干货分享 一种三相可控硅交流调压电路设计

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干货分享一种三相可控硅交流调压电路设计

基于可控硅设计的调压电路目前在很多电源设计及变电领域中,应用广泛。为了方便各位工程师和技术人员进行借鉴,在今天的文章中,我们将会为大家分享一种三项可控硅交流调压电路的设计方案,并同时提供该方案的仿真结果,希望能够对各位工程师的设计工作有所帮助。

 主电路的设计

 在本次的三相可控硅调压电路设计方案中,我们主要是对星形联结电路的工作原理和特性进行分析。本方案采用双脉冲或宽脉冲触发,三相的触发脉冲应依次相差120°,同意向的两个反并联的可控硅触发脉冲应相差180°。因此和三相桥式全控整流电路一样,触发脉冲顺序也是VT1~VT6,依次相差60°。下图图1是这种三相三线负载星型联结交流调压电路图。

 图1 三相可控硅联结交流调压电路

 在了解了这种三相可控硅交流调压器的主电路结果后,我们可以可以看到,在本方案中我们所用到得器件主要有220V三相交流电源、6个反并联的可控硅,还有三个电阻负载。其中6个反并联的可控硅可用三个双相可控硅代替,也可以用一个串联谐振代替2个反并联的可控硅。

 可控硅的选择

 为了避免这种三项可控硅交流调压电路,在运行的过程中出现正向转折电压的非正常导通情况,我们需要选择足够正向重复阻断峰值电压UDRM。同时也为了避免发生反向击穿现象,我们所选择的可控硅器件必须有足够的反向重复峰值电压URRM。所选择的可控硅在变流器中工作时,必须能够以电

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