用图示仪测量晶体二极管
晶体管特性图示仪QT2操作规程MicrosoftWord文档
晶体管特性图示仪态QT2 操作规程一、测试前的开关与调节
二、各类晶体管的操作方法
三、注意事项
1、不要在放有易燃易爆品的地方使用仪器;
2、仪器特别是连接测试件的测试导线应远离强电磁场,以免对测量产生干拢;
3、打开电源前确保接好了保护地线以防电击,且应避免交流电的零线用作保护地线;
4、不要不接保护地线或不接保护地线,否则将造成潜在的电击伤害;
5、无保护地线和保险丝时请勿使用仪器;
6、仪器测试完毕、排除故障需打开仪器或更换保险丝前需切断电源和负载;
7、未经许可严禁取下仪器外壳和拆卸仪器的任何部件;
8、打开电源预热10分钟后仪器才可进入正常工作状态;
9、对被测管的的主要直流参数要熟悉了解,特别要了解该被测管的集电极最大允许耗
散功率P cm,集电极对其它极的最大反向击穿电压,如BV CEO、BV CBO、BV CRR,集电极最大允许电流Icm等主要指标;
10、在测试前首先将极性与被测管所需要的极性相同,即选择PNP或NPN的开关置于
规定位置;
11、将集电极电压输出电压不应超出被测管允许的集电极电压,一般情况下将峰值电压
旋至零,防止被测管损坏;
12、对被测管进行必要的估算,以选择合适的注入阶梯电流或电压,此估算的原则以不
超过被测管的集电极最大允许耗损功率;
13、在进行Icm的测试时,一般采用单次阶梯为宜,以免被测管被电流击穿;
14、在进行Io或Icm测试中,应根据集电极电压的实际情况,不应超过本仪器规定的
16、注意仪器保养,操作人员离开岗位必须断开仪器电源。
制定部门:制定:审核:核准:。
半导体器件--用晶体管特性图示仪测量晶体管的特性参数
用晶体管特性图示仪测量晶体管的特性参数一、 引言晶体管在半导体器件中占有重要的地位,也是组成集成电路的基本元件。
晶体管的各种特性参数可以通过专用仪器--晶体管特性图示仪进行直接测量。
了解和测量实际的晶体管的各种性能参数不仅有助于掌握晶体管的工作机理,而且还可以分析造成各种器件失败的原因,晶体管特性图示仪是半导体工艺生产线上最常用的一种工艺质量检测工具。
本实验的目的是:了解晶体管特性图示仪的工作原理;学会正确使用晶体管特性图示仪;测量共发射极晶体管的输入特性、输出特性、反向击穿特性和饱和压降等直流特性。
二、晶体管特性图示仪的工作原理和基本结构晶体管的输出特性曲线如图1所示,这是一组曲线族,对于其中任一条曲线,相当于I b =常数(即基极电流I b 不变)。
曲线显示出集电极与发射极之间的电压V cc 增加时,集电极电流I c 的变化。
因此,为了显示一条特性曲线,可以采用如图2所示的方法,既固定基极电流I b 为:b be b bE V I R -= (1)图1共射晶体管输出特性曲线 图2共射晶体管接法在集电极到发射极的回路中,接入一个锯齿波电压发生器E c 和一个小的电阻R c ,晶体管发射极接地。
由于电阻R 很小,锯齿波电压实际上可以看成是加在晶体管的集电极和发射极之间。
晶体管的集电极电流从电阻R c上流过,电阻R c上的电压降就正比于I c。
如果把晶体管的c、e两点接到示波管的x偏转板上,把电阻R c两端接到示波管的y偏转板上,示波器便显示出晶体管的I c随V cc变化的曲线。
(为了保证测量的准确性,电阻R c应该很小)。
用这种方法只能显示出一条特性曲线,因为此时晶体管的基极电流I b是固定不变的。
如果要测量整个特性曲线族,则要求基极电流I b改变。
基极电流I b的改变采用阶梯变化,每一个阶梯维持的时间正好等于作用在集电极的锯齿波电压的周期,如图3所示。
阶梯电压每跳一级,电流I b便增加一级。
(每一级阶梯的增幅可根据不同的晶体管的做相应的调整)。
晶体管特性图示仪教程详解
检查放大器增益 检查阶梯信号
阶梯信号
9.3.4 测试特性前各开关、旋钮 位置选取
由管型确定的旋钮位置 1 集电极扫描信号。“极性”开关:用来改变
扫描电源对地的极性。 2 基极阶梯信号。“极性”开关:根据被测 管的
不同类型,可以改变阶梯信号的正负极性。
与管型无关的扳键、旋钮 阶梯作用,置于重复位置;级/秒为200级/s;级/族 为
测试台 将测试选择位于中间位置,接地开关置于需要的位
9.3.5 测试前注意事项
要对被测管的主要直流参数有一个大概的了解 和估计,特别要了解被测管的集电极最大允许 耗散功率PCM、最大允许电流ICM和击穿电压 BUCEO、BUCBO、BUEBO。 选择好扫描和阶梯信号的极性,以适应不同管 型和测试项目的需要。 根据所测参数或被测管允许的集电极电压,选 择合适的扫描电压范围。 对被测管进行必要的估算。 在进行ICM的测试时,一般采用单簇为宜,以 免损坏被测管。
置“簇”时,通过电子开关自动地交替显示左右二簇特性曲线。 使
用时“级∕簇”应置于适当位置,以利于观察。二簇特性曲线比 较
时,请勿误用单簇按键。 零电压、零电流。被测管未测之前,应先调整阶梯信号
的起始级在零电平的位置。
按下“零电流”键时,被测半导体管的基极处于开路状态, 就能 测量ICEO特性。
(2)左右测试插座插孔:插上专用插座,可测试F1、F2型管座 的功率晶体管。
(2) Y轴增益。校正Y轴增益用。
(3)Y轴选择(电流∕度)开关。具有22挡四种 偏转作用的开关。可以进行集电极电流、基 极电压、基极电流和外接的不同转换。
(4)电流∕度×0.1倍率指示灯。灯亮仪器表示进 入电流∕度×0.1倍工作状态。
X轴部分
用图示仪测量双极性晶体管的直流参数
用图示仪测量双极性晶体管的直流参数晶体管在电子技术方面具有广泛的应用。
在制造晶体管和集成电路以及使用晶体管的过程中,都要检测其性能。
晶体管输入、输出及传输特性普遍采用直接显示的方法来获得特性曲线,进而可测量各种直流参数。
晶体管直流参数测试仪很多,JT-1型晶体管特性图示仪是最常用的一种。
本实验的目的是了解JT-1型特性图示仪原理,掌握其使用方法,并用这种仪器进行晶体管直流参数测试及芯片检测,分析晶体管质量,分析晶体管质量,找出失效原因,作为进一步改进器件性能的依据。
一、实验原理利用图示仪测试晶体管输出特性曲线的原理如图1所示。
图中BG代表被测的晶体管,R B、E B构成基极偏流电路。
取E B>>V BE,可使I B=(E B- V BE)/ R B基本保持恒定。
在晶体管C-E之间加入一锯齿波扫描电压,并引入一个小的取样电阻R C,这样加到示波器上X轴和Y轴的电压分别为V x =V ce =V ca +V ac=V ca-I c R c ≈V caV y=-I c.R cα∝-I c图1测试输出特性曲线的原理电路当I B恒定时,在示波器的屏幕上可以看到一根I c—V ce的特性曲线,即晶体管共发射极输出特性曲线。
为了显示一组在不同I B的特性曲线簇Ici=Φ(Ici, V ce)应该在X轴的锯齿波扫描电压每变化一个周期时,使I B也有一个相应的变化,所以应将图1中的E B改为能随X轴的锯齿波扫描电压变化的阶梯电压。
每一个阶梯电压能为被测管的基极提供一定的基极电流,这样不同的阶梯电压V B1、V B2 、V B3 …就可对应地提供不同的恒定基极注入电流I B1 I B2 I B3…。
只要能使每一阶梯电压所维持的时间等于集电极回路的锯齿波扫描电压周期,如图2所示,就可以在T0时刻扫描出Ic0=Φ(Ib0, V ce)曲线,在T1时刻扫描出Ic1=Φ(Ib1, V ce)曲线…。
通常阶梯电压有多少级,就可以相应地扫描出有多少根Ic=Φ(Ib, V ce)输出曲线。
半导体器件--用晶体管特性图示仪测量晶体管的特性参数
用晶体管特性图示仪测量晶体管的特性参数一、 引言晶体管在半导体器件中占有重要的地位,也是组成集成电路的基本元件。
晶体管的各种特性参数可以通过专用仪器--晶体管特性图示仪进行直接测量。
了解和测量实际的晶体管的各种性能参数不仅有助于掌握晶体管的工作机理,而且还可以分析造成各种器件失败的原因,晶体管特性图示仪是半导体工艺生产线上最常用的一种工艺质量检测工具。
本实验的目的是:了解晶体管特性图示仪的工作原理;学会正确使用晶体管特性图示仪;测量共发射极晶体管的输入特性、输出特性、反向击穿特性和饱和压降等直流特性。
二、晶体管特性图示仪的工作原理和基本结构晶体管的输出特性曲线如图1所示,这是一组曲线族,对于其中任一条曲线,相当于I b =常数(即基极电流I b 不变)。
曲线显示出集电极与发射极之间的电压V cc 增加时,集电极电流I c 的变化。
因此,为了显示一条特性曲线,可以采用如图2所示的方法,既固定基极电流I b 为:b be b bE V I R -= (1)图1共射晶体管输出特性曲线 图2共射晶体管接法在集电极到发射极的回路中,接入一个锯齿波电压发生器E c 和一个小的电阻R c ,晶体管发射极接地。
由于电阻R 很小,锯齿波电压实际上可以看成是加在晶体管的集电极和发射极之间。
晶体管的集电极电流从电阻R c上流过,电阻R c上的电压降就正比于I c。
如果把晶体管的c、e两点接到示波管的x偏转板上,把电阻R c两端接到示波管的y偏转板上,示波器便显示出晶体管的I c随V cc变化的曲线。
(为了保证测量的准确性,电阻R c应该很小)。
用这种方法只能显示出一条特性曲线,因为此时晶体管的基极电流I b是固定不变的。
如果要测量整个特性曲线族,则要求基极电流I b改变。
基极电流I b的改变采用阶梯变化,每一个阶梯维持的时间正好等于作用在集电极的锯齿波电压的周期,如图3所示。
阶梯电压每跳一级,电流I b便增加一级。
(每一级阶梯的增幅可根据不同的晶体管的做相应的调整)。
晶体管特性图示仪
➢其波形变换如图7-4所示,利用三个不同周期的方波
T1、T2、T3相加而得。
➢此时Tl :T2:T3=l:2:4,幅度为U1:U2:U3=1 : 2:4。
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图7-4 阶梯波合成波形
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7.1晶体管特性图示仪简介 7.2晶体管特性图示仪的应用
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第7章 晶体管特性图示仪
本章要点 ▪ 晶体管特性图示仪的组成及原理框图 ▪ 晶体管特性曲线的测量方法 ▪ 用晶体管特性图示仪测量二极管、三极管
和场效应管
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位置,S7接测量位置,得到如图7-7所示的等效电 路,也称为动态测量电路。
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图7-7晶体管图示仪的等效电路
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➢阶梯阶电梯流波I电B。压加入到基极回路,通过RB形成基极 ➢最集大电值极,扫然描后电又压降的至零变;化使uCE可以自动从零增至
后,可得到被测晶体管的输出特性曲线,如图7-6 的波形图。
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上面采用的方法是逐点逐点测量的。
➢用晶体管图示仪,如图7-1将S5接通“+”(NPN
晶体管图示仪的测试原理
晶体管图示仪的测试原理晶体管图示仪是一种用于测试和分析晶体管性能的仪器。
它通过对晶体管进行电流-电压(I-V)特性曲线的测量,来评估晶体管的工作状态和性能。
晶体管图示仪的测试原理主要包括以下几个方面:1. 电流-电压特性测量:晶体管图示仪通过在晶体管的基极、发射极和集电极之间施加不同的电压,测量晶体管的电流-电压特性曲线。
这些特性曲线可以显示晶体管的工作区域、饱和区、截止区等工作状态,以及晶体管的放大倍数、输入电阻、输出电阻等性能参数。
2. 输入输出特性测量:晶体管图示仪还可以测量晶体管的输入输出特性。
输入特性是指在给定的集电极电压下,测量晶体管的基极电流与基极电压之间的关系;输出特性是指在给定的基极电流下,测量晶体管的集电极电压与集电极电流之间的关系。
通过测量输入输出特性,可以评估晶体管的放大倍数、输入电阻、输出电阻等性能参数。
3. 频率响应测量:晶体管图示仪还可以测量晶体管的频率响应特性。
频率响应是指晶体管在不同频率下的放大倍数和相位差。
通过测量频率响应,可以评估晶体管的截止频率、增益带宽等性能参数。
4. 功率测量:晶体管图示仪还可以测量晶体管的功率特性。
功率特性是指晶体管在不同电压和电流下的功率输出。
通过测量功率特性,可以评估晶体管的最大功率输出、效率等性能参数。
晶体管图示仪的测试原理基于电子学和半导体物理学的基本原理。
晶体管是一种半导体器件,其工作原理基于PN结和场效应晶体管的原理。
晶体管图示仪通过施加不同的电压和电流,可以改变晶体管的工作状态,从而测量和分析晶体管的性能。
总之,晶体管图示仪通过测量晶体管的电流-电压特性、输入输出特性、频率响应特性和功率特性,来评估晶体管的工作状态和性能。
它是一种重要的测试仪器,用于研究和开发半导体器件、电子电路和通信系统等领域。
晶体二极管和三极管测试课件
结论与展望
结论总结
根据测试数据和分析结果, 对二极管和三极管的性能 进行评பைடு நூலகம்和总结。
问题分析
针对测试中发现的问题, 进行深入分析,找出原因 并提出解决方案。
展望未来
根据当前测试结果,对未 来二极管和三极管的发展 趋势和研究方向进行展望。
THANKS
[ 感谢观看 ]
注意事项
注意信号源与被测器件的阻抗匹配问 题。
扫频仪
功能
用于测试电路的频率响应和幅频特性。
使用方法
连接扫频仪与被测器件,调整扫频仪参数, 观察被测器件的频率响应曲线。
选用
选择适当的扫描范围和分辨率。
注意事项
注意扫频仪的精度和使用环境的影响。
CHAPTER 04
测试案例分析
二极管击穿案例
总结词
二极管击穿是指其在正向偏置电压下,电压 超过其最大正向电压时,其电流迅速增加, 导致器件失去单向导电性,甚至导致器件永 久性损坏的现象。
开关特性测试
总结词
评估二极管作为开关的特性和性能, 包括开启时间和关闭时间。
详细描述
通过测试二极管的开关速度来评估其 性能。开启时间和关闭时间越短,二 极管的开关性能越好。此外,还涉及 反向恢复时间的评估。
频率特性测试
总结词
测量二极管在不同频率下的阻抗特性,以评估其高频响应。
详细描述
通过改变频率并测量二极管在不同频率下的阻抗,可以绘制 出频率特性曲线。该曲线显示了二极管在不同频率下的导通 和截止性能。
频率特性测试
总结词
频率特性测试反映了三极管在不同频率下的性能表现。
详细描述
频率特性测试包括频率响应、增益和相位等参数的测量。这些参数的测量需要在不同频率下进行,通 常需要使用扫频仪等设备进行测试。
用晶体管特性图示仪测试晶体管主要参数
用晶体管特性图示仪测试晶体管主要参数一.实验目的掌握晶体管特性图示仪测试晶体管的特性和参数的方法。
二.实验设备(1)XJ4810晶体管特性图示仪(2)QT 2晶体管图示仪(3)3DG6A 3DJ7B 3DG4三.实验原理1.双极型晶体(以3DG4NPN 管为例)输入特性和输出特性的测试原理(1)输入特性曲线和输入电阻i R ,在共射晶体管电路中,输出交流短路时,输入电压和输入电流之比为i R ,即=常数CE V B BEi I V R ∂∂= (1.1)它是共射晶体管输入特性曲线斜率的倒数。
例如需测3DG 4在V CE =10时某一作点Q 的R 值,晶体管接法如图1.1所示。
各旋扭位置为峰值电压%80% 峰值电压范围0~10V 功耗电阻50Ω X 轴作用基极电压1V/度 Y 轴作用 阶梯选择μ20A/极 级/簇10 串联电阻10K 集电极极性 正(+)把X 轴集电极电压置于1V/度,调峰值电压为10V ,然后X 轴作用扳回基极电压0.1V/度,即得CE V =10V 时的输入特性曲线。
这样可测得图1.2:V CE V B BEi I V R 10=∆∆= (1.2)根据测得的值计算出i R 的值图1.1晶体管接法 图1.2输入特性曲线 (2)输出特性曲线、转移特性曲线和β、FE h在共射电路中,输出交流短路时,输出电流和输入电流增量之比为共射晶体管交流电流放大系数β。
在共射电路中,输出端短路时,输出电流和输入电流之比为共射晶体管直流电流放大系数FE h 。
晶体管接法如图1.1所示。
旋扭位置如下:峰值电压范围10V 峰值电压%80% 功耗电阻250Ω X 轴集电极电压1V/度 Y 轴集电极电流2mA/度 阶梯选择μ20A/度 集电极极性 正(+)得到图1.3所示共射晶体管输出特性曲线,由输出特性曲线上读出V V CE 5=时第2、4、6三根曲线对应的C I ,B I 计算出交流放大系数BC I I ∆∆=β (1.3) FE h >β主要是因为基区表面复合等原因导致小电流β较小造成的,β、FE h 也可用共射晶体管的转移特性(图1.4)进行测量只要将上述的X 轴作用开关拨到“基极电流或基极源电压”即得到共射晶体管的转移特性。
晶体管特性图示仪的使用
实验8 晶体管特性图示仪的使用8.1实验目的1)熟悉XJ4810/NW4822型图示仪的面板装置;2)熟悉XJ4810/NW4822型图示仪的面板装置的操作方法;3)掌握在正式测试前对仪器的检查、校验。
4)会使用XJ4810/NW4822测试二极管的正、反向特性,包括稳压二极管的稳压特性;5)会使用XJ4810/NW4822测试三极管的输入特性、输出特性及主要参数(不包括频率参数);6)学会使用XJ4810/NW4822测试场效应晶体管、双基极二极管的特性曲线及主要参数。
8.2实验设备1)XJ4810/NW4822型图示仪一台。
2)2AP9、2CP10、2CW、3DG6、3AK20、3DD15、3DJ6、BT33各一只;晶体管亦可用新型号1N4001、9013、9012等。
3)稳压电源一台,测试BT33用。
8.3实验步骤实验前预习XJ4810/NW4822型图示仪的面板装置图(见附图10.1、附图10.2及附图11)及各控制装置的作用介绍(见附录10-1、附录10-2及附录11);熟悉XJ4810/NW4822型面板装置及操作方法。
8.3.1 使用前的检查接通电源,预热5-10分钟后,进行下列调整:(1)调节“辉度”旋钮使亮度适中;(2)调节“峰值电压%”旋钮,逆时针旋到底,使集电极扫描电压为零伏,此时可揿下“峰值电压范围”的10V键。
调节“聚焦”和“辅助聚焦”,使光点清晰。
(3)放大器增益检查XJ4810型将光点聚焦好后,调节两个“移位”旋钮,将光点移至屏幕的左下方(即标尺刻度的左下角),按下“校准”旋钮,光点应在屏幕有(实线)刻度的范围内从左下角跳向右上角。
否则应用小螺丝马调整X或Y的增益微调。
NW4822型将光点聚焦好后,调节两个“移位”旋钮,将光点移至屏幕的左上方(即标尺刻度的左上角),按下“校准”旋钮,光点应在屏幕有(实线)刻度的范围内从左上角跳向右下角。
此时Y轴部分的“电流/度”及X轴部分的“电压/度”两个开关位置可置于任何位置。
晶体管图示仪使用方法
审核/日期----- 版次A/O批准/日期QT2晶体管图示仪使用方法页次1/4QT2晶体管图示仪使用方法一、晶体管图示仪测试范围:三极管/二极管/场效应管/可控硅等。
二、使用方法:1、先将图示仪电源开关打开,十分钟后便可开始检测。
a、反向击穿电压的检测:Vcbo 集电极/基极间电压(发射极开路)Vebo 发射极/基极间电压(集电极开路)Vceo 集电极/发射极间电压(基极开路)Vcer 集电极/发射极间电压(基极与发射极间电阻连接)Vces 集电极/发射极间电压(基极与发射极间短路)2、根据被测三极管的极性选择NPN/PNP 。
被测的BCE各极按照上表所示进行连接(开路可直接悬空)3、Y偏转放大器的电流/度(集电极电流)开关至于较小挡,无特殊要求一般置于100/uA度挡级。
4、X偏转放大器的电压/度U0根设定合适的挡。
5、无特殊要求将集电极功耗电阻至于10K~100K之间的任意挡级。
6、集电极电压至于合适的档级(根据被测管的参数而定),峰值电压初始为0 ,测试时按顺时针方向适当的加大。
7、读出数值并记录、比较,要求所测值必须大于晶体管额定值。
审核/日期------ 版次A/O批准/日期QT2晶体管图示仪使用方法页次2/4QT2晶体管图示仪使用方法b、V CE----I C特性测试:(集、射极电压/集电极电流)1、根据集电极、基极的极性选择开关置于NPN/PNP,并将开关置于常态。
如基极需要反相时可置于“倒置”。
2、按照被测管的管脚CBE的排列对应插入测试盒中。
3、查看被测管的参数,将Y电流/度置于I C合适的档级,X电压/度置于U C合适档级。
4、选择A/B测试盒,并将开关置于所要测试的一边。
5、调整光标的位置,使其停在左下方(NPN)或右上方(PNP)的零点开始。
6、选择合适的阶梯幅度/级开关置于电流/级的某一挡(一般至于较小挡级,再逐渐加大致要求值)。
7、选择合适的集电极功耗电阻,电阻值的确定可根据负载线的要求或保护被测管的要求选择。
晶体管特性图示仪使用方法
1、定义:晶体管特性图示仪是一种用示波管显示半导体器件的各种特性曲线,并可测量其静态参数的测试仪器。
它功能强,用途广泛、直接显示、使用方便、操作方便的优点,对于从事半导体管机理的研究及半导体在无线电领域的应用,是必不可少的测试工具。
晶体管特性图示仪是一种专用示波器,它能直接观察各种晶体管特性曲线及曲性簇。
例如:晶体管共射、共基和共集三种接法的输入、输出特性、电流放大特性及反馈特性;二极管的正向、反向特性;稳压管的稳压或齐纳特性;它可以测量晶体管的击穿电压、饱和电流、β或α参数等。
2、晶体管特性图示仪与示波器的区别:晶体管特性图示仪能够自身提供测试时所需要的信号源,并将测试结果以曲线形式显示在荧光屏上。
3、优缺点:晶体管特性图示仪不能用于测量晶体管的高频参数。
4、组成:主要由阶梯波发生器、集电极扫描信号源、测试变换电路、控制电路、X-Y方式示波器等部分组成。
由于晶体管特性图示仪的测量原理基础是逐点测量法,且是动态测量,故晶体管特性图示仪的功能应该满足:能提供测试过程所需的各种基极电流(阶梯波发生器);每个固定基极电流期间,集电极电压能做相应改变;(集电极扫描信号源)能够即使取出各组测量值并传送至显示电路。
5、晶体管特性图示仪各组成部分的作用:(见书P127)阶梯波发生器(组成和工作原理见书P129):提供基极阶梯电压或电流集电极扫描信号源:每个固定基极电流期间,集电极电压能做相应改变;测试变换电路:为适应测试NPN和PNP管控制电路:实现集电极扫描信号源和阶梯波信号源的同步X-Y方式示波器:X和Y轴放大器(对取自被测器件上的电压信号进行放大,然后送至偏转板形成扫描线)和示波管6、晶体管特性图示仪的操作使用面板介绍:包括五部分(示波管控制电路;集电极电源;偏转放大;阶梯信号测试台)J2461型晶体管特性图示仪J2461型晶体管特性图示仪,是根据教育部《JY6-78》号技术标准的规定和要求而设计的。
它是J2458型教学示波器的辅助装置,主要供中等学校实验室测量晶体管使用。
晶体管特性图示仪使用详解
② “峰值电压 %”调节旋钮。 作用:使集电极电源在确定的峰值电压范围内连续变 化。 ③ “+、-”极性按键开关。 作用:按下时集电极电源极性为负,弹出时为正。
36
• ④ “电容平衡”与“辅助电容平衡”旋钮。 • 作用:使在高电流灵敏度测量时容性电流最小,
减小测量误差 • ⑤ “功耗限制电阻 ”选择开关。 • 作用:改变串联在被测管集电极回路中的电阻以
50
5.使用注意事项 (1)测试前应预设一些关键开关和旋钮的位置。 (2)“峰值电压范围”、“峰值电压%”、阶梯信号 “电压电流/级”及“功耗限制电阻”这几个开关甚 用。 (3)测试大功率器件(因通常测试时不能满足其散 热条件)及测试器件极限参数时,多采用“单簇”阶 梯。
51
6.XJ 4810 型半导体管特性图示仪的应用 (1)同时显示二极管的正反向特性曲线 由于其集电 极扫描电压有双向扫描功能,可使二极管的正反向特 性曲线同时显示在荧光屏上。
• ⑤ “极性”开关 选择阶梯信号的极性。
43
⑥ “重复-关”开关 开关弹出时,阶梯信号重复出 现,正常测试时多置于该位置;开关按下时,阶梯信 号处于待触发状态。 ⑦ “单簇”按钮 与“重复-关”开关配合使用。当 阶梯信号处于待散发状态时,按下该钮,对应指示灯 亮,阶梯信号出现一次,然后又回到待触发状态。多 用于观察被测管的极限特性,可防止被测管受损。
注意:此时 IB 和 UBE 均为阶梯波,但 IB 每级高度基本相同,而 UBE
由于输入特性的非线性而每级高度不同。集电极扫描电压的变化反映在荧 光屏上为亮点在各级水平方向的往返移动。
28
(4)场效晶体管漏极特性曲线 ID = f(UDS)及 测
试原理框图如图所示。
晶体管特性图示仪测试
XJ4810晶体管特性图示仪说明书晶体管测量仪器是以通用电子测量仪器为技术基础,以半导体器件为测量对象的电子仪器。
用它可以测试晶体三极管(NPN型和PNP型)的共发射极、共基极电路的输入特性、输出特性;测试各种反向饱和电流和击穿电压,还可以测量场效管、稳压管、二极管、单结晶体管、可控硅等器件的各种参数。
下面以XJ4810型晶体特性图示仪为例介绍晶体管图示仪的使用方法。
图A-23 XJ4810型半导体管特性图示仪7.1 XJ4810型晶体管特性图示仪面板功能介绍XJ4810型晶体管特性图示仪面板如图A-23所示:1. 集电极电源极性按钮,极性可按面板指示选择。
2. 集电极峰值电压保险丝:1.5A。
3. 峰值电压%:峰值电压可在0~10V、0~50V、0~100V、0~500V之连续可调,面板上的标称值是近似值,参考用。
4. 功耗限制电阻:它是串联在被测管的集电极电路中,限制超过功耗,亦可作为被测半导体管集电极的负载电阻。
5. 峰值电压范围:分0~10V/5A、0~50V/1A、0~100V/0.5A、0~500V/0.1A四挡。
当由低挡改换高挡观察半导体管的特性时,须先将峰值电压调到零值,换挡后再按需要的电压逐渐增加,否则容易击穿被测晶体管。
AC挡的设置专为二极管或其他元件的测试提供双向扫描,以便能同时显示器件正反向的特性曲线。
6. 电容平衡:由于集电极电流输出端对地存在各种杂散电容,都将形成电容性电流,因而在电流取样电阻上产生电压降,造成测量误差。
为了尽量减小电容性电流,测试前应调节电容平衡,使容性电流减至最小。
7. 辅助电容平衡:是针对集电极变压器次级绕组对地电容的不对称,而再次进行电容平衡调节。
8. 电源开关及辉度调节:旋钮拉出,接通仪器电源,旋转旋钮可以改变示波管光点亮度。
9. 电源指示:接通电源时灯亮。
10. 聚焦旋钮:调节旋钮可使光迹最清晰。
11. 荧光屏幕:示波管屏幕,外有座标刻度片。
实验一、晶体二极管、晶体三极管的测试
实验一、晶体二极管、晶体三极管的测试实验一晶体二极管、晶体三极管的测试(S1)一、实验目的1、认识晶体二极管、晶体三极管;2、掌握用万用表对晶体二极管、晶体三极管进行简易测量的方法;3、学习用晶体管图示仪测量特性曲线的方法,加深对晶体二极管、晶体三极管特性曲线的理解。
二、实验器材500型万用表一台晶体管图示仪一台电子元件:晶体二极管、晶体三极管若干100K--200K电阻若干三、实验原理1、万用表测量电阻的原理指针式万用表欧姆挡等效电路如图1-1所示。
图中,E为表内电源(一般基本档使用一节1.5V电池),r为万用表等效内阻,I为被测回路中的实际电流。
由图可知,万用表“+”端表笔(红色表笔)对应表内电源的负极,而“-”端表笔(黑色表笔)对应表内电源的正极。
万用表欧姆挡刻度尺的中央刻度值称为“中值电阻”,它也就是欧姆挡的等效电阻。
一般万用表都是以R×1K挡作为基本挡,这时表内电源采用1.5V电池。
为了测量更小的电阻,在基本挡的基础上增加电阻r’(图1-2),这样,流经表头的电流值所表征的被测电阻值变小了,或者说欧姆档的中值电阻(等效内阻)变小了,能够输出的测量电流则变大了。
一般万用表R×100、R×10、R×1挡的中值电阻较之基本挡依次递减10倍。
为了测量更大的电阻,通常是提高电源电压E,同时增加r值,更大的E能使万用表表针有足够的偏转。
一般万用表R×10K、R×100K挡中值电阻较基本挡依次递增10倍,E多采用9V或12V的电池。
2、用万用表对二极管作简易测量(1)判别二极管极性二极管内部是一个PN结,具有单向导电性,因此,以不同的方向接入万用表表笔之间时,测量回路的电流是不同的。
若黑表笔(电源正极)接二极管正(与P区相连),红表笔(电源负极)接二极管负极(与N区相连),这时回路电流较大,指示出的电阻值就较小(如图1-3所示)。
反之,回路电流较小,指示出的电阻值就较大。
用图示仪测量晶体二极管
4. 晶体管特性图示仪的原理及其使用
晶体管特性图示仪(简称“图示仪”)是一种能对晶体管的特性参数进行 定量测试的仪器。实验室中常用的图示仪为 JT-1 型晶体管特性图示仪和 XJ 4810 型晶体管特性图示仪。这两种仪器的基本组成框图如图 1.2.3 所 示。 为了测试晶体管的性能,首先要给管子加上适当的电压。图中,“集电极 扫描电压”部分就是为晶体管集电极设置电压VCE 的。而“基极阶梯信 号源”则是为晶体管基极设置电压VBE 的。如果VCE 和VBE 是一组固 定的电压,那么,就会在图示仪的屏幕上显示出被测晶体管的一条输入特 性曲线或输出特性曲线。
(2) 集电极和发射极的判别
若已经确定了管子的类型和基极 b ,则可用下面方法确定管子的集电极 c 和发射极 e: 对 NPN 型的管子,将万用表置于 R×1 K 档,两个表笔分别与除基极以外 的其它两个管脚交替相接,并用手捏住黑表笔与基极 ( 但黑表笔与基极不 能相碰 ) ,观察万用表指针的偏转情况。再将两个表笔交换,同样用手捏 住黑表笔与基极,观察指针的偏转。在两次测量中,对应于指针偏转较 大的一次,说明这时万用表表笔加给管子的电压使管子的发射结处于正 偏,集电极处于反偏。故此时黑表笔接的是管子的集电极 c ,红表笔接的 是发射极 e 。
3. 用万用表判别三极管
(1) 管型和基极的判别
根据三极管的结构,可将它看作两个背向联结的二极管。如图 1.2.2 ( a ) 、 ( b ) 所示。
(2) 判别性能
用第(1) 步的方法对二极管的正、反向电阻分别进行测量。根据测量的正、 反向电阻值,即可大概判断出该二极管性能的优劣。对于正常的二极管, 其正向电阻约为几千欧,反向电阻为几百千欧 (一般应大于 200 千欧)。在 测试中,若发现反向电阻太小,则说明该二极管的反向漏电流大,二极 管会失去单向导电作用。若正、反向电阻均为零,说明该二极管内部短 路。若正、反向电阻均为无穷大,说明该二极管已经断路,一般二极管 的损坏多数属于这种情况。
2.13.2 检测晶体二极管_图解电子技术速学速用_[共2页]
怎样识别和检测元器件 133 第 2 章
图2-203
2.1
3.2 检测晶体二极管
1.识别和检测管脚
晶体二极管可用万用表进行引脚识别和检测。
将万用表置于“R × 1k ”挡,两表笔分别接到二极管的两端,如果测得的电阻值较小,则为二极管的正向电阻,这时与黑表笔(即表内电池正极)相连接的是二极管正极,与红表笔(即表内电池负极)相连接的是二极管负极,如图2-204所示。
如果测得的电阻值很大,则为二极管的反向电阻,这时与黑表笔相接的是二极管负极,与红表笔相接的是二极管正极,如图2-205所示。
图2-204 图2-205。
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图1.2.1 万用表等效电路
图1.2.1 万用表等效电路
图1.2.2 三极管的结构示意图
图1.2.2 三极管的结构示意图
2. 用万用表判别二极管
(1) 判别极性
由图 1.2.1 所示的万用表等效电路可知,当万用表的黑表笔接二极 管的正极而红表笔接二极管的负极时,二极管正向偏置,呈现低电 阻,表头指针偏转角度大,这时万用表显示的的电阻为二极管的
4. 晶体管特性图示仪的原理及其使用
晶体管特性图示仪(简称“图示仪”)是一种能对晶体管的特性参数进行 定量测试的仪器。实验室中常用的图示仪为 JT-1 型晶体管特性图示仪和 XJ 4810 型晶体管特性图示仪。这两种仪器的基本组成框图如图 1.2.3 所 示。
为了测试晶体管的性能,首先要给管子加上适当的电压。图中,“集电极
NPN 型;若两次测得的电阻一大一小,则不能进行这种判别。这时,
应将红表笔换接一个极再测试。直到两次测得的电阻都很大或很小时, 方能依照上述方法进行判断。
(2) 集电极和发射极的判别
若已经确定了管子的类型和基极 b ,则可用下面方法确定管子的集电极 c 和发射极 e: 对 NPN 型的管子,将万用表置于 R×1 K 档,两个表笔分别与除基极以外 的其它两个管脚交替相接,并用手捏住黑表笔与基极 ( 但黑表笔与基极不 能相碰 ) ,观察万用表指针的偏转情况。再将两个表笔交换,同样用手捏 住黑表笔与基极,观察指针的偏转。在两次测量中,对应于指针偏转较
扫描电压”部分就是为晶体管集电极设置电压VCE 的。而“基极阶梯信 号源”则是为晶体管基极设置电压VBE 的。如果VCE 和VBE 是一组固 定的电压,那么,就会在图示仪的屏幕上显示出被测晶体管的一条输入特 性曲线或输出特性曲线。
为了显示晶体管的一簇输入或输出特性曲线并由此测得晶体管 其它交流参数,必须使加在晶体管上的电压VCE 和 VBE 均为周 期性变化的信号。为方便起见,选用如图中所示的 50 Hz 正弦 波全波整流电压作为集电极电源 vCE ,而选用如图所示的阶梯 波恒流源作为基极电流 iB。当图示仪的“级 / 秒”开关置于 “×100 ”位置时,集电极电压 vCE 与基极电流 iB 的对应关系 如图 1.2.4 (a) 所示。 若将集电极电源加到示波管的 X 偏转板X1 和X 2 上,将晶体管 的集电极电流通过取样电阻R f 转换成电压后加到示波管的 Y 偏
实验2
二极管、三极管的测试
一、实验目的
1. 学会用万用表判别二极管、三极管。
2. 学会用晶体管特性图示仪测试二极管、三极管的特性及有
关参数。
二、实验原理
1. 万用表的等效电路
用指针式万用表测试二极管和三极管时,都是使用万用 表的电阻档。 万用表电阻档的等效电路如图 1.2.1 所示。其中,E0 为表内电源电动 势 。 当 万 用 表 置 于 R × 1 、 R × 1 0 0 、 R×1 K 各档时,E0 = 1.5 V ;置于 R×10 K 档时,E0 = 9 V。R0 为等效
(1) 管型和基极的判别
根据三极管的结构,可将它看作两个背向联结的二极管。如图 1.2.2 ( a ) 、 ( b ) 所示。
(2) 判别性能
用第(1) 步的方法对二极管的正、反向电阻分别进行测量。根据测量的正、
反向电阻值,即可大概判断出该二极管性能的优劣。对于正常的二极管, 其正向电阻约为几千欧,反向电阻为几百千欧 (一般应大于 200 千欧)。在 测试中,若发现反向电阻太小,则说明该二极管的反向漏电流大,二极 管会失去单向导电作用。若正、反向电阻均为零,说明该二极管内部短 路。若正、反向电阻均为无穷大,说明该二极管已经断路,一般二极管 的损坏多数属于这种情况。
电阻,其值随着所选档位的不同而不同,档位越高,等效电阻值越大。
一般在对二极管、三极管进行测试时,选用 R×1 K 档。这是因为该档 的E0 较低而R0 较 档,因为该档的电池电压E0 较高,容易损坏管子。特别需要 注意的是,万用表的黑表笔 (插在万用表的“-”插孔) 接的是万用表 电源的正极,为高电位端;红表笔为低电位端。
转板Y1 和Y 2 上,就会在图示仪的屏幕上显示出被测晶体管的
特性曲线,如图 1.2.4 (b)所示。当测试 NPN 型晶体管时,vE 和 iB 采用正极性 (图中标“+”) 的信号,当测试 PNP 型晶体管 时均采用负极性 (图中标“-”) 的信号。
大的一次,说明这时万用表表笔加给管子的电压使管子的发射结处于正
偏,集电极处于反偏。故此时黑表笔接的是管子的集电极 c ,红表笔接的 是发射极 e 。
对 PNP 型管子,采用上述方法测试时,应用手捏住基极和万用
表的红表笔,同时观察万用表指针的偏转情况。对应于指针偏 转较大的一次,红表笔接的是集电极 c ,黑表笔接的是发射极 e 。 在上述测量过程中,用手捏住基极和某个表笔,实际上是在该 表笔与管子的基极 b 之间接入了人体电阻,从而给管子的三个 电极之间加上了一定的电压,使两个结处于一定的偏置状态。
根据图 1.2.2 可知,当我们将万用表的红表笔接在 NPN 型晶体管的基 极 b,而用黑表笔分别去接该管的集电极 c 和发射极 e 时,两个二极 管都反偏,万用表指针偏转角度都很小。也就是说两次测得的电阻都 很大。当我们用同样的方法去测 PNP 型晶体管时,两次测得的电阻 都很小。根据上述原理,可采用如下方法判别三极管的管型(NPN 型或 PNP 型)和管子的基极:用万用表的红表笔接晶体管的某一极, 黑表笔分别去接其它两个极时,若两次测得的电阻都很小或者都很大 时,可以确定红表笔接的就是管子的基极 b ;若两次测得的电阻均很 小,则该管子为 PNP 型;若两次测得的电阻均很大,则该管子为
“正向电阻”。反之,表头指针偏转角度小,这时测得的电阻为二
极管的“反向电阻”。这样就可以根据两次测量时表头指针偏转角 度的大小即电阻值的大小判断出二极管的极性。例如:两次测量中, 指针偏转角度大 (电阻值小) 的一次,万用表黑表笔接的就是二极管 的正极,另一极则为二极管的负极。
3. 用万用表判别三极管