双向可控硅的原理-二三极管原理
双向可控硅的工作原理及原理图
双向可控硅的工作原理及原理图双向可控硅（Bilateral Triode Thyristor，简称BTT）是一种特殊的可控硅器件，其工作原理和应用领域在电力电子领域具有重要意义。
本文将详细介绍双向可控硅的工作原理，并提供相应的原理图。
一、双向可控硅的工作原理双向可控硅是一种四层PNPN结构的半导体器件。
它由两个PN结组成，每一个PN结都有一个控制极和一个主极。
其工作原理如下：1. 静态工作原理：当双向可控硅两个主极之间的电压为正向时，即正向工作状态，两个PN结之间的结电容会妨碍电流的流动，双向可控硅处于关断状态。
当双向可控硅两个主极之间的电压为反向时，即反向工作状态，两个PN结之间的结电容充电，当电压达到一定的阈值时，双向可控硅会进入导通状态。
2. 动态工作原理：当双向可控硅处于导通状态时，惟独当两个主极之间的电流方向与PN结的导通方向一致时，双向可控硅才干正常导通。
当双向可控硅导通后，惟独当两个主极之间的电流方向与PN结的导通方向相反时，双向可控硅才干正常关断。
二、双向可控硅的原理图下面是一种常见的双向可控硅的原理图，用于说明其电路连接方式和控制方式。
```+----|>|----|>|----+| || || |+----|<|----|<|----+```在上述原理图中，两个箭头表示双向可控硅的两个主极，箭头方向表示电流的流动方向。
两个箭头之间的线段表示PN结。
三、双向可控硅的应用领域双向可控硅由于其双向导通的特性，在电力电子领域有广泛的应用。
以下是一些常见的应用领域：1. 交流电控制：双向可控硅可以用于交流电的控制，例如交流电的调光、机电的调速等。
2. 电力系统：双向可控硅可以用于电力系统中的电压和电流控制，例如电力调度、电力传输等。
3. 电力电子变换器：双向可控硅可以用于电力电子变换器中的电流控制，例如直流-交流变换器、交流-直流变换器等。
4. 光伏发电系统：双向可控硅可以用于光伏发电系统中的电流控制，例如光伏逆变器、光伏充电控制器等。
双向可控硅的工作原理及原理图
双向可控硅得工作原理及原理图双向可控硅得工作原理1、可控硅就是P1N1Ｐ2N2四层三端结构元件,共有三个ＰＮ结,分析原理时，可以把它瞧作由一个ＰNＰ管与一个ＮPＮ管所组成当阳极A加上正向电压时，BG1与BG2管均处于放大状态。
此时，如果从控制极G输入一个正向触发信号，BＧ2便有基流ib2流过,经BG2放大,其集电极电流ic２=β２ｉｂ２。
因为ＢG２得集电极直接与ＢG１得基极相连,所以ib1＝ic2。
此时，电流ｉc2再经BG1放大,于就是BG1得集电极电流iｃ1=β1iｂ1=β1β2ｉｂ2。
这个电流又流回到BG２得基极,表成正反馈,使ｉｂ２不断增大，如此正向馈循环得结果，两个管子得电流剧增,可控硅使饱与导通.由于BG1与BG２所构成得正反馈作用，所以一旦可控硅导通后,即使控制极G得电流消失了,可控硅仍然能够维持导通状态，由于触发信号只起触发作用,没有关断功能，所以这种可控硅就是不可关断得。
由于可控硅只有导通与关断两种工作状态，所以它具有开关特性,这种特性需要一定得条件才能转化2,触发导通在控制极Ｇ上加入正向电压时（见图5）因J3正偏，P2区得空穴时入Ｎ2区,N2区得电子进入Ｐ2区,形成触发电流IGT。
在可控硅得内部正反馈作用（见图2）得基础上,加上IGT得作用，使可控硅提前导通,导致图3得伏安特性OA 段左移,ＩＧＴ越大,特性左移越快。
TＲIAC得特性ﻫ什么就是双向可控硅：ＩAＣ(TRI—ELＥCTROＤＥAＣSWIＴCH）为三极交流开关,亦称为双向晶闸管或双向可控硅。
TRIＡC为三端元件,其三端分别为T1（第二端子或第二阳极），T 2(第一端子或第一阳极）与G(控制极）亦为一闸极控制开关，与ＳCR最大得不同点在于ＴRIＡC无论于正向或反向电压时皆可导通,其符号构造及外型,如图1所示。
因为它就是双向元件，所以不管T1 ,Ｔ2得电压极性如何，若闸极有信号加入时,则T1,T２间呈导通状态；反之,加闸极触发信号，则T１,T2间有极高得阻抗。
双向可控硅的工作原理及原理图
双向可控硅的工作原理及原理图双向可控硅（Bilateral Switching Thyristor，简称BRT）是一种常用的电子器件，它可以在两个方向上进行控制和导通。
本文将详细介绍双向可控硅的工作原理及原理图。
一、工作原理双向可控硅由四个PN结组成，它的结构与普通的可控硅相似。
双向可控硅的两个PN结被称为主结，另外两个PN结被称为辅助结。
主结的结构与普通的PN结相同，而辅助结则是由NPN和PNP两个晶体管组成。
当双向可控硅的两个主结之间施加正向电压时，主结之间的电流将被导通。
此时，辅助结中的PNP晶体管处于饱和状态，起到了辅助导通的作用。
当施加反向电压时，主结之间的电流将被阻断。
双向可控硅的控制是通过控制辅助结中的NPN晶体管来实现的。
当NPN晶体管的基极电流大于一定阈值时，NPN晶体管将处于饱和状态，从而导致辅助结中的PNP晶体管饱和，主结之间的电流将被导通。
当NPN晶体管的基极电流小于阈值时，NPN晶体管将截止，导致辅助结中的PNP晶体管截止，主结之间的电流将被阻断。
二、原理图以下是双向可控硅的原理图示意图：```+-----+| |A ----| |---- C| |+-----+| |B D```在原理图中，A和C分别代表双向可控硅的两个主结，B和D分别代表辅助结中的NPN和PNP晶体管。
三、应用场景双向可控硅由于其双向导通的特性，在电子电路中有着广泛的应用。
以下是几个常见的应用场景：1. 交流电控制：双向可控硅可以用于交流电的控制，例如调光、电机控制等。
通过控制双向可控硅的导通和阻断，可以实现对交流电的精确控制。
2. 电子开关：双向可控硅可以作为电子开关使用，用于控制电路的开关状态。
通过控制双向可控硅的导通和阻断，可以实现电路的开关控制。
3. 电压调整：双向可控硅可以用于电压的调整和稳定。
通过控制双向可控硅的导通和阻断，可以调整电路中的电压值，实现对电压的精确控制。
四、总结双向可控硅是一种常用的电子器件，具有双向导通的特性。
光耦双向可控硅
光耦双向可控硅光耦双向可控硅是一种常用的半导体器件，它具有双向导通能力和隔离保护功能。
本文将从以下几个方面对光耦双向可控硅进行详细介绍。
一、光耦双向可控硅的基本概念光耦双向可控硅（Bilateral Triode Thyristor，BTT）是一种集成了三极管和双向可控硅（Triac）的半导体器件。
它具有两个PNP结和一个NPN结，可以实现正向和反向电流的导通。
同时，它还具有隔离保护功能，可以有效地隔离高压电路和低压电路。
二、光耦双向可控硅的结构与工作原理1. 结构光耦双向可控硅由两部分组成：输入端和输出端。
输入端包括一个LED发光二极管和一个NPN晶体管，输出端包括一个Triac。
2. 工作原理当输入端施加正向电压时，LED发光二极管发出红外线信号照射到输出端的Triac门极上，使其触发，并使其导通。
此时，输出端的A1、A2两个引脚之间的电路就会形成一条导通通路，从而使负载得到电源供电。
反之，当输入端施加反向电压时，LED发光二极管不发光，Triac无法触发，输出端不导通。
三、光耦双向可控硅的特点1. 双向导通能力光耦双向可控硅具有双向导通能力，可以实现正向和反向电流的导通。
这种特性使得它在交流电路中能够起到很好的作用。
2. 隔离保护功能光耦双向可控硅具有隔离保护功能，可以有效地隔离高压电路和低压电路。
这种特性使得它在工业自动化、家用电器等领域广泛应用。
3. 触发灵敏度高光耦双向可控硅的LED发光二极管具有较高的灵敏度，只需要很小的输入信号就可以触发输出端的Triac。
4. 体积小、重量轻光耦双向可控硅体积小、重量轻，在应用中非常方便。
四、光耦双向可控硅的应用领域1. 家用电器光耦双向可控硅在家用电器中的应用非常广泛，如电热水器、电吹风、微波炉等。
2. 工业自动化光耦双向可控硅在工业自动化中的应用也很广泛，如机床控制、PLC系统等。
3. 照明控制光耦双向可控硅可以用于照明控制，如灯光调节、定时开关等。
双向可控硅的工作原理及原理图
双向可控硅的工作原理及原理图双向可控硅（Bilateral Switch）是一种常用的半导体器件，它具有双向导通的特性，可以在两个方向上控制电流的流动。
在电子电路中，双向可控硅常用于交流电的控制和开关电路中。
一、双向可控硅的工作原理双向可控硅由两个PN结组成，其中一个PN结正向偏置，另一个PN结反向偏置。
当双向可控硅的正向电压超过其额定触发电压时，正向PN结会发生击穿，形成一个电流通路，此时双向可控硅处于导通状态。
当正向电压降低到一定程度时，正向PN结会恢复正常，双向可控硅进入封锁状态，不导电。
双向可控硅的工作原理可以通过以下几个步骤来解释：1. 初始状态：双向可控硅处于封锁状态，两个PN结都没有击穿，不导电。
2. 正向触发：当正向电压超过双向可控硅的额定触发电压时，正向PN结会发生击穿，形成一个电流通路。
此时，双向可控硅进入导通状态，电流可以从正向PN结流向负向PN结。
3. 反向触发：当反向电压超过双向可控硅的额定触发电压时，反向PN结会发生击穿，形成一个电流通路。
此时，双向可控硅同样处于导通状态，电流可以从负向PN结流向正向PN结。
4. 关断状态：当正向电压降低到一定程度时，正向PN结恢复正常，双向可控硅进入封锁状态，不导电。
同样地，当反向电压降低到一定程度时，反向PN结恢复正常，双向可控硅同样进入封锁状态，不导电。
二、双向可控硅的原理图双向可控硅的原理图如下所示：```+---|>|---|<|---+| |+---|<|---|>|---+```在原理图中，上方的箭头表示正向电流的流动方向，下方的箭头表示反向电流的流动方向。
双向可控硅由两个PN结组成，其中一个PN结正向偏置，另一个PN 结反向偏置。
通过控制正向电压和反向电压的大小，可以实现对双向可控硅的导通和封锁状态的控制。
三、双向可控硅的应用双向可控硅在电子电路中有广泛的应用。
以下是几个常见的应用场景：1. 交流电控制：双向可控硅可以用于交流电的控制，例如调光灯、电动窗帘等。
双向可控硅的工作原理及原理图
双向可控硅的工作原理及原理图双向可控硅（Bilateral Switching Thyristor，简称BST）是一种具有双向导通能力的半导体器件。
它在电力控制、电子调光、机电控制等领域有广泛的应用。
本文将详细介绍双向可控硅的工作原理及原理图。
一、工作原理双向可控硅由四个PN结组成，分别是两个P区和两个N区。
它具有两个控制极，即门极G和门极G'。
当G极和G'极之间施加正向电压时，双向可控硅处于导通状态；当G极和G'极之间施加反向电压时，双向可控硅处于关断状态。
在导通状态下，当正向电压施加在A极，负向电压施加在K极时，双向可控硅处于正向导通状态；当正向电压施加在K极，负向电压施加在A极时，双向可控硅处于反向导通状态。
换言之，双向可控硅可以实现双向导通。
双向可控硅的导通状态由控制极G和G'之间的电压决定。
当控制极G和G'之间的电压超过一定阈值时，双向可控硅将开始导通。
此时，只需保持控制极之间的电压在一定范围内，双向可控硅将向来保持导通状态。
二、原理图下面是一种常见的双向可控硅的原理图：```+-------+| |A--+ +--K| |G--+ +--G'| |+-------+```在上述原理图中，A极和K极分别表示双向可控硅的两个电极，G极和G'极分别表示双向可控硅的两个控制极。
三、应用示例1. 电力控制：双向可控硅可以用于电力控制领域，如电炉温控、电动机控制等。
通过控制控制极G和G'之间的电压，可以实现对电力的精确控制。
2. 电子调光：双向可控硅可以用于电子调光领域，如室内照明控制、舞台灯光控制等。
通过控制控制极G和G'之间的电压，可以实现对灯光亮度的调节。
3. 机电控制：双向可控硅可以用于机电控制领域，如直流机电控制、交流机电控制等。
通过控制控制极G和G'之间的电压，可以实现对机电的启停和转速控制。
以上仅为双向可控硅的工作原理及原理图的简要介绍。
双向可控硅的工作原理及原理图
双向可控硅的工作原理及原理图双向可控硅的工作原理1、可控硅就是P1N1P2N2四层三端结构元件,共有三个PN结,分析原理时,可以把它瞧作由一个PNP管与一个NPN管所组成当阳极A加上正向电压时,BG1与BG2管均处于放大状态。
此时,如果从控制极G 输入一个正向触发信号,BG2便有基流ib2流过,经BG2放大,其集电极电流ic2=β2ib2。
因为BG2的集电极直接与B G1的基极相连,所以ib1=ic2。
此时,电流ic2再经BG1放大,于就是BG1的集电极电流ic1=β1ib1=β1β2ib2。
这个电流又流回到BG2的基极,表成正反馈,使ib2不断增大,如此正向馈循环的结果,两个管子的电流剧增,可控硅使饱与导通。
由于BG1与BG2所构成的正反馈作用,所以一旦可控硅导通后,即使控制极G的电流消失了,可控硅仍然能够维持导通状态,由于触发信号只起触发作用,没有关断功能,所以这种可控硅就是不可关断的。
由于可控硅只有导通与关断两种工作状态,所以它具有开关特性,这种特性需要一定的条件才能转化2,触发导通在控制极G上加入正向电压时(见图5)因J3正偏,P2区的空穴时入N2区,N2区的电子进入P2区,形成触发电流IGT。
在可控硅的内部正反馈作用(见图2)的基础上,加上IGT的作用,使可控硅提前导通,导致图3的伏安特性OA段左移,IGT越大,特性左移越快。
TRIAC的特性什么就是双向可控硅:IAC(TRI-ELECTRODE AC SWITCH)为三极交流开关,亦称为双向晶闸管或双向可控硅。
TRI AC为三端元件,其三端分别为T1(第二端子或第二阳极),T 2(第一端子或第一阳极)与G(控制极)亦为一闸极控制开关,与SCR最大的不同点在于TRIAC无论于正向或反向电压时皆可导通,其符号构造及外型,如图1所示。
因为它就是双向元件,所以不管T1 ,T2的电压极性如何,若闸极有信号加入时,则T1 ,T2间呈导通状态;反之,加闸极触发信号,则T1 ,T2间有极高的阻抗。
双向可控硅的工作原理及原理图
双向可控硅的工作原理及原理图双向可控硅的工作原理1、可控硅就是P1N1P2N2四层三端结构元件,共有三个PN结,分析原理时,可以把它瞧作由一个PNP管与一个NPN管所组成当阳极A加上正向电压时,BG1与BG2管均处于放大状态。
此时,如果从控制极G 输入一个正向触发信号,BG2便有基流ib2流过,经BG2放大,其集电极电流ic2=β2ib2。
因为BG2的集电极直接与B G1的基极相连,所以ib1=ic2。
此时,电流ic2再经BG1放大,于就是BG1的集电极电流ic1=β1ib1=β1β2ib2。
这个电流又流回到BG2的基极,表成正反馈,使ib2不断增大,如此正向馈循环的结果,两个管子的电流剧增,可控硅使饱与导通。
由于BG1与BG2所构成的正反馈作用,所以一旦可控硅导通后,即使控制极G的电流消失了,可控硅仍然能够维持导通状态,由于触发信号只起触发作用,没有关断功能,所以这种可控硅就是不可关断的。
由于可控硅只有导通与关断两种工作状态,所以它具有开关特性,这种特性需要一定的条件才能转化2,触发导通在控制极G上加入正向电压时(见图5)因J3正偏,P2区的空穴时入N2区,N2区的电子进入P2区,形成触发电流IGT。
在可控硅的内部正反馈作用(见图2)的基础上,加上IGT的作用,使可控硅提前导通,导致图3的伏安特性OA段左移,IGT越大,特性左移越快。
TRIAC的特性什么就是双向可控硅:IAC(TRI-ELECTRODE AC SWITCH)为三极交流开关,亦称为双向晶闸管或双向可控硅。
TRI AC为三端元件,其三端分别为T1(第二端子或第二阳极),T 2(第一端子或第一阳极)与G(控制极)亦为一闸极控制开关,与SCR最大的不同点在于TRIAC无论于正向或反向电压时皆可导通,其符号构造及外型,如图1所示。
因为它就是双向元件,所以不管T1 ,T2的电压极性如何,若闸极有信号加入时,则T1 ,T2间呈导通状态;反之,加闸极触发信号,则T1 ,T2间有极高的阻抗。
双向可控硅的工作原理及原理图
双向可控硅的工作原理及原理图双向可控硅（SCR）是一种半导体器件，常用于交流电路中的功率控制和开关。
它具有双向导通性，可以控制交流电路中的电流，从而实现电路的开关和调节。
本文将介绍双向可控硅的工作原理及原理图。
一、双向可控硅的基本结构1.1 门极：双向可控硅的门极用于控制器件的导通和关断。
1.2 主极：主极是双向可控硅的两个极性端，用于连接电路中的电源和负载。
1.3 控制电路：控制电路通过对门极施加控制信号，控制双向可控硅的导通和关断。
二、双向可控硅的工作原理2.1 导通状态：当双向可控硅的门极接收到正向触发脉冲时，器件将进入导通状态，电流可以从主极1流向主极2。
2.2 关断状态：当双向可控硅的门极接收到负向触发脉冲时，器件将进入关断状态，电流无法通过器件。
2.3 双向导通性：双向可控硅具有双向导通性，可以控制交流电路中的电流方向。
三、双向可控硅的应用3.1 交流电源控制：双向可控硅常用于交流电源控制中，可以实现对电路的精确调节和开关控制。
3.2 电动机控制：双向可控硅可以控制电动机的启动、停止和速度调节，广泛应用于工业控制领域。
3.3 灯光调节：双向可控硅可以用于调节灯光的亮度，实现灯光的调光功能。
四、双向可控硅的原理图4.1 主极1：连接电源的正极。
4.2 主极2：连接电路中的负载。
4.3 门极：用于接收控制信号。
五、双向可控硅的优点5.1 高效率：双向可控硅具有低导通压降和高导通能力，能够实现高效的电路控制。
5.2 可靠性：双向可控硅的结构简单，工作稳定可靠，长寿命。
5.3 灵活性：双向可控硅可以实现对电路的精确控制，适用于各种功率控制和开关应用。
总结：双向可控硅是一种重要的半导体器件，具有双向导通性和精确控制能力，广泛应用于交流电路中的功率控制和开关。
掌握双向可控硅的工作原理及原理图，对于电路设计和控制具有重要意义。
双向可控硅的工作原理及原理图
双向可控硅的工作原理及原理图双向可控硅（Bidirectional Controlled Silicon, BCR）是一种常用的电子器件，广泛应用于电力电子领域。
它具有双向导通的特性，可以控制交流电的正、反向导通和截止，从而实现对电流的控制。
本文将详细介绍双向可控硅的工作原理和原理图。
一、双向可控硅的工作原理双向可控硅由两个PNPN结构的晶体管组成，分别为正向PNPN结构和反向PNPN结构。
当双向可控硅的两个极端施加正向电压时，正向PNPN结构的PN结会导通，电流会从正向PNPN结的P区注入到N区，然后再通过反向PNPN结的N区注入到P区，最终形成P区的电流输出。
反之，当施加反向电压时，反向PNPN结的PN结会导通，电流则从反向PNPN结的P区注入到N区，再通过正向PNPN结的N区注入到P区，实现P区的电流输出。
因此，双向可控硅可以实现正、反向电流的导通和截止。
双向可控硅的导通需要通过控制电流注入或截止来实现。
通常使用一个触发脉冲来控制双向可控硅的导通。
当触发脉冲的幅值高于双向可控硅的触发电压时，双向可控硅会导通。
在导通状态下，双向可控硅的电压降低，形成一个低电阻通路，电流可以通过。
当触发脉冲的幅值低于双向可控硅的触发电压时，双向可控硅会截止，形成一个高电阻状态，电流无法通过。
二、双向可控硅的原理图双向可控硅的原理图如下所示：```+--------|>|--------+| BCR |+--------|<|--------+```在原理图中，BCR代表双向可控硅。
箭头表示PNPN结的正向或反向导通方向。
双向可控硅的两个极端分别连接到电路的输入和输出。
通过控制输入电路中的触发脉冲，可以实现对双向可控硅的导通和截止控制。
三、双向可控硅的应用双向可控硅广泛应用于电力电子领域，特别是交流电调制控制和电力控制系统中。
以下是一些常见的应用场景：1. 交流电调制控制：双向可控硅可以用于交流电的调制控制，通过控制双向可控硅的导通和截止，可以实现对交流电的调制，改变电流的波形和幅值。
双向可控硅工作原理图解
双向可控硅工作原理图解一、引言双向可控硅（Bilateral Switch Diode，简称BSD）是一种特殊的半导体器件，具有双向导通的特性。
它可以在正向和反向电压下都能够可控导通，具有可靠的开关性能和较大的耐压能力。
本文旨在通过深入解析双向可控硅的工作原理，向读者展示其内部结构及关键组成部分，并详细说明其在电路中的应用。
二、双向可控硅的结构与特性2.1 结构双向可控硅由四个半导体元件组成：两个PNP型晶体管和两个NPN型晶体管。
这四个晶体管被连接在一起，形成了双向可控硅的结构。
双向可控硅的结构概览如下图所示：-> NPN|-> PNP|-> NPN|-> PNP2.2 特性双向可控硅具有以下几个主要特性：1.双向导通：双向可控硅能够在正向和反向电压下都能够可控导通，可以用于交流电路中的开关控制。
2.双向触发：双向可控硅在正向和反向触发电压下都可以工作，触发脉冲的极性可以根据不同应用需求选取。
3.可靠性高：双向可控硅具有较高的耐压能力和可靠的开关性能，能够承受较大的电流和电压。
4.响应速度快：双向可控硅具有快速的响应速度，可以迅速实现导通或截止状态的切换。
三、双向可控硅的工作原理3.1 正向电压下的工作原理当正向电压施加在双向可控硅的主电极之间时，两个PNP型晶体管之间的base-emitter结区会被偏置，使得P区中的少数载流子开始注入到N区，形成PN结。
此时，双向可控硅处于导通状态。
3.2 反向电压下的工作原理当反向电压施加在双向可控硅的主电极之间时，两个NPN型晶体管之间的base-emitter结区会被偏置，使得N区中的少数载流子开始注入到P区，形成PN结。
此时，双向可控硅也处于导通状态。
3.3 触发与导通控制双向可控硅的导通状态由触发电压控制。
通过施加一个触发电压脉冲来激活双向可控硅，使其从截止状态切换到导通状态。
触发脉冲的极性可以根据需要选择。
四、双向可控硅的应用4.1 交流电路的开关控制双向可控硅广泛应用于交流电路的开关控制领域。
双向可控硅的工作原理及原理图
双向可控硅的工作原理及原理图引言概述：双向可控硅（Bilateral Switch）是一种常用的电子元件，广泛应用于电路控制和功率调节中。
本文将详细介绍双向可控硅的工作原理和原理图。
一、双向可控硅的基本概念1.1 双向可控硅的定义双向可控硅是一种半导体器件，具有双向导通特性。
它可以在正向和反向电压下都能够控制电流的通断，具有较高的电流承受能力和较低的导通压降。
1.2 双向可控硅的结构双向可控硅由两个PN结组成，形成了一个四层结构。
其中，两个PN结分别称为主结和辅助结。
主结的结型（P型或N型）决定了双向可控硅通电时的导通方向。
1.3 双向可控硅的特性双向可控硅具有以下特性：- 双向导通：在正向和反向电压下都能够控制电流的通断。
- 高电流承受能力：能够承受较大的电流，适用于高功率电路。
- 低导通压降：导通时的电压降低，减少能量损耗。
二、双向可控硅的工作原理2.1 正向导通状态当正向电压施加在主结上时，主结处于正向偏置状态。
此时，主结与辅助结之间的PN结处于反向偏置状态，阻止电流流动。
只有当触发电压施加在控制端时，主结才能导通，电流流过双向可控硅。
2.2 反向导通状态当反向电压施加在主结上时，主结处于反向偏置状态。
此时，主结与辅助结之间的PN结处于正向偏置状态，允许电流流动。
只有当触发电压施加在控制端时，主结才能导通，电流流过双向可控硅。
2.3 关断状态当没有触发电压施加在控制端时，无论正向还是反向电压施加在主结上，双向可控硅都处于关断状态，电流无法通过。
三、双向可控硅的原理图双向可控硅的原理图如下所示：（在此插入双向可控硅的原理图）在原理图中，双向可控硅的主结和辅助结分别用P和N表示。
控制端通过触发电压来控制双向可控硅的导通状态。
四、双向可控硅的应用领域4.1 电路控制双向可控硅可以用于电路的开关控制，例如用于触发器、计时器和触摸开关等电路中。
4.2 电源调节双向可控硅可以用于电源调节，例如用于电压调节器、电流控制器和电能调节器等电路中。
双向可控硅的工作原理及原理图
双向可控硅的工作原理及原理图双向可控硅（Bilateral Controlled Silicon, BCT）是一种常用的半导体器件，广泛应用于电力电子领域。
它具有双向导通特性，可以在正向和反向电压下控制电流的导通和截止。
本文将详细介绍双向可控硅的工作原理及原理图。
一、双向可控硅的工作原理双向可控硅由四个层状结构的半导体材料构成，分别是P型半导体（P），N 型半导体（N），P型半导体（P）和N型半导体（N）。
其中，两个P型半导体层分别与两个N型半导体层形成PN结。
在正向电压作用下，当P1区域施加正向电压，P1-N1结处于正向偏置状态，电子从N1区域注入到P1区域，形成电流。
同时，P2-N2结处于反向偏置状态，电子不能从N2区域注入到P2区域，无法形成电流。
此时，双向可控硅处于导通状态。
在反向电压作用下，当P2区域施加反向电压，P2-N2结处于反向偏置状态，电子从P2区域注入到N2区域，形成电流。
同时，P1-N1结处于正向偏置状态，电子不能从P1区域注入到N1区域，无法形成电流。
此时，双向可控硅处于截止状态。
双向可控硅的导通与截止状态可以通过控制终端之间的触发电压和触发电流来实现。
当触发电压和触发电流达到一定的阈值时，双向可控硅将从截止状态切换到导通状态。
当触发电压和触发电流降低到一定的阈值时，双向可控硅将从导通状态切换到截止状态。
二、双向可控硅的原理图下图为双向可控硅的原理图示意图：```+---|>|---|<|---+| |+---|<|---|>|---+```其中，箭头表示PN结的方向。
在实际电路中，双向可控硅通常由两个PNP型晶体管和两个NPN型晶体管组成。
在原理图中，上方的PNP型晶体管与下方的NPN型晶体管共同构成一个双向可控硅。
当上方的PNP型晶体管的基极接收到正向触发电压时，PNP型晶体管将导通，形成正向电流。
当下方的NPN型晶体管的基极接收到反向触发电压时，NPN型晶体管将导通，形成反向电流。
双向可控硅调光电路原理
双向可控硅调光电路原理双向可控硅调光电路原理双向可控硅（Bidirectional Thyristor）是一种新型的电子元件，它可以实现正、反向导通，具有精准的调光功能。
而双向可控硅调光电路则是基于双向可控硅元件设计的调光电路，具有多种特点。
一、双向可控硅的结构和工作原理1. 双向可控硅的结构双向可控硅的结构与双向三极管类似，它由四个区域组成，分别是P-N-P-N结构，中心是n型层，周围则是p型和n型区域。
两端分别为主极和控制极。
2. 双向可控硅的工作原理（1）正向值区：当主极为正的时候，两端p-n结的整体结构呈现出正向偏置。
在该偏压下，n型区周围的电子会向两端流动，从而让该区域形成一个导电通路，使得主极和控制极之间出现通流现象。
（2）反向值区：当主极为负的时候，电子会从两端p-n结中央流向中心n型区。
由于n型区周围的电子和空穴在这种情况下不存在导通状态，所以主极和控制极之间不存在电流。
二、双向可控硅调光电路的原理1. 双向可控硅调光电路的结构双向可控硅调光电路主要包括三个部分：电源部分、调光触发电路和双向可控硅开关电路。
2. 双向可控硅调光电路工作流程（1）电源部分：将交流电输入到整流电路中，将电流转换成直流电。
随后，将转换后的直流电连接到调光触发电路和双向可控硅开关电路中。
（2）调光触发电路：将调光电位信号经过处理后，发送到双向可控硅开关电路的控制端。
双向可控硅开关电路会根据调光电位信号的强弱控制功率的大小。
（3）双向可控硅开关电路：根据调光触发电路控制出发信号来控制双向可控硅的开、关状态，从而控制灯光亮度的大小。
三、优点和应用1. 优点双向可控硅调光电路有以下优点：（1）有极高的功率控制精度，精度可达到1%。
（2）由于控制电压较低，所以没有使用特定的调光开关，是一种经济、有效的调光方案。
（3）调光调速响应较快，自身加热小，冷却方式灵活。
2. 应用双向可控硅调光电路可以用于家庭照明、舞台照明、公共场所照明、广告牌照明等场合。
双向可控硅的工作原理及原理图
双向可控硅的工作原理及原理图一、双向可控硅的工作原理双向可控硅（Bidirectional Thyristor，简称BRT）是一种具有双向导通特性的半导体器件。
它由四个PN结组成，结构与普通可控硅相似，但具有额外的控制极，使其能够实现双向导通。
双向可控硅的工作原理如下：1. 正向导通：当控制极施加正向电压时，控制极和阳极之间的PN结正向偏置，导通电流从阳极流向阴极。
2. 反向导通：当控制极施加反向电压时，控制极和阴极之间的PN结反向偏置，导通电流从阴极流向阳极。
3. 关断状态：当控制极未施加电压时，双向可控硅处于关断状态，不导通电流。
双向可控硅的导通和关断状态是通过控制极的电压来控制的。
当控制极施加正向电压时，双向可控硅处于正向导通状态；当控制极施加反向电压时，双向可控硅处于反向导通状态；当控制极未施加电压时，双向可控硅处于关断状态。
二、双向可控硅的原理图双向可控硅的原理图如下：```+---------+| |A1 ----| |---- A2| |G ----| |---- K| |K ----| |---- G| |A2 ----| |---- A1| |+---------+```其中，A1和A2是双向可控硅的两个主电极，G是控制极，K是附加极。
三、双向可控硅的应用双向可控硅广泛应用于交流电控制领域，具有以下几个特点和优势：1. 双向导通：双向可控硅能够实现双向导通，可以控制交流电的正向和反向导通，适合于双向开关和控制电路。
2. 高可靠性：双向可控硅具有较高的可靠性和稳定性，能够承受较高的电压和电流，适合于高功率应用。
3. 快速响应：双向可控硅的开关速度较快，响应时间短，适合于需要快速控制的应用场景。
4. 低功耗：双向可控硅的控制电流较小，功耗较低，适合于需要节能的应用。
双向可控硅的应用领域包括电力电子、电动机控制、照明控制、电炉控制等。
例如，双向可控硅可以用于调光控制，通过控制双向可控硅的导通角度和导通时间，实现对灯光亮度的调节；双向可控硅还可以用于交流机电的启动和速度控制，通过控制双向可控硅的导通时间和导通角度，实现对机电的启停和调速。
双向可控硅的工作原理及原理图
双向可控硅的工作原理及原理图双向可控硅的工作原理1.可控硅是P1N1P2N2四层三端结构元件，共有三个PN结，分析原理时，可以把它看作由一个PNP管和一个NPN管所组成当阳极A加上正向电压时，BG1和BG2管均处于放大状态。
此时，如果从控制极G输入一个正向触发信号，BG2便有基流ib2流过，经BG2放大，其集电极电流ic2=β2ib2。
因为BG2的集电极直接与BG1的基极相连，所以ib1=ic2。
此时，电流ic2再经BG1放大，于是BG1的集电极电流ic1=β1ib1=β1β2i b2。
这个电流又流回到BG2的基极，表成正反馈，使ib2不断增大，如此正向馈循环的结果，两个管子的电流剧增，可控硅使饱和导通。
由于BG1和BG2所构成的正反馈作用，所以一旦可控硅导通后，即使控制极G的电流消失了，可控硅仍然能够维持导通状态，由于触发信号只起触发作用，没有关断功能，所以这种可控硅是不可关断的。
由于可控硅只有导通和关断两种工作状态，所以它具有开关特性，这种特性需要一定的条件才能转化2,触发导通在控制极G上加入正向电压时（见图5）因J3正偏，P2区的空穴时入N2区，N2区的电子进入P2区，形成触发电流IG T。
在可控硅的内部正反馈作用（见图2）的基础上，加上IGT的作用，使可控硅提前导通，导致图3的伏安特性OA 段左移，IGT越大，特性左移越快。
TRIAC的特性???? 什么是双向可控硅:IAC(TRI-ELECTRODE AC SWITCH)为三极交流开关，亦称为双向晶闸管或双向可控硅。
TRI AC为三端元件，其三端分别为T1(第二端子或第二阳极)，T 2(第一端子或第一阳极)和G(控制极)亦为一闸极控制开关，与SCR最大的不同点在于TRIAC无论于正向或反向电压时皆可导通，其符号构造及外型，如图1所示。
因为它是双向元件，所以不管T1 ,T2的电压极性如何，若闸极有信号加入时，则T1 ,T2间呈导通状态；反之，加闸极触发信号，则T1 ,T2间有极高的阻抗。
双向可控硅的工作原理及原理图
双向可控硅的工作原理及原理图双向可控硅（Bilateral Switch Thyristor，简称BST）是一种半导体器件，具有双向导通能力，可用于交流电路的控制。
本文将详细介绍双向可控硅的工作原理及原理图。
一、双向可控硅的工作原理双向可控硅由两个PN结组成，分别为正向PN结和反向PN结。
其工作原理如下：1. 正向导通：当正向电压施加在正向PN结上时，处于正向偏置状态，正向PN结的P区和N区形成导电通道，电流可以流过。
此时，双向可控硅处于导通状态。
2. 正向关断：当正向电压施加在正向PN结上时，如果电压低于正向PN结的导通电压，正向PN结处于关断状态，电流无法流过。
此时，双向可控硅处于关断状态。
3. 反向导通：当反向电压施加在反向PN结上时，处于反向偏置状态，反向PN结的P区和N区形成导电通道，电流可以流过。
此时，双向可控硅处于导通状态。
4. 反向关断：当反向电压施加在反向PN结上时，如果电压低于反向PN结的导通电压，反向PN结处于关断状态，电流无法流过。
此时，双向可控硅处于关断状态。
通过控制正向PN结和反向PN结的导通和关断状态，可以实现双向可控硅的双向导通和关断。
二、双向可控硅的原理图下面是双向可控硅的原理图示例：```┌───┐──►│ A │──────┐└───┘ │▼┌───┐│ ││ BST ││ │└───┘│▼┌───┐│ │──►│ ││ │└───┘```在上述原理图中，A端和K端分别代表双向可控硅的两个引脚。
通过控制A端和K端的电压，可以控制双向可控硅的导通和关断状态。
三、实际应用举例双向可控硅在实际电路中有广泛的应用，以下举例说明其中两种常见的应用：1. 交流电压控制：双向可控硅可以用于交流电路的控制。
通过控制双向可控硅的导通和关断，可以实现对交流电路的开关控制。
例如，可以将双向可控硅用于灯光控制，实现对灯光的亮度调节。
2. 交流电压调整：双向可控硅还可以用于交流电压的调整。
双向可控硅的工作原理及原理图
双向可控硅的工作原理及原理图双向可控硅（Bidirectional Controlled Silicon, BCR）是一种常用的半导体器件，广泛应用于交流电源控制、机电驱动、电磁炉等领域。
本文将详细介绍双向可控硅的工作原理及其原理图。
一、双向可控硅的工作原理双向可控硅是一种具有双向导电特性的半导体器件，其工作原理基于PN结的正向和反向的导通特性。
1. PN结的正向导通特性当双向可控硅的正向电压（阳极其正，阴极其负）超过其正向阈值电压时，PN结会浮现正向偏置，进而导致电流的流动。
这时，双向可控硅处于正向导通状态，电流可以从阳极流向阴极。
2. PN结的反向导通特性当双向可控硅的反向电压（阳极其负，阴极其正）超过其反向阈值电压时，PN结会浮现反向偏置，阻挠电流的流动。
这时，双向可控硅处于反向截止状态，电流无法从阳极流向阴极。
3. 触发控制特性双向可控硅的触发控制是通过施加脉冲信号来实现的。
当施加一个触发脉冲信号时，双向可控硅会从正向导通状态转变为反向截止状态，即从导通状态切换为截止状态。
同样地，施加一个相反的触发脉冲信号，双向可控硅会从反向截止状态转变为正向导通状态。
二、双向可控硅的原理图下面是一个常见的双向可控硅的原理图示例：```+------+| |A+----| |----+C| |G+----| |----+K| |K+----| |----+G| |C+----| |----+A| |+------+```在上述原理图中，A、K、C、G分别表示双向可控硅的阳极、阴极、控制端和网格端。
三、双向可控硅的应用双向可控硅具有双向导电特性，因此在电源控制、机电驱动以及电磁炉等领域有着广泛的应用。
1. 交流电源控制双向可控硅可以用于交流电源的控制，通过控制双向可控硅的导通和截止状态，可以实现对交流电源的调节和控制。
例如，可以利用双向可控硅实现交流电源的开关控制、调光控制等功能。
2. 机电驱动双向可控硅可以用于机电驱动，通过控制双向可控硅的导通和截止状态，可以实现对机电的启动、住手、调速等控制。
双向可控硅的工作原理及原理图
双向可控硅的工作原理及原理图双向可控硅（Bidirectional Thyristor）是一种常用的电子器件，广泛应用于电力电子领域。
本文将详细介绍双向可控硅的工作原理及原理图，以及其在实际应用中的一些特点和优势。
一、双向可控硅的工作原理双向可控硅是一种具有双向导通能力的半导体开关器件。
它由四个PN结组成，分别是两个P型半导体和两个N型半导体。
双向可控硅的结构类似于普通的可控硅，但它具有双向导通的特点，即可以在正向和反向两个方向上导通电流。
在正向工作状态下，当控制端施加一个正脉冲信号时，双向可控硅的两个PN结之间的电势差会被逆向击穿，从而使电流开始流动。
此时，双向可控硅处于导通状态，可以传导正向电流。
在反向工作状态下，当控制端施加一个负脉冲信号时，双向可控硅的两个PN结之间的电势差同样会被逆向击穿，从而使电流开始流动。
此时，双向可控硅处于导通状态，可以传导反向电流。
需要注意的是，双向可控硅在正向和反向导通时的电流方向是相反的，因此在实际应用中需要根据具体情况选择合适的极性。
二、双向可控硅的原理图双向可控硅的原理图如下所示：```+-----------------+| || || || || || || || |+--------+--------+|||||||||```在原理图中，双向可控硅的两个端口分别为正向端口和反向端口。
正向端口用来接入正向电流源，反向端口用来接入反向电流源。
三、双向可控硅的特点和优势1. 双向导通能力：双向可控硅可以在正向和反向两个方向上导通电流，具有双向导通能力，适合于正向和反向电流的控制和传输。
2. 高可靠性：双向可控硅采用半导体材料创造，具有较高的可靠性和稳定性，能够长期稳定工作。
3. 低功耗：双向可控硅在导通状态下的功耗较低，能够有效节省能源。
4. 快速开关速度：双向可控硅的开关速度较快，可以快速切换导通和截止状态，适合于高频率应用。
5. 体积小、分量轻：双向可控硅的封装体积小，分量轻，便于集成和安装。
双向可控硅的原理,二三极管原理
尽管从形式上可将双向可控硅看成两只普通可控硅的组合，但实际上它是由7只晶体管和多只电阻构成的功率集成器件。
小功率双向可控硅一般采用塑料封装，有的还带散热板，外形如图l所示。
典型产品有BCMlAM(1A／600V)、BCM3AM(3A／600V)、2N6075(4A／600V)，MAC218-10(8A／800V)等。
大功率双向可控硅大多采用RD91型封装。
双向可控硅的主要参数见附表。
双向可控硅的结构与符号见图2。
它属于NPNPN五层器件，三个电极分别是T1、T2、G。
因该器件可以双向导通，故除门极G以外的两个电极统称为主端子，用T1、T2。
表示，不再划分成阳极或阴极。
其特点是，当G极和T2极相对于T1，的电压均为正时，T2是阳极，T1是阴极。
反之，当G极和T2 极相对于T1的电压均为负时，T1变成阳极，T2为阴极。
双向可控硅的伏安特性见图3，由于正、反向特性曲线具有对称性，所以它可在任何一个方向导通。
检测方法下面介绍利用万用表RXl档判定双向可控硅电极的方法，同时还检查触发能力。
1.判定T2极由图2可见，G极与T1极靠近，距T2极较远。
因此，G—T1之间的正、反向电阻都很小。
在肦Xl档测任意两脚之间的电阻时，只有在G-T1之间呈现低阻，正、反向电阻仅几十欧，而T2-G、T2-T1之间的正、反向电阻均为无穷大。
这表明，如果测出某脚和其他两脚都不通，就肯定是T2极。
，另外，采用TO—220封装的双向可控硅，T2极通常与小散热板连通，据此亦可确定T2极。
2．区分G极和T1极(1)找出T2极之后，首先假定剩下两脚中某一脚为Tl极，另一脚为G极。
(2)把黑表笔接T1极，红表笔接T2极，电阻为无穷大。
接着用红表笔尖把T2与G短路，给G极加上负触发信号，电阻值应为十欧左右(参见图4 (a))，证明管子已经导通，导通方向为T1一T2。
再将红表笔尖与G极脱开(但仍接T2)，若电阻值保持不变，证明管子在触发之后能维持导通状态(见图4(b))。
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尽管从形式上可将双向可控硅看成两只普通可控硅的组合，但实际上它是由7只晶体管和多只电阻构成的功率集成器件。
小功率双向可控硅一般采用塑料封装，有的还带散热板，外形如图l所示。
典型产品有BCMlAM(1A／600V)、BCM3AM(3A／600V)、2N6075(4A／600V)，MAC218-10(8A／800V)等。
大功率双向可控硅大多采用RD91型封装。
双向可控硅的主要参数见附表。
双向可控硅的结构与符号见图2。
它属于NPNPN五层器件，三个电极分别是T1、T2、G。
因该器件可以双向导通，故除门极G以外的两个电极统称为主端子，用T1、T2。
表示，不再划分成阳极或阴极。
其特点是，当G极和T2极相对于T1，的电压均为正时，T2是阳极，T1是阴极。
反之，当G极和T2 极相对于T1的电压均为负时，T1变成阳极，T2为阴极。
双向可控硅的伏安特性见图3，由于正、反向特性曲线具有对称性，所以它可在任何一个方向导通。
检测方法下面介绍利用万用表RXl档判定双向可控硅电极的方法，同时还检查触发能力。
1.判定T2极由图2可见，G极与T1极靠近，距T2极较远。
因此，G—T1之间的正、反向电阻都很小。
在肦Xl档测任意两脚之间的电阻时，只有在G-T1之间呈现低阻，正、反向电阻仅几十欧，而T2-G、T2-T1之间的正、反向电阻均为无穷大。
这表明，如果测出某脚和其他两脚都不通，就肯定是T2极。
，另外，采用TO—220封装的双向可控硅，T2极通常与小散热板连通，据此亦可确定T2极。
2．区分G极和T1极(1)找出T2极之后，首先假定剩下两脚中某一脚为Tl极，另一脚为G极。
(2)把黑表笔接T1极，红表笔接T2极，电阻为无穷大。
接着用红表笔尖把T2与G短路，给G极加上负触发信号，电阻值应为十欧左右(参见图4 (a))，证明管子已经导通，导通方向为T1一T2。
再将红表笔尖与G极脱开(但仍接T2)，若电阻值保持不变，证明管子在触发之后能维持导通状态(见图 4(b))。
(3)把红表笔接T1极，黑表笔接T2极，然后使T2与G短路，给G极加上正触发信号，电阻值仍为十欧左右，与G极脱开后若阻值不变，则说明管子经触发后，在T2一T1方向上也能维持导通状态，因此具有双向触发性质。
由此证明上述假定正确。
否则是假定与实际不符，需再作出假定，重复以上测量。
显见，在识别G、T1，的过程中，也就检查了双向可控硅的触发能力。
如果按哪种假定去测量，都不能使双向可控硅触发导通，证明管于巳损坏。
对于lA的管子，亦可用RXl0档检测，对于3A及3A以上的管子，应选RXl档，否则难以维持导通状态。
典型应用双向可控硅可广泛用于工业、交通、家用电器等领域，实现交流调压、电机调速、交流开关、路灯自动开启与关闭、温度控制、台灯调光、舞台调光等多种功能，它还被用于固态继电器(SSR)和固态接触器电路中。
图5是由双向可控硅构成的接近开关电路。
R为门极限流电阻，JAG为干式舌簧管。
平时JAG断开，双向可控硅TRIAC也关断。
仅当小磁铁移近时JAG吸合，使双向可控硅导通，将负载电源接通。
由于通过干簧管的电流很小，时间仅几微秒，所以开关的寿命很长.图6是过零触发型交流固态继电器(AC-SSR)的内部电路。
主要包括输入电路、光电耦合器、过零触发电路、开关电路(包括双向可控硅)、保护电路 (RC吸收网络)。
当加上输入信号VI(一般为高电平)、并且交流负载电源电压通过零点时，双向可控硅被触发，将负载电源接通。
固态继电器具有驱动功率小、无触点、噪音低、抗干扰能力强，吸合、释放时间短、寿命长，能与TTL＼CMOS 电路兼容，可取代传统的电磁继电器。
双向可控硅的原理TRIAC的特性什么是双向可控硅:IAC(TRI-ELECTRODE AC SWITCH)为三极交流开关，亦称为双向晶闸管或双向可控硅。
TRIAC为三端元件，其三端分别为T1(第二端子或第二阳极)，T 2(第一端子或第一阳极)和G(控制极)亦为一闸极控制开关，与SCR最大的不同点在于TRIAC无论于正向或反向电压时皆可导通，其符号构造及外型，如图1所示。
因为它是双向元件，所以不管T1,T2的电压极性如何，若闸极有信号加入时，则T1 ,T2间呈导通状态；反之，加闸极触发信号，则T1 ,T2间有极高的阻抗。
ab126计算公式大全(a)符号 (b)构造图1 TRIAC二.TRIAC的触发特性: 838电子由于TRIAC为控制极控制的双向可控硅,控制极电压V G极性与阳极间之电压V T1T2四种组合分别如下：(1). V T1T2为正, V G为正。
(2). V T1T2为正, V G为负。
(3). V T1T2为负, V G为正。
(4). V T1T2为负, V G为负。
一般最好使用在对称情况下(1与4或2与3)，以使正负半周能得到对称的结果，最方便的控制方法则为1与4之控制状态，因为控制极信号与V T1T2同极性。
图2 TRIAC之V-I特性曲线如图2所示为TRIAC之V-I特性曲线，将此图与SCR之VI特性曲线比较，可看出TRIAC的特性曲线与SCR类似，只是TRIAC正负电压均能导通，所以第三象限之曲线与第一象限之曲线类似，故TRIAC可视为两个SCR反相并联TRIAC之T1-T2的崩溃电压亦不同，亦可看出正负半周的电压皆可以使TRIAC导通，一般使TRIAC 截止的方法与SCR相同，即设法降低两阳极间之电流到保持电流以下TRIAC即截止。
三.TRIAC之触发：TRIAC的相位控制与SCR很类似，可用直流信号，交流相位信号与脉波信号来触发，所不同者是V T1-T2负电压时，仍可触发TRIAC。
四. TRIAC的相位控制：TRIAC的相位控制与SCR很类似，但因TRIAC能双向导通之故，在正负半周均能触发、可作为全波功率控制之用，因此TRIAC除具有SCR的优点，更方便于交流功率控制，图3(a)为TRIAC相位控制电路，只适当的调整RC时间常数即可改变它的激发角，图3(b)，(c)分别是激发角为30度时的VT1-T2及负载的电压波形，一般TRIAC所能控制的负载远比SCR小，大体上而言约在600V，40A以下。
（A）（B）AC两端电压波形（C）两端电压波形五 .触发装置：TRIAC之触发电路与SCR类似,可以用RC电路配合UJT、PUT、DIAC等元件组成的触发电路来触发，这些元件的触发延迟角。
都可由改变电路所使用的电阻值来调整，其变化范围在0°～180°之间，正负半周均能导通，而在工业电力控制上，常以电压回授来调整触发延迟角，用以代表负载实际情况的电压回授，启动系统做良好的闭回路控制。
这种由回授来控制触发延迟角，常由UJT或TCA785来完成。
实验：应用电路说明如图所示,利用TCA785所组成之TRIAC相位控制电路，其动作原理与SCR之TCA785相位控制电路相似，由于TRIAC在电源正负半周均能导通，所以第14脚(控制正半周之激发角)与第15脚(控制负半周之激发角)，均必须使用。
由VR1之改变以改变第11脚之控制电压值，则可调整激发角以控制灯泡之亮度。
利用TCA785做TRIAC之相位控制可控硅元件的工作原理及基本特性1、工作原理可控硅是P1N1P2N2四层三端结构元件，共有三个PN结，分析原理时，可以把它看作由一个PNP管和一个NPN管所组成，其等效图解如图1所示图1 可控硅等效图解图当阳极A加上正向电压时，BG1和BG2管均处于放大状态。
此时，如果从控制极G输入一个正向触发信号，BG2便有基流ib2流过，经BG2放大，其集电极电流ic2=β2ib2。
因为BG2的集电极直接与BG1的基极相连，所以ib1=ic2。
此时，电流ic2再经BG1放大，于是BG1的集电极电流ic1=β1ib1=β1β2ib2。
这个电流又流回到BG2的基极，表成正反馈，使ib2不断增大，如此正向馈循环的结果，两个管子的电流剧增，可控硅使饱和导通。
由于BG1和BG2所构成的正反馈作用，所以一旦可控硅导通后，即使控制极G的电流消失了，可控硅仍然能够维持导通状态，由于触发信号只起触发作用，没有关断功能，所以这种可控硅是不可关断的。
由于可控硅只有导通和关断两种工作状态，所以它具有开关特性，这种特性需要一定的条件才能转化，此条件见表1表1 可控硅导通和关断条件状态条件说明从关断到导通1、阳极电位高于是阴极电位2、控制极有足够的正向电压和电流两者缺一不可维持导通1、阳极电位高于阴极电位2、阳极电流大于维持电流两者缺一不可从导通到关断1、阳极电位低于阴极电位2、阳极电流小于维持电流任一条件即可2、基本伏安特性可控硅的基本伏安特性见图2图2 可控硅基本伏安特性（1）反向特性当控制极开路，阳极加上反向电压时（见图3），J2结正偏，但J1、J2结反偏。
此时只能流过很小的反向饱和电流，当电压进一步提高到J1结的雪崩击穿电压后，接差J3结也击穿，电流迅速增加，图3的特性开始弯曲，如特性OR 段所示，弯曲处的电压URO叫“反向转折电压”。
此时，可控硅会发生永久性反向击穿。
图3 阳极加反向电压（2）正向特性当控制极开路，阳极上加上正向电压时（见图4），J1、J3结正偏，但J2结反偏，这与普通PN结的反向特性相似，也只能流过很小电流，这叫正向阻断状态，当电压增加，图3的特性发生了弯曲，如特性OA段所示，弯曲处的是UBO 叫：正向转折电压图4 阳极加正向电压由于电压升高到J2结的雪崩击穿电压后，J2结发生雪崩倍增效应，在结区产生大量的电子和空穴，电子时入N1区，空穴时入P2区。
进入N1区的电子与由P1区通过J1结注入N1区的空穴复合，同样，进入P2区的空穴与由N2区通过J3结注入P2区的电子复合，雪崩击穿，进入N1区的电子与进入P2区的空穴各自不能全部复合掉，这样，在N1区就有电子积累，在P2区就有空穴积累，结果使P2区的电位升高，N1区的电位下降，J2结变成正偏，只要电流稍增加，电压便迅速下降，出现所谓负阻特性，见图3的虚线AB段。
这时J1、J2、J3三个结均处于正偏，可控硅便进入正向导电状态---通态，此时，它的特性与普通的PN结正向特性相似，见图2中的BC段3、触发导通在控制极G上加入正向电压时（见图5）因J3正偏，P2区的空穴时入N2区，N2区的电子进入P2区，形成触发电流IGT。
在可控硅的内部正反馈作用（见图2）的基础上，加上IGT的作用，使可控硅提前导通，导致图3的伏安特性OA段左移，IGT越大，特性左移越快。
图5 阳极和控制极均加正向电压光电耦合器件简介光电偶合器件（简称光耦）是把发光器件（如发光二极体）和光敏器件（如光敏三极管）组装在一起，通过光线实现耦合构成电—光和光—电的转换器件。
光电耦合器分为很多种类，图1所示为常用的三极管型光电耦合器原理图。