可控硅参数列表
可控硅型号参数BT
BT101-500R
可控硅
15
10m
BT1306-600D
PHILIPS
器、 相位控制和 0.6 小功率交流电 风扇速度控 制
600
BT1308-400D
PHILIPS
逻辑电平可控 硅， 用于通用开
0.8
400
关、固体继电 器、 相位控制和 小功率交流电 风扇速度控 制 逻辑电平可控 硅， 用于通用开 关、固体继电 BT1308-600D PHILIPS 器、 相位控制和 0.8 小功率交流电 风扇速度控 制 逻辑电平可控 硅， 用于通用开 关、固体继电 BT131 系列 PHILIPS 器、 相位控制和 1 小功率交流电 风扇速度控 制 逻辑电平可控 硅， 用于通用开 关、固体继电 BT132 系列 PHILIPS 器、 相位控制和 1 小功率交流电 风扇速度控 制 可控硅， 用于通 用开关、 固体继 BT134 系列 PHILIPS 电器、 相位控制 和小功率交流 电风扇速度控 制 可控硅， 用于通 用开关、 固体继 BT136-500 PHILIPS 电器、 相位控制 和小功率交流 电风扇速度控 制 可控硅， 用于通 用开关、 固体继 BT136-500D PHILIPS 电器、 相位控制 4 和小功率交流 电风扇速度控 10m 1.5 4 70m 1.5 4 500-800 500-600 0.4 0.7 500-600 600
制 可控硅， 用于通 用开关、 固体继 BT136-500E PHILIPS 电器、 相位控制 和小功率交流 电风扇速度控 制 可控硅， 用于通 用开关、 固体继 BT136-500F PHILIPS 电器、 相位控制 和小功率交流 电风扇速度控 制 可控硅， 用于通 用开关、 固体继 BT136-500G PHILIPS 电器、 相位控制 和小功率交流 电风扇速度控 制 可控硅， 用于通 用开关、 固体继 BT136-600 PHILIPS 电器、 相位控制 和小功率交流 电风扇速度控 制 可控硅， 用于通 用开关、 固体继 BT136-600E PHILIPS 电器、 相位控制 和小功率交流 电风扇速度控 制 可控硅， 用于通 用开关、 固体继 BT136-600F PHILIPS 电器、 相位控制 和小功率交流 电风扇速度控 制 可控硅， 用于通 用开关、 固体继 BT136-600G PHILIPS 电器、 相位控制 和小功率交流 电风扇速度控 制 4 50m 1.5 4 70m 1.5 4 25m 1.5 4 40m 1.5 4 50m 1.5 4 70m 1.5 4 25m 1.5
单向可控硅参数列表MCR100-81A400V
单向可控硅参数列表MCR100-8 1A400V单向可控硅参数列表MCR100-8 1A400V参数: 1A 400V可控硅引脚定义可控硅外形象中功率三极管，三个脚定义为阳极A，阴极K，栅极G ,使用时在阳极加正电压，必须在栅极加一个4 伏左右的触发电压才能导通.单向可控硅的型号参数表常用1A/400V 单向可控硅有：MCR100-6MCR100-8BT169TP5GCR3AM常用3A/600V 的单向可控硅的型号有：3CR3AM-12TLC336TLC336TTLC336DTLC336STLC336晶闸管的选用与代换及检测1．晶闸管的选用(1) 选择晶闸管的类型：晶闸管有多种类型，应根据应用电路的具体要求合理选用。
若用于交直流电压控制、可控整流、交流调压、逆变电源、开关电源保护电路等，可选用普通晶闸管。
若用于交流开关、交流调压、交流电动机线性调速、灯具线性调光及固态继电器、固态接触器等电路中，应选用双向晶闸管。
若用于交流电动机变频调速、斩波器、逆变电源及各种电子开关电路等，可选用门极关断晶闸管。
若用于锯齿波发生器、长时间延时器、过电压保护器及大功率晶体管触发电路等，可选用BTG 晶闸管。
若用于电磁灶、电子镇流器、超声波电路、超导磁能储存系统及开关电源等电路，可选用逆导晶闸管。
若用于光电耦合器、光探测器、光报警器、光计数器、光电逻辑电路及自动生产线的运行监控电路，可选用光控晶闸管。
2．选择晶闸管的主要参数：晶闸管的主要参数应根据应用电路的具体要求而定。
所选晶闸管应留有一定的功率裕量，其额定峰值电压和额定电流（通态平均电流）均应高于受控电路的最大工作电压和最大工作电流1. 5〜2倍。
晶闸管的正向压降、门极触发电流及触发电压等参数应符合应用电路（指门极的控制电路）的各项要求，不能偏高或偏低，否则会影响晶闸管的正常工作。
2.晶闸管的代换晶闸管损坏后，若无同型号的晶闸管更换，可以选用与其性能参数相近的其他型号晶闸管来代换。
可控硅型号与参数表
可控硅型号与参数表描述一．可控硅简介可控硅是一种大功率电器元件，也称晶闸管。
它具有体积小、效率高、寿命长等优点。
在自动控制系统中，可作为大功率驱动器件，实现用小功率控件控制大功率设备。
它在交直流电机调速系统、调功系统及随动系统中得到了广泛的应用。
可控硅图结构、外形和图形符可控硅的三个电极分别叫阳极（A）、阴极（K）和控制极（G）。
当器件的阳极接负电位（相对阴极而言）时，从符号图上可以看出PN 结处于反向，具有类似二极管的反向特性。
当器件的阳极上加正电位时（若控制极不接任何电压），在一定的电压范围内，器件仍处于阻抗很高的关闭状态。
但当正电压大于某个电压（称为转折电压）时，器件迅速转变到低阻通导状态。
加在可控硅阳极和阴极间的电压低于转折电压时，器件处于关闭状态。
此时如果在控制极上加有适当大小的正电压（对阴极），则可控硅可迅速被激发而变为导通状态。
可控硅一旦导通，控制极便失去其控制作用。
就是说，导通后撤去栅极电压可控硅仍导通，只有使器件中的电流减到低于某个数值或阴极与阳极之间电压减小到零或负值时，器件才可恢复到关闭状态。
图3-30是可控硅的伏安特性曲线。
图中曲线I为正向阻断特性。
无控制极信号时，可控硅正向导通电压为正向转折电压（UB0）；当有控制极信号时，正向转折电压会下降（即可以在较低正向电压下导通），转折电压随控制极电流的增大而减小。
当控制极电流大到一定程度时，就不再出现正向阻断状态了。
曲线Ⅱ为导通工作特性。
可控硅导通后内阻很小，管子本身压降很低，外加电压几乎全部降在外电路负载上，并流过比较大的负载电流，特性曲线与二极管正向导通特性相似。
若阳极电压减小（或负载电阻增加），致使阳极电流小于维持电流IH时，可控硅从导通状态立即转为正向阻断状态，回到曲线I状态。
曲线Ⅲ为反向阻断特性。
当器件的阳极加以反向电压时，尽管电压较高，但可控硅不会导通（只有很小的漏电流）。
只有反向电压达到击穿电压时，电流才突然增大，若不加限制器件就会烧毁。
可控硅参数说明
符号说明：VRRM--反向重复峰值电压：在控制极断路和额定结温的条件下，可以重复加在可控硅上的交流电压。
此电压小于反向最高测试电压100V。
反向最高测试电压，规定为反向漏电流急速增加，反向特性曲线开始弯曲时的电压。
V RSM--反向不重复峰值电压；在控制极断路和额定结温的条件下，不允许加在可控硅上的交流电压。
V DRM――断态重复峰值电压；断态重复峰值电压是在门极断路而结温为额定值时，允许重复加在器件上的正向峰值电压.国标规定重复频率为50H，每次持续时间不超高10ms。
规定断态重复峰值电压V DRM为断态不重复峰值电压（即断态最大瞬时电压）UDSM的90%.断态不重复峰值电压应低于正向转折电压Ubo。
IT(AV)/ IF(AV)--通态/正向平均电流；在环境温度+40℃和额定结温下，导通角不小于170°阻性负载电路中，允许通过的50Hz正弦半波电流的平均值。
I T(RMS), I F(RMS)――通态/正向方均根电流；是指在额定结温,允许流过器件的最大有效电流值，用户在使用中须保证，在任何条件下流过器件的电流有效值，不超过对应壳温下的方均根电流值I TSM,I FSM--通态/正向浪涌电流；指由于电路异常情况引起的并使结温超过额定结温的不重复性最大正向过载电流（半个正弦波t=10ms, 50Hz）I2t--表示可控硅所通过的电流产生的能量，是电流的平方乘以时间，表示可控硅的发热特性。
P GM--门极峰值功率；门极触发电压与最大触发电流的乘积；P G(AV) --门极平均功率；门极触发电压与正常触发电流的乘积；di/dt--通态电流临界上升率；指在额定结温下，可控硅能承受的最大通态电流上升率（如果电流上升太快，可能造成局部过热而使可控硅损坏）V ISO--绝缘电压；芯片与可控硅的底板之间的绝缘电压。
Tj--工作结温；可控硅在正常工作条件下允许的PN结温度。
Tjm--额定结温；可控硅在正常工作条件下允许的最高PN结温度。
可控硅参数说明及中英文对照表p
dVCOM/dt
Critical rate of change of commutating voltage
临界转换电压上升率
切换电压上升率dVCOM/dt。驱动高电抗性的负载时，负载电压和电流的波形间通常发生实质性的相位移动。当负载电流过零时双向可控硅发生切换，由于相位差电压并不为零。这时双向可控硅须立即阻断该电压。产生的切换电压上升率（dVCOM/dt）若超过允许值，会迫使双向可控硅回复导通状态，因为载流子没有充分的时间自结上撤出。
V
VGD
Non-triggering gate voltage
门极不触发电压
-
V
VFGM
Peak Forward Gate Voltage
门极正向峰值电压
-
V
VRGM
Peak Reverse Gate Voltage
门极反向峰值电压
-
V
IFGM
Peak Forward Gate Current
门极正向峰值电流
mA
ID
Off-state leakage current
断态漏电流
-
mA
VGT
Triggering gate voltage
门极触发电压
—可以选择Vgt 25度时max值的β倍。β为门极触发电压—结温特性系数，查数据手册可得，取特性曲线中最低工作温度时的系数。若对器件工作环境温度无特殊需要，通常选择时β取1~1.2倍即可。
A
IGM
Forward Peak Gate Current
门极峰值电流
-
A
I2T
Circuit Fusing Consideration
周期电流平方时间积
bta20可控硅参数
bta20可控硅参数摘要：一、可控硅概述二、可控硅的分类与性能三、可控硅的参数四、可控硅的应用五、总结正文：一、可控硅概述可控硅（Silicon Controlled Rectifier，简称SCR）是一种四层三端的半导体器件，具有电压控制的开关特性。
它有阳极（Anode，A）、阴极（Cathode，K）和控制极（Gate，G）三个端子。
可控硅主要用于交流电路中的整流、交直流转换、逆变等，可以实现对电压、电流的控制，从而控制电气设备的功率输出。
二、可控硅的分类与性能1.按结构分类：可分为单相可控硅、三相可控硅。
2.按电压等级分类：可分为低压可控硅（小于600V）、中压可控硅（600V-3000V）和高压可控硅（大于3000V）。
3.按电流等级分类：可分为小功率可控硅（小于100A）、中功率可控硅（100A-1000A）和大功率可控硅（大于1000A）。
4.可控硅的性能：可控硅具有高耐压、高电流、低功耗、长寿命、高可靠性等特点。
三、可控硅的参数1.正向阻断电压：可控硅导通时，需要施加的最低电压，使得可控硅正常导通。
2.正向峰值电流：可控硅可以承受的最大正向电流。
3.反向耐压：可控硅所能承受的最高反向电压。
4.控制灵敏度：可控硅控制极电压变化与阳极电流之间的关系。
5.开关速度：可控硅从导通到阻断，或从阻断到导通的时间。
四、可控硅的应用1.电源电路：可控硅广泛应用于交流电源、直流电源、变压器等领域，实现电源的整流、逆变等功能。
2.工业控制：可控硅用于工业控制系统中，实现对电机、加热设备等电气设备的控制。
3.家电领域：可控硅应用于电视机、洗衣机、空调等家用电器中，实现电源转换、电机控制等功能。
4.通信设备：可控硅在通信设备中用于电源管理、信号处理等模块。
五、总结可控硅作为一种重要的半导体器件，在电子电路中具有广泛的应用。
了解可控硅的分类、性能和参数，对我们分析和应用可控硅具有重要意义。
在实际应用中，根据电路需求选择合适参数的可控硅，可以确保电气设备的稳定运行。
可控硅参数说明及中文英文对照表
引脚到外壳最大绝缘电压
-
V
PG(AV)
Average gate power dissipation
门极平均散耗功率
-
W
PGM
Peak gate power
门极最大峰值功率
-
W
PG(AV)
Average Gate Power
门极平均功率
-
W
Tj
OperatingJunctionTemperatureRange
A
VTM
Peak on-state voltage drop
通态峰值电压
指器件通过规定正向峰值电流IFM(整流管)或通态峰值电流ITM(晶闸管)时的峰值电压也称峰值压降该参数直接反映了器件的通态损耗特性影响着器件的通态电流额定能力。
V
IDRM
Maximum forward or reverse leakage current
A/ms
dVCOM/dt
Critical rate of change of commutating voltage
临界转换电压上升率
切换电压上升率dVCOM/dt。驱动高电抗性的负载时，负载电压和电流的波形间通常发生实质性的相位移动。当负载电流过零时双向可控硅发生切换，由于相位差电压并不为零。这时双向可控硅须立即阻断该电压。产生的切换电压上升率（dVCOM/dt）若超过允许值，会迫使双向可控硅回复导通状态，因为载流子没有充分的时间自结上撤出。
V
dV/dt
Critical Rate of Rise of Off-state Voltage
断态临界电压上升率
dv/dt指的是在关断状态下电压的上升斜率，这是防止误触发的一个关键参数。此值超限将可能导致可控硅出现误导通的现象。由于可控硅的制造工艺决定了A2与G之间会存在寄生电容，如图2所示。我们知道dv/dt的变化在电容的两端会出现等效电流，这个电流就会成为Ig，也就是出现了触发电流，导致误触发
可控硅参数说明及中英文对照表
VDRM
Repetitive peak off-state voltage
断态重复峰值电压
断态重复峰值电压是在门极断路而结温为额定值时，允许重复加在器件上的正向峰值电压.国标规定重复频率为50H，每次持续时间不超高10ms。规定断态重复峰值电压DRM为断态不重复峰值电压（即断态最大瞬时电压）UDSM的90%.断态不重复峰值电压应低于正向转折电压bo，所留裕量大小由生产厂家自行规定。UU
A
IGM
Forward Peak Gate Current
门极峰值电流
-
A
I2T
Circuit Fusing Consideration
周期电流平方时间积
-
A2ses
dIT/dt
Repetitive rate of rise of on-state current after triggering (IGT1~IGT3)
mA
IH
Holding Current
维持电流
维持可控硅维持通态所必需的最小主电流，它与结温有关，结温越高，则IH越小。
mA
IL
Latching Current (IGT3)
接入电流(第三象限)/擎住电流
擎住电流是晶闸管刚从断态转入通态并移除触发信号后，能维持导通所需的最小电流。对同一晶闸管来说，通常IL约为IH的2--4倍。
mA
ID
Off-state leakage current
断态漏电流
-
mA
VGT
Triggering gate voltage
门极触发电压
—可以选择Vgt 25度时max值的β倍。β为门极触发电压—结温特性系数，查数据手册可得，取特性曲线中最低工作温度时的系数。若对器件工作环境温度无特殊需要，通常选择时β取1~倍即可。
单向可控硅参数列表 MCR100-8 1A400V
单向可控硅参数列表MCR100-8 1A400V 单向可控硅参数列表MCR100-8 1A400V参数: 1A 400V可控硅引脚定义可控硅外形象中功率三极管，三个脚定义为阳极A，阴极K，栅极G，使用时在阳极加正电压，必须在栅极加一个4伏左右的触发电压才能导通.单向可控硅的型号参数表常用1A/400V单向可控硅有：MCR100-6MCR100-8BT169TP5GCR3AM常用3A/600V的单向可控硅的型号有：3CR3AM-12TLC336TLC336TTLC336DTLC336STLC336晶闸管的选用与代换及检测1．晶闸管的选用(1)选择晶闸管的类型：晶闸管有多种类型，应根据应用电路的具体要求合理选用。
若用于交直流电压控制、可控整流、交流调压、逆变电源、开关电源保护电路等，可选用普通晶闸管。
若用于交流开关、交流调压、交流电动机线性调速、灯具线性调光及固态继电器、固态接触器等电路中，应选用双向晶闸管。
若用于交流电动机变频调速、斩波器、逆变电源及各种电子开关电路等，可选用门极关断晶闸管。
若用于锯齿波发生器、长时间延时器、过电压保护器及大功率晶体管触发电路等，可选用BTG晶闸管。
若用于电磁灶、电子镇流器、超声波电路、超导磁能储存系统及开关电源等电路，可选用逆导晶闸管。
若用于光电耦合器、光探测器、光报警器、光计数器、光电逻辑电路及自动生产线的运行监控电路，可选用光控晶闸管。
2．选择晶闸管的主要参数：晶闸管的主要参数应根据应用电路的具体要求而定。
所选晶闸管应留有一定的功率裕量，其额定峰值电压和额定电流(通态平均电流)均应高于受控电路的最大工作电压和最大工作电流1．5～2倍。
晶闸管的正向压降、门极触发电流及触发电压等参数应符合应用电路(指门极的控制电路)的各项要求，不能偏高或偏低，否则会影响晶闸管的正常工作。
2．晶闸管的代换晶闸管损坏后，若无同型号的晶闸管更换，可以选用与其性能参数相近的其他型号晶闸管来代换。
可控硅参数——精选推荐
∙型号VRRM（V）VDRM（V）IT（A）IGT（mA/uA) VGT(V) 封装形式MAC97A6 ≥400 ≥400 0.8 3--5 1 TO-92 SOT-8?MAC97A8 ≥600 ≥600 0.8 3--5 1 TO-92 SOT-8?BT131 ≥600 ≥600 1 3--5 0.8 TO-92BT134 ≥600 ≥600 2 3--6 1.8 TO-126BT136 ≥600 ≥600 4 3--6 1.8 TO-220BT137 ≥600 ≥600 8 10--15 1.8 TO-220BT138 ≥600 ≥600 12 12--15 1.8 TO-220BT139 ≥600 ≥600 16 12--15 1.8 TO-220BT151≥600 ≥600 8 1--12 0.8 TO-220如图:主要应用：通用电机控制，取暖和厨房用具，工业和家庭照明等产品。
可控硅/晶闸管特点:晶闸管是一种可控制的整流管，由门极向阴极送出微小信号电流即可触发单向电流自阳极流向阴极。
正面K-G-A. 管脚排列：K-G-A特点: 玻璃钝化芯片、高灵敏的控制极触发电流，低通态压降用途: 应用于各种万能开关器、小型马达控制器、彩灯控制器、漏电保护器、灯具继电器激励器、逻辑集成电路驱动、大功率可控硅门极驱动、摩托车点火器等线路∙BT169D ≥400 ≥400 0.8 5-120 0.8 TO-92BT169G ≥600 ≥600 0.8 5-120 0.8 TO-92BTB04 ≥600 ≥600 4 10 1.8 TO-220BTA04 ≥600 ≥600 4 10 1.8 TO-220BTA06 ≥600 ≥600 6 5--50 1.8 TO-220BTB06 ≥600 ≥600 6 5--50 1.8 TO-220BTA08 ≥600 ≥600 8 5--50 1.8 TO-220BTB08 ≥600 ≥600 8 5--50 1.8 TO-220BTA10 ≥600 ≥600 10 25--50 1.8 TO-220BTB10 ≥600 ≥600 10 25--50 1.8 TO-220BTA12 ≥600 ≥600 12 10--50 1.8 TO-220∙品名= 12A四象限双向可控硅(TRIACs)☆型号= BTA12-1000B◇电流= 12.0（A）◇电压= 1000（V）◇结温= 125（℃）◇封装形式= TO-220AB◇管脚排列= T1-T2-G 【主要用途】变频电路，调光、调温、调速电路，电扇、洗衣机、饮水机、微波炉、空调等家用电器的控制电路。
可控硅参数说明及中英文对照表
VGD
Non-triggering gate voltage
门极不触发电压
-
V
VFGM
Peak Forward Gate Voltage
门极正向峰值电压
-
V
VRGM
Peak Reverse Gate Voltage
门极反向峰值电压
-
V
IFGM
Peak ForwardGate Current
门极正向峰值电流
V/uS
(dI/dt)c
Critical rate of decrease of commutating on-state current
通态电流临界上升率
指在规定条件下，晶闸管能承受而无有害影响的最大通态电流上升率。如果电流上升太快，则晶闸管刚一开通，便会有很大的电流集中在门极附近的小区域内，从而造成局部过热而使晶闸管损坏。
℃
Tstg
?Storage Temperature Range
贮存温度
-
℃
TL
?Max.Lead Temperature for Soldering Purposes
引脚承受焊锡极限温度
-
℃
Rth(j-mb)
?ThermalResistance Junction to mounting base
热阻-结到外壳
V
VRRM
反向重复峰值电压
在门极断路而结温为额定值时，允许重复加在器件上的反向峰值电压。
VPP
Non repetitive line peak pulse voltage
最高不重复线路峰值电压
-
v
Visol
引脚到外壳最大绝缘电压
-
可控硅型号参数
10N60
参数
10A 600V
40N150D
参数40A 1500V
7N60
参数7A 600V
IRF640
参数18A 200V125W
IRFP054
参数70A 600V
10N70
参数 10A 700V
40N25
参数 40A 250V
80N60
参数 80A 600V
IRF644
参数 14A 250V 125W
K1916
参数 18A 450V 80W
K2611
参数 9A 900V
150W
K1007
参数 5A 100V60W
K1119
参数 4A 1000V 100W
K1507
参数 9A 600V 50W
K1917
参数 10A 250W 50W
K2645
参数 9A 600V 150W
K1018
K1120
参数 8A 1000V 150W
400V - 0.48 Ω - 10 A - TO-220.
IRFP240
19A 200V 150W
19G7071
40Q322
40A 1200V
8N80
8A 800V
IRF830
500V - 1.35Ω - 4.5A - TO-220.
IRFP250
30A 200V 150W
20N60
20A 600V
IRFPE40
参数5.3A 800V
150W
IRF634
参数8.1A 250V
75W
75N75
参数75A 75V
IRF630
参数9A 200V
可控硅参数csdn
可控硅参数csdn
可控硅参数
1、输入电压范围
可控硅的输入电压范围通常介于3V~12V之间，但也可以根据客户的要求选择其它的范围。
2、输入频率
可控硅的输入频率范围一般较宽，从几十赫兹到几百兆赫的范围都可以容易调节，并且调节的精度也比较高。
3、输出功率
可控硅的输出功率一般较低，在10W左右，但也有一些高功率的可控硅产品，功率可达到50W以上。
4、输出电流
可控硅的输出电流一般不大，通常在1A以内，如果需要更大容量的可控硅，可以选择特殊的电流放大器。
5、温度范围
可控硅在工作时，温度范围一般在0-70度之间，当温度过高时，可控硅可能工作不正常，需要给其进行降温。
6、输出阻抗
可控硅的输出阻抗一般介于50Ω到500Ω之间，具体的取决于客户的要求，有些特殊的可控硅能提供高阻抗的输出，如1000Ω以上。
7、控制精度
可控硅的控制精度一般在2%以内，微调模式下，可控硅的控制
精度可达到0.2%以上，这是目前市场上最高的精度。
8、可靠性
可控硅的可靠性一般较好，具有高的热稳定性和电磁兼容性，耐压等特性。
可控硅参数说明及中英文对照表
符号英文单词参数中文参数说明单位IT(AV)AVERAGE ON-STATE CURRENT通态平均电流国标规定通态平均电流为晶闸管在环境温度为40oC和规定的冷却状态下，稳定结温不超过额定结温时所允许流过的最大工频正弦半波电流的平均值。
这也是标称其额定电流的参数。
同电力二极管一样，这个参数是按照正向电流造成的器件本身的通态损耗的发热效应来定义的。
因此在使用时同样应按照实际波形的电流与通态平均电流所造成的发热效应相等，即有效值相等的原则来选取晶闸管的此项电流定额，并应留一定的裕量。
一般选取其通态平均电流为按此原则所得计算结果的1.5-2倍。
AVTM Peak on-state voltage drop通态峰值电压指器件通过规定正向峰值电流IFM(整流管)或通态峰值电流ITM(晶闸管)时的峰值电压也称峰值压降该参数直接反映了器件的通态损耗特性影响着器件的通态电流额定能力。
VIDRM Maximum forward or reverse leakage current断态重复峰值漏电流mA IRRM Maximum reverse leakage current反向重复峰值漏电流mAIDSM断态不重复平均电流门极断路时，在额定结温下对应于断态不重复峰值电压下的平均漏电流。
AVTO On state threshold voltage门槛电压-V IT(RMS) On-State RMS Current (full sine wave)通态电流均方值-AITSM Non-Repetitive Peak on-state Current 通态浪涌电流(通态不重复峰值电流)浪涌电流是指由于电路异常情况引起的使结温超过额定结温的不重复性最大正向过载电流。
浪涌电流有上下两个级，这个参数可用来作为设计保护电路的依据。
A为晶闸管在阻断状态下承受断态重复峰值电压VDRM和反向重复峰值电压VRRM时流过元件的正反向峰值漏电流该参数在器件允许工作的最高结温Tjm下测出。
可控硅型号怎样识别 可控硅型号与参数表
可控硅型号怎样识别可控硅型号与参数表
1.可控硅型号怎样识别
可控硅分单向可控硅和双向可控硅两种，都是三个电极。
单向可控硅有阴极(K)、阳极(A)、控制极(G)。
双向可控硅等效于两只单项可控硅反向并联而成。
即其中一只单向硅阳极与另一只阴极相边连，其引出端称T2极，其中一只单向硅阴极与另一只阳极相连，其引出端称T2极，剩下则为控制极(G)。
1、单、双向可控硅的判别：先任测两个极，若正、反测指针均不动(R&TImes;1挡)，可能是
A、K或G、A极(对单向可控硅)也可能是T2、T1或T2、G极(对双向可控硅)。
若其中有一次测量指示为几十至几百欧，则必为单向可控硅。
且红笔所接为K极，黑笔接的为G极，剩下即为A极。
若正、反向测批示均为几十至几百欧，则必为双向可控硅。
再将旋钮拨至R&TImes;1或R&TImes;10挡复测，其中必有一次阻值稍大，则稍大的一次红笔接的为G极，黑笔所接为T1极，余下是T2极。
2.可控硅型号与参数表。
100-8可控硅参数
100-8可控硅参数可控硅是一种重要的半导体器件，在电力电子、自动化控制、照明等领域中广泛应用。
它具有可控性强、功率损耗小等优点，在各种电路中起到重要的作用。
下面将介绍可控硅的主要参数。
可控硅的控制参数包括触发电压、触发电流和触发方式。
触发电压是指使可控硅进入导通状态所需的最低电压。
在实际应用中，为了确保可控硅的正确触发，通常需要在触发电压上设置额外的余量。
触发电压的大小与可控硅的具体型号和工作温度有关。
触发电流是指触发电压下的电流值。
当触发电流达到一定的阈值时，可控硅会进入导通状态。
触发电流的大小决定了可控硅的灵敏度，即触发电流越小，可控硅的触发灵敏度越高。
触发方式是指可控硅进入导通状态的具体方法。
常见的触发方式包括正向触发和反向触发。
正向触发是指在可控硅的正向电压作用下，通过触发电流使其进入导通状态。
反向触发是指在可控硅的反向电压作用下，通过触发电流使其进入导通状态。
触发方式的选择取决于具体的应用需求。
可控硅的导通能力参数包括导通电流和导通损耗。
导通电流是指可控硅在导通状态下能够承受的最大电流。
导通电流的大小决定了可控硅的功率处理能力，通常通过增加可控硅的面积或并联多个可控硅来提高导通电流。
导通损耗是指可控硅在导通状态下产生的功率损耗。
导通损耗与导通电流和可控硅的正向电压有关，通常通过降低导通电流或减小可控硅的正向电压来减小导通损耗。
可控硅的关断参数包括关断电流和关断时间。
关断电流是指可控硅在关断状态下的最大电流。
关断电流的大小决定了可控硅在关断状态下的能力。
通常通过增加可控硅的结构改善关断能力。
关断时间是指可控硅从导通状态切换到关断状态所需的时间。
关断时间的长短直接影响着可控硅的工作频率和效率，通常通过优化可控硅的结构和电路设计来缩短关断时间。
综上所述，可控硅的参数对于其在各种电路中的工作性能和可靠性至关重要。
通过合理选择可控硅的参数，可以实现高效、稳定的电路控制，满足不同应用场景的需求。
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March 2008 Rev. 21/9AN2703Application noteParameter list for SCRs, TRIACs, AC switches, and DIACS IntroductionAll datasheet parameters are rated as minimum or maximum values, corresponding to the product parameter distribution. In each datasheet, two classes of parameters are available:■Absolute ratings, corresponding to critical parameters, not to be exceeded for safe operation. If the absolute rating is exceeded, the component may be damaged.■Electrical, thermal and static characteristics, defining limits on product Parameters AN2703 1 Parameters2/9AN2703Parameters 3/9I GM Peak gate current This is the maximum peak current allowed through gate and cathode, defined for a 20 µs pulse duration.If the absolute rating is exceeded, the component may be damaged.P G(AV)Average gate power dissipation This is the maximum average power that can be dissipated by the gate junction.If the absolute rating is exceeded, the component may be damaged.V RGM Peak reverse gate voltageThis parameter is only defined for SCRs. It is the maximum reverse voltage thancan be applied across gate and cathode terminals, without risk of destruction ofthe gate to cathode junction.V GMPeak positive gate voltage (with respect to the pin "COM")This parameter is only defined for ACSs. It is the maximum voltage than can beapplied across gate and COM terminals without risk of destruction of the gate toCOM junction.Table 2.Electrical characteristics parametersParameter Name and descriptionP Average power dissipationThis is the average power dissipated by current conduction through the devicefor one full cycle operation.I GT Triggering gate currentThis is the current to apply between gate and cathode (or gate and electrode A1for TRIAC) to turn-on the device. This parameter defines the sensitivity of thecomponent.For a SCR, the gate current has always to be sunk by the gate.For a TRIAC, I GT is define for 3 or 4 quadrants corresponding to the differentpolarities of A2, A1 and gate:- Q1: I g sunk by the gate, V A2-A1 > 0- Q2: I g sourced by the gate, V A2-A1 > 0- Q3: I g sourced by the gate, V A2-A1 < 0- Q4: I g sunk by the gate, V A2-A1 < 0The I GT value is higher in Q4 quadrant.For ACS types, I GT is defined in two quadrants (Q2 and Q3).V GT Triggering gate voltageThis is the voltage to apply across gate and cathode (or gate and electrode A1for TRIAC) to reach the IGT current and then to trigger the device.V GDNon-triggering gate voltageV GD is the maximum voltage which can be applied across gate and cathode (orgate and electrode A1 for TRIAC) without causing undesired turn-on. Thisparameter is specified, for the worst case scenario, at the maximum junctiontemperature.Table 1.Absolute ratings parameters (continued)ParameterName and descriptionParameters AN27034/9I HHolding currentThis is the current level circulating through anode and cathode (or A2 and A1 fora TRIAC) under which the device turns off, without gate current.I LLatching currentThis is the current level circulating through anode and cathode (or A2 and A1 fora TRIAC) to keep the device conducting after removal of the gate current.If the anode current is under this value after having removed the gate current,the device switches off. For TRIACs, the IL value is higher in Q2 quadrant.dV/dtCritical rate of rise of off-state voltageThis is the maximum value of rate of the rising voltage that can be appliedacross anode and cathode of the SCR (or across A2 and A1 for a TRIAC)without risking turning it on spuriously.(dI/dt)cCritical rate of decrease of commutating on-state currentThis is the maximum rate of decrease of the anode current allowed to turn theTRIAC off. Above this value, the TRIAC can remains ON in next reverse polarity.For standard, logic level TRIACs and ACSs, the (dI/dt)c is specified with a limited(dV/dt)c parameter.For Snubberless TRIACs, this value is specified without it.(dV/dt)cCritical rate of rise of commutating off-state voltageThis is the maximum rate of rise of the reapplied voltage during turn-off. Abovethis limit, the TRIAC may remain ON without any gate current.V CLClamping voltageThis is the voltage level, applied across OUT and COM terminals, from whichthe device enters in avalanche mode. It is only defined for ACS and ACSTdevices which internally feature an overvoltage protection capability.V BOBreakover voltageThis is the voltage measured across the terminals of a DIAC or across OUT andCOM terminals of an ACS/ACST, when the device current reaches its I BO level(no gate current). Above this point, the device will turn on in breakover mode.I BOBreakover currentThis is current flowing through a DIAC or an ACS just before that the deviceswitches on in the breakover mode.V TMPeak on-state voltage dropThis is the voltage across the device while it is on-state. It is specified at thepeak current corresponding to the I T(RMS) current of the device.V FPeak forward voltage dropThis is the voltage across a diode when the diode is conducting.Table 2.Electrical characteristics parameters (continued)Parameter Name and descriptionAN2703Parameters5/9Parameters AN27036/9ΔVDynamic breakover voltageFor a DIAC, this is the dynamic variation of its voltage at triggering. It is thedifference between VBO and the voltage for a 10mA current.Δ V = V BO - V DIAC(10mA)DIACs feature a negative-resistance triggered characteristic.R TH(j-a)Junction to ambient thermal resistanceThis is the thermal resistance between junction and ambient, when the device isused without heatsink. For SMD packages, the copper surface under the tab isspecified.R TH(j-c)Junction to case thermal resistanceThis is the thermal resistance between junction to case. For TRIACs and SCRs,this value is respectively specified for AC and DC operations.R TH(j-l)Junction to lead thermal resistanceThis is the thermal resistance between junction and leads. It is given for smallpackages like TO92, with no other metallic case temperature reference.Z TH(j-c)Z THj-a)Transient thermal impedanceThis is the value of the thermal resistance when the steady state of the device isnot reached. Curves provided in the datasheets, Z TH(j-c) and ZT H(j-a), show therelative value of this impedance according the to the time duration of dissipatedpower pulse.Table 2.Electrical characteristics parameters (continued)Parameter Name and descriptionAN2703Testing method for parameters 7/9Appendix A Testing method for parametersThe testing method for I DRM / I RRM parameters is:●Apply the specified V DRM or V RRM voltage across anode and cathode (or A2 and A1 terminals for TRIACs, or OUT and COM terminals for AC Switches)●Measure the leakage current peak value: it must be less than the maximum specification value (I DRM / I RRM max.).It is forbidden to use a current supply and apply the I DRM / I RRM max. through anodeand cathode, and then measure the voltage.In this case, the TRIAC or the SCR goes into breakdown voltage and may be damaged.Note: A voltage higher than the V DRM / V RRM rated values may be applied for less than 10 ms if itdoes not exceed the V DSM / V RSM parameters specified in the device datasheet.Figure 1.Relationship between applied and measured valuesRevision history AN27038/92 Revision historyTable 3.Document revision history DateRevision ChangesAug-20051Initial release.28-Jan-20082Reformatted to current standardsAN2703Please Read Carefully:Information in this document is provided solely in connection with ST products. STMicroelectronics NV and its subsidiaries (“ST”) reserve the right to make changes, corrections, modifications or improvements, to this document, and the products and services described herein at any time, without notice.All ST products are sold pursuant to ST’s terms and conditions of sale.Purchasers are solely responsible for the choice, selection and use of the ST products and services described herein, and ST assumes no liability whatsoever relating to the choice, selection or use of the ST products and services described herein.No license, express or implied, by estoppel or otherwise, to any intellectual property rights is granted under this document. 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