三极管原理全总结
三极管的工作原理
三极管的工作原理引言概述：三极管是一种重要的电子元件，广泛应用于各种电子设备中。
它的工作原理是基于PN结的导电性能和控制电流的特性。
本文将详细介绍三极管的工作原理，匡助读者更好地理解这一电子元件的运作机制。
一、PN结的形成1.1 PN结的概念：PN结是由P型半导体和N型半导体直接接触形成的结构。
1.2 PN结的电性：PN结的两侧形成电场，使得P区和N区的电子和空穴在结附近被吸引，形成电势垒。
1.3 PN结的导电性：当PN结处于正向偏置时，电子从N区向P区挪移，空穴从P区向N区挪移，导致PN结导通。
二、三极管的结构2.1 三极管的构造：三极管由三个掺杂不同的半导体层组成，分别是发射极、基极和集电极。
2.2 三极管的符号表示：三极管的符号表示为一个箭头指向基极，箭头指向基极的一侧是发射极，另一侧是集电极。
2.3 三极管的工作方式：三极管通过控制基极电流来控制集电极和发射极之间的电流。
三、三极管的工作原理3.1 放大作用：当基极电流增加时，集电极和发射极之间的电流也增加，实现信号的放大。
3.2 开关作用：三极管可以被用作开关，当基极电流为零时，三极管处于截止状态，不导通；当基极电流增加时，三极管处于饱和状态，导通。
3.3 稳压作用：三极管可以用作稳压器，通过控制基极电流来实现对电路中电压的稳定。
四、三极管的应用领域4.1 放大器：三极管广泛应用于放大电路中，如音频放大器、射频放大器等。
4.2 开关：三极管可用作开关，控制电路的通断，如数字电路、计算机内部电路等。
4.3 稳压器：三极管可以用作稳压器，保护电路中的其他元件不受过高电压的影响。
五、三极管的发展趋势5.1 集成化：随着技术的不断进步，三极管正向着微型化、集成化的方向发展，以适应电子设备的小型化趋势。
5.2 高频化：三极管的工作频率不断提高，适合于更高频率的应用领域，如通信领域。
5.3 多功能化：未来的三极管可能会具有更多的功能，不仅可以实现放大、开关、稳压等功能，还可能具有更多的应用场景。
三极管工作原理图
三极管工作原理图一、引言三极管是一种重要的电子元件，广泛应用于各种电子设备中。
本文将详细介绍三极管的工作原理图及其相关知识。
二、三极管的基本结构三极管由三个掺杂不同的半导体材料构成，分别是发射极（Emitter）、基极（Base）和集电极（Collector）。
发射极和集电极之间存在一个PN结，基极和发射极之间也存在一个PN结。
三极管的工作原理图如下所示：（图1：三极管工作原理图）三、三极管的工作原理1. 放大作用：当基极-发射极之间的电压（Vbe）大于0.7V时，PN结会被正向偏置，此时三极管进入放大区。
在这种情况下，发射极-集电极之间的电压（Vce）大于0.2V，三极管处于饱和状态。
此时，小信号输入到基极，经过放大作用后输出到集电极，实现信号的放大。
2. 开关作用：当基极-发射极之间的电压（Vbe）小于0.7V时，PN结处于截止状态，三极管处于关闭状态。
此时，发射极-集电极之间的电压（Vce）可以取任意值。
当Vce大于0.2V时，三极管处于饱和状态，相当于开关闭合；当Vce小于0.2V时，三极管处于截止状态，相当于开关断开。
三极管的放大作用和开关作用使其在各种电子设备中得到广泛应用。
四、三极管的参数1. 最大耗散功率（PD）：表示三极管能够承受的最大功率，通常以瓦特（W）为单位。
2. 最大集电极电流（ICmax）：表示三极管能够承受的最大集电极电流，通常以安培（A）为单位。
3. 最大集电极-发射极电压（VCEmax）：表示三极管能够承受的最大集电极-发射极电压，通常以伏特（V）为单位。
4. 最大基极-发射极电压（VBEmax）：表示三极管能够承受的最大基极-发射极电压，通常以伏特（V）为单位。
五、三极管的应用1. 放大器：三极管可以将输入信号放大，并输出到负载电路中，常用于音频放大器、射频放大器等电子设备中。
2. 开关：三极管可以实现开关功能，常用于电源开关、机电驱动等场合。
3. 振荡器：三极管可以作为振荡器的关键元件，用于产生高频信号。
三极管原理全总结
三极管原理全总结三极管是一种深具影响力的半导体电子器件，广泛应用于电子电路中的放大、开关和稳压等功能。
下面是对三极管原理的全面总结：一、三极管的基本结构三极管由三个掺杂不同材料的半导体层片组成，分别是发射区、基区和集电区。
发射区和集电区分别是n型和p型半导体，基区是p型半导体。
发射区和集电区之间通过基区相互连接。
二、三极管的工作原理1.放大作用：当输入信号施加在三极管的基极上时，如果正相输入，即基极向正偏压施加，会使得基区内的少数载流子浓度增加，这样会缩小基区的电阻，使得大量的电子从发射极注入到基区中，即电流通过三极管的基极。
2.输出作用：当三极管的发射极和集电极之间施加正向电压时，集电极上会有较大的电压和电流输出，且集电电流与发射电流间存在放大比例。
三、三极管的工作模式1.放大模式：当发射极到基极的电压为正时，三极管处于放大工作模式。
此时，基极电压和基极电流间的关系为非线性关系，输出电流的变化可配合输入信号进行放大。
2.饱和模式：当发射极到基极的电压为负且发射电流很小时，三极管处于饱和工作模式。
此时，输出电流取决于输入电流，而与输出电压无关。
3.截止模式：当发射极到基极的电压为负且发射电流为零时，三极管处于截止工作模式。
此时，输出电流和输出电压均为零。
四、三极管动态特性1.转输特性：描述了三极管的输入电流和输出电流之间的关系，即输出电流与输入电流之间的比例。
2.频率特性：三极管的频率响应以及对不同频率信号的放大程度。
三极管的频率特性随着频率的增大而降低，一般需要根据需要选择合适的三极管型号。
3.非线性失真：三极管在放大信号时，存在一定程度上的非线性失真。
当输入信号的幅度过大时，输出信号的波形可能会失真。
4.温度特性：三极管的性能受温度的影响较大。
一般情况下，温度越高，三极管的放大能力越差。
五、三极管的应用1.放大器：三极管的放大功能使其广泛应用于各种放大器电路中，如音频放大器、功率放大器等。
2.开关：通过控制输入信号的使能，利用三极管的饱和和截止特性，实现信号转换和开关操作。
npn三极管工作原理
npn三极管工作原理一、引言npn三极管是一种广泛使用的电子元件，它具有放大、开关等多种功能。
本文将详细介绍npn三极管的工作原理。
二、npn三极管结构npn三极管由三个掺杂不同类型的半导体材料组成：P型半导体（基区）、N型半导体（发射区）和P型半导体（集电区）。
这种结构使得npn三极管具有两个PN结：发射结和集电结，以及一个PNP结：基结。
三、npn三极管的工作原理当正向偏置发射结时，N型半导体中的自由电子会向前扩散，而P型半导体中的空穴会向后扩散。
这些自由电子和空穴会在基区相遇并重新组合，形成少数载流子。
这些少数载流子会通过集电区到达外部电路，从而形成集电电流IC。
当正向偏置基结时，基区中的空穴会向前扩散，而N型半导体中的自由电子会向后扩散。
这些空穴和自由电子会在发射区相遇并重新组合，形成少数载流子。
这些少数载流子会通过发射区到达外部电路，从而形成发射电流IE。
当集电极与发射极之间的电压为零或负时，npn三极管处于截止状态。
此时，发射区中的自由电子和空穴不会重新组合，也就不会形成少数载流子。
因此，集电区没有电流流过去。
当集电极与发射极之间的电压为正时，npn三极管处于放大状态。
此时，由于正向偏置基结和发射结，少数载流子会产生，并通过集电区到达外部电路。
这些少数载流子可以被放大并控制。
四、npn三极管的特性1. 放大特性：npn三极管可以将小信号放大成较大信号。
2. 开关特性：npn三极管可以用作开关，在截止状态和饱和状态之间切换。
3. 稳定性：npn三极管具有较好的温度稳定性和工作点稳定性。
五、应用领域npn三极管广泛应用于各种电子设备中，如放大器、振荡器、开关等。
同时，在数字逻辑门、计算机存储器等领域也有广泛应用。
六、总结本文详细介绍了npn三极管的结构、工作原理、特性和应用领域。
npn三极管是一种重要的电子元件，对于电子工程师来说，掌握其工作原理和应用十分必要。
三极管工作原理及详解
三极管工作原理及详解三极管是一种半导体器件，也被称为双极型晶体管。
它是由三个不同掺杂的半导体材料（P型、N型和P型）构成的。
三极管主要有三个区域，分别是发射区（Emitter）、基极区（Base）和集电区（Collector）。
三极管的工作原理是基于PN结和两个PN结之间的正偏压。
在三极管中，发射区被正向偏置，基极区与发射区之间的PN结是正向偏置的，而基极区与集电区之间的PN结是反向偏置的。
在正向偏置下，发射区和基极之间形成强烈的电子流。
三极管的工作原理可以通过以下过程来解释：1.关闭状态：当没有外部电压时，三极管处于关闭状态。
这时，发射区和基极之间的PN结是反向偏置的，导致电子无法通过这个结。
同时，基极区和集电区之间的PN结也是反向偏置的，阻止电流通过结。
2.开通状态：当在发射区和基极之间施加一定的正偏压时，发射区与基极之间的PN结将变得导电。
这时，电子从N区进入P区，然后重新组合成空穴进入基极区。
由于基极区非常薄，电子容易通过这个区域，这导致电子流从发射区进入基极区。
3.放大状态：在开通状态下，当电子进入基极区时，它们在基极区中会重新复合成空穴。
然而，由于基极区非常薄，复合的速度非常慢。
因此，大部分电子通过基极区，进入集电区而没有复合。
这样，发射区的电子流被放大，从而实现电流的放大功能。
总结起来，三极管的工作原理可以归结为以下三个步骤：1）施加正向偏压，使发射区和基极之间的PN结导电；2）电子从发射区进入基极区；3）电子在基极区中重新组合成空穴，并通过集电区。
除了电流放大功能之外，三极管还有其他重要的应用。
例如，它可以用于开关电路、放大电路和振荡电路。
在开关电路中，三极管可以用来控制开关的打开和关闭。
在放大电路中，三极管可以利用小信号输入来放大电流或电压。
在振荡电路中，三极管可以通过反馈来产生振荡信号。
总而言之，三极管是一种基本的半导体器件，其工作原理基于PN结和正向偏压的使用。
通过电子的流动和复合，三极管可以实现电流的放大和控制，从而为电子器件带来许多应用。
PNPNPN三极管原理讲解
PNPNPN三极管原理讲解PNP和NPN三极管是常用的半导体器件，广泛用于电子电路中。
它们基于不同的材料和结构，具有不同的工作原理和特性。
下面将详细讲解PNP和NPN三极管的工作原理。
首先，我们来了解PNP三极管的原理。
PNP三极管是由两个p型半导体夹一个n型半导体组成的。
在基区的两侧有两个异性材料组成的发射区和集电区。
PNP三极管的工作原理是基于两个二极管的特性。
具体来说，PNP三极管的工作原理如下：1. 当外加正向电压(VBE)施加在发射极和基极之间时，基区的pn结为正向偏置，使得n型电子从基区注入进发射区，同时与p型空穴结合。
这种注入使得发射极具有较大的电流增益。
2.当集电极和发射极之间施加正向电压(VCB)时，集电极结为正向偏置，从而吸引来自发射极的电子和空穴向集电极移动。
这样，整个三极管可以承受较大的集电电流。
3. 当基极与发射极之间没有电压(VBE=0V)时，发射区与集电区的pn 结为反向偏置，从而阻止电子和空穴的注入。
根据以上工作原理，PNP三极管可以作为开关或放大器来工作。
作为开关时，通过控制基极电压可以控制集电极电流的开关状态。
作为放大器时，输入信号施加在基极上，通过电流放大效应将输出信号放大到更高的电流或电压级别。
接下来，我们来了解NPN三极管的原理。
NPN三极管是由两个n型半导体夹一个p型半导体组成的。
在基区的两侧有两个异性材料组成的发射区和集电区。
NPN三极管的工作原理也是基于两个二极管的特性。
具体来说，NPN三极管的工作原理如下：1. 当外加正向电压(VBE)施加在发射极和基极之间时，基区的pn结为正向偏置，使得p型空穴从基区注入进发射区，同时与n型电子结合。
这种注入使得发射极具有较大的电流增益。
2.当集电极和发射极之间施加正向电压(VCB)时，集电极结为正向偏置，从而吸引来自发射极的电子和空穴向集电极移动。
这样，整个三极管可以承受较大的集电电流。
3. 当基极与发射极之间没有电压(VBE=0V)时，发射区与集电区的pn 结为反向偏置，从而阻止电子和空穴的注入。
三极管 场效应管 工作原理小总结
三极管场效应管工作原理小总结
] 三极管属于流控器件，即Ib控制放大Ic，
场效应管属于压控器件，即Ugs控制Id。
二者都有三个工作区域，即截止区，恒流区和可变电阻区。
Ib小于开启电流时，Ic不受控，Rce很大，Ic很小，器件工作于截止区
Ugs小于开启电压的时候，Id不受控，Rds很大，Id很小，器件工作于截止区
Ib大于开启电流的时候，Uce从0开始增加，Ic随着Uce增加而线性增加，管子工作在可变电阻区，
即工作在饱和导通状态。
当Uce增大到一定程度，管子内部电流阻力增加，Uce的增量部分只能用于克服管子内部电
流阻力，
电流再也不能增加，器件工作在恒流区,即工作在放大区，也就是此时Ic和Uce无关，只是正比于Ib。
场效应管类似，只不过Id受控于Ugs。
场效应管分为：J型场效应管和MOS场效应管，
J型场效应管属于耗尽型场效应管，Ugs=0时候，导电沟道最大，一般情况N型J型场效应管工作时，
Ugs<0,常采用自给偏压。
耗尽型MOS管子和J型类似，不过工作时，Ugs可以大于，等于，或者小于0。
增强型MOS管的特性曲线和三极管类似.。
三极管原理全总结
———————————————————————————————— 作者：
———————————————————————————————— 日期：
ﻩ
１、三极管的正偏与反偏:给PN结加的电压和ＰN结的允许电流方向一致的叫正偏，否则就是反偏。即当P区（阳极)电位高于N区电位时就是正偏，反之就是反偏。例如NＰN型三极管,位于放大区时，Ｕc＞Uｂ集电极反偏，Uｂ>Ｕe发射极正偏。总之，当ｐ型半导体一边接正极、n型半导体一边接负极时,则为正偏,反之为反偏。
截止区:Ub＜=Ｕce且Uce>Ube
放大区:Ube>Uｏn且UCE>=Ube,即Uｃ>Ub＞Ｕe。
饱和区:Uｂｅ＞Uoｎ且Uce<Ubｅ
NＰN型三极管导通时（饱和状态)ce间电压约为０．3V，ＰNP型三极管饱和导通条件Ve>Vb,Vc>Vb,eｃ间电压也约等于０.３V。ＮPN型三极管截止时只需发射极反偏即可，ＰNP型三极管与NPN型三极管截止条件相同。
(3)截止区:发射结反偏，集电结反偏。由于两个PＮ结都反偏,使三极管的电流很小,Iｂ≈0,Ic≈0，而管压降Ucｅ却很大。这时的三极管c、e极相当于开路。可以看成是一个开关的断开。
3、三极管三种工作区的电压测量
如何判断电路中的一个NPN硅晶体管处于饱和，放大,截止状态?用电压表测基极与射极间的电压Ube。
共射极电路的电流放大系数为β,共基极电路的电流放大倍数为α。α的值小于1但接近于1,而β的值则远大于１(通常在几十到几百的范围内)，所以Ic>>Ib。由于这个缘故，共射极电路不但能得到电压放大,还可得到电流放大,致使共射极电路是目前应用最广泛的一种组态。
4、三极管用于开关电路的原理
三极管的结构原理
三极管的结构原理三极管是一种常用的电子元件，其结构由三个不同掺杂的半导体材料层叠而成。
三极管的结构原理决定了它在电子设备中广泛应用的能力。
发射区是三极管的最薄区域，通常是由N型半导体材料制成。
这个区域具有高浓度的杂质原子，称为施主原子。
正因为这种高浓度的施主原子，发射区具有较高的电子浓度。
当在发射结（PN结）的一侧提供正电压时，施主原子释放出电子，这些电子随即冲出发射区，流向集电区。
基区是三极管的控制区域，通常是由P型半导体材料制成。
这个区域的掺杂浓度相对较低。
当在发射结的另一侧提供反向偏置电压时，基区变成一个非导电的区域。
然而，当在基极施加足够的正向电压时，截流作用会被抵消，从而使电流通过基极到达发射结。
集电区是三极管的电流输出区域，通常也是由P型半导体材料制成。
这个区域的掺杂浓度比基区高得多，因此具有更大的空穴浓度。
当电子从发射区进入集电区时，它们与空穴重组，从而形成一个电流。
简而言之，三极管的结构原理可以总结为以下几点：1.发射区的高施主原子浓度使之具有较高的电子浓度；2.基区的低掺杂浓度使之成为一个非导电区域，只有在施加正向电压时才能导电；3.集电区的高掺杂浓度使之具有较高的空穴浓度，便于电流通过。
在开关电路中，三极管可以控制电路的开关状态。
当施加足够的正向电压时，电流可以通过三极管，从而使电路闭合。
相反，当施加反向电压时，电流无法通过三极管，从而将电路分开。
这使得三极管在逻辑电路和计算机系统中广泛应用。
除了以上基本原理外，三极管还具有其他特性，如共发射极、共基极和共集电极等。
这些特性使得三极管能够在不同的电路和应用中灵活运用。
例如，共发射极三极管（NPN三极管）常用于放大电路，而共集电极三极管（PNP三极管）常用于开关电路。
综上所述，三极管的结构原理是其能够放大信号和控制电路的关键。
通过控制发射区和基区之间的电流，三极管可以实现电子设备中许多重要的功能。
因此，对于理解和应用电子技术来说，三极管的结构原理是非常重要的。
三极管原理全总结
1、三极管的正偏与反偏：给PN结加的电压和PN结的允许电流方向一致的叫正偏，否则就是反偏。
即当P区（阳极）电位高于N区电位时就是正偏，反之就是反偏。
例如NPN型三极管，位于放大区时，Uc>Ub集电极反偏，Ub>Ue发射极正偏。
总之，当p型半导体一边接正极、n型半导体一边接负极时，则为正偏，反之为反偏。
NPN和PNP主要是电流方向和电压正负不同。
NPN是用B—E的电流（IB）控制C—E的电流（IC），E极电位最低，且正常放大时通常C极电位最高，即VC>VB>VE。
PNP是用E—B的电流（IB）控制E—C的电流（IC），E极电位最高，且正常放大时通常C极电位最低，即VC<VB<VE。
2、三极管的三种工作状态：放大、饱和、截止（1）放大区：发射结正偏，集电结反偏。
对于NPN管来说，发射极正偏即基极电压Ub>发射极电压Ue，集电结反偏就是集电极电压Uc>基极电压Ub。
放大条件：NPN管：Uc>Ub>Ue；PNP管：Ue>Ub>Uc。
（2）饱和区：发射结正偏、集电结正偏--BE、CE两PN结均正偏。
即饱和导通条件：NPN管：Ub>Ue,Ub>Uc，PNP型管：Ue>Ub,Uc>Ub。
饱合状态的特征是：三极管的电流Ib、Ic 都很大，但管压降Uce 却很小，Uce≈0。
这时三极管的c、e 极相当于短路，可看成是一个开关的闭合。
饱和压降，一般在估算小功率管时，对硅管可取0.3V，对锗管取0.1V。
此时的，iC几乎仅决定于Ib，而与Uce无关，表现出Ib对Ic的控制作用。
（3）截止区：发射结反偏，集电结反偏。
由于两个PN 结都反偏，使三极管的电流很小，Ib≈0，Ic≈0，而管压降Uce 却很大。
这时的三极管c、e 极相当于开路。
可以看成是一个开关的断开。
3、三极管三种工作区的电压测量如何判断电路中的一个NPN硅晶体管处于饱和,放大,截止状态？用电压表测基极与射极间的电压Ube。
三极管工作原理全总结
三极管工作原理全总结三极管（又称晶体管）是一种电子器件，由n型和p型半导体材料构成，常用于放大电路、开关电路和逻辑电路中。
三极管主要由三个区域组成：发射区（Emitter）、基区（Base）和集电区（Collector）。
发射区和集电区分别为n型半导体，而基区为p型半导体。
其中，发射区和基区之间的结为发射结，基区和集电区之间的结为集电结。
三极管的工作原理涉及到两个重要的区域：正向活性区和反向截止区。
1. 正向活性区：当发射结正向偏置时，即正极连接到发射区，负极连接到基区，发射结就会处于正向偏置。
此时，半导体中的电子会从发射区注入到基区，而空穴会从基区流入发射区。
在基区与发射区之间，电子和空穴重新结合，形成电子空穴对。
这些电子空穴对的数量与电流成正比。
即发射区中的电流由负向正流动。
2. 反向截止区：当集电结反向偏置时，即正极连接到集电区，负极连接到基区，集电结就会处于反向偏置。
此时，基区与集电区之间形成一个反向电场，阻碍电子和空穴的移动。
电子无法通过集电结流入集电区，而空穴也无法从集电区流入基区。
此时，集电区中的电流基本上为零。
三极管的工作可以通过控制基区的电流来实现。
当基区的电流较小时，发射区注入的电子数量有限，因此集电区中的电流较小。
当基区的电流增加时，发射区注入的电子数量也增加，进而导致集电区中的电流增加。
总结起来，三极管的工作原理是利用正向偏置使电流从发射区注入基区，从而控制集电区中的电流。
基区电流的变化可以线性地放大集电区电流。
这样，三极管可以用作放大器，将弱信号放大为较大的信号。
同时，三极管还可以用作开关。
当基区的电流很小，接近零时，三极管处于截止状态，集电区的电流非常小。
当基区的电流增加到一定程度，三极管会进入饱和状态，集电区的电流会迅速增大。
因此，三极管可以通过控制基区的电流来控制开关电路的通断。
此外，三极管还可以用作逻辑电路。
通过控制输入电压，可以控制三极管的开关状态，从而实现逻辑运算。
关于三极管工作的原理总结(汇总11篇)
1、电流放大三极管的作用之一就是电流放大，这也是其最基本的作用。
以共发射极接法为例，一旦由基极输入一个微小的电流，在集电极输出的电流大小便是输入电流的β倍，β被叫做三极管的电流放大系数。
将输入的微弱信号扩大β倍后输出，这便是三极管的电流放大作用。
2、用作开关三极管的作用之二就是用作开关。
三极管在饱和导通时，其CE极间电压很小，低于PN 结导通电压，CE极间相当于短路，“开关”呈现开的状态;三极管在截止状态时，其CE 极间电流很小，相当于断路，“开关”呈现关的状态。
因此可完成开关的功能，且其开关速度极快，控制灵敏，且不产生电火花。
3、扩流三极管的作用之三就是扩流作用，在某些情况下，可扩大电流限值或电容容量等。
比如：将小功率可控硅与大功率三级管相结合，可以得到大功率可控硅，扩大了最大输出电流值;在长延时电路中，三极管可完成扩大电容容量的作用。
4、代换三极管的作用之四就是代换作用，在一定情况下与某些电子元器件相结合可代换其它器件，完成相应功能。
比如：两只三极管串联可代换调光台灯中的双向触发二极管;在某些电路中，三极管可以代换8V的稳压管，代换30V的稳压管等等。
关于三极管工作的原理总结第2篇三极管由两个PN结构成，e–b间的PN结叫发射结，c–b间的PN结叫集电结，b是两个PN结的公共电极。
三极管导电方向由发射结的方向来决定。
三极管有从发射极流入和从发射极流出两种导电形式。
为了区别这两种形式，规定箭头从e极指向b极的三极管表示PNP型。
三极管图形符号如图所示，它有三个引脚电极，用三根短线表示，分别叫发射极e、基极b、集电极c。
发射结上并联有一个电阻。
这表示生产三极管时，也同时制造了一个电阻器，故称为带阻三极管。
上图d所示的图形符号，表示在生产三极管时，也同时制造了一个反方向的二极管，常称为带阻尼三极管。
三极管的输入特性，具体描述了三极管输入电流Ib随输入电压Ube变化的关系。
既可通过测量认识，也可通过分析特性曲线了解。
三极管原理全总结
1、三极管的正偏与反偏：给PN结加的电压和PN结的允许电流方向一致的叫正偏，否则就是反偏。
即当P区（阳极）电位高于N区电位时就是正偏，反之就是反偏。
例如NPN型三极管，位于放大区时，Uc>Ub集电极反偏，Ub>Ue发射极正偏。
总之，当p型半导体一边接正极、n型半导体一边接负极时，则为正偏，反之为反偏。
NPN和PNP主要是电流方向和电压正负不同。
NPN是用B—E的电流（IB）控制C—E的电流（IC），E极电位最低，且正常放大时通常C极电位最高，即VC>VB>VE。
PNP是用E—B的电流（IB）控制E—C的电流（IC），E极电位最高，且正常放大时通常C极电位最低，即VC<VB<VE。
2、三极管的三种工作状态：放大、饱和、截止（1）放大区：发射结正偏，集电结反偏。
对于NPN管来说，发射极正偏即基极电压Ub>发射极电压Ue，集电结反偏就是集电极电压Uc>基极电压Ub。
放大条件：NPN管：Uc>Ub>Ue；PNP管：Ue>Ub>Uc。
（2）饱和区：发射结正偏、集电结正偏--BE、CE两PN结均正偏。
即饱和导通条件：NPN管：Ub>Ue,Ub>Uc，PNP型管：Ue>Ub,Uc>Ub。
饱合状态的特征是：三极管的电流Ib、Ic 都很大，但管压降Uce 却很小，Uce≈0。
这时三极管的c、e 极相当于短路，可看成是一个开关的闭合。
饱和压降，一般在估算小功率管时，对硅管可取，对锗管取。
此时的，iC几乎仅决定于Ib，而与Uce无关，表现出Ib对Ic的控制作用。
（3）截止区：发射结反偏，集电结反偏。
由于两个PN 结都反偏，使三极管的电流很小，Ib≈0，Ic≈0，而管压降Uce 却很大。
这时的三极管c、e 极相当于开路。
可以看成是一个开关的断开。
3、三极管三种工作区的电压测量如何判断电路中的一个NPN硅晶体管处于饱和,放大,截止状态？用电压表测基极与射极间的电压Ube。
PNPNPN三极管原理讲解
PNPNPN三极管原理讲解三极管是一种半导体器件，由于它具有放大和开关功能，被广泛应用于电子电路中。
三极管的三个引脚分别是基极（B）、发射极（E）和集电极（C）。
三极管的工作原理可以理解为基于两个PN结的相互作用。
PNPN结构由两个P型半导体和两个N型半导体组成。
其中，NPN三极管的结构是基层为P型半导体，两侧为N型半导体；而PNP三极管的结构则是基层为N型半导体，两侧为P型半导体。
NPN三极管的工作原理如下：1.当没有外部电压作用时，三极管处于截止状态。
此时，基极与发射极之间的PN结是反向偏置的，而集电极与基极之间的PN结是正向偏置的。
反向偏置的PN结会形成一个阻隔，阻止电流的流动。
2.当在基极-发射极之间施加一个正向电压时（通常称为输入信号），会使得PN结正向偏置，使得电流开始流动。
这个时候，发射极释放出的电子会穿越到基极，而基极则会将这些电子射向集电极。
3.当基极电压增大时，将会导致发射极电流的增加。
此时，由于基极电流比较小，可以忽略发射极电流对基极电流的影响。
从而可以近似地认为发射极电流等于基极电流。
4.当集电极与发射极之间施加一个电压时，将会使得集电极电流增加。
此时，由于基极-发射极之间的电流缩小，会导致基极电流减小，从而进一步减小发射极电流。
这种现象叫做集电极反馈效应。
5.当基极电流逐渐增大时，发射极电流也逐渐增大。
而当基极电流降低时，发射极电流也会减小。
因此，三极管可以实现放大功能。
PNP三极管的工作原理与NPN三极管相似，只是PN结的正向电流和反向电流的方向相反。
总结起来，三极管的工作原理可以归纳为：1.基极电流的变化直接影响发射极电流。
2.变化的发射极电流进一步影响集电极电流。
根据不同的工作状态，三极管可以用作放大器和开关。
在放大器模式下，三极管可以放大电压或电流信号，用于音频放大、射频放大等应用。
在开关模式下，可以通过控制输入信号开关三极管的导通与截止，用于数字电路中的逻辑门、计数器等应用。
三极管的工作原理
三极管的工作原理引言概述：三极管是一种常用的电子元件，广泛应用于电子电路中。
它是一种半导体器件，具有放大、开关和稳压等功能。
三极管的工作原理是通过控制输入信号的电流来控制输出信号的电流，实现信号的放大和控制。
本文将详细介绍三极管的工作原理。
一、三极管的基本结构1.1 发射极：发射极是三极管的输入端，用来输入控制信号。
1.2 基极：基极是三极管的控制端，通过控制基极电流来控制输出电流。
1.3 集电极：集电极是三极管的输出端，输出经过放大或控制后的电流。
二、三极管的工作原理2.1 放大作用：当基极电流变化时，会引起集电极电流的变化，实现信号的放大。
2.2 开关作用：通过控制基极电流的大小，可以使三极管处于导通或截止状态，实现开关功能。
2.3 稳压作用：三极管在一定电压范围内可以稳定输出电压，实现稳压功能。
三、三极管的工作状态3.1 放大区：当基极电流较小时，三极管处于放大区，信号可以被放大。
3.2 饱和区：当基极电流增大到一定程度时，三极管会进入饱和区，此时集电极电流达到最大值。
3.3 截止区：当基极电流为零时，三极管处于截止区，集电极电流为零。
四、三极管的工作特性4.1 饱和电流：三极管进入饱和区时的最大集电极电流。
4.2 截止电流：三极管处于截止区时的最小集电极电流。
4.3 放大倍数：三极管放大输入信号的倍数。
五、三极管的应用领域5.1 放大器：三极管广泛应用于各种放大电路中，如音频放大器、射频放大器等。
5.2 开关电路：三极管可以实现开关功能，用于控制电路的通断。
5.3 稳压器：三极管可以用作稳压器，提供稳定的电压输出。
总结：通过以上介绍，我们可以看到三极管作为一种重要的半导体器件，具有多种功能和应用。
了解三极管的工作原理有助于我们更好地理解电子电路的工作原理，提高电路设计和维修的能力。
希望本文对读者有所帮助。
详解npn三极管的原理和应用
详解npn三极管的原理和应用一、npn三极管的原理npn三极管（NPN Transistor，NPN: Negative-Positive-Negative）是一种常见的双极型晶体管，属于半导体器件的一种。
它由两个P型半导体夹一个N型半导体构成。
以下是npn三极管的工作原理：1.基本结构：npn三极管由Emitter（发射极）、Base（基极）和Collector（集电极）三个区域组成。
NPN的发射极是N型半导体，Base是P 型半导体，Collector是N型半导体。
2.工作原理：当正向偏置电压(VBE)施加在Base和Emitter之间时，电流开始流动，因为N型发射极区域的多数载流子向P型基区域移动。
这被称为发射级。
当Collecto极施加一个正向电压(VCE)时，集电极区域的大多数载流子也向基区域移动。
这个区域称为集电级。
3.放大特性：npn三极管是一种放大器，输入电流的改变可以通过控制输出电流来放大。
这种放大效应是由于发射级和集电级之间的关系产生的。
二、npn三极管的应用npn三极管有很多应用，包括以下几个方面：1. 放大器npn三极管可以作为电流放大器，将小信号放大到更大的电流。
通过调节输入电流，可以控制输出电流的放大倍数。
这使得npn三极管可以在许多电子设备中用作声音放大器、电视和无线通信设备等。
2. 开关由于npn三极管具有电流放大特性，它也可以用作开关。
当基极-发射极间的电压(VBE)达到一定的阈值时，三极管会打开，导通电流。
当电压低于阈值时，三极管关闭，断开电流。
这使得npn三极管能够在数字电路中用作开关，实现许多逻辑电路。
3. 震荡器npn三极管可以构成震荡器，用于产生特定频率的振荡信号。
这种振荡器常用于无线电和通信设备中。
4. 温度传感器由于npn三极管的输入电流和输出电流之间有温度相关的特性，故npn三极管可以用作温度传感器。
温度变化会导致npn三极管的电流变化，通过测量这种变化可以获得温度信息。
npn三极管工作原理
npn三极管工作原理一、什么是npn三极管？npn三极管是一种常用的电子器件，属于双极型晶体管的一种。
它由三个掺杂不同类型的半导体材料层叠而成，包括一片P型半导体作为基底，上面分别涂覆一层N 型半导体和一层P型半导体。
npn三极管具有二极管的所有特性，同时还可以进行放大和开关控制等功能。
二、npn三极管的结构npn三极管的结构由三个掺杂不同类型的半导体层叠而成，下面是npn三极管的具体结构：1.P型半导体（基底）：位于最底层的是P型半导体，它具有正向导电性质。
2.N型半导体（发射极）：涂覆在P型半导体上面的是N型半导体，它具有负向导电性质。
3.P型半导体（集电极）：在N型半导体上又涂覆了一层P型半导体，这是npn三极管中的最上层。
三、npn三极管的工作原理npn三极管主要通过控制发射极和基底之间的电流变化来实现信号放大和开关控制功能。
下面是npn三极管的工作原理的详细解释：1.没有输入信号时：在没有输入信号时，三极管的发射极和基底之间的电流非常小，可以忽略不计。
这时，发射极和集电极之间的电流也非常小，三极管处于截止状态。
2.正向偏置时：当向三极管的基极施加正向偏置电压时，通过基极和发射极之间的结，会使电流从发射极注入到基极，然后通过基极和集电极之间的结流出。
这时，三极管处于放大状态。
3.反向偏置时：当向三极管的基极施加反向偏置电压时，发射极和基极之间的结变得更加耗尽，电流几乎不再流动。
这时，三极管处于截止状态。
四、npn三极管的应用npn三极管由于其小尺寸、低功耗和高可靠性等特点，广泛应用于各种电子设备中。
以下是npn三极管的一些主要应用：1.放大器：npn三极管可以放大小信号，并将其转化为较大的信号输出，常用于音频放大、射频放大等电路中。
2.开关：npn三极管可以控制大电流的开关，常用于数字电路、计算机电路和高频开关电路等。
3.检波器：npn三极管可以将交流信号转换为直流信号，常用于无线电接收机和调频接收机中。
三极管放大电压的原理
三极管放大电压的原理引言：三极管是一种常用的电子元件，广泛应用于各种电子设备中。
它可以实现信号的放大，尤其是电压信号的放大。
本文将详细介绍三极管放大电压的原理。
一、三极管的基本结构和工作原理三极管由三个区域组成，分别是发射极（Emitter）、基极（Base）和集电极（Collector）。
基极和发射极之间的结为PN结，基极和集电极之间的结为PN结。
三极管的工作原理是基于PN结的二极管特性得到的。
当发射极-基极结正向偏置时，就可以流动电流。
此时，基极发射极之间的电压（Vbe）是大于0的，而集电极与发射极之间的电压（Vce）是大于0的。
二、三极管的放大原理三极管的放大主要是利用它的增益特性。
增益是指输出量相对于输入量的比值。
在放大电压的过程中，我们通常将三极管分为共射极放大器、共基极放大器和共集极放大器三种模式来简化分析。
1. 共射极放大器共射极放大器的输入端连接在基极，输出端连接在集电极。
它的电压增益较高，可以达到几十甚至几百倍。
在共射极放大器中，输入信号的电压通过Vbe叠加到输出端的电流上。
输出电流经过集电极电阻的放大，最终转化为输出电压。
2. 共基极放大器共基极放大器的输入端连接在发射极，输出端连接在集电极。
它克服了共射极放大器的频率响应问题，具有更高的频率响应。
在共基极放大器中，输入信号的电压通过基极-发射极电容的作用，直接放大到集电极端。
这种放大方式更直接，信号放大倍数较大。
3. 共集极放大器共集极放大器的输入端连接在基极，输出端连接在发射极。
它的特点是输入电压和输出电压处于共地电位，具有优良的隔离效果。
在共集极放大器中，输入信号的电压通过基极-发射极结的作用，通过发射极到集电极，再由集电极输出。
这种放大方式是以电流放大为主。
三、三极管放大电压的原理三极管放大电压的原理主要是通过控制基极-发射极之间的电流，来调节输出电压的大小。
在一个三极管放大电压的电路中，我们需要使用电源提供电压。
这个电源通常是正向连接到集电极，而负向连接到发射极。
三极管的工作原理
三极管的工作原理一、引言三极管是一种重要的电子元件，广泛应用于电子电路中。
了解三极管的工作原理对于理解电子电路的基本原理和设计电路具有重要意义。
本文将详细介绍三极管的工作原理。
二、三极管的基本结构三极管由三个掺杂不同类型的半导体材料组成，分别是发射极（Emitter）、基极（Base）和集电极（Collector）。
发射极和集电极之间通过基极控制电流的流动。
三极管通常有两种类型：NPN型和PNP型。
NPN型中，发射极和基极为N型材料，集电极为P型材料。
PNP型中，发射极和基极为P型材料，集电极为N型材料。
三、三极管的工作原理1. NPN型三极管工作原理：当发射极与基极之间施加正向电压，即发射极为正极，基极为负极，形成正向偏置。
此时，发射极和基极之间会形成一个很小的电流，称为基极电流（IB）。
这个电流会使得发射极和集电极之间形成一个更大的电流，称为集电极电流（IC）。
三极管的放大作用就是将小的基极电流放大成大的集电极电流。
2. PNP型三极管工作原理：PNP型三极管的工作原理与NPN型相反。
当基极与发射极之间施加正向电压，形成正向偏置。
此时，发射极和基极之间会形成一个很小的电流，称为基极电流（IB）。
这个电流会使得集电极和发射极之间形成一个更大的电流，称为集电极电流（IC）。
四、三极管的工作模式三极管有三种工作模式：放大模式、截止模式和饱和模式。
1. 放大模式：当三极管处于放大模式时，基极电流（IB）的变化会导致集电极电流（IC）的放大。
在这种模式下，三极管可以作为放大器使用，将输入信号放大到更大的幅度。
2. 截止模式：当三极管处于截止模式时，基极电流（IB）非常小，接近于零。
此时，集电极电流（IC）也非常小，接近于零。
三极管处于截止模式时，相当于开路状态，不会传导电流。
3. 饱和模式：当三极管处于饱和模式时，基极电流（IB）的变化会导致集电极电流（IC）接近最大值。
在这种模式下，三极管可以作为开关使用，将输入信号转换为输出信号。
- 1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性，平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
- 2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
- 3、如文档侵犯您的权益，请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间：9:00-18:30)。
1、三极管的正偏与反偏：给PN结加的电压和PN结的允许电流方向一致的叫正偏，否则就是反偏。
即当P区（阳极）电位高于N区电位时就是正偏，反之就是反偏。
例如NPN型三极管，位于放大区时，Uc>Ub集电极反偏，Ub>Ue发射极正偏。
总之，当p型半导体一边接正极、n型半导体一边接负极时，则为正偏，反之为反偏。
NPN和PNP主要是电流方向和电压正负不同。
NPN是用B—E的电流（IB）控制C—E的电流（IC），E极电位最低，且正常放大时通常C极电位最高，即VC>VB>VE。
PNP是用E—B的电流（IB）控制E—C的电流（IC），E极电位最高，且正常放大时通常C极电位最低，即VC<VB<VE。
2、三极管的三种工作状态：放大、饱和、截止（1）放大区：发射结正偏，集电结反偏。
对于NPN管来说，发射极正偏即基极电压Ub>发射极电压Ue，集电结反偏就是集电极电压Uc>基极电压Ub。
放大条件：NPN管：Uc>Ub>Ue；PNP管：Ue>Ub>Uc。
（2）饱和区：发射结正偏、集电结正偏--BE、CE两PN结均正偏。
即饱和导通条件：NPN管：Ub>Ue,Ub>Uc，PNP型管：Ue>Ub,Uc>Ub。
饱合状态的特征是：三极管的电流Ib、Ic 都很大，但管压降Uce 却很小，Uce≈0。
这时三极管的c、e 极相当于短路，可看成是一个开关的闭合。
饱和压降，一般在估算小功率管时，对硅管可取0.3V，对锗管取0.1V。
此时的，iC几乎仅决定于Ib，而与Uce无关，表现出Ib对Ic的控制作用。
（3）截止区：发射结反偏，集电结反偏。
由于两个PN 结都反偏，使三极管的电流很小，Ib≈0，Ic≈0，而管压降Uce 却很大。
这时的三极管c、e 极相当于开路。
可以看成是一个开关的断开。
3、三极管三种工作区的电压测量如何判断电路中的一个NPN硅晶体管处于饱和,放大,截止状态？用电压表测基极与射极间的电压Ube。
饱和状态 eb有正偏压约0.65V左右,ce电压接近0V.放大状态 eb有正偏压约0.6V,ce电压大于0.6V小于电源电压.截止状态 eb电压低于0.6V,ce电压等于或接近电源.在实际工作中，可用测量BJT各极间电压来判断它的工作状态。
NPN型硅管的典型数据是：饱和状态Ube=0.7V，Uce=0.3V；放大区Ube=0.7V；截止区Ube=0V。
这是对可靠截止而言，实际上当Ube<0.5V时，即已进入截止状态。
对于PNP管，其电压符号应当相反。
截止区：就是三极管在工作时，集电极电流始终为0。
此时，集电极与发射极间电压接近电源电压。
对于NPN型硅三极管来说，当Ube在0～0.5V 之间时，Ib很小，无论Ib怎样变化，Ic都为0。
此时，三极管的内阻（Rce）很大，三极管截止。
当在维修过程中，测得Ube低于0.5V或Uce接近电源电压时，就可知道三极管处在截止状态。
放大区：当Ube在0.5～0.7V 之间时，Ube的微小变化就能引起Ib的较大变化，Ib随Ube基本呈线性变化，从而引起Ic的较大变化（Ic=βIb）。
这时三极管处于放大状态，集电极与发射极间电阻（Rce）随Ube可变。
当在维修过程中，测得Ube在0.5～0.7V之间时，就可知道三极管处在放大状态。
饱和区：当三极管的基极电流（Ib）达到某一值后，三极管的基极电流无论怎样变化，集电极电流都不再增大，一直处于最大值，这时三极管就处于饱和状态。
三极管的饱和状态是以三极管集电极电流来表示的，但测量三极管的电流很不方便，可以通过测量三极管的电压Ube及Uce来判断三极管是否进入饱和状态。
当Ube略大于0.7V后，无论Ube怎样变化，三极管的Ic将不能再增大。
此时三极管内阻（Rce）很小，Uce低于0.1V，这种状态称为饱和。
三极管在饱和时的Uce 称为饱和压降。
当在维修过程中测量到Ube在0.7V 左右、而Uce低于0.1V 时，就可知道三极管处在饱和状态。
截止区：Ub<=Uce且Uce>Ube放大区：Ube>Uon且UCE>=Ube，即Uc>Ub>Ue。
饱和区：Ube>Uon且Uce<UbeNPN型三极管导通时（饱和状态）ce间电压约为0.3V，PNP型三极管饱和导通条件Ve>Vb,Vc>Vb，ec间电压也约等于0.3V。
NPN型三极管截止时只需发射极反偏即可，PNP型三极管与NPN型三极管截止条件相同。
4、三极管用于开关电路的原理两个PN结都导通，三极管导通，这时三极管处于饱和状态，即开关电路的“开”状态，这时CE极间电压小于BE极间电压。
两个PN结均反偏，即为开关电路的“关”状态，三极管截止。
5.三极管构成放大器有三种电路连接方式共射极放大器，发射极为公共端，基极为输入端，集电极为输出端。
共集极放大器，集电极为公共端，基极为输入端，发射极为输出端。
共基极放大器，基极为公共端，发射极为输入端，集电极为输出端。
6、PNP管和NPN管的用法a.如果输入一个高电平，而输出需要一个低电平时，首选择NPN。
b.如果输入一个低电平，而输出需要一个低电平时，首选择PNP。
c.如果输入一个低电平，而输出需要一个高电平时，首选择NPN。
d.如果输入一个高电平，而输出需要一个高电平时，首选择PNP。
NPN基极高电压，极电极与发射极短路(导通).低电压，极电极与发射极开路.也就是不工作。
PNP基极高电压,极电极与发射极开路，也就是不工作。
如果基极加低电位，集电极与发射极短路（导通）。
7、晶体三极管是一种电流控制元件。
在实际使用中常常利用三极管的电流放大作用，通过电阻(在三极管的集电极与电源之间接一个电阻)转变为电压放大作用。
共射极电路的电流放大系数为β，共基极电路的电流放大倍数为α。
α的值小于1但接近于1，而β的值则远大于1（通常在几十到几百的范围内），所以Ic>>Ib。
由于这个缘故，共射极电路不但能得到电压放大，还可得到电流放大，致使共射极电路是目前应用最广泛的一种组态。
8、三极管在电路的应用由于单片机的输出电流很小，不能直接驱动LED，需要加装扩流电路，最简单的就是加装一个射极跟随器（共集电极电路）足以驱动LED了。
射极跟随器的发射极接负载，集电极接地，基极接单片机IO口。
共射极接法和共集电极接法的区别共集、共基、共射指的是电路，是三极管电路的连接状态而不是三极管。
所谓“共”，就是输入、输出回路共有的部分。
其判断是在交流等效电路下进行的。
在交流通路下，电源正极相当于接地。
哪一个极接地，就是共哪个极电路。
共集电极电路----三极管的集电极接地，集电极是输入与输出的公共极；共基极电路----三极管的基极接地，基极是输入与输出的公共极；共发射极电路----三极管的发射极接地，发射极是输入与输出的公共极。
8.1、NPN管在电路中的应用区别很大。
首先，你的图有些问题，在B极、E或C极回路上必须要有限流电阻，不然会烧元件或者拉低电压的。
Q1应该是共集电极电路吧，Q2算共射电路。
此处输入电压3V3代表3.3V。
一般情况不使用Q1电路，都使用Q2电路。
Q1电路中，随着Q1的导通，E极电压上升，升到E极电压上升到3V（锗管）或2.6V（硅管）时，Q1的BE结电压开始减小，使Q1欲退出饱和状态，如此Q1的电压就钳在3V或2.6V左右，Q1的输出电压相对较低，不可能超过3V（按锗管算，BE也得0.3V的压降）。
因为Ube=0.7V（硅管）/0.3V（锗管）。
Q1电路无法进入饱和状态?如果Q1进入饱和状态,电流Ic增大,集电极本来就有限流电阻R,Ic*R>Vcc-Ie*Rled? Rled为LED的电阻。
Q2电路简单，只要BE电压达到0.3V（锗管）或0.7V（硅管），Q2饱和导通，5V电压就加于负载。
负载电压不受B极驱动电压的影响。
综上所述：NPN管（高电平导通）采用共集电极接法时输出电压较低，采用共射极接法时输出电压相对较高。
8.2 PNP管在电路中的应用两种接法各有用途，不能说哪种更好左边是共发射极接法，右边是共集电极接法，由于发射极和基极间的电位只差0.7V，大致可看成Ve=Vb，因此又叫做射级跟随器。
当目的是要驱动一个数字量器件（如继电器/蜂鸣器）时，左边的共射电路是最标准的用法：T1要么截止要么饱和导通，导通时T1上的压降很小，电源电压几乎都落到负载B1上，T1相当于一个开关。
采用右图的射随接法继电器/蜂鸣器虽也能工作，但因三极管不会饱和，使得负载得不到接近电源的电压，反而要使三极管的功耗增大，是值得注意的。
左图：拉低T1的基极电平使其导通（限流电阻不可省），T1即饱和，Vce 仅约0.2V。
右图：拉低T2的基极电平（假设为0.3V），T2虽导通但无法完全饱和，因导通的条件是Vbe（实际应为Veb）上有0.7V，所以T2的Vce（实际应为Vec）=0.3+0.7=1V。
可见左右两种电路在三极管c-e上的压降不同，右图三极管的功耗要大于左图，负载上得到的电压则较低。
综上所述，PNP管（低电平导通）采用共集电极接法时无法进入饱和状态，采用共射极接法时饱和压降低。
所以在电路中不管是PNP管还是NPN管一般采用共射极接法，即集电极接负载；共集电极接法（又称射级跟随器）有电流放大而无电压放大。
如果把三极管当开关用，负载最好接在集电极（不管是NPN还是PNP管），这样接导通时饱和压降小一点。
接在集电极作负载的是电压放大，接在发射极做负载的是电流放大。
不管是NPN还是PNP三极管负载可以接在集电极也可以接在发射极，至于哪种接法要根据放大电路的要求来定，负载接在集电极的叫共射放大电路，具有电压放大作用，另一种负载接在发射极的称共集电极放大电路，具有电流放大作用，具有高输入阻抗，低输出阻抗的特点，同样是一种放大电路又称阻抗匹配电路。
8.3 一般典型用法是三极管基极接单片机IO口（P0-P3）。
三极管的集电极电流（Ic）小可以更容易进入饱和状态。
三极管的饱和电流由C极负载决定,这里说的是e极上无电阻的情况. 一般说负载大是指电流大,也就是电阻小。
怎么使三极管进入饱和状态？（此处NPN三极管基极接单片机IO口，发射极接地，集电极通过负载接5V电源）答案：增加基极电流，使基极电流乘以放大倍数大于集电流。
因为三极管放大倍数有离散性,所以计算时要用你所用一三极管中可能的最小放大倍数。
用最小放大倍数算,放大倍数较大的管子上去也能用,只是饱和深度深些,多少影响点响应速度。
用最大放大倍数算,放大倍数较小的管子上去就不能保证饱和。
如果单片机输出电流不够就要加放大级。
假如发射极直接接地而不串联电阻，如果三极管是NPN管，单片机IO口输出高电平，则加在三极管的电流会过大而烧毁三极管。