常见存储器芯片资料(简版)

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FLASH芯片种类与区别

F L A S H芯片种类与区别 Hessen was revised in January 2021Flash芯片的种类与区别一、IIC EEPROMIICEEPROM，采用的是IIC通信协议。

IIC通信协议具有的特点：简单的两条总线线路，一条串行数据线(SDA)，一条串行时钟线(SCL)；串行半双工通信模式的8位双向数据传输，位速率标准模式下可达100Kbit/s；一种电可擦除可编程只读存储器，掉电后数据不丢失，由于芯片能够支持单字节擦写，且支持擦除的次数非常之多，一个地址位可重复擦写的理论值为100万次，常用芯片型号有 AT24C02、FM24C02、CAT24C02等，其常见的封装多为DIP8，SOP8，TSSOP8等；?二、SPI NorFlashSPINorFlash，采用的是SPI 通信协议。

有4线(时钟，两个数据线，片选线)或者3线(时钟，两个数据线)通信接口，由于它有两个数据线能实现全双工通信，因此比IIC通信协议的 IIC EEPROM的读写速度上要快很多。

SPI NorFlash具有NOR技术Flash Memory的特点，即程序和数据可存放在同一芯片上，拥有独立的数据总线和地址总线，能快速随机读取，允许系统直接从Flash中读取代码执行；可以单字节或单字编程，但不能单字节擦除，必须以Sector为单位或对整片执行擦除操作，在对存储器进行重新编程之前需要对Sector或整片进行预编程和擦除操作。

NorFlash在擦写次数上远远达不到IIC EEPROM，并且由于NOR技术Flash Memory的擦除和编程速度较慢，块尺寸又较大，因此擦除和编程操作所花费的时间会很长；但SPI NorFlash接口简单，使用的引脚少，易于连接，操作方便，并且可以在芯片上直接运行代码，其稳定性出色，传输速率高，在小容量时具有很高的性价比，这使其很适合应于嵌入式系统中作为 FLASH ROM，所以在市场的占用率非常高。

存储器种类大全与简介

1.2 揮發性記憶體
3、快速頁面模式動態隨機存取記憶體（簡稱FPM DRAM）
Fast Page Mode DRAM
改良版的DRAM，大多数为72Pin或30Pin的模块。传统的DRAM在存取一个BIT的数据时，必须送出行地址和列地址各一次才能读写数据。而 FRM DRAM在触发了行地址后，如果CPU需要的地址在同一行内，则可以连续输出列地址而不必再输出行地址了。由于一般的程序和数据在内存中排列的地址是连续的，这种情况下输出行地址后连续输出列地址就可以得到所需要的数据。FPM将记忆体内部隔成许多页数Pages，从 512B到数KB不等，在读取一连续区域内的数据时，就可以通过快速页切换模式来直接读取各page内的资料，从而大大提高读取速度。在96 年以前，在486时代和PENTIUM时代的初期，FPM DRAM被大量使用。
1.2 揮發性記憶體
5、雙倍數同步動態隨機存取記憶體
（Double Data Rate RAM，簡稱為DDR-SDRAM）
作为SDRAM的换代产品，它具有两大特点：其一，速度比SDRAM 有一倍的提高；其二，采用了DLL（Delay Locked Loop：延时锁定回路）提供一个数据滤波信号。这是目前内存市场上的主流模式。
1.3 Rambus DRAM
6、Rambus DRAM，簡稱為RDRAM
高频动态随机存取存储器
Rambus公司独立设计完成的一种内存模式，速度一般可以达到
500~530MB/s，是DRAM的10倍以上。但使用该内存后内存控制器需要作相当大的改变，因此它们一般应用于专业的图形加速适配卡或者电视
游戏机的视频内存中。
Synchronous Graphics RAM
SDRAM的改良版，它以区块Block，即每32bit为基本存取单位，个

内存芯片分类

简称：Cache标准：CacheMemory中文：高速缓存高速缓存是随机存取内存(RAM)的一种，其存取速度要比一般RAM来得快。

当中央处理器(CPU)处理数据时，它会先到高速缓存中寻找，如果数据因先前已经读取而暂存其中，就不需从内存中读取数据。

由于CPU的运行速度通常比主存储器快，CPU若要连续存取内存的话，必须等待数个机器周期造成浪费。

所以提供“高速缓存”的目的是适应CPU的读取速度。

如Intel的Pentium处理器分别在片上集成了容量不同的指令高速缓存和数据高速缓存，通称为L1高速缓存(Memory)。

L2高速缓存则通常是一颗独立的静态随机存取内存(SRAM)芯片。

简称：DDR标准：DoubleDateRate中文：双倍数据传输率DDR系统时脉为100或133MHz，但是数据传输速率为系统时脉的两倍，即200或266MHz，系统使用3.3或3.5V的电压。

因为DDRSDRAM的速度增加，因此它的传输效能比同步动态随机存取内存(SDRAM)好。

DDRistheacronymforDoubleDataRateSynchronousDRAM(SDRAM).DDRSDRAM memorytechnologyisanevolutionarytechnologyderivedfrommatureSDRAM technology.ThesecrettoDDRmemory'shighperformanceisitsabilityto performtwodataoperationsinoneclockcycle-providingtwicethethroughput ofSDRAM标准：DualinLineMemoryModule中文：双直列内存条DIMM是一个采用多块随机存储器(RAM)芯片(Chip)焊接在一片PCB板上模块，它实际上是一种封装技术。

在PCB板的一边缘上，每面有64叫指状铜接触条，两面共有168条。

计算机存储器介绍

图表和图形 1
技术参数
1、容量作为计算机系统的数据存储器，容量是硬盘最主要的参数。硬盘的容量以兆字节（MB）或千兆字节（GB）为单位，1GB=1024MB，1TB=1024GB。但硬盘厂商在标称硬盘容量时通常取1G=1000MB，因此我们在BIOS中或在格式化硬盘时看到的容量会比厂家的标称值要小。 2、转速转速是硬盘内电机主轴的旋转速度，也就是硬盘盘片在一分钟内所能完成转数的最大值。转速的快慢是标示硬盘档次的重要参数之一，它是决定硬盘内部传输率的关键因素之一，在很大程度上直接影响到硬盘的速度。硬盘的转速越快，硬盘寻找文件的速度也就越快，相对的硬盘的传输速度也就得到了提高。硬盘转速以每分钟多少转来表示，单位表示为RPM，是转/每分钟。RPM值越大，内部传输率就越快，访问时间就越短，硬盘的整体性能也就越好。硬盘的主轴马达带动盘片高速旋转，产生浮力使磁头飘浮在盘片上方。要将所要存取资料的扇区带到磁头下方，转速越快，则等待时间也就越短。因此转速在很大程度上决定了硬盘的读取速度。家用的普通硬盘的转速一般有5400rpm、7200rpm几种；而对于笔记本用户则是4200rpm、5400rpm 为主，；服务器用户对硬盘性能要求最高，服务器中使用的SCSI硬盘转速基本都采用10000rpm，甚至还有15000rpm的，性能要超出家用产品很多。较高的转速可缩短硬盘的平均寻道时间和实际读写时间，但随着硬盘转速的不断提高也带来了温度升高、电机主轴磨损加大、工作噪音增大等负面影果，很多人都为自己电脑硬盘安装上了硬盘散热风扇，但是一些低档的风扇，它的震动相当明显，可以把震动传递到硬盘上，长期以后，定会对硬盘寿命产生影响。二、光驱：目前主流的光驱读盘速度已经达到了50倍速以上，当光盘在光驱总高速旋转时，光驱本身发出的震动会带动机箱的共振，从而影响到硬盘的工作。而且这种高速转动发热量也是很多的，光驱离硬盘又是如此近，从光驱中释放的热量定会使得硬盘的温度上升。三、灰尘：灰尘对硬盘的损害是显而易见的，在沉积在硬盘的电路板的灰尘会严重影响电路板上芯片的热量散发，使得电路板上的元器件温度上升，进而导致芯片过热而烧毁。另外灰尘如果吸收了水分，是很容易造成电路短路的。四、静电:在对电脑进行维修过程中，很多人都是用手拿硬盘，但是在干燥的天气中，人的手上可能会积累上万伏的静电，手上的静电可能会击穿电路板上的芯片，导致硬盘出现故障。五、低级格式化:如果电脑硬盘出现了坏道，很多网友都采取低级格式化的措施，其实低格对硬盘的损坏的很大的，它可能会造成磁盘坏道的扩散，甚至会导致硬盘参数丢失，造成硬盘无法使用。六、电源：一个低质量的电脑，会使硬盘受到电压波动的干扰，特别是硬盘在进行读写操作时，如果电源出现问题，可以在一瞬间让一块硬盘报废。七、磁场:因为硬盘是一种依靠磁介质来记录数据的设备，如果受到外界环境的磁场干扰，很可能导致磁盘数据的丢失，所以应该尽量远离磁场环境。

芯片资料PPT

其他领域应用展望
物联网领域
物联网设备需要大量芯片支持，如传感器芯片、RFID芯片等。
汽车电子领域
汽车智能化、电动化趋势加速，对芯片需求不断增长，如自动驾驶芯片、车载娱乐系统芯片等。
医疗器械领域
医疗器械对芯片精度和稳定性要求极高，如心脏起搏器芯片、医
疗影像设备芯片等。
05
芯片产业链及竞争格局分析
产业链上游：原材料与设备供应商
原材料
主要包括硅片、光刻胶、化学气体、靶材等，这些原材料的质量直接影响到芯片的质量和性能。
设备供应商
芯片制造需要高精度的设备，如光刻机、刻蚀机、离子注入机等，这些设备的供应商在产业链上游占据重要地位。
产业链中游：芯片设计与制造企业
芯片设计
芯片设计是芯片产业链的核心环节，需要专业的芯片设计人才和先进的EDA工具。
行业标准制定
行业组织和企业积极参与芯片标准制定，推动产业规范化发展。
知识产权保护
加强知识产权保护力度，保障创新者的合法权益，促进技术创新和产业发展。
THANKS
感谢观看
混合信号芯片
同时包含模拟和数字电路的芯片，用于处理复杂的信号和控制任务。
芯片主要技术参数解析
封装形式
指芯片封装后的外观和尺寸，如DIP、QFP、BGA等。
工作电压与电流
芯片正常工作所需的电压和电流范围。
工艺制程
描述芯片制造过程中所使用的技术，如纳米级别表示晶体管尺寸大小。
引脚数
芯片上的引脚数量，决定了芯片与外部电路的连接能力。
完善的质量检测体系
建立全面的质量检测体系，对பைடு நூலகம்个生产环节进行严格把关，确保产品符合质量要求。

24、25、93系列存储器介绍

93系列Microwire总线型Microwire总线采用时钟(CLK)、数据输入(DI)、数据输出(DO)三根线进行数据传输，接口简单。

Microchip公司的93XXX系列串行E2 PROM存储容量从1k bit(×8/×16)至16k bit(×8/×16)，采用Microwi re总线结构。

产品采用先进的CMOS技术，是理想的低功耗非易失性存储器器件。

1引脚93XX系列串行E2PROM的产品很多，附图是93AA46型1k 1.8V Microwire总线串行E2PROM的引脚图。

CS是片选输入，高电平有效。

CS端低电平，93AA46为休眠状态。

但若在一个编程周期启动后，CS由高变低，93AA46将在该编程周期完成后立即进入休眠状态。

在连续指令与连续指令之间，CS必须有不小于250ns（TCSL)的低电平保持时间，使之复位(RESET)，芯片在CS为低电平期间，保持复位状态。

CLK是同步时钟输入，数据读写与CLK上升沿同步。

对于自动定时写周期不需要CLK信号。

DI是串行数据输入，接受来自单片机的命令、地址和数据。

DO是串行数据输出，在DO端需加上拉电阻。

ORG是数据结构选择输入，当ORG为高电平时选×16结构，ORG为低电平时选×8结构。

2工作模式根据单片机的不同命令，93AA46有7种不同的工作模式，附表给出在ORG=1(×16结构)时的命令集(表中“S”为Start位)。

ORG=0(×8结构)，除在地址前加A6位或在地址后加一位“X”外，其余与附表相同。

除了读数据或编程操作期间检查READY/BUSY状态时外，DO脚均为高阻状。

在擦除/写入过程中，DO为高电平表示“忙”，低电平表示“准备好”。

在CS下降沿到来时，DO进入高阻态。

若在写入和擦除转换期间，CS保持高电平，则DO端的状态信号无效。

3功能START(起始)条件CS和DI均为高电平后CLK的第一个上升沿，确定为START。

am29LV160B芯片简介(共48张)

3.4 复位(fùwèi)
系统复位后,器件回到读数据模式下,复位可以用硬件和软件两种方法实现,软件实现方法如前面表格中所示,在后面指令中还要介绍,硬件实现通过/RESET引脚实现.
当把器件的/RESET引脚置于低电平时,器件会立即终止所有的操作,所有的数据输出成为高阻态,而且忽略此期间内所有的读写操作请求.与备用模式类似的, 当/RESET引脚置于VSS±0.3V时,器件电流被拉至 CMOS备用电流,而当/RESET引脚置于VIL时,也将被拉至备用电流,但是要比上述情况下大.
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3.5 扇区保护 /解除保护 (bǎohù)
(bǎohù)
出厂时,所有扇区都是未加保护的.保护的建立和解除可以用两种方法实现.基本方法就是将/RESET引脚置于VID,这可以在系统或用编程器件实现. 具体的操作方法见操作流程图3-1.图3-2显示的是其时序图.
另外一种方法必须用编程器件实现,需要将A9和/OE两引脚均置于VID.
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3.3 自动睡眠模式 (shuìmián)
自动睡眠模式最小化了Flash器件的功耗,当地址稳定时间超过tACC+30ns (tACC为器件的典型访问时间,概述中已经介绍过)时,器件自动进入该模式,在该模式下,输出数据被锁存在外总线上,可以被系统使用.
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从自由选择模式下退出或者当器件处于 DQ5=‘1’的状态下时,必须使用复位命令使器件返回读数据状态.
图4-3为其时序图.
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图4-3
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4.3 自动选择命令序列 (mìng lìng)
该命令序列是使器件进入自动选择工作模式的软件方法.该序列应该跟在解锁(解除扇区保护)操作之后.进入自动选择模式后,系统就可以依据不同地址获取想要的信息了.自动选择模式在前面已经介绍过.

笔记本常用芯片(IC)

笔记本常用芯片(IC)千兆网卡芯片：88E8001、RTL8101L\笔记本电脑温度传感器芯片：ADM1032、DS1620、LM26笔记本电脑指纹传感器: AES2501笔记本电脑液晶显示器高压驱动芯片：BA9741F、BD9766FV、BD9882F、BD9883FV、MAX1522/MAX1523/MAX1524 、OZ960、L1451、TL5001、笔记本电脑开机控制芯片：BD4175KV、BD4176KVT、IPC47N253、PC87551、TB62506、笔记本电脑I／O芯片：FDC37N97、IT8716FCX、IT8705F 、IT8712F 、IT8712G 、IT8702 、W83627HF 、W8671F笔记本电脑CPU散热风扇转速控制芯片：G781、笔记本电脑主板时钟芯片：ICS950810、ICS954302、ICS954310、ICS954309、SLG84420、3 J" L& |6 l( O/ O2 Z7 l笔记本电脑系统供电控制芯片：LTC1628 、LTC3728L 、MAx1632、MAx1901、MAX1977、MAx8734、SC1403、SC1404、SC2450、SI786LG、笔记本电脑内存供电控制芯片：ISL6224 、ISL6225 、ISL6227、ISL6537、G2996、MAx1540、MAxl541、MAx1623、MAX1644、MAx1809、MAx1844、MAX1992/MAX1993、MAX1858、MAX8505、MAX8632、MAx8743、MAx8794、SC470、SC1485、SC1486/SC1486A 、TPS51117、TPS51124、TPS54610、TPS54672笔记本电脑CPU供电控制芯片：ADP3181 、ADP3203 、ADP3421 、APW7057、IPM6220A 、ISL6217、ISL6223、ISL6262、LTC3716、LTC3735、LTC1709 、MAX1830/MAX1831 、MAx1907、MAx1987、MAx8760、MAx8770、SC1474、SC1476、SC451、SC452、笔记本电脑充电控制芯片：AAT3680 、BQ24700 、BQ24701 、BQ24702/BQ24703 、DS2770 、LT1505、LTC4008 、MAX1645B 、MAX1736 、MAX745、MAX1873 、MAx8724、MAx8725、MAx8765、MB3887、MB39A126PFV、TL594低压差稳压器：AAT3200、AME8824、AMS1505、AP15912、G9338、LPL1084、MAX8863、MIC5205 、SCl565、SC4215、SI9183、低压差稳压器：LP2951、笔记本主板声卡芯片: ALC200 、ALC201A 、ALC262、ALC655 、ALC658、ALC660、ALC86l、ALC880、ALC883、ALC202、AD1986、CS4205、CS20468、CS20549、Esl92l、PT2353、笔记本主板音频功率放大芯片: AN12943、APA2020/TPA0202、G1420、LM4835、LM4838、LM4882、LM4861 、LM4863、LM4880/LM4881 、LM4911 、MAX9710、MAx9750、MAx9751、MAX9755、MAx9789、MAx9790、TPA0142、TPA0142、TPA0312、TPA6017、主板内存供电芯片：AP1250、APW7060 、CM8501/CM8501A 、CM8562 、ISL6520 、NCP5201 、RT9202、RT9214、APW7120、RT9203 、RT9173、RT9218、SC2595、SC2614、SC411、SC2616、AP1250主板内存供电芯片AP15912大电流低压差稳压器APW7057笔记本电脑芯片组供电控制芯片NBA9741F笔记本电脑液晶显示器高压驱动芯片KBD4175KV笔记本电脑开机控制芯片BD9766FV笔记本电脑液晶显示器高压驱动芯片BD9882F笔记本电脑液晶显示器高压驱动芯片HBD9883FV笔记本电脑液晶显示器高压驱动芯片CS4205笔记本电脑声卡芯片QCS20468笔记本电脑声卡芯片CS20549笔记本电脑声卡芯片ICS952606主板时钟芯片Esl92l笔记本电脑声卡芯片FAN5019主板CPU供电控制芯片FAN5090主板CPU供电控制芯片FDC37N972笔记本电脑I／O芯片1 _)G1420笔记本电脑音频功放芯片G2996笔记本电脑内存供电控制芯片G781笔记本电脑CPU散热风扇转速控制芯片G9338低压差线性稳压控制器ICS950810笔记本电脑主板时钟芯片ICS954302笔记本电脑主板时钟芯片ICS954309笔记本电脑主板时钟芯片ICS954310笔记本电脑主板时钟芯片ISL6227笔记本电脑内存供电控制芯片)ISL6262笔记本电脑CPU供电控制芯片ISL6559主板CPU供电控制芯片ISL6566主板CPU供电控制芯片IT8716FCX主板I／O芯片ZLPL1084低压差稳压器L6711主板CPU供电控制芯片L6917主板CPU供电控制芯片LM13700M双运算放大器LM26笔记本电脑温度传感器LM324四电压比较器LM4835／LM4838笔记本电脑音频功放芯片LM4882笔记本电脑音频功放芯片LP2951 100mA低压差稳压器IPC47N253笔记本电脑开机芯片LTC3716笔记本电脑CPU供电控制芯片LTC3735笔记本电脑cPu供电控制电路MAMAxl541笔记本电脑内存／芯片组供电控制芯片MAx1558双路可编程电流LJSB开关MAx1623笔记本电脑内存供电电路MAx1626／MAxl627主板供电控制芯片MAx1632笔记本电脑系统供电控制芯片MAx1809笔记本电脑内存供电电路MAx1844笔记本电脑芯片组／显卡供电控制芯片MAx1901笔记本电脑系统供电控制芯片MAx1907笔记本电脑cPu供电控制芯片MAx1987笔记本电脑cPu供电控制芯片MAX3243 3～5V多通道RS-232线性驱动／接收器MAX4490满摆幅输入／输出运算放大器MAX8505笔记本电脑芯片组控制芯片MAX8632笔记本电脑内存供电控制芯片MAx8724笔记本电脑充电控制芯片MAx8725笔记本电脑充电控制芯片MAx8734笔记本电脑系统供电控制芯片MAx8743笔记本电脑显卡／芯片组供电控制芯片MAx8760笔记本电脑cPu供电控制芯片MAx8765笔记本电脑电池充电控制芯片MAx8770笔记本电脑CPU供电控制芯片MAx8794笔记本电脑DDR内存供电控制芯片MAX8863低压差稳压芯片MAX9710笔记本电脑音频功放芯片MAx9750／MAx9751／MAX9755笔记本电脑音频功放芯片MAx9790笔记本电脑音频功放芯片MB3887笔记本电脑充电控制电路。

存储器分类及功能大全

RAM/ROM存储器ROM和RAM指的都是半导体存储器，RAM是Random Access Memory的缩写，ROM是Read Only Memory的缩写。

ROM在系统停止供电的时候仍然可以保持数据，而RAM通常都是在掉电之后就丢失数据，典型的RAM就是计算机的内存。

一、 RAM有两大类：1、静态RAM（Static RAM，SRAM），静态的随机存取存储器，加电情况下，不需要刷新，数据不会丢失；而且，一般不是行列地址复用的。

SRAM速度非常快，是目前读写最快的存储设备了，但是它也非常昂贵，所以只在要求很苛刻的地方使用，譬如CPU的一级缓冲，二级缓冲。

但是SRAM也有它的缺点，即它的集成度较低，相同容量的DRAM内存可以设计为较小的体积，而SRAM却需要很大的体积，所以在主板上SRAM存储器要占用一部分面积。

优点：速度快，不必配合内存刷新电路，可提高整体的工作效率。

缺点：集成度低，功耗较大，相同的容量体积较大，而且价格较高，少量用于关键性系统以提高效率。

2、动态RAM（Dynamic RAM，DRAM），动态随机存取存储器，需要不断的刷新，才能保存数据。

而且是行列地址复用的，许多都有页模式。

DRAM利用MOS管的栅电容上的电荷来存储信息，一旦掉电信息会全部的丢失，由于栅极会漏电，所以每隔一定的时间就需要一个刷新机构给这些栅电容补充电荷，并且每读出一次数据之后也需要补充电荷，这个就叫动态刷新，所以称其为动态随机存储器。

由于它只使用一个MOS管来存信息，所以集成度可以很高，容量能够做的很大。

DRAM保留数据的时间很短，速度也比SRAM慢，不过它还是比任何的ROM都要快；DRAM存储单元的结构非常简单，所以从价格上来说它比SRAM要便宜很多，计算机内存就是DRAM的。

DRAM分为很多种，常见的主要有FPRAM/ FastPage、EDORAM、SDRAM、DDRRAM、RDRAM、SGRAM以及WRAM等 I.SDRAM，即Synchronous DRAM（同步动态随机存储器），曾经是PC电脑上最为广泛应用的一种内存类型，即便在今天SDRAM仍旧还在市场占有一席之地。

MEMORY存储芯片HT66F018中文规格书

Rev. 1.502016-07-01概述该单片机是8位高性能精简指令集的Flash 型单片机，具有一系列功能和特性，其Flash 存储器可多次编程的特性给用户提供了极大的方便。

存储器方面，还包含了一个RAM 数据存储器和一个可用于存储序列号、校准数据等非易失性数据的EEPROM 存储器。

在模拟特性方面，该单片机包含一个多通道12位A/D 转换器和比较器功能。

还带有多个使用灵活的定时器模块，可提供定时功能、脉冲产生功能及PWM 产生等功能。

内部看门狗定时器、低电压复位和低电压检测等内部保护特性，外加优秀的抗干扰和ESD 保护性能，确保单片机在恶劣的电磁干扰环境下可靠地运行。

该单片机提供了丰富的HXT 、LXT 、HIRC 和LIRC 振荡器功能选项，且内建完整的系统振荡器，无需外接元件。

其在不同工作模式之间动态切换的能力，为用户提供了一个优化单片机操作和减少功耗的手段。

外加时基功能、I/O 使用灵活等其它特性，使这款单片机可以广泛应用于各种产品中，例如电子测量仪器、环境监控、手持式测量工具、家庭应用、电子控制工具、马达控制等方面。

方框图Rev. 1.50HT66F018内置EEPROM 增强A/D 型单片机2016-07-01引脚图VSS&AVSS PC0/OSC1PC1/OSC2PC2PA0/TP0/ICPDA/OCDSDAPA1PA2/ICPCK/OCDSCKPA3/CXVDD&AVDD PB0/INT0/AN0/XT1PB1/INT1/AN1/XT2PB2/TCK0/AN2PA4/TCK1/AN3PA5/AN4/VREF PA6/TCK2/AN5PA7/TP1/AN6HT66F01816 NSOP-A16151413121110912345678HT66F01820 SOP-A/SSOP-AVSS&AVSS PC0/OSC1PC1/OSC2PC2PA0/TP0/ICPDA/OCDSDAPA1PA2/ICPCK/OCDSCKPA3/CX PB6/C+PB5/C-VDD&AVDD PB0/INT0/AN0/XT1PB1/INT1/AN1/XT2PB2/TCK0/AN2PA4/TCK1/AN3PA5/AN4/VREF PA6/TCK2/AN5PA7/TP1/AN6PB3/TP2/AN7PB4/CLO2019181716151413121112345678910注：1.若共用引脚同时有多种输出，“/”号右侧的引脚名具有更高的优先级。

存储器入门介绍和选型(ROM SRAM DRAM Nor Nand Flash EEPROM MRAM FRAM)

易失性存储器 - DRAM
2 DRAM特点
由于每个存储位仅用一个晶体管和小电容，因此集成度比较高。就单个芯片的存储容量而言，DRAM可以远远超过 SRAM；就相同容量的芯片而言，DRAM的价格也大大低于 SRAM。这两个优点使DRAM 成为计算机内存的主要角色。 DRAM的行列地址分时复用控制和需要刷新控制，使得它比 SRAM的接口要复杂一些。另外，DRAM的存取速度一般比 SRAM要慢。
MRAM(Magnetic Random Access Memory)是一种非易失性的磁性随机存储器。它拥有静态随机存储器(SRAM) 的高速读取写入能力；以及动态随机存储器(DRAM)的高集成度，而且基本上可以无限次地重复写入。
非易失性存储器 – EEPROM
3 EEPROM选型
存储容量： 1Kb-1Mb
接口： IIC；SPI；Microwire

速率： IIC:400KHz,1MHz SPI:10MHz,20MHz Microwire:1MHz,2MHz
EEPROM
电压范围：常用(FM)1.7-5.5V;1.7-3.6V Min:1.6,1.7,1.8,2.5,2.7,3V Max:2.5,3.6,5.5,6V
1.速度较慢 2.需要刷新来保持数据 3.需要MCU带外部存储控制器
4.容量大，16Mb-4Gb 5.集成度高，单位容量价格低
6.运行功耗低
非易失性存储器 - ROM
非易失性存储器主要是用来存放固定数据、固件程序等一般不需要经常改动的数据。
早先ROM OTP EPROM EEPROM Flash
速率：800/667/533/400(Mhz) 容量：建议512M-2G
速率：2133/1866/1600/1333(Mhz) 容量：建议1G-4G

存储芯片有哪些

存储芯片有哪些存储芯片是一种用于存储、读取和传递数据的电子元件。

根据不同的工作原理和功能特点，存储芯片可以分为多种类型。

以下是一些常见的存储芯片：1. 静态随机存取存储器（SRAM）：SRAM是一种易失性存储芯片，它由触发器电路组成，可以在较短的时间内存储和读取数据。

SRAM的读取速度快、功耗低，常用于高速缓存和寄存器等需要快速存储和访问数据的场合。

2. 动态随机存取存储器（DRAM）：DRAM是一种易失性存储芯片，它由电容和晶体管构成，需要周期性地刷新数据。

DRAM的存储密度高、成本低，常用于个人电脑、服务器和移动设备等需要大容量存储的应用。

3. 闪存存储器：闪存存储器是一种非易失性存储芯片，它由晶体管和电容构成，可以在断电情况下保持数据。

闪存存储器被广泛应用于手机、相机、固态硬盘和USB闪存驱动器等设备，用于长期存储和传输数据。

4. 只读存储器（ROM）：ROM是一种非易失性存储芯片，它的数据内容在制造过程中被写入，无法被擦除或改变。

ROM被广泛应用于计算机的固件、游戏卡带和嵌入式系统等场合。

5. 电子脑管存储器（EEPROM）：EEPROM是一种非易失性存储芯片，它可以通过电子擦除和编程来存储和修改数据。

EEPROM具有较高的写入和擦除寿命，常用于维护不易改变的数据，如BIOS设置和优盘内。

6. 锁存器和触发器：锁存器和触发器是一种可用于存储和传递数据的存储芯片。

它们由多个逻辑门构成，可以在较短的时间内实现数据的稳定存储和传递。

7. 线路延迟存储器（CDRAM）：CDRAM是一种用于存储和处理数据的存储芯片，它具有高带宽和较低的延迟。

CDRAM 常用于高性能计算机和网络交换机等需要快速存储和传递大量数据的场合。

8. 相变存储器（PCM）：PCM是一种新型的非易失性存储芯片，它利用物理性质的相变来存储和读取数据。

PCM具有快速的读写速度和较高的存储密度，被认为是下一代存储技术的候选。

以上仅列举了一部分常见的存储芯片类型，随着科技的不断进步和发展，新的存储芯片类型也在不断涌现。

各类存储器介绍

ROM是只读内存（Read-Only Memory）的简称，是一种只能读出事先所存数据的固态半导体存储器。

其特性是一旦储存资料就无法再将之改变或删除。

通常用在不需经常变更资料的电子或电脑系统中，资料并且不会因为电源关闭而消失。

简介英文简称ROM。

ROM所存数据，一般是装入整机前事先写好的，整机工作过程中只能读出，而不像随机存储器RAM那样能快速地、方便地加以改写。

ROM所存数据稳定，断电后所存数据也不会改变；其结构较简单，读出较方便，因而常用于存储各种固定程序和数据。

除少数品种的只读存储器（如字符发生器）可以通用之外，不同用户所需只读存储器的内容不同。

为便于使用和大批量生产，进一步发展了可编程只读存储器（PROM）、可擦可编程序只读存储器（EPROM）和电可擦可编程只读存储器（EEPROM）。

例如早期的个人电脑如Apple II或IBM PC XT/AT的开机程序（操作系统）或是其他各种微电脑系统中的韧体（Firmware）。

EPROM需用紫外光长时间照射才能擦除，使用很不方便。

20世纪 80 年代制出的 EEPROM ，克服了EPROM的不足，但集成度不高，价格较贵。

于是又开发出一种新型的存储单元结构同 EPROM 相似的快闪存储器Nor/NAND Flash。

其集成度高、功耗低、体积小，又能在线快速擦除，因而获得飞速发展，并有可能取代现行的硬盘和软盘而成为主要的大容量存储媒体。

大部分只读存储器用金属-氧化物-半导体（MOS）场效应管制成。

ROM 种类1.ROM只读内存（Read-Only Memory）是一种只能读取资料的内存。

在制造过程中，将资料以一特制光罩（mask）烧录于线路中，其资料内容在写入后就不能更改，所以有时又称为“光罩式只读内存”（mask ROM）。

此内存的制造成本较低，常用于电脑中的开机启动。

2.PROM可编程程序只读内存（Programmable ROM，PROM）之内部有行列式的镕丝，是需要利用电流将其烧断，写入所需的资料，但仅能写录一次。

eMMC存储器简介1

NAND Flash 的编程操作(写)
Nand flash的写操作叫做编程(Program)，一般以页为单位的。写操作只能在空页面或者已经被擦除的页面进行(全0xFF) 擦除的步骤(以块为单位)
1、发送擦除设置命令 0x60 2、发送要擦除的块地址 3、发送开始擦除命令 0xD0
Nand 和 Nor 物理上的区别
1、NAND的闪存单元比NOR要小
因为NOR的每个单元都需要独立的金属触点。 NAND的与硬盘驱动器类似，基于扇区(页Page),也存在坏的扇区，需要ECC纠错
2、因为单元小，所以NAND的写(编程)和擦除的速率快；而 NOR的优点是具有随机存取和对字节执行写操作的能力， NAND的则比较慢。
NAND 存储单元硬件原理
Nand Flash 的核心部件是 Floating Gate FET(浮置栅场效应管) NAND Flash 的擦写均是基于隧道效应：电子从源极穿过浮置栅极与硅基层之间的绝缘层，对浮置栅极充电(写数据 ‘0’)或放电(擦数据 ‘1’)，Nand Flash 擦除以block为单位，写数据以page为单位。清除Flash的数据是写1，这与硬盘正好相反。 Nor Flash 则反过来，电流从浮置栅极到源极，称为热电子注入
Nand Flash中的特殊硬件结构
以三星的芯片为例: 1、配置寄存器(NFCONF) 2、命令寄存器(NFCMD) 3、地址寄存器(NFADDR) 4、数据寄存器(NFDATA) 5、状态寄存器(NFSTAT) 6、ECC校验寄存器(NFECC) 0x4E000000 0x4E000004 0x4E000008 0x4E00000C 0x4E000010 0x4E000014

RAM、ROM和FLASH三大类常见存储器简介

RAM、ROM和FLASH三大类常见存储器简介
最近因为在找实习工作,做了一些大公司的硬件笔试题,发现很多公司都有
对存储器的考察,从来没有系统的整理过存储器的种类，是时候来一波整理了
以下主要讲了：RAM、ROM和FLASH三大类。
RAM包括：SRAM、DRAM、SDRAM、DDRSDRAM、DDR2SDRAM
和DDR3SDRAM
ROM包括：PROM、EPROM和EEPROM
FLASH包括：NORFLASH和NANDFLASH
RAM
速度最快，掉电丢失数据，容量小，价格贵
RAM英文名randomaccessmemory，随机存储器，之所以叫随机存储器
是因为：当对RAM进行数据读取或写入的时候，花费的时间和这段信息所
EEPROM：升级版，可以多次编程更改，使用电擦除
FLASH
掉电不丢失数据，容量大，价格便宜
FLASH：存储器又称闪存，它结合了ROM和RAM的长处，不仅具备电
子可擦ห้องสมุดไป่ตู้可编程（EEPROM）的性能，还不会断电丢失数据同时可以快速读
取数据。分为NANDFLASH和NORFLASH，NORFLASH读取速度比
ROM
掉电不丢失数据，容量大，价格便宜
ROM英文名Read-OnlyMemory，只读存储器，里面数据在正常应用的时
候只能读，不能写，存储速度不如RAM。
PROM：（P指的programmable）可编程ROM，根据用户需求，来写入
内容，但是只能写一次，就不能再改变了
EPROM：PROM的升级版，可以多次编程更改，只能使用紫外线擦除
SDRAM是同步（S指的是synchronous）DRAM，同步是指内存工作需要

存储芯片分类

内存工作原理：内存是用来存放当前正在使用的（即执行中）的数据和程序，我们平常所提到的计算机的内存指的是动态内存（即DRAM），动态内存中所谓的"动态"，指的是当我们将数据写入DRAM后，经过一段时间，数据会丢失，因此需要一个额外设电路进行内存刷新操作。
具体的工作过程是这样的：一个DRAM的存储单元存储的是0还是1取决于电容是否有电荷，有电荷代表1，无电荷代表0。但时间一长，代表1的电容会放电，代表0的电容会吸收电荷，这就是数据丢失的原因；刷新操作定期对电容进行检查，若电量大于满电量的1／2，则认为其代表1，并把电容充满电；若电量小于1／2，则认为其代表0，并把电容放电，藉此来保持数据的连续性。
DDR RAM（Date-Rate RAM）也称作DDR SDRAM，这种改进型的RAM和SDRAM是基本一样的，不同之处在于它可以在一个时钟读写两次数据，这样就使得数据传输速度加倍了。这是目前电脑中用得最多的内存，而且它有着成本优势，事实上击败了Intel的另外一种内存标准－Rambus DRAM。在很多高端的显卡上，也配备了高速DDR RAM来提高带宽，这可以大幅度提高3D加速卡的像素渲染能力。
ROM也有很多种，PROM是可编程的ROM，PROM和EPROM（可擦除可编程ROM）两者区别是，PROM 是一次性的，也就是软件灌入后，就无法修改了，这种是早期的产品，现在已经不可能使用了，而EPROM是通过紫外光的照射擦出原先的程序，是一种通用的存储器。另外一种EEPROM是通过电子擦出，价格很高，写入时间很长，写入很慢。
什么是DDR SDRAM? DDR（Double Data Rate）SDRAM。其核心建立在SDRAM的基础上，但在速度上有了提高。SDRAM仅在时钟信号的上升沿读取数据，而DDR在时钟信号的上升沿和下降沿都读取数据，因此，它的速度是标准SDRAM的2倍。

终于有人说清楚了什么是DRAM、什么是NANDFlash

终于有⼈说清楚了什么是DRAM、什么是NANDFlash所有使⽤者对“存储器”这个名词可是⼀点都不陌⽣，因为所有的电⼦产品都必须⽤到存储器，且通常⽤到不只⼀种存储器。

不过对于存储器种类、规格与形式，很多⼈容易搞混。

⽐如，最近价格贵到炸的 NAND Flash，产业新闻⾥常常提到的DRAM，还有SRAM、SDRAM、DDR 3、DDR 4、NOR Flash … 这些⼜是什么？先来⼀段百度百科。

存储器是⽤来存储程序和数据的部件，对于计算机来说，有了存储器，才有记忆功能，才能保证正常⼯作。

存储器的种类很多，按其⽤途可分为主存储器和辅助存储器，主存储器⼜称内存储器（简称内存，港台称之为记忆体）。

外储存器是指除计算机内存及CPU缓存以外的储存器，此类储存器⼀般断电后仍然能保存数据。

常见的外存储器有硬盘、软盘、光盘、U盘等。

⽽简单来说，DRAM就是我们⼀般在⽤的内存，⽽NAND Flash 闪存，它在做的事情其实是硬盘。

（这段是给电脑⼩⽩的科普，⼤家可以酌情跳过）不熟悉PC知识的朋友常常在选购设备时问，硬盘和内存到底有什么差别？我硬盘容量明明有 1TB，但PC还是跑得很慢哎？硬盘和内存的差异，在于把电源关掉后、空间中储存的数据还会不会留着。

就算关掉电源，硬盘的数据也不会消失。

但我们要运算数据时，如果 CPU 要直接从硬盘⾥⾯抓数据，时间会太久。

所以”内存”会作为中间桥梁，先到硬盘⾥⾯复制⼀份进来、再让 CPU 直接到内存中拿数据做运算。

这样会⽐直接去硬盘抓数据，快约数百万倍。

打开任务管理器，就可以看到现在执⾏中程序占掉的内存空间，很多⼈就在骂Chrome 耗费的运算资源很⾼，内存使⽤率⾼于其他浏览器，多开⼏个分页内存就被吃完了。

所以简单来说，计算机在运作就像是办公⼀样，喝饮料、看书本、听⾳响… 想⼀次使⽤越多东西、桌⾯（内存）就要越⼤。

但其他⼀时间没有要⽤到的东西，都会放在抽屉（硬盘）⾥⾯。

所以硬盘就算再⼤，你⼀次想执⾏很多任务，还是得要看内存⼤⼩。