天津大学半导体物理与工艺2000年考研真题考研试题
2011-2015天大半导体物理答案
2011年半导体物理真题个人答案一．1.对于深能级杂质在禁带中产生的施主能级距离导带较远，产生的受主能级距离价带较远，而且这些深能级杂质能够产生多次电离，每次能够电离能够产生相应的能级，而浅能级杂质在禁带中产生的施主能级离导带很近，产生的受主离价带很近。
2.由于深能级杂质其电离能比较大，能级较深，故它对半导体的载流子浓度和导电类型的影响没有浅能级那么显著，但对于半导体的的其他性质有显著影响，它对于载流子的复合作用比浅能级杂质强，故也称为复合中心，可以缩短非平衡载流子的寿命。
二．引进有效质量的意义在于它概况的半导体内部势场的作用，使的在解决半导体中电子在外力的作用下的运动规律时，可以不涉及内部势场的作用，有效质量可以直接由实验测定，因而可以很方便的解决电子的运动规律。
性质一，内层电子的能带窄二次微商小有效质量大，外层电子的能带宽，有效质量小。
性质二，能带底部附近，有效质量为正值，在能带顶部附近有效质量为负值。
因为最低能谷的能带宽二次微商大，故有效质量小，而次能谷能带窄，有效质量大，故m*n2大于m*n1 。
三．请分别写出n型半导体和本征半导体在低温弱电离区、强电离区、过渡区、本征激发区的电中性方程n。
=nD+低温弱电离区n。
=nD 强电离区n。
=nD+P。
过渡区n。
=P。
本征激发区本征半导体电中性始终满足：n。
=P。
四：五：六：1,对于平衡能带图，见书上原图2.对于pn结来说，同一种载流子，在势垒区的两边的浓度关系满足玻尔兹曼分布函数。
对于隧道二极管来说，由于两边重掺杂，发生载流子的简并化，载流子统计分布不再满足玻尔兹曼的分布，必须用费米分布函数来分析。
七：对于Ws>Wm的n型半导体金属结构，由于半导体的表面态的问题，当半导体表面受主态密度很高它可以屏蔽金属接触的影响，使半导体的势垒高度和金属的功函数几乎无关，而基本由半导体的的表面的性质决定。
八：对于异质结和同质结能带都会发生弯曲，但是对于以外质结来说能带发生了弯曲，单丝对于n型半导体来说，导带底和价带底弯曲量为qVD2，且在交界面上有一个向上的尖峰，p型半导体的导带底和价带底的弯曲量为qVD1，而且导带底在交界面上有一个乡下的凹口，此外能带在其交界面不连续，有一个突变的过程。
03半导体物理真题
五、如图所示，半导体光敏电阻上表面受到均匀的频率为ν的恒定光照，光功 率为 Popt(w), 在电阻两端施加恒定偏压，光敏电阻内载流子的平均漂移
速度为 vd, 设表面反射率为 R，吸收系数为α，光敏电阻厚度 d>>1/α,量 子产额为β，非平衡载流子寿命为τ，试求： (1) 光敏电阻中光生载流子的平均产生率 g； 分） （8 (2) 光生电流 IP（忽略暗电流） 分） 设 IPh 为光生载流子被电极收集一次 （8 ， 形成的电流，求光电导增益 G =
二、画出本征半导体和杂质半导体电阻率随温度变化曲线(10 分),并解释其变 化规律(20 分)。 三、用能带论解释金属、半导体和绝缘体的导电性（30 分） 。 四、分别画出零偏、正偏和反偏情况下，p-n 结能带图（15 分） ，并简述 p-n 结势垒区形成的物理过程（15 分）
Байду номын сангаас
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哈尔滨工业大学
二○○ 三 年硕士研究生考试试题
考 试 科 目 :半 导 体 物 理 考试科目代码：[ ]
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报 考 专 业 :微 电 子 学 与 固 体 电 子 学
考生注意：答案务必写在答题纸上，并标明题号。答在试题上无效。
一、 解释下列名词或概念（30 分） ： 1．有效质量 2. 复合中心 3. 载流子散射 4. 简并半导体 5. 少子寿命 6. 空穴 7. 表面复合速度 8. 光生电动势 9. 表面态 10. 表面强反型状态
IP 的表达式（14 分） 。 I Ph
ｐ型半导体
天津大学研究生院2000-2005年招收硕士研究生入学试题《水力学》参考答案
取图中哦0－0线为基准线，则：
有： ………………①
又由连续性方程有：
………………②
由①，②解得：
从而Q=
(3)取控制体
上游水压力为 ，下游水压力为 ，坎对水流的作用力为
列动量方程
令
代入数值解得：
则水流对坎的水平推力R= =20..74KN,方向水平向右。
4．
解：
9．
代表水流的惯性力和重力两种作用的对比关系。(P229-P232)
二．计算题
1．
解：
（1）先求水平分力
(2)求垂直分力
则
(P45-P46)
2．
解：
由连续性方程，有
解得：
由能量方程过水断面1－1与过水断面2－2有：
其中
令
，代入上式解得：
题目中：1－1断面总水头
2－2断面总水头
假设水流由1－1断面流向2－2断面，列能量方程有：
也可以认为阀门开度减小增大了水头损失，使两测压管高差增大。（此为笔者的看法）
8．
相对静止，只受重力作用。
二．计算题
1．
解：
对1－1断面， ， ， ， ，代入数值解得：
2．
解：
（1）首先求水平分力 。
，其中 ， ，则
(2)求铅直分力 ， ,
则
总压力
总压力P与水平方向的夹角为α，
3.
解：
取上游断面为1－1断面，下游断面为2－2断面
22°任意点静水压强的大小和受压面方向无关，或者说作用于同一点上各方向的静水压强大小相等。(P14)
3Pa或Kpa(P14)
2.
以设想没有大气存在的绝对真空状态作为零点计量的压强，称为绝对压强。P′
2015年天津大学半导体物理考研真题,复习经验,考研重点,考研参考书
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半导体物理或电介质物理本考试课程由两部分组成，请考生根据自己的具体情况任选一部分进行答题。
第一部分：半导体物理考试大纲（参加半导体物理考试的考生参考）：一、考试的总体要求本课程为本专业主干专业基础课，要求考生掌握半导体物理的基本概念、p-n 结、MOS 结构、异质结、各种半导体效应（光、磁、热、压阻等）基本原理和应用。
二、考试的内容及比例（一）考试内容要点：第一部分：（70%）1、半导体能带结构、半导体有效质量、空穴、杂质能级；2、热平衡状态下半导体载流子的统计分布，本征半导体和杂质半导体的载流子浓度，简并半导体和重掺杂效应；3、半导体的导电性：载流子的漂移运动、迁移率、散射、强电场效应、热载流子的概念,半导体电阻率与温度、杂质浓度的关系，体内负微分电导；4、非平衡载流子：非平衡载流子的产生、复合、寿命、扩散长度、准费米能级，爱因斯坦关系，一维稳定扩散，光激发载流子衰减；5、p-n 结、MOS 结构：平衡与非平衡p-n 结特点及其能带图，pn 结理想和非理想I-V 特性，p-n 结电容概念与击穿机制，p-n 结隧道效应、肖特基势垒二极管；6、MOS 结构表面电场效应，理想与实际MOS 结构C-V 特性，MOS 系统的性质（固定电荷、可动离子、界面态对C-V 特性的影响），表面电场对p-n 结特性的影响；第二部分：（30%）7、半导体异质结：异质结概念及理想突变反型异质结能带图，异质p-n 结注入特性（高注入比与超注入概念），半导体应变异质结概念；8、半导体光学性质：半导体光吸收，半导体光电探测器,半导体太阳电池，半导体发光概念与应用，半导体激光与应用；9、半导体霍尔效应、半导体压阻效应、半导体热电效应及其应用，非晶态半导体概念。
天津大学研究生院2000-2005年招收硕士生入学试题429概要
天津大学研究生院2000年招收硕士生入学试题考试科目：结构力学题号：429 一．如图所示，求指定杆a,b,c,d,e的内力。
（15分）×6＝18一．如图所示多跨静定梁。
EI为常数，求：（1）C铰两侧的相对转角；（2）E端的竖向位移。
（15分）三。
已知三铰拱，拱长L，拱高为f.求：截面弯矩M K的影响线方程。
（10分）二．用位移法计算图示结构的弯矩图。
计算时不考虑轴力和剪力对位移的影响。
两段固定等截面直杆在均匀荷载作用下的固端剪力和固端弯矩为：212AB ql m =-212AB ql m = 2AB ql Q = 2AB ql Q =- 三．用力法求杆件AB 的轴力。
其中，AB 杆的拉伸刚度为EA 。
其余各杆弯曲刚度为EI.除AB 外，其余各杆计算时均不考虑轴力和剪力对位移的影响。
（20分）四．图示简支刚架，质点质量均为m.，杆的自重不计。
动力荷载()sin t P P t θ=，不考虑阻尼，EI 为常数。
1． 建立运动方程2． 求出结构的自振频率3． 求出质量处的最大动位移。
（20分）θ天津大学研究生院2001年招收硕士生入学试题考试科目：结构力学题号：429 一．是非题（将判断结果填入括弧，以O表示正确，以×表示错误）本大题共4小题，合计14分1．（本小题3分）弹性体系虚功的特点是：（1）在作功过程中，力的数值保持不变;(2)作功的力与相应的位移无因果关系，位移由其他力系或其他因素所产生。
（）2．（本小题3分）力法只能用于线性变形体系。
（）3．（本小题4分）结构的温度变化及单位荷载作用下的内力如图a,b所示，梁截面为矩形，h=0.6m,材料线膨胀系数为α，则C,D两点的相对水平位移为400α。
（）°°°°°°4．（本小题4分）图示珩架各杆EA相同，C点受水平荷载P作用，则AB杆内力/2N=.( )AB二．选择题（将选中答案的字母填入括弧内）本大题共4个小题，合计16分。
2000考研物化试卷
华南理工大学2000年攻读硕士学位研究生入学考试《物理化学》试题1．苯的正常沸点为353K，摩尔蒸发焓为30.77kJ•mol-1，现将353K，标准压力下的1摩尔液态苯向真空等温蒸发为同温同压的苯蒸汽(设为理想气体)。
(1) 计算该过程苯吸收的热量和做的功；(2) 求过程的∆G和∆S；(3) 求环境的熵变；(4) 可以使用何种判据判断过程的性质。
(本题12分)解：设计如下途径计算(1) 因真空蒸发可理解为p amb=0或恒容过程，W=0可忽略压力对凝聚系统的焓的影响，∆H1=0；理想气体恒温时∆H3=0，故∆H=∆H1+∆H2+∆H3=0＋∆vap H+0= (1³30.77)kJ=30.77kJQ=∆U=∆H-∆ (pV)＝∆vap H-p∃ (V g-V l)= n∆vap H m-p∃V g=n∆vap H m-nRT= (30770-1³8.315³353)J = 27835J(2) ∆S=∆S1+∆S2+∆S3=0+∆S2+∆S3= (∆H2/T)+ nR ln(p/p∃)={(30770/353)+1³8.315³ln(101.325kPa/100kPa)}J²K-1= 87.28J²K-1∆G=∆H-T∆S = (30770-353³87.28)J= -39.84J(3) ∆S amb= -Q/T amb= -27835J/353K = -78.85 J²K-1(4) 可用熵判据判断过程的性质，此过程∆S iso=∆S sys+∆S amb= 87.28J²K-1+(-78.85J²K-1)= 8.43J²K-1 > 0故为不可逆过程。
2．有关金刚石和石墨在298K时的热力学数据如下表所示：金刚石石墨∆c H m∃/(kJ²mol-1)-395.3 -393.4S m∃/(J²K-1²mol-1) 2.43 5.69密度/(kg²dm-3) 3.513 2.260求：r mB. 298Ｋ时，由石墨转化为金刚石的最小压力。
天津大学招收2000年硕士学位研究生入学考试(电路)(高清优化修正版)
I R3 I + US 4U
b + U CS -
IC S
答案： PUS 22 . 5 W ； PI S 1 W 。 解法 1：用节点法。设参考点和两独立节点 a 和 b 如图，则有U b U CS 3I ，可列如下方 程组
1 1 1 15 ( )U a 3I 4U 2 4 3 3 4 U U a 3I 4 U a 15 I 4
uC z i uC (0 ) e
t 4
10 e V 。
t 4
由已知条件和互易定理得知，在零状态条件下 iC z s 2 A ，即电容中电流的零状态响应为
iC z s 2 e 4 A ，
其 u C 的零状态响应为
t
uC z s
最后得 u C 的全响应为
1 t 1 t 0 iC z s d t 0 2 e 4 d t 4(1 e 4 ) V 。 C 2
i L (0 ) i L (0 ) 2A ； uC (0 ) uC (0 ) 6 V 。
-6-
开关 S 闭合后的运算电路为
+ S
2V
- IL ( s )
s
2 +
.
+
UR 2( s ) 1 -
.
由节点法得
sV - 1 +2 s s -6 V - s
4
2s 2 2 4 2s 5 1 2s 2 s 2s U R 2 (s) 2 1 1 s 2 5s 1 5 1 2s 1 2s 2s 2s 2s 5 k1 k 2 ( s 1 5)(s 1) s 1 5 s 1
2007年天津工业大学半导体物理考研真题
2007年天津工业大学半导体物理考研真题一、选择填空（每题3分，共30分）1.电子在晶体中的共有化运动指的是___A.电子在晶体中各处出现的几率相同B.电子在晶体元胞中各点出现的几率相同C.电子在晶体各元胞对应点出现的几率相同D.电子在晶体各元胞对应点有相同位相2.本征半导体是指___的半导体。
A.不含杂质与缺陷B.费米能级位于禁带中线C.电阻率很高D.电子浓度与空穴浓度的乘积等于本征载流子浓度的平方3.硅中掺金的工艺主要用于制造__器件。
A.高可靠性B.高反压C.高速开关D.大功率4.若某半导体导带中发现电子的几率为零，则该半导体必定__A.不含施主杂质B.不含受主杂质C.不含任何杂质D. 处于绝对零度5.重空穴指的是_A.质量较大的原子组成的半导体中的空穴B.价带顶附近曲率较大的等能面上的空穴C．价带顶附近曲率较小的等能面上的空穴D.自旋一轨道耦合分裂出来的能带上的空穴7.若某材料电阻率随温度上升而先下降后上升，该材料是__。
A．金属.B.本征半导体C.掺杂半导体D。
高纯化合物半导体A.渡越时间B.寿命C.平均自由时间D.扩散系数9.硅的导带极小值位于___。
A. k空间的<100> 方向布里渊区中心到边界的0.85 倍处B. k空间的<11> 方向布里渊区中心到边界的0.85 倍处C. k 空间的<100> 方向布里渊区边界点D. k 空间的<111> 方向布里渊区边界点10.光电池是利用___原理制成的。
A.激子吸收B.光生伏特效应C.光辐射D.光电导效应二. 简答题（每题8 分，共40 分）1. 何谓迁移率，影响迁移率的主要因素是什么?2.写出一维情况下，非平衡态半导体中载流子（空穴）运动规律的连续方程，并解释各项的物理意义。
3.何谓欧姆接触? 金属与半导体形成欧姆接触的方法有哪些?4.比较同质结与异质结的性能。
5.画出PN 结在正向、反向偏压作用下的能带图，并以此解释PN 结的单向导电性。
物理化学考研天津大学《物理化学》考研真题
物理化学考研天津大学《物理化学》考研真题一、一、选择题1一定量的物质在绝热刚性容器中，发生一个放热的分子数增加的化学反应，则下列物理量正确的一组是（）。
[北京科技大学2012研]A．Q＞0，W＞0，DU＞0B．Q＝0，W＝0，DU＞0C．Q＝0，W＝0，DU＝0D．Q＜0，W＞0，DU＜0【答案】C @@@ ~~【解析】该过程为恒容绝热过程，故Q＝W＝0，从而得DU＝0。
2若某电池反应的D r C p，m＝0，则以下说法中不正确的是（）。
[北京科技大学2012研]A．该电池反应的D r H mϴ不随温度变化B．该电池反应的D r S mϴ不随温度变化C．该电池的电动势不随温度变化D．该电池电动势的温度系数不随温度变化【答案】A @@@ ~~【解析】根据基希霍夫公式dD r H mϴ（T）/dT＝D r C p，m可知，当D r C p，m＝0时，dD r H mϴ（T）/dT＝0，即标准摩尔反应焓D r H mϴ不随温度变化。
3将某理想气体从温度T1加热到T2。
若此变化为非恒压过程，则其焓变ΔH为（）。
[中国科学院大学2012研]A．DH＝0B．DH＝C p（T2－T1）C．DH不存在D．DH等于其他值【答案】D @@@ ~~【解析】AC两项：理想气体的焓变仅是温度的函数，温度改变，DH一定存在，即DH≠0；B项：DH＝C p（T2－T1）适用于理想气体在恒压过程中的焓变，此过程非恒压故不能使用此公式。
4当热自系统传向环境时，则有（）。
[中国科学院大学2012研]A．ΔU＞0，ΔH＞0B．ΔU＜0，ΔH＜0C．ΔU和ΔH不可能为零D．ΔU、ΔH可能小于零，也可能等于或大于零【答案】D @@@ ~~【解析】热自系统传向环境，即Q＜0。
但根据热力学公式H＝U＋pV，U＝W＋Q可知，当W、p、V、不确定时，无法判断系统的热力学能变和焓变。
5下列诸过程可应用公式dU＝（C p－nR）dT进行计算的是（）。
2015年天津大学半导体物理考研真题,考研流程,考研笔记,真题解析
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半导体物理或电介质物理本考试课程由两部分组成，请考生根据自己的具体情况任选一部分进行答题。
第一部分：半导体物理考试大纲（参加半导体物理考试的考生参考）：一、考试的总体要求本课程为本专业主干专业基础课，要求考生掌握半导体物理的基本概念、p-n 结、MOS 结构、异质结、各种半导体效应（光、磁、热、压阻等）基本原理和应用。
二、考试的内容及比例（一）考试内容要点：第一部分：（70%）1、半导体能带结构、半导体有效质量、空穴、杂质能级；2、热平衡状态下半导体载流子的统计分布，本征半导体和杂质半导体的载流子浓度，简并半导体和重掺杂效应；3、半导体的导电性：载流子的漂移运动、迁移率、散射、强电场效应、热载流子的概念,半导体电阻率与温度、杂质浓度的关系，体内负微分电导；4、非平衡载流子：非平衡载流子的产生、复合、寿命、扩散长度、准费米能级，爱因斯坦关系，一维稳定扩散，光激发载流子衰减；5、p-n 结、MOS 结构：平衡与非平衡p-n 结特点及其能带图，pn 结理想和非理想I-V 特性，p-n 结电容概念与击穿机制，p-n 结隧道效应、肖特基势垒二极管；6、MOS 结构表面电场效应，理想与实际MOS 结构C-V 特性，MOS 系统的性质（固定电荷、可动离子、界面态对C-V 特性的影响），表面电场对p-n 结特性的影响；第二部分：（30%）7、半导体异质结：异质结概念及理想突变反型异质结能带图，异质p-n 结注入特性（高注入比与超注入概念），半导体应变异质结概念；8、半导体光学性质：半导体光吸收，半导体光电探测器,半导体太阳电池，半导体发光概念与应用，半导体激光与应用；9、半导体霍尔效应、半导体压阻效应、半导体热电效应及其应用，非晶态半导体概念。
天津大学819水力学考研2000-2005年真题和答案
一．基本概念题（45分）
1．图示平板闸门置于水中，当上，下游水位都上升1米（虚线所示）。问图（a）,(b)中闸门上所受静水总压力的大小及其作用点是否改变？为什么？试用图解法分析之。（6分）
2.明渠均匀流有哪些主要水力特性？（5分）
3粘性底层很薄，仅十分之几毫米，它在水力学研究中确有十分重要的意义。试通过粘性底层的厚度 与绝对突起高度 关系分析之。（5分）
二．计算题（共50分）
1．（10分）
如图，曲面AB为半径3米，长（垂直纸面方向）5米的1/4圆弧。求作用在曲面AB上静水总压力的水平分力和铅直分力，并指出水平分力和铅直分力的方向。（水的容重γ＝10KN/m³）
2.(15分)在一管路上测得过水断面1－1的测压管高度 为1.5米；过水面积 ＝0.05m²，2－2过水面积 ＝0.02m²,两个断面间水头损失 ，管中流量Q＝20L/S。试求2－2断面上的测压管高度 。已知： ，动能修正系数取 。（提示：注意流动方向）
（提示：两测压管断面处均为渐变流，两断面相距很短，忽略该流段管壁摩擦力，并认为大管末端处压强等于大管内压强）
（13分）
4。从一水面保持恒定不变的水池中引出一管道，该管路末端流入大气。管路有三段直径不等的管道组成，其过水面积分别式 , , ,如水池容积很大，水流行进流速可以忽略（ ）。不计管路水头损失。（ ）
天津大学研究生院2000年招收硕士研究生入学试题
考试科目：水力学题号：431
一基本概念题
1（5分）
1简述静水压强的两个重要特性；
2在国际单位中，静水压强的单位是什么？
2．（6分）解释绝对压强，相对压强，真空度的概念。
3．（7分）实际液体运动存在层流和紊流两种流态，可用雷诺数Re来判别。①写出管流时雷诺数Re的表达式；②说明每个符号代表什么？③解释雷诺数的物理力学意义。
2015考研天津大学813半导体物理或电介质物理考研大纲考研真题解析参考书
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更多详情可联系育明教育天津分校王老师2015考研天津大学813半导体物理或电介质物理考研大纲考研真题解析参考书813半导体物理或电介质物理本考试课程由两部分组成，请考生根据自己的具体情况任选一部分进行答题。
第一部分：半导体物理考试大纲（参加半导体物理考试的考生参考）：一、考试的总体要求本课程为本专业主干专业基础课，要求考生掌握半导体物理的基本概念、p-n 结、MOS 结构、异质结、各种半导体效应（光、磁、热、压阻等）基本原理和应用。
二、考试的内容及比例（一）考试内容要点：第一部分：（70%）2/11【育明教育】中国考研考博专业课辅导第一品牌官方网站：21、半导体能带结构、半导体有效质量、空穴、杂质能级；2、热平衡状态下半导体载流子的统计分布，本征半导体和杂质半导体的载流子浓度，简并半导体和重掺杂效应；3、半导体的导电性：载流子的漂移运动、迁移率、散射、强电场效应、热载流子的概念,半导体电阻率与温度、杂质浓度的关系，体内负微分电导；4、非平衡载流子：非平衡载流子的产生、复合、寿命、扩散长度、准费米能级，爱因斯坦关系，一维稳定扩散，光激发载流子衰减；5、p-n 结、MOS 结构：平衡与非平衡p-n 结特点及其能带图，pn 结理想和非理想I-V 特性，p-n 结电容概念与击穿机制，p-n 结隧道效应、肖特基势垒二极管；6、MOS 结构表面电场效应，理想与实际MOS 结构C-V 特性，MOS 系统的性质（固定电荷、可动离子、界面态对C-V 特性的影响），表面电场对p-n 结特性的影响；第二部分：（30%）7、半导体异质结：异质结概念及理想突变反型异质结能带图，异质p-n 结注入特性（高注入比与超注入概念），半导体应变异质结概念；8、半导体光学性质：半导体光吸收，半导体光电探测器,半导体太阳电池，半导体发光概念与应用，半导体激光与应用；9、半导体霍尔效应、半导体压阻效应、半导体热电效应及其应用，非晶态半导体概念。
中科院-中科大2000试卷及答案
中科院-中科大2000试卷及答案中国科学院――中国科学技术大学2000年招收攻读硕士学位研究生入学考试试卷科目：物理化学一、选择、真空题（共20分）1．（2分）从统计热力学观点看，功的微观本质是＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿：热的微观本质是＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿。
2．（2分）有理想气体反应达化学平衡A （g ）＋B （g ）＝3C （g ），在等温下维持体系总压不变，向体系中加入惰性气体，平衡＿＿＿＿移动；若将气体置于钢筒内加入惰性气体后平衡＿＿＿＿移动。
3．（4分）离子迁移数（t 1）与温度、浓度都有关，对BaCl 2水溶液来说，随着溶液浓度的增大，t (Ba 2+)应______ ，t (Cl -)应＿＿＿；当温度升高时，t (Ba 2+)应＿＿＿＿，t (Cl -)应＿＿＿＿（填入增大或减小）。
4．（2分）I 2分子的振动能级间隔为0.43J 2010-?。
在25℃时，某一能级i 与其较低能级上分子数的比值1/i i N N -＝＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿5．（2分）298K 时正丁醇水溶液表面张力对正丁醇浓度作图。
其斜率为-0.103-11N m mol kg -。
正丁醇在浓度为0.1mol 1kg -?时的表面超量Γ为：＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿6.（5分）混合等体积的0.08-3mol dm KI ?和0.1-33mol dm AgNO ?溶液所得溶胶。
（1）试写出胶团结构式：＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿（2）指明电泳方向：＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿（3）比较4242MgSO ,Na SO ,CaCl 电解质对溶胶的聚沉能力：＿＿＿＿＿＿＿＿。
7．（3分）用渗透压测大分子化合物的摩尔质量属于＿＿＿＿均摩尔质量；用光散射法得到的摩尔质量属于＿＿＿＿均摩尔质量；沉降速度法得到＿＿＿＿均摩尔质量。
（A ）质均（B ）数均（C ）Z 均（D ）平均二、计算题（共80分）1．（9分）已知1mol 氢气的物态方程为：P （V －b ）=R T ( b 为大于0的常数)，若该气体经一个绝热的自由膨胀过程由始态（T 1，V 1）到达终态体积V 2，求：（1）终态的温度T 2；（2）过程的?U 、?H 、S ?（3）计算说明该气体经节流膨胀后，温度如何变化？2．（8分）在308.15K 乙醇（1）和氯仿（2）组成二组分溶液，该溶液的蒸气压p 与液相组成x 气相组成y 之间的关系，由实验测得列表如下：假定蒸气为理想气体，当乙醇在溶液中的摩尔分数为0.6时：（1）以纯液为标准态，计算乙醇和氯仿的活度及活度系数；（2）以极稀溶液为标准态，计算氯仿的活度和活度系数。
天津大学微电子学与固体电子学专业考研真题
天津大学微电子学与固体电子学专业考研真题天津大学微电子学与固体电子学专业考研复习都是有依据可循的,考研学子关注事项流程为：考研报录比-大纲-参考书-资料-真题-复习经验-辅导-复试-导师，缺一不可。
天津大学微电子学与固体电子学专业一共有四个研究方向，研究方向不一样，专业课的考试科目也有所不同，具体的初试科目情况如下：①101思想政治理论；②201英语一或202俄语或203日语；③301数学一；④811电路、813半导体物理或电介质物理、815信号与系统、839物理化学。
鉴于此，本人实在没办法回答和我报考科目不一样的考生的问题，最多只能分享一下我选的专业课科目---813半导体物理的复习资料，希望可以帮到大家一点点。
我用的真题复习资料是：天津大学813半导体物理考研全套复习资料。
资料中包含了如下的真题内容：天津大学半导体物理95－04、06-2011、2014、2015、2016年考研试题（2007-2011、2014、2015、2016年为本站特约考生团队回忆，全国独家特供，其余年份均为原版试卷），其中95-07年考研试题大部分附有参考答案。
而且按照我去年的经验，现在的这个时候，天津考研网会把17年真题及答案快递给我们，同学们可以上网咨询一下。
另外我在复习真题的时候，至少是做了三遍的，我认为真题是有反复做的价值的，所以我也建议大家多多做真题，认真地研读真题。
下面是我从资料中摘抄的部分真题，同学们可以参考参考：天津大学招收2016年硕士学位研究生入学考试试题考试科目名称：半导体物理考试科目代码：813所有答案必须写在答题纸上，并写清楚题号，写在试题上无效。
提示：本套试卷的部分试题对于学术型硕士研究生考生和全日制专业学位研究生考生有所区分，前面未标注的试题为所有考生必答题，前面有标注的试题请考生务必选择相应类型作答，选错不得分。
一、用能带理论解释导体、半导体、绝缘体的导电特性。
二、写出在热平衡状态下电子和空穴浓度，并解释本证半导体在T=OK时费米能级在禁带中央的位置。