测量高容量MLCC时不要忽略了这六个因素
MLCC基础知识解读
行业介绍MLCC 多层陶瓷电容器的起源可追逆到二战期间玻璃釉电容器的诞生，由于性能优异的高频发射电容器对云母介质的需求巨大，而云母矿产资源缺以及战争的影响，美国陆军通信部门资助陶瓷实验开展了喷涂下班釉介质和丝网刷银电极经叠层层共烧，再烧附端电极的独石化工艺研究在战后得到进一步推广。
并逐渐变为今天的二后美1943---1945 种型湿法工艺，干法工艺要追到二战期间诞生的流延工艺技术，在年获得专1952 国开始流延工艺技术的研究并组装一台流延机为钢带流延机，并在利。
二战后苏联与美国电容器技术似入我国并形成一定的生产规模，为了改进性能，扩年代我国产业界开始尝试用陶瓷介质进行轧膜成型，印刷叠层工艺60 大生产规模，制造独石结构的瓷介电容器。
的高比容介质薄层化趋势突破专统MLC 与技术的发展，MLC 在80 年代随着SMT 年代以来MLC 生产厂家普通使用，80 厚度范围，二种干法流延方式被世界大多类制造工我国引进了干法流延和湿法印刷成膜及相关生产技术，有效地改善了MLC 艺水平。
代表了—25MM 年日本引入了随后92---96SLOT-DIE 流延头的新技术实现厚度为2 流延技术的最高水平（先后有康井、平野、横山生产的流延机）。
独石电容器是由涂有电极的陶瓷膜素坯，以一定的方式叠全起来最后经过一次焙烧）MLCC “独石”也称多层陶瓷电容器（成一整体，故称为独石电容器的特点是具有体积小、比容大、内电感小、耐湿、寿命长、可靠性高的优点；独石电容器的发展取决于材料（包括介质材料、电极浆料、粘合剂）和工艺技术的发展，其中陶瓷介质有差决定性作用。
独石瓷介电容器有两种类型：一种为TIO2 和或以这些为基础再加入稀土氧化物、温度补偿型（是MGTTD3 、CATIO3 氧化铋、粘土等配制成的瓷料；而加一种是高介电系数型，以BATTO3 主要成分高温烧成。
料，电导率大、焊接方便、价格不高、工艺性好，但银电极在高温、高湿、强直流电场作用下银离子易迁移，造成电容器失效的主要原因，故目前沿用低温烧结用银钯结合（950---1100 度）材料的用途是由其性能所决定的，而材料的性能异不是一成不变的，可以通过改变厚材料的纯度，粒度或各种添加剂和各工艺因素等进行改性。
MLCC-特性要求
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多层陶瓷电容器（MLCC）之基本特性
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多層陶瓷電容器（MLCC）之基本特性要求
可焊性
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多层陶瓷电容器（MLCC）之基本特性
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多層陶瓷電容器（MLCC）之基本特性要求
溫度特性測試： Temperature Characteristics of Capacitance＝TCC 說明：於25 ℃、 Min. Operating Temp 、 Max. Operating Temp…… 下測量容量並計算容量變化率，
容量量測 需要在固定的頻率和電壓下測量 CALSS I ≤1000PF 1MHZ 1.0V >1000PF 1KHZ 1.0V CALSS II ≤10uF 1KHZ 1.0V >10uF 120Hz 0.5V 測量溫度為25±2℃ 測量儀器： Agilent安捷倫 4284A ，4278A （MLCC生產廠家常用）
附著力測試 Adhesive Strength of Termination 說明：將MLCC焊接於PCB板上以側向力量施壓，
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多层陶瓷电容器（MLCC）之基本特性
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多層陶瓷電容器（MLCC）之基本特性要求
抗彎曲力測試： Bending Strength
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多层陶瓷电容器（MLCC）之基本特性
2πf C xc
ESR: 制造电容的材料有电阻，电容的绝缘介质有损 耗，各种原因导致电容变得不“完美”。这个损耗 在外部，表现为就像一个电阻跟电容串连在一起， 所以就起了个名字叫做“等效串连电阻”。 XC: 交流电是能够通过电容的，但是电容对交流 电仍然有阻碍作用。电容对交流电的阻碍作用叫 做容抗。
MLCC使用注意事项
MLCC微观结构特点（2）
2、高精密智能化印刷叠层技术 国际最先进Roll to Roll高精度成型印刷叠层方 式 智能化Mark点识别高精度定位叠层 重轧压丝网与与图形控制技术： 印刷重复度≦15 μ m ，厚度精度±7% 叠层精度±30 μ m （ 100~300层）
MLCC微观结构特点（3）
3、在等静压叠片时需要施加巨大的压力，使 多层陶瓷膜片紧密结合在一起，在等静压过程 会产生一定的扭曲、变形，这样就产生较大的 内应力。 4、内电极与陶瓷介质膜片热胀系数差异很大， 这样在烧结、冷却过程又增加内应力。 5、外电极与内电极的结合靠烧渗结合，这样 的结合力存在各向异性。 6、外电极与瓷体热胀系数差异较大，焊接时 的热应力会使外电极与瓷体结合处产生裂纹。
MLCC微观结构特点（4）
四、MLCC的机械性能特点：
1、机械强度：硬而脆，这是陶瓷材料的机械 强度特点。这也是陶瓷材料应用的局限性，人 们必须了解陶瓷的特点，并扬长避短。 2、热脆性：MLCC内部应力很复杂，所以耐 温度冲击的 能力很有限。因此焊接时必须预 热，要求预热温度与焊接温度的温差不超过 150℃
MLCC使用注意事项
－BBK
一、MLCC的微观结构（1）
MLCC (Multi-Layer Ceramic Chip Capacitor) 片式多层陶瓷电容器的英文缩写
MLCC的微观结构（2）
二、MLCC工艺过程简介
三、MLCC微观结构特点（1）
1、超薄的介质膜片 超薄陶瓷膜片流延技术相适应的抗还 原介质粉体材料 超细、高纯、液相合成（化学法） 介质厚度：7~ 15μ m，D50：0.7 μ m 介质厚度：2~ 6μ m，D50：0.3μ m 最新研究开发报道： D50：70 nm
MLCC 使用过程中的注意事项
ＭＬＣＣ使用过程中的注意事项： ５．１ 电路设计： ５．１．１ 工作温度： ａ． 电容器使用过程中避免超过其上限类别温度。
ｂ． 表面温度以及自加热温度应该低于电容器的上限类别温度。
５．１．２ 工作电压： 电容器的工作电压必须低于其额定电压。
５．２ ＰＣＢ设计： ５．２．１ 焊盘设计： 电容器贴装在ＰＣＢ上时，端头焊锡量对电容器的性能有直接的联系。
焊锡量越多，施加在电容器上的应力就越大。
因此，设计焊盘时，必须考虑焊锡的尺寸和结构，请参考下面设计： 回流焊的建议设计 （单位：ｍｍ） 类型 ０４０２ ０６０３ ０８０５ １２０６ １２１０ Ｌ １．０ １．６ ２．０ ３．２ ３．２ 尺寸 Ｗ ０．５ ０．８ １．２５ １．６ ２．５ Ａ ０．４０～０．５０ ０．６～０．８ １．０～１．２ ２．２～２．４ ２．０～２．４ Ｂ ０．３５～０．４５ ０．６～０．８ ０．６～０．７ ０．８～０．９ １．０～１．２ Ｃ ０．４５～０．５５ ０．６～０．８ ０．８～１．２ １．０～１．４ １．８～２．３ 波峰焊的建议设计 （单位：ｍｍ） 类型 ０６０３ ０８０５ １２０６ Ｌ １．６ ２．０ ３．２ 尺寸 Ｗ ０．８ １．２５ １．６ Ａ ０．８～１．０ １．０～１．２ ２．２～２．６ Ｂ ０．８～０．９ ０．９～１．０ １．０～１．１ Ｃ ０．６～０．８ ０．９～１．２ １．０～１．４ 片式电容焊盘阻焊层片式电容弯曲扭曲５．２．２ 电容器在ＰＣＢ上的布局设计： 机械应力根据电容器在ＰＣＢ上的位置不同而变化。
请参考下面的设计方案： 施加在电容器上的应力大小如下： Ａ＞Ｂ＝Ｃ＞Ｄ＞Ｅ 注意：不要弯曲或扭曲ＰＣＢ，否则电容器会发生断裂。
请参考下面的例子： ａ． 应该避免的情况： ｂ． 建议的操作方式： ５．２．３ 焊锡的应用以及焊接方式： ａ． 以下的焊接方式应该避免： ｂ． 请参考以下的焊接方式： ５．３ 自动化设计的注意事项： 如果安装头调整得过低，会产生过高的应力，导致电容器断裂。
mlcc的温度系数
mlcc的温度系数MLCC温度系数（Temperature Coefficient of MLCC）介绍：多层陶瓷电容器（MLCC）是一种常见的电子元件，广泛应用于电子产品中。
温度系数是衡量MLCC性能的重要指标之一。
本文将详细介绍MLCC温度系数的概念、计算方法以及其对电容器性能的影响。
一、MLCC温度系数的概念温度系数是指在一定温度范围内，电容器电容值与温度变化之间的关系。
温度系数通常用ppm/℃（百万分之一/摄氏度）来表示。
正温度系数表示电容值随温度的升高而增加，负温度系数则表示电容值随温度的升高而减小。
二、MLCC温度系数的计算方法MLCC温度系数的计算方法一般采用下述公式：温度系数 = （C2 - C1） / （C1 * ΔT） * 10^6其中，C1为参考温度下的电容值，C2为目标温度下的电容值，ΔT 为目标温度与参考温度之间的温度差。
三、MLCC温度系数的影响因素1. 材料特性：MLCC的温度系数与材料的选择有关。
常用的材料有C0G、X7R、Y5V等，它们具有不同的温度系数范围。
2. 制造工艺：制造工艺的不同也会对MLCC的温度系数产生影响。
例如，不同的烧结温度和冷却速率会导致材料结构的变化，从而影响电容值随温度变化的程度。
3. 封装方式：MLCC的封装方式也会对温度系数产生影响。
封装方式不同，电容器内部的结构也不同，从而导致温度系数的差异。
四、MLCC温度系数的应用1. 温度补偿电路：由于MLCC的温度系数不同，可以通过组合不同温度系数的电容器来实现温度补偿电路。
这样可以在不同温度下保持电容值的稳定性。
2. 温度传感器：利用MLCC的温度系数，可以设计出用于测量温度的传感器。
通过测量电容值的变化，可以推算出环境温度。
五、MLCC温度系数的注意事项1. 温度系数的选择：在实际应用中，根据具体需求选择合适的温度系数，以保证电容器在工作温度范围内的稳定性。
2. 温度系数与精度的关系：温度系数越小，电容器的稳定性越高。
MLCC综述
课程设计LMCC片式叠成陶瓷电容器综述学院名称：材料科学与工程学院专业班级：2011级无机非金属材料小组成员：胡海波吴艳霞张哲完成日期：2014年5月23日目录一MLCC概述1.MLCC简介2.MLCC产品结构及制作流程3.MLCC的分类4.MLCC的发展趋势二MLCC的制造工艺与测试方法1.陶瓷介质薄膜制作1.1配料、球磨1.2 流延2.内电极制作（印刷）2.1印刷的概述2.2印刷的流程2.3印刷的质量控制3.电容芯片制作3.1压层3.2 切割4.烧结陶瓷4.1排胶4.2烧成4.3倒角5.外电极的制作5.1封端5.2烧端5.3电镀6.分选、测试、包装7.MLCC的性能评价三MLCC的材料选择一MLCC概述1、MLCC简介：多层陶瓷电容器MLCC是英文字母Multi-Layer Ceramic Capacitor的首写字母。
在英文表达中又有Chip Monolithic Ceramic Capacitor。
两种表达都是以此类电容器外形和内部结构特点进行，也就是内部多层、整体独石(单独细小的石头)的结构，独石电容包括多层陶瓷电容器、圆片陶瓷电容器等，由于元件小型化、贴片化的飞速发展，常规圆片陶瓷电容器逐步被多层陶瓷电容器取代，人们把多层陶瓷电容器简称为独石电容或贴片电容。
片式多层陶瓷电容器(Multi-layer Ceramic Capacitor 简称MLCC)是电子整机中主要的被动贴片元件之一，它诞生于上世纪60年代，最先由美国公司研制成功，后来在日本公司(如村田Murata、TDK、太阳诱电等)迅速发展及产业化，至今依然在全球MLCC领域保持优势，主要表现为生产出MLCC具有高可靠、高精度、高集成、高频率、智能化、低功耗、大容量、小型化和低成本等特点。
MLCC具有容量大，体积小，容易片式化等特点，•是当今通讯器材、计算机板卡及家电遥控器及中使用最多的元件之一。
随着SMT的迅速发展，其用量越来越大，仅每部流动电话中的用量就达200个之多。
测试MLCC时要注意的几大要点
测试MLCC时要注意的几大要点
1测试参数及测试条件
我们一般通过测量陶瓷电容器的容值C、Q值/D.F.值、绝缘电阻I.R.值来初步判断电容的参数是否在规格范围内，是否存在不良。
要注意的是，再精密的仪器测出的数据也只是测量值，由于存在环境，设备等多方面因素干扰，测量值只能尽可能地接近真实值。
另外，随着市场需求多样化，陶瓷电容的种类繁多，测试条件并未完全统一，针对具体的型号的测量，请以对应规格书中标注的为准。
对于容值，Q值的测量，一般而言，我们针对不同温度特性（TC），不同容值的产品，对应的测量条件（交流频率">理想的电容器电阻无限大，但是实际电容加压后会有微小电流流过，其绝缘电阻I.R.存在有限值。
当给电容施加电压后，会有充电电流产生，并呈指数下降，如下图。
为准确测量漏电流值，我们一般在额定电压充电1分钟（或2分钟）后测量绝缘阻抗，判定标准与额定容值有关，详见下表。
额定容值C判定良品标准C10000MΩC>47nFI.R.>500Ω·F
2测试设备">我们一般选用LCR电表即自动平衡电桥法测量容值和Q值，用高阻计测量IR值。
工具包括：LCR电表（Keysight E4980）, 夹具（16034E, 16334A）,高阻计（Agilent 4339B）, 镊子等。
3测试流程
01
预热被测品
由于陶瓷材料特性，特别是高容品选用了高介电常数材料，久置后因内部晶格结构改变，容值会有所下降，此时测量会出现偏差，故需要先进行预热。
一般执行在140～150℃，持续1小时的热处理，再放置24+/-2小时。
02。
MLCC常见问题及解决途径
陶瓷贴片电容器少数为单层结构 ,大多数为多 层叠层结构 。通常是无引脚矩形结构 ,外层电极同 片式电阻相同 ,如图 1 所示 。陶瓷贴片电容有不同 的电解质 ,它们有不同的容量范围及温度稳定性 ,由
于陶瓷贴片电容的端电极 、金属电极 、介质三者的热 膨胀系数不同 ,因此在焊接过程中升温速率不能过 快 ,特别是温度冲击及焊接时要考虑温度因素 ,否则 易造成陶瓷贴片电容的损坏 (失效 ) 。
[ 3 ] 白秀茹. 典型的密封式电子设备结构热设计研究 [ J ]. 电子机械工程 , 2002, 18 (4) : 36 - 38.
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high density de power system by finite element analysis ( FEA ). Proc [ J ]. IEEE Int Energy, 1996 ( 10 ) : 718 -
图 3 电容破损
图 4 电容断裂 (3)由于陶瓷贴片电容端头 (本体与电极 )结合 力不良的质量问题 ,经焊接 、温冲 、调试等外力作用 等过程 , 容易引起金属电极脱落 ,即本体与电极脱 离如图 5所示 。 2. 2 焊接操作不当引起的失效 2. 2. 1 电烙铁手工焊接操作不当或返工 电烙铁焊接所带给陶瓷贴片电容的热冲击是很 普遍的 。焊接时会产生热冲击 ,如果操作者将烙铁 尖端直接接触电容电极 ,就会出现热冲击引起陶瓷 贴片电容器本体的微裂 ,一段时间后陶瓷贴片电容 就会失效 。原则上陶瓷贴片电容一般应由 SM T专
MLCC产品容值偏低现象
MLCC產品容值偏低現象针对经常有客户问及容值偏低的问题，本文从仪器差异、测试环境、测试条件、材料老化等方面对此作出完整之说明及解释,以期对MLCC产品容值偏低现象有进一步的认识。
1、量测仪器差异对量测结果之影响.高容量的电容量测时更易有容值偏低现象，主要原因是电容两端之实际施于电压无法达到测试条件需求所致，也就是说加在电容两端的电压由于仪器本身内部阻抗分压的原因与仪器显示的设定电压不同。
为使量测结果误差降至最低,建议客戶将仪器調校並將儀器的设定电压与实际在产品两端所测之电压尽量调整,使实际于待测物上之輸出电压一致.2、测试条件对量测结果之影响首先考虑量测条件的问题。
对于不同容值的电容会采用不同的条件来量测其容值。
主要在电压设定和测试频率设定上有差異，不同容值的量测条件如下表所示:电容AC 电压频率C>10μF 1.0± 0.2Vrms 120Hz1000pF<C≦10μF 1.0± 0.2Vrms 1kHzC≦ 1000pF 1.0± 0.2Vrms 1MHz注：表中所列之电压是指实际加在电容两端的有效电压。
因仪器的原因，电容两端实际的輸出电压与设定的量测电压实际上可能会有所偏差。
3、影响高容量测之因素3.1 仪器內部阻抗之大小因素.由于不同测试仪器之间的內部阻抗不相同，造成仪器将总电压分压而使到达测试物的实际电压变小。
在实际的测试动作中，我们可以使用万用表等测试夹具两端的实际电压，以验证实际施于测试物的輸出电压。
3.2不同阻抗的测试仪器对比仪器内阻100Ω压降1V*[100Ω/(100Ω+16Ω)]=0.86V10uF测试电容两端电压：1V*[16Ω/(100Ω+16Ω)]=0.14V平均电容值读数： 6-7μF仪器内阻1.5Ω压降：1V*[1.5Ω/(1.5Ω+16Ω)]=0.086V10uF测试电容两端电压：1V*[16Ω/(1.5Ω+16Ω)]=0.914V平均电容值读数： 9-10μF综合以上实验，可以得到有效电压与电容量的关系如下：→當AC Voltage 較小，则量测出之电容值偏小→當AC Voltage 較大，则量测出之电容值偏大下圖為量測電壓與量測容值的對照圖3.3 电容大小因素电容量大小会影响电容之阻抗.Z(Ω)=R+j(-1/ωc)where ω=2π f∵电容之R很小∴Z(Ω)≒1/ωcEx：10μF Z ≒ 1/(2 π *1k*(10*10-6)≒16 (Ω)22μF Z ≒ 1/(2 π *1k*(22*10-6)≒7.2 (Ω)22μF Z ≒ 1/(2 π *120*(22*10-6)≒60.3 (Ω)Z(Ω)≒1/ωcEx：10μF Z ≒ 1/(2 π *1k*(10*10-6)≒16 (Ω)因此待测电容两端之AC Voltage要保持在1Vrms则仪器之输出电流I(rms)=V(rms)/Z=1/16=62.5 mA所以若仪器之最大输出电流小于62.5 mA，则待测电容两端之AC Voltage会小于1Vrms，所测得之容值就会变小。
MLCC基础知识
片式多层陶瓷电容器（MLCC）基础知识宇阳科技发展有限公司向勇一、电容器基础电容器基本模型是一种中间被电介质材料隔开的双层导体电极所构成的单片器件，如图1所示。
这种介质必须是纯绝缘材料，它的特性在很大程度上决定了器件的电性能。
介质特性取决于电介质材料对电荷的储存能力（介电常数）和对外电场的本征响应，也就是电容量，损耗特性、绝缘电阻、介质抗电强度、老化速率以及上述性能的温度特性。
图1 单层平板电容器通常，电容器采用的介质材料主要包括：空气（介电常数K几乎与真空相同，定义为1）；天然介质：如云母，介电常数（K）为4～8；合成材料：如陶瓷，K值范围由9～1500。
电容器所用陶瓷介质是以钛酸盐为主要成份，可以通过配方调整制成具有极高介电常数和其他适当电特性的介质材料。
这是陶瓷电容器，尤其是片式多层陶瓷电容器（MLCC）技术的基础。
MLCC制造过程中的所有工艺和其它材料的确定原则都趋向于实现其介电性能的最优化。
二、电容量电容器的基本特性是能够储存电荷（Q）。
储存电荷量Q与电容量（C）和外加电压（V）成正比。
Q=CV因此，充电电流被定义为：I=dQ/dt=Q dV/dt当电容器外加电压为1伏特，充电电流为1安培，充电时间为1秒时，电容量定义为1法拉。
C=Q/V=库仑/伏特=法拉由于法拉是一个很大的测量单位，在实用中不会遇到，常用的是法拉的分数，即：微法(μF) = 10-6F毫微法，又称为：纳法(nF) = 10-9F微微法，又称为：皮法(pF) = 10-12F三、影响电容量的因素施加电压的单片电容器如图1，其电容量正比于器件的几何尺寸和相对介电常数：C=KA/f t在这里C=电容量；K=相对介电常数，简称介电常数；A=电极层面积；t=介质厚度；f=换算因子（在基础科学领域：相对介电常数用εr表示。
在工程应用中以K表示，简称为介电常数）在英制度量单位体系中，f=4.452，尺寸A和t用英寸，电容量值用微微法表示。
MLCC选型要素解析
电子知识MLCC的选型过程中：首先MLCC参数要满足电路要求，其次就是参数与介质是否能让系统工作在最佳状态；再次，来料MLCC是否存在不良品，可靠性如何；最后，价格是否有优势，供应商配合是否及时。
许多设计工程师不重视无源元件，以为仅靠理论计算出参数就行，其实，MLCC的选型是个复杂的过程，并不是简单的满足参数就可以的。
选型要素参数：电容值、容差、耐压、使用温度、尺寸材质直流偏臵效应失效价格与供货不同介质性能决定了MLCC不同的应用C0G电容器具有高温度补偿特性，适合作旁路电容和耦合电容X7R电容器是温度稳定型陶瓷电容器，适合要求不高的工业应用Z5U电容器特点是小尺寸和低成本，尤其适合应用于去耦电路Y5V电容器温度特性最差，但容量大，可取代低容铝电解电容MLCC常用的有C0G（NP0）、X7R、Z5U、Y5V等不同的介质规格，不同的规格有不同的特点和用途。
C0G、X7R、Z5U和Y5V的主要区别是它们的填充介质不同。
在相同的体积下由于填充介质不同所组成的电容器的容量就不同，随之带来的电容器的介质损耗、容量稳定性等也就不同，所以在使用电容器时应根据电容器在电路中作用不同来选用不同的电容器。
C0G（NP0）电容器C0G是一种最常用的具有温度补偿特性的MLCC。
它的填充介质是由铷、钐和一些其它稀有氧化物组成的。
C0G电容量和介质损耗最稳定，使用温度范围也最宽，在温度从-55℃到+125℃时容量变化为0±30ppm/℃，电容量随频率的变化小于±0.3ΔC。
C0G电容的漂移或滞后小于±0.05%，相对大于±2%的薄膜电容来说是可以忽略不计的。
其典型的容量相对使用寿命的变化小于±0.1%。
C0G电容器随封装形式不同其电容量和介质损耗随频率变化的特性也不同，大封装尺寸的要比小封装尺寸的频率特性好。
mlcc容量极限
mlcc容量极限MLCC（多层陶瓷电容器）是一种常见的电子元件，具有高容量、高压、高频等优点，被广泛应用于电子产品中。
然而，MLCC的容量也存在一定的极限，本文将就MLCC容量极限展开讨论。
MLCC的容量受到多重因素的限制。
首先是材料本身的限制。
MLCC采用的是陶瓷材料，其介电常数决定了电容器的容量。
虽然可以通过增加层数来增加容量，但是增加层数会带来其他问题，如体积增大、电容器间的耦合效应增强等。
其次，制造工艺也会影响MLCC的容量。
在制造过程中，温度、压力等条件会对电容器的性能产生影响，进而影响容量的大小。
MLCC的容量极限与尺寸有关。
一般来说，MLCC的容量与其尺寸成正比。
随着尺寸的增大，电容器的容量也会增加。
但是，尺寸的增大也会带来其他问题，如占用空间增加、重量增加等。
因此，在实际应用中，需要根据具体需求来平衡尺寸和容量的关系。
MLCC容量极限还与工作电压有关。
一般来说，MLCC的容量会随着工作电压的增加而减小。
这是因为在高电压下，陶瓷材料的介电常数会发生变化，从而导致电容器的容量减小。
因此，在设计电子产品时，需要根据工作电压的要求选择合适的MLCC。
频率也会对MLCC的容量产生影响。
在高频应用中，MLCC的容量会有所下降。
这是因为在高频下，电容器内部会出现电荷迁移现象，导致有效电容量减小。
因此，在高频应用中，需要考虑频率对MLCC 容量的影响。
MLCC的容量受到多重因素的限制，包括材料、制造工艺、尺寸、工作电压和频率等。
在设计电子产品时，需要综合考虑这些因素，选择合适的MLCC。
同时，还需要注意容量极限与尺寸、工作电压和频率等因素的关系，以达到最佳的性能和可靠性。
虽然MLCC容量有一定的极限，但是随着技术的不断发展，人们对MLCC容量的要求也在不断提高。
因此，科研人员和制造商们正在不断努力，通过改进材料、工艺等手段，提高MLCC的容量和性能，以满足日益增长的市场需求。
相信在不久的将来，MLCC的容量极限将会得到突破，为电子产品的发展提供更大的空间。
mlcc容值范围
mlcc容值范围【原创版】目录1.MLCC 容值范围的概述2.MLCC 容值范围的计算方法3.MLCC 容值范围的影响因素4.MLCC 容值范围的选择原则5.MLCC 容值范围的实际应用案例正文1.MLCC 容值范围的概述MLCC（Multi-Level Cell Capacitor）即多层陶瓷电容器，是一种具有高容量、高稳定性、低 ESR（等效串联电阻）和高可靠性的电容器。
在电子设备中，MLCC 被广泛应用于滤波、去耦、储能等电路，以保证电路的稳定性和可靠性。
MLCC 容值范围，顾名思义，是指 MLCC 电容器所能承受的电容量范围。
2.MLCC 容值范围的计算方法MLCC 容值范围的计算方法通常根据电容器的尺寸、电介质材料、工艺结构等因素来确定。
计算公式为：容值范围 = （最大容值 - 最小容值）/ 2其中，最大容值和最小容值分别对应电容器所能承受的最大电容量和最小电容量。
3.MLCC 容值范围的影响因素影响 MLCC 容值范围的主要因素包括以下几点：a.电介质材料：电介质材料的介电常数直接影响电容器的电容量，因此不同材料的电容器容值范围有所差异。
b.工艺结构：MLCC 的制作工艺和结构对电容器的电容量有重要影响，如叠层数、电极材料等。
c.尺寸：电容器的尺寸直接影响其电容量，不同尺寸的电容器容值范围不同。
d.工作电压和温度：电容器的工作电压和温度范围也会影响其容值范围。
4.MLCC 容值范围的选择原则在选择 MLCC 容值范围时，需要综合考虑以下几个原则：a.符合电路设计要求：根据电路的滤波、去耦等需求，选择合适的容值范围。
b.考虑电容器的稳定性和可靠性：选择具有较高稳定性和可靠性的电容器，以保证电路的长期稳定运行。
c.考虑成本因素：在满足性能要求的前提下，选择成本合理的电容器。
5.MLCC 容值范围的实际应用案例以一款智能手机为例，其滤波电路可能需要使用容值范围为10nF~100nF 的 MLCC 电容器，以保证电路的稳定性和可靠性。
在采购和使用MLCC过程中应该注意的问题
仅仅了解上面知识的还不够。由于C0G、X7R、Y5V的介质的介电常数是依次减少的，所以，同样的尺寸和耐压下，能够做出来的最大容量也是依次减少的。有的没经验的工程师，以为想要什么容量都有，选型时就会犯错误，选了不存在的规格。比如想用0603/C0G/25V/3300pF的电容，但是0603/C0G/25V的MLCC一般只做到1000pF。其实只要仔细看了厂家的选型手册，就不会犯这样的错误。另外，对于入门不久的设计工程师，对元件规格的数序（E12、E24等）没概念，会给出0.5uF之类的不存在的规格出来。即使是有经验的工程师，对于规格的压缩也没概念。比如说，在滤波电路上，原来有人用到了3.3uF的电容，他的电路也能用3.3uF的电容，但他有可能偏偏选了一个没人用过的4.7uF或2.2uF的电容规格。不看厂家选型手册选型的人，还会犯下面这种错误，比如选了一个0603/X7R/470pF/16V的电容，而事实上一般厂家0603/X7R/470pF的电容只生产50V及其以上的电压而不生产16V之类的电压了。贴片电容,MLCC,国巨代理
另外注意片状电容的封装有两种表示方法，一种是英制表示法，一种是公制表示法。美国的厂家用英制的，日本厂家基本上都用公制的，而国产的厂家有用英制的也有用公制的。一个公司所用到的电容封装，只能统一用一种制式来表示，不能这个工程师用英制那个工程师用公制。否则会搞混乱。极端的情况下，还会弄错。比如说，英制的有0603的封装，公制的也有0603的封装，但是两者实际上是完全不同的尺寸的。英制的0603封装对应公制的是1608，而公制的0603 封装对应英制的却是0201！其实英制封装的数字大约乘以2.5（前2位后2位分开乘）就成为了公制封装规格。现在流行的是用英制的封装表达法。比如我们常说的0402封装就是英制的表达法，其对应的公制封装为1005（1.0*0.5mm）。
mlcc体积 漏电流
mlcc体积漏电流摘要：1.什么是MLCC？2.MLCC的体积与漏电流关系3.如何选择合适的MLCC？4.应用MLCC时应注意哪些因素？正文：近年来，多层陶瓷电容器（MLCC）在电子设备中的应用越来越广泛，其体积小、容量大、可靠性高等特点受到了业界青睐。
然而，在使用MLCC时，了解其体积与漏电流的关系至关重要。
本文将简要介绍MLCC的体积与漏电流关系，并为您提供如何选择合适的MLCC以及应用时应注意的因素。
首先，什么是MLCC？MLCC是一种多层结构的高频陶瓷电容器，由陶瓷介质、电极和内部连接结构组成。
根据其结构特点，MLCC具有较高的能量密度和较小的体积，适用于各种电子设备中的电源滤波、信号耦合等功能。
接下来，我们来探讨MLCC的体积与漏电流关系。
一般来说，MLCC的体积越大，其容量越高，但漏电流也相应会增加。
这是因为MLCC的体积决定了其内部电极的面积，从而影响了电流流动。
同时，体积较大的MLCC在制造过程中可能存在更多的缺陷，导致漏电流增大。
那么，如何选择合适的MLCC？在选择MLCC时，应根据实际应用场景和性能要求，综合考虑以下几个方面：1.容量：根据电路需求选择合适的容量值，注意容量与体积、漏电流的关系。
2.工作电压：选择与电路工作电压相匹配的MLCC，以确保电容器稳定工作。
3.温度范围：根据电路所处环境温度，选择合适的温度等级。
4.可靠性：在高振动、高温、高湿等恶劣环境下，选择具有较高可靠性的MLCC。
最后，应用MLCC时应注意以下因素：1.安装方向：避免长时间单向振动，以免影响电容器的性能。
2.焊接：焊接过程中要注意防止过热、焊料污染等问题。
3.散热：确保MLCC工作过程中具有良好的散热条件，避免过热导致性能下降。
4.环境温度：避免MLCC在过高或过低的温度下长时间工作。
总之，了解MLCC的体积与漏电流关系，合理选择和使用MLCC，有助于提高电子设备的性能和可靠性。
MLCC容值偏低
MLCC 产品之容值偏低现象之认识摘要﹕针对经常有客户问及容值偏低的问题，本文从仪器差异、测试环境、测试条件、材料老化等方面对此作出完整之说明及解释,以期对MLCC产品容值偏低现象有进一步的认识。
●Q：量测仪器差异对量测结果之影响.A：高容的量测时更易有容值偏低现象，主要原因是电容两端之实际施于电压无法达到测试条件需求所致，也就是说加在电容两端的电压由于仪器本身内部阻抗分压的原因与仪器显示的设定电压不同。
为使量测结果误差降至最低,建议客戶将仪器調校並將儀器的设定电压与实际在产品两端所测之电压尽量调整,使实际于待测物上之輸出电压一致.B：测试条件对量测结果之影响首先考虑量测条件的问题。
对于不同容值的电容会采用不同的条件来量测其容值。
主要在电压设定和测试频率设定上有差異，國巨使用Aglient4284A LCR Meter 来量测.不同容值的量测条件如下表所示:Capacitance AC Voltage Frequency C≦ 1000pF 1.0± 0.2Vrms 1MHz 1000pF<C≦10μF 1.0± 0.2Vrms 1kHzC>10μF 1.0± 0.2Vrms120Hz 注：表中所列之电压是指实际加在电容两端的有效电压。
因仪器的原因，电容两端实际的輸出电压与设定的量测电压实际上可能会有所偏差。
影响高容量测之因素有１．Meter 內部Impedance之大小因素.由于不同测试仪器之间的內部Impedance不相同，造成仪器将总电压分压而使到达测试物的实际电压变小。
→在实际的测试动作中，我们可以使用万用表等测试夹具两端的实际电压，以验证实际施于测试物的輸出电压。
如圖所示:→不同Impedance的测试仪器对比Voltage Received by Cap Meter ：1V*[100Ω/(100Ω+16Ω)]=0.86V Voltage Received by DUT (Capacitor) ：1V*[16Ω/(100Ω+16Ω)]=0.14VAvg Capacitance Reading ： 6-7μFVoltage Received by Cap Meter ：1V*[1.5Ω/(1.5Ω+16Ω)]=0.086VVoltage Received by DUT (Capacitor) ：1V*[16Ω/(1.5Ω+16Ω)]=0.914VAvg Capacitance Reading ： 9-10μF综合以上实验，可以得到有效电压与电容量的关系如下：→ 當AC Voltage 較小，则量测出之Capacitance 偏小→當AC Voltage 較大，则量测出之Capacitance 偏大下圖為量測電壓與量測容值的對照圖2. 电容大小因素电容量大小会影响电容之ImpedanceZ(Ω)=R+j(-1/ωc) where ω=2π f∵ 电容之R 很小 ∴Z(Ω) ≒ 1/ωc Ex ：10μF Z ≒ 1/(2 π *1k*(10*10-6)≒16 (Ω)22μF Z ≒ 1/(2 π *1k*(22*10-6)≒7.2 (Ω)22μF Z ≒ 1/(2 π *120*(22*10-6)≒60.3 (Ω)Z(Ω) ≒ 1/ωcEx ： 10μF Z ≒ 1/(2 π *1k*(10*10-6)≒16 (Ω)→因此待测电容两端之AC Voltage 要保持在1Vrms 则仪器之输出电流I(rms)=V(rms)/Z=1/16=62.5 mA所以若仪器之最大输出电流小于62.5 mA ，则待测电容两端之AC Voltage 会小于1Vrms ，所测得之容值就会变小。
mlcc容值范围
MLCC容值范围什么是MLCCMLCC（多层陶瓷电容器）是一种常见的电子元件，用于存储和释放电荷，以及在电路中提供稳定的电容。
它由多个陶瓷层和金属电极组成，通过堆叠这些层来增加电容值。
MLCC具有体积小、重量轻、频率特性良好等优点，因此在各种电子设备中广泛使用，包括手机、电视、电脑和汽车等。
MLCC的容值范围MLCC的容值是指它可以存储的电荷量或电容量。
容值通常用单位法拉（F）来表示，一法拉等于一库仑电荷。
MLCC的容值范围非常广泛，从纳法拉（nF）级别到微法拉（μF）级别。
纳法拉级别MLCC的容值从纳法拉级别开始，纳法拉（nF）等于千分之一微法拉（μF），即1nF=0.001μF。
纳法拉级别的MLCC通常用于低功率电路，如传感器和小型电子设备。
微法拉级别微法拉（μF）级别的MLCC容值比纳法拉级别大1000倍，即1μF=1000nF。
微法拉级别的MLCC通常用于高功率电路，如电源和电动机。
毫法拉级别毫法拉（mF）级别的MLCC容值比微法拉级别大1000倍，即1mF=1000μF。
毫法拉级别的MLCC通常用于大功率电路，如电动汽车和工业设备。
MLCC容值选择的考虑因素在选择MLCC容值时，需要考虑以下因素：电路需求首先，需要根据电路的具体需求确定所需的MLCC容值范围。
不同电路对电容的需求不同，例如低频电路需要较小的容值，而高频电路需要较大的容值。
电压要求其次，需要考虑电路的工作电压范围。
MLCC有不同的电压等级，例如10V、25V、50V等。
选择合适的电压等级可以确保MLCC在电路中的安全运行。
尺寸和重量限制MLCC的容值越大，通常尺寸和重量也会增加。
因此，在选择MLCC容值时，需要考虑电路板的尺寸和重量限制，以及整体系统的体积和重量要求。
成本考虑MLCC的成本随容值的增加而增加。
因此，在选择MLCC容值时，需要综合考虑成本因素，以确保在满足电路需求的前提下，尽量降低成本。
MLCC容值范围的应用案例以下是一些MLCC容值范围的应用案例：电源滤波器在电源电路中，MLCC可用于滤波器，以减少电源中的噪声和干扰。
mlcc 电容高度 -回复
mlcc 电容高度-回复MLCC电容高度评估和选择是电子设计中一个非常重要的环节，它直接影响到电路的稳定性和性能。
在本文中，我们将一步一步地回答关于MLCC 电容高度相关的问题，帮助读者更好地了解和掌握这个领域的知识。
第一步，我们先来了解电容高度对电路性能的影响。
电容器是电子电路中常见的元件之一，它有很多种类型，其中MLCC电容是应用最广泛的一种。
电容器的最主要的作用就是存储和释放电荷，这种能量储存的特性使得电容器在电子电路中有着重要的应用，如滤波、耦合、隔离等。
而电容的高度则与这些性能密切相关，不同的高度会对电容的电性能产生影响。
第二步，我们来了解如何评估MLCC电容的高度。
MLCC电容的高度是指电容器的封装高度，一般来说，这个高度是由电容器片内部的电极层的厚度决定的。
评估MLCC电容高度的方法主要有两种：一种是通过外观检查，这种方法相对简单，可以直接通过目视观察电容器的外观来判断高度是否满足要求；另一种是通过封装厂商提供的技术数据，包括厚度测量报告、封装图像等，来获得准确的高度数值。
第三步，我们来了解MLCC电容高度的选取原则。
在电子设计中，根据电路的需求，选择合适的电容高度非常重要。
一般来说，MLCC电容的高度越小，其电流特性和频率特性的响应速度就会越快，同时封装越小，频率特性响应越高。
但是，高度过小也会导致电容的电容量减小。
因此，在选择MLCC电容的高度时，需要综合考虑电路的需求和电容的性能，选择合适的高度。
第四步，我们来了解如何判断MLCC电容的高度是否合适。
如前所述，精确的高度数值可以通过封装厂商提供的技术数据来获得。
但是，在实际应用过程中，我们也可以通过一些简单的方法来判断电容的高度是否合适。
其中一种方法是通过对电容在电路中的性能响应进行测试，例如，可以通过测量电容在不同频率下的阻抗，来判断高度是否满足要求。
另外，还可以通过运行一段时间后观察电容的温度变化，来判断高度对电容发热的影响。
MLCC高损耗率的人为因素有哪些？怎样能避免和减少人为因素的损耗呢？
减少人为因素的损耗呢？
众所周知SMT厂的物料损耗中MLCC的比率是最高的，损耗率通常设定
在0.2-0.5%，实际可能会更高。可是造成损耗的主要人为因素，您是否都了
解过呢？怎样能避免和减少人为因素的损耗呢？
且看来自SMT工厂总结的以下因素：
1、安装物料时撕料带太长、压料太多造成物料遗失损耗；
8、所编辑的程序中包装参数设置不对，所用送料次数与包装PITCH不
符造成抛料；
9、所编辑的程序中贴装位置与站位设置错误造成错料；
10、生产过程中FEEDER、NOZZLE、物料原因抛料技术员未及时跟进抛
料、数据造成大量抛料；
11、未扣好Feeder盖,未检查Feeder便上料；
12、FEEDER随便叠放造成变形、FEEDERSTOPPER随便拆卸乱放；
2、FEEDER安装后TABLE上有杂物造装到FEEDER上造成卡盘、FEEDERTAPE浮高抛料；
4、未及时清除卷料带造成张力改变、不卷带、送料不良、FEEDER
TAPE浮高抛料；
5、放反板、跳错板、擦板等造成损耗；
6、看错料站位、P/N造成错料；
7、物料数量错误、多出PCBA、物料误作料盘丢失；
13、不良FEEDER未及时送维修重复使用造成抛料。
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测量高容量MLCC时不要忽略了这六个因素
作为一个技术支持工程师，每天遇到客户不同的技术问题，其中有些客户测量高容量MLCC时，往往未能获得规格书上列明的标称电容量，直觉是坏料或是买错货。
再三仔细查问他们的测量过程时，原来忽略了这些……
No.1
频率和电压
I类和II类MLCC电容的实际测量频率和电压各有不同。
如I类MLCC产品，以Kemet C0402C330J3GACTU 为例，它的测量频率为1MHz±10%，测量交流电压为1.0±0.2Vrms。
II类MLCC产品，如SamsungCL03A225MP3CRNC ，它的测量测量频率为1KHz±10%，测量交流电压为0.5 ±0.1Vrms。
表一I类和II类MLCC的测量频率和电压
No.2
工作温度
我们常常见到不同的MLCC有不同的TCC系数（电容温度系数/Temperature Coefficient of Capacitance）。
TCC是指在特定的温度内，温度每变化1℃时，电容的变化数值与该温度下的电容变化的比值。
图一 I类和II类MLCC的温度特性和随温度的电容变化
I类MLCC有较稳定的TCC表现，你会发现它的电容量随温度呈线性变化，但II类MLCC 的电容器是随温度呈不规则变化，这是由于钛酸钡（BaTiO 3）的介电材料的性质。
所以我们测量MLCC时必须在指定的工作温度下进行。
No.3
直流偏置
直流偏置是影响MLCC电容的重要电参数，特别是直流偏置会使II类MLCC电容随着直流电压增加而损耗。
II类MLCC基于具有铁电偶极子的BaTiO3，直流偏置会限制偶极运。