二极管、MOS管、三极管模型的重要SPICE参数
常用二极管三极管参数大全
常用二极管三极管参数大全一、常用二极管参数1.直流正向电压降（Vf）：指二极管正向导通时的电压降，也称为前向压降，一般常用的正向电压降为0.6V或0.7V。
2. 最大正向电流（Ifmax）：表示二极管正向工作时的最大电流，超过该电流可能会损坏二极管。
3. 最大反向电压（Vrmax）：指二极管反向工作时最大允许的电压，超过该电压可能会导致二极管击穿。
4. 最大反向电流（Irmax）：表示二极管反向工作时的最大允许电流，超过该电流可能会损坏二极管。
5. 最大耗散功率（Pdmax）：表示二极管能够承受的最大功率，超过该功率可能会导致二极管过热损坏。
6.负温度系数（TK）：指二极管在正向工作时，正向电流随温度升高而减小的程度，一般单位为%/℃。
7. 正向电导（Gon）：指二极管正向工作时的导通电导，一般单位为S（西门子）或mA/V。
8.反向电容（Cj）：指二极管反向偏置条件下的电容，一般单位为pF（皮法）。
9. 反向延迟时间（trr）：指二极管正向导通结束到反向电流消失的时间。
10.导通角（θF）：指二极管在正向导通状态下的导电角，即Ⅲ象限导通角。
二、常用三极管参数1. 最大漏极源极电压（Vceo）：表示三极管漏极与源极之间的最大电压，超过该电压可能会导致击穿。
2. 最大集电极电流（Icmax）：表示三极管集电极最大允许的电流，超过该电流可能会损坏三极管。
3. 最大发射极电流（Iemax）：表示三极管发射极最大允许的电流，超过该电流可能会损坏三极管。
4. 最大功率（Pmax）：表示三极管能够承受的最大功率，超过该功率可能会导致三极管过热损坏。
5. 最大反向电压（Vrmax）：指三极管反向工作时最大允许的电压，超过该电压可能会导致击穿。
6. 最大反向电流（Irmax）：表示三极管反向工作时的最大允许电流，超过该电流可能会损坏三极管。
7. 输入电容（Cin）：指三极管输入端的电容，一般单位为pF（皮法）。
8. 输出电容（Cout）：指三极管输出端的电容，一般单位为pF（皮法）。
三极管的Pspice模型参数详细说明
volt
0.75
VJS (PS)
substrate p-n built-in potential
volt
0.75
VO
carrier mobility knee voltage
volt
10.0
VTF
transit time dependency on Vbc
degree
0.0
QCO
epitaxial region charge factor
coulomb
0.0
RB
zero-bias (maximum) base resistance
ohm
0.0
最大基极电阻
RBM
minimum base resistance
ohm
RB
最小基极电阻
RC
collector ohmic resistance
三极管的Pspice模型参数详细说明
三极管的Pspice模型参数
Model <model name> NPN(PNP、LPNP) [model parameters]
模型参数
含义
单位
默认值
备注
AF
flicker noise exponent
1.0
噪声指数
BF
ideal maximum forward beta
amp
infinite
IRB
current at which Rb falls halfway to
amp
infinite
IS
transport saturation current
pspice3(二极管及模型参数)
3
二极管D的模型参数
4
练习1：二极管特性分析
eg1：电路如图所示，二极管参数： Is=2E-12,Rs=2Ω，输入信号为直流电压源，求二极管 上端电压随电压源的变化情况（0-5V）
5
模型参数修改方法
选中电路图中的dbreak元件 Schematics的主菜单editmodel 选择弹出对话框中edit instance model（txt）
BUBBL E11 Nhomakorabea12
6
7
文本编辑法（*.cir）
DIODE CIRCUIT *circuit name V1 2 0 5V *net R1 2 1 1k D1 1 0 DMOD .MODEL DMOD D(IS=2E-12 RS=2) *model edit .OP .DC LIN V1 0 5 0.1 *simu setup .PROBE *draw result 2：Pspice A/D-open .END
半导体二极管
半导体是导电性能介于导体和半导体之间的物 体。在一定条件下可导电。
2
二极管的V-I 特性
i D I S (e
v D / VT
1)
正向导通压降:硅管约0.7V,锗管0.2V 反向饱和电流：硅管为纳安（10－9）级 锗管为微安（10－6）级
硅二极管2CP10的V-I 特性
锗二极管2AP15的V-I 特性
Test.cir 1：Run editor
8
练习2：整流电路
已知二极管参数：Is=1e-14，Rs=1Ω，输入信 号幅度为5V，频率为1KHz的正弦波，求输出电 压波形，用文本编辑法实现 V2 1 0 SIN 0 5 1k 0 0 0
9
MOS spice参数
2002.5半导体器件4.61第四章MOSFET4.6 MOSFET 模型2002.5半导体器件4.624.6 MOSFET 模型本节内容MOSFET 模型简介MOS1和MOS2模型及模型参数介绍 电容模型（介绍Meyer 电容模型）模型参数提取2002.5半导体器件4.634.6.1 MOSFET 模型简介MOSFET 模型发展至今，已有五十多个模型。
下面简单介绍几个有代表性的模型：Level 1 ——MOS1模型（Shichman-Hodges 模型），该模型是Berkley SPICE 最早的MOST 模型，适用于精度要求不高的长沟道MOST 。
电容模型为Meyer 模型，不考虑电荷贮存效应Level 2 ——MOS2模型，该模型考虑了部分短沟道效应，电容模型为Meyer 模型或Ward-Dutton 模型。
Ward-Dutton 模型考虑了电荷贮存效应。
2002.5半导体器件4.644.6.1 MOSFET 模型简介Level 3 ——MOS3模型，为半经验模型，广泛用于数字电路设计中，适用于短沟道器件，对于沟道长度≥2µm 的器件所得模拟结果很精确。
BSIM 模型——B erkeley S hort-Channel I GFET M odel 。
BSIM 模型是专门为短沟道MOST 而开发的模型。
目前已经发展到BSIM4模型。
Level 4 ——BSIM1模型，适合于L ≈1µm ，t ox ≈15nm 的MOSFET 。
4.6.1 MOSFET 模型简介BSIM1模型考虑了小尺寸MOST 的二阶效应包括 垂直电场对载流子迁移率的影响； 速度饱和效应；DIBL （漏场感应势垒下降）效应； 电荷共享；离子注入器件的杂质非均匀分布； 沟道长度调制效应； 亚阈值导电；参数随几何尺寸的变化基本公式是萨方程的修正4.6.1 MOSFET 模型简介HSPICE Level 28 ——改进的BSIM1模型，适用于模拟电路设计，目前仍有广泛应用。
spice基本语法-
•无源器件：电阻、电感、电容1、电阻RXXX n1 n2 <mname> <R=>resistance <AC=val> 电阻值可以是表达式。
例：R1 1 2 10KRac 9 8 1 AC=1e10Rterm input gnd R=’sqrt(HERTZ) ’2、电容CXXX n1 n2 <mname> <C=>capacitance例：C1 1 2 1pF3、电感LXXX n1 n2 <L=>inductance例：L1 1 2 1nH•有源器件：Diode、BJT、JEFET、MOSFET1、Diode（二极管）DXXX N+ N- MNAME<AREA> <OFF> <IC=VD>可选项：AREA是面积因子，OFF是直流分析所加的初始条件，IC=VD 是瞬态初始条件注：模型中的寄生电阻串联在正极端2、BJT（双极性晶体管）QXXX NC NB NE <NS> MNAME<AREA> <OFF> <IC=VBE,VCE>NC、NB、NE、NS分别是集电极、基极、发射极和衬底节点，缺省时NS接地。
后面与二极管相同。
3、JFET（结型场效应晶体管）JXXX ND NG NS MNAME<AREA> <OFF> <IC=VDS,VGS>4、MOSFET（MOS场效应晶体管）MXXX ND NG NS NB MNAME <L=VAL> <W=VAL> <Other options>M为元件名称，ND、NG、NS、NB分别是漏、栅、源和衬底节点。
MNAME 是模型名，L沟道长，W为沟道宽。
•子电路1、子电路定义开始语句.SUBCKT SUBNAM <node1 node2…>其中，SUBNAM为子电路名，n ode1…为子电路外部节点号，不能为零。
利用SPICE模型的参数选择二极管
利用 SPICE 模型的参数选择二极管(2009-09-26 14:10:20)转载▼标签： spiceit 前言 仿真软件的使用大大缩短了电路设计的周期，而在大部分软件所提供的元件库中，仿真元件 都是以其 SPICE 模型的参数作为基础的。因此，电路设计者在选择元器件进行电路设计仿真 时往往面临诸如对元件的 SPICE 模型参数物理意义不了解及难于将公司提供的该芯片的数据 资料中的物理量与其 SPICE 模型参数相对应等一系列问题。对此，文中给予了相应的解释和 说明。 一．二极管的 SPICE 模型参数 二极管分为静态模型参数和动态模型参数两种。其中作为已知参数，可以直接由工艺过程或 器件材料决定的有禁带宽度 EG，饱和电流温度指数 XTI，闪烁噪声系数 KF 和闪烁噪声系数 AF。静态模型是通过 I~V 曲线来反映的，参数主要有反向饱和电流 IS，反向击穿电压 BV， 发射系数 N，反向击穿电流 IBV，梯度系数 M，内建电势 VJ 和串联电阻 RS。动态模型是通 过 C~V 曲线体现的，参数主要有零偏结电容 CJ0，渡越时间 TT。元件测量温度 TNOM，XTI， EG 则反映了饱和电流随温度变化的特性。根据不同种类二极管的应用，应对这些 SPICE 参 数值进行有针对性的选取。 1.1 反映二极管静态特性的 SPICE 参数 1.1.1 （反向）饱和电流 IS 单位(A) 考虑理想情况下变容二极管的 I~V 特性,关系如下[1]： (1) 其中, VT 为半导体热电势,表达为: 。V 为外加偏压,q 为电子电荷，K 为波尔兹曼常数,T 为绝 对温度。当外加反偏压的绝对值足够大时，I 值约等于 SPICE 参数中的反向饱和电流 IS。由 半导体基本理论推出[1]： (2) A 为势垒区截面积，np0 和 p n0 分别为载流子产生与复合率相等情况下 P 区的单位体积的少 子电子数和 N 区的少子空穴数（少子浓度），Ln 和 Lp 分别为少子电子和少子空穴的扩散长 度，和 为空穴和电子寿命。 1.1.2 发射系数 N 考虑非理想情况下少数载流子在穿越势垒区时的复合,(1)式被修正为: (3) 其中 N 为用来反映势垒区复合程度的发射系数，其取值范围为 [1，2]。 1.1.3 VJ：内建电势（V） 二极管的内建电势 VJ 是由平衡 PN 结空间电荷区内的内建电场引起的，它是由图 1. 二极管 的 I/V 特性半导体的材料决定的。它是 N 区和 P 区间存在的电势差，定义如下[1]： (4) 其中， 和 分别代表 P 区的空穴浓度和 N 区的电子浓度，电子(空穴)从 N(P)区到 P(N)区必须 克服势垒。由（5）式可知，本征载流子浓度越小，则 VJ 越大。由于禁带宽度 EG 影响着电 子从价带底跃迁到导带顶的难易，从而决定了本征载流子浓度 ni，因此，根据（5）还可推 出在特定温度下，以下三种常用材料的 VJ 大小关系为：GaAs>Si>Ge。 1.1.4 IBV 反向击穿电流（A）与 BV 反向击穿电压（V） 当外加反向偏压增至某值时，反向电流会迅速增加。发生击穿存在两种可能性，一种是由势 垒区在高电场下共价键断裂产生的大量电子引起的齐纳击穿。另一种是因少子渡越 P-N 结空 间电荷区时,受其电场加速获得足够大的动能以轰击晶格中的束缚电荷,电离出电子空穴对, 引发连锁撞击导致雪崩击穿。I~V 反向曲线上的反向击穿电流 IBV 参数的值是由半导体生产 厂家确定的，对应该值的电压被定为反向击穿电压 BV。分析可知，当二极管的禁带宽度 EG
常用电阻二极管三极管参数资料
常用电阻二极管三极管参数资料常用电阻、二极管、三极管等元件是电子电路中常见的器件，它们有各自的参数资料。
以下是这些元件的一些常用参数：一、电阻参数资料：1. 额定功率（Rated Power）：电阻能稳定工作的最大功率。
2. 额定电阻值（Resistance Value）：指电阻在标准环境下的电阻值。
3. 电阻精度（Tolerance）：指电阻实际值与额定值之间的偏差范围。
4. 温度系数（Temperature Coefficient）：指电阻在不同温度下电阻值的变化程度。
5. 最大工作电压（Maximum Working Voltage）：电阻能够承受的最大电压。
6. 储能（Energy Storage）：指电阻在通过电流时所消耗或储存的能量。
7. 偏移电阻（Offset Resistance）：指电阻两端电压为零时对电流引起的电压偏移。
8. 序列电阻（Series Resistance）：指电阻的序列电阻值，即电阻两端连接的电阻。
9. 绝缘电阻（Insulation Resistance）：指电阻两端之间的绝缘电阻能力。
10. 频率特性（Frequency Characteristics）：指电阻在不同频率下电阻值的变化情况。
二、二极管参数资料：1. 额定反向电压（Reverse Voltage）：指二极管能够承受的最大反向电压。
2. 额定电流（Forward Current）：指二极管能够稳定工作的最大正向电流。
3. 额定功率（Rated Power）：指二极管能够稳定工作的最大功率。
4. 额定正向电压降（Forward Voltage Drop）：指二极管正向工作时的电压降。
5. 耗散功率（Power Dissipation）：指二极管消耗的功率。
6. 转导纳（Transconductance）：指二极管的输入电流变化对于输出电流变化的敏感程度。
7. 反向串扰（Reverse Crossover）：指二极管在反向工作时对周围的元件产生的影响。
常用二极管三极管参数
常用二极管三极管参数1. 正向电压降（Forward Voltage Drop）：即二极管在正向导通时的电压降。
不同类型和材料的二极管正向电压降不同，一般为0.1V到1V之间。
2. 反向电压（Reverse Voltage）：即二极管在反向施加电压时可以承受的最大电压，超过该电压则会发生击穿。
3. 正向电流（Forward Current）：即二极管在正向导通时通过的电流。
不同类型和材料的二极管正向电流不同，一般为几十mA到几百mA。
4. 反向漏电流（Reverse Leakage Current）：即二极管在反向施加电压时的漏电流。
一般来说，漏电流越小，二极管的质量越好。
5. 反向击穿电压（Reverse Breakdown Voltage）：即二极管在反向施加电压时发生击穿的最小电压。
不同类型的二极管反向击穿电压不同。
常用三极管参数：1. 最大正向电流增益（Max Forward Current Gain）：即三极管在正向工作状态下电流放大的倍数。
这个数值越大，三极管的放大效果越好。
2. 最大反向漏电流（Max Reverse Leakage Current）：即三极管在反向工作状态下的漏电流。
这个数值越小，三极管的质量越好。
3. 最大集电结（Collector Junction）饱和电压（VCEsat）：即三极管在饱和状态下集电极和发射极之间的电压降。
通常情况下，饱和电压应尽可能低，以确保三极管能够有效地导通。
4. 最大集电极电流（Max Collector Current）：即三极管所能承受的最大集电电流。
超过这个数值将导致三极管的击穿和损坏。
5. 最大功耗（Max Power Dissipation）：即三极管所能承受的最大功率。
超过这个数值将导致三极管过热并可能损坏。
以上介绍了二极管和三极管的常见参数，这些参数的理解和掌握对于选择合适的二极管和三极管，以及正确设计和应用电路非常重要。