华中科技大学模拟电子技术试卷六
模拟电子技术基础_华中科技大学中国大学mooc课后章节答案期末考试题库2023年

模拟电子技术基础_华中科技大学中国大学mooc课后章节答案期末考试题库2023年1.理想运算放大器的参数是开环电压增益Avo = ,输入电阻ri = ,输出电阻ro = 。
参考答案:∞,∞,02.放大电路中,运算放大器的反相输入端为虚地,而放大电路中,运算放大器的两个输入端对地电压是不为零的。
参考答案:反相,同相3.欲将方波电压转换为三角波电压,应选用。
参考答案:积分运算电路4.欲将方波电压转换为尖脉冲电压,应选用。
参考答案:微分运算电路5.欲将输入电压信号放大-100倍,应选用。
参考答案:反相输入式放大电路6.在运算放大器构成的线性运算电路中一般均引入负反馈。
参考答案:正确7.在线性运算电路中,集成运放的反相输入端均为虚地。
参考答案:错误8.电压跟随器的电压增益为1,所以其对信号放大没有贡献。
参考答案:错误9.在选择整流元件时,只要考虑负载所需的直流电压和直流电流。
参考答案:错误10.图示电路中,图中A点对地的电压为_____,B点对地的电压为_____。
【图片】参考答案:+15V,-15V11.在单相桥式整流电容滤波电路中,输出电压的平均值VL与变压器副边电压有效值V2的关系为通常为_______。
参考答案:VL=1.2 V212.图示电路满足正弦波振荡的相位平衡条件。
【图片】参考答案:正确13.只要满足相位平衡条件,且【图片】,就能产生自激振荡。
参考答案:正确14.若希望在输入电压小于-3V时,输出电压为高电平;而在输入电压大于+3V时,输出电压为低电平。
可采用________电压比较器。
参考答案:反相迟滞15.单门限比较器只有______个门限值,而迟滞比较器则有______个门限电压值。
参考答案:1,216.设计一个输出功率为100W的功率放大电路,则该功放电路的每个功放管的最大管耗至少应该为。
参考答案:20W17.为了使负载获得尽可能大的功率,对功率放大电路的基本要求是。
参考答案:输出信号的电压和电流都尽可能大18.只要基本放大电路的幅频响应在0dB以上的衰减斜率只有-20dB/十倍频,那么由电阻网络引入任何深度的负反馈时,都不会产生自激振荡。
《模拟电子技术》试卷模电2答案.doc
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华中科技大学考试卷课程:模拟电子技术基础专业 ____________ 班号__________ 姓名_______________ 学号 ________________一、选择填空(每空2分共24分)1.非线性失真与线性失真(频率失真)的最主要差别是 D 。
(A)非线性失真使信号波形中任一点的幅值没有得到同样倍数的放大,而线性失真则不然;(B)对于周期信号来说,非线性失真改变了信号的周期,而线性失真则没有;(C)对于周期信号来说,非线性失真改变了信号的相位,而线性失真则没有;(D)非线性失真使信号中出现了新的谐波分量,而线性失真则没有。
2.多级放大电路与组成它的任何一个单级放大电路相比,通频带B □(A)变宽(B)变窄(C)不变(D)与单级放大电路无关3.差分放大电路共模抑制比的大小反映了 A 。
(A)抑制零漂的能力(B)带负载能力(C)差模增益的大小(D)共模增益的大小4.当有用信号的频率低于100Hz时,应采用A 滤波电路。
(A)低通(B)高通(C)带通(D)带阻5. ______________________________________________________ 放大电路如图1-1所示。
帯负载能力最强的放大电路是__________________________图1-16.在图1・2所示的两个电路中,它们的输入电阻Z间的关系是一C(A)尺|=Ri2=lkQ(B)/?u > R i2(C)R“ < 峙2(D)Rji = R[2 = oo图1-27. 场效应管放大电路如图1-3所示。
已知FET 的%】,设电容对交流信号呈现的阻抗 均很小,可视为短路。
(1) 该放大电路通频带内的电压增益为(2)该放大巾.路的输入巾阻为 B 8. RC 桥式正眩波振荡电路如图1—4所不。
(1) ________________________________________________ 当电路有稳泄的输出波形时,电阻&与尺2的关系应满足 _____________________________________________________ B(A) R2=R\(B) R 2=2R X(C) R2=3R\ (D) R 2 =*&(2) ____________ 当观察到电路的输出波形变成幅值约 为±12V 的方波吋,电路可能存在的故障 是 ___ 。
电子技术基础模拟部分(第六版) 康华光ch04

止工作状态。
15
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3. I-V 特性曲线及大信号特性方程
(1)输出特性及大信号特性方程
i D f (v DS ) vGS const.
② 可变电阻区 vDS <(vGS-VTN)
2 iD Kn [2(vGS VTN ) vDS vDS ]
预夹断临界点轨迹 iD/mA vDS=vGS-VTN(或 vGD=vGS-vDS=VTN) 3V 饱和区 1.5 2.5V 1 2V 0.5 0 vGS=1.5V 2.5 5 7.5 10 截止区 vDS/V 可变电阻区 2 (非饱和区)
14
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3. I-V 特性曲线及大信号特性方程
(1)输出特性及大信号特性方程
i D f (v DS ) vGS const.
① 截止区
当vGS<VTN时,导电沟道 尚未形成, iD = 0 ,为截
预夹断临界点轨迹 iD/mA vDS=vGS-VTN(或 vGD=vGS-vDS=VTN) 3V 饱和区 1.5 2.5V 1 2V 0.5 0 vGS=1.5V 2.5 5 7.5 10 截止区 vDS/V 可变电阻区 2 (非饱和区)
I-V 特性: iD Kn (vGS VTN )2
vGS K nV ( 1)2 VTN vGS I DO ( 1)2 VTN
2 TN
2 I DO KnVTN 是vGS=2VTN时的iD
必 须 让 FET 工 作 在 饱 和 区 (放大区)才有放大作用。
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由于vDS较小,可近似为
iD 2Kn ( vGS VTN ) vDS
rdso dv DS diD
【2024版】模拟电子技术试题库及答案

4、二极管的伏安特性曲线上可分为死区、正向导通区、反向截止区和
反向击穿区四个工作区。
5、用指针式万用表检测二极管极性时,需选用欧姆挡的R×1k档位,检测中若指针偏转较大,可判断与红表棒相接触的电极是二极管的阴极;与黑表棒相接触的电极是二极管的阳极。检测二极管好坏时,若两表棒位置调换前后万用表指针偏转都很大,说明二极管已经被击穿;两表棒位置调换前后万用表指针偏转都很小时,说明该二极管已经老化不通。
6、如果把三极管的集电极和发射极对调使用?三极管会损坏吗?为什么?
答:集电极和发射极对调使用,三极管不会损坏,但是其电流放大能力大大降低。因为集电极和发射极的杂质浓度差异很大,且结面积也不同。
7、晶闸管与普通二极管、普通三极管的作用有何不同?其导通和阻断的条件有什么不同?
答:普通二极管根据其单向导电性可知,阳极加电源正极、阴极加电源负极时导通,反之阻断,可用于整流、钳位、限幅和电子开关;普通三极管在放大电路中起放大作用,在数字电子技术中起开关作用,普通三极管用于放大作用时,只要发射极正偏、集电极反偏时就会导通起放大作用,当发射极反偏时就会阻断放大信号通过;用作开关元件时,当发射结和集电结都正偏时,它就会饱和导通,当发射极反偏或发射极和集电极两个极都反偏时,晶体管就截止,阻断信号通过。晶闸管属于硅可控整流器件,只有导通和关断两种状态。晶闸管具有PNPN四层半导体结构,有阳极,阴极和门极三个电极。晶闸管加正向电压且门极有触发电流时导通,即:晶闸管仅在正向阳极电压时是不能导通的,还需门控极同时也要承受正向电压的情况下才能导通(晶闸管一旦导通后,门控极即失去作用);当晶闸管承受反向阳极电压时,不管门极承受多大电压,晶闸管都处于阻断状态,或者晶闸管在导通情况下,其主回路电压(或电流)减小到接近于零值时,晶闸管也会自动关断。
电子技术基础模拟部分第六版康华光

Q 1
3 AVF
得 A(s)
A0
s
Q 0
1 s ( s )2
Q0 0
-20
-40 0.1
关于选择性
+
vO
- (AVF -1)R1
R1 同相比例 放大电路
0.5 1 2 5 Q=10
1
/0
18
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10.3.4 二阶有源带阻滤波电路
可由低通和高通并联得到 必须满足 L H
vI
低通
特征角频率
故,幅频相应为
A(j )
A0
1 ( )2 c
R1
Rf
-
+ vI
R vP C
+ 同相比例 + 放大电路 vO RL
-
-
无源 RC 滤波电路
20lg|
A(j) A0
|/dB
0
-3
实际
理想 -20dB/十倍频程
-20
1
10 /C
6
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10.2 一阶有源滤波电路
2. 高通滤波电路
2
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10 信号处理与信号产生电路
10.1 滤波电路的基本概念与分类 10.2 一阶有源滤波电路 10.3 高阶有源滤波电路 *10.4 开关电容滤波器 10.5 正弦波振荡电路的振荡条件 10.6 RC正弦波振荡电路 10.7 LC正弦波振荡电路 10.8 非正弦信号产生电路
3
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fcC1
fcC2
+
vO
1
2
1
2
T3
C1 T4
C1 1 C2 1 j f
vi T1
T2
Cf -
《模拟电子技术》模拟题及答案

《模拟电子技术》模拟题及答案(本题共5小题, 每小题4分, 共 20 分)一、填空题1.在本征硅中掺入三价杂质元素, 可获得 型半导体, 其多子是 载流子, 少子是 载流子, 不能移动的定域离子带 电。
2.稳压二极管正常工作......区;光电二极管正常工作...... 区;变容二极管正常工作......区;发光二极管正常工作......区, 其导通压降至少应... V 以上。
3.双极型晶体管是以基极小电流控制集电极大电流的器件, 所以称....控制型器件;单极型场效应管则是以栅源间小电压控制漏极大电流的器件, 因之称... 控制型器件。
4.放大电路静态分析的目的是找出合适......., 以消除非线性失真;动态分析的目的是寻求放大电路......., 根据动态分析结果来确定放大电路的适用场合。
5.文氏桥正弦波振荡器主要......网络和集成运放构成..... 构成的。
电路中的正反馈环节起.....作用;电路中的负反馈环节则起.....作用。
6.小功率并联型直流稳压电源的输出电压是.......调整的;串联型直流稳压电源中的调整管正常工作.....状态;开关型直流稳压电源中的调整管正常工作.....状态。
(本题共11小题, 每小题1分, 共11分)二、 判断正、误题 1.雪崩击穿和齐纳击穿都是场效应式的电击穿, 不会损坏二极管。
2.双极型三极管各种组态的放大电路, 输入、输出均为反相关系。
3.本征半导体中掺入五价杂质元素后, 生成N 型半导体, 其多子是自由电子载流子。
..)4.OCL 甲乙类功放采用了单电源供电方式, 其输出大电容起负电源的作用。
..)5.功率放大器中, 甲乙类功放的性能最优良, 高保真较甲类强, 效率较乙类高。
..)6.NPN 型三极管工作在放大状态时, 其发射极电位最低, 集电极电位最高。
..)7.“虚短”和“虚断”两个重要概念, 无论是分析运放的线性电路还是非线性电路均适用。
华中科技大学《模拟电子技术基础》——CH07-1

ID2=IO EF
两臂电流互相相等。 称为电流源是因为工作在饱和区
-VSS
iD2=iO ID2 1 斜率= ro 击穿
2.为什么采用这样的结构?
用T1管为T2提供稳定的VGS电压使 T2管工作在饱和区。
Rd ID2=IO + VDS2 -
(VGS2 VTN2 )2 ID2 (W2 / L2 )Kn2 (VGS1 VTN1 )2 IREF (W1 / L1 )Kn1
-VSS
iD2=iO 1 斜率= ro 击穿
IO I D2 W2 / L2 I REF I D1 W1 / L1
I B 2 rce
i C 2 1 ro ( ) vCE 2
R c1 T1
2IB c2 b1 b2
IC1
iC2=IC2 = IO= IREF T2 vCE
一般ro在几百千欧以上
-VEE
33
华中科技大学 刘勃
7.1.2 BJT电流源电路
1. 镜像电流源
其他形式
+VCC IREF IC1 T1 R c1
24
可用范围
0
VGS-VTN
VDS
VBR
vDS2
华中科技大学 刘勃
7.1.1 FET电流源电路
1. MOSFET镜像电流源
I O I D2 I REF VDD VSS VGS R
2
+VDD IREF d1 + VDS1 T1 g T2 + VGS R NMOS d2 d2
Rd ID2=IO ID2=IO + VDS2 -
电路电子技术基础模拟部分-第六版

1 / sC VP ( s ) VA ( s ) R 1 / sC Vi ( s ) VA ( s ) VA ( s ) Vo ( s ) VA ( s ) VP ( s ) 0 R 1 / sC R Vo ( s ) AVF 得滤波电路传递函数 A( s ) Vi ( s ) 1 (3 - AVF ) sCR ( sCR )2
20lg|
A(j) | A0 /dB 20 10
产生增益过冲的 原因是什么? 上 限 角频 率 H 和 特 征 角频 率 C 有 何差别?
归一化的幅 频响应曲线
/C
12
华中科技大学 张林
4. n阶巴特沃斯传递函数 传递函数为
A( jω)
A0 1 (ω / ωc )2n
式中n为阶滤波电路阶数,c为3dB载止角频率,A0为通带电 压增益。 | A( j ) |
其中 A( j ) —— 模,幅频响应 ( ) —— 相位角,相频响应
d ( ) ( ) ( s) d
群时延响应
4
华中科技大学 张林
10.1 滤波电路的基本概念与分类
2. 分类
低通(LPF) 高通(HPF) 带通(BPF) 带阻(BEF) 全通(APF) 希望抑制 50Hz 的 干扰信号,应选用 哪种类型的滤波电 路?
相频响应
cQ ( ) arctg 2 1( ) c
华中科技大学 张林
11
10.3.1 有源低通滤波电路
3. 幅频响应
20 lg A( j ) 1 20 lg 2 A0 2 2 1 ( ) ( ) c cQ
Q=10 5 2 1 0 -3 -10 -20 -30 -40 0.3 0.4 0.1 0.2 0.5 1 2 3 5 10 0.707 0.5
华中科大模拟电子技术习题试卷及答案

试卷一专升本试卷及其参考答案试卷一〔总分150分〕〔成人高等学校专升本招生全国统一考试电子技术根底试卷之一〕一、选择题〔本大题10个小题,每题4分,共40分。
在每题给出的四个选项中,只有一项为哪一项符合题目要求的,把所选项前的字母填在题后的括号内。
〕1. 用万用表的R ×100档测得某二极管的正向电阻阻值为500Ω,假设改用R ×1k 档,测量同一二极管,那么其正向电阻值〔 〕a. 增加b. 不变c. 减小d. 不能确定2. 某三极管各电极对地电位如图2所示,由此可判断该三极管〔 〕a. 处于放大区域b. 处于饱和区域c. 处于截止区域d. 已损坏图23. 某放大电路在负载开路时的输出电压为6V ,当接入2k Ω负载后,其输出电压降为4V ,这说明该放大电路的输出电阻为〔 〕a. 10k Ωb. 2k Ωc. 1k Ωd. 0.5k Ω4. 某放大电路图4所示.设V CC >>V BE,L CEO ≈0,那么在静态时该三极管处于〔 〕 a.放大区 b.饱和区 c.截止区 d.区域不定图45. 图5所示电路工作在线性放大状态,设L R '=R D //R L ,那么电路的电压增益为〔 〕a.L m R g 'b.s m L m 1R g R g +'-C.L m R g '- d.m L /g R '-图56. 图5中电路的输入电阻R i 为〔 〕a. R g +(R g1//R g2)b. R g //(R g1+R g2)c. R g //R g1//R g2d.[R g +(R g1//R g2)]//(1+g m )R S7. 直流负反应是指〔 〕a. 存在于RC 耦合电路中的负反应b. 放大直流信号时才有的负反应c. 直流通路中的负反应d. 只存在于直接耦合电路中的负反应8. 负反应所能抑制的干扰和噪声是〔 〕a. 输入信号所包含的干扰和噪声b. 反应环内的干扰和噪声c. 反应环外的干扰和噪声d. 输出信号中的干扰和噪声9. 在图9所示电路中,A 为理想运放,那么电路的输出电压约为〔 〕a. -2.5Vb. -5Vc. -6.5Vd. -7.5V图910. 在图10所示的单端输出差放电路中,假设输入电压△υS1=80mV, △υS2=60mV,那么差模输入电压△υid 为〔 〕a. 10mVb. 20mVc. 70mVd. 140mV图10二、填空题〔本大题共7个小题,18个空,每空2分,共36分。
华中科技大学模电第六版答案

华中科技大学模电第六版答案1、正弦量可以用相量来表示,因此相量等于正弦量。
() [单选题] *A:是B:否(正确答案)2、波形图可完整的描述正弦交流电随时间的变化规律。
() [单选题] *A:是(正确答案)B:否3、只有同频率的几个正弦量的矢量,才可以画在同一个矢量图上进行分析。
()[单选题] *A:是(正确答案)B:否4、交流电是指大小和方向随时间作周期变化的电动势。
交流电分为正弦交流电和非正弦交流电两大类,应用最普遍的是正弦交流电。
() [单选题] *A:是(正确答案)B:否5、只要是大小随时间变化的电流就是正弦交流电流。
() [单选题] *A:是B:否(正确答案)6、一只额定电压为220V的白炽灯,可以接在最大值为311V的交流电源上。
()[单选题] *A:是(正确答案)B:否7、交流电压表测得单相插座两孔间电压220V该电压是瞬时值。
() [单选题] * A:是B:否(正确答案)8、用交流电压表测得交流电压是220V,则此交流电压的最大值为311V。
()[单选题] *A:是(正确答案)B:否9、正弦量的三要素是它的最大值,角频率和相位。
() [单选题] *A:是B:否(正确答案)10、正弦交流电u2=311sin(628t+45°)其中45°表示相位。
() [单选题] *A:是B:否(正确答案)11、反相是指两个同频率交流电的相位差为180°的情况。
() [单选题] *A:是(正确答案)B:否12、有效值、频率和角频率是指正弦交流电的三要素。
() [单选题] *A:是B:否(正确答案)13、正弦交流电的有效值除与最大值有关外,还与它的初相有关。
() [单选题] * A:是B:否(正确答案)14、最大值是正弦交流电在变化过程中出现的最大瞬时值。
() [单选题] *A:是(正确答案)B:否15、只有在正弦交流电中,最大值才是有效值的根号2倍() [单选题] *A:是(正确答案)B:否16、两个不同频率的正弦量在相位上的差叫相位差() [单选题] *A:是B:否(正确答案)17、交流电在单位时间内电角度的变化量称为角频率。
模拟电子技术试卷五套(含答案)

模拟试卷一一、填空(16分)1.半导体二极管的主要特性是___________ 。
2.三极管工作在放大区时,发射结为____ 偏置,集电结为_____偏置;工作在饱和区时发射结为___偏置,集电结为____偏置。
3.当输入信号频率为fL和fH时,放大倍数的幅值约下降为中频时的__倍,或者是下降了__dB,此时与中频时相比,放大倍数的附加相移约为_____ 。
4.为提高放大电路输入电阻应引入___反馈;为降低放大电路输出电阻,应引入_____反馈。
5.乙类功率放大电路中,功放晶体管静态电流ICQ =____、静态时的电源功耗PDC =______。
这类功放的能量转换效率在理想情况下,可达到_____,但这种功放有______失真。
6.在串联型稳压电路中,引入了——负反馈;为了正常稳压,调整管必须工作在____区域。
二、选择正确答案填空(24分)1.在某放大电路中,测的三极管三个电极的静态电位分别为0 V,-10 V,-9.3 V,则这只三极管是( )。
A.NPN 型硅管 B.NPN 型锗管 C.PNP 型硅管 D.PNP 型锗管2.某场效应管的转移特性如图1所示,该管为( )。
A.P沟道增强型MOS管B.P沟道结型场效应管C.N沟道增强型MOS管D.N沟道耗尽型MOS管3.在图示2差分放大电路中,若uI = 20 mV,则电路的( )。
A.差模输入电压为10 mV,共模输入电压为10 mV。
B.差模输入电压为10 mV,共模输入电压为20 mV。
C.差模输入电压为20 mV,共模输入电压为10 mV。
D.差模输入电压为20 mV,共模输入电压为20 mV。
4.通用型集成运放的输入级采用差动放大电路,这是因为它的( )。
A.输入电阻高 B.输出电阻低 C.共模抑制比大 D.电压放大倍数大5.在图示电路中,Ri为其输入电阻,RS为常数,为使下限频率fL降低,应( )。
A.减小C,减小Ri B.减小C,增大RiC.增大C,减小Ri D.增大C,增大 Ri6.如图所示复合管,已知V1的 b1 = 30,V2的 b2 = 50,则复合后的 b 约为( )。
电子技术基础模拟部分(第六版) 康华光ch05

22
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5.1.4 BJT的主要参数
由PCM、 ICM和V(BR)CEO在输出特性曲线上可以确定 过损耗区、过电流区和击穿区。
过流区
过 压 区
输出特性曲线上的过损耗区和击穿区
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5.1.5 温度对BJT参数及特性的影响
时,发射结正偏,集电结反 偏。
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5.1.4 BJT的主要参数
1. 电流放大系数
(1) 共发射极直流电流放大系数 β
βICICEO IC
IB
IB
vCE const
(2) 共发射极交流电流放大系数 =IC/IBvCE=const
18
华中科技大学 张林
5.1.4 BJT的主要参数
1. 内部载流子的传输过程 发射区:发射载流子 集电区:收集载流子 基区:传送和控制载流子
(以NPN为例)
IE=IB+ IC IC= ICN+ ICBO
载流子的传输过程
9
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2. 电流分配关系
根据传输过程可知 IE=IB+ IC
设
传输到集电极的电流
发射极注入电流
即 InC
IE
vBE =VCC-iBRb
且电容Cb1充电完成后,其
vs
电压等于VBEQ
输出回路方程相同
vCE=VCC-iCRc
动态时,输入信号vi叠加Cb1上已充的 静态电压VBEQ,然后加在BJT的b-e间, 即
vBE=VBEQ+ vi
40
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5.3.1 BJT放大电路的图解分析法
电子技术基础模拟部分(第六版) 康华光ch06

f L2 f L3
1 2π( Rsi Rg )Cb1
gm 2πCs 1 2π( Rd RL )Cb2
Cb1引起的下限截止频率 Cs引起的下限截止频率 Cb2引起的下限截止频率
且 2πf
21
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6.3.1 共源放大电路的低频响应
1 1 C s 和 Cb2
+ . Vs -
. Vi Rg
| |V o
输出回路也是高通电路,不过不是简单的单时间常数
RC高通电路。
18
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6.3.1 共源放大电路的低频响应
1. 增益的传递函数
由电路可列出方程
V g Rg 1 Rsi Rg jCb1 V 1 g V V gs g m gs jCs V s
1. 增益的传递函数
R 1 1 1 g g ( R || R ) A VSL m d L 1 gm 1 Rg Rsi 1 1 1 j ( Rd RL )Cb2 jCs j ( Rsi Rg )Cb1 Rg 令 AVSM gm ( Rd || RL ) 通带内(中频)增益,与频率无关 Rg Rsi
《电子技术基础》
模拟部分 (第六版)
华中科技大学电信系
张林
电子技术基础模拟部分
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11
2
绪论 运算放大器 二极管及其基本电路 场效应三极管及其放大电路 双极结型三极管及其放大电路 差分式放大与频率响应 模拟集成电路 反馈放大电路 功率放大电路 信号处理与信号产生电路 直流稳压电源
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模拟电子技术练习题库(附参考答案)

模拟电子技术练习题库(附参考答案)一、单选题(共103题,每题1分,共103分)1.PNP型三极管工作在放大状态时,其发射极电位最高,集电极电位最低。
()A、对 :B、错正确答案:A2.集成运放的非线性应用存在()现象。
A、虚地;B、虚断;C、虚断和虚短。
正确答案:B3.设置静态工作点的目的是让交流信号叠加在直流量上全部通过放大器。
( )A、错误B、正确 ;正确答案:B4.集成运算放大器采用差动放大电路作为输入级的原因是A、提高输入电阻B、抑制零漂C、稳定放大倍数D、克服交越失真正确答案:B5.理想集成运放的开环放大倍数Au0为( )。
A、∞;B、0;C、不定。
正确答案:A6.分压式偏置的共发射极放大电路中,若VB点电位过高,电路易出现( )。
A、截止失真;B、饱和失真;C、晶体管被烧损。
正确答案:B7.射极输出器的特点是()A、只有电流放大而没有电压放大,输出电阻小、输入电阻大B、只有电流放大而没有电压放大,输出电阻大、输入电阻小C、只有电压放大而没有电流放大,输出电阻小、输入电阻大D、既有电流放大也有电压放大,输出电阻小、输入电阻大正确答案:A8.分析集成运放的非线性应用电路时,不能使用的概念是( )。
A、虚短;B、虚地;C、虚断。
正确答案:A9.基极电流iB的数值较大时,易引起静态工作点Q接近( )。
A、饱和区B、死区C、截止区正确答案:A10.正弦电流经过二极管整流后的波形为()。
A、正弦半波;B、矩形方波;C、等腰三角波;D、仍为正弦波。
正确答案:A11.晶体三极管的集电极和发射极类型相同,因此可以互换使用。
()A、对 :B、错正确答案:B12.对于工作在放大区的晶体三极管而言,下列式子正确的是:A、I=βIbB、Ic=βIbC、Ie=βIb正确答案:B13.集成电路内部,各级之间的耦合方式通常采用 ( )A、直接耦合B、变压器耦合C、光电耦合D、阻容耦合正确答案:A14.具有输入、输出反相关系的小信号放大电路是 ( )A、共集电放大电路B、射极输出器C、共射放大电路D、共基放大电路正确答案:C15.共集电极放大电路的输入信号与输出信号,相位差为180°的反相关系。
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R C
R 15.9k
15.9k 0.01uF
C 0.01uF
Rf 10k
+ A1 vO1
Rp 6.8k
+12V
R1
10k
A2
+
-12V
vP2
R2 20k
R4
vO2 R5
1k
10k
R3
20k
DZ
VZ = 6V
(a)
+ vc -
C1 0.1uF
-
vO3
A3
+
vO1/V
9
6
3
0 -3
t/ms
-6
-9
vO2/V
Rb1 C1 + vi Rb2
VCC
Rc C2 +
T
vo Re
C3
a
Rb1 Rc
VCC C2
+
C1
T
vo +
vi
C3 Rb2
Re
b
Rb C1
+ vi
VCC
T
C2
+
Re
vo
c
C1
+ vi Rg
VDD
Rd
C2
+ T
vo
R C3
d
图2
三、(10 分)
差分式放大电路如图 3 a 和 b 所示。已知两电路的 T1 和 T2 完全相同。
(3)判断下列说法正确与否:
(A)当图 a 电路由 vO 双端输出且负载开路,图 b 电路由 T2 集电极 vO2 单端输出
且带 12k 负载时,图 a 电路的差模增益是图 b 的 4 倍 (
)
(B)图 b 电路的共模增益比图 a 的大
(
)
(C)图 b 电路抑制零点漂移的能力比图 a 的强 (
)
+VCC (+10V)
0
t/ms
vO3/V
0
t/ms
(b) 图7
八、(6 分) 小功率直流稳压电源如图 8 所示。 (1)图中共有两处错误,请指出错误之处,并改正之(可在图中改,也可用文字说明) (2)求输出电压 VO 的调节范围。
vI
Rc 12k
Rc 12k vO1
Vm
+
o
vI
Rb
vO2
vO
vO
T1 T2
2k
Rb
o
Re
2k
-VEE (-10V)
vO2
(a)
o
+VCC (+10V)
Rc
Rc 12k
vO2
12k
vO2 C
vI
Rb
2k
Rc3 10k
T3
T1 T2
RL 12k
o
Rb
vO2
Ic4
2k
T4
-VEE (-10V)
o
(b)
(2)求电路的通带增益。
R1 vi 1k
C1
+
C2 1F
- A1 R4
+
R2
- A1
vo
15k R3
1k (a)
20lg|A|/dB
0 101 102 103 104 105 106 107 108 (b)
图 6-3
rad/s
七、(13 分) 一波形产生电路如图 7 所示,设电路中 A1、A2、A3 均为理想运放。试回答下列问题: (1)虚线分隔的三部分电路各构成什么功能电路? (2)求 vO1 波形的频率和周期; (3)求 vP2 的电压值; (4)电路稳定工作后,从某一时刻开始观测电路中的波形。将观测时刻设为 t=0,若 该时刻电容器 C1 的初始电压值为 1.5V,方向如图 a 所示,且已知 vO1 的波形如图 b 所示, 试定量画出 vO2 和 vO3 的波形(提示:vO1、vO2 和 vO3 的周期相同)。
Rc 5.1k
vi
C1
+
Rb 9k
+VCC(+12V)
+ C2
+
T
RL 5.1k
vo
Re1
50
Re2
+
9k
Ce
-VEE(-12V) 图1
二、(14 分) 电路如图 2 所示,设 Rg >> Rb > Rb1 > R b2 > R c = R d > R e > R,在放大电路通带内各电容 均可看作短路。试简要回答下列问题: (1)4 个放大电路各是共什么电极的放大电路? (2)哪个电路的输入电阻最大?哪个电路的输入电阻最小?哪个电路的输出电阻最 小? (3)哪些电路的输入电压与输出电压是同相关系? (4)若 BJT 的参数完全相同,则图 a 和图 b 的频带宽度哪个更宽? (5)如果要从 4 个电路中选出 3 个构成一多级放大电路,要求能有效地放大微弱的电 压信号,且有较强的带负载能力,则输入级、中间级和输出级各应是哪个电路?
(3)引入反馈后,减小输出电阻,稳定输出电压的是哪个电路?
+VCC
VCC
R4
Rb1
Rc2
Rc3
C2
vi
+
vo
T2
+
A -
T
Rs +
T1 Re2
T3
RL vO
-
R1
R2 R3
vs
I0
C1 Re3
-VEE
Rf
(a)
(b)
图 4-1
2.(8 分)放大电路如图 4-2 所示,运放具有理想特性,Rf 为反馈电阻。 (1)为将输入电压 vI 转换为稳定的输出电流 iL,应引入何种组态(类型)的反馈?
图3
t
10Vm
t (A)
5Vm
t (B)
10Vm
(C)
t
10Vm
(D) t (c)
四、(18 分)
1.(10 分)反馈放大电路如图 4-1 所示,图中电容对信号而言均可视作短路。试分析
各电路中的级间交流反馈:
(1)分别判断各电路反馈的组态(类型)和极性;
(2)从负反馈对输入电阻影响的角度看,两电路哪个输入电阻大?
试卷六
试卷六(本科)
一、(13 分)
电路如图 1 所示,已知 β=100,VBE = 0.7V,图中电容对信号而言均可视作短路。试求:
(1)静态工作点(IB、IC、VCE);
(2)画出电路的小信号等效电路;
(3)通带(中频)电压增益 Av = vo / vi ;
(4)输入电阻 Ri 和输出电阻 Ro ;
(4)求放大电路通带内的输入电阻表达式。
R1
VCC=10V
C1
vi
+
vo1 C3
R1
A741
-
+
RL vo -
C2 R2
Rf
(a)
20lg|Av|
20lg|Av|
(b)
f
(c)
f
图 6-2
3.(4 分)一阶有源滤波电路如图 6-3 a 所示,设图中的集成运放均具有理想特性。
(1)若电路的幅频响应波特图如图 b 所示时,试确定 C1 和 R2 的值;
(2)通过 Rf 实现该反馈,试在图中画出相应的连线;
(3)要求 vI=0~5V 时,相应的 iL=0~10mA,试求反馈电阻 Rf 的大小。 +VCC
R2
R2
iL
RL
vI
R1
10k
R3 T3
+A T1 T2
R1 10k T4
T3
R4 1.5k
-VEE
Rf 图 4-2 五、(9 分) 图 5 所示电路中,设运放 A 具有理想特性,其最大输出电压为12.7V。T1、T2 管完全 对称,且|VBE|=0.7V。 (1)求电路的最大不失真输出功率 Pom 和输入电压 vI 的最大幅值; (2)若运放 A 的最大输出电流为 20mA,则要获得最大不失真输出功率,T1、T2 管的 至少应为多少? (3)vO 波形中是否存在明显的交越失真现象?
(1)设图 a 电路双端输出时的差模电压增益为 10 倍,共模增益很小可忽略不计。已知
vI 的波形如图 c 所示,而图 c 中 4 个输出波形只有一个是正确的,它是______波形。
(2)图 b 电路中静态电流 Ic4 约为________。(忽略 VBE)
(A)2mA (B)1mA (C)0.5mA (D)0
Rf
100k
+15V
R1 vI
10k
R2 9.1k
vO1
A
+
图7
T1 vO
T2 RL 10
15V
六、(17 分)
1.(5 分)仪用放大电路如图 6-1 所示,试求函数关系式 vo= f(v1- v2)。(设图中运放均
为理想运放)
v1
+
vO1 R3
R4
- A1
R2
R1
R2
-
vO
+ A3
-
R3
R4
v2
+ A2
vO2
图 6-1
2.(8 分)单电源供电的放大电路如图 6-2 所示,设电路中的反馈满足深度负反=0 时(静态),输出电压 vo1 和 vo 的值; (2)求通带增益表达式 Av= vo/vi(交流信号增益); (3)电压增益的幅频响应是图 b 形式还是图 c 形式?