黑龙江省哈尔滨师范大学附属中学2013—2014年度高二下学期期中考试试卷物理

黑龙江省哈尔滨师范大学附属中学2013—2014年度高二下

学期期中考试试卷物理

一、选择题：（本大题共14小题，每小题4分，共56分，1-8题为单选题，9-14题为多选题）

1．关于电路中感应电动势的大小，下列说法中正确的是

A ．跟穿过闭合电路的磁通量成正比

B ．跟穿过闭合电路的磁通量的变化量成正比

C ．跟穿过闭合电路的磁通量的变化率成正比

D ．跟电路的总电阻成正比

2．下列应用与涡流无主要关系的是

A ．电磁炉

B ．微波炉

C ．金属探测器

D ．高频感应冶炼炉

3．紧靠在一起的线圈A 与B 如图甲所示,当给线圈A 通以图乙所示的电流（规定由a 进入、b 流出为电流正方向）时,则线圈B 两端的电压变化应为下图中的

4．用相同导线绕制的边长为L 或2L 的四个闭合导体线框，以相同的速度匀速进入右侧匀强磁场，如图所示。在每个线框进入磁场的过程中，N 、M 两点间的电压大小分别为U a 、U b 、U c 和U d 。下列判断正确的是

A ．U a ＜U b ＜U c ＜U d

B ．U a ＜U b ＜U d ＜U c

C ．U a ＝U b ＜U c ＝U d

D ．U b ＜U a ＜U d ＜U c

5． 如图所示，有界匀强磁场区域的半径为R ，磁场方向与半径也为R

的导线环所在平面垂直，导线环沿两圆的圆心连线方向匀速穿过磁场区

域，关于导线环中的感应电流随时间的变化关系，下列图线中(以逆时

针方向的电流为正)最符合实际的是

6．矩形线框在匀强磁场内匀速转动过程中，线框输出的交流电压随时间变化的图象如图所示，下列说法中正确的是

A ．该交流电的电压瞬时值的表达式为u ＝πt)V

B ．交流电压的最小值为，频率为0.25Hz

C ．0时刻到2s 末的时间内通过线框的总电量不为零

D ．1s 末线框平面垂直于磁场，通过线框的磁通量变化最快

7．如图电路中，P 、Q 两灯相同，线圈L 的电阻不计，则

A ．S 断开瞬间，P 立即熄灭，Q 过一会才熄灭

B ．S 接通瞬间，P 、Q 同时达正常发光

C ．S 断开瞬间，通过P 的电流从右向左

D ．S 断开瞬间，通过Q 的电流与原来方向相反

8．某物体由静止开始做匀加速直线运动，经过时间t 1后，撤去牵引力，物体在阻力作用下做匀减速直线运动，

又经过时间t 2

速度为零，若物体一直在同样的水平面上运动，则牵引力与阻力大小之比为

A ．t 2∶t 1

B ．(t 1＋t 2)∶t 1

C ．(t 1＋t 2)∶t 2

D ．t 2∶(t 1＋t 2)

9．两名质量相等的滑冰人甲和乙都静止在光滑的水平冰面上．现在，其中一人向另一人抛出一个篮球，另一人接球后再抛回．如此反复几次后，甲和乙最后速率v 甲、v 乙关系是

A ．若甲最先抛球，则一定是v 甲＞v 乙

B ．若乙最先抛球，则可能是v 甲＞v 乙

C ．无论甲乙谁先抛球，只要乙最后接球，就应是v 甲＞v 乙

D ．无论怎样抛球和接球，都是v 甲＞v 乙

10．如图所示，50匝矩形闭合导线框ABCD 处于磁感应强度大小B 10T 的水平匀强磁场中，线框面积S ＝0.5m 2

，线框电阻不计。线框绕垂

Ａ Ｂ Ｃ Ｄ

直于磁场的轴OO′以角速度ω＝200 rad／s匀速转动，并与理想变压器原线圈相连，副线圈接入一只“220V，60W”灯泡，且灯泡正常发光，熔断器允许通过的最大电流为10A，下列说法正确的是

A．线框平面位于中性面时，通过线框的磁通量为零

B．线框中产生交变电压的有效值为

C．变压器原、副线圈匝数之比为25∶11

D．允许变压器输出的最大功率为5 000W

11．如图所示，理想变压器，原副线圈的匝数比为n ，原线圈接正弦交流电压U ，输出端A 、A 1、A 2、A 3为理想的交流电流表，R 为三个完全相同的电阻，

L 为电感，C 为电容，当输入端接通电源后，电流表A 读

数为I,下列判断正确的是

A ．副线圈两端的电压为nU

B

C ．电流表A 1的读数I 1大于电流表A 2的读数I 2

D ．电流表A 3的读数I 3=0

12．如图所示，M 为理想变压器，电压表、电流表均可视为理

想电表，接线柱a 、b 接在电压u ＝311sin(πt)V 的正弦交流

电压，当滑动变阻器的滑片P 向下滑动时，下列关于各表示数

变化情况正确的说法是（ ）

A ．V 1变小 、V 2 变小

B ．A 1变大、A 2变大

C ．A 1变大、V 1不变

D ．A 2变大、V 2不变

13．甲小球在光滑水平面上运动速度为v 1，与静止的乙小球发生正碰，碰撞过程中无机械能损失，下列结论正确的是( )

A ．乙的质量等于甲的质量时，碰撞后乙的速率为v 1

B ．乙的质量远远小于甲的质量时，碰撞后乙的速率为2v 1

C ．乙的质量远远大于甲的质量时，碰撞后甲的速率为v 1

D ．碰撞过程中甲对乙做功大于乙动能的增量

14．如图所示，一粗糙的平行金属轨道平面与水平面成θ角，两轨道上端用一电阻R 相连，该装置处于匀强磁场中，磁场方向垂直轨道于平面向上．质量为m 的金属杆ab 以初速度v 0从轨道底端向上滑行，滑行到某高度h 后又返回到底端．若运动过程中金属杆始终保持与导轨垂直且接触良好，轨道与金属杆的电阻均忽略不计．则下列说法正确的是( )

A ．金属杆ab 上滑过程与下滑过程通过电阻R 的电量一样多

B ．金属杆ab 上滑过程中克服安培力与摩擦力所做功之和等于12

mv 20 C ．金属杆ab 上滑过程与下滑过程因摩擦而产生的内能不一定相等