西安电子科技大学微波技术基础08年考题教程文件
(NEW)西安电子科技大学电子工程学院《822电磁场与微波技术》历年考研真题汇编
目 录2011年西安电子科技大学822电磁场与微波技术考研真题2010年西安电子科技大学822电磁场与微波技术考研真题2009年西安电子科技大学822电磁场与微波技术考研真题2008年西安电子科技大学822电磁场与微波技术考研真题2007年西安电子科技大学422电磁场与微波技术考研真题2006年西安电子科技大学431电磁场与微波技术考研真题（部分）2005年西安电子科技大学431电磁场与微波技术考研真题2004年西安电子科技大学431电磁场与微波技术考研真题2011年西安电子科技大学822电磁场与微波技术考研真题西安电子科技大学2011 年攻读硕士学位研究生入学考试试题考试科日代码及名称822电磁场与微波技术A考试时间 2011年1月下午（3小时）答题要求:所有答案（填空题按照标号写）必须写在答题纸上，写在试卷上一律作废，准考证号写在指定位置！一、（15分）如图所示，半径分别为a、b（a>b），球心距为c（c<a-b）的两球面间有密度为的均匀体电荷分布，求半径为b的球面内任意一点的电场强度。
第一题用图二、（15分）一段由理想导体构成的同轴线，内导体半径为a，外导体半径为b，长度为L，同轴线两端用理想导体板短路。
已知在，区域内的电磁场为（1）确定A，B间的关系；（2）确定k；（3）求r=a及r=b面上的，。
三、（15分）假设真空中均匀平面电磁波的电场强度复矢量为试求：（1）电场强度的振幅、波矢量和波长；（2）电场强度矢量磁场强度矢量的瞬时表达式。
四、（15分）平行极化平面电磁波自折射率为3的介质斜入射到折射率为1的介质，若发生全透射求入射波的入射角。
五、（15 分）（1）己知传输系统反射系数求驻波比；（2）矩形波导尺寸axb，工作波长λ，写出TE10波的导波波长λg。
（3）双端口网络阻抗矩阵[z]和散射矩阵[s]，给出网络互易条件；（4）可轴线内半径为a，外半径为b，画出截面上TEM波的电场和磁场分布；（5）给出上述同轴线的特性阻抗Z0公式。
微波技术基础 (廖承恩 著) 西安电子科技大学出版社 课后答案
Z L − Z0 =0.2-0.4j=0.4472exp(-j1.11)=0.4472∠-63.44° ZL + Z0 VSWR = ρ =
1+ | ΓL | = 2.618 1− | ΓL |
幅分布图，并求其最大值和最小值。
解：
ΓL =
ww
w.
V ( d ) = VL+ e jβd (1+ | ΓL | e j ( Φ L − 2 βd ) ) 1 ∴V (3λ / 4) = VL+ e j 3π / 2 (1 + e j (π −3π ) ) = VL+ ( −4 / 3) = 600 3 + VL = −450V
2－1 某双导线的直径为 2mm，间距为 10cm，周围介质为空气，求 其特性阻抗。某同轴线的外导体内直径为 23mm，内导体外直径为 10mm， ，求其特性阻抗；若在内外导体之间填充εr 为 2.25 的 介 质 ， 求其特性阻抗。
解：双导线：因为直径为 d＝2mm＝2×10－3m 间距为 D＝10cm＝10－1m 所以特性阻抗为
w.
λ=
2π υ p 1 = = = β f f µε r ε 0
ww
sc oc 2－5 在长度为 d 的无耗线上测得 Z in (d ) 、 Z in (d ) 和接实际负载时的
Z in (d ) ，证明
sc oc 假定 Z in (d ) = j100Ω ， Z in (d ) = − j 25Ω ， Z in (d ) = 75∠30°Ω ,求 Z L 。
（2） （3）
（4）
sc oc 当 Z in (d ) = j100Ω ， Z in (d ) = − j 25Ω ， Z in (d ) = 75∠30°Ω 时
微波技术基础
史密斯圆图的应用
读出数字，去归一化
Yin1
Yin1Y01
Yin1 Z01
Yin2
Yin2Y02
Yin2 Z02
④
Yin3
1 Zin3
Yin1 Yin2
归一化
Yin3 Yin3Z03
并在圆图上找到Yin3作原点的对称点E，即为Zin3，
史密斯圆图的应用
重复①可得F点，F点为Zin，并读出数字，最后得 Zin ZinZ03
将阻抗圆图视为导纳圆图 ，找出对应的点B，再将 Y
倒换为 Z得 B，'即 Z0.12j0.34
最后，在阻抗圆图（实际又将导纳圆图视为阻抗圆图）
上找出Z 对应的点 B，' 以 为O半B'径作等Γ圆与Vmax线
相交。从交点的 R值读出 S为3
S3 10
C). 求 S和 lmin
将 B沿' 等Γ圆顺时针旋转 到l 3 得B, '' ZB'' 1.1j2.9
进行小损耗线的计算
例3.一小损耗传输线的特性阻抗 Z070，j每0 波长
的衰减为 0.0，6N负p载端的驻波系数
，SL 3.5
lmin，0.设05线g长
，l试求0.（8１g ）负载阻
抗 Z；L（２）输入端驻波系数 ；S（l３）输入
端阻抗 Z。l
有耗线的工作参量与传输线特性参量和负载条件 的相关公式联立求解——计算繁琐
Z1 ' 0.15 j0.71
Z1'Z1'Z017.5j35.5
Z 2 ' 0.95 j1.15 去归一化 Z2'Z2'Z0266.5j80.5
使用导纳计算 Z 和1 ' 并Z 2 联' 后的值。这里用圆图进行倒
电子科技大学中山学院08微波技术基础考试试卷A
一、填空题（共25分，每空1分）1、导波系统中的电磁波按纵向分量的有无，一般分为三种波型（或模）：______波、______波和_______波。
2、导波中场的纵向场分量和横向分量均满足_____________________方程，相互之间满足_________关系3、均匀无耗传输线工作状态分为三种、、。
4、波导中的激励可以用______________、______________、____________和_____________方式获得。
5、微带线中工作模式为_________________，矩形波导传输的主模是，圆波导传输的主模是。
6、若一两端口微波网络互易，网络参量[S]的特征为_______________。
7、阻抗匹配的方法中最基本的是采用_________________和_______________________。
8、开路λ/2线型谐振器等效为_______联谐振电路。
9、已知无耗传输线的特性阻抗为50Ω，驻波比为2，电压波节点处的输入阻抗为_________Ω，波腹点处的阻抗为___________Ω。
10、按传输模式分类，光纤分为___和_____________。
11、用微波铁氧体材料制成的常用微波元件有和___________。
二、利用圆图完成（要求写出必要的步骤）（21分）1、（13分）已知传输线的特性阻抗为Z0，工作波长λ0=10cm，负载阻抗Z L=(0.3+0.6j)Z0，求第一个电压波腹至终端的距离l，驻波比ρ，行波系数K。
2、（8分）特性阻抗为50Ω的长线，终端负载不匹配，沿线电压波腹∣U∣max=20V，波节∣U∣min=12V，离终端最近的电压波腹点距终端的距离为0.37λ，求负载阻抗Z L=?三、简答题(共13分)1、(7分)试解释微带线的准TEM特性。
2、(6分)画出魔T的结构并指出至少3条特性。
四、（22 分）如图所示为一无耗均匀传输系统，已知Ug=80V，R g=Z0=200Ω，R1=Z0/2，l=1λ，l1=l2=l3=λ/4，R2为待定元件，dd’端接一内阻很小的检流计A。
(NEW)西安电子科技大学电子工程学院《822电磁场与微波技术》历年考研真题汇编
目 录2011年西安电子科技大学822电磁场与微波技术考研真题2010年西安电子科技大学822电磁场与微波技术考研真题2009年西安电子科技大学822电磁场与微波技术考研真题2008年西安电子科技大学822电磁场与微波技术考研真题2007年西安电子科技大学422电磁场与微波技术考研真题2006年西安电子科技大学431电磁场与微波技术考研真题（部分）2005年西安电子科技大学431电磁场与微波技术考研真题2004年西安电子科技大学431电磁场与微波技术考研真题2011年西安电子科技大学822电磁场与微波技术考研真题西安电子科技大学2011 年攻读硕士学位研究生入学考试试题考试科日代码及名称822电磁场与微波技术A考试时间 2011年1月下午（3小时）答题要求:所有答案（填空题按照标号写）必须写在答题纸上，写在试卷上一律作废，准考证号写在指定位置！一、（15分）如图所示，半径分别为a、b（a>b），球心距为c（c<a-b）的两球面间有密度为的均匀体电荷分布，求半径为b的球面内任意一点的电场强度。
第一题用图二、（15分）一段由理想导体构成的同轴线，内导体半径为a，外导体半径为b，长度为L，同轴线两端用理想导体板短路。
已知在，区域内的电磁场为（1）确定A，B间的关系；（2）确定k；（3）求r=a及r=b面上的，。
三、（15分）假设真空中均匀平面电磁波的电场强度复矢量为试求：（1）电场强度的振幅、波矢量和波长；（2）电场强度矢量磁场强度矢量的瞬时表达式。
四、（15分）平行极化平面电磁波自折射率为3的介质斜入射到折射率为1的介质，若发生全透射求入射波的入射角。
五、（15 分）（1）己知传输系统反射系数求驻波比；（2）矩形波导尺寸axb，工作波长λ，写出TE10波的导波波长λg。
（3）双端口网络阻抗矩阵[z]和散射矩阵[s]，给出网络互易条件；（4）可轴线内半径为a，外半径为b，画出截面上TEM波的电场和磁场分布；（5）给出上述同轴线的特性阻抗Z0公式。
电子科技大学研究生微波工程试题
电⼦科技⼤学研究⽣微波⼯程试题电⼦科技⼤学研究⽣试卷(考试时间：⾄，共120分钟)课程名称微波⼯程教师学时 50 学分 2.5 教学⽅式课堂教学考核⽇期年⽉⽇成绩考核⽅式：__________(学⽣填写)⼀、填空（每空格1分，共36分）(1) 常规空波导中传输的TE 波称为_________波，TM 波称为_________波，它们的相速与光速的关系是______p v c ，称为_________波。
(2) c k 称为_________波数，波的传播条件是_____c k k ，_____c f f 。
(3) 若传输线上⽆反射波存在，则传输线⼯作于______状态，此时反射系数满⾜______；若反射波等于⼊射波，则⼯作于______状态，此时反射系数满⾜______；当01L 时，传输线⼯作于_______状态。
(4) 在E ⾯分⽀波导中，若微波功率从分⽀端（3⼝）输⼊，则在1⼝与2⼝将_______输出；在H ⾯分⽀波导中，若微波功率从1⼝与2⼝等幅反相输⼊，则从分⽀端（3⼝）将_________输出。
(5) 纵向磁场铁氧体微波元件利⽤的是铁氧体的_______效应，⽽利⽤_______效应做成的微波元件则称为横向磁场铁氧体微波元件。
(6) 传输系统的正常⾊散特性是指______________，异常⾊散特性是指________________，⽆⾊散特性是指_______________，微波传输系统的种类⼀般可以分为：______________，_____________________，__________________________。
(7) ⾏波管中电⼦向⾼频场交出能量的条件是：______________________________________，⽽回旋管此条件为：__________________________________________________________。
微波技术2007-8考题A参考答案(可编辑修改word版)
………密………封………线………以………内………答………题………无………效……电子科技大学二零零七至二零零八学年第一学期期期末考试微波技术课程考试题 A 卷（120 分钟）考试形式：闭卷考试日期200 8 年 1 月 16日课程成绩构成：平时 10 分，期中10 分，实验 10 分，期末70 分一二三四五六七八九十合计一、填空（每空2 分，共20 分）（1）传输线上存在驻波时，传输线上相邻的电压最大位置和电压最小位置的距离相差（/ 4 ），在这些位置输入阻抗共同的特点是（纯电阻）。
（2）当横截面尺寸相同时，填充不同介电常数的介质的矩形波导的截止波长是（相同）的，而截止频率是（不同）的。
（3）全反射负载位于SMITH 圆图的（1）圆上。
SMITH 圆图的（实轴）位置阻抗为纯电阻。
（4）当用单并联短截线对负载进行阻抗匹配时，并联短截线应该接在输入导纳满足（Gin Y）位置。
当改变并联短截线的长度时，输入导纳在SMITH 圆图上的变化轨迹是（沿等G 圆）。
（5）无耗传输线谐振器串联谐振的条件是（Z in 0），并联谐振的条件是（Z in）二、判断如下命题的正确与错误（正确的打○，错误的打×）（10 分。
每小题2 分）（1）单一导体构成的传输线不能传输TEM 波。
（○）（2）当传输线上为全反射时，入射功率等于反射功率，因此传输线上的反射系数处处等于1。
（×）（3）矩形波导的截止波长与矩形波导的横截面尺寸、传输模式（波型）和填充介质都有关系。
（×）（4）当多个双端口网络级连时，级连网络总的Z 矩阵等于各个双端口网络Z 矩阵的乘积。
（………密………封………线………以………内………答………题………无………效……×）（5）当输入阻抗为纯电阻时，传输线上也可能存在反射。
（○）三、如图所示的电路，其中传输线特征阻抗为Z0=50 欧姆，负载阻抗Z L=50+j50，按要求在SMITH 圆图上完成作图（20 分）（1）在圆图上标出归一负载阻抗的位置。
《微波技术基础试题》课件
微波器件和电路
1
微波谐振器件和滤波器件
介绍不同类型的谐振器件和滤波器件的
微波开关器件
2
原理和应用。
探讨微波开关器件的性能和工作原理，
以及其在通信和雷达系统中的应用。
3
微波放大器件
详述微波放大器件的类型和特点，以及
微波混频器件
4
其在通信和射频应用中的作用。
解释微波混频器件的原理和用途，在无
线通信和雷达系统中的重要性。
新发展趋势
探讨微波技术的最新研究方向和 趋势，如5G通信和毫米波技术。
新应用领域
介绍微波技术在新兴领域中的应 用，如物联网和无线能量传输。
未来发展方向
展望微波技术的未来发展方向， 如高频率和高速通信技术。
微波技术基础试题
本课件是关于微波技术基础试题的PPT，通过这个课件，我们将学习微波技 术的概述、器件和电路、传输线和天线、系统和应用以及技术的前沿和展望。
微波技术基础概述
发展历史
介绍微波技术自诞生以来的重要里程碑，以及对现代科技的影响。
基础知识概述
总结微波技术的核心概念和基本原理。
微波电磁场基础
解释微波电磁场的特性和应用，以及如何理解和分析微波信号。
5
微波功率分配器件
介绍微波功率分配器件的原理和技术， 以及其在无线电频率应用中的重要性。
微波传输线和天线
微波传输线基 础
• 解释不同类型 的微波传输线， 如同轴线和微 带线的特点和
• 优介势绍。 微波传输 线的设计和匹 配技术。
微波散射参数 研究
• 探讨微波散射 参数的定义和 应用，以及其 在天线设计中
• 的 介重 绍要 微性 波。散射 参数测试和优 化方法。
微波技术基础期末试题二与参考答案[1]
![微波技术基础期末试题二与参考答案[1]](https://img.taocdn.com/s3/m/dc7329195f0e7cd184253675.png)
1 b 4 ， 1 b 3
bc cd
1 c 4， 1 c 1 d 2 1 d
四． （共 20 分，每小题 10 分）圆图完成（要求写清必要步骤） 1 ． 在 特 性 阻 抗 Z 0 500 的 无 耗 传 输 线 上 ， 测 得 U
六． （10 分）一微波元件的等效网络如图所示，利用网络级联方法计算当 理想传输线 为何值时，网络不引起反射。
解：将等效网络分解为 3 个网络的级联，归一化传输矩阵分别为
cos A 1 j sin
1 j sin ， A2 cos 0
2． 已知传输线的特性阻抗为 50Ω，终端接阻抗为 Z L 25 j 75 的负 载，采用并联单支节匹配，确定支节的位置 d 和长度 l。 解：负载阻抗归一化
Z Z 0.5 j1.5 Z L L 0
在阻抗圆图上找到负载对应的A点，沿等驻波系数圆旋转 180o，得到B点， 可读出负载的归一化导纳为
即当 1、2 端口反相输入时，1、2 端口的输出为零，3 端口有“和”输出，4 端口为零输出。
6
七． （10 分）写出匹配双 T 的 S 矩阵，分析 4 个端口的匹配、隔离、平分 特性；并求当 1、2 端口反相输入时，各个端口的输出为多少？ 解：匹配双 T 的 S 矩阵为
0 0 1 1 0 0 1 S 2 1 1 0 1 1 0
1 1 0 0
匹配特性：如果 3、4 端口匹配，则 1、2 端口自动匹配 隔离特性：由S 12 =S 21 =0，可知 1、2 端口隔离，同理，由S 34 =S 43 =0，可知 3、4 端口隔离， 平分特性： 由S 31 =S 41 =
西安交通大学《电子技术基础》考研真题2008年
西安交通大学《电子技术基础》考研真题2008年(总分：75.00，做题时间：90分钟)一、{{B}}单项选择{{/B}}(总题数：10，分数：20.00)1.关于稳压管，下列说法哪个是正确的?______• A.只有锗管可以作为稳压管• B.稳压管的反向击穿电压必须大于6V• C.发生热击穿，稳压管不会被损坏• D.与普通二极管相比，硅稳压管的动态电阻较小（分数：2.00）A.B.C.D. √解析：[解析] 稳压管一般是硅管；反向击穿电压低于6V的稳压管，发生热击穿时，超过一定电流值，稳压管会被损坏。
因此正确答案为D。
2.在半导体二极管中，可以用于高频开关电路的是______。
• A.硅稳压管• B.点接触二极管• C.面接触二极管• D.整流管（分数：2.00）A.B. √C.D.解析：[解析] 点接触型二极管，通过的电流小，结电容小，适用于高频电路和开关电路3.对于单晶体管放大电路，下列描述哪个是正确的?______• A.共基极放大电路的高频性能优于其他两种电路• B.静态工作点的改变，只会影响动态范围，不会影响放大电路的其他指标• C.对任何形式的单晶体管放大电路，晶体管的改变，不会影响静态工作点• D.共射极放大电路的输入电阻最大（分数：2.00）A. √B.C.D.解析：4.由两个三极管组成的双端输入差动放大电路______。
• A.具有较高的差模电压放大倍数和较低的共模电压放大倍数• B.能够有效降低输出电阻和增大输入电阻• C.具有较高的差模电压放大倍数和较高的共模电压放大倍数• D.具有较高的功率放大倍数和较低的失真（分数：2.00）A.B. √C.D.解析：5.关于场效应管，下列描述哪个是正确的?______• A.N沟道JFET的输入电阻小于P沟道JFET的• B.MOSFET的输入电阻一般小于JFET的• C.场效应管是电流驱动型的• D.场效应管是电压驱动型的（分数：2.00）A.B.C.D. √解析：6.在放大电路中引入深度负反馈，一定可以______。
西安电子科技大学《电磁场与微波技术》考研真题2011年
西安电子科技大学《电磁场与微波技术》考研真题2011年(总分：150.00，做题时间：90分钟)一、{{B}}{{/B}}(总题数：1，分数：15.00)1.如下图所示，半径分别为a、b(a＞b)，球心距为c(c＜a-b)的两球面间有密度为ρ的均匀体电荷分布，求半径为b的球面内任意一点的电场强度。
（分数：15.00）__________________________________________________________________________________________ 正确答案：(为了使用高斯定理，在半径为b的空腔内填充密度为+ρ的体电荷，在半径为a的空腔内填充密度为-ρ的体电荷。
这样，任意一点的电场就相当于带正电的大球体和一个带负电的小球体共同产生。
正、负带电体所产生的场分别用高斯定理来计算。
正电荷在空腔内产生的电场为：[*]负电荷在空腔内产生的电场为：[*]单位向量e r1、e r2分别以大、小球体球心坐标为坐标原点。
考虑到r1e r1-r2e r2=ce x，最后得到空腔内的电场为：[*])解析：二、{{B}}{{/B}}(总题数：1，分数：15.00)一段由理想导体构成的同轴线，内导体半径为a，外导体半径为b，长度为L，同轴线两端用理想导体板短路。
已知在a≤r≤b，0≤z≤L区域内的电磁场为：（分数：15.00）(1).确定A、B间的关系。
（分数：5.00）__________________________________________________________________________________________ 正确答案：(由法拉第电磁感应公式[*]可得： [*] 比较可知[*]，又因为[*]，所以：[*] 其中，η是导体内介质的特性阻抗。
)解析：(2).确定k。
（分数：5.00）__________________________________________________________________________________________ 正确答案：(因为同轴线两端用理性导体板短路，所以两端处即(z=0和z=L处)电场强度为0，则有[*]，所以：[*](m=1，2，3…))解析：(3).求r=a及r=b面上的ρs、J s。
2008微波技术基础期末考题05A+答案
⎡ −0.0621 + j 0.7448 −0.6621 − j 0.0552 ⎤ =⎢ ⎥ ⎣ −0.6621 − j 0.0552 −0.0621 & S22 和 S12 = S21 ，所以网络满足对称性和互易性，且
S11 + S21 = S12 + S22 = 1 ，所以网络满足幺正性。
可将系统分成五个部分，其[ABCD]矩阵分别为：
⎡1 ⎢0 ⎣
j 40 ⎤ ⎡ 1 0 ⎤ ⎡1 ，⎢ ，⎢ ⎥ 1 ⎦ ⎣ j 20 1 ⎥ ⎦ ⎣0
j 30 ⎤ ⎡ 1 0 ⎤ ⎡1 ，⎢ ，⎢ ⎥ 1 ⎦ ⎣ j 20 1 ⎥ ⎦ ⎣0
j 40 ⎤ 1 ⎥ ⎦
五个部分级联，因而总的[ABCD]矩阵为：
厦门大学《微波技术基础》课程试卷
信息科学 与技术
学院 电子工程系 05 年级 电子科学与技术专业
学生姓名：
主考教师：游佰强 试卷类型（A 卷）学 号：
2008 年 1 月 16 日
一、 基本概念简答及基本运算（40 分） 1) 请举例描述微波技术在当代的主要应用，至少三项，并与其他有类似功能的技术进行对比 分析（5 分）； 无线通信 vs 光纤通信; 微波能 vs 传统加热;微波探测 vs 传统探测;微波烘干 vs 传统干燥; 微波测距 vs 传统测距;（写出 3 个并简述给满分） 2) 简述纵横关系。他对 TEM 波，TE 波、TM 波的场的求解那些有效?那些无效?（5 分）； 纵横关系是用麦克斯韦方程推导出的简化电磁场求解方法的一系列表达式,它描述了横向 电磁场与纵向电磁场的关系,它对于纯在支撑场的 TE 或 TM 波求解有效,我们只需要求出传 播方向的支撑场,就可以利用这个关系求出其余的所有场分量。这个方法显然不适合于没 有传输方向场的 TEM 波的求解无效,TEM 求解需要用位函数的拉普拉斯方程，然后微分得到 电场。（判断正确给 3 分，描述清楚其余解法给满分） 3) 写出矩形波导截止频率的计算公式，讨论模式简并现象，由小到大按顺序列出矩形波导的 前 7 个模式(设 a = 2b )，并画出 TE30、TE22 的主界面场图（5 分）；
[微波技术期末复习资料大全]电子科技大学微波技术基础试卷-填空总汇（可编辑）
![[微波技术期末复习资料大全]电子科技大学微波技术基础试卷-填空总汇（可编辑）](https://img.taocdn.com/s3/m/57c3d0aac67da26925c52cc58bd63186bceb924b.png)
[微波技术期末复习资料大全]电子科技大学微波技术基础试卷-填空总汇电子科技大学二零零六至二零零七学年第二学期期末 1、传输线某参考面的输入阻抗定义为该参考面的（总）电压和（总）电流的比值；传输线的特征阻抗等于（入射）电压和（入射）电流的比值；传输线的波阻抗定义为传输线内（横向电场）和（横向磁场）的比值。
2、矩形波导传输的基模是（ TE10 模）；宽度为a，高度为b（a b）的空气填充矩形波导，当工作波长大于（ 2a ），电磁波不能在波导中传播。
3、在SMITH圆图中，原点代表的传输线工作状态是（行波状态（或匹配状态）），上半平面的阻抗性质是（感性）。
《微波技术基础》期末试题二与参考答案 1．从传输线方程看，传输线上任一点处的电压和电流都等以该处相应的入射波和反射波的叠加。
2．终端短路的传输线的输入阻抗等于 j Zc tgβl ，终端开路的传输线的输入阻抗等于 -j Zc ctgβl 。
3．电磁波的波长和频率满足λ fc 条件才能在波导中传输。
4. 圆波导的三种主要工作模式TE11 、TE01 、 TM01 。
5. 无耗网络的Z和Y参数是纯虚数，A参数的 A11 、和 A22 是实数。
6. 微波网络的工作特性参量有电压传输系数T 、插入衰减A 、插入相移θ、输入驻波比ρ。
7．分支调配器可调电纳范围 ?∞~+∞，螺钉调配器可调容性电纳范围 0~+∞。
8.微波谐振器有那两个主要功能储能、选频。
微波技术与天线B卷 1、充有介质的无耗同轴传输线，其内、外导体直径分别为，传输线上的特性阻抗。
（同轴线的单位分布电容和单位分布电感分别匹配负载中的吸收片平行地放置在波导中电场最处，在电场作用下吸收片强烈吸收微波能量，使其反射变小。
平行z轴放置的电基本振子远场区只有和两个分量，它们在空间上（选填：平行，垂直），在时间上（选填：同相，反相）。
已知某天线在E平面上的方向函数为，其半功率波瓣宽度。
旋转抛物面天线由两部分组成，把高频导波能量转变成电磁波能量并投向抛物反射面，而抛物反射面将其投过来的球面波沿抛物面的向反射出去，从而获得很强。
- 1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性，平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
- 2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
- 3、如文档侵犯您的权益，请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间：9:00-18:30)。
西安电子科技大学微波技术基础08年考
题
收集于网络，如有侵权请联系管理员删除
西安电子科技大学
考试时间 120 分钟
1.考试形式：闭 卷；
2.本试卷共五大题，满分100分。
班级 学号 姓名 任课教师
一、简答题（每题3分，共30分） 1、
微波无耗传输线特性阻抗Ω=500Z ，负载Ω=25l R ，则负载反射系数为（ ），驻波比为（ ）；终端为电压（ ）点，距终端4/λ处为电压（ ）。
2、 理想无耗传输线工作状态有哪些？各种工作状态下终端负载有哪些特
点？ 3、 写出A 参数阻抗变换定理；写出双口网络，无耗时，A 参数的关系。
Z L
Z
3题图
4、 如图单枝节匹配，可调参数为两段传输线的长度ｌ和ｄ，简要说明两
段传输线的作用。
当我们用Smith 圆图来研究时，在Smith 圆图上找到归一化负载所对应的点，应该向（ ）方向转到与（ ）圆相交。
【单枝节匹配的两个可调长度，和Smith 原图做没有关系，描述欠妥】
收集于网络，如有侵权请联系管理员删除
Z L
4题图
5、 试写出耦合带状线偶模阻抗e Z 0和奇模阻抗o Z 0的概念和意义，偶模阻抗和奇模阻抗哪个大，为什么？
6、 矩形波导、圆形波导、同轴线中传输的主模分别是什么？
7、 说明矩形波导的单模传输条件。
8、
写出魔T 的S 矩阵,并分析1,2端口分别同相、反相输入时各个端口
的输出特性。
8题图
9、
互易无耗三端口网络能否同时匹配；举出三端口可以同时匹配的元件
例子，并写出其S 矩阵。
10、 什么是谐振，谐振腔的三个主要指标是什么？
二、（15分）微带线的直角拐角的等效电路如图示。
如果设归一化的X，试求其二端口接匹配负载时，一端口的反射系数，对应的驻=B
,2=
1
波比和归一化输入阻抗。
X
B
X
二题图
三、（10分）证明：理想铁氧体三端口环行器在某些情况下可构成二端口铁氧体隔离器。
四、（20分）试分析金属圆柱波导、同轴线、介质圆柱波导的边界（约束）条件对传输的影响。
五、（25分）
收集于网络，如有侵权请联系管理员删除
收集于网络，如有侵权请联系管理员删除
（1）若矩形波导截面尺寸a=2b=8cm,试问当频率为5GHz 时，波导中能传
输哪些模式？
（2）该波导工作在主模时的电场为y z j a e a x E E ˆ)/sin(0βπ-=
，写出波导内各场的表达式。
（3）画出波导内的电、磁力线图。
（4）若将此波导做成谐振频率为2GHz ，工作模式为TE 101的谐振腔，L 如何选取？。