英飞凌推出最新EconoPACK
英飞凌:为能源价值链提供芯片方案,无锡工厂努力践行“碳中和”
人们对所做工作的理解。例如，现在无锡工厂的工程师 对器件的理解非常深，从技术层面来看，他们已经谈到 了芯片晶圆的结构、振动到底哪个方向会对工件更好等 非常细致的问题。正是得益于工程师对技术的进一步掌 握，才能使英飞凌的产品达到目前的水准。 ２．４ 无锡工厂的工业４．０蓝图
展望未来，英飞凌提出了无锡工业 4.0 蓝图，包括 四个方面：1）集成化、数字化敏捷生产和制造系统。 这里主要是基于 MES 系统对“人机料法环”的管控。2） 利用大数据分析对质量的自动异常检测、预测。3）生 产智能化和自动化。希望工程师的生活、所有办公人员 的生活也实现数字化，实现高效自我管理的数字化工作 和生活。4）物料方面，希望能实现优化集成的材料处理。
1）打造智能工厂 工业互联网和智能工厂是英飞凌物联网战略的重要 组成部分。英飞凌是“德国工业 4.0”执行和指导委员 会初创成员，也加入了工业互联网联盟（IIC）和德国“工 业 4.0”平台，在“工业 4.0”相关规则和标准的制定中 发挥着非常关键的作用。同时，英飞凌也在研制工业 4.0 所需的核心器件和领先的半导体解决方案。除了是倡导 者之外，英飞凌也是工业 4.0 的赋能者。英飞凌能够提 供值得信赖的安全解决方案、高级感测能力、跨应用控 制以及高效电源管理，这些对于实现工业 4.0 具有非常 重要的作用。 除了作为倡导者和赋能者，英飞凌更是工业 4.0 的 实践者，把覆盖生产、供应链和技术开发全流程数字化， 作为实现工业 4.0 的一个目标。 2）MES 2013 年起，英飞凌无锡通过自主研发的制造执行系 统（MES）实现了制造自动化和智能化，显著提升了运 营绩效。该系统能够对人员、机器、材料、流程和方法、 环境设施等五大关键生产要素进行智能控制，利用无纸 化、数据分析及智能决策系统实现了工厂自动化和智能 化，从而降低成本，提升速度和质量。例如，英飞凌无 锡将生产周期缩短了 50%；在没有额外投资新设备的 情况下，生产效率提升了 11%；实现了制造因素和产品 工艺参数 100% 可追溯；自动化程度达到了 80%；基于
IGBT并联
IGBT 并联设计参考更新于2011-11-14 05:35:38 文章出处:与非网IGBT并联、静态与动态电流、均衡措施摘要：本文主要分析如何实现并联IGBT静态和动态过程的均流，并提出了一些用于减少电流不平衡的相关并联方法，以便于客户并联设计。
重点突出一些易实现并联方案的IGBT模块新封装，又提出一些实现并联均流的均衡措施。
用相关的试验证实一些分析结论。
关键词：IGBT并联、静态与动态电流、均衡措施1 引言随着市场对兆瓦级大功率变流器的需求与日俱增，IGBT并联方案目前已成为一种趋势。
这主要源于IGBT并联能够提供更高电流密度、均匀热分布、灵活布局以及较高性价比（这取决于器件及类型）等优势。
图1所示为经常会采用的两种IGBT并联方式，即模块之间和臂之间。
通过将小功率IGBT模块（包括分立式IGBT）、大功率IGBT模块进行并联组合，可获得不同额定电流的等效模块，且实现并联的连接方式也很灵活、多样。
以高压变频器中广泛采用的H桥拓扑结构功率单元为例，其并联实现可以用不同电路结构的IGBT模块，如半桥“FF”、单个“FZ”、四单元“F4”和六单元“FS”。
这将使客户有很大自由度选择性价比高的并联解决方案。
另外，并联可降低模块热集中，使其获得更加均匀的温度梯度分布，较低的平均散热器温度，这有益于提高热循环周次。
因此，IGBT并联是大功率设计应用的最佳解决方案之一。
“FZ”→”FZ”“FS”→“FF”“FF” +”FF” →“FF”“FZ”+”FZ” →”FZ”图1 臂或模块并联然而，并联IGBT之间静态与动态性能的差异会影响均流，使得有效目标输出电流不得不被降额。
通常，降额系数是根据最差的并联情况进行假定，但这种假设在实际应用中并不合理，且被过高估计，这也会增加客户设计成本。
从统计角度方面，差异性很大的模块并联概率是很小的，且IGBT参数之间偏离可以忽略。
从均流角度方面，并联设计好坏对降额起关键性的作用，且远大于IGBT自身参数差异性所引起的问题。
富士和英飞凌IGBT模块型号互换对照表
2MBI200HH-120-50
FF200R12KS4
高速两单元IGBT模块;200A;1200V;软开通20~50KHz 62mm
2MBI300HH-120-50
FF300R12KS4
高速两单元IGBT模块;300A;1200V;软开通20~50KHz 62mm
IGBT功率集成模块(PIM);50A;1200V EconoPIM 3
7MBR75VB120-50
FP75R12KT4_B15
IGBT功率集成模块(PIM);75A;1200V EconoPIM 3
7MBR75VN120-50
FP75R12KT4
IGBT功率集成模块(PIM);75A;1200V EconoPIM 3
6MBI150VB-120
FS150R12KT4
六单元IGBT模块;150A;1200V EconoPACK 3
6MBI300V-120
FS300R12KE3/E4
六单元IGBT模块;300A;1200V EconoPACK +
6MBI450V-120
FS450R12KE3/E4
六单元IGBT模块;450A;1200V EconoPACK +
7MBR100VN120-50
FP100R12KT4
IGBT功率集成模块(PIM);100A;1200V EconoPIM 3
7MBR150VN120-50
FP150R12KT4
IGBT功率集成模块(PIM);150A;1200V EconoPIM 3
1单元模块
1MBI2400VC-120
FZ2400R12KE3
英飞凌 FS100R12N2T7_B15 EconoPACK 2 模块 数据表
EconoPACK ™2 模块 采用第七代沟槽栅/场终止IGBT7和第七代发射极控制二极管带有温度检测NTC 特性•电气特性-V CES = 1200 V-I C nom = 100 A / I CRM = 200 A -沟槽栅IGBT7-低 V CEsat-过载操作达175°C•机械特性-高功率循环和温度循环能力-集成NTC 温度传感器-铜基板-低热阻的三氧化二铝 Al 2O 3 衬底-焊接技术可选应用•辅助逆变器•电机传动•伺服驱动器产品认证•根据 IEC 60747、60749 和 60068 标准的相关测试，符合工业应用的要求。
描述FS100R12N2T7_B15EconoPACK ™2 模块内容描述 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .1特性 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .1可选应用 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .1产品认证 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .1内容 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .2 1封装 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .3 2IGBT, 逆变器 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .3 3二极管,逆变器 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .5 4负温度系数热敏电阻 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .6 5特征参数图表 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .7 6电路拓扑图 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .12 7封装尺寸 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .12 8模块标签代码 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .13修订历史 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .14免责声明 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .151封装表 1绝缘参数特征参数代号标注或测试条件数值单位绝缘测试电压V ISOL RMS, f = 50 Hz, t = 1 min 2.5kV 模块基板材料Cu内部绝缘基本绝缘 (class 1, IEC 61140)Al2O3爬电距离d Creep端子至散热器10.0mm 电气间隙d Clear端子至散热器7.5mm 相对电痕指数CTI>200相对温度指数 (电)RTI封装140°C 表 2特征值特征参数代号标注或测试条件数值单位最小值典型值最大值杂散电感,模块L sCE26nH 模块引线电阻,端子-芯片R CC'+EE'T C=25°C, 每个开关 2.7mΩ储存温度T stg-40125°C 模块安装的安装扭距M根据相应的应用手册进行安装M5, 螺丝36Nm 重量G180g 注:The current under continuous operation is limited to 50 A rms per connector pin.2IGBT, 逆变器表 3最大标定值特征参数代号标注或测试条件数值单位集电极－发射极电压V CES T vj = 25 °C1200V 连续集电极直流电流I CDC T vj max = 175 °C T C = 95 °C100A 集电极重复峰值电流I CRM t P = 1 ms200A 栅极－发射极峰值电压V GES±20V表 4特征值特征参数代号标注或测试条件数值单位最小值典型值最大值集电极－发射极饱和电压V CE sat I C = 100 A, V GE = 15 V T vj = 25 °C 1.50 1.80VT vj = 125 °C 1.64T vj = 175 °C 1.72栅极阈值电压V GEth I C = 2.5 mA, V CE = V GE, T vj = 25 °C 5.15 5.80 6.45V 栅极电荷Q G V GE = ±15 V, V CE = 600 V 1.8µC 内部栅极电阻R Gint T vj = 25 °C 1.5Ω输入电容C ies f = 100 kHz, T vj = 25 °C, V CE = 25 V, V GE = 0 V21.7nF 反向传输电容C res f = 100 kHz, T vj = 25 °C, V CE = 25 V, V GE = 0 V0.076nF 集电极-发射极截止电流I CES V CE = 1200 V, V GE = 0 V T vj = 25 °C0.01mA 栅极-发射极漏电流I GES V CE = 0 V, V GE = 20 V, T vj = 25 °C100nA开通延迟时间(感性负载)t don I C = 100 A, V CE = 600 V,V GE = ±15 V, R Gon = 3.9 ΩT vj = 25 °C0.175µs T vj = 125 °C0.192T vj = 175 °C0.205上升时间(感性负载)t r I C = 100 A, V CE = 600 V,V GE = ±15 V, R Gon = 3.9 ΩT vj = 25 °C0.046µs T vj = 125 °C0.051T vj = 175 °C0.053关断延迟时间(感性负载)t doff I C = 100 A, V CE = 600 V,V GE = ±15 V, R Goff = 3.9 ΩT vj = 25 °C0.309µs T vj = 125 °C0.389T vj = 175 °C0.442下降时间(感性负载)t f I C = 100 A, V CE = 600 V,V GE = ±15 V, R Goff = 3.9 ΩT vj = 25 °C0.104µs T vj = 125 °C0.198T vj = 175 °C0.248开通损耗能量 (每脉冲)E on I C = 100 A, V CE = 600 V,Lσ = 35 nH, V GE = ±15 V,R Gon = 3.9 Ω, di/dt =1650 A/µs (T vj = 175 °C)T vj = 25 °C10.5mJ T vj = 125 °C14.7T vj = 175 °C16.8关断损耗能量 (每脉冲）E off I C = 100 A, V CE = 600 V,Lσ = 35 nH, V GE = ±15 V,R Goff = 3.9 Ω, dv/dt =3030 V/µs (T vj = 175 °C)T vj = 25 °C 6.68mJ T vj = 125 °C10.8T vj = 175 °C12.8(待续)表 4(续) 特征值特征参数代号标注或测试条件数值单位最小值典型值最大值短路数据I SC V GE≤ 15 V, V CC = 800 V,V CEmax=V CES-L sCE*di/dt t P≤ 8 µs,T vj=150 °C370At P≤ 7 µs,T vj=175 °C350结－外壳热阻R thJC每个 IGBT0.371K/W 外壳－散热器热阻R thCH每个 IGBT, λgrease= 1 W/(m*K)0.135K/W 允许开关的温度范围T vj op-40175°C注:T vj op > 150°C is allowed for operation at overload conditions. For detailed specifications, please refer to AN 2018-14.3二极管,逆变器表 5最大标定值特征参数代号标注或测试条件数值单位反向重复峰值电压V RRM T vj = 25 °C1200V 连续正向直流电流I F100A 正向重复峰值电流I FRM t P = 1 ms200A I2t-值I2t t P = 10 ms, V R = 0 V T vj = 125 °C1260A²sT vj = 175 °C1060表 6特征值特征参数代号标注或测试条件数值单位最小值典型值最大值正向电压V F I F = 100 A, V GE = 0 V T vj = 25 °C 1.72 2.10VT vj = 125 °C 1.59T vj = 175 °C 1.52反向恢复峰值电流I RM V R = 600 V, I F = 100 A,V GE = -15 V, -di F/dt =1650 A/µs (T vj = 175 °C)T vj = 25 °C57.7A T vj = 125 °C77.4T vj = 175 °C88.3(待续)表 6(续) 特征值特征参数代号标注或测试条件数值单位最小值典型值最大值恢复电荷Q r V R = 600 V, I F = 100 A,V GE = -15 V, -di F/dt =1650 A/µs (T vj = 175 °C)T vj = 25 °C 6.9µC T vj = 125 °C15.4T vj = 175 °C19.4反向恢复损耗（每脉冲）E rec V R = 600 V, I F = 100 A,V GE = -15 V, -di F/dt =1650 A/µs (T vj = 175 °C)T vj = 25 °C 2.04mJ T vj = 125 °C 4.61T vj = 175 °C 6.66结－外壳热阻R thJC每个二极管0.592K/W 外壳－散热器热阻R thCH每个二极管, λgrease= 1 W/(m*K)0.148K/W 允许开关的温度范围T vj op-40175°C注:T vj op > 150°C is allowed for operation at overload conditions. For detailed specifications, please refer to AN 2018-14.4负温度系数热敏电阻表 7特征值特征参数代号标注或测试条件数值单位最小值典型值最大值额定电阻值R25T NTC = 25 °C5kΩR100偏差ΔR/R T NTC = 100 °C, R100 = 493 Ω-55%耗散功率P25T NTC = 25 °C20mW B-值B25/50R2 = R25 exp[B25/50(1/T2-1/(298,15 K))]3375K B-值B25/80R2 = R25 exp[B25/80(1/T2-1/(298,15 K))]3411K B-值B25/100R2 = R25 exp[B25/100(1/T2-1/(298,15 K))]3433K 注:根据应用手册标定4 负温度系数热敏电阻6电路拓扑图图 17封装尺寸图 28模块标签代码图 3修订历史修订历史修订版本发布日期变更说明1.002021-11-19Initial version商标所有参照产品或服务名称和商标均为其各自所有者的财产。
英飞凌的IGBT驱动芯片介绍
EiceDriver
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Isoaltion Definitions
Functional Insulation:
VDE 0884-10 Approved UL1577 Pending
Insulation between conductive parts which is necessary only for the proper functioning of the equipment. Basic Insulation: Insulation applied to live parts to provide basic protection against electric shock. Supplementary Insulation: Independent insulation applied in addition to basic insulation, in order to provide protection against shock in the event of a failure of basic insulation. Double Insulation: Insulation comprising both basic insulation and supplementary insulation. Reinforced Insulation: A single Insulation applied to live parts, which provides a degree of protection against electric shock equivalent to double insulation
基于 CLT 技术 1200V, +1A/-2A 半桥驱动器 SO-18-2 SMD 封装 (符合RoHS标准) VCC / VSH: 14V-18V 欠压锁定（UVLO）: 典型值 11V (欠压清除电 平典型值12V) PWM 输入： 高电平有效, 兼容3.3V/5V TTL逻 辑 输入互锁功能 关断(SD)输入 通用运算放大器和比较器 VGNDH: 最大可达 ±1200V! 传输延迟典型值85ns， 上下管传输延迟相差 ±25ns 符合并通过IEC61000-4-4标准等级4
NTC温度传感器测量IGBT模块温度
NTC温度传感器测量IGBT模块温度在IGBT模块变流器装置中，最关键的参数之一是IGBT芯片的温度。
直接测量的办法是将温度传感器安装在芯片上或者成为芯片的一部分。
如此做将会减少承载芯片电流能力的有效区域。
一个可行的替代方案用来确定芯片的温度，从测量基板的温度作为一个已知点开始，使用热模型计算IGBT温度。
在许多英飞凌的电力电子模块中，通常集成了热敏电阻，也称之为NTC，作为一个温度传感器以简化精确的温度测量的设计。
IGBT一些新封装结构的模块中，内部封装有温度传感器(NTC)。
如功率集成模块(PIM)；六单元(EconoPACK)FS系列；三相整流桥(Econobridge)；EasyPIM；EasyPACK；Easybridge；四单元H-桥(Econo-FourPACk)；增强型半桥(Econodual+)等模块内均封装有NTC温度传感器。
NTC是负温度系数热敏电阻，它可以有效地检测功率模块的稳态壳温(Tc)。
模块内封装的NTC参数完全相同。
NTC是安装在硅片的附近以实现紧密的热耦合，根据不同的模块，可将用于测量模块壳温的温度传感器与芯片直接封装在同一个陶瓷基板(DCB)上，也可以将NTC安装在一个单独的基板上，大大简化模块壳温的测量过程，如下图所示。
图1 NTC inside theEconoDUAL™3 mounted on a separate DCB close to theIGBT图3所示，NTC与IGB或二极管芯片位于同一陶瓷基板上，模块内使用隔离用硅胶填充，在正常运行条件下，它是满足隔离电压的要求。
EUPEC在IGBT模块最终测试中，对NTC进行2.5KV交流，1分钟100%的隔离能力测试。
但根据EN50178的要求，必须满足可能出现的任何故障期间保持安全隔离。
由于IBGT模块内NTC可能暴露在高压下(例如：短路期间或模块烧毁后)，用户还须从外部进行安全隔离。
如图4所示，当模块内部短路过流，或烧毁的过程中连线会熔化，并产生高能量的等离子区，而所有连线的等离子区的扩展方向都无法预期，如等离子区接触到NTC，NTC就会暴露在高压下，这就是用户需在外部进行安全隔离的必要性。
北京晶川电子公司简介.
IGBT芯片技术是技术门槛、资金门槛都十分高的高新 技术，英飞凌是少数几家掌握IGBT芯片核心技术的公司， 其IGBT芯片产量位居全球市场首位，一些电力半导体厂家 均从英飞凌购买IGBT芯片封装IGBT模块。英飞凌于2007年 投资10亿欧元，在马来西亚居林工厂率先推出8英寸IGBT 芯片生产线，英飞凌的超薄IGBT芯片加工技术，对其它厂 家也是一个巨大的技术挑战。
1999年，西门子半导体集团独立上市，英飞凌公司成 立，即英飞凌就是原西门子半导体。1996～2006年， EUPEC商标仍然存在，只是西门子/英飞凌100％控股子公 司，直到2007年EUPEC全面并入英飞凌，EUPEC商标IGBT模 块开始启用英飞凌商标，EUPEC电力半导体成为英飞凌的 一个产品部门，即大功率半导体事业部。英飞凌称之为 PL-33 HPS产品线，专业生产IGBT模块。 英飞凌IGBT模块（原EUPEC商标），是原EUPEC在大功 率模块封装方面的优势和西门子/英飞凌具有竞争力的 IGBT芯片核心技术有机结合的产品，其产品范围最广，可 提供从6A～3600A;电压从600V、1700V、3300V、6500V;各 种封装形式：Easy、H-桥、EconoPIM、EconoPACK+、大功 率IHM&IHV、PrimePACK等各种封装，全系列IGBT模块。对 各种封装形式，晶川电子几乎都常备大量现货，晶川电子 有超过1000个客户支持。
晶川电子从2002年以来一直是中国最大的IGBT模块供 应商，也是EUPEC IGBT模块全球最大的代理商，晶川电子 成功树立了EUPEC IGBT 模块在中国市场的主导地位。 晶川电子坚持以技术服务促进贸易发展取得了成功。 我们建有赛力康创（Scilicontron）电力电子应用技术实 验室，主要从事IGBT、功率MOSFET应用技术开发、技术服 务、IGBT失效分析、IGBT驱动电路开发和生产。 晶川电子现有员工50人，其中具有硕士学位以上的员 工10人，大学本科15人，大专13人，大专以下12人。晶川 电子自1996年成立以来，营业额呈指数规律上升(y=ax2)。 2007年营业额5.05亿元人民币。 晶川电子的网站 提供代理产品的快速下载、技术支持，及时更新。 晶川电子——借IGBT晶格动力促进中国电力电子 关注高效利用有限能源与新能源
英飞凌600VIGBT模块型号参数资料
FP20R06YE3 FP30R06KE3 FP30R06W1E3 FP30R06YE3 FP50R06KE3 FP50R06KE3G FP100R06KE3 ◆1200V IGBT ♦ 单管（1单元） 产品型号 FZ900R12KE4 FZ900R12KP4 FZ3600R12HP4 FZ2400R12HP4_B9 BSM200GA120DLC BSM200GA120DLCS BSM200GA120DN2 BSM200GA120DN2C BSM200GA120DN2S BSM300GA120DLC BSM300GA120DLCS BSM300GA120DN2 BSM300GA120DN2S
F4-50R06W1E3 F4-75R06W1E3 ♦ 三相桥（6单元） 产品型号 FS20R06W1E3 FS30R06W1E3 FS50R06W1E3 FS10R06VL4_B2 FS15R06VL4_B2 FS10R06XL4 FS15R06XL4 FS20R06XL4 FS30R06XL4 FS6R06VE3_B2 FS30R06XE3 FS50R06YE3 FS50R06KE3 FS75R06KE3 FS100R06KE3 FS150R06KE3 FS150R06KE3_B4 FS200R06KE3 FS50R06YL4
30A，600V@Tc=80℃，IGBT2 Low Loss，饱和压降1.95V 50A，600V@Tc=80℃，IGBT2 Low BSM50GD60DLC Loss，饱和压降1.95V 75A，600V@Tc=80℃，IGBT2 Low BSM75GD60DLC Loss，饱和压降1.95V 100A，600V@Tc=80℃，IGBT2 Low BSM100GD60DLC Loss，饱和压降1.95V 150A，600V@Tc=80℃，IGBT2 Low BSM150GD60DLC Loss，饱和压降1.95V 200A，600V@Tc=80℃，IGBT2 Low BSM200GD60DLC Loss，饱和压降1.95V BSM20GD60DLC_E32 20A，600V@Tc=80℃，IGBT2 Low 24 Loss，饱和压降1.95V BSM30GD60DLC_E32 30A，600V@Tc=80℃，IGBT2 Low 24 Loss，饱和压降1.95V BSM50GD60DLC_E32 50A，600V@Tc=80℃，IGBT2 Low 26 Loss，饱和压降1.95V 10A，600V@Tc=80℃，IGBT3，饱和压降 FS10R06VE3 1.55V 10A，600V@Tc=80℃，IGBT3，饱和压降 FS10R06VE3_B2 1.55V 15A，600V@Tc=80℃，IGBT3，饱和压降 FS15R06VE3 1.55V 15A，600V@Tc=80℃，IGBT3，饱和压降 FS15R06VE3_B2 1.55V FS20R06VE3(no 20A，600V@Tc=80℃，IGBT3，饱和压降 Datasheet) 1.55V 20A，600V@Tc=80℃，IGBT3，饱和压降 FS20R06VE3_B2 1.55V 30A，600V@Tc=80℃，IGBT3，饱和压降 FS30R06VE3 1.55V 15A，600V@Tc=80℃，IGBT3，饱和压降 FS15R06XE3 1.55V BSM30GD60DLC FS400R06A1E3 FS800R06A2E3 ♦ 整流桥＋三相桥（PIM） 产品型号 BSM10GP60 BSM15GP60 基本参数 10A,600V 15A,600V 400A,600V,三相桥,HEV专用 800A,600V,三相桥,HEV专用
英飞凌推出采用自动压接装配工艺的SmartPIM和SmartPACK功率模块
英飞凌推出采用自动压接装配工艺的SmartPIM和SmartPACK功率模块英飞凌推出采用自动压接装配工艺的SmartPIM和SmartPACK功率模块在2009年纽伦堡PCIM展会上，英飞凌科技股份公司（FSE：IFX/OTCQX：IFNNY）宣布推出全新的Smart系列IGBT（绝缘栅双极晶体管）模块。
Smart模块封装采用自动压接装配工艺，仅需一个螺钉通过单步安装流程可将模块安装到印刷电路板和散热器上。
通过提供高可靠性压接技术，英飞凌满足了功率高达55kW逆变器的设计要求。
Smart模块能够优化功率变换器的解决方案，应用于通用变频器、不间断电源（UPS）、感应加热和焊接设备、太阳能逆变器及空调系统中。
??安全、简单的自动压接装配?压接工艺结合自动装配技术的革命性创新简化了制造流程，使装配时间大幅缩短至几秒钟。
通过拧紧螺钉，压接针脚被压入PCB孔内，实现了冷焊接和气密性连接。
该模块通过机械方式被安装至散热器和PCB上。
由于采用创新的内核外框封装理念，确保IGBT芯片、二极管和陶瓷衬底等敏感性部分在安装过程中被安全可靠固定，几乎不可能造成DCB破裂，产品寿命更长。
??Smart系列?六单元IGBT模块SmartPACK1和集成整流和刹车部分的SmartPIM1是适用于逆变器功率从2.2kW至11kW的Smart家族中首批产品。
随后将陆续推出SmartPIM2、SmartPACK2、SmartPIM3和SmartPACK3等产品。
整个系列覆盖不同封装尺寸、电流高达200A的IGBT模块。
SmartPIM和SmartPACK最大适用于55kW功率的逆变器。
??供货情况?Smart模块样品于2009年第三季度开始提供，预计到2009年第四季度开始量产。
??英飞凌出席2009年欧洲PCIM展会?在2009年欧洲PCIM展会上（德国纽伦堡，5月12日至14日），英飞凌在12号展厅404号展台展示最新的Smart模块、MIPAQ?模块、碳化硅产品及其他创新产品。
英飞凌600V 1200VIGBT模块型号大全
IGBT³ IGBT³ IGBT³ IGBT³ IGBT³ IGBT² IGBT² Low Loss IGBT² Low Loss IGBT² Low Loss IGBT² Low Loss IGBT² Low Loss IGBT² Low Loss IGBT² Low Loss IGBT² Low Loss IGBT² Low Loss IGBT³ IGBT³ IGBT³ IGBT³ IGBT³ IGBT³ IGBT³ IGBT³
400.0 A 300.0 A 800.0 A 1,050.0 A 1,200.0 A 1,600.0 A 1,800.0 A 2,400.0 A 200.0 A 200.0 A 300.0 A
BSM300GA120DLCS BSM400GA120DLC BSM400GA120DLCS BSM600GA120DLC BSM600GA120DLCS FZ800R12KL4C FZ1200R12KL4C FZ1600R12KL4C FZ1800R12KL4C FZ2400R12KL4C FZ400R12KS4 FZ600R12KS4 FZ800R12KS4_B2 FZ300R12KE3G FZ300R12KE3B1G CSERIE FZ400R12KE3 FZ400R12KE3B1 FZ600R12KE3 FZ600R12KE3B1 FZ800R12KE3 FZ1200R12KE3 FZ1600R12KE3 FZ2400R12KE3 FZ2400R12KE3_B9 FZ3600R12KE3 B BSM200GA120DN2S BSM300GA120DN2 BSM300GA120DN2S BSM400GA120DN2C BSM400GA120DN2S
1.45 1.45 1.45 1.45 1.45 1.95 1.95 1.95 1.95 1.95 1.95 1.95 1.95 1.95 1.95 1.55 1.55 1.55 1.55 1.55 1.55 1.55
英飞凌F3L400R12PT4中英文说明书
VCES = 1200V IC nom = 400A / ICRM = 800A 典型应用 • 太阳能应用 • UPS系统 电气特性 • 提高工作结温Tvjop • 低开关损耗 • 低VCEsat • 沟槽栅IGBT4 • Tvjop=150°C • VCEsat带正温度系数 机械特性 • 绝缘的基板 • 紧凑型设计 • PressFIT压接技术 • 标封装 TypicalApplications • SolarApplications • UPSSystems ElectricalFeatures • ExtendedOperationTemperatureTvjop • LowSwitchingLosses • LowVCEsat • TrenchIGBT4 • Tvjop=150°C • VCEsatwithpositiveTemperatureCoefficient MechanicalFeatures • IsolatedBasePlate • Compactdesign • PressFITContactTechnology • StandardHousing
ModuleLabelCode
BarcodeCode128 ContentoftheCode
ModuleSerialNumber ModuleMaterialNumber ProductionOrderNumber Datecode(ProductionYear) Datecode(ProductionWformation
IGBT-模块 IGBT-modules
F3L400R12PT4_B26
初步数据 PreliminaryData
IGBT,T1/T4/IGBT,T1/T4
集电极－发射极电压 Collector-emittervoltage 连续集电极直流电流 ContinuousDCcollectorcurrent 集电极重复峰值电流 Repetitivepeakcollectorcurrent 总功率损耗 Totalpowerdissipation 栅极－发射极峰值电压 Gate-emitterpeakvoltage
英飞凌IGBT模块型号参数汇总表
FS20R06W1E3_B11 20A,600V,@Tc=80℃,IGBT3,饱和压降1.55V EasyPACK 1B FS20R06XL4 FS20R06VE3 FS20R06VE3(no Datasheet) FS20R06VE3_B2 20A,600V@Tc=80℃,IGBT2 Low Loss,饱和 压降1.95V EasyPACK 1B
BSM30GD60DLC_E3 30A,600V@Tc=80℃,IGBT2 Low Loss,饱和 224 压降1.95V FS50R06W1E3 50A,600V@Tc=90℃,IGBT3,饱和压降1.45V
EconoPACK 2B EasyPACK 1B
FS50R06W1E3_B11 50A,600V,@Tc=80℃,IGBT3,饱和压降1.55V EasyPACK 1B 50A,600V@Tc=80℃,IGBT2 Low Loss,饱和 压降1.95V BSM50GD60DLC_E3 50A,600V@Tc=80℃,IGBT2 Low Loss,饱和 226 压降1.95V BSM50GD60DLC FS50R06KE3 FS50R06YE3 FS50R06YL4 BSM75GD60DLC FS75R06KE3 BSM100GD60DLC FS100R06KE3 BSM150GD60DLC FS150R06KE3 FS150R06KE3_B4 BSM200GD60DLC FS200R06KE3 FS400R06A1E3 FS400R07A1E3 FS800R06A2E3 FS800R07A2E3 FS200R07N3E4R 50A,600V@Tc=80℃,IGBT3,饱和压降1.45V 50A,600V@Tc=80℃,IGBT3,饱和压降1.45V 50A,600V@Tc=80℃,IGBT2,饱和压降1.95V 75A,600V@Tc=80℃,IGBT2 Low Loss,饱和 压降1.95V 75A,600V@Tc=80℃,IGBT3,饱和压降1.45V EconoPACK 2B EconoPACK 2B EconoPACK 2B EconoPACK 2B EconoPACK 2B EconoPACK 2B EconoPACK 2B
汽车用IGBT模块应用手册(中文版)
IGBTÿÿ 汽车用IGBT电源模块应用笔记技术说明AN2010-09版本1.0电力动力总成版本1.0英飞凌科技股份公司印制地址：81726 Munich, Germany©英飞凌科技股份公司版权所有，2010年。
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信息垂询若需获得关于技术、交付条款和价格的更多信息，敬请联系距离您最近的英飞凌办事处（）警告由于技术要求，组件可能包含有害物质。
若需了解相关物质的类型，请联系距离您最近的英飞凌办事处。
如果可以合理地预计英飞凌的某个组件可能会导致生命支持设备或系统失效，或者影响该等设备或系统的安全性或有效性，那么在将该等组件用于生命支持设备或系统之前，必须获得英飞凌的明确书面同意。
生命支持设备或系统意指用于植入人体内部，或者支持和/或维持、维系和/或保护人类生命的设备或系统。
如果这些设备或系统失效，可以合理地假设其用户或其他人的健康将受到威胁。
英飞凌科技股份公司商标AURIX™、BlueMoon™、COMNEON™、C166™、CROSSAVE™、CanPAK™、CIPOS™、CoolMOS™、CoolSET™、CORECONTROL™、DAVE™、EasyPIM™、EconoBRIDGE™、EconoDUAL™、EconoPACK™、EconoPIM™、EiceDRIVER™、EUPEC™、FCOS™、HITFET™、HybridPACK™、ISOFACE™、I²RF™、IsoPACK™、MIPAQ™、ModSTACK™、my-d™、NovalithIC™、OmniTune™、OptiMOS™、ORIGA™、PROFET™、PRO-SIL™、PRIMARION™、PrimePACK™、RASIC™、ReverSave™、SatRIC™、SIEGET™、SINDRION™、SMARTi™、SmartLEWIS™、TEMPFET™、thinQ!™、TriCore™、TRENCHSTOP™、X-GOLD™、XMM™、X-PMU™、XPOSYS™。
英飞凌的IGBT驱动芯片介绍
功能 ED = IGBT/MOSFET驱动器 驱动器通道数 1 = 单管驱动器 2 = 半桥驱动器 6 = 三相全桥驱动器
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EiceDRIVERTM器件型号定义
EiceDRIVER™ 2 ED 020 I 12 – F I
绿色 / 增强版本 I = 有自锁功能 C = 无自锁功能
(To be Provided by 1ED020I12-S)
Page 24
1ED020I12-F Features
Undervoltage lockout
5V CMOS compatible LV I/Os
Fault feedback
Inverting/non-inverting IN
Enable/Shutdown function Negative drive Active Miller Clamp IGBT Desaturation detection Rail-to-rail +/-2A output
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EiceDRIVERTM器件型号定义
EiceDRIVER™ 6 ED 003 L 06 – F
绝缘等级 F = 功能性隔离 S = 安全隔离
电压等级 06 = 600V 12 = 1200V 17 = 1700V
驱动器类型 I = IC (无核变压器技术) L = IC (电平转换技术)
绝缘等级 F = 功能性隔离 S = 安全隔离
ST = 安全隔离/机车拖动应用
电压等级 06 = 600V 12 = 1200V 17 = 1700V
驱动器类型 C = PCB电路板 I = IC (无核变压器技术) L = IC (电平转换技术) 峰值输出电流 003 = 300mA 020 = 2A 功能 ED = IGBT/MOSFET驱动器
英飞凌IGBT 技术和产品概述及其应用领域
英飞凌IGBT 技术和产品概述及其应用领域IGBT芯片技术及其发展：功率半导体在整个电能供应链中扮演重要角色。
如何提高功率密度是功率器件发展的主题：芯片技术和功率密度：芯片技术的发展趋势——以600/650V 为例600V IGBT 新的里程碑——HighSpeed3：器件型号芯片技术Ic [A]@100°C 大小[mm2]SPW47N60C3 CoolmosTM C3 30 69.3 IKW30T60 TRENCHSTOPTM 30 15.2 IGW40N60H3 High Speed 3 40 19.3HighSpeed3 特性芯片面积只有CoolMOS的28%功率密度高芯片和模块成本低在高温在拖尾电流也很小关断特性接近于CoolMOS，Eoff是IGBT3的40%,是CoolMOS的120%平滑的开关波形，振荡很有限TRENCHSTOP™5 - 25°C Trade-off 曲线Vce(sat) 对Eoff：与英飞凌的Best-in-class Highspeed3 比, TRENCHSTOPTM5 : >60% 低的开关损耗10% 低的导通损耗TRENCHSTOP™5开关特性–接近MOSFET的开关特性，消除拖尾电流。
TRENCHSTOP™5 –应用目标，填补IGBT与MOSFET之间的中到高频开关应用650V TRENCHSTOP™5，产品家族。
F5：超高性能版本需要超低寄生电感设计开关频率：~120kHzH5：逆导型IGBT用于软开关，如准谐振感应加热R5：逆导型IGBT用于软开关，如准谐振感应加热L5：低饱和压降目标：Vcesat =1V @ Inom, 25°C600V/650V 芯片技术的发展：发展背景：•600V 主要应用220V 马达驱动,电源，以小功率为主。
•电动汽车，太阳能等新兴应用功率大，追求高效率，对芯片技术有新的要求IGBT2---IGBT3di/dt 降低25%.过电压减小25%更短的拖尾电流关断损耗在同一水平短路时间6us600V---650Vdi/dt 进一步降低关断损耗增加短路时间10us耐压增加50V电压余量增加180V芯片技术的发展趋势——IGBT4 回顾：芯片技术的发展趋势——IGBT4 回顾：IGBT4 P4 的软特性：2400A-模块的关断特性at Tvj=25°C , Ic= 0,5 Inom (Rg=0,3Ohm,没有有源嵌位) IGBT 3 E3 在测试条件下, 300V 直流电压下就开始振荡。
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英飞凌推出最新EconoPACK™ + D家族
在德国纽伦堡举办的PCIM Europe 2011展会(5月17日至19日)上，英飞凌科技展出了最新EconoPACK™ + D家族额定电流最高为450A的最新一代1200V和1700V系列功率半导体模块。
以业界享有盛誉的EconoPACK™+平台为蓝本，英飞凌开发了新的EconoPACK ™ + D 系列，以满足诸如可再生能源系统、商用电动车辆、电梯、工业驱动装置或电源等应用不断提高的要求。
得益于诸如超声波焊接功率端子、优化基板结构或可靠的创新PressFIT压接式管脚技术等不计其数的改进和创新，英飞凌新推出的这些模块，能够让客户设计出坚固高效、外形小巧的功率转换器。
更长使用寿命、更高功率密度，以及允许使用新一代芯片的坚固的模块封装这些正是开发新的功率模块所面临的主要挑战。
新的应用领域提出了苛刻的电气和机械要求，例如城市公交车和货车等商用车辆的电动或混合动力驱动装置。
这些车辆及所使用的器件，包括功率模块，必须承受很高的电应力和沉重的机械负荷(如撞击或震动)，以及运行过程中温度的频繁变化。
英飞凌科技副总裁兼工业电源部总经理Martin Hierholzer表示：英飞凌最新推出的EconoPACK™ + D，是一个引领潮流的功率模块家族。
这是因为，只有这种采用了适当的电和结构的连接技术的模块封装，才能让新一代芯片充分发挥其潜力。
以可再生能源系统和电动商用车辆为代表的新型应用，提出了越来越高的要求，因此，我们的创新封装概念专门针对系统集成实现了优化，为高效坚固、外形小巧的变频器设计铺平了道路。
这个额定电流为225A至450A、额定电压为1200V和1700V的模块家族，为开发高效的紧凑式变频器创造了条件。
EconoPACKTM + D的螺丝型电源端子可以实现极好的电气连接，PressFIT控制管脚则可实现变频器的无焊连。