电子管,晶体管,三极管,场效应管,MOS以及CMOS的区别和联系教学教材

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第4讲晶体三极管及场效应管.课件

C
ICBO IBE N
P
ICEO受温度影响很大，当温度上
升时，ICEO增加很快，所以IC也相应增加。三极
管的温度特性较
差。
IBE
N
根据放大关系，
ICBO进入N E
区，形成
由于IBE的存在，必有电流
IBE。
IBE。
4.集电极最大电流ICM
集电极电流IC上升会导致三极管的值的下降，当值下降到正常值的三分之二时的集电极电
栅-源电压对导电沟道宽度的控制作用
沟道最宽
UGS（off）
沟道变窄
沟道消失称为夹断
uGS可以控制导电沟道的宽度。为什么g-s必须加负电压？
动画演示
漏-源电压对漏极电流的影响
（UGS(off)< uGS <0且uDS >0的情况）
uGD>UGS（off）
uGD＝UGS（off）
预夹断
uGD<UGS（off）
放大状态：发射结正偏，集电结反偏。
IC IB 截止状态：发射结零偏或反偏，集电结反偏。
IB 0, IC ICEO 0
饱和状态：反射结正偏，集电结正偏。
UCE U BE , IC IB ,UCES 0.3V
3、使用晶体管时，不能超过其极限参数。在放大状态，一
般取
___
4、温度对晶体管的参数和特性有很大的影响。
晶体三极管
一、晶体管的结构和符号二、晶体管的放大原理三、晶体管的共射输入特性和输出特性四、温度对晶体管特性的影响五、主要参数
一、晶体管的结构和符号
双极型三极管（BJT）是半导体三极管的一种类型，它有空穴和电子两种载流子参与导电，故称双极型，又称半导体三极管，有两种类型:NPN型和PNP型。

三极管与场效应管的区别，晶体三极管与场效应管的检测区分

三极管与场效应管的区别，晶体三极管与场效应管的检测区分描述场效应管是在三极管的基础上而开发出来的。

三极管通过电流的大小控制输出，输入要消耗功率。

场效应管是通过输入电压控制输出，不消耗功率。

场效应管和三极管的区别是电压和电流控制，但这都是相对的。

电压控制的也需要电流，电流控制的也需要电压，只是相对要小而已。

就其性能而言，场效应管要明显优于普通三极管，不管是频率还是散热要求，只要电路设计合理，采用场效应管会明显提升整体性能。

简单讲一下场效应管和三极管的区别1、三极管是双极型管子，即管子工作时内部由空穴和自由电子两种载流子参与。

场效应管是单极型管子，即管子工作时要么只有空穴，要么只有自由电子参与导电，只有一种载流子；2、三极管属于电流控制器件，有输入电流才会有输出电流；场效应管属于电压控制器件，没有输入电流也会有输出电流；3、三极管输入阻抗小，场效应管输入阻抗大；4、有些场效应管源极和漏极可以互换，三极管集电极和发射极不可以互换；5、场效应管的频率特性不如三极管；6、场效应管的噪声系数小，适用于低噪声放大器的前置级；7、如果希望信号源电流小应该选用场效应管，反之则选用三极管更为合适。

场效应管是场效应晶体管（Field Effect Transistor，FET）的简称。

它属于电压控制型半导体器件，具有输入电阻高、噪声小、功耗低、没有二次击穿现象、安全工作区域宽、受温度和辐射影响小等优点，特别适用于高灵敏度和低噪声的电路，现已成为普通晶体管的强大竞争者。

普通晶体管（三极管）是一种电流控制元件，工作时，多数载流子和少数载流子都参与运行，所以被称为双极型晶体管；而场效应管（FET）是一种电压控制器件（改变其栅源电压就可以改变其漏极电流），工作时，只有一种载流子参与导电，因此它是单极型晶体管。

场效应管和三极管一样都能实现信号的控制和放大，但由于他们构造和工作原理截然不同，所以二者的差异很大。

在某些特殊应用方面，场效应管优于三极管，是三极管无法替代的，三极管与场效应管区别见下表。

三极管，晶闸管，晶体管，场效应管，可控硅，电子管

三极管，晶闸管，晶体管，场效应管，可控硅，电子管三极管又称“晶体三极管”或“晶体管”。

在半导体锗或硅的单晶上制备两个能相互影响的PN结，组成一个PNP（或NPN）结构。

中间的N区（或N区）叫基区，两边的区域叫发射区和集电区，这三部分各有一条电极引线，分别叫基极B、发射极E和集电极C，是能起放大、振荡或开关等作用的半导体电子器件。

可控硅，是可控硅整流元件的简称，是一种具有三个PN 结的四层结构的大功率半导体器件，亦称为晶闸管。

具有体积小、结构相对简单、功能强等特点，是比较常用的半导体器件之一。

该器件被广泛应用于各种电子设备和电子产品中，多用来作可控整流、逆变、变频、调压、无触点开关等。

家用电器中的调光灯、调速风扇、空调机、电视机、电冰箱、洗衣机、照相机、组合音响、声光电路、定时控制器、玩具装置、无线电遥控、摄像机及工业控制等都大量使用了可控硅器件。

电子管，是一种在气密性封闭容器（一般为玻璃管）中产生电流传导，利用电场对真空中的电子流的作用以获得信号放大或振荡的电子器件。

早期应用于电视机、收音机扩音机等电子产品中，近年来逐渐被晶体管和集成电路所取代，但目前在一些高保真音响器材中，仍然使用电子管作为音频功率放大器件。

晶体管严格意义上讲，泛指一切以半导体材料为基础的单一元件，包括各种半导体材料制成的二极管、三极管、场效应管、可控硅等，不过从国内的习惯上讲，晶体管有时多指晶体三极管，中国脱离电子管的时代不长，在1970S后至1980S早期，当时习惯以晶体管特指晶体三极管，语境的歧义就是那时留下的。

万用表测量晶体管：场效应管、可控硅、三极管外形很相似，一般都只能以型号来区分，如型号不清则可试试用万用表测量电极间电阻大小方法来区别。

一，三极管。

因为三极管的基极对其它两极都是一个PN结，当你用表循环测量到某个电极对其它两极都能呈现出低阻或高阻时，那么基本可以断定这是三极管。

而其它两种管子都不具有这样的特性。

二，场效应管。

npn晶体管与三极管 mos管

让我们来探讨一下npn晶体管和三极管以及mos管。

这三种器件都是电子元件中非常重要的一部分，它们在电子电路中起着至关重要的作用。

接下来，我们将从简单到复杂地逐步了解这些器件的原理、结构和应用。

1. npn晶体管npn晶体管是一种双极型晶体管，由n形材料和p形材料组成，中间夹着一层n形材料。

在工作时，当基极加正电压时，集电极和发射极之间会产生电流放大效应。

npn晶体管广泛应用于放大电路中，如放大器、振荡器和多级放大电路等。

它是电子设备中非常重要的一部分，对电子行业的发展有着重要的意义。

2. 三极管三极管是一种三端器件，由发射极、基极和集电极组成。

它是一种可以控制电流的器件，可以放大电流，也可以作为开关使用。

三极管可以用来控制电路的开关，实现逻辑门电路、计时电路等。

它在数字电子电路和模拟电子电路中都有着广泛的应用。

3. mos管MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）是一种半导体器件，由金属栅、氧化物和半导体层组成。

它具有高输入电阻、低输出电阻、高频特性好等优点，被广泛应用于集成电路、数字电路和模拟电路中。

由于其优良的性能特点，mos管在当今的电子行业中扮演着至关重要的角色。

在深入了解了npn晶体管、三极管和mos管的原理和应用之后，我们可以看到这些器件在电子电路中都发挥着非常重要的作用。

无论是放大电路、开关电路还是集成电路，这些器件都为电子设备的正常运行提供了有力的支持。

总结回顾：通过对npn晶体管、三极管和mos管的了解，我们可以清楚地看到这些器件在电子行业中的重要性。

它们不仅为电子设备的正常运行提供支持，更为电子行业的发展做出了积极的贡献。

作为工程师或者电子爱好者，对这些器件的深入了解和掌握，将有助于我们更好地设计和应用电子电路。

个人观点和理解：在我看来，npn晶体管、三极管和mos管是电子电路中非常重要的器件，它们的出现和应用使得电子设备有了更多的可能性，同时也推动了电子行业的发展。

对这些器件的深入理解和掌握，有助于我们更好地应用它们，设计出性能更优越的电子设备。

晶体管和三极管的区别

晶体管和三极管的区别
所谓晶体管是指用硅和锗材料做成的半导体元器件，研制人员在为这种器件命名时，想到它的电阻变换特性，于是取名为trans-resister(转换电阻)，后来缩写为transistor，中文译名就是晶体管。

严格意义上讲，晶体管泛指一切以半导体材料为基础的单一元件，包括各种半导体材料制成的二极管、三极管、场效应管、可控硅等。

因此，三极管是晶体管的一种。

在日常生活中，晶体管有时多指晶体三极管。

比如我们说的6晶体管超外差式中波收音机，实际是指6三极管超外差式中波收音机。

三极管顾名思义就是由三个极。

三极管有电子管和晶体管之分。

平常所说的三极管都是指晶体三极管，属于半导体器件。

还有一种三极管，叫做电子三极管，或者三极电子管，它是一种电子管，早已被淘汰，目前已经极少使用了，也很难在电子产品中见到它。

晶体三极管使用硅或者锗这类半导体材料制作，通过掺杂工艺产生P 型半导体和N型半导体，在P和N交接的区域形成具有单向导电性的PN结，并通过这些来制作更加简单的元件。

而电子三极管是真空器件，里面有灯丝，有阴极、阳极等等。

半导体元件诞生比电子管更晚，但半导体器件的诞生很快就取代了当时广泛应用的电子管，电子管因此消声觅迹，只在少数特别场合使用。

相比之下，晶体三极管成本更低，体积更小，寿命更长，更加抗机械冲击，效率也高，因此得
到了广泛的应用。

cmos和晶体管的区别？

CMOS（互补金属氧化物半导体）和晶体管是两种不同的半导体技术，它们在结构、工作原理和应用方面有一些区别。

下面是它们的主要区别：1. **结构**：- CMOS：CMOS是一种集成电路的制造技术，其中包含了复杂的电路结构，如逻辑门、存储单元等。

CMOS技术使用p型和n型金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）构成电路。

- 晶体管：晶体管是一种电子组件，作为电子开关或放大器使用。

晶体管通常由晶体硅材料制成，包括几个层级的掺杂材料和金属接触。

2. **工作原理**：- CMOS：CMOS技术利用p型和n型晶体管的互补工作特性，当输入信号为高电平（逻辑"1"）时，p型MOSFET导通，n型MOSFET截止，当输入信号为低电平（逻辑"0"）时，p型MOSFET截止，n型MOSFET导通。

这种工作原理使得CMOS电路可静态地消耗少量功率。

- 晶体管：晶体管通过控制基极/栅极电流来控制电流的流动。

晶体管有不同的类型，如单极型（BJT）和场效应型（FET），其工作原理略有不同。

3. **功耗和性能**：- CMOS：CMOS电路在不进行操作时耗电较低，因为只有在切换状态时才会有较大的电流通过。

它还具有较高的噪声抗干扰能力和较低的功耗。

CMOS技术被广泛应用于数字电路、微处理器、存储器等高性能和低功耗的应用。

- 晶体管：晶体管的功耗和性能取决于其类型和用途。

晶体管通常用于放大电子信号或作为开关，其功耗和性能取决于其工作点和使用条件。

总的来说，CMOS是一种集成电路制造技术，利用p型和n 型金属氧化物半导体场效应晶体管实现电路功能。

而晶体管是一种电子组件，用于放大信号或作为开关。

它们在结构、工作原理、功耗和应用方面有一些区别，根据不同的需求和应用场景，可以选择适合的技术和器件。

三极管、MOS管的区别

三极管跟MOS管的差别三极管和场效应管的比较可以归纳以下几点：一、在三极管中，空穴和自由电子都参与导电,称为双极型器件，用BJT表示;而场效应管只有多子导电，称为单极型器件，用FET表示.由于多子浓度不受外界温度、光照、辐射的影响，在环境变化剧烈的条件下，选用FET比较合适。

这也就是我们通常所说的场效应管比较稳定的原因。

二、在放大状态工作时，三极管发射结正偏,有基极电流，为电流控制器件，相应的输入电阻较小，约103Ω；FET在放大状态工作时无栅极电流，为电压控制器件，输入电阻很大，JFET的输入电阻大于107Ω，MOS管的输入电阻大于1 09Ω。

三、场效应管的源极和漏极在结构上对称，可以互换使用(但应注意，有时厂家已将MOS管的源极与衬底在管内已经短接，使用时就不能互换)。

对耗尽型MOS 管的VGS可正、可负、可为零，使用时比较灵活.三极管的集电极和发射极一般不能互换使用。

四、在低电压小电流状态下工作时，FET可作为压控可变线性电阻器和导通电阻很小的无触点电子开关。

五、MOS管工艺简单，功耗小，适合于大规模集成。

三极管的增益高，非线性失真小，性能稳定。

在分立元件电路和中、小规模集成电路中，三极管仍占优势。

六、三极管的转移特性(ic-vbe的关系)按指数规律变化，场效应管的转移特性按平方规律变化，因此场效应管的非线性失真比三极管的非线性失真大。

七、场效应管的三种基本组态电路(共源、共漏和共栅)可以对照三极管的共发、共集和共基电路，由于场效应管的栅极无电流,所以输入电阻近乎∞。

跨导gm 比三极管的小一个数量级，gm我们可以用转移特性求导得到。

八、记住四种mos管的特性曲线的方法：:只需记住n沟道的emos管的曲线，它的Vgs是大于0的,且曲线呈递增趋势。

而p沟道的emos的Vgs是小于0的,且呈现递减趋势。

dmos的Vgs既有大于0的部分，又有小于0的部分，按照n沟道递增，p沟道递减的曲线特征就可以将dmos的特性曲线记住了。

分辨晶体管,晶闸管,场效应管

分辨晶体管,晶闸管,场效应管晶体管（Transistor）是一种用来控制电流流动的电子元件，常用于放大和开关电路。

它通常由三个层次的半导体材料构成：一个发射区（Emitter）、一个基区（Base）和一个集电区（Collector）。

晶体管根据结构和工作方式的不同，可以分为双极型晶体管（Bipolar Junction Transistor，BJT）和场效应晶体管（Field-Effect Transistor，FET）。

晶闸管（Thyristor）是一种用于控制电流的半导体开关，它通常用于高电压、高电流和高功率应用。

晶闸管的主要特点是一旦扳动（触发），它将保持导通状态，直到电流降为零或者外部加以关断。

晶闸管的结构和工作原理类似于二极管，但它具有一个附加的控制极（Gate）。

场效应管（Field Effect Transistor，FET）也是一种用于控制电流流动的电子元件，它是一种三极管，由栅极（Gate）、漏极（Drain）和源极（Source）组成。

与双极型晶体管相比，场效应管的主要特点是它的控制电流通过栅极电压来实现，而不是通过基极电流控制，因此具有较高的输入电阻和低的开关功耗。

在总结上述三种器件的特点时，可以指出：•晶体管（BJT）是用来放大和开关电路的元件，具有两个PN结。

它主要通过控制基电流来调节集电电流。

•晶闸管是一种用于高功率应用的开关装置，它是一种触发器件，一旦触发，将保持导通状态，直到电流降为零或关断。

•场效应管（FET）是一种具有高输入电阻和低功耗的控制电流的元件，通过栅极电压控制漏极-源极电流。

这些器件在电子电路中有着广泛的应用，具体的选择取决于电路设计和所需的特定功能。

npn晶体管与三极管 mos管

npn晶体管与三极管 mos管NPN晶体管和三极管MOS管都是常见的电子器件，用于电流和功率的控制。

虽然它们的工作原理和应用有些不同，但它们都是用于放大和开关电路的重要组成部分。

1.NPN晶体管：NPN晶体管是一种双极性（双极）晶体管，由N型半导体材料（多数载流子为电子）和P型半导体材料（多数载流子为空穴）组成的三层结构。

它有三个电极，分别是基极（Base）、发射极（Emitter）和集电极（Collector）。

工作原理：当在基极-发射极间施加正向电压时，会形成一个电流流动的电路路径，称为正向活性模式。

在此模式下，少数载流子（空穴）从发射极注入基区，然后通过集电极流向输出电路。

NPN晶体管是一种电流控制器件，其中输入电流较小，相比输出电流要大得多。

因此，它常用于放大信号、开关电路和电压调节等应用中。

2.三极管MOS管：三极管MOS管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）是一种场效应管，由金属栅极（Gate）、氧化物绝缘层（Oxide）和半导体材料（Semiconductor）组成。

根据半导体材料类型（N型或P型），它可以分为NMOS和PMOS。

工作原理：在MOS管中，通过改变栅极与源极间的电压，可以控制通道中的电流流动。

栅极电压调整了电场，从而控制了通道的导电性。

当栅极电压高于阈值电压时，MOS管处于导通状态；当栅极电压低于阈值电压时，MOS管处于截止状态。

MOS管具有输入电阻高、功耗低、开关速度快等特点，因此广泛用于数字电路、模拟电路和功率电子应用中。

总结：NPN晶体管和三极管MOS管都是用于电流和功率控制的重要器件。

NPN晶体管使用电流控制模式，适用于放大信号和开关电路。

而三极管MOS管则是一种电压控制器件，适用于数字电路、模拟电路和功率应用。

其具体选择需要根据电路设计和应用需求来决定。

电子管和晶体管区别

相信现在每个家庭都少了几件电子设备，在这些电子设备中也少不了一些必要的零件，其中电子管就是众多零件中的一种，而随着时代以及科技的进步电子管也在不断的发展中，也是受到了众多消费者青睐。

而电子管和晶体管这些都是我们生活中经常用到的元件，而且它们的外观极为相似，功能也比较的相近。

那么电子管和晶体管究竟有什么区别呢？赶紧跟着小编一起来了解一下。

一、什么是电子管？所谓的电子管其实就是一种信号的放大器，一般会被用在密封的玻璃管内，它可以利用电场对真空中的控制栅对电子调制器发出信号，它能够使音响等器材保持一定的音质，从而扩大音频的功率。

而电子管的种类其实也有着很多种，不同种类的电子管它的功能也是不一样的，但是电子管的体积大，功耗一般都会比较的高，因此在正常情况下它的寿命会比较的短，现在已经被新的产品逐渐的代替了，不过在大功率的无线设备中仍然有着非常重要的作用。

二、什么是晶体管？晶体管其实就是一种固体半导体器件，晶体管作为一种可以变化电流的开关，可以基于输入电压的控制输出电流。

集栓波、整流、放大、开关、稳压以及信号调制等多种功能于一身，而它与普通的机械开关有所不同的是晶体管是利用电讯中与来控制自身的开启工作，开关速度也是非常的快。

三、电子管和晶体管的区别有哪些？1、电子管放大器的工作条件是高电压以及低电流，它的电压值一般会很高可以达到500伏，而电流值相对来说却很低。

而晶体管放大器的工作条件是同时存在的低电压以及大电流，它的功效电压不能超过一定的数值，而电流数值可以达到数十安。

而晶体管的电路结构是直藕式的设计，没有变压器电路的输出设计。

因此它们的工作特点和电路结构是有一定区别的。

2、电子管功效的声音音质要比昌体管功效的声音音质要优越的多，一般晶体管所发出的声音听起来会感觉非常生硬，尤其是低频时没有柔和的感觉，高频以及中频却会感到非常的刺耳，电子管功效的声音音质听起来则会柔和许多，也非常的动听，所使得的电子管功效所播放的声音不管是高频还是低频的声音都会比较动听，也十分清晰。

电路与电子学学习课件半导体二极管三极管和场效应管学习课件教学课件

令
kT / q UT
则
I IS(eU /UT 1)
PN结的击穿特性
(1)雪崩击穿
材料掺杂浓度较低的PN结中，当PN结反向电压增加时，空间电荷区中的电场随着增强，这样通过空间电荷区的电子和空穴就会在电场作用下获得能量增大，在晶体中运行的中子和空穴将不断的与中性原子发生碰撞,通过这样的碰撞可使束缚在共价键中的价电子碰撞出来，产生自由电子-空穴对，新产生的载流子在电场作用下再去碰撞其他中性原子，又产生的自由电子空穴对，如此连锁反应使得阻挡层中的载流子的数量急剧
C UCE
EC
征
且IC= IB
RB
E
UBE
IE
对于PNP型三极管应满足: EB
VC < VB < VE 且IC= IB
（二）饱和状态
条（1）发射结正向偏置；件（2）集电结正向偏置。
共发射极接法放大电路
即UCE < UBE
RC
IC
特（1） IB增加时，IC基本不变， IB B 征且IC UC / RC
素,如硼,则形成P 型
半导体。
+4
+4
+4
+4
硼负原离子
+43
+4
填补空位
空穴
+4
+4
P 型半导体结构示意图
空穴是多数载流子
负离子
电子是少数载流子
在P型半导中, 空穴是多数载流子,电子是少数载流子。
4.1.3 PN 结的形成
用专门的制造工艺在同一块半导体单晶上,形成 P型半导体区域和 N型半导体区域,在这两个区域的交界处就形成了一个PN 结。
（2）集电结反向偏置。对于PNP型三极管应满足:

第1章二极管、三极管和MOS管

死区电压
-50 -25
O 0.4 击穿电压
-20
0.8 U/V
U(BR) 反向
-40 I/μA
硅管的伏安特性
注 I/mA 意:
15
死区电压：硅管约为： 0.5V,1锗0 管约为：0.1V。
-50 导管-通约25 时为5 :的0.死电正6V区压向～压0.降8V：,锗硅管约为:0.2VO ～00.2.3V0。.4 U/V
IZ
(2)工作在反向击穿区
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第1章 UZ
稳压管的主要参数:
I/mA
稳定电压UZ
稳定电流IZ
0
U/V
IZ
动态电阻rZ
rz = △UZ / △IZ
电压温度系数α UZ 一般情况:高于6V的α UZ 为负,低于6V的α UZ为正。
最大允许耗散功率PZ M
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第1章
稳压管构成的稳压电路
建立简化小信号模型的条件：
1）三极管工作在放大状态; 2) 输入信号非常小（一般μA数量级）
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第1章
三极管微变等效模型的建立步骤：
输入回路微变等效电路
b c ic +
iB
Uce≥1V
+ ib ube
-
e uce
-
IB
Q
△IB
ui rbe =
பைடு நூலகம்
be b
= △ △UIBBE
0
△UBE
b
uBE
1.本征半导体
完全纯净的具有晶体结构的半导体称为本征半导体。它具有共价键结构。
价电子
硅原子
锗和硅的原子结构单晶硅中的共价键结构

三极管及MOS管的讲解.

特性曲线将向右略微移动一图些02.05 共放射极接法输入特性曲线
。但UCE再增加时，曲线右移
2、输出特性曲线
输出特性曲线—— IC＝f〔UCE〕 I B＝常数
共放射极接法的输出特性曲线如图02.06所示，它是以IB为参变量的一族特性曲线。输出特性曲线可以分为三个区域。现以其中任何一条加以说明，当UCE =0 V时，因集电极无收集作用， IC=0。当UCE微微增大时，放射结虽处于正向电压之下，但集电结反偏电压〔UCB =UCE— UBE〕很小，收集电子的力量很弱，IC主要由 UCE打算，此区域称为饱和区。当UCE增加到使集电结反偏电压较大时，运动到集电结的电子根本上都可以被集电区收集，此后UCE再增加，电流也没有明显的增加，特性曲线进入与UCE轴根本平行的区域 (这与输入特性曲线随UCE增大而右移的缘由是全都的) ，此区域称为放大区。
图02.06 共放射极接法输出特性曲线
〔1〕截止区——IC接近零的区域，相当IB=0的曲线的下方。此时，放射结反偏，集电结反偏。
〔2〕放大区——IC平行于UCE轴的区域，曲线根本平行等距。此时，放射结正偏，集电结反偏。
实际上，大约在UCE>1V和IB>0的区域是输出特性曲线族上的放大区。此区为放大电路中晶体管应处的工作区域。
1、晶体管中载流子的移动双极型半导体三极管在工作时肯定要加上适当的
直流偏置电压。假设在放大工作状态：放射结加正向电压，集电结加反向电压。现以 NPN型三极管的放大状态为例，来说明三极管内部的电流关系，见图02.02。
图02.02 双极型三极管的电流传输关系
1〕放射区向基区放射电子放射结加正偏时，从放射区将有大量的电子向基区集中，
放大区与饱和区的分界限集电结零偏〔UCE =UBE〕时对应曲线。

第1章二极管、三极管和MOS管

输入电路
NPN 管：
UBE>0 UBC<0 即 VC>VB>VE 上页
B
PNP 管：
C
E
IE
UBE<0 UBC>0
公共端
即VC<VB<VE 下页返回
共发射极放大电路
第 1章
三极管的电流控制原理
电子
电子
电子
IC
电子流向电源正极形成IC 集电区收集电子电子在基区的扩散与复合发射区向基区扩散电子
IL IZ DZ
＋
＋ RL UO
Ui
UZ
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第 1章
1.2 晶体三极管
1.2.1 基本结构和电流放大作用
1.2.2 特性曲线和主要参数 1.2.3 简化的小信号模型
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第 1章
1.2.1 基本结构和电流放大作用
C 集电极
B C T E
C
集电极集电结
N 集电区
集电结
P 集电区
空穴多子少子负离子上页下页返回用专门的制造工艺在同一块半导体单晶上形成p型半导体区域和n型半导体区域在这两个区域的交界处就形成一个pn结p区的空穴向n区扩散并与电子复合n区的电子向p区扩散并与空穴复合空间电荷区内电场方向结的形成结的形成结的形成结的形成上页下页返回空间电荷区内电场方向在一定条件下多子扩散和少子漂移达到动态平衡
锗管的伏安特性
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第 1章
3. 二极管的主要参数
最大整流电流IFM 最高反向电压URM
-50
I/mA 60
正向
40