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晶振32.768k
石英晶振的原理与电路组成设计摘要:石英晶振是一种高精度、高稳定度的振荡器,是利用石英晶体的压电效应而制成的谐振组件,以取代L C选频电路,频率稳定度高达10-9~10-11,广泛应用于各类电子产品的振荡电路中,如通信系统中的频率发生器等。
作用:为数据处理设备产生时钟信号,提供系统振荡脉冲,稳定频率,选择频率。
本文将对石英晶振的基本特性、稳频条件、及电路设计方面做简单介绍。
一、水晶材料基本特性石英晶体振荡器是利用石英晶体(二氧化硅的结晶体)的压电效应制成的一种谐振器件,它的基本构成大致是:从一块石英晶体上按一定方位角切下薄片,在它的两个对应面上涂敷银层作为电极,在每个电极上各焊一根引线接到管脚上,再加上封装外壳,就构成了石英晶体谐振器,简称为石英晶体或晶体、振。
其产品一般用金属外壳封装,也有用玻璃壳、瓷或塑料封装的石英晶体谐振器结构石英晶体在压力作用下产生形变,同时产生电极化。
其极化强度与压力成正比,这种现象就称“正压电效应”。
反之,在电场作用下,晶体产生形变,其形变大小与电场强度成正比,这种现象称“逆压电效应”。
(a)压电效应( b)正压电效应(c)逆压电效应在二十多类具有压电效应的晶体中 ,石英晶体是无线通讯设备中最为满意的材料之一。
它的机械强度高 ,物理化学性能稳定 ,内损耗低等 ,用它制成的器件被广泛用在频率控制和频率选择电路中。
石英片的取向不同 ,其压电特性、性特性和强度特性就不同 ,用它来制造的谐振器的性能也不一样 ,现已发现了几十种有用的切割方式。
二、英谐振器的稳频条件石英晶振的频率稳定度与以下三方面有关 :负载电容、励电平和频率温度特性。
1、载电容。
石英谐振器一般作为电感组件在振荡电路中起稳频作用 ,而电路的其它组件均可等效为一个负载电容与石英谐振器的等效参数及频率稳定度带来影响。
从石英晶振元件两脚向振荡电路方向看进去的所有有效电容 ,就是该振荡电路加给石英晶振的负载电容。
负载电容同石英晶振共同决定电路的工作频率。
晶振电路设计
模拟电路部分晶振设计1. 振荡器原理振荡器是一个没有输入信号的带选频网络的正反馈放大器。
从能量的角度来说,正弦波振荡器是通过自激方式把直流电能转换为特定频率和幅度的正弦交变能量的电路。
对于任何一个带有反馈的放大电路,都可以画成下图所示结构:图4 振荡器 当增益满足1≥⨯a f ,且相位条件满足πβα2=+时,构成正反馈环路,起振条件得以满足。
上图即构成一个振荡器。
2. 晶振原理当在晶体两端加上一定的交变电场,晶片就会产生机械形变, 石英晶体振荡器是利用石英晶体的压电效应制的一种谐振器件, 若在石英晶体的两个电极上加一电场,晶片就会产生机械变形。
同时这个机械形变又会产生相应的交变电压,并且其特征频率下的振幅比其他频率点的振幅大得多。
根据这个特点,为了得到低的起振电压和短的起振时间,在晶体两端施加的交变电压的频谱能量应主要集中在晶体的特征频率附近。
在一般情况下,晶片机械振动的振幅和交变电场的振幅非常微小,但当外加交变电压的频率为某一特定值时,振幅明显加大,比其他频率下的振幅大得多,这种现象称为压电谐振。
石英晶体振荡器的等效电路如图5 所示。
当用石英晶体组成并联谐振电路时,晶体表现为 感性,其等效品质因数Q 值很高。
等效阻抗2频率特性如图6所示。
图5 晶振等效电路图6 晶振等效阻抗图6中,Fr 为串联谐振点。
在频率为)2/(1LC F r π=时,图2中串联的L 、C 谐振,串联支路等效为一个纯电阻。
Fa 为并联谐振点,此时串联支路等效为电感,与并联的C0谐振,0/1C C F F r a +=。
此时等效阻抗趋于无穷大。
通常这两个频率点之间的差值很小。
总的来说,可以认为晶振在串联谐振时表现为电阻,在并联谐振时表现为电感。
这里建议设计时采用并联谐振。
3. Pierce Oscillator图7 振荡电路倒相器作为放大器,同时提供180度的相移。
而晶振及负阻电容作为反馈回路,提供剩下的180度相移。
R F 为反馈电阻,用来决定倒相器的直流工作点,使之工作在高增益区(线性区)。
晶振手册-2015年A版
军用 > 航空航天 > 导航 > 通信 > 测控 > 仪器与设备产品选型手册XO - 晶体振荡器OCXO - 恒温晶体振荡器TCXO - 温补晶体振荡器VCXO - 压控晶体振荡器AVXO - 抗振晶体振荡器MXO - 倍频晶体振荡器PLXO - 锁相晶体振荡器成都世源频控技术有限公司是一家高端射频与微波产品整体解决方案提供商。
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世源频控技术致力于通过专业的产品及良好的服务,注重客户意见,持续极力为客户提升价值。
1. 恒温晶体振荡器(OCXO)------------------------------------------------------------------第04页~第30页2. 温补晶体振荡器(TCXO)--------------------------------------------------------------------第31页~第41页3. 压控晶体振荡器(VCXO)-------------------------------------------------------------------第42页~第43页FCOX2系列<超高稳定度,超低老化率,50.8mm 50.8mm H mm>-----------------------------------------第05页~第06页 FCOX3系列<极低相位噪声,50.8mm 50.8mm 19.0mm,SMA-F>-----------------------------------------第07页~第08页 FCOX4系列<超低相位噪声,38.1mm 38.1mm 12.7mm>--------------------------------------------------第09页~第10页 FCOX5系列<超低相位噪声,38.1mm 38.1mm 12.7mm>--------------------------------------------------第11页~第12页 FCOX7系列<超低相位噪声,小体积,25.4mm 25.4mm 12.7mm>-----------------------------------------第13页~第14页 FCOX8系列<超低相位噪声,超小体积,20.320.39.7(or 11.4)mm>--------------------------------------第15页~第16页FCOX9系列<极低相位噪声,试验室级应用,74.6344.4525.4mm>--------------------------------------第17页~第18页FCOX10系列<低相位噪声,超小体积,25.415.249.7(or 11.4)mm>--------------------------------------第19页~第20页FCOX12系列<低相位噪声,表面贴,25.522.210.0mm>---------------------------------------------------第21页~第22页FCOX17系列<超低相位噪声,35.4mm 26.7mm 12.7(or 13.6)mm>--------------------------------------第23页~第24页 FCOX18系列<超高稳定度,超低老化率,51.3.0(or 25.4)mm>-----------------------------------第25页~第26页 FCOX101系列<超低功耗,超小体积,低相位噪声,插件,21.013.6.5mm>------------------------------第27页~第28页FCOX102系列<超低功耗,超小体积,低相位噪声,表面贴,25.415.24.7mm>-------------------------第29页~第30页FCTX8系列<超低相位噪声,20.3mm 20.3mm 9.7(or 11.4)mm>------------------------------------------第32页~第33页 FCTX9系列<超低相位噪声,25.4mm 15.24mm 9.7(or 11.4)mm>----------------------------------------第34页~第35页 FCTX10系列<超低相位噪声,表面贴,27.4mm 17.8mm 5.9mm>-----------------------------------------第36页~第37页 FCTX12系列<超低相位噪声,表面贴,25.5mm 22.2mm 6.7mm>-----------------------------------------第38页~第39页 FCTX13系列<低相位噪声,超小体积,表面贴,17.014.0 6.0mm>-----------------------------------------第40页~第41页FCVX3系列<低相位噪声,表面贴,27.4mm 17.8mm 5.9mm>---------------------------------------------第42页~第43页×××××××××××××××××××××41.3×19××8××8××××××××××××晶体振荡器QUARTZ CRYSTAL OSCILLATOR5. 倍频晶体振荡器(MXO)---------------------------------------------------------------------第51页~第55页MXO4系列<极低相位噪声,极低杂散,50.0mm 50.0mm mm>-------------------------------------------第52页~第53页MXO7系列<双路输出,低相位噪声,低杂散,50.8mm 50.8mm mm>------------------------------------第54页~第55页××H ××H 倍频晶体振荡器MULTIPLIED CRYSTAL OSCILLATOR4. 抗振晶体振荡器(AVXO)-------------------------------------------------------------------第44页~第50页AVXO3系列<抗振设计,优秀动态相位噪声,38.138.119.0(or 16.0)mm>-------------------------------第45页~第46页 AVXO4系列<抗振设计,优秀动态相位噪声,38.138.119.0(or 16.0)mm>-------------------------------第47页~第48页 AVXO6系列<抗振设计,卓越动态相位噪声,50.850.827.0mm>-----------------------------------------第49页~第50页××××××抗振晶体振荡器ANTI-VIBRATION CRYSTAL OSCILLATORNEW !NEW !NEW !NEW !6. 锁相晶体振荡器(PLXO)----------------------------------------------------------------第56页~第60页PLXO1系列<内置PLL,极低相位噪声,50.8mm 50.8mm 19.0mm,SMA>----------------------------第57页~第58页 PLXO2系列<内置PLL,小体积,低相位噪声,35.4mm 26.7mm 12.7mm>----------------------------第59页~第60页××××锁相晶体振荡器PHASE LOCKED CRYSTAL OSCILLATOR7. 客户订货信息表---------------------------------------------------------------------------------第61页客户订货信息表8. 新产品发布专栏--------------------------------------------------------------------------------第62页新产品发布专栏---NEW PRODUCTS RELEASE敬请关注!-恒温晶体振荡器<OVEN CONTROLLED CRYSTAL OSCILLATOR>超短预热时间FCOX350.8mm X 50.8mm X19.1mmFCOX17FCOX7FCOX8FCOX10FCOX10121.0X13.6X8.5mmFCOX10225.4X15.24X8.7mmNEW !NEW !NEW!FCOX12NEW !OCXOFCOX2产品数据手册 Rev A电性能参数输出信号(客户定义)标称频率 5~20MHz 输出波形 正弦波或方波输出功率,正弦波 0~+13.0dBm 初始频率准确度 ±0.05~±0.3ppm 谐波,正弦波 -30dBc max.杂波,正弦波 -70dBc max.相位噪声(客户定义)OSC @ 10MHz@1Hz -85~-110dBc/Hz @10Hz -110~-140dBc/Hz @100Hz -135~-155dBc/Hz @1KHz -145~-165dBc/Hz @10KHz -150~-166dBc/Hz @100KHz -150~-168dBc/Hz @1MHz -150~-168dBc/Hz稳定度(客户定义)温度稳定度 ±短期稳定度 ±1E-10~±5E-13/s 老化率 ±1E-7~±1E-8/y50~±0.1ppb 电源电压(客户定义)工作电压 +5.0V 或+12.0V 或+15.0V 最大工作电流 500~1500mA max.稳定工作电流 200~700mA max.预热特性 1~15分钟,达到±1E-7~±1E-8频率调节(客户定义)频率调节方式 电调节(EFC )压控电压范围 0~2.5~5.0V 频率牵引范围 ±0.3~±1.0ppm 频率牵引斜率 正输入阻抗 100k Ω min.环境适应性(客户定义)工作温度范围 最宽-55℃~+85℃机械冲击 GJB-360B,方法213,15g,11ms,半正弦温度冲击 GJB-360B,方法107,-55℃~+85℃,5次2随机振动 GJB-360B,方法214,0.04g /Hz,3个轴向存储温度范围-55℃~+100℃.标签纸,位于产品外壳顶部,包括生产厂家标识、产品型号、标称频率、序列号、生产日期等信息。
晶振知识大全
晶振知识大全(总17页) -CAL-FENGHAI.-(YICAI)-Company One1-CAL-本页仅作为文档封面,使用请直接删除晶振的定义: 晶振的英文名称为crystal. 石英晶体经精密切割磨削并镀上电极焊上引线做成,主要是为电路提供频率基准的元器件。
晶振的分类:1.按制作材料,分为石英晶振和陶瓷晶振。
石英晶振:利用石英晶体(二氧化硅的结晶体)的压电效应制成的一种谐振器件,它的基本结构大致是从一块石英晶体上按一定方位角切下薄片(简称为晶片,它可以是正方形、矩形或圆形等),在它的两个对应面上涂敷银层作为电极,在每个电极上各焊一根引线接到管脚上,再加上封装外壳就构成了石英晶体谐振器,简称为石英晶体或晶体、晶振。
其产品一般用金属外壳封装,也有用玻璃壳、陶瓷或塑料封装的。
陶瓷晶振:指用陶瓷外壳封装的晶振,跟石英晶振比起来精度要差一些,但成本也比较低,主要用在对频率精度要求不高的电子产品中。
陶瓷晶振就是晶体逆压电效应原理,陶瓷谐振器的工作原理就是既可以把电能转换为机械能,也可以把机械能转换为电能。
目前陶瓷谐振器的类型按照外形可以分为直插式和贴片式两中。
2. 从功能上分晶振分为无源晶振和有源晶振。
无源晶振即为石英晶体谐振器,而有源晶振即位石英晶体振荡器。
无源晶振只是个石英晶体片,使用时需匹配相应的电容、电感、电阻等外围电路才能工作,精度比晶振要低,但它不需要电源供电,有起振电路即可起振,一般有两个引脚,价格较低。
有源晶振内部含有石英晶体和匹配电容等外围电路,精度高、输出信号稳定,不需要设计外围电路、使用方便,但需要电源供电,有源晶振一般是四管脚封状,有电源、地线、振荡输出和一个空置端。
使用有源晶振时要特别注意,电源必须是稳压的且电源引线尽量短,并尽量与系统中使用晶振信号的芯片共地。
3、从封装形式上分有直插型(DIP)和贴片型(SMD)。
4、按谐振频率精度,分为高精度型、中精度型和普通型晶振。
5、按应用特性,分为串联谐振型晶振和并联谐振型晶振。
晶振资料总结无源晶振和有源晶振
晶振资料总结无源晶振和有源晶振晶振资料总结(无源晶振和有源晶振)2010-12-04 11:03无源晶振:就是一个晶振,依靠配合其他IC内部振荡电路工作。
有源晶振:晶振+振荡电路,封装在一起。
给他供上电源,就有波形输出。
1、无源晶体--无源晶体需要用DSP片内的振荡器,在datasheet上有建议的连接方法。
无源晶体没有电压的问题,信号电平是可变的,也就是说是根据起振电路来决定的,同样的晶体可以适用于多种电压,可用于多种不同时钟信号电压要求的DSP,而且价格通常也较低,因此对于一般的应用如果条件许可建议用晶体,这尤其适合于产品线丰富批量大的生产者。
无源晶体相对于晶振而言其缺陷是信号质量较差,通常需要精确匹配外围电路(用于信号匹配的电容、,更换不同频率的晶体时周边配置电路需要做相应的调整。
建议电感、电阻等) 采用精度较高的石英晶体,尽可能不要采用精度低的陶瓷警惕。
2、有源晶振--有源晶振不需要DSP的内部振荡器,信号质量好,比较稳定,而且连接方式相对简单(主要是做好电源滤波,通常使用一个电容和电感构成的PI型滤波网络,输出端用一个小阻值的电阻过滤信号即可),不需要复杂的配置电路。
有源晶振通常的用法:一脚悬空,二脚接地,三脚接输出,四脚接电压。
相对于无源晶体,有源晶振的缺陷是其信号电平是固定的,需要选择好合适输出电平,灵活性较差,而且价格高。
对于时序要求敏感的应用,个人认为还是有源的晶振好,因为可以选用比较精密的晶振,甚至是高档的温度补偿晶振。
有些DSP内部没有起振电路,只能使用有源的晶振,如TI的6000系列等。
有源晶振相比于无源晶体通常体积较大,但现在许多有源晶振是表贴的,体积和晶体相当,有的甚至比许多晶体还要小。
几点注意事项:1、需要倍频的DSP需要配置好PLL周边配置电路,主要是隔离和滤波;2、20MHz以下的晶体晶振基本上都是基频的器件,稳定度好,20MHz以上的大多是谐波的(如3次谐波、5次谐波等等),稳定度差,因此强烈建议使用低频的器件,毕竟倍频用的PLL电路需要的周边配置主要是电容、电阻、电感,其稳定度和价格方面远远好于晶体晶振器件;3、时钟信号走线长度尽可能短,线宽尽可能大,与其它印制线间距尽可能大,紧靠器件布局布线,必要时可以走内层,以及用地线包围;4、通过背板从外部引入时钟信号时有特殊的设计要求,需要详细参考相关的资料。
晶振基础知识word版
1、晶体元件参数1. 1等效电路作为一个电气元件,晶体是 由一选泄的晶片,连同在石英上 形成电场能够导电的电极及防护 壳罩和内部支架装這所组成。
晶体谐振器的等效电路图见 图1。
等效电路由动态参数L l . C 1. R l 和并电容C 。
组成。
这些参数之间都是有联系的,一个参数 变化时可能会引起其他参数变化。
而这些等效电路的参数值跟晶体的切型、振动模式、工作 频率及制造商实施的具体设计方案关系极大。
下面的两个等式是工程上常用的近似式:角频率 ω=l∕λ∕L 1C 1 品质因数Q= 3 L ι∕Rι其中LI 为等效动电感,单位mHCI 为等效电容,也叫动态电容,单位fF RI 为等效电阻,一般叫谐振电阻,单位Q图2、图3、图4给岀了各种频率范围和各种切型实现参数L 1. C 1. R I 的范囤。
对谐振电阻来说,供应商对同一型号的任何一批中可以有3: 1的差别,批和批之间的差别 可能会更大。
对于一给左的频率,采用的晶体盒越小,则R :和L :的平均值可能越髙。
图1 简化了的石英鴿体元件等效电路图2常用切型晶体的电感范用1. 2晶体元件的频率,晶体元件的频率通常与晶体盒尺寸和振动模式有关。
一般晶体尺寸越小可获得的最低频率越高。
晶体盒的尺寸确左了所容纳的振子的最大尺寸,在选择产品时应充分考虑可实现的可能性,超出这个可能范圉,成本会急剧增加或成为不可能,当频率接近晶体盒下限时,应与供应商沟通。
下表是不同晶体盒可实现的频率范围。
图4充有一个大气压力气体(90%氮.10%M)气密晶体元件的频率、切型和晶体盒型号振动模式频段(MHZ)HC-49UAT基频 1. 8432-30 BT基频20-40 AT三次泛音20-85 AT五次泛音50-180HC-49SAT基频 3. 579-30 AT三次泛音20-65 AT五次泛音50-150SMD7 × 5AT基频6-40 AT三次泛音33-100 AT五次泛音50-180SMD6×3. 5AT基频8-40 AT三次泛音35-100 AT五次泛音50-180SMD5 X3.2AT基频12-45 AT三次泛音35-100 AT五次泛音60-1801.3频差规左工作温度范I丙及频率允许偏差。
晶振电路设计及案例分享
晶振匹配电路原理分析案例分享讲解内容:预期目的�晶振原理及分类�晶振电路分析�设计中注意事项�案例分享�掌握振荡电路的原理,了解电路元器件的作用。
�掌握时钟电路的设计。
�掌握时钟电路的调测和问题定位。
主讲人:杨万里晶体的构造晶体为什么会振荡?细节了解?晶体为什么装在金属壳中?继续振荡电路及振荡器�什么是振荡电路~_~能产生大小和方向都随周期变化的电流的电路�振荡器与“有源晶振”有源晶振是振荡器的一种�晶振选频特性很出色谐振频率(特性频率),谐振时损耗为0(或最小)-------对谐振频点的信号衰减为0(或最小(阻抗最小)。
概念互通器件的品质因数是如何定义的?高频电路中如何正确选择电感?晶振的分类按照振荡模式,晶体可分为基频晶体和泛音晶体。
��其他分类方式此处不讨论。
�为什么会有泛音晶体~_~基频晶体和泛音晶体相对来说哪种的输出时钟更�加稳定?4晶体的等效电路及说明?晶体的等效电路及说明C0-----静态(未工作时)晶片两极板之间的等小电容。
?晶体的等效电路及说明R:等效动态电阻,表述振荡过程中的能量损耗-----------对芯片端的驱动能力小值限制量化(R越小越容易起振,芯片负阻应该是R的6倍左右?)。
C0:静态(未工作时)晶片两极板之间的等小电容。
?晶体的等效电路及说明R:等效动态电阻,表述振荡过程中的能量损耗-----------对芯片端的驱动能力小值限制量化(R越小越容易起振,芯片负阻应该是R的6倍左右?)。
C0:静态(未工作时)晶片两极板之间的等小电容。
?L:表示晶片振动时的惯性晶振的等效电路及说明R:等效动态电阻,表述振荡过程中的能量损耗-----------对芯片端的驱C0:静态(未工作时)?晶片两极板之间的等小电容。
动能力小值限制量化(R越小越容易起振,芯片负阻应该是R的6倍左?右?)。
L:表示晶片振动时的惯性C:表示晶片振动时的弹性晶体的等效电路及说明手接触到晶体金属外壳会影响晶振的振荡频率,是如何变化的?如何更加准确的测量晶振的频偏?晶体的Q值为什么很高?什么是负阻?通常说的晶振(Crystal)严格的讲应该称为晶体;晶体在时钟电路中的作用究竟是什么?晶体应用电路晶体应用电路分析:R2:电阻是为了使反相放大器工作在线性状态,一定程度上避免过驱动损坏晶振。
石英晶体振荡器设计报告
石英晶体振荡器设计报告张炳炎09微电03 目录1 设计要求2 设计方案论证a.电路形式的选取b.参数的设计、估算c. 设计内容的实现3 电路的工作原理4 晶体振荡器的特点5 电路设计制作过程中遇到的主要问题及解决方法、心得和建议6 参考文献7 附录1设计要求(1)晶体振荡器的工作频率在100MHZ以下(2)振荡器工作可调,反馈元件可更换(3)具有三组不同的负载阻抗(4)电源电压为12V(5)在10K负载上输出目测不失真电压波形Vopp>=4V,振荡器频率读出5为有效数字2设计方案论证a.电路形式的选取: 串联型石英晶体振荡器串联型石英晶体振荡器交流等效电路石英晶体的物理和化学性能都十分稳定,等效谐振回路具有很高的标准性,Q值很高,对频率变化具有极灵敏的补偿能力具有.利用石英晶体作为串联谐振元件,在谐振时阻抗接近于零,此时正反馈最强,满足振荡条件.因此,电路的振荡频率和频率稳定度都取决于石英晶体的串联谐振频率.b.参数的设计、估算选用石英晶体(6M)作为串联谐振元件,提高振荡器的标准性,三极管为高频中常用的小功率管9018,作为放大电路的主要器件,选用阻值较大的可调电阻Rp(50k)来调节电路的静态工作点,使输出幅值达到最大而不失真,在LC 组成的谐振回路加可变电容(100p)调节谐振频率。
三组负载分别为1k、10k、110k,用来比较对振荡器频率及幅值的影响。
c. 设计内容的实现○1输入电源电压12V,测试电路的静态工作点, 三极管Vbe>0.7v,Vc>Vb>Ve,三极管工作在放大区。
○2输出端接上示波器,观察到正弦波,通过改电位器、可变电容使输出的幅值达到最大。
○3改变负载值,测量不同负载下电路输出的频率及幅值大小。
可知,负载几乎对频率没有影响,因为输出的频率主要由石英晶体决定,而幅值随着负载的减小而略微下降,当空载时幅值最大。
3 电路的工作原理石英晶体振荡器总原理图如上图,C6,C7和L2组成π型滤波器,对外部直流电源进行滤波而只通过直流量,防止其对电路产生干扰。
石英晶体振荡器设计参考
石英晶体振荡器设计参考石英晶体振荡器设计参考振荡器是一种将直流电能转换为具有一定频率的交流电能的装置,而将石英晶体谐振器(以下简称晶体)作为频率控制元件的振荡器就叫做石英晶体振荡器(以下简称晶振)。
由于晶体的机械品质因数(Q值)可达到105~106数量级,其相移随频率的变化△Φ/△ω很大,故晶振有很高的频率稳定度,约在10-4~10-12的范围。
目前晶振被广泛应用到军、民用通信电台、微波通信设备、程控电话交换机、无线电综合测试仪、移动电话发射台、高档频率计数器、GPS、卫星通信、遥控移动设备等。
目前晶振有以下八类:普通晶体振荡器(XO)、压控晶体振荡器(VCXO)、温度补偿晶体振荡器(TCXO)、恒温晶体振荡器(OCXO)、温补压控晶体振荡器(TCVCXO)、恒温压控晶体振荡器(OCVCXO)、微机补偿晶体振荡器(MCXO)和铷-晶体振荡器。
其中,温度补偿晶体振荡器包括模拟温补、数字温补、模拟-数字混合温补和单片机温补的晶体振荡器。
以下根据晶振的分类和应用,对晶振设计时需考虑的问题做一下简单介绍。
1.晶体的选用(1)切型的选取晶体的切型有AT、BT、CT、DT、ET、FT、ST、x+5、AC、BC、FC、LC、SC等,每种切型都有各自的特性,而目前在晶振中应用最多的切型是AT切和SC切。
由于AT切石英片的尺寸合适,便于加工,体积可以做的很小,在较宽的温度范围内具有良好的频率温度特性(在-55℃~85℃范围内可达到±25×10-6),并有较高的压电活性等优点,从而得到最广泛的应用。
它是石英谐振器中最重要的一种切型,频率范围约为800kH z~350MHz,采用离子刻蚀技术,其基音频率可达到1GHz左右。
目前的温度补偿晶体振荡器基本都是采用的AT切型晶体。
SC切晶体是一种双旋转切型晶体。
由于它具有应力补偿和热瞬变补偿特性,故其频率与热应力及电极应力在表面内所产生的应力无关。
因此,这种切型具有老化小、相位噪声低、短期频率稳定性好、热滞效应小及开机特性好等优点,特别适用于高稳定晶体振荡器。
大普晶振规格书
大普晶振规格书是对大普晶振产品性能、参数、使用和安装等方面进行详细介绍的文档。
其中包含的主要内容有:
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6. 规格书还可能包含其他相关信息,如产品认证、质量保证等。
总之,大普晶振规格书是了解和使用大普晶振的重要参考资料,可以帮助用户更好地了解产品性能,确保其在电路设计和应用中的正确使用。
ST 晶振设计指南
AN2867Application noteOscillator design guidefor ST microcontrollersIntroductionMost designers are familiar with oscillators (Pierce-Gate topology), but few reallyunderstand how they operate, let alone how to properly design an oscillator. In practice,most designers do not even really pay attention to the oscillator design until they realize theoscillator does not operate properly (usually when it is already being produced). This shouldnot happen. Many systems or projects are delayed in their deployment because of a crystalnot working as intended. The oscillator should receive its proper amount of attention duringthe design phase, well before the manufacturing phase. The designer would then avoid thenightmare scenario of products being returned.This application note introduces the Pierce oscillator basics and provides some guidelinesfor a good oscillator design. It also shows how to determine the different externalcomponents and provides guidelines for a good PCB for the oscillator.This document finally contains an easy guideline to select suitable crystals and externalcomponents, and it lists some recommended crystals (HSE and LSE) for STM32™ andSTM8A/S microcontrollers in order to quick start development.April 2010Doc ID 15287 Rev 31/23Contents AN2867Contents1Quartz crystal properties and model . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6 2Oscillator theory . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8 3Pierce oscillator . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 94Pierce oscillator design . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 104.1Feedback resistor RF . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 104.2Load capacitor C L . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 114.3Gain margin of the oscillator . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 114.4Drive level DL and external resistor RExt calculation . . . . . . . . . . . . . . . . 124.4.1Calculating drive level DL . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 124.4.2Another drive level measurement method . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 134.4.3Calculating external resistor RExt . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 134.5Startup time . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 144.6Crystal pullability . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 14 5Easy guideline for the selection of suitable crystaland external components . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 156Some recommended crystals for STM32™ microcontrollers . . . . . . . 166.1HSE part . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 166.1.1Part numbers of recommended 8 MHz crystals . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 166.1.2Part numbers of recommended 8 MHz ceramic resonators . . . . . . . . . 166.1.3Part numbers of recommended 25MHz crystals(Ethernet applications) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 176.1.4Part numbers of recommended 14.7456MHz crystals (audioapplications) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 176.2LSE part . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 187Some recommended crystals for STM8A/S microcontrollers . . . . . . . 197.1Part numbers of recommended crystal oscillators . . . . . . . . . . . . . . . . . . 197.2Part numbers of recommended ceramic resonators . . . . . . . . . . . . . . . . 19 8Some PCB hints . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20 2/23Doc ID 15287 Rev 3AN2867Contents 9Conclusion . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 21 10Revision history . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 22Doc ID 15287 Rev 33/23List of tables AN2867 List of tablesTable 1.Example of equivalent circuit parameters. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7 Table 2.Typical feedback resistor values for given frequencies . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10 Table 3.EPSON®. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 16 Table 4.HOSONIC ELECTRONIC. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 16 Table 5.CTS®. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 16 Table 6.FOXElectronics®. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 16 Table 7.Recommendable condition (for consumer). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 16 Table 8.Recommendable condition (for CAN bus) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 16 Table 9.HOSONIC ELECTRONIC. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 17 Table 10.FOXElectronics®. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 17 Table 11.CTS®. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 17 Table 12.FOXElectronics®. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 17 Table 13.ABRACON™ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 17 Table 14.EPSON TOYOCOM . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 18 Table 15.JFVNY® . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 18 Table 16.KDS . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 18 Table 17.KYOCERA . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 19 Table 18.Recommendable conditions (for consumer). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 19 Table 19.Recommendable conditions (for CAN-BUS). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 19 Table 20.Document revision history . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 22 4/23Doc ID 15287 Rev 3AN2867List of figures List of figuresFigure 1.Quartz crystal model. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6 Figure 2.Impedance representation in the frequency domain. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6 Figure 3.Oscillator principle . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8 Figure 4.Pierce oscillator circuitry. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 9 Figure 5.Inverter transfer function. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10 Figure 6.Current drive measurement with a current probe. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 12 Figure 7.Recommended layout for an oscillator circuit. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20Doc ID 15287 Rev 35/236/23Doc ID 15287 Rev 31 Quartz crystal properties and modelA quartz crystal is a piezoelectric device transforming electric energy to mechanical energyand vice versa. The transformation occurs at the resonant frequency. The quartz crystal canbe modeled as follows:C 0: represents the shunt capacitance resulting from the capacitor formed by the electrodesL m : (motional inductance) represents the vibrating mass of the crystalC m : (motional capacitance) represents the elasticity of the crystalR m : (motional resistance) represents the circuit lossesThe impedance of the crystal is given by the following equation (assuming that R m isnegligible): (1)Figure 2 represents the impedance in the frequency domain.F s is the series resonant frequency when the impedance Z = 0. Its expression can bededuced from equation (1) as follows:(2)Z j w ---w 2L m C m 1–C 0C m +()w 2L m C m C 0–---------------------------------------------------------------×=F s 12πL m C m ---------------------------=Doc ID 15287 Rev 37/23F a is the anti-resonant frequency when impedance Z tends to infinity. Using equation (1), it isexpressed as follows:(3)The region delimited by F s and F a is usually called the area of parallel resonance (shadedarea in Figure 2). In this region, the crystal operates in parallel resonance and behaves asan inductance that adds an additional phase equal to 180 ° in the loop. Its frequency F p (orF L : load frequency) has the following expression:(4)From equation (4), it appears that the oscillation frequency of the crystal can be tuned byvarying the load capacitor C L . This is why in their datasheets, crystal manufacturers indicatethe exact C L required to make the crystal oscillate at the nominal frequency.Table 1 gives an example of equivalent crystal circuit component values to have a nominalfrequency of 8 MHz.Using equations (2), (3) and (4) we can determine F s , F a and F p of this crystal:and .If the load capacitance C L at the crystal electrodes is equal to 10 pF , the crystal will oscillateat the following frequency: .To have an oscillation frequency of exactly 8 MHz, C L should be equal to 4.02 pF .Table 1.Example of equivalent circuit parametersEquivalent componentValue R m8 ΩL m14.7 mH C m0.027 pF C 0 5.57 pFF a F s 1C m C 0-------+=F p F s 1C m 2C 0C L +()----------------------------+⎝⎠⎛⎞=F s 7988768 Hz =F a 8008102 Hz =F p 7995695 Hz =Oscillator theory AN28678/23Doc ID 15287 Rev 32 Oscillator theoryAn oscillator consists of an amplifier and a feedback network to provide frequency selection.Figure 3 shows the block diagram of the basic principle.Where:●A(f) is the complex transfer function of the amplifier that provides energy to keep the oscillator oscillating.●B(f) is the complex transfer function of the feedback that sets the oscillator frequency.To oscillate, the following Barkhausen conditions must be fulfilled. The closed-loop gainshould be greater than 1 and the total phase shift of 360 ° is to be provided:and The oscillator needs initial electric energy to start up. Power-up transients and noise cansupply the needed energy. However, the energy level should be high enough to triggeroscillation at the required frequency. Mathematically, this is represented by |,which means that the open-loop gain should be much higher than 1. The time required forthe oscillations to become steady depends on the open-loop gain.Meeting the oscillation conditions is not enough to explain why a crystal oscillator starts to oscillate. Under these conditions, the amplifier is very unstable, any disturbance introducedin this positive feedback loop system makes the amplifier unstable and causes oscillations to start. This may be due to power-on, a disable-to enable sequence, the thermal noise ofthe crystal, etc. It is also important to note that only noise within the range of serial-toparallel frequency can be amplified. This represents but a little amount of energy, which iswhy crystal oscillators are so long to start up.A f ()A f ()e jf αf ()⋅=B f ()B f ()e jf βf ()⋅=A f ()B f ()⋅1≥αf ()βf ()+2π=A f ()B f ()⋅1»AN2867Pierce oscillator Doc ID 15287 Rev 39/233 Pierce oscillatorPierce oscillators are commonly used in applications because of their low consumption, lowcost and stability.Inv: the internal inverter that works as an amplifierQ: crystal quartz or a ceramic resonatorR F : internal feedback resistorR Ext : external resistor to limit the inverter output currentC L1 and C L2: are the two external load capacitorsC s : stray capacitance is the addition of the MCU pin capacitance (OSC_IN and OSC_OUT)and the PCB capacitance: it is a parasitical capacitance.Pierce oscillator design AN2867 4 Pierce oscillator designThis section describes the different parameters and how to determine their values in orderto be more conversant with the Pierce oscillator design.4.1 Feedback resistor R FIn most of the cases in ST microcontrollers, R F is embedded in the oscillator circuitry. Its roleis to make the inverter act as an amplifier. The feedback resistor is connected between V inand V out so as to bias the amplifier at V out = V in and force it to operate in the linear region(shaded area in Figure5). The amplifier amplifies the noise (for example, the thermal noiseof the crystal) within the range of serial to parallel frequency (F a, F a). This noise causes theoscillations to start up. In some cases, if R F is removed after the oscillations have stabilized,the oscillator continues to operate normally.Table2 provides typical values of R F.Table 2.Typical feedback resistor values for given frequenciesFrequency Feedback resistor range32.768 kHz10 to 25 MΩ1 MHz 5 to 10 MΩ10 MHz 1 to 5 MΩ20 MHz470 kΩ to 5 MΩ10/23Doc ID 15287 Rev 3AN2867Pierce oscillator designDoc ID 15287 Rev 311/234.2 Load capacitor C LThe load capacitance is the terminal capacitance of the circuit connected to the crystaloscillator. This value is determined by the external capacitors C L1 and C L2 and the stray capacitance of the printed circuit board and connections (C s ). The C L value is specified by the crystal manufacturer. Mainly, for the frequency to be accurate, the oscillator circuit has to show the same load capacitance to the crystal as the one the crystal was adjusted for. Frequency stability mainly requires that the load capacitance be constant. The external capacitors C L1 and C L2 are used to tune the desired value of C L to reach the value specified by the crystal manufacturer.The following equation gives the expression of C L :Example of C L1 and C L2 calculation:For example if the C L value of the crystal is equal to 15pF and, assuming that C s = 5pF , then:. That is: .4.3 Gain margin of the oscillatorThe gain margin is the key parameter that determines whether the oscillator will start up or not. It has the following expression:, where:●g m is the transconductance of the inverter (in mA/V for the high-frequency part or in µA/V for the low-frequency part: 32 kHz).●g mcrit (g m critical) depends on the crystal parameters.Assuming that C L1 = C L2, and assuming that the crystal sees the same C L on its pads as the value given by the crystal manufacturer, g mcrit is expressed as follows: , where ESR = equivalent series resistorAccording to the Eric Vittoz theory: the impedance of the motional RLC equivalent circuit of a crystal is compensated by the impedance of the amplifier and the two external capacitances.To satisfy this theory, the inverter transconductance (g m ) must have a value g m > g mcrit . In this case, the oscillation condition is reached. A gain margin of 5 can be considered as a minimum to ensure an efficient startup of oscillations.For example, to design the oscillator part of a microcontroller that has a g m value equal to 25mA/V, we choose a quartz crystal (from Fox) that has the following characteristics: frequency = 8 MHz, C 0 = 7 pF , C L = 10 pF , ESR = 80 Ω.. Will this crystal oscillate with this microcontroller?Let us calculate g mcrit :C L C L1C L2×C L1C L2+--------------------------C s+=C L C s –C L1C L2×C L1C L2+--------------------------10 pF ==C L1 C L2=20 pF =gain m in arg g mg mcrit--------------=g mcrit 4ESR ×2πF ()2×C 0C L +()2×=g mcrit 4802π×86×10×()2××712–×101012–×10+()2×0.23 mA V⁄==Pierce oscillator designAN286712/23Doc ID 15287 Rev 3Calculating the gain margin gives:The gain margin is very sufficient to start the oscillation and the “gain margin greater than 5”condition is reached. The crystal will oscillate normally.If an insufficient gain margin is found (gain margin < 5) the oscillation condition is notreached and the crystal will not start up. Y ou should then try to select a crystal with a lower ESR or/and with a lower C L .4.4Drive level DL and external resistor R Ext calculationThe drive level and external resistor value are closely related. They will therefore be addressed in the same section.4.4.1 Calculating drive level DLThe drive level is the power dissipated in the crystal. It has to be limited otherwise the quartz crystal can fail due to excessive mechanical vibration. The maximum drive level is specified by the crystal manufacturer, usually in mW. Exceeding this maximum value may lead to the crystal being damaged.The drive level is given by the following formula: , where:●ESR is the equivalent series resistor (specified by the crystal manufacturer):●I Q is the current flowing through the crystal in RMS. This current can be displayed on an oscilloscope as a sine wave. The current value can be read as the peak-to-peak value (I PP ). When using a current probe (as shown in Figure 6), the voltage scale of an oscilloscope may be converted into 1mA/1mV .Figure 6.Current drive measurement with a current probeSo as described previously, when tuning the current with the potentiometer, the current through the crystal does not exceed I Q max RMS (assuming that the current through the crystal is sinusoidal).Thus I Q max RMS is given by:gain m in arg g m g mcrit --------------250.23-----------107===DL ESR I Q 2×=ESR R m 1C 0C L ------+⎝⎠⎛⎞2×=Crystalai15838To oscilloscopeCurrent probeI Qmax RMS DL max ESR -----------------I Qmax PP 22-----------------------==AN2867Pierce oscillator designDoc ID 15287 Rev 313/23Therefore the current through the crystal (peak-to-peak value read on the oscilloscope) should not exceed a maximum peak-to-peak current (I Qmax PP) equal to:Hence the need for an external resistor (R Ext ) (refer to Section 4.4.3) when I Q exceeds I Qmax PP . The addition of R Ext then becomes mandatory and it is added to ESR in the expression of I Qmax .4.4.2 Another drive level measurement methodThe drive level can be computed as:DL= I²QRMS × ESR, where I QRMS is the RMS AC current.This current can be calculated by measuring the voltage swing at the amplifier input with a low-capacitance oscilloscope probe (no more than 1pF). The amplifier input current is negligible with respect to the current through C L1, so we can assume that the currentthrough the crystal is equal to the current flowing through C L1. Therefore the RMS voltage at this point is related to the RMS current by:, with:● F = crystal frequency●, where: V pp is the voltage peak-to-peak measured at C L1 level●C tot = C L1 + (C s /2) + C probe where:–C L1 is the external load capacitor at the amplifier input –C s is the stray capacitance –C probe is the probe capacitance)Therefore the drive level, DL, is given by: .This DL value must not exceed the drive level specified by the crystal manufacturer.4.4.3Calculating external resistor R ExtThe role of this resistor is to limit the drive level of the crystal. With C L2, it forms a low-pass filter that forces the oscillator to start at the fundamental frequency and not at overtones (prevents the oscillator from vibrating at 3, 5, 7 etc. times the fundamental frequency). If the power dissipated in the crystal is higher than the value specified by the crystal manufacturer, the external resistor R Ext becomes mandatory to avoid overdriving the crystal. If the power dissipated in the selected quartz is less than the drive level specified by the crystal manufacturer, the insertion of R Ext is not recommended and its value is then 0 Ω..An initial estimation of R Ext is obtained by considering the voltage divider formed by R Ext /C L2. Thus, the value of R Ext is equal to the reactance of C L2. Therefore: .Let us put:●oscillation frequency F = 8 MHz ●C L2 = 15 pFThen: I Qmax PP 22DL max ×ESR---------------------------×=I QRMS 2πF V RMS ×C tot ×=V RMS V pp22----------=DL ESR πF ×C tot ×()2×V pp ()2×2------------------------------------------------------------------------------------=R Ext 12πFC 2-----------------=R Ext 1326 Ω=Pierce oscillator design AN286714/23Doc ID 15287 Rev 3The recommended way of optimizing R Ext is to first choose C L1 and C L2 as explained earlier and to connect a potentiometer in the place of R Ext . The potentiometer should be initially set to be approximately equal to the capacitive reactance of C L2. It should then be adjusted as required until an acceptable output and crystal drive level are obtained.Caution:After calculating R Ext it is recommended to recalculate the gain margin (refer to Section 4.3: Gain margin of the oscillator ) to make sure that the addition of R Ext has no effect on the oscillation condition. That is, the value of R Ext has to be added to ESR in the expression of g mcrit and g m >> g mcrit must also remain true:g m >> g mcrit = 4 × (ESR + R Ext ) × (2 × PI × F)² × (C 0 + C L )²Note:If R Ext is too low, there is no power dissipation in the crystal. If R Ext is too high, there is no oscillation: the oscillation condition is not reached.4.5 Startup timeIt is the time that take the oscillations to start and become stable. This time is longer for aquartz than for a ceramic resonator. It depends on the external components: C L1 and C L2. The startup time also depends on the crystal frequency and decreases as the frequency rises. It also depends on the type of crystal used: quartz or ceramic resonator (the startup time for a quartz is very long compared to that of a ceramic resonator). Startup problems are usually due to the gain margin (as explained previously) linked to C L1 and C L2 being too small or too large, or to ESR being too high.The startup times of crystals for frequencies in the MHz range are within the ms range.The startup time of a 32 kHz crystal is within the 1 s to 5 s range.4.6 Crystal pullabilityPullability refers to the change in frequency of a crystal in the area of usual parallelresonance. It is also a measure of its frequency change for a given change in loadcapacitance. A decrease in load capacitance causes an increase in frequency. Conversely, an increase in load capacitance causes a decrease in frequency. Pullability is given by the following formula:Pullability PPM pF ⁄()C m 6×102C 0C L +()2×--------------------------------------=AN2867Easy guideline for the selection of suitable crystal and external componentsDoc ID 15287 Rev 315/235Easy guideline for the selection of suitable crystal and external componentsThis section gives a recommended procedure to select suitable crystal/external components. The whole procedure is divided into three main steps:Step1: Calculate the gain margin(please refer to Section 4.3: Gain margin of the oscillator )●Choose a crystal and go to the references (chosen crystal + microcontrollerdatasheets)●Calculate the oscillator gain margin and check if it greater than 5:If Gain margin < 5, the crystal is not suitable, choose another with a lower ESR or/and a lower C L . Redo step 1.If Gain margin > 5, go to step 2.Step2: Calculate the external load capacitors(please refer to Section 4.2: Load capacitor CL )Calculate C L1 and C L2 and check if they match the exact capacitor value on market or not:●If you found the exact capacitor value then the oscillator will oscillate at the exact expected frequency. Y ou can proceed to step 3.●If you did not find the exact value and:–frequency accuracy is a key issue for you, you can use a variable capacitor to obtain the exact value. Then you can proceed to step 3.–frequency accuracy is not critical for you, choose the nearest value found on market and go to step 3.Step3: Calculate the drive level and external resistor(please refer to Section 4.4: Drive level DL and external resistor RExt calculation )●Compute DL and check if is greater or lower than DL crystal :–If DL <DL crystal , no need for an external resistor. Congratulations you have found a suitable crystal.–If DL >DL crystal , you should calculate R Ext in order to have: DL < DL crystal . Y ou should then recalculate the gain margin taking R Ext into account.If you find that gain margin > 5, congratulations, you have found a suitable crystal. If not, then this crystal will not work and you have to choose another. Return to step 1 to run the procedure for the new crystal.16/23Doc ID 15287 Rev 36Some recommended crystals for STM32™ microcontrollers6.1 HSE part6.1.1 Part numbers of recommended 8 MHz crystals6.1.2 Part numbers of recommended 8 MHz ceramic resonatorsTable 7 and Table 8 give the references of recommended CERALOCK ® ceramic resonatorfor the STM32™ microcontrollers provided and certified by Murata.Table 3.EPSON ®Part numberESR C L C 0Gain marginPackage MA-406 or MA-505 or MA-506 (8 MHz)80 Ω10 pF5 pF137.4SMDTable 4.HOSONIC ELECTRONICPart numberESR C L C 0Gain marginPackage HC-49S-8 MHz80 Ω10 pF7 pF107Through-holeTable 5.CTS ®Part number ESR C L C 0Gain marginPackage A TS08A 60 Ω20 pF 7 pF 56.9Through-holeA TS08ASM60 Ω20 pF7 pF56.9SMDTable 6.FOXElectronics ®Part number ESR C L C 0Gain marginPackage FOXSLF/080-2080 Ω20 pF 7 pF 43.1Through-holeFOXSDLF/080-2080 Ω20 pF 7 pF 43.1SMD PFXLF/080-2080 Ω20 pF7 pF43.1SMDTable 7.Recommendable condition (for consumer)Part numberC LPackage CSTCE8M00G55-R0Embedded load capacitors C L1 = C L2 = 33 pFSMDTable 8.Recommendable condition (for CAN bus)Part numberC LPackage CSTCE8M00G15C**-R0(1)1.Refer to the datasheet of the resonator for details on the two asterisks.Embedded load capacitors C L1 = C L2 = 33 pFSMDDoc ID 15287 Rev 317/23For other Murata resonators recommended for STM32 microcontrollers, please refer to the following link:http://search.murata.co.jp/Ceramy/ICListAction.do?sKeyHin=STM32&sKeyMak=ST -MICROELECTRONICS&sLang=en&sParam=STM326.1.3 Part numbers of recommended 25MHz crystals(Ethernet applications)6.1.4Part numbers of recommended 14.7456MHz crystals (audio applications)Table 9.HOSONIC ELECTRONICPart number ESR C L C 0Gain marginPackage 6FA25000F10M1140 Ω10pF 7pF 21.91SMD SA25000F10M1140 Ω10pF7pF21.91Through-holeTable 10.FOXElectronics ®Part number ESR C L C 0Gain marginPackage FOXSLF/250F-2030 Ω20 pF 7 pF 11.58Through-holeFOXSDLF/250F-2030 Ω20 pF 7 pF 11.58SMD PFXLF250F-2030 Ω20 pF7 pF11.58SMDTable 11.CTS ®Part number ESR C L C 0Gain marginPackage A TS25A 30 Ω20 pF 7 pF 11.58Through-holeA TS25ASM30 Ω20 pF7 pF11.58SMDTable 12.FOXElectronics ®Part number ESR C L C 0Gain marginPackage FOXSLF/147-2040 Ω20 pF 7 pF 24.97Through-holeFOXSDLF/147-2040 Ω20 pF7 pF24.97SMDTable 13.ABRACON™Part number ESR C L C 0Gain marginPackage ABMM2-14.7456MHz50 Ω18 pF7 pF29.3SMD。
晶体振荡器的设计.
1.课程设计的目的 (3)2.课程设计的内容 (3)3.课程设计原理 (3)4.课程设计的步骤或计算 (5)5.课程设计的结果与结论 (11)6.参考文献 (16)一、设计的目的设计一个晶振频率为20MHz,输出信号幅度≥5V(峰-峰值),可调的晶体振荡器二、设计的内容本次课程设计要求振荡器的输出频率为20Mhz,属于高频范围。
所以选择LC振荡器作为参考对象,再考虑输出频率和振幅的稳定性,最终选择了克拉泼振荡器。
通过ORCAD 的设计与仿真,Protel绘制PCB版图,得到了与理论值比较相近的结果,这表明电路的原理设计是比较成功的,本次课程设计也是比较成功的。
三、设计原理1.振荡器的概述在电子线路中,除了要有对各种电信号进行放大的电子线路外,还需要有在没有激励信号的情况下产生周期性振荡信号的电子线路,这种电子线路就是振荡器。
振荡器是一种能量转换器,它不需要外部激励就能自动地将直流电源共给的功率转换为制定频率和振幅的交流信号功率输出。
振荡器一般由晶体管等有源器件和某种具有选频能力的无源网络组成。
振荡器的种类很多,根据工作原理可分为反馈型振荡器和负阻型振荡器,根据所产生的波形可分为正弦波振荡器和非正弦波振荡器;根据选频网络可分为LC振荡器﹑晶体振荡器﹑RC振荡器等。
2.振荡器的振荡条件反馈型振荡器的原理框图如下:图1.1 反馈型振荡器的原理框图如图1,放大器的电压放大倍数为K(s),反馈网络的电压反馈系数为F(s),则闭环电压放大倍数Ku(s)的表达式为[1]:K u (s)=)()(s Us s Uo ( 1—1) 由 K(s)=)()(s Ui s Uo (1—2) F(s)=)()(s Uo s i U ' (1—3)U i(s)=U s (s)+)(s i U ' (1—4)得 K u (s)=)()(1)(s F s K s K -=)(1)(s T s K - (1—5)其中T(s)=K(s)F(s)=)()(s Ui s i U ' (1—6) 称为反馈系统的环路增益。
晶振选则和设计概要
晶体振荡器(晶振)的工作原理石英晶体振荡器是高精度和高稳定度的振荡器,被广泛应用于彩电、计算机、遥控器等各类振荡电路中,以及通信系统中用于频率发生器、为数据处理设备产生时钟信号和为特定系统提供基准信号。
一、石英晶体振荡器的基本原理1、石英晶体振荡器的结构石英晶体振荡器是利用石英晶体(二氧化硅的结晶体)的压电效应制成的一种谐振器件,它的基本构成大致是:从一块石英晶体上按一定方位角切下薄片(简称为晶片,它可以是正方形、矩形或圆形等),在它的两个对应面上涂敷银层作为电极,在每个电极上各焊一根引线接到管脚上,再加上封装外壳就构成了石英晶体谐振器,简称为石英晶体或晶体、晶振。
其产品一般用金属外壳封装,也有用玻璃壳、陶瓷或塑料封装的。
2、压电效应若在石英晶体的两个电极上加一电场,晶片就会产生机械变形。
反之,若在晶片的两侧施加机械压力,则在晶片相应的方向上将产生电场,这种物理现象称为压电效应。
如果在晶片的两极上加交变电压,晶片就会产生机械振动,同时晶片的机械振动又会产生交变电场。
在一般情况下,晶片机械振动的振幅和交变电场的振幅非常微小,但当外加交变电压的频率为某一特定值时,振幅明显加大,比其他频率下的振幅大得多,这种现象称为压电谐振,它与LC回路的谐振现象十分相似。
它的谐振频率与晶片的切割方式、几何形状、尺寸等有关。
3、符号和等效电路当晶体不振动时,可把它看成一个平板电容器称为静电电容C,它的大小与晶片的几何尺寸、电极面积有关,一般约几个PF到几十PF。
当晶体振荡时,机械振动的惯性可用电感L来等效。
一般L的值为几十mH 到几百mH。
晶片的弹性可用电容C来等效,C的值很小,一般只有0.0002~0.1pF。
晶片振动时因摩擦而造成的损耗用R来等效,它的数值约为100Ω。
由于晶片的等效电感很大,而C很小,R也小,因此回路的品质因数Q很大,可达1000~10000。
加上晶片本身的谐振频率基本上只与晶片的切割方式、几何形状、尺寸有关,而且可以做得精确,因此利用石英谐振器组成的振荡电路可获得很高的频率稳定度。
晶振振荡电路的设计
晶振振荡电路的设计1 晶振的等效电气特性 (1) 概念 [1] 晶片,石英晶体或晶体、晶振、石英晶体谐振器 从一块石英晶体上按一定方位角切下薄片。
[2] 晶体振荡器 在封装内部添加IC组成振荡电路的晶体元件称为晶体振荡器。
(2) 晶振的等效电路 Figure1. 晶振的等效电路 Figure 1展示了晶振等效的电路。
R是有效的串联电阻,L和C分别是电感和电容动态元件。
CP 是晶振电极的分流电容。
(3) 晶振等效电路的特殊状态 Figure2是Figure 1电路中的阻抗频率图,不分析得出此图规律的过程(原理)。
Figure2. 晶振的阻抗VS 频率图 [1] 串联谐振频率 根据Figure 2,当晶振工作在串联谐振(《电路基础》)状态(XC=XL)下时电路就似一个纯电阻电路。
串联谐振的频率为: [2] 并联谐振频率 Figure 2中体现了随着频率小范围的升高,Figure1所示电路出现了并联谐振。
此时的频率为fa(不分析电路产生并联谐振的过程)。
[3] 串联谐振与并联谐振之间的频率并联CL的并联谐振 Figure1所示电路有两个谐振点,以频率的高低分其中较低的频率为串联谐振,较高的频率为并联谐振。
由于晶体自身的特性致使这两个频率的距离相当的接近,在这个极窄的频率范围内(fs - fa),晶振等效为一个电感(不分析WHY),所以只要晶振的两端并联上合适的电容CL它就会组成新的并联谐振电路。
此时发生并联谐振的频率的计算公式为: MX-COM的所有的晶振振荡器都推荐使用晶振的并联谐振模式。
2 晶振电路的设计 (1) 推荐的晶振振荡器电路 Figure3. 晶振振荡器设计电路 图示中,没在红方框之内部分电路一般都被集成在芯片(如STM3210xxx)内部。
若电阻部分没有被集成在芯片内部,则需要考虑将电阻部分加入。
Rf的值在500KΩ ~ 2MΩ。
图示的C1,C2就是为晶振工作在并联谐振状态下得到加载电容CL的电容。
晶体振荡器电路+PCB布线设计指南
AN2867应用笔记ST微控制器振荡器电路设计指南前言大多数设计者都熟悉基于Pierce(皮尔斯)栅拓扑结构的振荡器,但很少有人真正了解它是如何工作的,更遑论如何正确的设计。
我们经常看到,在振荡器工作不正常之前,多数人是不愿付出太多精力来关注振荡器的设计的,而此时产品通常已经量产;许多系统或项目因为它们的晶振无法正常工作而被推迟部署或运行。
情况不应该是如此。
在设计阶段,以及产品量产前的阶段,振荡器应该得到适当的关注。
设计者应当避免一场恶梦般的情景:发往外地的产品被大批量地送回来。
本应用指南介绍了Pierce振荡器的基本知识,并提供一些指导作法来帮助用户如何规划一个好的振荡器设计,如何确定不同的外部器件的具体参数以及如何为振荡器设计一个良好的印刷电路板。
在本应用指南的结尾处,有一个简易的晶振及外围器件选型指南,其中为STM32推荐了一些晶振型号(针对HSE及LSE),可以帮助用户快速上手。
目录ST微控制器振荡器电路设计指南目录1石英晶振的特性及模型32振荡器原理53Pierce振荡器64Pierce振荡器设计74.1反馈电阻R F74.2负载电容C L74.3振荡器的增益裕量84.4驱动级别DL外部电阻R Ext计算84.4.1驱动级别DL计算84.4.2另一个驱动级别测量方法94.4.3外部电阻R Ext计算 104.5启动时间104.6晶振的牵引度(Pullability) 10 5挑选晶振及外部器件的简易指南 11 6针对STM32™微控制器的一些推荐晶振 126.1HSE部分126.1.1推荐的8MHz晶振型号 126.1.2推荐的8MHz陶瓷振荡器型号 126.2LSE部分12 7关于PCB的提示 13 8结论141 石英晶振的特性及模型石英晶体是一种可将电能和机械能相互转化的压电器件,能量转变发生在共振频率点上。
它可用如下模型表示:图1石英晶体模型C0:等效电路中与串联臂并接的电容(译注:也叫并电容,静电电容,其值一般仅与晶振的尺寸有关)。
圆柱晶振 直插晶振
圆柱晶振直插晶振下载温馨提示:该文档是我店铺精心编制而成,希望大家下载以后,能够帮助大家解决实际的问题。
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晶振设计
1.振荡器类型
振荡方式
低功耗振荡LP(Low Power)
标准晶体振荡XT(Crystal/Resonator)
高速晶体振荡HS (High Speed)
阻容振荡 RC(Resistor/Capacitor)
1.1典型的外部并行谐振振荡电路.
74AS04反相器以来实现振荡器所需的180°相移,4.7KΩ的电阻用来提供负反馈给反相器,10KΩ的电位器用来提供偏压,从而使反相器74AS04工作在线性范围内。
1.2典型的外部串行谐振振荡电路.
74AS04反相器用来提供振荡器所需的180°相移, 330Ω的电阻用来提供负反馈,同时偏置电压。
1.3 RC振荡:
如果R EXT低于2.2KΩ,振荡器将处于不稳定工作状态,甚至停振。
而R EXT大于1M[时,振荡器又易受噪声、湿度、漏电流的干扰。
因此,电阻R EXT取值最好在3KΩ~100KΩ范围内。
在不接外部电容时,振荡器仍可工作,但为了抗干扰及保证稳定性,建议接一20PF以上的电容。
其中,EN 为势能信号,其 Active 为“1”,振荡频率取决于 R C 的值,经验近似估算值为 T=2.2RC,在实际IC DESIGN 时,常常把 R C 都做在 IC 内部,但是,留两个PAD在外面,可以通过调整并联在外的电阻值来微调频率。
此为单稳态形振荡器,必须输入一个触发信号VIN,“HIGH”PULSE,其宽度要求大于门延迟(GATE DELAY)一倍以上即可,之后便可以一直振荡下去,除非VIN输入端为固定高电平时才停止振荡
有 GATE 的传输延迟形成自激振荡,这样,只要能调整延迟时间的大小,就可控制振荡频率。
振荡器基本上是一个具负反馈的放大器,由于 Loop Gain 在大小上大于“1”,而相位等于 360 度时,此时不需要外界的信号,自然就造成一稳定的振荡信号,因此振荡器的结构必须包括:
A、在振荡频率下具有功率增益的主动元件。
B、振荡频率的决定元件。
C、振荡振幅的限制、稳定元件。
2.常见问题分析
2.1:如何选择晶体?
对于一个高可靠性的系统设计,晶体的选择非常重要,尤其设计带有睡眠唤醒(往往用低电压以求低功耗)的系统。
这是因为低供电电压使提供给晶体的激励功率减少,造成晶体起振很慢或根本就不能起振。
这一现象在上电复位时并不特别明显,原因时上电时电路有足够的扰动,很容易建立振荡。
在睡眠唤醒时,电路的扰动要比上电时小得多,起振变得很不容易。
在振荡回路中,晶体既不能过激励(容易振到高次谐波上)也不能欠激励(不容易起振)。
晶体的选择至少必须考虑:谐振频点,负载电容,激励功率,温度特性,长期稳定性。
Clock Source Accuracy Advantages Disadvantages
Crystal Medium to High Low cost Sensitive to EMI, vibration, damp Drive circuit matching
Crystal Oscillator Module Medium to High
Insensitive to EMI, damp.
No additional components or
matching issues.
High cost
High power consumption Sensitive to
Vibration Large size
Ceramic Resonator Medium Lower cost Sensitive to EMI, vibration, damp Drive circuit matching
Silicon Oscillator Low to Medium Insensitive to EMI,
vibration, damp Fast startup
Small size/no additional
components or matching
issues.
Temperature sensitivity generally
worse than crystal and ceramic
resonator types.
High supply current with some types.
RC Oscillator Very Low Lowest cost Usually sensitive to EMI, vibration,
2.2:如何判断晶振是否被过分驱动?
电阻RS常用来防止晶振被过分驱动。
过分驱动晶振会渐渐损耗减少晶振的接触电镀,这将引起频率的上升。
可用一台示波器检测OSC输出脚,如果检测一非常清晰的正弦波,且正弦波的上限值和下限值都符合时钟输入需要,则晶振未被过分驱动;相反,如果正弦波形的波峰,波谷两端被削平,而使波形成为方形,则晶振被过分驱动。
这时就需要用电阻RS来防止晶振被过分驱动。
判断电阻RS值大小的最简单的方法就是串联一个5k或10k的微调电阻,从0开始慢慢调高,一直到正弦波不再被削平为止。
通过此办法就可以找到最接近的电阻RS值。
2.3:如何选择电容C1,C2?
(1):因为每一种晶振都有各自的特性,所以最好按制造厂商所提供的数值选择外部元器件。
(2):在许可范围内,C1,C2值越低越好。
C值偏大虽有利于振荡器的稳定,但将会增加起振时间。
(3):应使C2值大于C1值,这样可使上电时,加快晶振起振。
这里介绍一种AM发射机电路,频率稳定、电路简单、制作容易、无须调试即可成功。
可用于收音机调试及刻度盘校对等。
发射机电路采用一片CD4049反向器,使电路特别简单。
电路射频振荡器使用反向器III,射频振荡器的频率受到1MHz 晶振的控制。
IV和V号反向器组成放大整形电路,以改善效果。
I和II号反向器以及外围的R1、R2、C1组成音频振荡器,对射频信号进行调治。
天线可以使用几英寸长的电线。
只要改变晶振的振荡频率就可以改变发射器的频率(晶振的频率可以取2MHz、3MHz等等,最大可以到10MHz),因此只要换上合适的晶振,电路也可以校验收音机的SW频段。
(注:素材和资料部分来自网络,供参考。
请预览后才下载,期待你的好评与关注!)。