光伏电池制备工艺项目三-扩散(课堂PPT)
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太阳能电池片扩散工艺
影响扩散的因素
浓度差别的存在是产生扩散运动的必要条件,环境温 度的高低则是决定扩散运动快慢的重要因素,而扩散 时间则是决定扩散的浓度和深度的因素。
高温氧化/扩散系统的设备简介
• 高温氧化/扩散系统设备的总体结构分为四大部分:控制部分、推舟净化部 分、电阻加热炉体部分、气源部分。
Chint Solar Confidential
Cl2
①颜色\气味\状态:通常情况下为有刺激性气味 黄绿色的气体。 ②密度:比空气密度大,标况时 是ρ=M/V(m)=(71g/mol)/(22.4L/mol)=3.17g/L 。 ③易 液化。熔沸点较低,在101kPa下,熔点-107.1°C, 沸点-34.6°C,降温加压可将氯气液化为液氯,液 氯即Cl2,其与氯气物理性质不同,但化学性质基 本相同。 ④溶解性:可溶于水,且易溶于有机溶 剂,难溶于饱和食盐水。1体积水在常温下可溶解2 体积氯气,形成氯水,密度为3.170g/L。
用吸笔依次将硅片从硅片盒中取出,插入石英 舟。
11
送片
用舟叉将装满硅片的石英舟放在碳化硅臂浆上, 保证平稳,缓缓推入扩散炉。
12
回温
打开O2,等待石英管升温至设定温度。
13
扩散
打开小N2,以设定流量通小N2(携源)进行扩散
14
关源,退舟
扩散结束后,关闭小N2和O2,将石英舟缓 缓退至炉口,降温以后,用舟叉从臂桨上取 下石英舟。并立即放上新的石英舟,进行下 轮扩散。 如没有待扩散的硅片,将臂浆推入扩散炉, 尽量缩短臂桨暴露在空气中的时间。
步进电机
限位开关
净化系统
极限保护开关
Chint Solar Confidential
30
高温氧化/扩散系统的设备简介
光伏电池车间工艺流程 PPT课件
PECVD
PECVD的原理
等离子体增强化学气相沉积(PECVD)是借助于辉光放电等
离子体使含有薄膜组成的气态物质发生化学反应,从而实现
POCl3-Diffusion (45-60 W/sq)
Edge Isolation / P-Glass etching RENA InOxSide (InOx)
PECVD SiNx-deposition Screen printing of Ag-contacts Screen printing of Al/Ag-pads
图6. 陷光原理
11
去损伤层及制绒
• 单晶硅片 • 碱性制绒(NaOH+IPA) • 各向异性 • 降低反射率到12%-14% • 单面减薄:9um
• 多晶硅片 • 酸性制绒 (HNO3+HF) • 各向同性 • 降低反射率到24%-26% • 单面减薄 4.5um
12
扩散
图7. 48所扩散炉
13
扩散
图8. Centrotherm 扩散炉
14
扩散
扩散的目的
在晶体内部实现P型和N型半导体的接触,从而得到PN结
扩散的方法
1)三氯氧磷(POCl3)液态源扩散 Tempress, Centrotherm, 48所, 七星
2)喷涂磷酸水溶液后链式扩散 Despatch, Schmid链式扩散炉
目前大部分国内太阳能电池生产厂都使用的第一种方法
17
扩散
工艺参数 • 杂质源的浓度 • 扩散温度 • 扩散时间
蓝色:30ohm/sq 红色:80ohm/sq
18
扩散
检验标准
• 扩散方块电阻控制在45-65Ω/□之间。 • 同一炉扩散方块电阻不均匀度≤10%,同一硅片扩散方块电阻 不均匀度≤5%。
光伏电池工艺培训资料46页PPT文档
HCl去除硅片表面金属杂质:
盐酸具有酸和络合剂的双重作用,氯离子能与 Pt 2+、Au 3+、 Ag +、Cu +、Cd 2+、Hg 2+等金属离子 形成可溶于水的络合物。
10
注意事项
KOH、HCl、HF都是强腐蚀性的化学药品,其 固体颗粒、溶液、蒸汽会伤害到人的皮肤、眼睛、 呼吸道,所以操作人员要按照规定穿戴防护服、 防护面具、防护眼镜、长袖胶皮手套。一旦有化学 试剂伤害了员工的身体,马上用纯水冲洗30分钟, 送医院就医。
11
扩散
太阳电池制造的核心工序
PN结——太阳电池的心脏
扩散的目的:形成PN结
13
太阳电池磷扩散方法
1.三氯氧磷(POCl3)液态源扩散 2.喷涂磷酸水溶液后链式扩散 3.丝网印刷磷浆料后链式扩散
本公司目前采用的是第一种方法。
14
磷扩散工艺过程
清洗
扩散
饱和
关源,退舟
装片
卸片
送片
方块电阻测量
26
等离子体刻蚀反应
27
边缘刻蚀控制
短路形成途径 由于在扩散过程中,即使采用背靠背扩散,
硅片的所有表面(包括边缘)都将不可避免 地扩散上磷。PN结的正面所收集到的光生电 子会沿着边缘扩散有磷的区域流到PN结的背 面,而造成短路。此短路通道等效于降低并 联电阻。 控制方法 对于不同规格硅片,应适当的调整辉光功率 和刻蚀时间使达到完全去除短路通道的效果。
反应式为: Si+2KOH+H2O →K2SiO3 +2H2 ↑
6
绒面光学原理
制备绒面的目的: 减少光的反射率,提高短路电流(Isc),
最终提高电池的光电转换效率。 陷光原理:当光入射到一定角度的斜面,光
盐酸具有酸和络合剂的双重作用,氯离子能与 Pt 2+、Au 3+、 Ag +、Cu +、Cd 2+、Hg 2+等金属离子 形成可溶于水的络合物。
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注意事项
KOH、HCl、HF都是强腐蚀性的化学药品,其 固体颗粒、溶液、蒸汽会伤害到人的皮肤、眼睛、 呼吸道,所以操作人员要按照规定穿戴防护服、 防护面具、防护眼镜、长袖胶皮手套。一旦有化学 试剂伤害了员工的身体,马上用纯水冲洗30分钟, 送医院就医。
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扩散
太阳电池制造的核心工序
PN结——太阳电池的心脏
扩散的目的:形成PN结
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太阳电池磷扩散方法
1.三氯氧磷(POCl3)液态源扩散 2.喷涂磷酸水溶液后链式扩散 3.丝网印刷磷浆料后链式扩散
本公司目前采用的是第一种方法。
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磷扩散工艺过程
清洗
扩散
饱和
关源,退舟
装片
卸片
送片
方块电阻测量
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等离子体刻蚀反应
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边缘刻蚀控制
短路形成途径 由于在扩散过程中,即使采用背靠背扩散,
硅片的所有表面(包括边缘)都将不可避免 地扩散上磷。PN结的正面所收集到的光生电 子会沿着边缘扩散有磷的区域流到PN结的背 面,而造成短路。此短路通道等效于降低并 联电阻。 控制方法 对于不同规格硅片,应适当的调整辉光功率 和刻蚀时间使达到完全去除短路通道的效果。
反应式为: Si+2KOH+H2O →K2SiO3 +2H2 ↑
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绒面光学原理
制备绒面的目的: 减少光的反射率,提高短路电流(Isc),
最终提高电池的光电转换效率。 陷光原理:当光入射到一定角度的斜面,光
晶体硅太阳能电池培训-扩散资料PPT文档共39页
45、自己的饭量自己知道。——苏联
41、学问是异常珍贵的东西,从任何源泉吸 收都不可
43、重复别人所说的话,只需要教育; 而要挑战别人所说的话,则需要头脑。—— 玛丽·佩蒂博恩·普尔
44、卓越的人一大优点是:在不利与艰 难的遭遇里百折不饶。——贝多芬
晶体硅太阳能电池培训-扩散资料
16、自己选择的路、跪着也要把它走 完。 17、一般情况下)不想三年以后的事, 只想现 在的事 。现在 有成就 ,以后 才能更 辉煌。
18、敢于向黑暗宣战的人,心里必须 充满光 明。 19、学习的关键--重复。
20、懦弱的人只会裹足不前,莽撞的 人只能 引为烧 身,只 有真正 勇敢的 人才能 所向披 靡。
41、学问是异常珍贵的东西,从任何源泉吸 收都不可
43、重复别人所说的话,只需要教育; 而要挑战别人所说的话,则需要头脑。—— 玛丽·佩蒂博恩·普尔
44、卓越的人一大优点是:在不利与艰 难的遭遇里百折不饶。——贝多芬
晶体硅太阳能电池培训-扩散资料
16、自己选择的路、跪着也要把它走 完。 17、一般情况下)不想三年以后的事, 只想现 在的事 。现在 有成就 ,以后 才能更 辉煌。
18、敢于向黑暗宣战的人,心里必须 充满光 明。 19、学习的关键--重复。
20、懦弱的人只会裹足不前,莽撞的 人只能 引为烧 身,只 有真正 勇敢的 人才能 所向披 靡。
太阳能电池生产工艺幻灯片PPT
等离子体刻蚀机
设备要求: 工艺重复性好, 刻蚀速度快、 均匀性好 。 密封性能好、 操作安全
洗磷
目的:去除硅片表面氧化层及扩散时形成的磷硅
玻璃(磷硅玻璃是指P2O5与SiO2的混合物)。 原理:P2O5溶于HF酸 SiO2+6HF=H2SiF6+2H2O H2SiF6可溶于水 条件:HF浓度8%-10% 洗磷后需用去离子水将硅片冲洗干净并甩干。
工艺目的;主要是去除油脂、松香、石蜡 等杂质。
工艺原理;超声振动使油珠滚落,物理去 油。
条件;去离子水一定量,温度60—90℃, 时间10—40min。
超声波清洗机
设备要求:稳定性 好,精确度高(温 度、时间),操作 方便(换水方便)。
减薄
工艺目的;去除表面损伤层和部分杂质。 工艺原理;利用硅在浓NaOH溶液中的各
PECVD(等离子体增强化学气相沉 积)
目的:表面钝化和减少光的反射,降低载 流子复合速度和增加光的吸收。
原理:硅烷与氨气反应生成氮化硅淀积在 硅片表面形成减反射膜。反应过程中有大 量的氢离子注入,使硅片中悬挂键饱和, 达到表面钝化和体钝化的目的,有效降低 了载流子的复合,提高了电池的短路电流 和开路电压。
将硅片冲洗干净,以免残留药液影响倒下个小环 节的正常进行。 去离子水是指纯水,指的是将水中的强电解质去 除并且将弱电解质去除到一定程度的水。其电阻 率越大,电导率约小则级别越高。
清洗机
设备要求:稳定性好,精确度高,密闭性 能好,有抽风装置,便于标准化生产,操 作简单安全。
烘干
目的:烘干。 原理:热吹风(~75 ℃ )去除硅片表面残
48所三管扩散炉
刻蚀
目的;去除周边短路环。
原理:在辉光放电条件下,CF4和O2生成等离子体,交替 对周边作用,使周边电阻增大。
光伏电池制备工艺课件(PPT 45页)
20
2.单晶硅拉制工艺
三.主要流程介绍
21
三.主要流程介绍 (1) 拉制方法及拉制过程:直拉单晶(CZ)和区熔(FZ)
直拉单晶拉制过程图
装炉
化料
引晶
放肩 冷却
等径 收尾
22
直拉单晶炉
23
三.主要流程介绍
24
三.主要流程介绍
(2)氩气使用情况:整个热场系统,包括两大部分,加热器发热, 其它部分主耍是保温、导流,形成一定的温度梯度,使座落在石墨托 里的石英坩埚中的熔料能按要求的晶向结晶生长。
• 此工艺消耗的氮气主要是用于抽真空后工作腔内压 力平衡和真空泵的氮气保护,氮气消耗量约8m3/h
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三.主要流程介绍
• 甩干机氮气耗量: • 在清洗制绒和去磷硅玻璃之后都需要使用甩干机,
氮气主要用于甩干的过程中将硅片吹干,此过程氮气 的消耗量约100m3/h
40
三.主要流程介绍
• 镀减反射膜:抛光硅表面的反射率为35%,为了减少表面 反射,提高电池的转换效率,需要沉积一层氮化硅减反射 膜。现在工业生产中常采用PECVD设备制备减反射膜。
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三.主要流程介绍
• 扩散工艺:太阳能电池需要一个大面积的PN结以 实现光能到电能的转换,而扩散炉即为制造太阳 能电池PN结的专用设备。在进舟、升温、稳定、 通源、恒温、冷却、出舟过程中氮气消耗量约 28m3/h(100MW)
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三.主要流程介绍
• 去磷硅玻璃:该工艺用于太阳能电池片生产制造过程中, 通过化学腐蚀法也即把硅片放在氢氟酸溶液中浸泡,使 其产生化学反应生成可溶性的络和物六氟硅酸,以去除 扩散制结后在硅片表面形成的一层磷硅玻璃。
• 工艺优点:压力比较缓和,对设备要求低,安全性好,且氢气和四氯化硅比值较小, 因此还原炉内四氯化硅浓度较高,保证了还原反应的速率以及充分性,且降低了 后期分离的难度.
3、磷扩散工艺
• 用吸笔依次将硅片从硅片盒中取出,插入石英 舟。
• 用舟叉将装满硅片的石英舟放在碳化硅臂浆上, 保证平稳,缓缓推入扩散炉。
回温、扩散
• 打开O2,等待石英管升温至设定温度。 • 打开小N2,以设定流量通小N2(携源)进行扩散
关源、退舟、卸片
• 扩散结束后,关闭小N2和O2,将石英舟缓缓退 至炉口,降温以后,用舟叉从臂桨上取下石英 舟。并立即放上新的石英舟,进行下一轮扩散。
压缩 空气 O2 N2 N2
太阳电池对扩散的要求
• 对扩散的要求是获得适合于太阳电池p-n结需要的 结深和扩散层方块电阻。浅结死层小,电池短波响 应好,而浅结引起串联电阻增加,只有提高栅电极 的密度,才能有效提高电池的填充因子,这样,增 加了工艺难度;结深太深,死层比较明显,如果扩 散浓度太大,则引起重掺杂效应,使电池开路电压 和短路电流均下降,实际电池制作中,考虑到各个 因素,太阳电池的结深一般控制在0.3~0.5m,方 块电阻均20~70/□ 。
• 如没有待扩散的硅片,将臂浆推入扩散炉,尽 量缩短臂桨暴露在空气中的时间。
• 等待硅片冷却后,将硅片从石英舟上卸下并放 置在硅片盒中,放入传递窗传至下道工序。
扩散层薄层电阻及其测量
• 在太阳电池扩散工艺中,扩散层薄层电阻(方块电 阻)是反映扩散层质量是否符合设计要求的重要工 艺指标之一。
• 方块电阻也是标志进入半导体中的杂质总量的一个 重要参数。
• 磷扩散的系统应保持清洁干燥,如果石英管内有水汽 存在,就会使管内P2O5水解生成偏磷酸(HPO3), 使管道内出现白色沉积物和粘滞液体,石英舟容易粘 在管道上,不易拉出。因此对扩散气体脱水是十分重 要的。
• 所有的石英器具都必须轻拿轻放。
• 源瓶更换的标准操作过程:依次关闭进气阀门、出气 阀门,拔出连接管道,更换源瓶,连接管道,打开出 气阀门、再打开进气阀门。
• 用舟叉将装满硅片的石英舟放在碳化硅臂浆上, 保证平稳,缓缓推入扩散炉。
回温、扩散
• 打开O2,等待石英管升温至设定温度。 • 打开小N2,以设定流量通小N2(携源)进行扩散
关源、退舟、卸片
• 扩散结束后,关闭小N2和O2,将石英舟缓缓退 至炉口,降温以后,用舟叉从臂桨上取下石英 舟。并立即放上新的石英舟,进行下一轮扩散。
压缩 空气 O2 N2 N2
太阳电池对扩散的要求
• 对扩散的要求是获得适合于太阳电池p-n结需要的 结深和扩散层方块电阻。浅结死层小,电池短波响 应好,而浅结引起串联电阻增加,只有提高栅电极 的密度,才能有效提高电池的填充因子,这样,增 加了工艺难度;结深太深,死层比较明显,如果扩 散浓度太大,则引起重掺杂效应,使电池开路电压 和短路电流均下降,实际电池制作中,考虑到各个 因素,太阳电池的结深一般控制在0.3~0.5m,方 块电阻均20~70/□ 。
• 如没有待扩散的硅片,将臂浆推入扩散炉,尽 量缩短臂桨暴露在空气中的时间。
• 等待硅片冷却后,将硅片从石英舟上卸下并放 置在硅片盒中,放入传递窗传至下道工序。
扩散层薄层电阻及其测量
• 在太阳电池扩散工艺中,扩散层薄层电阻(方块电 阻)是反映扩散层质量是否符合设计要求的重要工 艺指标之一。
• 方块电阻也是标志进入半导体中的杂质总量的一个 重要参数。
• 磷扩散的系统应保持清洁干燥,如果石英管内有水汽 存在,就会使管内P2O5水解生成偏磷酸(HPO3), 使管道内出现白色沉积物和粘滞液体,石英舟容易粘 在管道上,不易拉出。因此对扩散气体脱水是十分重 要的。
• 所有的石英器具都必须轻拿轻放。
• 源瓶更换的标准操作过程:依次关闭进气阀门、出气 阀门,拔出连接管道,更换源瓶,连接管道,打开出 气阀门、再打开进气阀门。
《太阳能电池制造工艺工艺流程以及工序简介》PPT模板课件
(b). 多晶制绒---RENA InTex
3 S i 2 H N O 3 1 8 H F 3 H 2 S i F 6 0 . 4 5 N O 1 . 3 5 N O 2 0 . 1 N 2 O 4 . 2 5 H 2 2 . 7 5 H 2 O
目的与作用:
(1)去除单晶硅片表面的机械损 伤层和氧化层。 (2)有效增加硅片对入射太阳光的 吸收,从而提高光生电流密度,提高单 晶硅太阳能电池的光电转换效率。
去除磷硅玻璃的目的、作用:
1. 磷硅玻璃的厚度在扩散中工艺难控制,且其工艺窗口太小,不稳 定。
2. 磷硅玻璃的折射率在1.5左右,比氮化硅折射率(2.07左右)小, 若磷硅玻璃较厚会降低减反射效果。
3. 磷硅玻璃中含有高浓度的磷杂质,会增加少子表面复合,使电池 效率下降。
2. 扩散(POCl3液态扩散)
(c). 去磷硅玻璃---PSG
在扩散过程中发生如下反应:
4 P C l3 5 O 2 2 P 2 O 5 6 C l2
POCl3分解产生的P2O5淀积在硅片表面, P2O5与Si反应生成SiO2和 磷原子:
2 P O 5 S i5 Si 4 O P
25
2
这样就在硅片表面形成一层含有磷元素的SiO2,称之为磷硅玻璃。
2 P 2 O 5 5 S 9 i 0 C 以 0 5 上 S2 i 4 O P
4 P5 C 5 O 2 l 2 P 2 O 5 1C 0 2 l
3.沉积减反射膜(PECVD)工 序
❖ 沉积减反射膜的作用、目的:
1. 沉积减反射膜实际上就是对电池进行 钝化。钝化可以去掉硅电池表面的悬 空键和降低表面态,从而降低表面复 合损失,提高太阳电池的光电转换效 率。
晶体硅太阳电池制造工艺课件PPT
不能与硅 片和片盒 接触
垫海绵
插片
三、单晶硅片的制绒
(三)单晶制绒工艺流程
2、上料
(1)硅片插完后,取出片盒
底部的海绵,扣好压条。化学
药剂称重上料
(2)将已插好硅片的片盒整
齐、有序的装入包塑的不锈钢
花篮中,片盒之间有适当的间 隔。
上料
三、单晶硅片的制绒
(三)单晶制绒工艺流程
3、参数设置 加热制绒液体到设定温度以后,根
三、单晶硅片的制绒
(四)影响单晶制绒的因素
(1)印背电极:用银-铝浆,起导通作用,进行组件组装时方便焊接 3、硅片清洗完未及时甩干,会有水纹印产生。 SiO2+4HF=SiF4↑+2H2O (易挥发的四氟化硅气体 ) 任务四 减反射膜的制备
3、掌握材料的光2学、特性腐。 蚀速率快慢影响因子
制绒与减反射膜是两个不同的工艺,都是高效电池工艺的一部分。 任务一 硅片的清洗制绒
项目一 晶体硅太阳电池制造工艺 项目导入 知识目标 技能目标
项目导入
通过前面的学习,我们掌握了半导体的一 些理论知识,了解了由石英砂到硅片的加工过 程。但是,硅片的制备目的是什么呢?主要是 为了下一步晶体硅电池片的制备。晶体硅太阳 电池的制备工艺有哪些呢?从今天开始我们就 进行这些方面的学习。
知识目标
盐酸 HCl
三、单晶硅片的制绒
(三)单晶制绒工艺流程
一共有10个槽,5、6、8、10槽中是去离子水 异丙醇(Isopropanol IPA)(CH3)2CHOH 表面湿润作用 Na2SiO3·9 H2O作用:表面活性剂,以加快硅的腐蚀。 氢氟酸作用:去除硅表面的硅酸钠以及氧化物。主要反应 方程式为:
1、掌握所用硫酸、硝酸、氢氟酸、氢氧 化钠、三氯氧磷等药液的特性,所发生的 化学方程式。 2、掌握晶体缺陷的类型。 3、掌握材料的光学特性。 4、了解半导体的欧姆接触特性。
硅太阳能电池扩散工序相关知识ppt精选课件
解扩散方程,得
——余误差分布
编辑版pppt
17
4.扩散
4.2 扩散方式 式中, ――特征扩散长度(um); Ns= NSi(杂质在Si中的固溶度); erf(x)—误差函数(error function); erfc(x)—余误差函数(complementary error function );
3.3 能带图和光伏效应 3.3.2费米原理和费米能级 当E-EF>5kT时,f(E)<0.007 当E-EF<-5kT时,f(E)>0.993 k≈1.38 x 10-23J/K
在参杂半导体中,如果是N型半 导体,由于电子占据导带的几率 较大,则EF的位置上移靠近导带 底,如果是P型半导体,EF下移 靠近价带顶。 参杂很重时,EF可以进入导带和 价带。
5
2.半导体
2.2 非本征半导体
2.2.2P型半导体
在本征Si和Ge中掺入微量三价元素后形成的杂质半导体。 杂质元素:硼,铟
多子:空穴
少子:电子
+4
P:受主杂质
+4
(提供空穴)
+4
+4
+4
B+3
+4
+4
+4
负离子
- ---- ---- ----
编辑版pppt
多数载流子
少数载流子
6
3.PN结
3.1 结的种类
俄歇复合:电子和空穴复合释放多余的能 量,这些多余的能量被另一个电子吸收, 该电子弛豫返回原来的能态并释放声子。
通过陷阱复合:当半导体的杂质或表面的
界面陷阱在禁带间隙中产生允许的能级时,
这个复合就能发生。电子分两个阶段完成
与空穴的复合,首先电子跃迁到缺陷能级,
——余误差分布
编辑版pppt
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4.扩散
4.2 扩散方式 式中, ――特征扩散长度(um); Ns= NSi(杂质在Si中的固溶度); erf(x)—误差函数(error function); erfc(x)—余误差函数(complementary error function );
3.3 能带图和光伏效应 3.3.2费米原理和费米能级 当E-EF>5kT时,f(E)<0.007 当E-EF<-5kT时,f(E)>0.993 k≈1.38 x 10-23J/K
在参杂半导体中,如果是N型半 导体,由于电子占据导带的几率 较大,则EF的位置上移靠近导带 底,如果是P型半导体,EF下移 靠近价带顶。 参杂很重时,EF可以进入导带和 价带。
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2.半导体
2.2 非本征半导体
2.2.2P型半导体
在本征Si和Ge中掺入微量三价元素后形成的杂质半导体。 杂质元素:硼,铟
多子:空穴
少子:电子
+4
P:受主杂质
+4
(提供空穴)
+4
+4
+4
B+3
+4
+4
+4
负离子
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多数载流子
少数载流子
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3.PN结
3.1 结的种类
俄歇复合:电子和空穴复合释放多余的能 量,这些多余的能量被另一个电子吸收, 该电子弛豫返回原来的能态并释放声子。
通过陷阱复合:当半导体的杂质或表面的
界面陷阱在禁带间隙中产生允许的能级时,
这个复合就能发生。电子分两个阶段完成
与空穴的复合,首先电子跃迁到缺陷能级,
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30
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石英管清洗机 2 石英管清洗
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2 石英管清洗
石英管清洗机控制面板
控制面板由开关.电 源按钮.急停和操作 面板组成。开机时 先开总电源,再按 电源开关。关机时 先按电源开关,再 关总电源。遇到紧 急情况时按急停按 钮,记住复位。
33
石英管清洗机控制面板操作方法
JO-1腐蚀槽进水 J1-1清洗槽进水 C0-1腐蚀槽排水 C1-1清洗槽排水 DO-1腐蚀槽转动 D1-1清洗槽转动 前:机械臂移动到腐蚀槽 中:机械臂停止 后:机械臂移动到清洗槽
❖ 4)把源瓶放入恒温槽(一般20℃左右),水位离源瓶 顶部1CM左右水位,确定装源瓶时不能带入纸屑等杂物(包
括贴在源瓶上的标签),以防把恒温槽循环泵的进出水口堵 塞,把进气管和出气管接好。
❖ 5)先在PLC控制面板上把小氮出气的电磁阀打开,把 源瓶出气阀慢慢的拧开,目的释放瓶内压力。
❖ 6)然后在PLC控制面板上把小氮进气的电磁阀打开, 设定小氮流量(500)。
❖ ④平抬起舟叉,朝上倾斜三十度(如图),将装载有硅片 的石英舟从碳化硅桨上面取下放到净化台上;
❖ ⑤ 并将下一批待扩散的硅片装入扩散炉中。
21
8 取片
❖ ① 操作员戴上橡胶手套或指套,口罩。 ②单晶取片方式:单手拿住硅片两边进行卸片,正面(扩散 面)朝上放置。 。 ③多晶取片方式:双手握住硅片的两边,将硅片从石英槽内 取出,及时放入泡沫盒内 ,每次卸片应控制在十片以内 。
(p型和n型)的半导体接触在一起就能形成的。要制造一 个p-n结,必须使一块完整的半导体晶体的一部分是P型区 域,另一部分是n型区域。也就是在晶体内部实现p型和n 型半导体的接触。
N
P
2
工作间
扩散间
3 3
扩散气氛场结构示意图
4
常用扩散的液态源——三氯氧磷(POCl3)
POCl3 性质
POCl3是目前磷扩散用得较多的一种杂质源 ❖ 无色透明液体,具有刺激性气味。如果纯度不高则呈
① 在屏幕上选择扩散要求的参数组; ② 扩散工艺参数设定: ③ 按“运行”键(按的时间稍微长些, 直到运行开关亮起)开始扩散;
扩散的参数
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(2)扩散炉中的程序
注意:扩散运行时,由专人负责监视开关、流量和温度的状 态以及机械手的进出,如有撞舟等特殊情况发生时,需立即 按下急停按钮,及时通知工序长或工程师处理;
查一下管子的位置,谨防破裂
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石英管清洗
❖ 8) 1~1.5小时后将管子取出,放入清水槽中漂洗 ❖ 9) 先提高管尾,将管中HF倒出 ❖ 10) 再提高管口,将热偶管中HF倒出 ❖ 11) 排水,用水枪反复冲洗管子的内外壁 ❖ 12) 用氮气枪将管子吹干(吹时保持管子的旋转状态) ❖ 13) 关闭清洗机电源 ❖ 14) 将管子装入纸盒中备用 ❖ 15) 将盖板全部盖好 ❖ 16) 打扫卫生,保持洁净
12
(2)更换源瓶(一般60-70批次换源)
❖ 1)换源前,作业员将工控机里是工艺次数记入《换源记录表》,并
清零
❖
2)操作员带上橡胶手套和口罩、头罩(安全眼镜),另有一人监
督。
❖
3)在扩散间内,打开源瓶的包装箱,小心的取出源瓶。注意源瓶
内部两根管子的长度(玻璃长管子为进气口如下图1,接口处粗管为出
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2 石英管清洗
❖ 1) 石英管清洗槽的清洗 ❖ 2) 领取所需化学品(HF) ❖ 3) 戴好防毒面具和长乳胶手套进行配液 ❖ 4) 将石英管运至清洗机边(使用纸盒包装内充海绵) ❖ 将石英管放入HF槽中 ❖ (三人操作,尾端先放入,注意不要碰断进气管和热偶管) ❖ 6) 加水稀释至液位淹没进气管为止 ; ❖ 7) 打开启动按钮使石英管转动进行清洗,间隔15~20分钟检
(SiO2)和磷原子,其反应式如下:
2O P 5S 5iS i4O P
25
2
❖
由此可见,在磷扩散时,为了促使POCl3充分的分解
和避免PCl5对硅片表面的腐蚀作用,必须在通氮气的同时
通入一定流量的氧气 。
v POCl3分解产生的P2O5淀积在硅片表面,P2O5与硅 反应生成SiO2和磷原子,并在硅片表面形成一层磷-硅 玻璃,然后磷原子再向硅中进行扩散 。
❖ ② 关机(扩散炉需要维修或者长期不用时)
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注意事项
❖ 1)员工进入扩散间之前必须进行风淋,同时着装必须满足 扩散间要求。
❖ 2)扩散装片和取片,严禁用手直接接触所有石英器件;所 有的石英器具都必须轻拿轻放。
❖ 3)保持工装夹具和超净台的清洁;扩散间需要使用专用清 洁工具,每天进行打扫。
❖ 4) 物品和工具定点放置,用过的工具要放回原位,严禁乱 放
7 取舟 8 取片 9 测试方阻 10 扩散炉保温和关机
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1、准备工作
(1)石英器件、悬臂浆的清洗
❖ ① 戴上橡胶手套和口罩。
❖ ② 对未使用过的石英器件,首先要用丙酮棉球把石英器件 擦拭一遍,再用酒精棉球把石英器件擦拭一遍。
❖ ③ 把石英器件放入配有氢氟酸溶液(1:25的氢氟酸和纯 水)的清洗槽中(二次清洗工序),打开进气阀,让溶液轻 度鼓泡,持续10分钟。
❖ ④ 关闭进气阀,把槽中的溶液抽到另一个槽中。
❖
⑤ 打开纯水阀,让纯水完全淹没石英器件,再关闭纯
水阀,打开进气阀,让它轻度的鼓泡;持续5分钟。
❖ ⑥ 关闭进气阀,排水,放水,充气,多次循环清洗后,用 电阻率仪测量清洗后水的电阻率,直到清洗后水的电阻率大 于2MΩ.CM。
❖ ⑦ 打开排液阀门,把水排掉,氮气吹干,戴上橡胶手套, 取出石英器件,然后将石英器件拿到扩散间。
发暗 面朝 上
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❖ 9、测方块电阻(方阻测试员)
取炉口、炉中、炉尾各两片(或每舟取5片,同一批次 取10片),测其硅片发暗面的四个角及中间的方阻并将数值 记录在电脑上。 注意:不合格的扩散片,需及时隔离,返回清洗,统一返工。
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10 扩散炉保温和关机
❖ ① 在无生产任务时,扩散炉应处于保温状态,将扩散炉的 温度设定为400℃(600 ℃ )保温。
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金属导体的电阻公式 R=ρl /s,与之类似, 薄层电阻的大小为: R口=ρl / at,如右图: 当l=a即为一个方块时: R口=ρ/t
v 这样,方阻仅与导电膜的厚度、电阻率等因素有 关。
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利用方阻监控扩散
深 —方阻 小
❖ 扩散深度,会影响电性能参数 浅 —方阻 大
❖ 扩散深度无法测量,所以只能通过测方阻来大概反映扩 散深度和扩散浓度。
❖
7)把源瓶进气阀慢慢的拧开,不用眼睛看,手可以感
觉到冒泡引起的震动(注意换源时重点保护的是眼睛),慢
慢拧到全开。
❖
8)把电源柜门关上。
14
❖
9)看PLC上实际流量是否达到设定值,如果一致,
再设定小氮流量,增大到扩散时小氮流量值的一半,流量
稳定且达到设定值后,再隔着玻璃看源瓶是否漏源(注意
未稳定前不能直接看源瓶是否漏源,以免流量增大时可能
8
二、原材料和器件
❖ 1、主要原材料
原材料
要求
三氯氧磷(POCl3) 氧气(O2) 氮气(N2)
减薄制绒的硅片
6N 5N 5N 符合清洗工艺技术要求
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2、主要仪器设备及工具
❖ 扩散炉、 ❖ 超净台、 ❖ 石英真空吸笔、 ❖ 石英舟、 ❖ 舟叉 ❖ 石英舟托 ❖ 四探针测试仪
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三、扩散工艺
❖ 1 准备工作 ❖ 2 安装源瓶 ❖ 3 开机 ❖ 4 石英管进源 ❖ 5 装片 ❖ 6 扩散
3) 最后让程序空走2次(通源,不放硅片)。
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5、装片
❖
1)操作员坐在凳子上,用吸笔将硅片从花篮里面取片
并插入石英舟里(一槽插一片或两片);
❖
2)将多晶硅片的发亮面朝向炉门(右边)。装片过程
中如发现来片有破损时应及时做好记录,同时将碎片分类放
入指定的盒子内,统一处理。如有绒面不良的硅片需及时将
情况反应给清洗组长,并将硅片隔离。
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任务三 石英管的拆装与清洗
❖ 1 石英管的拆装流程 ❖ 2 石英管清洗
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炉尾
炉尾挡板的工拆艺气 卸必须要两人一体起进气 操作。一人负责固管
定住挡板,另外一
人负责拧螺丝。以
防挡板掉下砸断进 气石英管和尾气管。
石英炉 管
尾气管 放置口
Paddle TC放置
口28
1 石英管的拆装流程
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36
3. 安装石英管
37
38
任务四 扩散工艺要求及常见问题分析
1. 方阻
方阻就是方块电阻,又称面电阻。指一个正方形的
薄膜导电材料边到边之间的电阻用Rs或R口表示。如图
所示:
❖
即B边到C边的电阻值。方块电阻有一个特性,即
任意大小的正方形边到边的电阻都是一样的,不管边长
是1m还是0.1m 务二 扩散工艺操作流程
一、工艺、质量要求
❖ 1 扩散后硅片表面呈咖啡色,颜色均匀;
❖ 2 表面清洁,无染色,无明显斑迹;
❖ 3 单晶薄层电阻在50~60Ω/□之间;
❖ 多晶薄层电阻在55~65Ω/□之间,单片方块电阻控制在正 负5Ω/□以内;
❖ 4 P-N结深为0.2~0.4µm
方块电阻,简称方阻,指一个 正方形的薄膜导电材料边到边之 间的电阻。其值与薄膜的电阻率、 厚度有关
开始
扩散
放舟 升温
氧化
深扩散 取舟
恒温
方块电阻测量
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7 取舟
❖ ① 程序运行完毕后,炉门自动打开,悬臂桨自动将石英舟 从扩散炉中取出;
❖ ② 等悬臂桨运行停止后,操作员戴上橡胶手套或者棉手套, 口罩;将带石英板的搪瓷盘放在碳化硅桨下面。