cmos模拟集成电路设计_实验报告

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北京邮电大学

实验报告

实验题目:cmos模拟集成电路实验

*名:***

班级:2013211207

班内序号:19

学号:**********

指导老师:**

日期:2016 年 1 月16 日星期六

北京邮电大学电子工程学院2013211207班何明枢CMOS模拟集成电路与设计实验报告

目录

实验一:共源级放大器性能分析 (1)

一、实验目的 (1)

二、实验内容 (1)

三、实验结果 (1)

四、实验结果分析 (3)

实验二:差分放大器设计 (4)

一、实验目的 (4)

二、实验要求 (4)

三、实验原理 (4)

四、实验结果 (5)

五、思考题 (6)

实验三:电流源负载差分放大器设计 (7)

一、实验目的 (7)

二、实验内容 (7)

三、差分放大器的设计方法 (7)

四、实验原理 (7)

五、实验结果 (9)

六、实验分析 (10)

实验五:共源共栅电流镜设计 (11)

一、实验目的 (11)

二、实验题目及要求 (11)

三、实验内容 (11)

四、实验原理 (11)

五、实验结果 (15)

六、电路工作状态分析 (15)

实验六:两级运算放大器设计 (17)

一、实验目的 (17)

二、实验要求 (17)

三、实验内容 (17)

四、实验原理 (21)

五、实验结果 (23)

六、思考题 (24)

七、实验结果分析 (24)

实验总结与体会 (26)

一、实验中遇到的的问题 (26)

二、实验体会 (26)

三、对课程的一些建议 (27)

实验一:共源级放大器性能分析

一、实验目的

1、掌握synopsys软件启动和电路原理图(schematic)设计输入方法;

2、掌握使用synopsys电路仿真软件custom designer对原理图进行电路特性仿真;

3、输入共源级放大器电路并对其进行DC、AC分析,绘制曲线;

4、深入理解共源级放大器的工作原理以及mos管参数的改变对放大器性能的影响

二、实验内容

1、启动synopsys,建立库及Cellview文件。

2、输入共源级放大器电路图。

3、设置仿真环境。

4、仿真并查看仿真结果,绘制曲线。

三、实验结果

1、实验电路图

2、幅频特性曲线电阻为1k时

电阻为10k时

四、实验结果分析

1、器件参数:

NMOS管的宽长比为10,栅源之间所接电容1pF,电阻Rd=10K。

NMOS管的宽长比为10,栅源之间所接电容1pF,电阻Rd=10K。

2、实验结果:

输入交流电源电压为1.2V,所得增益为12dB。

由仿真结果有:gm=496u,R=10k,所以增益Av=496*10/1000=4、96=13、91 dB

可见,实际增益大于理论增益。

实验二:差分放大器设计

一、实验目的

1、掌握差分放大器的设计方法;

2、掌握差分放大器的调试与性能指标的测试方法。

二、实验要求

1、确定放大电路;

2、确定静态工作点Q;

3、确定电路其他参数;

4、手工计算场效应管的直流转移特性曲线,并将特性曲线描绘在方格纸上,在曲线上确定出MOS管的饱和区,确定输入电压、输出电压的范围;

5、电压放大倍数大于20dB,尽量增大GBW,设计差分放大器;

6、对所设计电路调试;

7、对电路性能指标进行测试仿真,并对测量结果进行验算和误差分析。

三、实验原理

平衡态下的小信号差动电压增益AV为:

β1= β2= β=μnCOX(W/L)

四、实验结果

1、电路图

2、幅频特性曲线

3、MOS管宽长比和电阻大小变化对应的放大倍数

改变W/L和栅极电阻,可以看到,R一定时,随着W/L增加,增益增加,W/L一定时,随着R的增加,增益也增加。但从仿真特性曲线我们可以知道,这会限制带宽,所以在增大沟道宽长比的时候,要注意带宽是否满足条件。随着W/L增大时,带宽会下降。为保证带宽,选取W/L=60,R=30k的情况下的数值,最终实现了带宽约为200MHz-300MHZ,可以符合系统的功能特性。

五、思考题

根据计算公式,为什么不能直接增大R实现放大倍数的增大?

答:若直接增加Rd,则Vd会增加,增加过程中会限制最大电压摆幅;

如果VDD—Vd=Vin—VTH,那MOS管处于线性区的边缘,此时仅允许非常小的输出电压摆幅。即电路不工作。此外,RD增大还会导致输出结点的时间常数更大。

实验三:电流源负载差分放大器设计

一、实验目的

1.掌握电流源负载差分放大器的设计方法;

2.掌握差分放大器的调试与性能指标的测试方法。

二、实验内容

1.设计差分放大器,电压放大倍数大于30dB;

2.对所涉及的电路进行设计、调试;

3.对电路性能指标进行测试仿真,并对测量结果进行验算和误差分析。

三、差分放大器的设计方法

1、确定放大电路(选择场效应管)

2、手工计算场效应管的直流转移特性曲线,并将特性曲线描绘在方格纸上,在曲线上确定出MOS管的饱和区,确定输入电压、输出电压的范围。

3、确定静态工作点Q。

4、确定电路中的其他参数。

5、调整静态工作点:可以修改场效应管的W。

四、实验原理

电流镜负载的差分对

传统运算放大器的输入级一般都采用电流镜负载的差分对。如上图所示。NMOS器件M1和M2作为差分对管,P沟道器件M4,M5组成电流源负载。电流0I提供差分放大器的工作电流。如果M4和M5相匹配,那么M1电流的大小就决定了M4电流的大小。这个电流将镜像到M5。

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