场效应管检验标准

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判断智能手机电路场效应管的好坏

判断智能手机电路场效应管的好坏
判断智能手机电路中场效应管的好坏，可以采用以下步骤：
1. 外观检查：检查场效应管的封装是否有损坏，标识是否清晰。

2. 极性检查：使用万用表检查场效应管的三个电极（栅极、源极和漏极），以确认其极性。

3. 性能检测：将万用表调至合适的电阻档，对场效应管的三个管脚两两进行测量。

如果测量结果显示两个管脚之间存在阻值，则说明场效应管正常工作。

4. 温升检测：通过红外测温仪或热电偶测量仪测量场效应管的表面温升，以判断其工作状态。

如果温升过高，则可能是由于电流过大或散热不良引起的。

5. 电路连接检测：检查场效应管是否与其他元件正常连接，无短路或断路现象。

6. 故障分析：如果场效应管损坏，可能出现开路、击穿或性能变差等问题。

具体表现为丧失其在电路中的作用、工作点电压变化或整机电流增加等。

通过以上步骤，可以初步判断智能手机电路中场效应管的好坏。

如果仍有问题，建议寻求专业技术人员的帮助。

场效应管怎么测量好坏

场效应管怎么测量好坏
场效应管测量好坏有以下方法：
方法一将指针式万用表拨至“RX1K”档，并电调零。

场效应管带字的一面朝着自己，从左到右依次为：G（栅极），D（漏极），S （源极）。

将黑表笔接在D极，红表笔接在S极上，此时，万用表指针应不动；然后再对换表笔，再测，此时，万用表指针应向右摆动。

用指针万用表测，G极，与其余两个极之间，无论是两个表笔怎样对调测，万用表指针均应不动。

方法二将数字万用表拨至“二极管”档，也就是，蜂鸣器档。

黑表笔接D极，红表笔接S极，此时，应显示一个数值，一般情况下为400多Ω到500Ω多之间。

然后，再对换表笔，应无显示，为“1”。

然后，黑表笔接D极，红表笔先去触碰一下G极，然后红表笔再接到S极上，此时，会发现显示的数值与原来相比，变小了许多，一般为100多Ω到几十Ω之间。

这说明，此场效应管已被触发导通了。

在这个时候，黑表笔接S极，红表笔接D极，会发现，有数值显示了。

这说明，此场效应管是完好的。

如果所测的结果与上述两种方法均不符，则这个场效应管就是坏的。

一般情况下，D极和S极击穿的比较常见。

用数字万用表的“二极管”档测，会听到蜂鸣器的响声。

场效应管好坏的判断方法

场效应管好坏的判断方法摘要：一、场效应管的基本概念二、场效应管好坏的判断方法1.静态参数判断2.动态性能判断3.栅极电阻判断4.漏极电流判断5.线性度判断三、实际应用中的注意事项四、总结正文：场效应管（FET）是一种广泛应用于电子电路中的半导体器件，具有良好的线性度、高输入电阻和低噪声等特点。

在实际应用中，正确判断场效应管的好坏至关重要。

本文将介绍几种判断场效应管好坏的方法。

一、场效应管的基本概念场效应管是依据半导体材料的电子运动方式分类的一种晶体管，它主要由三个区域组成：源极、漏极和栅极。

在栅极与漏极之间存在一个绝缘层，绝缘层上的电压控制着漏极的电流。

根据绝缘层的材料，场效应管可分为金属氧化物半导体场效应管（MOSFET）、增强型绝缘栅场效应管（EGBT）等。

二、场效应管好坏的判断方法1.静态参数判断静态参数是指场效应管在静态工作状态下的电气特性。

主要包括阈值电压、漏极电流、栅极电阻等。

良品场效应管的静态参数应符合设计要求。

2.动态性能判断动态性能是指场效应管在开关过程中响应速度和稳定性。

可以通过测试场效应管的过渡频率、上升时间、下降时间等指标来判断其动态性能。

优质场效应管的动态性能应较好。

3.栅极电阻判断栅极电阻是场效应管的一个重要指标，它影响着器件的功耗和稳定性。

良品场效应管的栅极电阻应较大。

4.漏极电流判断漏极电流是场效应管在截止状态下流过栅极的电流。

优质场效应管的漏极电流应较小。

5.线性度判断场效应管的线性度是指其在一定范围内输入电压与输出电流的线性关系。

优质场效应管的线性度应较好。

三、实际应用中的注意事项1.选择合适的场效应管类型：根据电路需求，选择合适的场效应管，如MOSFET、EGBT等。

2.注意静态参数：确保选用的场效应管静态参数符合电路设计要求。

3.考虑动态性能：在高速应用场合，应注意场效应管的动态性能。

4.散热设计：场效应管在工作过程中会产生热量，应设计合理的散热结构。

5.电源电压：合理选择电源电压，避免过高的电压导致场效应管损坏。

场效应管好坏测量

场效应管好坏测量1．判定栅极G将万用表拨至R×1k档分别测量三个管脚之间的电阻。

若发现某脚与其字两脚的电阻均呈无穷大，并且交换表笔后仍为无穷大，则证明此脚为G极，因为它和另外两个管脚是绝缘的。

2．判定源极S、漏极D由图1可见，在源-漏之间有一个PN结，因此根据PN结正、反向电阻存在差异，可识别S 极与D极。

用交换表笔法测两次电阻，其中电阻值较低（一般为几千欧至十几千欧）的一次为正向电阻，此时黑表笔的是S极，红表笔接D极。

3．测量漏-源通态电阻RDS（on）将G-S极短路，选择万用表的R×1档，黑表笔接S极，红表笔接D极，阻值应为几欧至十几欧。

由于测试条件不同，测出的RDS（on）值比手册中给出的典型值要高一些。

例如用500型万用表R×1档实测一只IRFPC50型VMOS管，RDS（on）=3.2W，大于0.58W（典型值）。

检查跨导将万用表置于R×1k（或R×100）档，红表笔接S极，黑表笔接D极，手持螺丝刀去碰触栅极，表针应有明显偏转，偏转愈大，管子的跨导愈高。

注意事项：（1）VMOS管亦分N沟道管与P沟道管，但绝大多数产品属于N沟道管。

对于P沟道管，测量时应交换表笔的位置。

（2）有少数VMOS管在G-S之间并有保护二极管，本检测方法中的1、2项不再适用。

（3）目前市场上还有一种VMOS管功率模块，专供交流电机调速器、逆变器使用。

例如美国IR公司生产的IRFT001型模块，内部有N沟道、P沟道管各三只，构成三相桥式结构。

（4）现在市售VNF系列（N沟道）产品，是美国Supertex公司生产的超高频功率场效应管，其最高工作频率fp=120MHz，IDSM=1A，PDM=30W，共源小信号低频跨导gm=2000μS。

适用于高速开关电路和广播、通信设备中。

（5）使用VMOS管时必须加合适的散热器后。

以VNF306为例，该管子加装140×140×4（mm）的散热器后，最大功率才能达到30W。

场效应管怎样测量好坏

场效应管怎样测量好坏?1.结型场效管的判别将万用表置于RXlk档，用黑表笔接触假定为栅极G管脚，然后用红表笔分别接触另两个管脚。

若阻值均比较小(约5'--10欧)，再将红、黑表笔交换测量一次。

如阻值均很大，属N沟道管，且黑表接触的管脚为栅极G，说明原先的假定是正确的。

同样也可以判别出P沟道的结型场效应管。

2.金属氧化物场效应管的判别(1)栅极G的判定用万用表Rxl00挡，测量功率场效应管任意两引脚之间的正、反向电阻值，其中一次测量中两引脚电阻值为数百欧姆，这时两表笔所接的引脚是D极与S极，则另一引脚未接表笔为G极。

(2)漏极D、源极S及类型的判定用万用表RxlokD,挡测量D极与S极之间正、反向电阻值，正向电阻值约为0.2x10kfl，反向电阻值在(5—∞)x10kfl。

在测反向电阻时，红表笔所接引脚不变，黑表笔脱离所接引脚后，与G极触碰一下，然后黑表笔去接原引脚，此时会出现两种可能：若万用表读数由原来较大阻值变为零，则此时红表笔所接为S极，黑表笔所接为D极。

用黑表笔触发G极有效(使功率场效应管D极与S极之间正、反向电阻值均为012)，则该场效应管为N沟道型。

若万用表读数仍为较大值，则黑表笔接回原引脚不变，改用红表笔去触碰G极，然后红表笔接回原引脚，此时万用表读数由原采阻值较大变为0，则此时黑表笔所接为S极，红表笔所接为D极。

用红表笔触发G，极有效，该场效应管为P沟道型。

(3)金属氧化物场效应管的好坏判别用万用表Rxlkll挡去测量场效应管任意两引脚之间的正、反向电阻值。

如果出现两次及两次以上电阻值较小(几乎为0xkll)，则该场效应管损坏；如果仅出现一次电阻值较小(一般为数百欧姆)，其余各次测量电阻值均为无穷大，还需作进一步判断。

用万用表Rxlkfl挡测量D 极与S极之间的正、反电阻值。

对于N沟道管，红表笔接S极，黑表笔先触碰G极后，然后测量D极与S极之间的正、反向电阻值。

若测得正、反向电阻值均为0fl，该管为好的，对于P沟道管，黑表笔接S极，红表笔先触碰G极后，然后测量D极与S极之间的正、反向电阻值，若测得正、反向电阻值均为01l，则该管是好的。

场效应管的检测

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⑦ 极限漏极电流ID
是漏极能够输出的最大电流，相当于普通三极管的 ICM ，其值与温度有关，通常手册上标注的是温度为25℃时的值。一般指的是连续工作电流，若为瞬时工作电流，则标注为IDM ，这个值通常大于ID 。
⑧ 最大漏源电压UDSS
是场效应管漏源极之间可以承受的最大电压(相当于普通晶体管的最大反向工作电压UCEO )，有时也用UDS表示。
态，焊接完后才可把短接线去掉；从元器件架上取下管时，应以适当的方式确保人体
接地(如采用接地环等)；如果能采用静电电烙铁来焊接场效应管是比较方便
的，并且可以确保安全；不能带电插拔。
9ቤተ መጻሕፍቲ ባይዱ
4．场效应管的安装
注意安装的位置要尽量避免靠近发热元件；管脚引线在弯曲时，应在距离根部5 mm外进行，
由于输入阻抗极高，在运输、贮藏中必须将引脚短路，要用金属屏蔽包装，以防止外来感应电势将栅极击穿，同时注意防潮。
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3．使用场效应管时必须注意
为了防止场效应管栅极感应击穿，要求一切测试仪器、工作台、电烙铁、线路本身都必须有良好接地；
在焊接管脚时，先焊源极；在连入电路之前，管子的全部引线保持互相短接状
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四、使用场效应管的注意事项
1．在设计电路时应注意的问题
管子的实际工作条件，不能超过其最大漏极功耗 PDM 、极限漏极电流ID 、最大漏源电压UDSS等参数的极限值。
要遵守场效应管偏置的极性。如结型场效应管栅源漏之间是P N结，N沟道管栅极不能加正偏压；P沟道管栅极不能加负偏压，等等。
2 ．场效应管的运输与储存
以防止弯断管脚和引起漏气等。对于功率型场效应管，要有良好的散热条件。因为
功率场效应管在高负荷条件下运用，必须设计足够的散热器，确保壳体温度不超过额定值，以使器件长期稳定可靠地工作。

场效应管检测方法

场效应管检测方法
场效应管（也叫MOSFET）的检测方法如下：
1. 使用万用表检测场效应管的极性。

将万用表调至二极管测量档位，将黑表笔连接到TO（源/栅/发射）引脚，然后将红表笔依次接触与TO引脚相连的D（漏极/集电极）和G（栅极/基极）引脚。

如果万用表的示数没有变化或者非常小，说明场效应管是P型的；如果示数明显有变化，说明场效应管是N型的。

2. 使用万用表检测场效应管导通。

将万用表调至二极管测量档位，将黑表笔连接到TO（源/栅/发射）引脚，然后将红表笔依次接触与TO引脚相连的D（漏极/集电极）和G（栅极/基极）引脚。

如果万用表的示数为低阻值，说明场效应管导通；如果示数为高阻值，说明场效应管截止。

3. 使用数字万用表或示波器检测场效应管的漏极/集电极电压和栅极/基极电压。

将黑表笔接触到场效应管的TO（源/栅/发射）引脚，将红表笔依次接触到场效应管的D（漏极/集电极）和G（栅极/基极）引脚。

通过读取数字万用表上的电压示数或示波器上的波形变化，可以确定场效应管所处的工作区域（截止、饱和或放大）。

以上是常用的场效应管检测方法，具体方法可以根据具体的测试设备和需求进行适当的调整。

如何测试判断场效应管好坏？

如何测试判断场效应管好坏？1、场效应管的检测方法：把数字万用表打到二极管档，用两表笔任意触碰场效应管的三只引脚，好的场效应管在量测的时候只应有一次有读数，而且数值在300--800左右，2、如果在最终测量结果中测的只有一次有读数，并且为0时须万用表短接场效应管的引脚，3、重新测量一次，若又测得一组为300--800左右读数时此管也为好管。

4、将万用表开到二极管档，用万用表的两个表笔量测D、S极和G、S极，看看两极之间的读数是不是很小，如果这个值在50以下，则可以判断为这个效应管已经被击穿场效应管（Field Effect Transistor）又称场效应晶体管，是利用控制输入回路的电场效应来控制输出回路电流的一种半导体器件。

由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管，[1]它属于电压控制型半导体器件。

主要有两种类型（junction FET—JFET)和金属- 氧化物半导体场效应管（metal-oxide semiconductor FET，简称MOS-FET）。

场效应管具有输入电阻高（10 7～10 15Ω）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。

与双极型晶体管相比，场效应管具有如下特点。

（1）场效应管是电压控制器件，它通过V GS(栅源电压)来控制I D（漏极电流）；（2）场效应管的控制输入端电流极小，因此它的输入电阻（10 7～10 12Ω）很大。

（3）它是利用多数载流子导电，因此它的温度稳定性较好；（4）它组成的放大电路的电压放大系数要小于三极管组成放大电路的电压放大系数；（5）场效应管的抗辐射能力强；（6）由于它不存在杂乱运动的电子扩散引起的散粒噪声，所以噪声低。

场效应管工作原理用一句话说，就是“漏极-源极间流经沟道的ID，用以栅极与沟道间的pn结形成的反偏的栅极电压控制ID”。

更正确地说，ID流经通路的宽度，即沟道截面积，它是由pn结反偏的变化，产生耗尽层扩展变化控制的缘故。

场效应管好坏测量方法

场效应管好坏测量方法场效应管是一种常用的半导体器件，广泛应用于放大、开关、滤波等电路中。

场效应管的好坏直接影响到整个电路的性能，因此对场效应管进行准确的测量和评估是非常重要的。

本文将介绍几种常用的场效应管好坏测量方法，希望能为大家提供一些参考。

首先，我们可以通过静态参数来评估场效应管的好坏。

静态参数包括漏极电流、饱和电流、开启电压等。

通过测量这些参数，我们可以初步了解场效应管的基本性能。

漏极电流是指在一定的栅极电压下，场效应管的漏极-源极间的电流，它反映了场效应管的导通能力。

饱和电流是指在一定的栅极电压下，场效应管的漏极-源极间的最大电流，它反映了场效应管的最大导通能力。

开启电压是指在一定的漏极电流下，场效应管的栅极电压，它反映了场效应管的导通起始点。

通过测量这些参数，我们可以初步判断场效应管的好坏。

其次，我们可以通过动态参数来评估场效应管的好坏。

动态参数包括开关时间、导通电阻、截止频率等。

开关时间是指场效应管从截止到导通或者从导通到截止所需要的时间，它反映了场效应管的开关速度。

导通电阻是指场效应管在导通状态下的电阻大小，它反映了场效应管的导通能力。

截止频率是指场效应管在高频条件下的截止频率，它反映了场效应管在高频条件下的性能。

通过测量这些参数，我们可以更全面地评估场效应管的好坏。

最后，我们可以通过温度特性来评估场效应管的好坏。

温度特性是指场效应管在不同温度下的性能表现。

由于场效应管在实际应用中会受到温度的影响，因此了解场效应管在不同温度下的性能表现对于评估其好坏非常重要。

通过测量场效应管在不同温度下的静态和动态参数，我们可以更准确地评估场效应管的好坏。

综上所述，对场效应管进行好坏测量是非常重要的。

我们可以通过静态参数、动态参数和温度特性来评估场效应管的好坏。

通过准确的测量和评估，我们可以更好地选择和应用场效应管，从而提高电路的性能和稳定性。

希望本文介绍的方法能够帮助大家更好地了解和应用场效应管。

场效应管好坏测量方法

场效应管好坏测量方法场效应管（Field Effect Transistor，FET）是一种常用的半导体器件，广泛应用于放大、开关、调制和其他电路中。

在实际应用中，我们经常需要对场效应管进行好坏测量，以确保电路的正常工作。

本文将介绍场效应管好坏测量的方法，希望能够为大家提供一些帮助。

首先，我们可以通过使用万用表来测试场效应管的好坏。

在测试前，需要将场效应管从电路中取下，并清洁引脚，以确保测试的准确性。

然后，将万用表调至二极管测试档位，分别用红表笔和黑表笔连接场效应管的源极和漏极，观察表笔的指示情况。

如果表笔指示正常，说明场效应管工作正常；如果表笔不指示，说明场效应管可能损坏。

接着，再用表笔连接场效应管的栅极和源极，进行同样的测试。

通过这种方法，我们可以初步判断场效应管的好坏。

除了使用万用表进行测试外，我们还可以利用示波器来测试场效应管的好坏。

示波器可以直观地显示电压和电流的变化情况，对于一些特殊情况下的场效应管好坏测试非常有帮助。

在测试时，将示波器的探头连接到场效应管的源极和漏极，然后将输入信号连接到场效应管的栅极，观察示波器屏幕上的波形变化。

如果波形变化正常，说明场效应管工作正常；如果波形变化异常，说明场效应管可能存在问题。

通过示波器的测试，我们可以更加准确地判断场效应管的好坏。

除了以上介绍的两种方法外，还有一些其他的测试方法可以用来判断场效应管的好坏，比如使用专门的场效应管测试仪器进行测试。

不同的测试方法适用于不同的场合，我们可以根据实际情况选择合适的方法进行测试。

总的来说，场效应管好坏的测量方法有多种，每种方法都有其适用的情况。

在实际工作中，我们可以根据需要选择合适的方法进行测试，以确保场效应管的正常工作。

希望本文介绍的方法能够为大家在实际工作中提供一些帮助。

场效应管好坏判断及替换原则

场效应管好坏判断及替换原则场效应管（Field Effect Transistor，FET）是一种电子器件，可以用来放大电压信号、控制电流流动等。

对于场效应管的好坏判断及替换原则，可以从以下几个方面进行考虑。

首先，好坏判断可以通过检查场效应管的外观和连接情况。

外观检查主要包括观察引脚是否清洁，没有氧化或损坏，以及是否存在明显的烧焦或损坏痕迹。

连接情况检查主要包括检查引脚的焊接是否牢固，是否存在引脚短路或开路等情况。

其次，可以通过使用万用表测量场效应管的参数来判断其好坏。

常用的参数包括漏极电流（IDSS），漏极截止电流（ID(off)），转移导纳（Yfs）等。

如果测量到的参数与规格书中提供的数值相比有明显偏差，可能意味着场效应管出现了故障。

此时可以考虑替换或修理。

进一步，可以通过使用示波器观察场效应管的输入和输出波形来判断其好坏。

例如，通过输入信号的变化观察输出信号的变化是否与预期一致，是否有明显的失真等。

如果出现不正常的波形，可能表明场效应管出现了故障。

最后，替换原则可以遵循以下几点。

首先，可以根据规格书中提供的参数选择与原部件相匹配的替代品。

其次，可以考虑使用同一型号和同一制造商的新设备来替代故障的场效应管。

再次，如果找不到完全匹配的替代品，可以尝试使用参数相似的场效应管来替代。

最后，如果没有合适的替代品，可以考虑使用功能相似的其他类型的晶体管或集成电路来代替。

综上所述，场效应管的好坏判断及替换原则可以通过检查外观、测量参数、观察波形等方面进行判断，同时可以遵循选择匹配的替代品、厂商和型号、寻找参数相似的替代品以及使用功能相似的其他器件等原则进行替换。

场效应管的检验检测指标

场效应管的检验检测指标嘿，朋友！您知道吗，场效应管就像是电路中的“小英雄”，但要确定它是不是真的能英勇作战，那可得好好检验检测一番。

咱先来说说漏极-源极导通电阻。

这就好比是一条道路的通畅程度，电阻小，电流就能欢快地跑起来，电阻大，电流就磕磕绊绊。

要是这电阻不符合要求，那整个电路的效率不就大打折扣啦？再瞧瞧栅极阈值电压。

您就把它想象成一个门槛，只有电压达到了这个门槛，场效应管才会开始工作。

要是这个门槛定得不合适，那它要么不干活，要么瞎干活，这可咋行？还有跨导，这可是衡量场效应管放大能力的重要指标。

就像一个大力士能举起多重的东西一样，跨导大，放大能力就强。

要是跨导小，那它在放大信号的时候可就力不从心喽！然后是漏极-源极击穿电压。

这就像是一个人的抗压能力，电压太高，场效应管就被“压垮”了，电路不就出大问题啦？还有输入电容和输出电容，这俩家伙就像电路里的“蓄水池”。

电容太大，反应速度就慢；电容太小，又存不了多少能量。

您说这是不是得好好把控？说到这儿，您可能会问，那怎么检测这些指标呢？这可得有点小技巧。

比如说，检测导通电阻，就得用专门的仪器，像万用表啥的，准确测量电阻值。

检测阈值电压，就得慢慢增加栅极电压，看看啥时候场效应管开始导通。

检测跨导呢，就得通过改变输入电压，看看输出电流的变化。

这可都需要耐心和细心，一点儿都不能马虎。

总之，场效应管的这些检验检测指标可都太重要啦！就像人的身体各项指标一样，哪个不正常都可能出毛病。

只有把这些指标都检测好了，场效应管才能在电路里大显身手，为我们的电子设备稳定工作保驾护航！您说是不是这个理儿？。

场效应管检验规范

(4)低苹噪音系数:即EMC测试.
2.3.5.判定:实测数据符合以上工程要求且与承认书相符为合格.
2.4.注意事项:
(1)测试场效应管时,注意不同类型的栅﹑源﹑漏各极电压的极性.保证电压和电流不超过最大允许值.
(2)测试场效应管的仪器﹑工具,必须有良好的接地.焊接时用带有接地纤的小功率烙铁焊接,或切断电源后利用余热焊接.焊接时应先焊源极后再焊栅极.
(3)对于供货商供货要求:绝缘栅型(由于输入电阻极高)不可在开路状态下运输、保存,无
论使用与否,都应将三个电极短路或用铝(锡)箔纸包好,不要用手指或触摸.结型可
在开路状态下运输、保存.
核准
审核
制订
日期
文件编号:WI-02-029
(2)开启电压UT:在UDS为一固定条件下,使S极与D极之间形成导电沟道的UDS,即开启电压UT.注:此项只适合增强型绝缘栅型.
(3)饱和电流IDSS:在UDS=0的条件下,漏极之间所加电压大于夹断电压时的沟道电流,即为饱和电流IDSS.注:此项只适合耗尽型.
(4)输入直流电阻RGS:测量栅﹑源极之间所加电压与流过的栅极电流之比.注:绝缘栅型的RGS比结型的大出两个数量级以上.
项目
作业规范
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场效应管检验规范
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01
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1.目的:对重要安全部品场效应管样品零件进行规格及性能测试,使其能达到工程设计及生产
之质量需求.
2.测试项目: (检查前必须先戴上静电带)
2.1.外观、引脚浸锡:
2.1.1测试工具:目视、静电带
2.1.2测试方法:a.在自然光线下,把场效应管放在距离眼睛10cm~30cm处正视
2.3.2场效应管极性好坏的检测方法:

场效应管好坏测量方法

场效应管好坏测量方法场效应管（Field Effect Transistor，FET）是一种常用的半导体器件，它在电子设备中起着非常重要的作用。

而要正确地使用场效应管，首先需要了解它的好坏测量方法。

本文将介绍场效应管的好坏测量方法，帮助大家更好地理解和应用这一重要的器件。

首先，我们需要了解场效应管的工作原理。

场效应管是一种三端器件，由栅极、漏极和源极组成。

它的工作原理是通过控制栅极电场的强弱来调节漏极和源极之间的电流，从而实现信号放大、开关控制等功能。

因此，场效应管的好坏测量方法主要是通过测试其参数来判断其性能是否正常。

其次，我们需要了解场效应管的常见参数。

常见的场效应管参数包括漏极-源极电流（IDSS）、栅极-源极电压（VGS）、漏极-源极饱和电压（VDS）、跨导（gm）等。

这些参数可以通过测试仪器进行测量，从而判断场效应管的好坏。

接下来，我们将介绍场效应管好坏测量的具体方法。

首先是通过静态工作点测试来判断场效应管的好坏。

静态工作点测试是通过测试场效应管在特定工作状态下的电流、电压等参数来判断其性能是否正常。

通过合理选择测试电路和测试仪器，可以得到准确的参数值，从而判断场效应管的好坏。

另外，还可以通过动态测试方法来判断场效应管的好坏。

动态测试是通过施加不同的信号或脉冲来测试场效应管的响应特性，从而判断其性能是否正常。

通过观察场效应管的输出波形、频率响应等参数，可以得到对其好坏的判断。

除了以上方法，还可以通过比较测试来判断场效应管的好坏。

比较测试是通过将待测场效应管与已知好坏的对照器件进行比较，从而判断其性能是否正常。

通过对比两者的参数值、响应特性等，可以得到对待测场效应管好坏的判断。

总之，场效应管的好坏测量方法是通过测试其参数、工作状态和响应特性来判断其性能是否正常。

通过合理选择测试方法和测试仪器，可以准确地判断场效应管的好坏，从而保证电子设备的正常工作。

希望本文的介绍能够帮助大家更好地理解和应用场效应管，提高电子设备的性能和可靠性。

场效应管（MOS管）如何判断好坏？

场效应管（MOS管）如何判断好坏？一）结型场效应晶体管的检测1．判别电极与管型用万用表R×100档或R×1k档，用黑表笔任接一个电极，用红表笔依次触碰另外两个电极。

若测出某一电极与另外两个电极的阻值均很大（无穷大）或阻值均较小（几百欧姆至一千欧姆），则可判断黑表笔接的是栅极G，另外两个电极分别是源S和漏极D。

在两个阻值均为高阻值的一次测量中，被测管为P沟道结型场效应晶体管；在两个阻值均为低阻值的一次测量中，被测管为N沟道结型场效应晶体管。

也可以任意测量结型场效应晶体管任意两个电极之间的正、反向电阻值。

若测出某两只电极之间的正、反向电阻均相等，且为几千欧姆，则这两个电极分别为漏极D和源极S，另一个电极为栅极G。

结型场效应晶体管的源极和漏极在结构上具有对称性，可以互换使用。

若测得场效应晶体管某两极之间的正、反向电阻值为0或为无穷大，则说明该管已击穿或已开路损坏。

2．检测其放大能力用万用表R×100档，红表笔接场效应管的源极S，黑表笔接其漏极D，测出漏、源极之间的电阻值RSD后，再用手捏信栅极G，万用表指针会向左或右摆动（多数场效应管的RSD会增大，表针向左摆动；少数场效应管的RSD会减小，表针向右摆动）。

只要表针有较大幅度的摆动，即说明被测管有较大的放大能力。

（二）双栅场效应晶体管的检测1．电极的判别大多数双栅场效应晶体管的管脚位置排列顺序是相同的，即从场效应晶体管的底部（管体的背面）看，按逆时针方向依次为漏极D、源极S、栅极G1和栅极G2。

因此，只要用万用表测出漏极D和源极S，即可找出两个栅极。

检测时，可将万用表置于R×100档，用两表笔分别测任意两引脚之间的正、反向电阻值。

当测出某两脚之间的正、反向电阻均为几十欧姆至几千欧姆（其余各引脚之间的电阻值均为无穷大），这两个电极便是漏极D和源极S，另两个电极为栅极G1和栅极G2。

2．估测放大能力用万用表R×100档，红表笔接源极S，黑表笔接漏极D，在测量漏极D与源极S之间的电阻值RSD的同时，用手指捏住两个栅极，加入人体感应信号。

场效应管检测方法与经验.

场效应管检测方法与经验、用指针式万用表对场效应管进行判别(1用测电阻法判别结型场效应管的电极根据场效应管的PN 结正、反向电阻值不一样的现象,可以判别出结型场效应管的三个电极。

具体方法：将万用表拨在R X lk档上,任选两个电极，分别测出其正、反向电阻值。

当某两个电极的正、反向电阻值相等,且为几千欧姆时,则该两个电极分别是漏极D和源极S。

因为对结型场效应管而言，漏极和源极可互换，剩下的电极肯定是栅极G。

也可以将万用表的黑表笔(红表笔也行任意接触一个电极，另一只表笔依次去接触其余的两个电极,测其电阻值。

当出现两次测得的电阻值近似相等时,则黑表笔所接触的电极为栅极,其余两电极分别为漏极和源极。

若两次测出的电阻值均很大，说明是PN结的反向，即都是反向电阻，可以判定是N沟道场效应管，且黑表笔接的是栅极；若两次测出的电阻值均很小，说明是正向PN结,即是正向电阻，判定为P 沟道场效应管,黑表笔接的也是栅极。

若不出现上述情况,可以调换黑、红表笔按上述方法进行测试,直到判别出栅极为止。

(2用测电阻法判别场效应管的好坏测电阻法是用万用表测量场效应管的源极与漏极、栅极与源极、栅极与漏极、栅极G1 与栅极G2 之间的电阻值同场效应管手册标明的电阻值是否相符去判别管的好坏。

具体方法：首先将万用表置于R X10或R X100档，测量源极S与漏极D之间的电阻,通常在几十欧到几千欧范围(在手册中可知,各种不同型号的管,其电阻值是各不相同的,如果测得阻值大于正常值,可能是由于内部接触不良;如果测得阻值是无穷大可能是内部断极。

然后把万用表置于RXl0k档，再测栅极G1与G2之间、栅极与源极、栅极与漏极之间的电阻值,当测得其各项电阻值均为无穷大,则说明管是正常的；若测得上述各阻值太小或为通路,则说明管是坏的。

要注意,若两个栅极在管内断极,可用元件代换法进行检测。

(3用感应信号输人法估测场效应管的放大能力具体方法：用万用表电阻的R X100档,红表笔接源极S,黑表笔接漏极D,给场效应管加上1.5V的电源电压，此时表针指示出的漏源极间的电阻值。