《霍尔元件通用技术条件》编制说明
霍尔元件及其应用
霍尔元件及其应用摘要 : 霍尔元件是一种基于霍尔效应的磁传感器,已发展成一个品种多样的磁传感器产品族，并已得到广泛的应用。
本文简要介绍其工作原理，产品特性及其典型应用。
1 引言霍尔器件是一种磁传感器。
用它们可以检测磁场及其变化，可在各种与磁场有关的场合中使用。
霍尔器件以霍尔效应为其工作基础。
霍尔器件具有许多优点，它们的结构牢固，体积小，重量轻，寿命长，安装方便，功耗小，频率高（可达1MHZ），耐震动，不怕灰尘、油污、水汽及盐雾等的污染或腐蚀。
霍尔线性器件的精度高、线性度好；霍尔开关器件无触点、无磨损、输出波形清晰、无抖动、无回跳、位置重复精度高（可达μm级）。
取用了各种补偿和保护措施的霍尔器件的工作温度范围宽，可达－55℃～150℃。
按照霍尔器件的功能可将它们分为: 霍尔线性器件和霍尔开关器件。
前者输出模拟量，后者输出数字量。
按被检测的对象的性质可将它们的应用分为:直接应用和间接应用。
前者是直接检测出受检测对象本身的磁场或磁特性，后者是检测受检对象上人为设置的磁场，用这个磁场来作被检测的信息的载体，通过它，将许多非电、非磁的物理量例如力、力矩、压力、应力、位置、位移、速度、加速度、角度、角速度、转数、转速以及工作状态发生变化的时间等，转变成电量来进行检测和控制。
2 霍尔效应和霍尔元件2.1 霍尔效应如图1所示，在一块通电的半导体薄片上，加上和片子表面垂直的磁场B，在薄片的横向两侧会出现一个电压，如图1中的VH，这种现象就是霍尔效应，是由科学家爱德文·霍尔在1879年发现的。
VH称为霍尔电压。
（a）霍尔效应和霍尔元件这种现象的产生，是因为通电半导体片中的载流子在磁场产生的洛仑兹力的作用下，分别向片子横向两侧偏转和积聚，因而形成一个电场，称作霍尔电场。
霍尔电场产生的电场力和洛仑兹力相反，它阻碍载流子继续堆积，直到霍尔电场力和洛仑兹力相等。
这时，片子两侧建立起一个稳定的电压，这就是霍尔电压。
《传感与检测技术项目式教程》 霍尔式传感器 4.特性参数
当霍尔元件的激励电流为I时,若元件所处位置磁感应强度为零, 则它的霍尔电势应该为零,但实际不为零。这时测得的空载霍尔电 势称不等位电势。
产生不等位电势的原因有: ①霍尔电极安装位置不对称或不在同一等电位面上; ②半导体材料不均匀造成了电阻率不均匀或是几何尺寸不均匀; ③激励电极接触不良造成激励电流不均匀分布等。
(2)当两个霍尔电极的焊点大小不同时,由于它们的热 容量、热耗散等情况的不同,引起两电极温度不同而产生温 差电势,也是寄生直流电势的一部分。
寄生直流电势一般在1mV以下,它是影响霍尔片温漂的 原因之一。
霍尔元件的主要特性参数
6.热阻
它表示在霍尔电极开路情况下,在霍尔元件上输入1mW 的电功率时产生的温升。所以称它为热电阻是因为这个温 升的大小在一定条件下与电阻有关。
霍尔元件的主要特性参数
4.不等位电势和不等位电阻
不等位电势也可用不等位电阻表示
由上式(5-30)可以看出,不等位电势就是激励电流流经不 等位电阻r0所产生的电压。
霍尔元件的主要特性参数
5.交流不等位电势与寄生直流电势
在不加外磁场的情况下,霍尔元件使用交流激励时,霍 尔电极间的开路交流电势称为交流不等位电势。在此情况 下输出的直流电势称为寄生直流电势。
产生交流不等位电势的原因与不等位电势相同,而寄生 直流电势的产生则是由于以下原因。
霍尔元件的主要特性参数
5.交流不等位电势与寄生直流电势
(1)霍尔电极与基片间的非完全欧姆接触而产生的整流 效应,使激励电流中包含有直流分量,通过霍尔元件的不等 位电势的作用反映出来。一般情况下,不等位电势越小,寄 生直流电势也越小。
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霍尔元件技术指标参考
霍尔元件技术指标1相关参数1.1封装形式TO-92（三脚插片），SOT-23（三脚贴片）。
还有SIP-4（四脚插片），SOT-143（四脚贴片）和SOT-89（四脚贴片）1.2电源有3.5~24V，2.5~3.5V，2.5~5V33C/10m 1.3灵敏度Kh 数量级在，且数值越大灵敏度越高?? 1.4霍尔电势温度越小，设备精确度越大（必要时可以增加温度补偿电路）I c一般在几mA~几十额定控制电流mA，尺寸越大其值越大（尺寸大的可达几百mA）1.51.6型号开关型的、线性的、单极性的、双极性的。
双极开关霍尔元件：177A、177B、177C单极霍尔开关元件：AH175、732、1881、S41、SH12AF、3144、44E、3021、137、AH137、AH284线性霍尔元件：3503、S496B、49E锁定霍尔元件：ATS175、AH173、SS413A、3172、3075互补双输出开关霍尔元件：276A、276B、276C、277A、277B、277C信号霍尔元件：211A、211B、211C微功耗霍尔元件：TEL4913、TP4913、A3212、A3211。
（具体霍尔开关元件见附录）1.7输入电阻和输出电阻一般在几Ω到几百Ω，且输入电阻要大于输出电阻1.8外接上拉电阻一般大于1KΩ。
对一般TTL电路，由于其高电平电压较低，用于驱动CMOS电路时，增加上拉电阻，可以提高其高电平的电压。
常用的阻值是4.7k或10k。
上拉电阻的是接在1脚电源Vcc和3脚信号输出V out之间。
1.9功能分类按照霍尔器件的功能可将它们分为: 霍尔线性器件和霍尔开关器件。
前者输出模拟量，后者输出数字量。
都是输出高电平脉冲信号,不同的是开关型相当于到GS设定值时电平反转；线性的可能是电压逐渐变化,到一定时使后处理电路输出反电平。
一般建议用线性的,开关型常因为温度等原因使得设定值漂移,导致灵敏度下降。
）GS（单位内100双极锁定在，200到60单极开关霍尔的工作点一般在：霍尔工作点1.10．100KHZ以上一般霍尔的工作频率在1.11霍尔工作频率由具体型号及供电电源决定，一般来讲，输出幅度比供电电源略低。
霍尔元件 Microsoft Word 文档
霍尔元件2010-06-13 09:18霍尔元件目录[隐藏]一、霍尔元件的工作原理二、霍尔元件的特性：[编辑本段]一、霍尔元件的工作原理所谓霍尔效应，是指磁场作用于载流金属导体、半导体中的载流子时，产生横向电位差的物理现象。
金属的霍尔效应是1879年被美国物理学家霍尔发现的。
当电流通过金属箔片时，若在垂直于电流的方向施加磁场，则金属箔片两侧面会出现横向电位差。
半导体中的霍尔效应比金属箔片中更为明显，而铁磁金属在居里温度以下将呈现极强的霍尔效应。
利用霍尔效应可以设计制成多种传感器。
霍尔电位差UH的基本关系为UH=RHIB/d （18）RH=1/nq（金属）（19）式中 RH——霍尔系数：n——单位体积内载流子或自由电子的个数q——电子电量；I——通过的电流；B——垂直于I的磁感应强度；d——导体的厚度。
对于半导体和铁磁金属，霍尔系数表达式与式（19）不同，此处从略。
由于通电导线周围存在磁场，其大小与导线中的电流成正比，故可以利用霍尔元件测量出磁场，就可确定导线电流的大小。
利用这一原理可以设计制成霍尔电流传感器。
其优点是不与被测电路发生电接触，不影响被测电路，不消耗被测电源的功率，特别适合于大电流传感。
若把霍尔元件置于电场强度为E、磁场强度为H的电磁场中，则在该元件中将产生电流I，元件上同时产生的霍尔电位差与电场强度E成正比，如果再测出该电磁场的磁场强度，则电磁场的功率密度瞬时值P可由P=EH确定。
利用这种方法可以构成霍尔功率传感器。
如果把霍尔元件集成的开关按预定位置有规律地布置在物体上，当装在运动物体上的永磁体经过它时，可以从测量电路上测得脉冲信号。
根据脉冲信号列可以传感出该运动物体的位移。
若测出单位时间内发出的脉冲数，则可以确定其运动速度。
霍尔元件应用霍尔效应的半导体。
[编辑本段]二、霍尔元件的特性：1、霍尔系数（又称霍尔常数）RH在磁场不太强时，霍尔电势差UH与激励电流I和磁感应强度B的乘积成正比，与霍尔片的厚度δ成反比，即UH =RH*I*B/δ，式中的RH称为霍尔系数，它表示霍尔效应的强弱。
关于霍尔器件的使用说明
用户按照本说明去进行使用，将不会损坏器件，但不保证在任何情况下不损坏，因此本公司将保留增加新的保护措施及条例的权利。
Honeywell公司Si集成霍尔器件在使用中几个注意事项HONEYWELL公司生产的Si集成霍尔器件是一种半导体的磁敏器件，用于测量磁场的有无，大小及方向，由于它对磁敏感，本身又有放大电路集成在内部，因此，输出讯号较大，使用中不再加运放放大，用起来非常方便。
从应用来看，分成线性及开关两类，开关应用中又分为单极、双极及锁存三种工作模式。
在Si集成霍尔器件的应用中，要注意下列事项：一、在测试及焊接过程中的注意事项——防止静电烧毁静电对半导体器件的毁坏作用，日益显得突出，由于半导体器件是微功率器件，在集成电路中每一个晶体管的功率很小，耐压有一定的要求。
如果受静电的冲击，很容易损坏。
静电在日常生活及实验室中处处存在。
静电是由于两种或多种物品的摩擦而引起的，例如毛衣和尼龙衣服的摩擦，可以产生静电放电。
在黑暗处可以看到火花，听到放电的声音，有时切割材料，也是产生摩擦，引起静电。
静电由摩擦产生，因此静电势的高低也是根据不同的物质及摩擦的情况而定的。
HONEYWELL公司在对40PC压力传感器的说明中，按照静电的大小，分为三类：1、第一类是所用的元器件，对静电损伤最敏感，其静电电压在0-1000伏之间，就会损坏器件。
2、第二类是所用的元器件，对静电放电敏感，其静电电压为1000-4000伏之间，在这一电压下，会损坏器件。
3、第三类是所用的元器件，对静电放电不敏感，其静电电压高到4000-15000伏，才损坏器件。
HONEYWELL的Si集成半导体霍尔开关及线性电路是属于第一类的元器件，因此很容易受静电的损坏。
HONEYWELL公司的Si 集成HALL器件在出厂时用金属纸袋包封，或是用去静电的塑料袋包封，以防止静电的损伤。
但在运输过程中，由于摩擦，包装表面也会产生静电，为了防止静电损坏器件，要求在启封以后，严格导循下列程序：（一）防止静电烧毁1、对测试人员，最好穿无静电的棉布衣服。
安全生产管理制度(参考Word)
第八章 霍尔传感器本章主要内容：本章主要介绍霍尔元件的结构原理及实际应用。
第一讲 霍尔效应和霍尔元件教学目的要求：1.掌握霍尔效应的概念原理。
2.理解霍尔元件的测量电路。
3.深入了解霍尔元件的特性参数。
教学重点：霍尔元件的测量电路，霍尔元件的特性参数教学难点：霍尔元件的特性参数教学学时：2学时教学内容：一、 霍尔效应1. 定义：位于磁场中的静止载流导体，当其电流I 的方向与磁场强度H 的方向之间有夹角α时，则在载流导体中平行与H 、I 的两侧面之间将产生电动势，这一物理现象称为霍尔效应。
2. 霍尔电势：如图8-1所示，把一块长为l ，宽为b ，厚度为d 的N 型半导体，置于磁感应强度为B的外磁场中，当半导体中通以电流C I 时，半导体中的自由电荷（电子）受到磁场中洛仑兹力F L 和电场力E F 的作用：图8-1 霍尔效应原理动态平衡时：EL F F则有：B I K dB I R d nq B I UC H C H 0C H ==-= 式中，0H 1nq R -=——霍尔系数（m 3/C ） dR K H H =——霍尔器件的灵敏系数)T A /V (⋅ 说明：霍尔电势与激励电流和元件所在位置的磁感应强度的乘积成正比。
二、霍尔元件和测量电路１．霍尔元件霍尔元件的结构如图8-2所示。
图中的矩形薄片状的立方晶体称为基片，在它的两垂侧面上各装有一对电极，电极1-1用以加激励电压或流过激励电流，故称为激励电极，电极2-2作为霍尔电势U H 的输出，故称为霍尔电极，基片的尺寸要求厚度d 越薄越好，d 越薄，霍尔元件的灵敏系数 H K 越大，在基片外面用金属或陶瓷、环氧树脂封装作为外壳。
图8-31．输入电阻R i 和输出电阻R o定义霍尔元件激励电极之间的电阻称为输入电阻R i 。
霍尔元件的霍尔电极输出的是霍尔电势，对外它是一个等效的电压源，这就需要知道霍尔电极之间的电阻，这个电阻称为输出电阻R o 。
2．额定激励电流I N 和最大允许激励电流I max霍尔元件在空气中产生的温升为10℃时，所对应的激励电流称为额定激励电流I N 。
霍尔元件slss39e引脚资料
霍尔元件slss39e引脚资料霍尔元件（Hall element）是一种基于霍尔效应（Hall effect）的电子元件，常用于测量磁场的强度和方向。
本文将以霍尔元件SLSS39E的引脚资料为标题，介绍该元件的引脚定义和功能。
SLSS39E是一种三引脚的霍尔元件，它具有以下引脚：1. VCC引脚：该引脚用于提供电源电压。
SLSS39E通常工作在2.5V至6.5V的电压范围内，因此VCC引脚需要连接到适当的电源电压上。
2. GND引脚：该引脚用于连接地线，提供电路的参考电平。
3. OUT引脚：该引脚用于输出霍尔元件的信号。
当磁场作用于霍尔元件时，OUT引脚会输出一个电压信号，其幅值和极性与磁场的强度和方向有关。
SLSS39E霍尔元件具有以下特点和功能：1. 高灵敏度：SLSS39E具有很高的灵敏度，能够检测到微弱的磁场变化。
这使得它在磁场测量和磁场控制应用中广泛应用。
2. 宽工作电压范围：SLSS39E适用于2.5V至6.5V的电源电压范围，这使得它可以与不同类型的电路和设备兼容。
3. 低功耗：SLSS39E的低功耗设计使其在电池供电的应用中非常适用，能够节省能源并延长电池寿命。
4. 可编程输出极性：SLSS39E的输出极性可以通过编程进行设置。
这使得它可以适应不同应用的需求，提高系统的灵活性和兼容性。
5. 快速响应时间：SLSS39E具有快速的响应时间，可以实时监测和反馈磁场变化。
这在需要快速响应的应用中非常重要，如电机控制和磁场导航等领域。
在实际应用中，SLSS39E霍尔元件可以用于各种磁场测量和控制的应用，如磁场传感器、电机控制、角度测量和磁导航等。
通过连接合适的外部电路和处理器，可以实现对磁场的准确测量和控制。
总结起来，霍尔元件SLSS39E是一种三引脚的霍尔元件，具有高灵敏度、宽工作电压范围、低功耗、可编程输出极性和快速响应时间等特点和功能。
它在磁场测量和控制方面有着广泛的应用。
通过连接适当的电源和外部电路，SLSS39E可以用于各种磁场传感和控制的应用，为电子系统的设计和开发提供了便利和灵活性。
霍尔传感元器件及其常见指导应用举例
课程设计题目：霍尔器件及其应用分院名称：环境与能源工程学院课程名称：传感器学号：：指导老师：摘要霍尔器件是一种磁传感器。
用它们可以检测磁场及其变化，可在各种与磁场有关的场合中使用。
霍尔器件以霍尔效应为其工作基础。
霍尔器件具有许多优点，它们的结构牢固，体积小，重量轻，寿命长，安装方便，功耗小，频率高（可达1MHZ），耐震动，不怕灰尘、油污、水汽及盐雾等的污染或腐蚀。
霍尔线性器件的精度高、线性度好；霍尔开关器件无触点、无磨损、输出波形清晰、无抖动、无回跳、位置重复精度高（可达μm级）。
取用了各种补偿和保护措施的霍尔器件的工作温度围宽，可达－55℃～150℃。
按照霍尔器件的功能可将它们分为:霍尔线性器件和霍尔开关器件。
前者输出模拟量，后者输出数字量。
按被检测的对象的性质可将它们的应用分为:直接应用和间接应用。
前者是直接检测出受检测对象本身的磁场或磁特性，后者是检测受检对象上人为设置的磁场，用这个磁场来作被检测的信息的载体，通过它，将许多非电、非磁的物理量例如力、力矩、压力、应力、位置、位移、速度、加速度、角度、角速度、转数、转速以及工作状态发生变化的时间等，转变成电量来进行检测和控制。
关键词：霍尔线性器件；霍尔开关器件summaryHolzer device is a magnetic sensor. They can detect the magnetic field and its changes, and can be used in all kinds of situations related to magnetic field. Holzer device based on Holzer effect.Holzer devices have many advantages, they have a strong structure, small size, light weight, long life, easy installation, small power consumption, high frequency (up to1MHZ), resistance to vibration, not afraid of dust, oil, water vapor and salt fog, etc..Holzer linear device of high precision, good linearity; Holzer switch device with no contact, no wear, no jitter, the output waveform is clear, no rebound, position of high repetition accuracy (up to m level). The operating temperature range of the Holzer device with various compensation and protection measures is 150, 55,.According to the functions of the Holzer device can be divided into: Holzer linear devices and Holzer switch device. The former output analog quantity, the latter output digital quantity.According to the nature of the detected objects can be divided into their applications: direct and indirect application. The former is directly detected by the detection of the object itself or the magnetic properties of magnetic field, the latter is artificially set and detected the object on the magnetic field, the magnetic field vector, to the detected information through it, many non electricity and non physical quantity such as magnetic force, torque, pressure, stress, and position the displacement, velocity, acceleration, angle, speed, speed, speed and working state change time, converted into electricity to detect and control.Key words: Holzer linear device; Holzer switch devic目录1.霍尔效应和霍尔器件 (1)1.1霍尔效应 (1)1.2 霍尔器件 (2)1.2.1 霍尔元件 (2)2 霍尔器件的应用 (7)2.1.1 测量磁场 (7)2.1.2 工作磁体的设置 (7)2.1.3 与外电路的接口 (9)2.2 应用实例 (10)2.2.1检测磁场 (10)2.2.2 检测铁磁物体 (10)2.2.3 用在直流无刷电机中 (11)2.2.4 无损探伤 (14)2.2.5 磁记录信息读出 (14)2.2.6 霍尔接近传感器和接近开关 (15)2.2.8 霍尔齿轮传感器 (17)2.2.9 旋转传感器 (19)2.2.10 霍尔位移传感器 (20)2.2.11实现电－磁－电的转换 (25)2.2.12.3在逆变器中的应用 (29)2.2.14霍尔隔离放大器 (37)2.2.15用作电磁隔离耦合器 (37)参考文献 (38)致 (39)1.霍尔效应和霍尔器件1.1 霍尔效应霍尔效应是一种磁电效应，是德国物理学家霍尔1879年研究载流导体在磁场中受力的性质时发现的。
霍尔元件原理
图12 A44E集成开关型霍耳传感器引脚图
霍尔元件外观图片
霍尔转速传感器应用电路
霍尔传感器应用电路
时间：2009-08-02 07:11:34来源：资料室作者：
图1霍尔传感器N，S极判断电路
图2霍耳传感器的放大电路图
图3霍耳传感器的输出用于AC电压的放大电路
(1)材料性质与霍尔系数乘以电子移动度之积之平方根成正比。
(2)材料之形状与厚度之平方根之倒数成正比。
由于上述关系，实际的霍尔组件中，可将霍尔系数及电子移动度大的材料加工成薄的十字形予以制成。
图2系表示3～5端子之霍尔组件的使用方法，在三端子霍尔元件之输出可以产生输入端子电压之大致一半与输出信号电压之和的电压，而在四端子及五端子霍尔组件中，在原理上虽然可以免除输入端子电压的影响，但实际上即使在无磁场时，也有起因于组件形状之不平衡等因素之不平衡电压存在。
另外还有一种“锁键型”（或称“锁存型”）开关型霍尔传感器，其特性如图5所示。
当磁感应强度超过动作点Bop时，传感器输出由高电平跃变为低电平，而在外磁场撤消后，其输出状态保持不变（即锁存状态），必须施加反向磁感应强度达到BRP时，才能使电平产生变化。
四、霍尔传感器的应用
按被检测对象的性质可将它们的应用分为：直接应用和间接应用。前者是直接检测受检对象本身的磁场或磁特性，后者是检测受检对象上人为设置的磁场，这个磁场是被检测的信息的载体，通过它，将许多非电、非磁的物理量，例如速度、加速度、角度、角速度、转数、转速以及工作状态发生变化的时间等，转变成电学量来进行检测和控制。
（一）线性型霍尔传感器主要用于一些物理量的测量。例如：
1．电流传感器
由于通电螺线管内部存在磁场，其大小与导线中的电流成正比，故可以利用霍尔传感器测量出磁场，从而确定导线中电流的大小。利用这一原理可以设计制成霍尔电流传感器。其优点是不与被测电路发生电接触，不影响被测电路，不消耗被测电源的功率，特别适合于大电流传感。
丹东华奥电子有限公司 LD1120 霍尔效应锁存器说明书
丹东华奥电子有限公司简介LD1120是采用CMOS 技术设计的霍尔效应锁存器。
该IC 内部包括一个稳压器，带有动态偏移消除系统的霍尔传感器，施密特触发器和漏极开路输出驱动器。
在没有磁场的情况下，输出处于“接通”状态（低）。
当磁通密度（B ）大于工作点（Bop ）时，输出将关闭（高）并且输出被锁定为“关闭”状态，直到磁通密度（B ）低于释放点（Brp ），然后打开（低）。
它具有宽工作电压范围和更宽的温度范围选择，非常适合用于汽车、工业和消费类应用。
特点应用耐高温双极锁存型霍尔传感器电路●工作电压范围：3.5-24V ●CMOS 工艺●斩波稳定放大器级●25mA 输出灌电流●工作温度：-40~+125℃●高磁灵敏度：Phys =60G （Type.）●无铅封装：TO-92S 和SOT-23-3L ●无铅表面处理/符合RoHS 标准●转子位置传感●电流开关●编码器●RPM 检测驱动逻辑控制转速感应数字霍尔效应传感器M:三相霍尔电机霍尔电机驱动器图1.三相霍尔电机的功能应用电路引脚说明表1-1SIP-3L（TO-92S）的引脚定义和说明引脚#名称P/I/O功能说明1VDD P输入电源2GND P地3OUT O开漏输出表1-2SC59（SOT-23-3L）的引脚定义和说明引脚#名称P/I/O功能说明1VDD P输入电源2OUT O开漏输出3GND P地引脚配置(顶视图)SIP-3L(TO-92S)SC59(SOT-23-3L)丹东华奥电子有限公司绝对最大额定值(注1)电气特性(TA=25℃)磁特性(TA=25℃,VDD=12V)丹东华奥电子有限公司丹东华奥电子有限公司功能框图工作特性表2:开关功能参数极性输出极性输出(SC59/SOT-23-3L)(SIP-3L/TO-92S)S 南极B <B RP High 高B >B OP Low 低N 北极B >B OPLow 低B <B RPHigh 高图 2.LD1120功能方框图(磁通密度B)图 3.LD1120工作特性典型特征图4-1.磁参数Vs.Ta图4-2.磁参数Vs.VDD图4-3.VDSon Vs.Ta图4-4.VDSon Vs.VDD图4-5.IDD Vs.Ta图4-6.IDD Vs.VDD图4-7.IOFF Vs.Ta图4-8.IOFF Vs.VDD丹东华奥电子有限公司封装信息单位：mm(1)SIP-3L(TO-92S)有效区域深度传感器位置(2)SC59(SOT-23-3L)丹东华奥电子有限公司。
安迪特 霍尔元件 说明书
安迪特 岂止于小霍尔元件说明书官 网上海舜拓电机有限公司霍尔元件接线图电动推杆机体内设霍尔元件装置，霍尔的作用是提供给接收装置一个信号反馈，用来判断电机的转速。
当知道霍尔转一圈的信号是多少时，就可以知道电机转一圈时，霍尔就会给接受装置提供多少信号，由此来精确控制推杆的位置和行程。
霍尔脉冲精度=丝杆导程/速比/磁环磁极数霍尔脉冲精度的算法白色 Hall sensor B Vout 绿色 Hall sensor A Vout 红色 Hall sensor VCC + 黑色 Hall sensor GND -蓝色 Motor- 棕色 Motor+双通道霍尔霍尔供电5-12V霍尔输出5-12V霍尔电路技术参数霍尔元件技术参数符号参数测试条件最小典型单位 最大V DD 2.5--V 12T J < T J(Max.)工作电压I DD 1.5 2.5mA3.5V DD =2.5 to 12 V 工作电流t on --35U S 50开关时间I QL ----UA1Output Hi-Z输出漏电流R UP 5.010KΩ15内部上拉电阻R DS(on)--20Ω--V DD =5V, I O =10mA, T A =25℃晶体管电阻t d --13U S 25B=B RP to B OP 延迟时间t r ----U S 0.5R1=1Kohm Co=50pF 上升时间t f ----US0.2R1=1Kohm Co=50pF下降时间f BW 磁特性电特性B OP 40--kHz --带宽B RP 1.02.0mT3.0工作点B HYS -3.0-2.0mT -1.0释放点B O --4.0mT --VB Package 回差--mT --B O =(B OP +B RP )/2磁偏置热特性符号单位等级测试条件参数R θJA℃/W177Single-layer PCB, with copper limited to solder padsVB 封装热阻输出波形输出电路。
中华人民共和国工业和信息化部公告 2020年第48号
Announcement公告|机械工业标准化与质量中华人民共和国工业和信息化部公告2020年第48号（节选机械工业部分）膝紀9摭换1JB/T9473—2020霍尔元件通用技术条件JB/T9473—19992021-07-01 2JB/T9481—2020扩散硅力敏器件JB/T9481—19992021-07-01 3JB/T13999—2020电化学VOCs气体传感器2021-07-01 4JB/T14000—2020光学粉尘传感器2021-07-01 5JB/T7653—2020冲模零件技术条件JB/T7653—20082021-07-01 6JB/T8050—2020冲模模架技术条件JB/T8050—20082021-07-01 7JB/T8070—2020冲模模架零件技术条件JB/T8070—20082021-07-01 8JB/T14009—2020冲模板料折弯模技术条件2021-07-01 9JB/T14010—2020冲模热冲压模技术条件2021-07-01 10JB/T14011—2020挤压模铝型材挤压模技术条件2021-07-01 11JB/T14012—2020异形环锻件辗环模设计规范2021-07-01 12JB/T14013—2020集成电路切筋模技术条件2021-07-01 13JB/T14106—2020实验室玻璃器皿清洗机2021-07-01 14JB/T14045—2020大型曲面构件超高压水切割装备2021-07-01 15JB/T6932—2020生物接触氧化法生活污水净化器JB/T6932—20102021-07-01 16JB/T14084—2020板框式旋转滤网除污机2021-07-01 17JB/T14085—2020除尘器过滤元件工况模拟过滤性能评价技术规范2021-07-01 18JB/T14087—2020穿层式中心传动刮泥机2021-07-01 19JB/T14088—2020袋式除尘器滤袋2021-07-01 20JB/T14089—2020袋式除尘器滤袋运行维护技术规范2021-07-01 21JB/T14090—2020低低温电除尘器用烟气冷却器2021-07-01 22JB/T14091—2020硅铁矿热炉余热回收利用成套装置验收技术规范2021-07-01 23JB/T14092—2020集成式模块化污水处理设备2021-07-01 24JB/T14093—2020连续式过滤器2021-07-01 25JB/T14094—2020螺旋式砂水分离器2021-07-01 26JB/T14095—2020农村生活污水净化装置2021-07-01 27JB/T14096—2020燃煤烟气干法脱硫及多组份污染物净化装置2021-07-01 28JB/T14097—2020上流式多相芬顿塔2021-07-01 29JB/T14098—2020湿法烟气脱硫设备圆盘脱水机2021-07-01 30JB/T14099—2020水平烟道除雾器2021-07-01 31JB/T14100—2020选择性非催化还原法烟气脱硝装置2021-07-01 32JB/T14101—2020烟气脱硝尿素热解制氨成套设备2021-07-01 33JB/T14102—2020烟气脱硝装置可靠性评定2021-07-01 34JB/T14103—2020一体化生活污水处理设备2021-07-0144公告 I Announcement(未完待续)35JB/T 14104—2020异形沉淀池刮泥机2021-07-0136JB/T 14105—2020永磁电机潜水搅拌机2021-07-0137JB/T 6931—2020二次气浮过滤净水器JB/T 6931—20102021-07-0138JB/T 14081—2020自走式精细旋耕施肥机2021-07-0139JB/T 14082—2020自走式精细旋耕施药机2021-07-0140JB/T 14083—2020自走式精旋土壤火焰杀虫机2021-07-0141JB/T 14107—2020大型平板搬运机器人通用技术条件2021-07-01(上接第41页)3 “十四五”时期企业生态环境保护工作 思路“十四五”期间，企业应牢固树立绿色发展 理念， 以持续改善环境质量为核心， 以强化防范 环境风险为出发点，加强污染防治攻坚。
SJ119霍尔元件
南京新捷中旭微电子有限公司
SJ 系列砷化镓(GaAs)霍尔元件
SJ 系列砷化镓霍尔元件是一种采用Ⅲ-Ⅴ族半导体材料砷化镓(GaAs)单晶,用离子注入工艺制作 的磁电转换元件，可将磁场强度信号线性地转换成电压讯号输出。
产品特点 . 线性度优良 . 温度稳定性好 . 采用微型封装
-
≤10
500～900 900～1800
-0.07 -
型号和量值
SJ411-9 SJ126
50～130
-
SJ411-6
-
-
66～96
66～96
≤10
-
-
-
500～900 900～1800
-0.07 -
≤10
≤10
910～1500 1700～3000
-0.07
910～1500 1700～3000
-0.07
HALL SENSORS
电特性 （TA＝25℃）
参 数 符号
霍尔输出 电压
VH (mV)
不等位电压
输入电阻 输出电阻 VH 的温度
系数 输入电阻与 输出电阻的
温度系数
VO/VH (%)
Ri (Ω) RO (Ω)
аVH (%/℃)
аR (%/℃)
线性度 ∆KH (%)
测试条件
Ii=5mA B=100mT
Ii =1mA B=0
Ri ~Ta
800
10 Vi (V) 10 Ii (mA)
100 0 0 60 120 180 240 300 B (mT)
400
0 25 45
65 85 105 125 Ta,(℃)
VH (mV)
霍尔元件通用技术条件编制说明
《霍尔元件通用技术条件》编制说明（征求意见稿）一、工作简况1、任务来源本项目是工业和信息化部行业标准制修订计划（工信厅科[2017] 70号），计划编号：2017-0581T-JB，项目名称“霍尔元件通用技术条件”进行修订，标准起草牵头单位：沈阳仪表科学研究院有限公司，计划应完成时间2019年。
2、主要工作过程起草（草案、调研）阶段：沈阳仪表科学研究院有限公司接受本标准的修订任务后，于2018年1月组织成立了标准编制工作组，制定了标准修订计划，修订工作组对霍尔元件的定义、基本参数、要求、试验方法、检验规则、标志、包装及贮存等进行了总结和归纳。
在参照了国外相关标准和1999年发布的《霍尔元件通用技术条件》的基础上，根据各参编单位提出的意见，工作组经全方位的讨论、研究、修改及补充，确立了本《工作组讨论稿》的结构框架及基本内容。
2018年8月2日和8月9日在沈阳仪表科学研究院有限公司分别召开两次编制工作组会议。
会上对标准工作组讨论稿进行了逐字逐句的讨论，工作组根据各位成员的意见，对标准进行修改，形成本征求意见稿及编制说明。
征求意见阶段：审查阶段：报批阶段：3、主要参加单位和工作组成员及其所做的工作等本标准由沈阳仪表科学研究院有限公司、国家仪器仪表元器件质量监督检验中心、传感器国家工程研究中心、中国仪器仪表协会传感器分会、海宁嘉晨汽车电子技术有限公司、杭州电子科技大学等单位共同起草。
工作组主要成员：徐丹辉、李洪儒、张阳、于振毅、王松亭、郑楠、钱正洪、白茹。
工作安排：徐丹辉任修订工作组组长，全面负责标准修订工作，李洪儒、钱正洪负责对各阶段标准的审核。
李洪儒、张阳负责与参编单位沟通、协调工作组内的意见。
王松亭、郑楠、白茹负责标准资料收集、确定标准相关技术参数等工作。
于振毅负责对资料进行总结和归纳、对各方面意见及建议的归纳分析，并提出内部修改意见。
二、标准编制原则和主要内容1、编制原则本标准的修订原则是力求全面、实用、科学，并以生产厂家多年生产实践以及众多用户使用为基础，根据GB/T1.1-2009《标准化工作导则》第1部分，标准的结构和编写规定，参照有关国家标准、企业标准进行编制，尽量与现行有关标准协调、统一。
提出工作任务及任务要求.
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2、特性参数
1.输人电阻Ri 霍尔元件两激励电流端的直流电阻称为输入电阻。它的数值从几十欧到几 百欧，视不同型号的元件而定。温度升高，输人电阻变小，从而使输人电 流Iab变大，最终引起霍尔电动势变大。为了减少这种影响，最好采用恒流 源作为激励源。 2.输出电阻Ro 两个霍尔电动势输出端之间的电阻称为输出电阻，它的数值与输人电 阻同一数量级。它也随温度改变而改变。选择适当的负载电阻RL与之匹配， 可以使由温度引起的霍尔电动势的漂移减至最小。
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2、特性参数
3.最大激励电流Im 由于霍尔电动势随激励电流增大而增大，故在应用中总希望选用较大 的激励电流。但激励电流增大，霍尔元件的功耗增大，元件的温度升高， 从而引起霍尔电动势的温漂增大，因此每种型号的元件均规定了相应的最 大激励电流，它的数值从几毫安至几十毫安。 4.灵敏度KH KH=EH/（IB），它的单位为mV/（mA·T）。
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由实验可知，流入激励电流端的电流I越大、作用在薄片上的磁场强度B越 强，霍尔电动势也就越高。霍尔电动势EH可用下式表示： EH=KHIB 式中 KH——霍尔元件的灵敏度。 若磁感应强度B不垂直于霍尔元件，而是与其法线成某一角度θ时，实 际上作用于霍尔元件上的有效磁感应强度是其法线方向(与薄片垂直的方向 )的分量，即 ，这时的霍尔电动势为 EH=KHI 可知，霍尔电动势与输入电流I、磁感应强度B成正比，且当B的方向改 变时，霍尔电动势的方向也随之改变。如果所施加的磁场为交变磁场，则 霍尔电动势为同频率的交变电动势。
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目前常用的霍尔元件材料是N型硅，它的霍尔灵敏度、温度特性、线性度均 较好，而锑化铟 (InSb)、砷化铟（InAs）、锗 (Ge)等也是常用的霍尔元 件材料，砷化镓 (GaAs)是新型的霍尔元件材料，今后将逐渐得到应用。近 年来，已采用外延离子注人工艺或采用溅射工艺制造出了尺寸小、性能好 的薄膜型霍尔元件，如图b所示。它由衬底、十字形薄膜、引线 (电极)及 塑料外壳等组成。它的灵敏度、稳定性、对称性等均比老工艺优越得多， 目前得到越来越广泛的应用。 霍尔元件的壳体可用塑料、环氧树脂等制造，封装后的外形如图d所示。
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《霍尔元件通用技术条件》编制说明（征求意见稿）一、工作简况1、任务来源本项目是工业和信息化部行业标准制修订计划（工信厅科[2017] 70号），计划编号：2017-0581T-JB，项目名称“霍尔元件通用技术条件”进行修订，标准起草牵头单位：沈阳仪表科学研究院有限公司，计划应完成时间2019年。
2、主要工作过程起草（草案、调研）阶段：沈阳仪表科学研究院有限公司接受本标准的修订任务后，于2018年1月组织成立了标准编制工作组，制定了标准修订计划，修订工作组对霍尔元件的定义、基本参数、要求、试验方法、检验规则、标志、包装及贮存等进行了总结和归纳。
在参照了国外相关标准和1999年发布的《霍尔元件通用技术条件》的基础上，根据各参编单位提出的意见，工作组经全方位的讨论、研究、修改及补充，确立了本《工作组讨论稿》的结构框架及基本内容。
2018年8月2日和8月9日在沈阳仪表科学研究院有限公司分别召开两次编制工作组会议。
会上对标准工作组讨论稿进行了逐字逐句的讨论，工作组根据各位成员的意见，对标准进行修改，形成本征求意见稿及编制说明。
征求意见阶段：审查阶段：报批阶段：3、主要参加单位和工作组成员及其所做的工作等本标准由沈阳仪表科学研究院有限公司、国家仪器仪表元器件质量监督检验中心、传感器国家工程研究中心、中国仪器仪表协会传感器分会、海宁嘉晨汽车电子技术有限公司、杭州电子科技大学等单位共同起草。
工作组主要成员：徐丹辉、李洪儒、张阳、于振毅、王松亭、郑楠、钱正洪、白茹。
工作安排：徐丹辉任修订工作组组长，全面负责标准修订工作，李洪儒、钱正洪负责对各阶段标准的审核。
李洪儒、张阳负责与参编单位沟通、协调工作组内的意见。
王松亭、郑楠、白茹负责标准资料收集、确定标准相关技术参数等工作。
于振毅负责对资料进行总结和归纳、对各方面意见及建议的归纳分析，并提出内部修改意见。
二、标准编制原则和主要内容1、编制原则本标准的修订原则是力求全面、实用、科学，并以生产厂家多年生产实践以及众多用户使用为基础，根据GB/T1.1-2009《标准化工作导则》第1部分，标准的结构和编写规定，参照有关国家标准、企业标准进行编制，尽量与现行有关标准协调、统一。
在确定本标准主要技术性能指标时，综合考虑生产企业的能力和用户的利益，寻求最大的经济、社会效益，充分体现了标准在技术上的先进性和经济上的合理性，并注意吸收国内、外相关的研究成果。
本标准的修订将积极采用国际标准IEC 60747-14-2:2000《半导体器件第14-2 半导体传感器-霍尔元件》，力求与国外先进产品的性能指标相融合。
IEC 60747-14-2:2000只提供了霍尔元件的基本信息：术语（11个定义）、符号（10个）、基本额定值和特性（4个额定值、2条降额曲线、7个静态特性和尺寸图）和测量方法（6个特性的）。
本标准的修订将根据IEC 60747-14-2:2000补充和修改部分术语定义，增加最大控制电压、控制电流降额曲线、控制电压降额曲线的要求，完全覆盖了IEC 60747-14-2:2000中的基本额定值和特性。
同时，在试验方法上，也尽可能采用IEC 60747-14-2:2000的试验方法，使本标准在先进性、可操作性、系统性和科学性方面与国际标准接轨，满足未来霍尔元件发展的需求。
2、主要内容在标准的修订过程中，对工作组每个成员及专家、用户对标准的意见认真讨论、研究，采纳有关意见，使标准更加完善。
原标准包括如下8个部分：范围、引用标准、术语和定义、基本参数和符号、技术要求、试验方法、检验规则、标志包装运输和贮存。
本标准修订中，对“术语和定义”部分的12个部分进行了调整；对“基本参数和符号部分”内的3个部分进行了调整；对“要求”部分的2个部分进行了调整；对“试验方法部分的6个部分进行了调整”；对“检验规则”进行了修改。
术语和定义部分：2000年国际电工委员会发布了IEC 60747-14-2：2000《半导体器件第14-2 半导体传感器-霍尔元件》，本标准与之相比，缺少以下几方面内容：在基本额定值方面，没有对最大允许控制电压、额定控制电压、霍尔输出电压、偏置电压（或零位电压）、控制电流降额曲线、控制电压降额曲线等作要求。
而这些参数在霍尔元件应用上还是很重要的。
但IEC 60747-14-2没有检验规则及标识、包装、运输等的要求，不符合国内生产厂家检验及用户验收的需求。
因此不能完全采用IEC 60747-14-2，而是通过修改，将增加以上参数要求，同时取消掉一些原标准中测量复杂而在应用中作用不太重要的参数，如：可逆性和满标度磁线性误差。
删除：3.7 可逆性、3.10 满度磁线性误差，等两项的术语。
增加了：3.2 零磁场剩余电压；3.7 内阻温度系数；3.8 霍尔电压平均温度系数；3.12 最大允许控制电压；3.14 热阻；3.15 磁阻灵敏度；3.16 控制电流灵敏度；3.18 霍尔输出电压；3.19 失调电压；3.20 控制电流降额曲线；3.21 控制电压降额曲线；3.22 贮存温度范围，等12项的术语。
基本参数和符号部分：表1中，删除了：可逆性 Fn的符号标识。
增加了：最大允许控制电压 - 符号Vcm - 单位 V额定控制电压 - 符号Vc - 单位 V2.1 引用标准的更改原标准：GB/T 2423.3-1993 电工电子产品环境试验第2部分试验Cab：恒定湿热试验更改为：GB/T 2423.3-2016 环境试验第2部分：试验方法试验Cab：恒定湿热试验原标准：GB/T 2423.22-1987 电工电子产品环境试验第2部分试验 n：温度变化试验更改为：GB/T 2423.22-2012 环境试验第2部分：试验方法试验N：温度变化原标准：GB/T 2423.29-1982 电工电子产品基本环境试验第2部分试验 U：引出端及整体安装更改为：GB/T 2423.60-2008 电工电子产品环境试验第2部分：试验方法试验U：引出端及整体安装件强度原标准：GB/T2828-1987 周期检查计数抽样程序及抽样表（适用于连续批的检查）更改为：GB/T 2828.1-2012 计数抽样检验程序第1部分按接收质量限（AQL）检索的逐批检验抽样计划原标准：GB/T 2829-1987 周期检验计数抽样程序及表（适用于对过程稳定性的检查）更改为：GB/T 2829-2002 周期检验计数抽样程序及表（适用于对过程稳定性的检查）原标准：GB/T 4937-1995 半导体器件机械和气候试验方法更改为：GB/T 4937.1-2006 半导体器件机械和气候试验方法第1部分：总则增加引用标准：GB/T 4937.3-2012 半导体器件机械和气候试验方法第3部分：外部目检GB/T 4937.6 半导体器件机械和气候试验方法第6部分：高温贮存GB/T 4937.21 半导体器件机械和气候试验方法第21部分：可焊性GB/T 7665-2005 传感器通用术语IEC 60747-14-2-2000 半导体器件第14-2 半导体传感器-霍尔元件。
2.2 定义内容的增加3.2 零磁场剩余电压zero magnetic field residual voltage在恒温和无磁场条件下，分别测量通过正反方向额定控制电流时，输出端之间的电压输出值。
3.7 内阻温度系数internal resistance temperature coefficient将元件输出端开路，测量不同温度下的输入端电阻值。
将其差值除以温差和平均输入电阻的乘积，取其百分数，即为内阻温度系数。
3.8 霍尔电压平均温度系数hall voltage average temperature coefficient将元件置于恒定磁场中，通以额定控制电流，测量不同温度下开路的霍尔电压值。
将其差值除以温差，再除以平均开路霍尔电压值，取其百分数，即为霍尔电压平均温度系数。
3.12 最大允许控制电压control voltage，allowed maumun steady state工作时所允许加载的最大控制电压值，超过此值，能使元件性能发生超过规定的变化。
3.14 热阻thermal resistance热阻指的是当有热量在物体上传输时，在物体两端温度差与热源的功率之间的比值。
单位为开尔文每瓦特（K/W）或摄氏度每瓦特（℃/W）。
3.15 磁阻灵敏度magnetoresistive sensitivity在某一规定的磁感应强度下，磁敏电阻器的电阻值随磁感应强度的相对变化率。
3.16 控制电流灵敏度control current sensitivity在磁感应强度一定时，通以额定控制电流，测量元件的开路电压值，取其与额定控制电流之比值。
3.18 霍尔输出电压hall output voltage将指定的电流或电压加载到霍尔元件的输入端子，在一定的磁场情况下，霍尔元件的两个输出端测量出的电压即为霍尔输出电压。
3.19 失调电压offset voltage将指定的电流或电压加载到元件的输入端子，在没有磁场的情况下，测量出的霍尔输出电压即为失调电压。
3.20 控制电流降额曲线control current drop curve每一工作温度下的最大允许控制电流在坐标轴上以图形的形式给出的描述。
3.21 控制电压降额曲线control voltage drop curve每一工作温度下的最大允许控制电压在坐标轴上以图形的形式给出的描述。
3.22 贮存温度范围storage temperature range不会造成元件损坏及永久性特性变化的贮存温度范围。
2.3 基本参数和符号部分：表1中，删除了：可逆性 Fn的符号标识。
增加了：最大允许控制电压 - 符号 Vcm - 单位 V额定控制电压 - 符号 Vc - 单位 V2.4 试验方法修改6.2 外观增加了详细的试验方法。
6.4.6 输入电阻输入电阻的测试方法，应符合 IEC 60747-14-2规定中的 3.4 输入电阻（Rin）的规定。
6.4.7 输出电阻输出电阻的测试方法，应符合 IEC 60747-14-2规定中的 3.5 输出电阻（Rout）的规定。
2.5 检验规则的修改原：7.1 交收检验，改为：7.1 检验分类；原：7.2 例行检验，改为：7.2 出厂检验；增加：7.3 型式检验，包括：7.3.1 检验原则；7.3.2 型式检验项目；7.3.3 抽样、判定规定；7.3.4 对不合格判定的处理； 7.3.5 对型式检验后的样品的处理三、主要试验（或验证）情况分析霍尔元件主要用于磁场的测量，也可以扩展应用于电量、压力、位置、位移等参数的检测，在航空、航天技术、工业生产、汽车电子以及日常生活中都有广泛的应用。