硅管和锗管的区别

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电子技术基础题库(I_II类题)[1]

第一章半导体二极管I 类题一、简答题1．杂质半导体有哪些？与本征半导体相比导电性有什么不同？答杂质半导体有P 型半导体和N 半导体两种，比本征半导体导电性能增强很多。

2．什么是PN 结？PN 结最基本的特性是什么？答；P 型半导体和N 型半导体采用特殊的加工工艺制作在一起，在其交界处产生的特殊薄层称为PN 结。

PN 结最基本的特性是单向导电性。

3．什么是半导体？半导体有哪些特性？答：导电能力介于导体和绝缘体之间的物质称为半导体。

具有热敏特性、光敏特性和掺杂特性。

二、计算题1．在下图所示电路中，哪一个灯泡不亮？答：b 不亮2．如图所示的电路中，试求下列两种情况下输出端Y 的电位U Y 及各元件（R ，VD A ，VD B ）中通过的电流；（1）U A =U B =0V ；（2）U A =+3V ，U B =0V ；答：（1）V Y =0VmA 33.9K Ω12V ≈=R I mA5.1232R DB DA ≈===I I I （2）D B 导通，D A 截止 V Y =0VmA39.312≈=R I V 0DA =I mA 3DB =I 3．在下图所示电路中，设二极管是理想二极管，判断各二极管是导通还是截止？并求U AO =？答：a）图中，二极管导通，U AO=-6V；b）图，二极管截止，U AO=-12V；c）图V1导通，V2截止，U AO=0V。

II类题一、简答题1．从晶体二极管的伏安特性曲线看，硅管和锗管有什么区别？答：硅管死区电压为0.5V左右而锗管为0.2V左右；硅管的正向管压降为0.7V左右而锗管为0.3V左右；硅管的反向饱和电流较小而锗管较大。

2．光电二极管和发光二极管有什么区别？答：发光二极管将电信号转化成光信号，工作时加正向电压；光电二极管将光信号转化成电信号，工作时加反向电压。

3．为什么用万用表的不同电阻档测量同一二极管的正偏内阻数值上差别很大？答：因二极管的非线性。

硅管和锗管的区别

硅管和锗管的区别
判断一个电路中的三极管是工作于放大状态还是饱和状态很简单，你只要用电压表测量三极管集电极与发射极之间的压降即可。

这里以常用的NPN型硅三极管为例，你这个图中的三极管电路是典型的共射极放大电路，图中电阻若选值合适，使三极管的基极电压比发射极电压高约0.5-0.7V，并且Rc阻值合适，这时管子的集电极与发射极之间的电压Uce一定＞1V，此时，三极管就工作于线性放大状态。

若Rb1、Rb2取值不合适，导致偏置电流Ib过大，这时，三极管的集电极电流Ic便会增大，从而导致Rc上压降增大。

若该压降增大到使三极管集电极-发射极之间的电压Uce＜1V，此时三极管便处于饱和状态，从而失去了线性放大作用。

若该电压低于0.3V，三极管便处于深度饱和状态。

顺便说一下，一般作为线性放大器使用时，都将三极管的Uce选择在½电源电压处，这样可以获得最大的线性动态范围。

如果是指针是万用表(黑笔是电池正极，数字表相反)，黑笔接到某一脚，红笔接另外两脚都通，说明是npn的。

如果红笔接某一脚，黑笔接另两脚都通，是pnp。

如果任意两脚相互都通，那是坏了。

任意两脚导通时看压降，如果是0.6-0.7v是硅管，如果是0.2-0.3v是锗管。

锗管热稳定性差，motorola曾经有一批收音机，在夏天的时候批量罢工，因为用了锗管。

目前常见的都是硅管，100度以下没问题。

硅管和锗管的区别

从晶体二极管的伏安曲线可以看出硅管和锗管有什么区别？
区别在于硅管和锗管的空载电压不同。

硅管的空载电压为0.3V，即当电压至少达到0.3V时，二极管将导通。

锗管的空载电压为0.2V，即锗管的二极管至少达到0.2 V时才会导通。

正向工作时，硅二极管的导通电压大于锗二极管，而反向工作时，硅二极管的反向饱和电流小于锗二极管。

当这种差异反映在直流电阻中时，表明硅管的正向和反向电阻值大于锗二极管的正向和反向电阻值。

基于此，可以通过测试正向电阻值来判断被测二极管是硅二极管还是锗二极管。

测试方法是将万用表的量程开关设置为R×100或R×lk，测试二极管的正向电阻值，并根据指针在表头上的偏转角进行判断。

如果指针指示刻度盘刻度中间的正确位置（4〜8 KFL），则表明被测二极管是硅二极管，如图6-4（a）所示；如果指针偏转到接近O \ Q的位置，则表明被测二极管是锗二极管，如图6-4（b）所示。

硅二极管和锗二极管的区别
锗管与硅管的主要区别在于，在正向连接时，硅管的导通电压大，而锗管的导通电压小。

反向连接时，硅管的反向饱和电流小于锗管的反
向饱和电流。

反应的电阻如下：硅管的正向和反向电阻大于硅管的正向和反向电阻。

根据该原理，可以通过测量正向和反向电阻来判断二极管是硅管还是锗管。

具体测试方法是：将万用表设置为RX100或RX1K档，测量二极管的正向导通电阻，并根据仪表指针的偏转角进行判断。

如果指针全部位于中间或中间的右边，则表示二极管是硅管；如果指针接近0欧姆，则表示二极管是锗管。

电阻的分类

电阻的分类：1)按阻值特性：固定电阻、可调电阻、特种电阻(敏感电阻)2)按制造材料：碳膜电阻、金属膜电阻、线绕电阻，无感电阻，薄膜电阻等3)按安装方式：插件电阻、贴片电阻。

贴片电阻4)按功能分：负载电阻，采样电阻，分流电阻，保护电阻5)(1)、标称阻值：电阻器上面所标示的阻值。

6)(2)、允许误差：标称阻值与实际阻值的差值跟标称阻值之比的百分数称阻值偏差，它表示电阻器的精度。

允许误差与精度等级对应关系如下：±0.5%-0.05、±1%-0.1(或00)、±2%-0.2(或0)、±5%、±10%、±20% 。

7)(3)、额定功率：在正常的大气压力90-106.6KPa及环境温度为－55℃～＋70℃的条件下，电阻器长期工作所允许耗散的最大功率。

8)非线绕电阻器额定功率系列为（W）：9)1/20、1/8、1/4、1/2、1、2、5、10、25、50、10010)线绕电阻器额定功率系列为（W）：11)1/20、1/8、1/4、1/2、1、2、4、8、10、16、25、40、50、75、100、150、250、50012)(4)、额定电压：由阻值和额定功率换算出的电压。

13)(5)、最高工作电压：允许的最大连续工作电压。

在低气压工作时，最高工作电压较低。

14)(6)、温度系数：温度每变化1℃所引起的电阻值的相对变化。

温度系数越小，电阻的稳定性越好。

阻值随温度升高而增大的为正温度系数，反之为负温度系数。

15)(7)、老化系数：电阻器在额定功率长期负荷下，阻值相对变化的百分数，它是表示电阻器寿命长短的参数。

16)(8)、电压系数：在规定的电压范围内，电压每变化1伏，电阻器的相对变化量。

17)(9)、噪声：产生于电阻器中的一种不规则的电压起伏，包括热噪声和电流噪声两部分，热噪声是由于导体内部不规则的电子自由运动，使导体任意两点的电压不规则变化。

18)应使电位器工作于额定功率范围内。

模拟电子技术试题及答1(优.选)

模拟电子技术基础一、填空题：1、根据导电能力来衡量，自然界的物质可以分为导体，半导体和绝缘体三类。

2、导电性能介于导体和绝缘体之间物质是半导体。

3、半导体具有热敏特性、光敏特性、参杂的特性。

4、PN结正偏时，P区接电源的正极，N极接电源的负极。

5、PN结具有单向导电特性。

6、二极管的P区引出端叫正极或阳极，N区的引出端叫负极或阴极。

7、按二极管所用的材料不同，可分为硅二极管和锗二极管两类；8、按二极管用途不同，可分为普通二极管、整流二极管、稳压二极管、开关二极管、发光二极管、光电二极管和变容二极管。

9、二极管的正向接法是二极管正极接电源的正极，负极接电源的负极；反响接法相反。

10、硅二极管导通时的正向管压降约0.7V ，锗二极管导通时的管压降约0.3V。

11、使用二极管时，应考虑的主要参数是最大整流电流，最高反向电压和反向电流。

12、发光二极管将电信号转换为光信号。

13、变容二极管在高频收音机的自动频率控制电路中，通过改变其反向偏置电压来自动调节本机震荡频率。

14、所谓理想二极管，就是当其正偏时，结电阻为零。

15、三极管是电流控制元件。

16、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结正偏，集电结反偏。

17、当温度升高时，晶体三极管集电极电流Ic变大，发射结压降变小。

18、三极管处在放大区时，其集电结电压小于零，发射结电压大于零。

19、三极管的发射区杂质浓度很高，而基区很薄。

20、三极管实现放大作用的内部条件是：发射区杂质浓度要远大于基区杂质浓度，同时基区厚度要很小.21、工作在放大区的某三极管，如果当I B从12μA增大到22μA时，I C从1mA变为2mA，那么它的β约为100 。

22、三极管的三个工作区域分别是饱和区、放大区和截止区。

23、发射结﹍正向﹍偏置，集电结正向偏置，则三极管处于饱和状态。

27、共集电极电路电压放大倍数（1），输入电阻（大），输出电阻（小），常用在输入级，输出级或缓冲级。

硅晶体管与锗晶体管的识别及区分方法

硅晶体管与锗晶体管的识别及区分方法
硅晶体管与锗晶体管的识别及区分方法
将万用表拨至R×1k档。

对于PNP型管，黑表笔接发射极E，红表笔接基极B，给发射极接上正向电压。

锗管发射结正向导通电压V BE=0.15～0.3V，硅管的V BE=0.6～0.7V。

采用读取电压法可确定V BE 的大小，区分硅管与锗管。

对于NPN型管只需将表笔位置交换一下即可。

举列说明：选择MF 30型万用表R×1k档，按照50mA DC刻度读取n′①。

实例之一：事先已判定被测管为NPN管，按图1(b)的接法读出n′=21格，该档K′=0.03V格，故
V BE= K′n′=0.03V格/×21格=0.63V
被测管显然是硅管（实际型号为3DG6 B）。

实例之二：已知被测管属于PNP型，参照图1(a)的接法读取n′=5格，因此
V BE=0.03V格/×5格=0.15V
可以肯定是锗管、（实际型号3AK20为）
注意事项：
对于3AX31、3AX81型锗晶体管，应选择R×100档。

这是因为R×1k档所提拱的电流较小，发射结不能完全导通，测出的值VBE会明显偏低。

例如实测一只3AX31B的管子，在R×1k档读出n′=3格，V BE=0.09V；改拨到R×100档时n′=9格，V BE=0.27V。

显然档的测量结果更接近于正常值。

硅管和锗管

硅管和锗管
硅管和锗管是两种常用的半导体器件材料。

它们在电子器件中具有不同的特性和应用。

硅管是以硅元素为主要材料制造的半导体管。

硅材料有着较高的晶体结构质量和载流子迁移率，因此硅管具有较好的电学性能和稳定性。

硅管广泛应用于电子器件中，如晶体管、二极管、电阻器、电容器等。

由于硅材料的广泛应用和成熟的工艺技术，硅管价格相对较低，制造工艺也更容易控制。

锗管是以锗元素为主要材料制造的半导体管。

锗材料具有更高的载流子迁移率和热导率，因此锗管适用于高频和高温环境下的应用。

锗管常用于放大器和检波器等射频电子器件中。

锗材料的制造工艺相对较复杂，成本较高。

综上所述，硅管和锗管在材料特性、电学性能和应用上有所差异。

根据具体的应用要求，可以选择适合的材料制造半导体器件。

硅管和锗管的区别

硅二极管与锗二极管的区别主要如下：在电流相同时，锗管的直流电阻小于硅管的直流电阻。

而硅管的交流电阻小于锗管的交流电阻。

2.根据实验研究，锗二极管正向在0.2V就开始有电流了，而硅二极管要到0.5V才开始有电流，也就是说两者达到导通的起始电压不同3.在反向电压下，硅管的漏电流要比锗管的漏电流小得多。

开始导通后，锗管电流增大速度较慢，硅管电流增大速度相对较快4.硅二极管反向电流远小于锗二极管反向电流，锗管为mA级，硅管为nA级。

5.当正向电压很小时，通过二极管的电流非常小，只有在正向电压达到一定值Ur后，电流才会显着增加。

电压Ur通常被称为二极管的阈值电压，也称为死区电压或阈值电压。

6.由于硅二极管的Is远小于锗二极管的Is，因此硅二极管的阈值电压大于锗二极管的阈值电压。

通常，硅二极管的阈值电压约为0.5V~0.6V，锗二极管的阈值电压约为0.1V~0.2V。

二极管，指的是电子元件当中，一种具有两个电极的装置，只允许电流由单一方向流过，许多的使用是应用其整流的功能。

而变容二极管（Varicap Diode）则用来当作电子式的可调电容器。

大部分二极管所具备的电流方向性我们通常称之为“整流（Rectifying）”功能。

二极管最普遍的功能就是只允许电流由单一方向通过（称为顺向偏压），反向时阻断（称为逆向偏压）。

因此，二极管可以想成电子版的逆止阀。

2.早期的真空电子二极管；它是一种能够单向传导电流的电子器件。

在半导体二极管内部有一个PN结两个引线端子，这种电子器件按照外加电压的方向，具备单向电流的传导性。

一般来讲，晶体二极管是一个由p型半导体和n型半导体烧结形成的p-n结界面。

3.在其界面的两侧形成空间电荷层，构成自建电场。

当外加电压等于零时，由于p-n结两边载流子的浓度差引起扩散电流和由自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态，这也是常态下的二极管特性。

4.早期的二极管包含“猫须晶体（"Cat's Whisker"Crystals）”以及真空管(英国称为“热游离阀（Thermionic Valves）”)。

硅管、锗管及高频管、低频管的判别

硅管、锗管及高频管、低频管的判别方法
一、硅管和锗管的判别方法
硅管和锗管在特性上有很大不同，使用时应加以区别。

我们知道，硅管和锗管的PN结正向电阻是不一样的，即硅管的正向电阻大，锗管的小。

利用这一特性就可以用万用表来判别一只晶体管是硅管还是锗管。

判别方法如下：
将万用表拨到R*100挡或R*1K挡。

测量二极管时，万用表的正端接二极管的负极，负端接二极管的正极；测量NPN型的三极管时，万用表的负端接基极，正端接集电极或发射极；测量PNP型的三极管时，万用表的正端接基极，负端接集电极或发射极。

按上述方法接好后，如果万用表的表针指示在表盘的右端或靠近满刻度的位置上（即阻值较小），那么所测的管子是锗管；如果万用表的表针在表盘的中间或偏右一点的位置上（即阻值较大），那么所测的管子是硅管。

二、高频管和低频管的判别方法
高频管和低频管因其特性和用途不同而一般不能互相代用。

这里介绍如何用万用表来快速判别它高频管与低频管。

判别方法为：
首先用万用表测量三极管发射极的反向电阻，如果是测量PNP 型管，万用表的负端接基极，正端接发射极；如果是测量NPN型管，万用表的正端接基极，负端接发射极。

然后用万用表的R*1KΩ挡测量，此时万用表的表针指示的阻值应当很大，一般不超过满刻度值的1/10。

再将万用表转换到R*10KΩ挡，如果表针指示的阻值变化很大，超过满刻度值的1/3，则此管为高频管；反之，如果万用表转换到R*10KΩ挡后，表针指示的阻值变化不大，不超过满刻度值的1/3，则所测的管子为低频管。

硅管和锗管的区别

1）硅二极管反向电流比锗二极管反向电流小的多，锗管为mA 级，硅管为nA级。

这是因为在相同温度下锗的ni比硅的ni要高出约三个数量级，所以在相同掺杂浓度下硅的少子浓度比锗的少子浓度低的多，故硅管的反向饱和电流Is很小。

2）在正向电压很小时，通过二极管的电流很小，只有正向电压达到某一数值Ur后，电流才明显增长。

通常把电压Ur称为二极管的门限电压，也称为死区电压或阈值电压。

由于硅二极管的Is远小于锗二极管的Is，所以硅二极管的门限电压大于锗二极管的门限电压。

一般硅二极管的门限电压约为0.5V~0.6V, 锗二极管的门限电压约为0.1V~0.2V。

扩展资料
硅芯管是一种内壁带有硅胶质固体润滑剂的新型复合管道，密封性能好，耐化学腐蚀，工程造价低，广泛运用于高速公路，铁路等的光电缆通信网络系统。

HDPE硅芯管是一种内壁带有硅胶质固体润滑剂的新型复合管道，简称硅管。

由三台塑料挤出机同步挤压复合，主要原材料为高密度聚乙烯，芯层为摩擦系数最低的固体润滑剂硅胶质。

广泛运用于光电缆通信网络系统。

锗二极管就是用锗材料制作的二极管。

几乎在所有的电子电路中，都要用到半导体二极管，它在许多的电路中起着重要的作用，它是诞生最早的半导体器件之一，其应用也非常广泛。

西安交通大学-赵进全-模拟电子技术基础-第2章全篇

1．当RL=∞时
在输入回路
uBE=UBE+ui
uBE波形图
iB的波形图
工作点的移动
uBE波形图
(1) 信号的传递
已知Q
a
b
t
O
O
t
O
a. iB的形成过程
a
b
t
M
N
O
O
t
iB1
iB2
b. 输出波形
已知Q
已知 iB
工作点的移动
uCE波形图
iC波形图
输出电压uo
O
已知输入信号
小结
输出信号波形
饱和状态的特点
(3) 集电极饱和电压降UCES较小，小功率硅管为 0.3~0.5V 。
(5) UCE对IC的影响大，当UCE增大，IC将随之增加。
(4) 饱和时集电极电流
(2) IC=ICBO
3．发射结反向偏置、集电结反向偏置——截止状态
截止状态的特点
(1) 发射结反偏
(3) IB=－ICBO
输出电压uo与输入电压ui相位相反
(2) 如果静态工作点Q太低
工作点的移动
uBE波形图
a
b
已知Q
iB1
iB2
iB的波形图
a. 输入波形
a
b
iB1
iB2
已知Q
已知 iB
工作点的移动
uCE波形图
iC波形图
输出电压
b. 输出波形
截止失真
t
M
N
O
t
O
t
O
工作点的移动
uBE波形图
a
b
已知Q
iB1
iB2
2．对ICBO的影响

电子(填空、选择、判断、简答)

第一章二极管及其应用一.填空题（共20道）1.利用半导体的特性，可制成和半导体。

2.PN结最重要的特性是__________，它是一切半导体器件的基础。

3.半导体最主要的导电特性是、和。

4.导电能力介于导体和绝缘体之间的物质称为__________，常用的半导体材料有________和__________等。

5.根据导电能力来衡量，自然界的物质可以分为__________、________和______________三类。

6. PN结正向偏置时，应该是P区的电位比N区的电位_____。

7. PN结正偏时，P区接电源的____极，N区接电源的____极；PN结反偏时，P区接电源的_____极，N区接电源的____极。

8.硅二极管的死区电压为V，锗二极管的为 V；导通管压降，硅管为V，锗管为V。

9.当电压时，反向电流会急剧增大，这种现象称为""。

10.发光二极管和光敏二极管也是常用的二极管，其中_________________是用来将光信号变成电信号的，_________________是作为显示器件用的。

11.晶体二极管是用一个PN结制成的半导体器件，它的最基本的性质是______________，用伏安特性来描述。

硅管的死区电压和正向压降比锗管的_____________，而反向饱和电流比锗管的______________得多。

12.发光二极管将信号转换成信号；光电二极管将信号转换成信号。

13.有一锗二极管正反向电阻均接近于零，表明该二极管已_____________；有一硅二极管正、反向电阻均接近于无穷大，表明二极管已_______________。

14.2CW是____________材料的__________二极管；2AP是__________材料的____________二极管；2DZ是____________材料的__________二极管；2AK是___________材料的___________二极管。

硅管和锗管的区别

硅二极管和锗二极管的主要区别如下：在相同电流下，锗管的直流电阻小于硅管的直流电阻。

硅管的交流电阻小于锗管。

换言之，当正向电流达到0.2V时，有必要研究启动电压为0.2V的硅二极管。

三个。

在反向电压下，硅管的漏电流远小于锗管。

开启后，锗管电流缓慢增加，而硅管电流增加较快4硅二极管的反向电流远小于锗二极管。

锗管为毫安级，硅管为纳米级。

其原因是在相同的温度下，Si的Ni含量比Si高出约3个数量级。

因此，在相同的掺杂浓度下，少量Si的含量远低于Nb的含量，因此硅晶体管的反向饱和电流很小。

5正向电压很小时，流过二极管的电流很小。

只有当正向电压达到一定值ur时，电流才会显著增加。

电压ur通常称为二极管的阈值电压，也称为死区电压或阈值电压。

6硅二极管的阈值电压高于锗二极管，因为硅二极管的阈值电压远小于锗二极管。

一般来说，硅二极管的阈值电压约为0.5V～0.6V，锗二极管的阈值电压约为0.1V～0.2V。

开发信息：二极管是指一种电子元件，一种有两个电极的装置，只允许电流朝一个方向流动。

它有很多用途，是它的校正功能的应用。

可变二极管用作电子可调电容器。

大多数二极管中的电流流向通常被称为“整流”。

二极管最常见的功能是允许电流只沿一个方向通过（称为正向偏置），并防止电流反向（称为反向偏置）。

因此，二极管可以看作是一个电子止回阀。

2早期真空电子二极管，它是一种能单向传导电流的电子器件。

在半导体二极管中，有一个PN结和两个引线端子。

电子器件在施加电压的方向上具有单向导电性。

一般来说，晶体二极管是由p型和n型半导体烧结而成的p-n结界面。

三个。

在界面两侧形成空间电荷层，形成自建电场。

当外加电压为零时，由于p-n结两侧载流子浓度的差异，扩散电流等于自建电场引起的漂移电流，这也是正常的二极管特性。

4个早期的二极管包括“猫须”晶体和真空管（在英国称为“热阀”）。

今天，大多数最流行的二极管使用半导体材料，如硅或锗。

5由于半导体锗二极管在气液两相流中的传热能力不同，二极管的温度会发生变化，二极管的正向输出电压也会随之变化。

硅管和锗管的区别

硅管和锗管的区别
硅管和锗管的区别
该二极管具有单向导电的特性。

主要功能有整流、稳压和检测。

此外，不同材质的led还可用于指示和照明。

二极管最重要的特性是单向导电。

在电路中，电流只能从二极管的正端流出，而从负端流出。

通过简单的实验说明了二极管的正向和反向特性。

硅二极管和锗二极管具有相同的电路性能和制造工艺。

由于材料的不同，硅二极管的热稳定性较好，锗二极管的热稳定性稍差。

荔城商城表示，他们的差异主要体现在以下几个方面。

(1)锗二极管正向传导电压小于硅二极管;锗二极管的死时间电压很小(0.2 v)和硅二极管大(0.5 v)。

(2)锗二极管的反向电流很大,而硅二极管小而稳定
(3)温度变化对锗二极管的影响大于硅二极管。

因此，硅管的耐高温性能优于锗管。

(4)锗二极管的反向击穿电压低于硅二极管的反向击穿电压。

1N4148硅管和锗管的区别是硅管还是锗管
硅二极管比锗二极管，电压高，响应时间短，性能稳定!在大多数电路中，硅管可以替代锗管，但硅管正向压降为0.7V，高于锗管的0.3V。

因此，在一些特定的环境中，如小信号检测电路中，锗管具有一定的优势
区别在于硅管和锗管的死区电压不同.硅管的死区电压为0.3V，即电
压至少达到0.3V时二极管才会导通；锗管的死区电压为0.2V.即电压至少达到0.2V时锗管二极管才会导通。

电阻的分类

贴片电阻4)按功能分：负载电阻，采样电阻，分流电阻，保护电阻5)(1)、标称阻值：电阻器上面所标示的阻值。

6)(2)、允许误差：标称阻值与实际阻值的差值跟标称阻值之比的百分数称阻值偏差，它表示电阻器的精度。

允许误差与精度等级对应关系如下：±0.5%-0.05、±1%-0.1(或00)、±2%-0.2(或0)、±5%、±10%、±20% 。

7)(3)、额定功率：在正常的大气压力90-106.6KPa及环境温度为－55℃～＋70℃的条件下，电阻器长期工作所允许耗散的最大功率。

13)(5)、最高工作电压：允许的最大连续工作电压。

在低气压工作时，最高工作电压较低。

14)(6)、温度系数：温度每变化1℃所引起的电阻值的相对变化。

温度系数越小，电阻的稳定性越好。

阻值随温度升高而增大的为正温度系数，反之为负温度系数。

15)(7)、老化系数：电阻器在额定功率长期负荷下，阻值相对变化的百分数，它是表示电阻器寿命长短的参数。

16)(8)、电压系数：在规定的电压范围内，电压每变化1伏，电阻器的相对变化量。

18)应使电位器工作于额定功率范围内。

硅管和锗管的判别方法

硅管和锗管的判别方法
硅管和锗管是两种常用的半导体器件，它们在电子学领域有着广泛的应用。

但是在实际应用中，有时需要对其进行判别。

下面介绍一些硅管和锗管的判别方法。

1. 观察颜色：硅管通常呈黑色或深棕色，而锗管呈灰色或棕色。

因此，可以通过观察管子的颜色来判断管子的材料。

2. 测量电阻：硅管的电阻比锗管低，可以使用万用表或电阻测量仪来测量管子的电阻，从而判断管子的材料。

3. 测量电容：硅管和锗管的电容也有一定的区别，在测量管子的电容时，可以通过对比测量结果来判断管子的材料。

4. 鉴别二极管：硅管和锗管的二极管特性也有一定的区别。

可以通过对二极管进行测试，如反向击穿电压、正向导通电压等来判断管子的材料。

5. 应用场景：硅管和锗管在一些应用场景中有着不同的应用。

比如说在高频放大电路中，锗管的应用更为广泛，而在数字电路中，硅管的应用更为常见。

因此，在实际应用中，可以根据应用场景来判断管子的材料。

总的来说，硅管和锗管的判别方法有多种，可以通过多种方法来判断管子的材料。

在实际应用中，需要根据具体情况来选择合适的判别方法。

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硅和锗二极管的导通电压

硅和锗二极管的导通电压二极管是一种最基本的半导体器件，它只有两个电极，即正极和负极。

正极又称阳极，负极又称阴极。

二极管具有单向导电性，即只有在正向偏置时才能导电，反向偏置时则不能导电。

在正向偏置状态下，二极管的导通电压是一个重要的参数，它决定了二极管在电路中的工作状态和性能。

硅和锗是常用的二极管材料，它们的导通电压有所不同。

本文将对硅和锗二极管的导通电压进行详细介绍。

一、硅二极管的导通电压硅是一种广泛应用的半导体材料，具有较高的电学性能和机械强度，因此被广泛用于半导体器件的制造中。

硅二极管是最常见的二极管之一，其导通电压一般在0.6V左右。

硅二极管的导通电压与其物理结构和材料有关。

硅二极管的结构是由P型和N型半导体材料组成的，即P-N结。

当P型半导体与N型半导体相接触时，会形成一个电势垒，这个电势垒可以阻止电流的流动。

当对硅二极管正向偏置时，即将正极接在P型半导体上，负极接在N型半导体上时，电势垒会被压缩，电子和空穴能够穿过电势垒，从而形成电流，这就是硅二极管的导通状态。

硅二极管的导通电压与电势垒高度有关。

当电势垒高度为0.6V 时，硅二极管开始导通。

这个电势垒高度是由硅材料的禁带宽度决定的。

硅材料的禁带宽度一般在1.1eV左右，因此硅二极管的导通电压一般在0.6V左右。

硅二极管的导通电压还受到其他因素的影响，如温度、电流等。

在高温环境下，硅二极管的导通电压会降低；在大电流情况下，硅二极管的导通电压也会有所变化。

因此，在实际应用中，需要考虑这些因素对硅二极管导通电压的影响。

二、锗二极管的导通电压锗是一种半导体材料，其晶体结构与硅相似，但其禁带宽度更小，因此锗二极管的导通电压比硅二极管更低，一般在0.2V左右。

锗二极管的导通电压与其物理结构和材料有关。

锗二极管的结构也是由P型和N型半导体材料组成的，即P-N结。

当对锗二极管正向偏置时，电子和空穴能够穿过电势垒，从而形成电流，这就是锗二极管的导通状态。