MOSFET光耦继电器AQY412S

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mosfet光耦继电器

mosfet光耦继电器

MOS管光耦继电器是一种常用的电子元器件,它结合了MOS管、光耦和继电器的特性,具有控制方便、响应速度快、可靠性高等优点。

下面将详细介绍MOS管光耦继电器的原理、应用和注意事项。

一、原理MOS管光耦继电器主要由MOS管、光耦和继电器组成。

MOS管负责开关控制,光耦起到光电隔离的作用,继电器则是实现电接触的通断。

当控制信号输入时,MOS管导通或截止,光耦随之动作,将输入信号与负载隔离,同时通过继电器实现电接触的通断。

二、应用1. 电源电路保护:MOS管光耦继电器可以用于电源电路的保护,当电源输入端受到干扰或异常时,MOS管导通,光耦将干扰隔离,同时继电器触点的闭合或断开将干扰隔离在负载端,避免了对整个系统的损害。

2. 开关控制:MOS管光耦继电器可以作为开关使用,实现对负载的通断控制。

它具有响应速度快、控制方便的特点,适合用于频繁开关的场合。

3. 隔离控制:光耦可以实现输入输出信号的电气隔离,提高了系统的抗干扰能力。

MOS管光耦继电器结合了光耦和继电器的特性,适用于需要高可靠性和高安全性的场合。

三、注意事项1. 输入电压范围:MOS管光耦继电器需要确保输入电压在合理的范围内,避免超出MOS 管的导通电压而损坏器件。

2. 输出触点的容量:继电器的输出触点具有一定的电容量,选择MOS管光耦继电器时,需要根据负载的电容量选择合适的触点容量。

3. 工作温度:MOS管光耦继电器的工作温度会影响其性能和可靠性。

在选择和使用时,需要根据环境温度合理选择耐高温的型号。

4. 负载类型:MOS管光耦继电器适用于对控制精度要求不高的场合,负载通常是电磁线圈、电动机等感性负载。

对于电阻性负载或纯开关型负载,可以考虑使用其他类型的开关器件。

5. 确保可靠安装:继电器和MOS管需要正确安装,避免接触不良或短路等问题。

同时,还需要注意器件的防水、防尘等防护措施。

总之,MOS管光耦继电器是一种功能强大的电子元器件,具有控制方便、响应速度快、可靠性高等优点。

隔离mosfet mos管 场效应管模块 替代继电器电路-概述说明以及解释

隔离mosfet mos管 场效应管模块 替代继电器电路-概述说明以及解释

隔离mosfet mos管场效应管模块替代继电器电路-概述说明以及解释1.引言1.1 概述隔离MOSFET(MOS管)场效应管模块作为一种新型的电子器件,正在逐渐成为替代传统继电器电路的热门选择。

传统的继电器电路由于存在机械结构,在工作过程中容易产生噪声、寿命短、响应时间长等问题,限制了其在现代电子设备中的应用。

而隔离MOSFET场效应管模块因其具有高速响应、可靠性强、功耗低等特点,逐渐受到了工程师和电子爱好者的青睐。

本文将重点介绍隔离MOSFET(MOS管)和继电器电路的基本原理和特点,分析它们在不同应用场景下的工作原理及优缺点。

通过比较两者的特点,旨在探讨隔离MOSFET(MOS管)作为继电器电路的替代品的可行性和推广性。

本文将分为三个部分来进行阐述:引言、正文和结论。

引言部分概述了文章的主要内容和结构,同时阐述了撰写本文的动机和目的。

正文部分将详细介绍MOSFET(MOS管)和继电器电路的基本原理以及它们的工作原理和应用场景。

结论部分将总结MOSFET(MOS管)在替代继电器电路中的优势,并分析其在实际应用中的可行性和推广性。

通过详细的论述和分析,有助于读者全面了解隔离MOSFET(MOS 管)和继电器电路的不同特点,进而评估隔离MOSFET(MOS管)作为继电器电路的替代品的可行性,并为相关领域的工程师和研究人员提供参考和借鉴。

随着科技的不断发展和进步,寻找更加先进、高效、可靠的电子器件,已经成为了当前电子工程领域的一项重要任务。

1.2文章结构文章结构:本文主要分为引言、正文和结论三个部分。

在引言部分,我们将对本文的概述进行介绍,解释MOSFET (MOS管)和继电器电路的基本概念及其作用。

接着将介绍文章的结构和主要内容,提供给读者一个清晰的整体框架。

最后,说明本文的目的,即研究和探讨隔离MOSFET MOS管场效应管模块替代继电器电路的可行性和优势。

正文部分将主要分为两个章节,第一章节将详细介绍MOSFET (MOS 管)的基本原理和特点,包括其结构、工作原理和优势。

光耦继电器AQY212_datasheet

光耦继电器AQY212_datasheet

TYPICAL APPLICATIONS
• Modem • Telephone equipment • Security equipment • Sensing equipment
CAD Data CAD Data
mm inch
1
4
2
3
1. Reinforced insulation of 5,000 V More than 0.4 mm internal insulation distance between inputs and outputs. Con-forms to EN41003, EN60950 (reinforced insulation). 2. Controls low-level analog signals PhotoMOS relays feature extremely low closed-circuit offset voltage to enable control of low-level analog signals without distortion. 3. High sensitivity and low onresistance Can control max. 0.13 A load current with 5 mA input current. Low on-resistance of typ. 25 (AQY211EH). 4. Low-level off state leakage current of max. 1 A
50Leabharlann 2-(2). On resistance vs. ambient temperature characteristics
Measured portion: between terminals 3 and 4; LED current: 5 mA; Load voltage: Max. (DC); Continuous load current: Max. (DC)

mpas124a继电器原理

mpas124a继电器原理

mpas124a继电器原理
MPAS124A继电器是一种电气控制设备,用于在电路中进行开关
控制。

它的工作原理是基于电磁感应。

当继电器的控制端输入电流
或电压时,产生的磁场会使得继电器内部的触点闭合或断开,从而
实现对电路的控制。

MPAS124A继电器通常由控制系统、电磁线圈和触点组成。

当控
制系统施加电流或电压到电磁线圈上时,电磁线圈内部会产生磁场,这个磁场会吸引或者释放触点,使得触点闭合或者断开。

这样,就
可以实现对电路的通断控制。

MPAS124A继电器的原理还涉及到电磁感应、磁场的产生和磁性
材料的特性。

当电流通过继电器的线圈时,会产生磁场,这个磁场
会对继电器内部的磁性材料产生作用,从而使得触点发生状态改变。

此外,MPAS124A继电器还可以根据不同的工作原理分为吸合型
和释放型。

吸合型继电器是在施加电流或电压时触点闭合,而释放
型继电器则是在施加电流或电压时触点断开。

总的来说,MPAS124A继电器的原理是基于电磁感应和磁性材料
特性,通过控制线圈产生的磁场来实现对电路的开关控制。

这样的设计使得继电器在工业控制和电气系统中得到了广泛的应用。

光电耦合器和固态继电器及应用

光电耦合器和固态继电器及应用

光电耦合器和固态继电器及应⽤光电耦合器是以光为媒介传输电信号的⼀种电-光-电转换器件。

它由发光源和受光器两部分组成。

把发光源和受光器组装在同⼀密闭的壳体内,彼此间⽤透明绝缘体隔离。

发光源的引脚为输⼊端,受光器的引脚为输出端,常见的发光源为发光⼆极管,受光器为光敏⼆极管、光敏三极管、光敏电阻型、光控晶闸管型(光控可控硅)、光电达林顿型、集成电路型等。

另外利⽤光电耦合和电⼦开关元件(开关三极管、双向可控硅等半导体器件)还可组成固态继电器SSR,固态继电器分为交流和直流两类。

在调频和电视发射机中常⽤光电三极管和交流固态继电器这两种器件,下⾯对这两种器件分别作⼀简单介绍。

⼀、光电耦合器优点光电耦合器是近⼗⼏年发展起来的⼀种半导体光电器件,它具有体积⼩、寿命长、抗⼲扰能⼒强、⼯作温度宽及⽆触点输⼊与输出,且在电⽓上完全隔离等特点。

⼆、三极管输出型光电耦合器(见图1)1.元件组成与符号三极管输出型光电耦合器电路如图2中(a)所⽰,它是由两部分组成的。

其中,①、②端为输⼊端,通常由发光器件构成;④、⑤、⑥端接⼀只光敏三极管构成输出端,当接收到发射端发出的红外光后,在三极管集电极中便有电流输出。

图2(b)是光控晶闸管电路。

2.⼯作原理当电信号送⼊光电耦合器的输⼊端时,发光⼆极管有电流通过⽽发光,光敏元件受到光照后产⽣电流,c、e导通;若输⼊端⽆信号,发光⼆极管不亮,光敏三极管截⽌,c、e不通。

对于数字量,当输⼈为低电平“0”时,光敏三极管截⽌,输出为⾼电平“1”;当输⼊为⾼电平“1”时,光敏三极管饱和导通,输出为低电平“0”。

3.光电耦合器测试(1)⽤万⽤表判断好坏,断开输⼊端电源,⽤R×10k挡,否则将导致发射管击穿。

(2)简易测试电路。

为了准确快速判断其元件性能好坏,我们⾃⾏安装了光耦、固态继电器、⼩型电磁继电器测试仪,具体测试⽅法是:⾸先选择被测元件开关,然后将被测光耦插到相应的管座上,注意管座号与光耦的管脚要对应,当接通电源后,对应的LED不发光,说明此光耦已损坏,如果LED灯点亮说明此光耦是好的。

tyn412可控硅参数

tyn412可控硅参数

tyn412可控硅参数tyn412可控硅参数解析可控硅(SCR)是一种广泛应用于电力控制和调节领域的半导体器件,它具有可靠性强、寿命长、运行稳定等优点,因此被广泛应用于各种电力设备中。

而在众多的可控硅型号中,tyn412是其中一款常见且受欢迎的型号。

本文将对tyn412可控硅的参数进行解析,以帮助读者更好地了解和应用该器件。

1. 型号和封装tyn412可控硅是一款具有二极型结构的硅控整流器,它具有TO-220封装,这种封装形式常见于低压高电流的应用场合。

TO-220封装具有良好的散热性能和机械强度,因此在一些对散热要求较高的电力设备中得到广泛应用。

2. 电气参数以下是tyn412可控硅的一些重要电气参数:- 最大重复峰值反向电压(VDRM):该参数表示可控硅能够承受的最大反向电压,tyn412为600V。

这意味着在正常工作条件下,可控硅的反向电压应该保持在600V以下,否则可能会损坏器件。

- 最大额定RMS正向电流(IT(RMS)):该参数表示可控硅在连续工作条件下所能承受的最大正向电流,tyn412为12A。

因此,在实际应用中,需根据电路设计的需求选择合适的电流大小。

- 静态触发电流(IGT):该参数表示可控硅所需的最小触发电流,即使在较低的电流下也能使可控硅导通。

tyn412的IGT为35mA,这意味着在触发可控硅时,电流必须达到或超过35mA才能进行正常工作。

- 公共引脚最大耐压(VISO):该参数表示可控硅的公共引脚(Cathode)与主要电路引脚(Anode)之间的最大绝缘耐压。

tyn412的VISO为2500V,可保证安全隔离。

- 静态限流电流(IH)和动态限流电流(IL):这两个参数分别表示可控硅的静态和动态限流电流。

静态限流电流IH是可控硅保持导通所需的最小电流,而动态限流电流IL是可控硅在触发后不应超过的限流电流值。

对于tyn412这两个参数分别为30mA和40mA。

3. 优缺点tyn412作为一款常见的可控硅型号,具有以下优点:- 可靠性高:tyn412采用优质的硅材料和先进的制造工艺,使其具有较高的可靠性和寿命。

AQA211VL固态继电器

AQA211VL固态继电器

中国浙江省杭州市西湖科技园西园一路8号特点:实物图:◆光电隔离◆可提供透明防护盖◆4000V 介质耐压◆过零或随机导通开关◆面板安装◆SCR 反并联输出◆内置RC 吸收回路◆LED 指示工作状态◆环保产品(符合ROHS 要求)Product description 产品描述AQA 系列为杭州国晶专业固态继电器制造单相固态继电器产品,采用先进环保科技,符合(ROHS)要求,过零或随机导通开关,负载电压75-250VAC 等选择型,输入电流为15A-30A 选择型。

AQA a series of brilliant specializes in manufacturing single-phase ac solid state relays for thesolid staterelay control ac low voltage products,the use of advanced environmental protection technology,conform to the requirements of the (ROHS),zero or random conduction switch,load voltage75-250vac,wide choices,such as the input current of 15-30a wide choices.Productmodel 产品型号产品型号输入电流输入电压输出电压输出电流过零触发功能AQA211VL 10mA 4-32VDC 75-250V AC 15A Yes AQA411VL 10mA 4-32VDC 75-250V AC 25A Yes AQA611VL 10mA 4-32VDC 75-250V AC 40A Yes AQAD171DL 100μA 4-32VDC 600V DC 10A No AQAD551DL100μA4-32VDC100V DC30ANo中国浙江省杭州市西湖科技园西园一路8号Typical applications 典型应用AQA 系列产品单相固态继电器,广泛应用于各种工业场合,适合阻性感性和容性负载.AQA single-phase solid state relay series products,widely used in all kinds of industrial occasions,suitable for impedance inductive and capacitive loads.Overall dimensions 外形尺寸ENVIROMENTAL INFORMATION 环保信息The environmental information disclosed including the EIP Pollution logo are in compliance with People ’s Republic of ChinaElectronic Industry Standard SJ/T11364–2006,Marking for Control of Pollution Caused by Electronic Information Products.If you want to know more information,please click on the official website:Matters needing attention注意事项Note:1.When the environment temperature for more than 40℃or solid state relay installed together,users should consider derating use according to the temperature curve.2.If the load current exceeds 10a,should add the appropriate heat sinks to protect the solid state relay.3.The inductive load selection solid-state relay current should be 5to 7times of load current.4.When two or more quantity of solid state relay installed side by side,should keep enough distance (more than 10mm).More than5.When Shared a solid state relay control power supply,control input can be used in series or parallel.But must ensure that each solid state relay have enough input drive current.6.In the load circuit,please quick fuse or circuit breaker series,in order to prevent the load short circuit.7.Part of the high current surge load selection solid-state relay should be 10times more than the actual load current.If youwant toknow more information,please click on the official website:。

固态继电器输出端线路编号

固态继电器输出端线路编号

固态继电器输出端线路编号一、固态继电器输出端线路编号的介绍固态继电器是一种电子开关设备,用于控制电气信号的传输和转换。

在固态继电器中,输出端线路编号是指用于连接外部电路的继电器输出端口。

本文将详细介绍几种常见的固态继电器输出端线路编号及其特点。

二、NO(常开)型输出端线路编号NO型输出端线路编号代表“Normally Open”,即常开型输出端口。

在固态继电器中,当控制信号有效时,常开型输出端口处于断开状态,不传输电流。

只有当控制信号失效时,常开型输出端口才会闭合,传输电流。

这种输出端口常用于需要在控制信号失效时断开电路的应用场景,例如安全保护装置。

三、NC(常闭)型输出端线路编号NC型输出端线路编号代表“Normally Closed”,即常闭型输出端口。

与NO型输出端口相反,当控制信号有效时,常闭型输出端口处于闭合状态,传输电流。

只有当控制信号失效时,常闭型输出端口才会断开,不传输电流。

常闭型输出端口常用于需要在控制信号失效时闭合电路的应用场景,例如报警装置。

四、COM(公共)型输出端线路编号COM型输出端线路编号代表“Common”,即公共型输出端口。

在固态继电器中,公共型输出端口用于与控制信号相连,同时连接NO型和NC型输出端口。

公共型输出端口可以与NO型或NC型输出端口之一连接,通过控制信号的有效与失效来切换输出电路的状态。

这种输出端口常用于需要切换不同输出状态的应用场景,例如电机控制。

五、NO/NC(双刀双掷)型输出端线路编号NO/NC型输出端线路编号代表“Normally Open/Normally Closed”,即双刀双掷型输出端口。

这种输出端口具有一个NO型输出端口和一个NC型输出端口,可以同时连接两个不同的电路。

当控制信号有效时,NO型输出端口闭合,传输电流;而NC型输出端口断开,不传输电流。

当控制信号失效时,NO型输出端口断开,不传输电流;而NC型输出端口闭合,传输电流。

MOSFET光耦继电器AQY412S

MOSFET光耦继电器AQY412S

型号: AQY412S
特点:实现了超小型尺寸的Photo MOS4脚SO封装的Photo MOS1b型封装: SOP4
端子形状: Surface-Mount
包装方式: Tube packing
连续负载电流: 0.5A
负载电压: 60 V
导通电阻(平均): 1 ohm
输出端子间容量(平均): 500 pF
国外标准: UL, C-UL, VDE
触点结构: 1b
耐电压: 1500V AC
导通电阻(最大): 2.5 ohm
开路状态漏电流(最大): 1μA
最大允许LED电流: 50mA
LED反向电压: 5V
最大正向电流: 1A
部允许损耗: 75mW
动作LED电流(平均): 0.9mA
动作LED电流(最大): 3mA
复位LED电流(最小): 0.4mA
复位LED电流(平均): 0.85mA
LED压降(最大): 1.5V
动作时间(平均): 0.9ms
复位时间(平均): 0.21ms
全部允许损耗: 350mW
使用环境温度: -40℃~+85℃
保存温度: -40℃~+100℃
输入/输出间端子容量(平均): 0.8pF
输入/输出间端子容量(最大): 1.5pF
输入/输出绝缘电阻(最小): 1000 M ohm
推荐动作条件(输入LED电流): 5mA。

光电耦合器工作原理详细解说

光电耦合器工作原理详细解说

光电耦合器工作原理详细解说光电耦合器(Photocoupler),也称为光电继电器(Optocoupler),是一种能够将输入信号转换为光信号再转换为输出电信号的器件。

其主要作用是实现不同电路之间的电隔离,以保护电路的安全性和稳定性。

光电耦合器由光电二极管、光敏三极管、输入控制电路和输出控制电路组成。

1.输入控制电路:输入控制电路通常由输入电源和输入电阻组成。

输入电源与光电二极管的阳极相连,通过输入电阻将输入信号与光电二极管的阴极相连。

输入信号为正电平时,输入电流流过光电二极管,使其发生反向饱和。

2.光电二极管:光电二极管是光电耦合器的输入部分,它是一种普通的二极管,但其结构上存在差异。

光电二极管的结构是由两个PN结反向串联构成,其中阴极是p型材料,阳极是n型材料。

当无光照射时,光电二极管的反向电流很小,工作在反向截止区域。

3.光敏三极管:光敏三极管是光电耦合器的输出部分,它常常采用双基结构,包含有一对PNPN结,工作原理类似于可控硅。

光敏三极管的基极由光电二极管输出光信号控制,发射极用于输出电压。

4.输出控制电路:输出控制电路主要由输出电源、负载电阻和输出电压组成。

输出电源与负载电阻并联,负载电阻与发射极连接。

当光敏三极管发射光照射到通常开关型三极管的基极上时,开关型三极管会关闭,电流通过负载电阻产生电压。

当输入控制电路输出为高电平时,输入电流会使光电二极管的阴极处于正向饱和区,此时光电二极管的发光强度最大。

光敏三极管接收到光信号后,基极电流会大幅度增加,从而将输出电路的开关型三极管关闭,电流流过负载电阻产生相应的电压输出。

当输入控制电路输出为低电平时,光电二极管不发出光,光敏三极管的基极电流减小,将导致输出电路中的开关型三极管打开,负载电阻上的电压为0。

总结来说,光电耦合器通过光电二极管将输入电信号转换为光信号,再通过光敏三极管控制输出电路。

这样可以实现输入电路与输出电路之间的电隔离,提高电路稳定性和安全性。

MAX412CSA+,MAX412ESA+,MAX410ESA+,MAX412CPA+,MAX412EPA+,MAX414CSD+,MAX410BCSA, 规格书,Datasheet 资料

MAX412CSA+,MAX412ESA+,MAX410ESA+,MAX412CPA+,MAX412EPA+,MAX414CSD+,MAX410BCSA, 规格书,Datasheet 资料

Applications
Low-Noise Frequency Synthesizers Infrared Detectors High-Quality Audio Amplifiers Ultra Low-Noise Instrumentation Amplifiers Bridge Signal Conditioning
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(V+ = 5V, V- = -5V, TA = +25°C, unless otherwise noted.)
PARAMETER Input Offset Voltage Input Bias Current Input Offset Current Differential Input Resistance Common-Mode Input Resistance Input Capacitance SYMBOL VOS IB IOS RIN(Diff) RIN(CM) CIN MAX410, MAX412, MAX414 Input Noise-Voltage Density en MAX410B, MAX412B, MAX414B fO = 10Hz fO = 1000Hz ±3.5 VCM = ±3.5V VS = ±2.4V to ±5.25V RL = 2kΩ, VO = ±3.6V RL = 600Ω, VO = ±3.5V RL = 2kΩ 115 96 115 110 +3.6 -3.7 10Hz 1000Hz (Note 2) 1000Hz (Note 2) CONDITIONS MAX410, MAX410B, MAX412, MAX412B MAX414, MAX414B MIN TYP ±120 ±150 ±80 ±40 20 40 4 7 1.5 2.4 2.6 1.2 +3.7/ -3.8 130 103 122 120 +3.7/ -3.8 35 10kΩ || 20pF load 10kΩ || 20pF load To 0.1% fO = 1kHz 4.5 28 1.3 135 2.4 4.0 pA√Hz V dB dB dB V mA V/µs MHz µs dB nV√Hz MAX ±250 ±320 ±150 ±80 UNITS µV nA nA kΩ MΩ pF

2N4124中文资料(VISHAY)中文数据手册「EasyDatasheet - 矽搜」

2N4124中文资料(VISHAY)中文数据手册「EasyDatasheet - 矽搜」
威世半导体
mA 500
3.2
400
IC 300
200
100
0 0
19168
图8.共发射极集电极特性
1 VCE
2.8 2.4 2 1.8
1.6 1.4 1.2 0.8 1
0.6 0.4 I B =0.2毫安
2V
mA 100 80 IC 60 40
20
0.35 0.3
0.25
0.2 0.15 0.1 IB =0.05毫安
底部
View
18776
文件编号85110
修订版1.2,18 - 8 - 04
5
芯片中文手册,看全文,戳
VISHAY
小信号晶体管(NPN)
特征
•NPN硅外延晶体管开关和 放大器应用.
•特别适用于自动对焦驱动器和低功耗 输出级.
•互补型,PNP晶体管 2N4126建议.
机械数据 Case: TO-92塑料外壳
重量: 约. 177毫克
包装代码 /选项: 每个集装箱20 K /箱散装/ 5 K. 每Ammopack 20K /盒TAP / 4K的
2N4124
威世半导体 包装径向编带
VISHAY
±1
12.7 ±1
±2
± 0.2
0.3
"H"
0.3 ±1 -0.5
12 ± 18
± 0.5
9
4 ± 0.2
6.3 ± 0.7
5.08 ± 0.7
2.54
+ 0.6 - 0.1
12.7 ± 0.2 测量上限超过20指数 - 孔:±1
18787
弗斯.暗淡. “H” FSZ 27 ± 0.5

GAQW212_GAQW212S

GAQW212_GAQW212S

1. FEA TURES1.1 No EMI/RFI Generation1.2 High reliabilityE155181 1.3 No moving parts1.4 Low drive power requirement (TTL/CMOS Compatible) 1.5 Low On-state Resistance1.6 3750V isolation input/output (1500V isolation for SO-package) 1.7 Arc-free with no snubbing circuits 1.8 Machine insertable or wave solderable2. APPLICATION2.1 Telecommunications 2.2 Instrumentation 2.3 Medical equipment 2.4 Security 2.5 Industrial control3. PART NUMBERING SYSTEMGAQ W 2 1 4 S ZPacking NO: Tube packaging thePackage NO: DIPLoad Voltage 0: 350V / 1:30~ 40V / 2: 60V / 3: 250V /4: 400V / 5:80~ 100/6: 600V /7:200VContact type 0:DC 1: GU.general usage/GE.economicalLoad type 2: 1A&2A(AC/DC) / 4: 1B&2B(AC/DC)/6: 1A&1B(AC/DC)Type Y: 4pin / V: 6pin / W: 8pin Series name MOS RELAY2:RF. high frequency5:HE.economical.HE.small volume.resistanceZ/Y:Packaging on contin- uous tapesS: SOPA: SMD(surface mount terminals)貫溢科技4. SPECIFICATIONPart Number (8PIN) Marking PACKINGContact Form45 pcs/Tube 45 pcs/Tube 1000 pcs/Tape & reel50 pcs/Tube 2000 pcs/Tape & reel2AElectrical characteristics (Ambient temperature: 25°C)ITEM SymbolMIN. TYP MAX UNIT NOTEForward voltageVF 1.0 1.4 V IF=10mA Reverse voltageVR5VIR=10µAInput Control currentIF opr 5 50 mA Load voltage (AC peak or DC) VL60VSOP 350Continuous Rated Load Current DIP/SMD IL 400 mA IF=10mASOP 600Peak currentDIP/SMD ILpeak 700mA 10msOn-state resistanceR ON 1.0 1.4 Ohm IF=10mA,IL=rating Off-state Leakage current I LK 1 µA IF=0mA,VL=rating Turn-On Time T ON 0.2 0.5 ms Turn-Off Time T OFF 0.03 0.3 ms IF=10mA,VL=rating,IL=rating Output Output Capacitance C OUT 150 pF f=1MHz I/O CapacitanceC I/O 1 pFf=1MHzSOP 1500 I/O Isolation voltage DIP/SMD V I/O 3750VAC R.H.≦60% 1minInput/Output I/O Isolation resistanceR I/O 5 G ΩDC=500V delay 2secOperatingT OP-40°C to +85°C (-40°F to +185°F) Temperature limitsStorageT STG-40°C to +100°C (-40°F to +212°F)GAQW212GAQW212A GAQW212AZ GAQW212S GAQW212SZW212 W212A W212A W212S W212S貫溢科技LIMIT CONDITIONSTemperature (°C)L o a d C u r r e n t (%)-40-2020120100010080604020406080Load Current vs. TemperatureTemperature (°C)C o n t r o l C u r r e n t (m A )-40-202006050010080604010203040Control Current vs. TemperatureRECOMMENDED OPERATING CONDITIONSCHARACTERISTIC SYMBOL MIN. TYP. MAX. UNIT Forward Current IF51025mAOperating TemperatureT opr -20 65 ℃貫溢科技GY-OPTOCOUPLER7.CIRCUIT DIAGRAM & APPLICA TION Array貫溢科技G&Y TECHNOLOGY8. DRAWINGS貫溢科技G&Y TECHNOLOGYGY-OPTOCOUPLER。

AQY214S中文资料

AQY214S中文资料
Case: 2,000 pcs.) (2) For space reasons, the top two letters of the product number “AQY” and “S” are omitted on the product seal. The package type indicator “X”
Footprint
Approx. 70%
2. Tape and reel
The device comes standard in a tape and reel (1,000 pcs./reel) to facilitate automatic insertion machines.
3. Controls low-level analog signals PhotoMOS relays feature extremely low closed-circuit offset voltage to enable control of low-level analog signals without distortion. 4. Low-level off state leakage current In contrast to the SSR with an off state leakage current of several milliamperes, the PhotoMOS relay features a very small off state leakage current of typ. 100 pA (AQY214S) even with the rated load voltage of 400 V.
3.0
2.5
2.0
1.5
AQY212S

photoMOS光耦继电器AQW212A

photoMOS光耦继电器AQW212A

型号:AQW212A
特点:高性能与经济性兼顾的Photo MOS2a型!封装:DIP8
端子形状:Surface-Mount
包装方式:Tube packing
连续负载电流:0.5A
负载电压:60 V
导通电阻(平均):0.83 ohm
输出端子间容量(平均):80 pF
国外标准:UL, C-UL
触点结构:2a
耐电压:1500V AC
导通电阻(最大):2.5 ohm
开路状态漏电流(最大):1μA
最大允许LED电流:50mA
LED反向电压:5V
最大正向电流:1A
部允许损耗:75mW
动作LED电流(平均):1mA
动作LED电流(最大):3mA
复位LED电流(最小):0.4mA
复位LED电流(平均):0.79mA
LED压降(最大):1.5V
动作时间(平均):0.65ms
复位时间(平均):0.08ms
全部允许损耗:850mW
使用环境温度:-40℃~+85℃
保存温度:-40℃~+100℃
输入/输出间端子容量(平均):0.8pF
输入/输出间端子容量(最大):1.5pF
输入/输出绝缘电阻(最小):1000 M ohm
推荐动作条件(输入LED电流):5mA。

PHOTOMOS光耦继电器AQW212EH

PHOTOMOS光耦继电器AQW212EH

型号: AQW212EH
特点:实现了经济价格的低成本Photo MOS2a型!封装: DIP8 端子形状: Through Hole
包装方式: Tube packing
连续负载电流: 0.5A
负载电压: 60 V
导通电阻(平均): 0.83 ohm
输出端子间容量(平均): 80 pF
国外标准: UL, C-UL, BSI
触点结构: 2a
耐电压: 5000V AC
导通电阻(最大): 2.5 ohm
开路状态漏电流(最大): 1μA
最大允许LED电流: 50mA
LED反向电压: 5V
最大正向电流: 1A
部允许损耗: 75mW
动作LED电流(平均): 1.2mA
动作LED电流(最大): 3mA
复位LED电流(最小): 0.4mA
复位LED电流(平均): 1.1mA
LED压降(平均): 1.25V
LED压降(最大): 1.5V
动作时间(平均): 1ms
复位时间(平均): 0.08ms
全部允许损耗: 850mW
使用环境温度: -40℃~+85℃
保存温度: -40℃~+100℃
输入/输出间端子容量(平均): 0.8pF
输入/输出间端子容量(最大):1.5pF
输入/输出绝缘电阻(最小): 1000 M ohm
推荐动作条件(输入LED电流): 5-10mA。

photoMOS光耦继电器AQW210EH

photoMOS光耦继电器AQW210EH

型号:AQW210EH
特点:实现了经济价格的低成本Photo MOS2a型!封装:DIP8
端子形状:Through Hole
包装方式:Tube packing
连续负载电流:0.12A
负载电压:350 V
导通电阻(平均):18 ohm
输出端子间容量(平均):45 pF
国外标准:UL, C-UL, BSI
触点结构:2a
耐电压:5000V AC
导通电阻(最大):25 ohm
开路状态漏电流(最大):1μA
最大允许LED电流:50mA
LED反向电压:5V
最大正向电流:1A
部允许损耗:75mW
动作LED电流(平均):1.2mA
动作LED电流(最大):3mA
复位LED电流(最小):0.4mA
复位LED电流(平均):1.1mA
LED压降(平均):1.25V
LED压降(最大):1.5V
动作时间(平均):0.5ms
复位时间(平均):0.08ms
全部允许损耗:850mW
使用环境温度:-40℃~+85℃
保存温度:-40℃~+100℃
输入/输出间端子容量(平均):0.8pF
输入/输出间端子容量(最大):1.5pF
输入/输出绝缘电阻(最小):1000 M ohm
推荐动作条件(输入LED电流):5-10mA。

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型号:AQY412S
特点:实现了超小型尺寸的Photo MOS4脚SO封装的Photo MOS1b 型
封装:SOP4
端子形状:Surface-Mount
包装方式:Tube packing
连续负载电流:0.5A
负载电压:60 V
导通电阻(平均):1 ohm
输出端子间容量(平均):500 pF
国外标准:UL, C-UL, VDE
触点结构:1b
耐电压:1500V AC
导通电阻(最大):2.5 ohm
开路状态漏电流(最大):1μA
最大允许LED电流:50mA
LED反向电压:5V
最大正向电流:1A
部允许损耗:75mW
动作LED电流(平均):0.9mA
动作LED电流(最大):3mA
复位LED电流(最小):0.4mA
复位LED电流(平均):0.85mA
LED压降(最大):1.5V
动作时间(平均):0.9ms
复位时间(平均):0.21ms
全部允许损耗:350mW
使用环境温度:-40℃~+85℃
保存温度:-40℃~+100℃
输入/输出间端子容量(平均):0.8pF
输入/输出间端子容量(最大):1.5pF
输入/输出绝缘电阻(最小):1000 M ohm
推荐动作条件(输入LED电流):5mA。

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