第2章半导体三极管及其放大电路资料
半导体三极管及其放大电路专题
解: 原则:先求UBE,若等于0.6-0.7V,为硅管;若等于0.2-0.3V,为锗管。
2
1
03 6 ICEO
截止条件:
100A 发射结反偏(或零偏),集电结反偏。
80A
60A 特点:
40A (1)三极管无电流放大作用,相当于一
20A 个断开的开关。uBE小于死区电压,发射结 IB=0 反偏。
9 12 UCE(V) (2)IB=0,IC不为0,IC=ICEO≈0。
截止区
ICEO叫穿透电流。
三极管的开关特性
• 三极管同二极管一样,也可以作为电 子开关器件,构成电子开关电路。当三极管 用于开关电路中时,三极管工作在截止区和 饱和区。如下表是三极管开关特性说明。
开关状态 三极管工作状态 内阻特性
解说
开关接通 饱和状态 开关断开 截止状态
集电极与 发射极间 内阻很小
集电极与 发射极间 内阻很大
二、三极管的电流放大作用
1。放大作用的内部条件:
发射区掺杂浓度最高 基区掺杂浓度最低且最薄
2. 放大作用的外部条件: 集电区面积最大
发射结正偏、集电结反偏
从电位的角度看:
C
NPN
发射结正偏 集电结反偏
发射结正偏 集电结反偏
VB>VE
VC>VB PNP
VB<VE VC<VB
N
B
P
第二章半导体三极管与分立元件放大电路
IC IB
IE(1)IB
三、三极管的电流放大作用
(1)三极管的电流放大作用就是基极电流IB的微小变化控 制了集电极电流IC较大的变化。
(2)三极管放大电流时,被放大的IC是由电源VCC提供 的,并不是三极管自身生成的,放大的实质是小信号对大信 号的控制作用。
(3)三极管是一种电流控制器件。
UB
Rb 2V CC Rb1 Rb2
若电路满足I1≥(5~10)IB,UB≥(5~10)UBE由上式可知, UB由Rb1、Rb2分压而定,与温度变化基本无关。
如果温度升高使IC增大,则IE增大,发射极电位UE=IERe升 高,结果使UBE=UB-UE减小,IB相应减小,从而限制了IC的增 大,使IC基本保持不变。上述稳定工作点的过程可表示为
这个值时,放大性能下降或损坏管子。
(2)反向击穿电压(Reverse breakdown voltage) U(BR)CBO : 发射极开路时,集电极-基极之间允许施加的最高 反向电压,超过此值,集电结发生反向击穿。 U(BR)EBO : 集电极开路时,发射极-基极之间允许施加的最高反 向电压。 U(BR)CEO:基极开路时,集电极与发射极之间所能承受的最高反 向电压。为可靠工作,使用时VCC取U(BR)CEO的1/2或2/3。在输出特 性曲线中,iB=0的曲线开始急剧上翘所对应的电压即为U(BR)CEO , 其值比U(BR)CBO小。T↑,U(BR)↓。
图(b)的电路,由于C1的隔断直流作用,VCC不能通过Rb 使管子的发射结正偏即发射结零偏,因此三极管不工作在放大 区,无放大作用。
2.2.4 共射基本电路的静态工作点
一般,三极管的UBE可视为已知量,硅管│UBE│取0.7V, 锗管│UBE│取0.2V,VCC>>UBE。
半导体三极管放大电路基础课件
§2.1 三极管工作原理 §2.2 共射极放大电路 §2.3 图解分析法 §2.4 微变等效电路分析法 §2.5 工作点稳定的放大电路 §2.6 共集电极放大电路和共基极放大电路
1
§2.1 三极管工作原理
BJT全称为双极型半导体三极管,内部有自由电子 和空穴两种载流子参与导电。种类很多:有硅管和锗管, 有高频管和低频管,有大、中、小功率管。
2
2.1.1 三极管的结构与符号:
NPN型 c 集电极
集电极
c PNP型
N
b
P
基极
N
P
B
N
基极
P
e
b c 发射极
e
几微米至 几十微米
e
发射极
c b
e
3
c 集电极
集电结
N
b
P
基极
N
发射结
e
发射极
4
集电区: 面积较大
b
基极
c
集电极
N P N
e
发射极
基区:较薄, 掺杂浓度低
发射区:掺 杂浓度较高
5
2.1.2 三极管放大的工作原理
0.061mA
I B 50 0.061mA 3.05m Icmax
Ic Icmax 2mA
Q 位于饱和区,此时IC 和IB 已不是 倍的关系。
二、共基极连接时的V-I特性曲线
IB
A
RE
V UEB
IC
mA R
C
V UCB EC
EE
实验线路
26
1、输入特性:
UCB=5V
8
UCB =1V
=(ICN+ICBO)+(IBN+IEP-ICBO) IE =IC+IB
电子技术课件第二章三极管及基本放大电路
2.三极管的主要参数
(1)直流参数 反映三极管在直流状态下的特性。
直流电流放大系数hFE 用于表征管子IC与IB的分配比例。
漏电电流。ICBO大的三极管工作的稳定性较差。
集—基反向饱和电流ICBO 它是指三极管发射极开路时,流过集电结的反向
ICBO测量电路
ICEO测量电路
加上一定电压时的集电极电流。ICEO是ICBO的(1+β)倍,所以它受温度影响不可忽视。
性。 A——PNP锗材料,B——NPN锗材料, C——PNP硅材料,D——NPN硅材料。
三极管型号的读识 3 A G 54 A
规格号
第三部分是用拼音字母表示管子的类型。
X——低频小功率管,G ——高频小功率管, D——低频大功率管,A ——高频大功率管。
三极管 NP锗材料 高频小功率 序号
第四部分用数字表示器件的序号。 第五部分用拼音字母表示规格号。
饱和区 当VCE小于VBE时,三极管的发
四、三极管器件手册的使用
三极管的类型非常多,从晶体管手册可以查找到三极管的型号,主要用途、主 要参数和器件外形等,这些技术资料是正确使用三极管的依据。
1.三极管型号
国产三极管的型号由五部分组成。
第一部分是数字“3”,表示三极管。 第二部分是用拼音字母表示管子的材料和极
一、放大电路静态工作点不稳定的原因
(1)温度影响 (2)电源电压波动 (3)元件参数改变
二、分压式偏置放大电路 1.电路组成
Rb1是上偏置电阻,Rb2是下偏置电阻。电源电压经Rb1、Rb2串联分压后为三极 管提供基极电压VBQ。Re起到稳定静态电流的作用,Ce是Re的交流信号旁路电容。
分压式偏置放大电路
放大电路的电压和电流波形
第2章半导体三极管及其放大电路
2.1.7 特殊三极管简介
三、光电三极管与光电耦合器 应用举例: (1)光电检测与控制电路
2020/4/23
2.1.7 特殊三极管简介
(2)光电耦合器脉冲放大电路
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2.2 放大电路的基本工作原理
• 2.2.1 概述 • 2.2.2 放大电路的组成原理 • 2.2.3 直流通路和交流通路
2.输入电阻
输入电阻反映了放大电路的从信号 源中吸取信号的能力,常用Ri表示。 定义为:从放大电路输入端看向输 出端,放大电路的等效电阻。
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2.2.1概述
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Ri
ui ii
2.2.1概述
3.输出电阻
输出电阻反映了放大电路的携带负载 的能力,常用Ro表示。 定义为:从放大电路输出端看向输 入端,放大电路的等效电阻。
若考虑集电结反向饱和电流ICBO的影响,各 极电流关系为: IC=(1+ β )ICBO=ICEO (称 为集电结穿透电流),则:
IC=IB+(1+ β )ICBO=IB+ICEO
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2.1.3 三极管的电流分配关系 和电流放大作用
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ICEO的形成
2.1.3 三极管的电流分配关系 和电流放大作用
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2.1.5 三极管的主要参数
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2.1.5 三极管的主要参数
四、温度对三极管参数的影响
(1)对ICBO的影响 T↑→ ICBO ↑
(2)对β的影响 T↑→ β ↑
(3)对发射结导通电压UBE的影响 T↑→ UBE↓
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2.1.6 三极管的命名与检测
三极管及其放大电路
第2章 半导体三极管及其基本放大电路
2.1.3 .BJT的特性曲线
BJT的特性曲线是指各电极电压与电流之间 的关系曲线,它是BJT内部载流子运动的外部 表现。
工程上最常用的是BJT的输入特性和输出特 性曲线。
第2章 半导体三极管及其基本放大电路
以共射放大电路为例:
输入特性:iBf vBEvCE 常 数 输出特性: iCf vCEiB常数
第2章 半导体三极管及其基本放大电路
输出特性曲线可以划分为三个区域: 饱和区——iC受vCE控制的区域,该区域内vCE的 数值较小。此时Je正偏,Jc正偏
iC /mA
25℃
=80μA =60μA =40μA
=20μA
vCE /V
第2章 半导体三极管及其基本放大电路
饱和区——iC受vCE显著控制的区域,该区域内vCE的数值较 小。此时Je正偏,Jc正偏。
电压增益2= 0lgAV dB 电流增益2= 0lgAI dB
由于功率与电压(或电流)的平方成比例, 因此功率增益表示为:
功率增益=10lgAP
【 AP
Po 】 Pi
第2章 半导体三极管及其基本放大电路
2.2.2
+
VS
-
R
=
i
Vi I i
输入电阻Ri
I i
Io
+
+
Rs Vi
放大电路 Ri (放大器)
2.3 共射基本放大电路
共射基本放大电路组成
放大的外部条件
输入回 路
输出回 路
两个回路 正确的直流偏置
ui为小信号 ui和VBB串接 RB为基极偏置电阻
RC为集电极偏置电
阻
第2章 半导体三极管及其基本放大电路
第2章--半导体三极管及放大电路基础讲解
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2.2 场效应晶体管
3.结型场效应管的特性曲线(以N沟通结型场效应管为例) (1) 转移特性曲线据这个函数关系可得出它的特性曲线如图所示。
2.2 场效应晶体管
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(2) 输出特性曲线。 与三极管类似,输出特性曲线也为一簇曲线,如图所示。 可变电阻区(相当于三极管的饱和区) 恒流区(也称饱和区)(相当于三极管的放大区) 夹断区(相当于三极管的截止区)
可变电阻区
恒流区
截止区
i
(V)
(mA)
D
DS
u
GS
=6V
u
u
=5V
GS
=4V
u
GS
u
=3V
GS
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2.3 基本交流电压放大电路
2.3.1 共射基本放大电路的组成
下一页
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图所示是一个典型的共射基本放大电路。电路中各元件的作用如下所述: (1)三极管T。它是放大电路的核心器件,具有放大电流的作用 (2)基极偏流电阻RB。其作用是向三极管的基极提供合适的偏置电流,并使发射结正向偏置。
2.1.3 半导体三极管的特性曲线
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IB(A)
UBE(V)
20
40
60
80
0.4
0.8
UCE1V
1.输入特性 输入特性是指在三极管集电极与发射极之间的电压UCE为一定值时,基极电流IB同基极与发射极之间的电压UBE的关系,即
2.1 半导体三极管
2. 输出特性 输出特性是指在基极电流为一定值时,三极管集电极电流IC同集电极与发射极之间的电压UCE的关系。即 在不同的IB下,可得出不同的曲线.所以二极管的输出特性曲线是一组曲线,
第二章半导体三极管及其放大电路1资料
2.1 三极管的结构、符号及分类 2.1.1 三极管的结构与符号 2.1.2 三极管的分类 2.1.3 三极管的外部结构
2.2 三极管的电流分配与放大作用 2.2.1 载流子的运动及各电极电流的形成 2.2.2 电流放大作用 2.2.3 电流分配关系的测试
第2章 半导体三极管
2.3 三极管的特性曲线 2.3.1 输入特性曲线 2.3.2 输出特性曲线
2.2.3 电流分配关系的测试
➢测试电路
三极管的三种接法:共射极、共集电极和共基极
动画演示
三极管的三种电路
共发射极三极管各电极电流分配关系的测试电路
三极管电流分配关系的测试电路
➢测试数据
调RP,可测得IB、IC、IE,数据如表
IB/mA IC/mA IE/mA
-0.004
0
0.01
0.02
0.03
2.4 三极管的主要参数及温度的影响 2.4.1 主要参数 2.4.2 温度对三极管的特性与参数的影响
2.5 特殊三极管简介 2.5.1 光电三极管 2.5.2 光电耦合器
第2章 半导体三极管
本章重点 • 半导体三极管的基本结构 • 三极管的电流分配与放大作用 • 三极管实现放大作用的内部及外部条件 • 三极管的基本特性 本章难点 • 在放大区三极管具有基极电流控制集电极电流的特性 • 三极管的开关特性 • 用万用表判断三极管的类型、管脚及三极管质量的好坏
e IE
区的边缘。
动画演示
(3)因为集电结 反偏,收集扩散到
c IC
集电区边缘的电子,
I I CBO CN
N
形成电流ICN 。
RC
IB
P
另外,集电结区
第2章半导体三极管及其放大电路分解
半导体三极管及其放大电路
c
集电区
基区
N
b
P
发射区
N
e NPN型
集电结 发射结
集电区 基区 b
发射区
(a)
c
P N P e PNP型
集电结 发射结
c b
V
半导体三极管及其放大电路
c
b V
e NPN型
e PNP型
(b)
图2.1 (a)结构示意图;(b)电路符号
半导体三极管及其放大电路
无论是NPN型管还是PNP型管,它们内部均含有三 个区:发射区、基区、集电区。从三个区各引出一个金 属电极分别称为发射极(e)、基极(b)和集电极 (c);同时在三个区的两个交界处形成两个PN结,发射 区与基区之间形成的PN结称为发射结,集电区与基区之 间形成的PN结称为集电结。三极管的电路符号如图2.1 (b)所示,符号中的箭头方向表示发射结正向偏置时的 电流方向。
IB
O
UBE2 UBE1
uBE
(a)
半导体三极管及其放大电路
iC
200 A
IC ′
150 A
IC
100 A
50 A
0
O
uCE
(b)
图2.9
(a)温度对输入特性的影响;(b)温度对输出特性的影响
半导体三极管及其放大电路
2)温度对ICBO 三极管输出特性曲线随温度升高将向上移动 。 3)温度对β 温度升高,输出特性各条曲线之间的间隔增大。
I I I I I I ,
C
CN
CBO B
BN
CBO
I I (1 )
C
CBO
当ICBO可以忽略时,上式可简化为
第2章-半导体三极管及其放大电路
1)
如图8.9所示,+UCC经电阻Rb为发射结提供正偏电 压,经电阻Rc为集电结提供反偏电压。
半导体三极管及其放大电路
+UCC
Rc
Rb
ICQ
IBQ
+
+
UCEQ
-
UBEQ -
IEQ
图8.9 固定偏置式直流电路
半导体三极管及其放大电路
2)
U U I R BQ
CC
BEQ
b
I I
有放大倍数、输入电阻ri和输出电阻ro。
半导体三极管及其放大电路
1. 电压放大倍数的定义为
Au
uo ui
电流放大倍数的定义为
Ai
io ii
2.输入电阻ri
(8. 19) (8. 20)
如图2.27所示,放大电路的输入端可以用一个等 效交流电阻ri来表示,它定义为
ii
ui ii
(8. 21)
半导体三极管及其放大电路
定
Re
图8.10 分压偏置式直流电路
2) 3) Q
半导体三极管及其放大电路
R
b2
U U BQ
CC
R R b1
b2
U U I R EQ
BQ
BE
E
I I
CQ
EQ
I CQ I BQ
U U I R R ( )
CEQ
CC
CQ
c
e
(8.11)
(8.12)
(8.13) (8.14 (8.15)
半导体三极管及其放大电路
半导体三极管及其放大电路
R
L
RC
//
RL
RC
R C AL
第二章半导体三极管及放大电路
(2)输出特性曲线 iC=f(uCE) iB=const
现以iB=60uA一条加以说明。
(1)当uCE=0 V时,因集电极无收集作用,iC=0。
(2) uCE ↑ → Ic ↑ 。
i C(mA)
IB =100uA IB =80uA
(3) 当uCE >1V后, 收集电子的能力足够强。 这时,发射到基区的电 子都被集电极收集,形 成iC。所以uCE再增加, iC基本保持不变。 同理,可作出iB=其他值的曲线。
3dB带宽 fL 下限截 止频率 上限截 fH 止频率 f
通频带: fbw=fH–fL
2.4 单管共射放大电路的工作原理
一.三极管的放大原理
三极管工作在放大区: 发射结正偏, 集电结反偏。
IC +△IC I B +△IB T
+ +
+△UCE UCE
+
放大原理:
Rb VBB
ui →△UBE→△IB
UBE+△ UBE -
IC IB
i = C i B
△ iC
2.3 1.5
△ iB
IB =60uA IB =40uA IB =20uA IB=0 uCE (V)
I C 2.3mA 38 I B 60A
iC (2.3 1.5)mA = 40 iB (60- 40)A
(2)共基极电流放大系数:
放大区——
放大区
IB =100uA IB =80uA IB =60uA IB =40uA IB =20uA IB=0 uCE (V)
曲线基本平行等 距。 此时,发 射结正偏,集电 结反偏。 该区中有:
IC=IB
截止区
四. BJT的主要参数
半导体三极管及其放大电路
2024/7/16
17
2.2.1 共射基本放大电路的组成及工作原理
1.组成
偏置电路VCC 、Rb 提供电源,并使三极管 工作在线性区。
耦合电容C1 、
为双极型晶体三极管(简称BJT)
很小的基极电流IB,就可以控制较大的集电极电流IC,实现了放大作用
2024/7/16
10
2.三极管的电流放大作用
从前面的分析知道,从发射区发射到基区的电子(形 成IE),只有很小一部分在基区复合(形成IBN),大部分 到达集电区(形成ICN)。当一个三极管制造出来,其内 部的电流分配关系,即ICN和IBN的比值已大致被确定,这 个比值称为共发射极直流电流放大系数 :
(3)U(BR)CEO— 反向击穿电压
基极开路,集—射极之间的 击穿电压。
IC ICM
ICEOO
安
全 PCM
工
作
区U(BR)CEOuCE
三极管的极限损耗区
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2.2 共发射极放大电路
半导体三极管的主要用途之一是利用其电流放大作用 组成各种放大电路。
放大电路的应用十分广泛,其主要作用是将微弱的信 号进行放大,以便人们测量和利用。所谓放大,表面 上看是将小信号的幅度由小增大,但放大的本质是实 现能量的控制。
直流分量一般就是静态值,而所谓放大, 只考虑其中的交流分量。
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22
(1) 三极管简化微变等效电路
c
Ic
+
b
+
ube
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第二章半导体三极管及其放大电路模拟电子技术基础一、半导体三极管1、三极管的结构及符号三极管结构上的特点:含有两个背靠背的PN结,发射区掺杂浓度高,基区很薄且掺杂浓度低,集电结面积大等。
这些特点是三极管具有电流放大作用的内部条件。
NPN型三极管a)结构示意图 b)图形符号PNP型三极管a)结构示意图 b)图形符号NPN 型三极管2、三极管中的电流分配和放大作用可变电阻R B调节基极电流IB0 0.02 0.04 0.06 0.08 0.10<0.001 0.70 1.50 2.30 3.10 3.95<0.001 0.72 1.54 2.36 3.18 4.05由此实验及测量结果可得出如下结论: I E =I C +I B 当I B =0(将基极开路)时,I C =I CEO ,表中I CEO <1μA (0.001mA )。
I CEO 称为穿透电流β===--=∆∆40020800040060501302......B C I I 537040501...==B C I I β===338060302...B C I I I B0 0.02 0.04 0.06 0.08 0.10 I C<0.001 0.70 1.50 2.30 3.10 3.95 I E <0.001 0.72 1.54 2.36 3.18 4.05直流电流放大系数 交流电流放大系数 ×模拟电子技术基础习题电流放大系数 :I C≈βI B通过控制基极电流I B的大小,能实现对集电极电流IC 的控制,所以常把三极管称为电流控制器件。
CI β箭头方向表示发射结加正向电压时的电流方向电流方向和各极极性a)NPN型三极管 b)PNP型三极管三极管电流分配3、三极管的特性曲线三极管输入特性曲线 常数==CE BE B U U f I )(BE u B i O 0CE =u V u CE 1≥0.1V~0.2V。
在正常工作时,发射结电压变化不大,NPN型硅管约为0.6V~0.7V,对于PNP 型锗管约为(-0.2V)~(-0.3V)。
三极管输出特性曲线 常数==B CE C I U f I )(三个工作区域:放大区、截止区、饱和区开关特性 数字电路模拟电路发射结和集电结都处于正向偏置 发射结零偏或反偏,截止时集电结也处于反向偏置 发射结正偏,集电结反偏 一次击穿模拟电子技术基础习题4、三极管的主要参数 ●共射直流放大倍数β(h FE ) ●共射交流电流放大倍数β(h fe ) ● I CBO 为发射极开路时,集电极和基极间的反向饱和电流 ● I CEO 为基极开路时,由集电区穿过基区流入发射区的穿透电流 ●集电极最大允许电流I CM●集-射反向击穿电压U (BR )CEO●射-基反向击穿电压U (BR )EBO 极限参数 ●集电极最大允许功耗P CM●温度对参数的影响 : T ℃↑→U BE ↓→I CBO ↑→β ↑B C I I =βB C I I ∆∆=βββ≈电流关系式⎪⎪⎭⎪⎪⎬⎫+=++=+=-=+=B B CEO B E B C E B CEO C CEO B C I I I I I I I I I I I I I I )()(1ββββC I βββ5、三极管的选择要点二、共射基本放大电路输入输出三极管放大电路的三种组态a)共基极电路 b)共发射极电路 c)共集电极电路1、放大电路的组成共射极放大电路 利用电流放大能力来实现电压放大提供工作电压,向负载输出功率 决定静态基极电流I BQ将三极管的电流放大作用转换成电压放大通交隔直通交隔直· 参考零电位又称公共参考端电流波形图a)直流电流 b)交流电流瞬时值 c)电流瞬时值i B =I B +i bI b —基极的正弦交流电流有效值2、放大电路的工作原理静态工作点估算(静态是当放大电路没有输入信号时 的工作状态 )放大电路直流通路 C CQ CC CEQ BQCQ B BEQ CC BQ R I V U I I R U V I -==-=β 使用公式的条件是三极管工作在放大区 I RB =I BQ V CC =U BEQ +I RB ·R B =U BEQ +I BQ ·R B× ×如U CEQ 值小于1V ,说明三极管已处于或接近饱和状态,I CQ 将不再与I BQ 成β倍关系, 此时,I CQ 被R C 限流,称为饱和电流I CS 。
基极饱和电流I BS 如果I BQ >I BS ,则表明三极管 已进入饱和状态。
饱和电压U CES ( 硅管0.3V , 锗管0.1V ) C CC C CES CC CS R V R U V I ≈-=C CC CS BS R V I I ββ==〔例2-1〕 已知V CC =12V ,R C =3KΩ,R B =300KΩ三极管为3DG100,β=50,试求(1)放大电路的静态值;(2)如果偏置电阻R B 由300KΩ减至120KΩ,三极管的工作状态有何变化? 解: 区电路处于三极管的放大CC CES CEQ BSB CC BQC CQ CC CEQ BQ CQ BS BQ C CC CSBSBCC BQ U U I R V I R I V U I I I I A R V I I A R V I ≈=>≈=≈=⨯-=-==⨯==∴<≈⨯===≈=≈ V 3.0μA 10012012)2(V 62312mA 204.05080350124030012)1(βμββμ3、 放大电路的图解分析法BBEQCC BQ R U V I -=U CEQ =V CC -I CQ R CBBQ CC BEQ R I V U -=图2-12 图解法求静态工作点静态工作点的确定输入回路负载线直流负载线动态工作情况分析图2-13 图解法求放大电路中各点的电流电压波形放大原理放大电路功能:将微小的输入信号放大成较大的输出信号共射放大电路的工作图解 a )放大电路图b) 电流电压波形u i →u be →i b →i c → u ce →u o静态工作点与非线性失真通常对放大电路的有一个基本要求是输出信号尽可能不失真。
所谓失真,是指输出波形与输入信号的波形各点不成比例。
引起失真最主要的原因是静态工作点位置选择不当,使放大电路的工作范围超出了三极管特性曲线上的线性范围。
这种失真称为非线性失真。
放大电路的非线性失真1.由三极管特性曲线非线性引起的失真三极管特性的非线性引起的失真i BI BOQu ii b( a ) 因输入特性弯曲引起的失真 u BE i Ci cI CQQU CEQu ceU CCu CEOi b( b ) 输出曲线簇上疏下密引起的失真i CI CQi cQOU CEQu ceU CC u CEi b( c ) 输出曲线簇上密下疏引起的失真直流负载线U CEQ =V CC –I CQ R C··工作点不合适引起的失真静态工作点不合适产生的非线性失真QQ交流负载线i Ct Oi C i Bu CE u CEt交流负载线i C i Ci BO t u CE u CEO(a ) 截止失真(b ) 饱和失真tI CQ i CO Ou CEU CEQI CQi Cu CEU CEQO静态工作点对输出波形失真的影响a)输入电压 b)I CQ1工作点过低,三极管有截止失真c)I CQ2工作点最佳,有较大动态范围 d)I CQ3工作点过高,三极管有饱和失真U CEQ 小--饱和失真 U CEQ =V CC -I CQ ·R C tu COCtOCU CEQ 大--截止失真模拟电子技术基础习题3、放大电路参数的工程估算动态分析是在静态值确定后分析信号的传输情况,考虑的。
微变等效电路法是动态分析的基本方法。
三极管的微变等效模型放大电路的微变等效电路,就是把非线性元件三极管所组成的放大电路,也就是把三极管线性化。
线性化的条件:这才能在静态工作点附近的小范围内用直线近似地代替三极管的非线性特性曲线。
三极管输入端等效电阻R be低频小功率三极管的输入电阻估算:式中I EQ 是发射极电流的静态值R be 一般为几百欧到几千欧0B BE be ===∆∆=ce b beCE u i u u I U R 常数0===∆∆=ce b be CE B BE be u i u u I U R 常数)(mA I三极管的输出特性曲线三极管的输出电路可用一等效受控的电流源i c =βi b 代替。
由于三极管输出电阻 较大,所以看作理想电流源。
0==∆∆=ceCE u u b i c i B i C i =常数βc ce ce I U R ∆∆=微变等效三极管等效电路模型共射放大电路a)交流通路 b)微变等效电路放大电路动态指标的估算 电压放大倍数微变等效电路 u A i o u U U A .=be L be L C be b L C C u R R R R R R I R R I A ')//()//(ββ-=-=-=输入电阻放大电路的输入电阻a) 输入电阻和输出电阻的等效电路i i i I UR R i =R B //R be输出电阻R O放大电路的输出电阻是将信号源置零(令U S =0,但保留内阻R s)和负载开路,从放大器输出端看进去的一个电阻 o≈R c放大电路的输出电阻a) 输入电阻和输出电阻的等效电路 b) 输出电阻的求法实验方法求放大器的输出电阻 O L L OO O R R R U U +'=L OOO O R U U R )'(1-=〔例2-2〕 放大电路如图,三极管的β=45, 求A u 、R i 和R O 值。
解: Ω==Ω≈+⨯==-=+⨯-=-=Ω≈Ω=+=≈=≈K R R K R R R R R A I mV R A R V I C O B i L u BQB CC BQ 8.6115101510//1538.68.68.68.645'1000950263004051020be be be βμ教材 P45 2-10三 、 静态工作点稳定及分压式射极偏置电路分压偏置放大电路 T ℃↑→U BE ↓→I CBO ↑→β ↑ 分压式偏置电路 R E 射极直流负反馈电阻 C E 交流旁路电容I 2=(5~10)I B∴I 1≈ I 2B V R R 2BBE B R R T ℃↑→I CQ ↑ → I EQ ↑ →U E ↑→UBE ↓→ I BQ ↓ →I CQ ↓⎪⎪⎪⎩⎪⎪⎪⎨⎧+-≈--=+=-=)()1(E C EQ CC E EQ C CQ CC CEQ EQ BQ E BEQ BQ EQ R R I V R I R I V U I I R U V I β静态工作点计算动态计算(有C E )⎪⎪⎪⎪⎩⎪⎪⎪⎪⎨⎧=====''-==C O be B B be B i iibe C L be L i ou R R R R R R R I U R R R R R R U U A //////)//21 ( β时的微变等效电路图2-23 分压式射极偏电路无CE若信号源内阻 R S ,则微变等效电路上图所示,根据定义:u is i i o s i s o s u A R R R U U U U U U A +===分压式射极偏置电路Electronics Workbench 演示模拟电子技术基础习题四、其它组态放大电路1 、共集电路-射极输出器共集电路a)放大电路 b)交流通路 c)微变等效电路射极输出器的特点: 静态工作点稳定I CQ =βI BQEBQ BEQ B BQ CC R I U R I V )(β+++=1E B BEQ CC BQ R R U V I )(β++-=1ECQ CC CEQ R I V U -≈。