电子技术第二讲(三极管)

2
40A
Q
1
= IC / IB =2 mA/ 40A=50
3 6 9 12 UCE(V)
此输区出域中特U性CEUBE,集 电UC结E正0.3偏V，称为IB饱>I和C，I区C(。mA )
4
3
当UCE大于一定的数 值时，IC只与IB有关， IC=IBI。B ,此且1区00域IA称C =为线 性放大区。80A
RB
EB
C
N
P
IB
N
E IE
发射结正 偏，发射 区电子不 断向基区 扩散，形 成发射极 电流IE。
Ec
1
IC C
IB B RB
IC
N
从基区扩散来的 电子漂移进入集
P N
电形结 成而IC。被E收c 集，
EB
E IE
要使三极管能放大电流，必须使发射结
正偏，集电结反偏。
2
静态电流放大倍数，动态电流放大倍数 静态电流放大倍数
(3) 截止区
UBE< 死区电压， IB=0 ， IC=ICEO 0
例： =50， USC =12V， RB =70k， RC =6k 当USB = -2V，2V，5V时， 晶体管的静态工作点Q位
于哪个区？ USB =-2V， IB=0 ， IC=0，Q位于截止区
IB B RB UBE
USB
IC
C
RC
E UCE
USC
USB =2V， IB= (USB -UBE)/ RB =(2-0.7)/70=0.019 mA
IC= IB =500.019=0.95 mA< ICS =2 mA ， Q位于放大区
IC最大饱和电流ICS = (USC -UCE)/ RC =(12-0)/6=2mA
例： =50， USC =12V， RB =70k， RC =6k 当USB = -2V，2V，5V时， 晶体管的静态工作点Q位 于哪个区？
60A
2
40A
此区域中 :
IB=0 , IC=ICEO1,
20A
UBE< 死区电
IB=0
压,，称为截止 区。
3 6 9 12 UCE(V)
输出特性三个区域的特点:
(1) 放大区
BE结正偏，BC结反偏， IC=IB , 且
IB
(2)
饱和区
IC =
BE结正偏，BC结正偏 ，即UCEUBE ， IB>IC， UCE0.3V
= IC / IB
IC = IB
动态电流放大倍数
IB ： IB +
IC ： IC +
IB = IC /
IC IC =
IB一般认为： = =IB，近似为一常数
值范围：20~100
1.4.3 特性曲线 IC
IB
mA
C
A
B
RC
E
USC
RB
V UBE
V UCE
USB
实验线路(共发射极接法)
（1）输入特性
B 基极
C 集电极
N
+_ +_+_ +_ +_+_+_ +_ +_ _+ _+_+_+
P _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _
+++++++++++++
N
集电结 发射结
E 发射极
10.4.2 电流放大原理
进入P区的电子 少部分与基区的 空穴复合，形成 电流IB ，多数扩
散到集电结。 B
IB 与UBE的关系曲线（同二极管）
IB(A) 80
工作压降： 硅管 UBE 0.7V
60
UCE1V
40
20
死区电压， 硅管0.5V
0.4 0.8 UBE(V)
（2）输出特性(IC与UCE的关系曲线)
IC(mA ) 4
= IC / IB =(3-2)mA/(60-40) A=50
3
60A
Q’ = IC / IB =3 mA/ 60A=50
IB B RB
USB
IC
C
RC
E UCE
USC
USB =5V， IB= (USB -UBE)/ RB =(5-0.7)/70=0.061 mA
IC= IB =500.061=3.05 mA> ICS =2 mA ， Q位于饱 和区(实际上，此时IC和IB 已不是的关系）
三极管的技术数据：（自学） （1）电流放大倍数 （2）集-射间穿透电流ICEO （3）集-射间反向击穿电压UCEO (BR) （4）集电极最大电流ICM （5）集电极最大允许功耗PCM
§1.4 半导体三极管
1.4Baidu Nhomakorabea1 基本结构
NPN型 C 集电极
集电极 C PNP型
N
B
P
基极
N
E 发射极
P
B
N
基极 P
E 发射极
三极管符号
C
C
C
C
N
B
B
P
N
P
B
N
B
P
E
E
E
E
NPN型三极管
PNP型三极管
集电区： 面积较大
B 基极
C 集电极
N P N
E 发射极
基区：较薄， 掺杂浓度低
发射区：掺 杂浓度较高