化学气相沉积法PPT课件

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（4）能得到纯度高、致密性好、残余应力小、 结晶良好的薄膜镀层。
（5）CVD法可获得平滑的沉积表面 （6）辐射损伤低 主要缺点：
反应温度太高，一般要求在1000℃左右，使 基体材料都耐受不住高温，因此限制了它 的使用。
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化学气相沉积的分类:
• 以反应时的压力分类
1.常压化学气相沉(APCVD)：在常压环境下的CVD制程。
1.气溶胶辅助气相沉积 (AACVD)：使用液体/气体的气溶胶的 前驱物成长在基底上，成长速非常快。此种技术适合使用 非挥发的前驱物。
2.直接液体注入化学气相沉积 (DLICVD)：使用液体 (液体或固 体溶解在合适的溶液中) 形式的前驱物。
等离子技术分类
20203/1.0/微13 波等离子辅助化学气相沉积, (MPCVD)
化学气相沉积法
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姓名：尤凤霞 08材成
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• 一.化学气相沉积的概念 • 二.化学气相沉积薄模的特点 • 三.化学气相沉积的分类 • 四.化学气相沉积的基本工艺流程 • 五.化学气相沉积的工艺方法
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化学气相沉积的概念:
化学气相沉积（英文：Chemical Vapor Deposition，简称 CVD）是通过气相物质的化学反应的基材表面上沉积固态薄 膜的一种工艺方法。是一种用来产生纯度高、性能好的固 态材料的化学技术。各种化学反应，如分解、化合、还原、 置换等都可以用来沉积于基片的固体薄膜，而反应多余物 （气体）可以从反应室排出。
• CVD的过程包括：反应气体的获得且导入反应室；
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• 反应气体到达基片表面并吸附于其上；在 基片上产生化学反应；固体生成物在基片
表面形核、生长；多余的反应物被排除。 为实现这一过程，CVD的主要设备应该包括 反应气体的发生、净化、混合和导入装置， 反应室和基片加热装置，以及排气装置等。
2.低压化学气相沉积 (LPCVD)：在低压环境下的CVD制程。降 低压力可以减少不必要的气相反应，以增加晶圆上薄膜的 一致性。大部份现今的CVD制程都是使用LPCVD或UHVCVD。
3.超高真空化学气相沉积(UHVCVD：在非常低压环境下的CVD 制程。大多低于10-6 Pa。
• 以气相的特性分类
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4.等离子增强化学气相沉积 (PlECVD)：利用等离 子增加前驱物的反应速率。PECVD技术允在低 温的环境下成长，这是半导体制造中广泛使用 PECVD的最重要原因。
5.远距等离子增强化学气相沉积 (RPECVD)：和 PECVD技术很相近的技术。但晶圆不直接放在 等离子放电的区域，反而放在距离等离子远一 点的地方。晶圆远离等离子区域可以让制程温 度降到室温。
CVD不同于PVD，PVD是利用蒸镀材料或溅射材料来制备 薄膜的。
CVD法是一种化学反应法，应用非常广泛，可制备多种物 质的薄膜，如单晶、多晶或非晶态无机薄膜，金刚石薄膜， 高Tc超导薄膜、透明导电薄膜以及某些敏感功能的薄膜。
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化学气相沉积薄膜的特点：
• 由于CVD法是利用各种气体反应来组成薄膜，所以可 以任意控制薄膜的组成，从而制得许多新的膜材。
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化学气相沉积的基本工艺流程：
• CVD的实现首先必须提供气化的反应物,这些物质 在室温下可以是气态、液态、固态，通过加热等方 式使它们气化后导入反应室。另外，为使化学反应 能够进行，还需向反应室中的气体和基片提供能量。 最简单的供能方式就是对反应室中的基片进行加热， 可以采用电阻加热，高频感应加热和红外线加热等 方式。反应室中的气体流动状态也是获得高质量、 均匀生长薄膜的重要工艺参数，必须使反应气体均 匀地流过需生长薄膜的基片表面。
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谢谢您的指导
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优点：
（1）既可制作金属薄膜、非金属薄膜，又可按要求制 作多成分的合金薄膜。
（2）成膜速度可以很快，每分钟可达几个微米或数百 微米。
（3） CVD反应在常压或低真空中进行，镀膜的绕射性 好，对于形状复杂的表面或工件的深孔、细孔都能 得到 均匀的镀膜，具有台阶覆盖性能，适宜于复杂 形状的基板。
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