断5．差分放大电路的共模抑制比KCMR越大，表明电路（）A. 放大倍数越稳定B. 交流放大倍数越大C. 直流放大倍数越大D. 抑制零漂的能力越强6．负反馈放大电路以降低电路的（）来提高嗲路的其他性能指标。

东大21秋学期《模拟电子技术基础Ⅰ》在线平时作业3【标准答案】

《模拟电子技术基础Ⅰ》在线平时作业3
试卷总分:100 得分:100
一、单选题 (共 15 道试题,共 60 分)
1.开关型直流电源比线性直流电源效率高的原因是
A.调整管工作在开关状态
B.输出端有LC滤波电路
C.可以不用电源变压器
答案:A
2.为了增大放大电路的输入电阻，应引入（）负反馈
A.电压
B.电流
C.串联
D.并联
答案:C
3.串联型稳压电路中的放大环节所放大的对象是
A.基准电压
B.采样电压
C.基准电压与采样电压之差
答案:C
4.为了减小放大电路的输出电阻，应引入（）负反馈
A.电压
B.电流
C.串联
D.并联
答案:A
5.OCL功放电路的输出端直接与负载相联，静态时其直流电位为（）。

A.VCC
B.(1/2)VCC
C.0
D.2VCC
答案:D
6.欲将电压信号转换成与之成比例的电流信号，应在放大电路中引入( )
A.电压串联负反馈
B.电压并联负反馈
C.电流串联负反馈
D.电流并联负反馈
答案:C
7.交流户反馈对电路的作用是。

《模拟电子技术基础》试题3

机电3+2《模拟电子技术基础》试题库3考生须知：1．本试卷分问卷和答卷两部分，满分100分，考试时间90分钟。

2．在答题卷密封区内请写明校名、姓名和学籍号。

3．全部答案都请做在答题卷标定的位置上，务必注意试题序号与答题序号相对应，直接做在问卷上无效。

题号一二三四总分满分30 30 10 30 100 一、填空题（每空1分，共30分）1．PN结加正向电压时______，加反向电压时______，这一特性称为_____________。

2．P型半导体中多数载流子是________，N型半导体中多数载流子是__________。

3．半导体三极管的放大作用的实质是________对________的控制作用。

4．通过整流电路后，其输出电压V o=9V，负载电流为1A，若该整流电路为半波整流电路，则二极管承受的反向电压为_______V；若该整流电路为全波整流电路，则二极管承受的反向电压为______V；若为桥式整流电路，则二极管承受的反向电压为_______V。

5．三极管放大器中，当输入电流一定时，静态工作点设置太低，将产生_______失真，静态工作点设置太高，将产生_______失真。

6．放大电路中所谓的信号非线性失真，是指。

通常的非线性失真包括失真和失真。

7．为了稳定静态工作点，可以引入______反馈，如果改变输入或输出电阻，可引入_______反馈，如果希望减小放大电路从信号源索取的电流，可采用反馈。

8．三极管的输出特性是指和之间的关系曲线。

9．已知三极管的β=99，若IB=10uA，则Ic= ，IE= 。

10. 测得某工作于放大状态的三极管各极电位如图所示，则脚是E极。

11．如图所示电路，设二极管的正向压降和反向电流均忽略不计，则二极管VD处于状态，输出电压V0为。

12．分压式偏置放大电路具有__________作用，因此受温度影响小，工作稳定，同时其输出电压与输入电压的相位__________。

《模拟电子技术基础》习题 (3)

《模拟电子技术基础》习题一、计算题1、如图所示是一个基本共射极放大电路，设晶体管β=100 ，U BE=0.2V ，r be =1.44kΩ ，R B=470KΩ，R C=3KΩ，R L=3KΩ，V CC=10V。

（1）该电路是共射还是共集电路？（2分）（1）画出放大电路的直流通路，并且估算静态工作点I BQ、I CQ和U CEQ；（8分）（2）画出放大电路微变等效电路，求电压放大倍数A u、输入电阻R i、输出电阻R O；（10分）二、选择题（）1、P型半导体中多数载流子是________，少数载流子是________。

A、自由电子正离子B、空穴负离子C、空穴自由电子D、自由电子空穴2、半导体三极管是一种________器件。

A、电流控制电流B、电流控制电压C、电压控制电压D、电压控制电流3、当二极管两端正向偏置电压大于________时，二极管才能导通。

A、反向击穿电压B、饱和电压C、正向导通压降D、门坎电压4、如图所示电路中，二极管D所处的状态是________。

A、击穿状态B、截止状态C、导通状态D、无法确定5、二极管电路如图所示，二极管D1和D2的工作状态是________。

A、D1、D2均截止B、D1、D2均导通C、D1导通、D2截止D、D2导通、D1截止6、杂质半导体中，少子的浓度与________有关。

A 、晶体缺陷B 、掺杂工艺C 、杂质浓度D 、温度7、某放大电路中,晶体管三个电极的电流如图所示，测出mA I mA I mA I 22.1,02.0,2.1321=-=-=，由此可知对应电极②是________。

A 、发射极B 、基极C 、集电极D 、不能确定8、测量三极管三个电极对地电位如图所示，则三极管的工作状态为________。

A 、放大状态B 、饱和状态C 、截止状态D 、击穿状态9、两个稳压二极管的稳压值分别为7V 和9V ，将它们组成如图所示电路，设输入电压 U 1值是20V ，则输出电压 U 0为________。

(完整)《模拟电子技术基础教程》华成英——第三章习题解答

PTER半导伸二嘏管及其基市应用电路3. 1判断下列说法的正、误，在相应的括号内蔺表示正确・画“X”衣示错谋.(1)本征半导体是指没冇博杂的纯净晶体半导体.( )(2)本征半异体温度升高后两种栽流子浓度仍然相等.( )(3)P®半导体帯正电( ),N®半导体带负电( ).(4)空间电荷区内的潦移电流址少数戏流子在内电场作用下形成的.Z )(5)二极管所加正向电压增大时，其动态电限增大.( )(6)只耍在稳圧管两端加反向电压就能起稳压作用.( )解(2) 7 (3) X.X (4> V (5)X (6) X3.2选择正确的答案填空.(1) N凤半导体是空本征半导体中捧人 ____________ » P51半导体是在本征半导体中掺人 _______ ・A.三价元索，如硼導B.四价元索，如错铮C.五价元素•如磷等(2) PN结加正向电压时.由__________ 形成电流，其耗尽层__________ I加反向电压时, 由 _______ 形成电流，其耗斥煨__________ ・A.扩散运动B.漂移运动C.变龙D.变牢(3) 当温度升高时•二极管的反向饱和电流___________ ・A.增大.B.不变C.减小(4) 硅二极管的正向导通电压比诸二极管的_____________ ，反向饱和电流比緒二极管的 _______ ・A.大B.小C.相等(5) 稳压暂工作在槍压区时，其丁•作状态为_________ .A.正向导通B.反向截止C.反向击穿解 (1) Cl A (2) Al D» B ； C (3) A (4) A» B (5> C 3.3填空(1) PN 结的导电特性定 __________ ・(2) 徃外加直流电压时，理想二极管正向导通阻抗为 _________________ ，反向截止阻抗为 ________ 。

(3) PN 结的结电容包插 __________ 电容和 _________ 电容。

模拟电子技术基础样卷讲解

《模拟电子技术基础》样卷一一、判断题（每题1 分，共 10分。

若提法正确，在括号内打√；提法错误，在括号内打×。

）1．外加反向电压，PN结中的耗尽层宽度将变宽。

（）2．当二极管的外加反向电压增加到一定值时，反向电流急剧增加（反向击穿），所以二极管不能工作在反向击穿区。

（）3．在H参数中，h ie为基极—发射极间的直流输入电阻。

（）4．场效应管是利用一种多子导电，其受温度的影响很小。

（）5．三种组态中，共基电路输入电阻最大。

（）6．为改善放大器的高频响应，应该增大三极管的结电容CπCμ。

（）7．两发射极之间串电阻后，可以扩大差分放大的线性范围。

（）8．设反馈系数为F ，电流负反馈时放大器输入阻抗上升1+F A 倍。

（）9．振荡器具有较稳定振荡的原因，是振荡系统中具有选频网络。

（）10．全波整流电路有4个整流管，所以流过每个整流管的电流为负载电流的四分之一。

（）二、填空题（每空1 分，共 10分）1．三极管的发射结，集电结时，三极管工作在饱和区。

2．已知一个场效应管的输出特性曲线，试判别：管型，U GS(off)或U GS(th)。

3．在交流放大电路中，若静态工作点选得太高，则容易产生失真，若静态工作点选得太低，则容易产生失真。

4．大信号差分放大器差模传输特性为函数。

5．电流负反馈放大器的输出电阻较。

6．运算放大器引入相位补偿的目的是为了。

7．管子的导通周期为称乙类。

8．同相比例运算电路的输入电阻为，输出电阻为零。

9．在理想情况下，当f→∞时的电压增益就是它的通带电压增益，这种电路属于滤波电路。

10．文氏电桥振荡器的振荡频率f0= 。

三、选择题（每题2分，共 10分。

在每小题的四个备选答案中，选出一个正确答案，并将其字母标号写在题后的括号内。

）1．如果把一个二极管直接同一个电动势为1.5V、内阻为0的电池正向连接，则该管（）A、击穿B、电流为0C、电流过大使管子烧坏D、正常导通2．差分放大器左管输入电压+100mV，右管输入-300mV，其共模输入（）A、100mVB、-100mVC、200mVD、-200mV3．电流串联负反馈电路的放大参量为（）A、电压放大倍数B、电流放大倍数C、转移电阻D、转移电导4．希望单级运算电路的函数关系是ｙ＝ａ1ｘ1＋ａ2ｘ2—ａ3ｘ3（其中ａ1、ａ2、ａ3是常数，且为正值）应选用（）A、比例电路B、反相求和电路C、双端求和运算电路D、带通滤波电路5．在全波整流电容滤波电路中，如果有一个二极管开路，则输出电压（）A、极性改变B、等于零C、下降一半D、稍有下降四、分析计算题（共 70分）1．设图示电路中的二极管是理想的，输入电压为u i=5sinωt，画出输出电压的波形和该电路的电压传输特性曲线。

模拟电子技术基础期末考试试题及答案

《模拟电子技术》模拟试题一一、填空题：（每空1分共40分）1、PN结正偏时（导通），反偏时（截止），所以PN结具有（单向）导电性。

2、漂移电流是（温度）电流，它由（少数）载流子形成，其大小与（温度）有关，而与外加电压（无关）。

3、所谓理想二极管，就是当其正偏时，结电阻为（0 ），等效成一条直线；当其反偏时，结电阻为（无穷），等效成断开；4、三极管是（电流）控制元件，场效应管是（电压）控制元件。

5、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结（正偏），集电结（反偏）。

6、当温度升高时，晶体三极管集电极电流Ic（变小），发射结压降（不变）。

7、三极管放大电路共有三种组态分别是（共基）、（共射）、（共集）放大电路。

8、为了稳定三极管放大电路的静态工作点，采用（电压并联）负反馈，为了稳定交流输出电流采用（串联）负反馈。

9、负反馈放大电路和放大倍数AF=（1/（1/A+F）），对于深度负反馈放大电路的放大倍数AF=（1/F ）。

10、带有负反馈放大电路的频带宽度BWF=（1+AF ）BW，其中BW=（），（）称为反馈深度。

11、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号，称为（共模）信号，而加上大小相等、极性相反的两个信号，称为（差模）信号。

12、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的（交越）失真，而采用（甲乙）类互补功率放大器。

13、OCL电路是（）电源互补功率放大电路；OTL电路是（）电源互补功率放大电路。

14、共集电极放大电路具有电压放大倍数（），输入电阻（），输出电阻（）等特点，所以常用在输入级，输出级或缓冲级。

15、差分放大电路能够抑制（）漂移，也称（）漂移，所以它广泛应用于（）电路中。

16、用待传输的低频信号去改变高频信号的幅度称为（），未被调制的高频信号是运载信息的工具，称为（）。

17、模拟乘法器输出与输入的关系式是U0=（），电路符号是（）。

二、选择题（每空2分共30分）1、稳压二极管是一个可逆击穿二极管，稳压时工作在（）状态，但其两端电压必须（），它的稳压值Uz才有导通电流，否则处于（）状态。

模拟电子技术基础试卷及其参考答案

模拟电子技术基础试卷及参考答案试卷一专升本试卷及其参考答案试卷一（总分150分）（成人高等学校专升本招生全国统一考试电子技术基础试卷之一）一、选择题（本大题10个小题，每小题4分，共40分。

在每小题给出的四个选项中，只有一项是符合题目要求的，把所选项前的字母填在题后的括号内。

）1. 用万用表的R×100档测得某二极管的正向电阻阻值为500Ω，若改用R×1k档，测量同一二极管，则其正向电阻值（）a. 增加b. 不变c. 减小d. 不能确定2. 某三极管各电极对地电位如图2所示，由此可判断该三极管（）a. 处于放大区域b. 处于饱和区域c. 处于截止区域d. 已损坏图23. 某放大电路在负载开路时的输出电压为6V，当接入2kΩ负载后，其输出电压降为4V，这表明该放大电路的输出电阻为（）a. 10kΩb. 2kΩc. 1kΩd. 0.5kΩ4. 某放大电路图4所示.设VCC>>VBE,LCEO≈0，则在静态时该三极管处于（）a.放大区b.饱和区c.截止区d.区域不定图45. 图5所示电路工作在线性放大状态，设R'L=RD//RL,则电路的电压增益为（）'gmRL' b.1+gmRs C.-gmRL' d.-RL'/gm a.gmRL-图56. 图5中电路的输入电阻Ri为（）a. Rg+(Rg1//Rg2)b. Rg//(Rg1+Rg2)c. Rg//Rg1//Rg2d.[Rg+(Rg1//Rg2)]//(1+gm)RS7. 直流负反馈是指（）a. 存在于RC耦合电路中的负反馈b. 放大直流信号时才有的负反馈c. 直流通路中的负反馈d. 只存在于直接耦合电路中的负反馈8. 负反馈所能抑制的干扰和噪声是（）a. 输入信号所包含的干扰和噪声b. 反馈环内的干扰和噪声c. 反馈环外的干扰和噪声d. 输出信号中的干扰和噪声9. 在图9所示电路中，A为理想运放，则电路的输出电压约为（）a. －2.5Vb. －5Vc. －6.5Vd. －7.5V图910. 在图10所示的单端输出差放电路中，若输入电压△υS1=80mV, △υS2=60mV,则差模输入电压△υid为（）a. 10mVb. 20mVc. 70mVd. 140mV图10二、填空题（本大题共7个小题，18个空，每空2分，共36分。

模拟电子技术考试试题汇总及答案

如何调整？⑶若 , 和的，，
，假设、、中任意一个开路，将会产生什么后果？
⒋在图5-3桥式整流、电容滤波电路中,U2=12V(有效值)，RL=20Ω, C=2000µF。试问：①正常时？②如果电路中有一个二极管开路，是否为正常值的一半？③如果为下列数值，可能出了什么故障？
(a) (b) (c)
6.某LC振荡电路的振荡频率为，如将LC选频网络中的电容C增大一倍，则振荡频率约为（ c ）。
A、200kHz B、140kHz C、70kHz D、50kHz
7.甲乙类互补对称电路与乙类互补对称电路相比，主要优点是( c )。
A、输出功率大 B、效率高 C、交越失真小 D、电路结构简单
8.要求提高放大电路的带负载能力，同时减小对信号源索取的电流，应引入（ a ）。
⒉图5-2中的集成均为理想运放，各电路均满足深负反馈条件，试判断它们的反馈组态和极性，并分别估算它们的电压放大倍数。
⒊一单电源互补对称电路如图5-3所示，设、的特性完全对称，为正弦波，
，。试回答：⑴静态时，电容两端电压就是多少？调整哪
个电阻能满足这一要求？⑵动态时，输出电路出现交越失真，应调整哪个电阻？
图2
二、VB=
rbe=200+101
RO=RC=3.3
三、（12分）
放大电路如图3 a、b、c、d所示。
（1）试分别说明4个放大电路所属的组态；
（2）当信号源为电压源，且内阻不为零时，最好采用图中哪一个电路作为输入级？
（3）为了使放大电路有较强的带负载能力，最好采用图中哪一个电路作为输出级？
（4）当信号的频率范围比较宽，肯包含较高的频率成分时，最好采用图中哪一个电路进行放大？
③(a) ，说明电容开路，无滤波作用。

模拟电子技术期末试卷5套及答案

《模拟电子技术》期末考试试卷1班级_ ______ 学号___ ___ 姓名___ ___ 分数___ ___一．填空（25分）（1）本征硅中若掺入五价元素的原子，则多数载流子应是电子，掺杂越多，则其数量一定越多，相反，少数载流子应是空穴，掺杂越多，则其数量一定越少。

（2）把PN 结外加正向电压时导通、外加反向电压时截止的特性叫做单向导电特性。

（3）当PN 结外加正向电压时，PN 结内多子扩散形成较大的正向电流。

（4）硅二极管的导通电压值约为 0.6V ，锗二极管的导通电压约为 0.2V 。

（5）晶体三极管作开关应用时一般工作在输出特性曲线的饱和区和截止区。

（6）对于由三极管组成的放大电路而言，就其输入回路和输出回路的公共端不同，可以组成共基、共射、共集电三种组态。

（7）放大电路的频率特性是指放大倍数值随信号频率而变，称为幅频特性，而输出信号与输入信号的相位差随信号频率而变，称为相频特性。

（8）假设n 级放大电路的每一级的放大倍数分别为unu u u A A A A ......321、、，那么多级放大电路的放大倍数uA ＝ un u u A A A (21)（9）要使电路产生稳定的振荡，必须满足振幅平衡和相位平衡两个条件。

（10）小功率直流电源一般由四部分组成，分别是电源变压器、整流、滤波和稳压电路。

二．选择题（每题2分，共20分）（1）为了减小输出电阻，应在放大电路中引入；。

（A ）电流负反馈（B ）电压负反馈（C ）直流负反馈（D ）交流负反馈（2）RC 串并联网络在RC f f π210==时呈。

（A ）感性（B ）阻性（C ）容性（3）通用型集成运放的输入级多采用。

（A ）共基接法（B ）共集接法（C ）共射接法（D ）差分接法（4）两个β相同的晶体管组成复合管后，其电流放大系数约为。

模拟电子技术基础试卷3答案

院（系）_________________专业_______________________班级___________姓名__________________学号_________________ ……………………密………………………封……………………线…………………………《模拟电子技术基础》试卷3 答案一、填空题（请将答案填在相应的答题线上。

每空2分，共22分）1．在本征半导体中加入价元素可以形成P型半导体。

2．场效应管是利用输入回路的电场效应来控制输出回路电流的，所以它是 3．电路如图1-1所示，设二极管导通电压，则该电路的输出电压值。

4．电路如图1-2所回示，则该电路输出电压uO与输入电压uI的关系为5．已知某共射放大电路的对数幅频特性如图1-3所示，则其中频电压放大倍数|Aum|为 100 ，电路的上限频率fH。

4020100图1-1 图1-2 图1-36．按照滤波电路的工作频率，阻止某一频率范围的信号，频率低于此范围的信号及高于此范围的信号均能通过的滤波器称为带阻滤波器。

7．正弦波振荡电路由放大电路、、正反馈网络和稳幅环节四部分组成。

8．RC桥式正弦波振荡电路以RC串并联网络为选频网络和放大环节，具有振荡频率稳定，带负载能力强，输出电压失真小等优点。

9．在放大电路中，为了稳定输出电压，应引入反馈。

10．在单相桥式整流电容滤波电路中，已知变压器副边电压有效值U2为10V，测得输出电压平均值UO(AV)可能的数值为 12V 。

卷3 （第1页共4页）院（系）_________________专业_______________________班级___________姓名__________________学号_________________ ……………………密………………………封……………………线…………………………二、单项选择题（从下列各小题的四个备选答案中，选出一个正确答案，并将其代号填在答题线上。

模拟电子技术试卷及答案

模拟试卷一一、填空(16分)1．半导体二极管的主要特性是___________ 。

2．三极管工作在放大区时，发射结为____ 偏置，集电结为_____偏置；工作在饱和区时发射结为___偏置，集电结为____偏置。

3．当输入信号频率为fL和fH时，放大倍数的幅值约下降为中频时的__倍，或者是下降了__dB，此时与中频时相比，放大倍数的附加相移约为_____ 。

4．为提高放大电路输入电阻应引入___反馈；为降低放大电路输出电阻，应引入_____反馈。

5．乙类功率放大电路中，功放晶体管静态电流ICQ =____、静态时的电源功耗PDC =______。

这类功放的能量转换效率在理想情况下，可达到_____，但这种功放有______失真。

6．在串联型稳压电路中，引入了——负反馈；为了正常稳压，调整管必须工作在____区域。

二、选择正确答案填空(24分)1．在某放大电路中，测的三极管三个电极的静态电位分别为0 V，-10 V，V，则这只三极管是( )。

A．NPN 型硅管B．NPN 型锗管C．PNP 型硅管D．PNP 型锗管2．某场效应管的转移特性如图１所示，该管为( )。

A．P沟道增强型MOS管B．P沟道结型场效应管C．N沟道增强型MOS管D．N沟道耗尽型MOS管3．在图示2差分放大电路中，若uI = 20 mV，则电路的( )。

A．差模输入电压为10 mV，共模输入电压为10 mV。

B．差模输入电压为10 mV，共模输入电压为20 mV。

C．差模输入电压为20 mV，共模输入电压为10 mV。

D．差模输入电压为20 mV，共模输入电压为20 mV。

4．通用型集成运放的输入级采用差动放大电路，这是因为它的( )。

A．输入电阻高B．输出电阻低C．共模抑制比大D．电压放大倍数大5．在图示电路中,Ri为其输入电阻，RS为常数，为使下限频率fL降低，应( )。

A．减小C，减小Ri B．减小C，增大RiC．增大C，减小Ri D．增大C，增大Ri6．如图所示复合管，已知V1的b1 = 30，V2的b2 = 50，则复合后的 b 约为( )。

模拟电子技术基础试卷及答案(期末)

a. 变宽b. 变窄c. 不变d. 与各单级放大电路无关4．一个放大电路的对数幅频特性如图1-4所示。

当信号频率恰好为上限频率或下限频率时，实际的电压增益为（）。

a. 43dBb. 40dBc. 37dBd. 3dB图1-4 图1-55．LC正弦波振荡电路如图1-5所示，该电路（）。

已知静态时，V o=V c1－V c２＝０，设差模电压增益100vd=A ，共模电压增益mV 5V mV,10,0i2i1c ===V A V ，则输出电压o V 为（）。

a. 125mV b. 1000 mV c. 250 mV d. 500 mV图1-6 图1-77．对于图1-7所示的复合管，假设CEO1I 和CEO2I 分别表示T 1、T 2单管工作时的穿透电流，则复合管的穿透电流CEO I 为（）。

a. CEO2CEO I I =b. CEO2CEO1CEO I I I +=c. CEO1CEO I I =d. CEO12CEO2CEO )1(I I I β++=8．某仪表放大电路，要求R i 大，输出电流稳定，应选（）。