黄光制程_??????
黄光制程工艺流程
1、PR前清洗ITOGLASS清洗指用物理的方法（磨刷喷洗）和化学的方法（去离子水DI 水和KOH）将玻璃表面的脏污和油污、杂质除去并干燥的过程2、PR涂佈指在玻璃的导电层表面均匀涂上一层光刻胶3. 前烘指在一定温度下将涂有光刻胶的玻璃烘一段时间、使光刻胶的溶剂挥发，形行成固体的PR层4. 曝光指用紫外线通过预先设置好的菲林垂直照射光刻胶表面，使被照射部分的光刻胶发生反应5、显影指用弱KOH溶液去离玻璃表面将径光照射部分的光刻胶除去，保留未照射部分的光刻胶6、坚膜指将玻璃在径一次高温处理，使光刻胶膜更加坚固。
7、蚀刻指用适当的酸液将无光刻胶覆盖的ITO层除去，这样就得到了我们所需要的ITO 电极图形。
8、脱膜指用较强的KOH剥膜液将残留光刻胶除去，将玻璃表面清洗干燥1. PR前清洗A.清洗：指清除吸附在玻璃表面的各种有害杂质或油污。
清洗方法是利用各种化学浓剂（KOH）和有机浓剂与吸附在玻璃表面上的杂质及油污发生化学反应和浓解作用，或以磨刷喷洗等物理措施，使杂质从玻璃表面脱落，然后用大量的去离子水（DI水）冲洗，从而获得洁净的玻璃表面。
（风切是关键）B.干燥：因经过清洗后的玻璃，表面沾有水或有机浓剂等清洗液。
这样会对后续工序造成不良影响，特别是对后续光刻工艺会产生浮胶、钻蚀、图形不清晰等不良现象。
因此，清洗后的玻璃必须经过干燥处理。
目前常采用的方法是烘干法，而是利用高温烘烤，使玻璃表面的水分气化变为水蒸气而除去的过程，此方法省时又省力。
但是如果水的纯度不变，空气净化等不多或干燥机温度不够，玻璃表面残存的水分虽经气化为蒸气，但在玻璃表面还会留下水珠，这种水珠将直接影响后续工序的产品质量C. 十槽清洗机PR清洗机制程参数设定1---3槽KOH溶液为0.4~0.7N，温度为60±5℃，浸泡时间为2~3min／槽纯水溢流量为0.5±0.2㎡／n. KOH溶度为1.0N~1.6N,温度为40±5℃,喷洗压为0.2~1.0kgf/c㎡,传动速度为3.0~4.5m/min,磨刷转速为85~95rpm,压力为0.2~1.0kg/c㎡，纯水温度为40±5℃，干燥机1.2.3段温度为110℃±10℃。
薄膜黄光蚀刻制程简介
市场趋势
关注未来市场的发展趋势和变化，了解客户需求和行业动 态。根据市场变化调整产品策略和制程技术发展方向，以 保持竞争优势。
要点二
竞争态势
分析竞争对手的动态和优势，采取有效的竞争策略。加强 自主创新和技术研发，提升核心竞争力，以应对激烈的市 场竞争。同时，寻求与竞争对手的合作与共赢，共同推动 行业的发展。
在光学组件与镜头制造中，薄膜黄光蚀刻制程用于制造透镜 、棱镜、反射镜等光学元件。通过高精度、高分辨率的图案 转移，可以确保光学元件的表面质量和成像性能。
该制程在制造高精度镜头和复杂的光学系统中发挥着重要作 用，广泛应用于摄影、摄像、测量等领域。
精密机械与模具制造
在精密机械与模具制造中，薄膜黄光 蚀刻制程用于制造高精度、高硬度的 模具和机械零件。通过精确控制图案 转移和材料加工，可以实现复杂形状 和结构的制造，提高产品的质量和生 产效率。
02 薄膜黄光蚀刻制程的原理 与技术
光化学反应原理
光化学反应
在光的作用下，物质吸收光能转变为化学能， 引发化学反应。
光化学反应类型
包括聚合、裂解、异构化等。
光敏材料
用于吸收光能并转换为化学能，引发光化学反 应。
光源与光学系统
光源
提供足够的光能量，常用光源有紫外灯、激 光等。
光学系统
控制光的方向、聚焦和能量分布，确保光束 质量稳定。
薄膜黄光蚀刻制程简 介
目录
CONTENTS
• 薄膜黄光蚀刻制程概述 • 薄膜黄光蚀刻制程的原理与技术 • 薄膜黄光蚀刻制程的应用 • 薄膜黄光蚀刻制程的挑战与未来发展
01 薄膜黄光蚀刻制程概述
定义与特性
定义
薄膜黄光蚀刻制程是一种利用黄光作 为光源，将薄膜材料进行蚀刻的制程 技术。
黄光PHOTO制程问答
黄光PHOT（制程问答PHOTO流程?答：上光阻f曝光f顯影f顯影後檢查f CD量測f Overlay量測何为光阻？其功能为何？其分为哪两种？答：Photoresist（光阻）. 是一种感光的物质，其作用是将Pattern 从光罩（Reticle）上传递到Wafer 上的一种介质。
其分为正光阻和负光阻。
何为正光阻? 答：正光阻，是光阻的一种，这种光阻的特性是将其曝光之后，感光部分的性质会改变，并在之后的显影过程中被曝光的部分被去除。
何为负光阻? 答：负光阻也是光阻的一种类型，将其曝光之后，感光部分的性质被改变，但是这种光阻的特性与正光阻的特性刚好相反，其感光部分在将来的显影过程中会被留下，而没有被感光的部分则被显影过程去除。
什幺是曝光？什幺是显影？答：曝光就是通过光照射光阻，使其感光；显影就是将曝光完成后的图形处理，以将图形清晰的显现出来的过程。
何谓Photo?答：Photo=Photolithgraphy, 光刻，将图形从光罩上成象到光阻上的过程。
Photo主要流程为何？答：Photo的流程分为前处理，上光阻，Soft Bake,曝光，PEB显影，Hard Bake 等。
何谓PHOT区之前处理？答：在Wafer 上涂布光阻之前，需要先对Wafer 表面进行一系列的处理工作，以使光阻能在后面的涂布过程中能够被更可靠的涂布。
前处理主要包括Bake，HDMS 等过程。
其中通过Bake将Wafer表面吸收的水分去除，然后进行HDM工作，以使Wafer 表面更容易与光阻结合。
何谓上光阻?答：上光阻是为了在Wafer 表面得到厚度均匀的光阻薄膜。
光阻通过喷嘴（Nozzle）被喷涂在高速旋转的Wafer表面，并在离心力的作用下被均匀的涂布在Wafer 的表面。
何谓Soft Bake?答：上完光阻之后，要进行Soft Bake ，其主要目的是通过Soft Bake 将光阻中的溶剂蒸发，并控制光阻的敏感度和将来的线宽，同时也将光阻中的残余内应力释放。
黄光PHOTO制程问答
黄光PHOTO制程问答2009-11-27 17:11PHOTO 流程?答：上光阻→曝光→显影→显影后检查→CD量测→Overlay量测何为光阻？其功能为何？其分为哪两种？答：Photoresist(光阻).是一种感光的物质，其作用是将Pattern从光罩(Reticle)上传递到Wafer上的一种介质。
其分为正光阻和负光阻。
何为正光阻?答：正光阻，是光阻的一种，这种光阻的特性是将其曝光之后，感光部分的性质会改变，并在之后的显影过程中被曝光的部分被去除。
何为负光阻?答：负光阻也是光阻的一种类型，将其曝光之后，感光部分的性质被改变，但是这种光阻的特性与正光阻的特性刚好相反，其感光部分在将来的显影过程中会被留下，而没有被感光的部分则被显影过程去除。
什幺是曝光？什幺是显影？答：曝光就是通过光照射光阻，使其感光；显影就是将曝光完成后的图形处理，以将图形清晰的显现出来的过程。
何谓 Photo?答：Photo=Photolithgraphy,光刻，将图形从光罩上成象到光阻上的过程。
Photo主要流程为何?答：Photo的流程分为前处理，上光阻，Soft Bake, 曝光，PEB，显影，Hard Bake 等。
何谓PHOTO区之前处理?答：在Wafer上涂布光阻之前，需要先对Wafer表面进行一系列的处理工作，以使光阻能在后面的涂布过程中能够被更可靠的涂布。
前处理主要包括Bake，HDMS 等过程。
其中通过Bake将Wafer表面吸收的水分去除，然后进行HDMS工作，以使Wafer表面更容易与光阻结合。
何谓上光阻?答：上光阻是为了在Wafer表面得到厚度均匀的光阻薄膜。
光阻通过喷嘴（Nozzle）被喷涂在高速旋转的Wafer表面，并在离心力的作用下被均匀的涂布在Wafer的表面。
何谓Soft Bake?答：上完光阻之后，要进行Soft Bake，其主要目的是通过Soft Bake将光阻中的溶剂蒸发，并控制光阻的敏感度和将来的线宽，同时也将光阻中的残余内应力释放。
黄光制程银浆
黄光制程银浆摘要：一、黄光制程银浆概述二、黄光制程银浆的制备方法三、黄光制程银浆的应用领域四、黄光制程银浆的优势与未来发展前景正文：一、黄光制程银浆概述黄光制程银浆，又称黄光蚀刻银浆，是一种在微电子制造领域中应用广泛的材料。
它是一种以银为主要成分的浆料，通过黄光制程技术，能够在特定波长的黄光照射下，实现对银膜的高精度蚀刻。
这种技术在现代微电子制造中起着举足轻重的作用，尤其在平板显示器、触摸屏、太阳能电池等领域具有广泛的应用。
二、黄光制程银浆的制备方法黄光制程银浆的制备方法通常分为以下几个步骤：1.配料：将银粉、有机溶剂、添加剂等原材料按照一定的比例混合在一起。
2.研磨：将混合好的材料进行充分研磨，使得银粉粒子达到所需的尺寸分布。
3.分散：将研磨好的浆料进行分散处理，使得银粉能够在有机溶剂中形成稳定的悬浮液。
4.过滤：对浆料进行过滤，去除可能影响蚀刻效果的杂质。
5.调光：通过调整黄光源的波长和强度，使得银浆在特定波长的黄光照射下能够实现高精度蚀刻。
三、黄光制程银浆的应用领域黄光制程银浆在微电子制造领域具有广泛的应用，主要包括以下几个方面：1.平板显示器：在生产平板显示器时，黄光制程银浆可用于制作薄膜电极、导线等部件。
2.触摸屏：在触摸屏制造过程中，黄光制程银浆可用于制作触摸感应器、电极等关键部件。
3.太阳能电池：在太阳能电池生产中，黄光制程银浆可用于制作电极、反射层等组件。
4.电子标签：在电子标签制造领域，黄光制程银浆可用于制作天线和导电图案等部分。
四、黄光制程银浆的优势与未来发展前景黄光制程银浆具有以下优势：1.高精度蚀刻：黄光制程银浆在特定波长的黄光照射下，能够实现对银膜的高精度蚀刻，满足微电子制造领域对精细度的要求。
2.良好的稳定性：黄光制程银浆具有良好的稳定性，能够在一定程度上降低生产过程中出现的不良品率。
3.环保性能：相较于传统化学蚀刻方法，黄光制程银浆具有较好的环保性能，有利于实现绿色生产。
黄光工艺介绍
4.黄光制程与传统制程的优劣2-流程工艺能力
耐酸印刷制程
制程规 耐酸印 格项目 刷制程
评判
线宽线 0.3*0.3
距
mm
一般
蚀刻痕 明显
一般
是否扩 散
产品设 计图形 复杂的
程度
精度
印刷容 易扩散
设计图 形简单
0.1mm
一般 一般 一般
黄光制程
制程规 黄光制 格项目 程
，容易扩散。 容易受ITO图案复杂性
影响
良率高不受其它影响
Remark： 黄光制程相对耐酸印刷制程良率较高。
黄光工艺介绍 Profile of Photo process
2012-12-29
1、黄光制程定义-核心技术及名称的来源
黄光工艺使用的技术 黄光使用的技术为微影 (Lithography) 技术，使用的材料为感光材料，这
种材料称之为光阻（PR,photo resistance)。PR具有独特的特性，在UV光的作 用下，会发生化学变化，变成易容与酸或者碱的新物质。
微影 (Lithography) 技术是将光罩 (Mask) 上的图案先转移至PR上，再以 溶剂浸泡将PR受光照射到的部份加以溶解或保留，形成和光罩完全相同或呈互 补的光阻图。
黄光制程名称的来源 由于微影制程的环境照明光源是黄光，而非一般摄影暗房的红光，所以这
一制程常被简称为“黄光”制程。 黄光制程线路精准度水平高，被广泛应用在电容式触摸屏sensor的加工。
Remark：黄光制程采用干膜代替耐酸制程能力进一步提升，可以提升产品层次。 镭雕工艺有效率和爆点的问题，复杂ITO图案产品的批量性低。
4.黄光制程与传统制程的优劣3—批量能力
触摸屏黄光制程介绍
触摸屏黄光制程介绍触摸屏黄光制程介绍高精度网印制版及印刷技术是触摸屏制程中的核心技术，随着触摸屏市场的迅猛发展，对触摸屏生产成本和技术的要求也越来越高，谁的成本低、技术精，谁就能抢先占领市场，这同时也给触摸屏厂家就选择什么制程更能符合公司长远发展提出了疑问，那么触摸屏厂家到底是选择黄光制程还是印刷制程呢？11. 51Touch：利满洋行主要从事滚筒印刷制程，是这方面的专家，请您就目前黄光制程和滚筒印刷制程的区别做一个详细的介绍吧。
利满洋行：黄光制程和滚筒印刷制程就印刷制程而言，在成本和工艺上还是有很大区别的，我这里有一个比较详细的描述与大家分享一下：一、TP厂 : 黄光制程 vs 印刷制程黄光制程 vs 印刷制程二、黄光制程与滚筒网印的投资评估比较.1.) 黄光制程设备投资成本昂贵.- 黄光制程投资额由RMB 20M-70M不等，如卷对卷制式更不止此数，- 上下游工序、材料均须另作配合，- 樱井滚筒机的投资额相对是小巫见大巫了。
2.) 黄光制程设备占地面积较大, 影响生产厂使用的灵活性.任何工厂需要生产安排的灵活性，纵使黄光制程有其优点，而优点往往从接“大单“中才能反映出来，因其制程必须使用一定的蚀刻用化学剂，TP工厂接单的“单头量”直接影响每件成本，而现今电子产品讲求多花样，推陈出新是生存之道，所以TP厂的灵活性不是任何先进生产方式可以代替的。
樱井滚筒机设备摆放也不需要特定的楼层/位置, 而生产时只需要换网板就能马上生产不同尺寸的型号机种了。
3.) 制程设备投资与长远使用性风险评估.黄光制程是30多年前由MEMS 开始在半导体业界采用，20多年前TFT LCD厂家也开始使用，后来应用面扩展到PV 和TP，相对于PV 和TFT , TP结构比较有多变的空间，尤其各品牌都追求薄和轻，这趋势都直接引伸出不同的工艺模式，高昂的黄光制程投资额使投资风险一直成为决策的最大障碍。
在国内TFT 用黄光也不到10年，TP就更不用说了，但网印在国内累积了大量经验和人材，而TP厂的网印技术与人才皆是公司的重要资产，企业投资在现成和累积的资产上，使它延伸及增值，对长线企业发展最为有利。
黄光制程工艺流程
黄光制程工艺流程黄光制程工艺是一种在半导体加工中常用的工艺流程，它主要用于芯片制造中的光刻步骤。
光刻是一种将芯片设计的图案转移到硅片表面的关键工序。
在黄光制程中，光刻胶和光罩的使用对于芯片的质量和性能起着至关重要的作用。
下面是关于详细的描述，以帮助读者更好地理解这个过程。
第一步：准备光罩首先，我们需要准备好用于光刻的光罩。
光罩是一种具有所需图案的透明薄片，其材料通常是玻璃或石英。
光罩上的图案由芯片设计师根据芯片功能需求制作。
光罩的制作通常使用电子束曝光或激光曝光等方法。
第二步：准备硅片准备好待加工的硅片。
这些硅片通常经过前期的清洗和抛光等处理。
在准备硅片时，必须确保其表面平整且干净，以便后续的光刻步骤可以获得最佳效果。
第三步：涂覆光刻胶将硅片放置在旋涂机上，然后将光刻胶均匀地涂覆在硅片表面。
光刻胶可以保护硅片表面不受氧化和污染物的侵蚀，并提供一个平坦的表面用于将图案转移到硅片上。
涂覆光刻胶后，通常使用烘烤等方法进行固化，以确保光刻胶的性能和稳定性。
第四步：对齐和曝光将准备好的光罩放置在光刻机上，并将其与涂覆了光刻胶的硅片对准。
通过微调光罩和硅片的位置，确保图案的精确对齐。
然后，使用紫外线或深紫外线等光源对光罩进行照射，以将图案转移到光刻胶上。
照射时间和强度的控制非常重要，可影响芯片的精度和分辨率。
第五步：显影曝光后，将硅片放入显影机中进行显影。
显影是使用显影液将未曝光的光刻胶部分溶解掉，从而暴露出硅片上的图案。
显影液的选择和浸泡时间需要根据光刻胶和芯片制造的要求进行优化。
第六步：清洗将经过显影的硅片进行清洗，去除残余的光刻胶和显影液。
清洗过程通常使用化学溶剂和超声波技术，以确保芯片表面的干净和平整。
第七步：检验和测量对清洗过的芯片进行检验和测量。
这可以包括检查图案的完整性和准确性，以及芯片上不同部分的厚度、尺寸和形状等参数的测量。
第八步：后续处理根据芯片的具体用途，可能需要进行一些附加的工艺步骤，如沉积金属层、刻蚀等等。
黄光生产工艺流程详解和注意事项
黄光生产工艺流程详解和注意事项下载温馨提示:该文档是我店铺精心编制而成，希望大家下载以后，能够帮助大家解决实际的问题。
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黄光制程简介2
6500
6000
5500 2000 2500 3000 3500 4000
Spin Speed (rpm)
Coating Uniformity Parameter
• Resist Temperature
– Domed profile (high in center) ---> lower resist temp. – Dished profile (low in center) ---> raise resist temp
Thickness (Angstron)
7360 7350 7340 7330 7320 7310 7300 7290 7280 7270 7260 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
22.6 oC 22.0 oC 21.8 oC 21.4 oC
Wafer Position
Contributors to Resist Thickness and Uniformity
2. Illumination intensity of KrF exposure tool is too low. →Much faster resist is require.⇒Chemically Amplified Resist
Substrate Pretreatment
1. Dehydrating Bake
Spin Speed
Thickness Uniformity
Resist volume Dispense rate
Dispense
Timing
Exhaust
Softbake
• Purpose • Consideration – Remove solvent – Optimize soft bake temperature – Control resist • sufficient high to release stress sensitivity and • not too high to desensitize resist linewidth – Consistency and uniformity of temperature – Stress release • to control resist sensitivity and linewidth
黄光制程介绍
100
NA
NA
1000
7
NA
10000
70
NA 100000 700
我們的無塵室規格
❖落塵量 ：每一立方英尺的空間裡直 徑0.5微米的灰塵或顆粒 數目小於10000個. （10000級）
❖溫 度 ： 21℃－25℃ ❖溼 度 ： 相對溼度 50﹪－70﹪ ❖靜電限制： 低於100 伏特
10/22
干膜光阻
3/21
模版式 移印式 印刷式 黃光轉移
通過干膜的光照反 應、化學反應發生 分解，達成非接觸
式轉移圖形
制程簡介
表面清潔
4/22
壓膜 去膜
曝光 顯 影
蝕刻
黃光區域
黃光燈：由于感光性的原料，對紫外光或可見 光敏感，如果采用含紫外線的普通白光燈照明 ，結果是電阻圖形邊緣模糊，從而降低產品的 質量，所以必須使用防紫外線燈，目前我們使 用的燈波長是大于365nm.
Hale Waihona Puke 黃光制程介紹前言黃光制程是通對涂覆在物件表面的光敏 性物質（又稱光刻膠或光阻），經曝光、顯 影后留下的部份對底層起保護作用，然后進 行蝕刻去膜，最終獲得永久性圖形的過程。
1/22
目錄
❖ 制程簡介 ❖ 黃光區域 ❖ 無塵室 ❖ 干膜光阻
2/22
❖ 曝光 ❖ 顯影 ❖ 蝕刻 ❖ 去膜
制程簡介
圖 形 轉 移 技 術
2 表示正在品質驗證的阻值
MS生產設備
21/22
小結
黃光制程是一種產品制造技術，并不 限于生產一種產品，目前的認知是可以在 平面物件上做出圖形，可以將銅合金制作 成需要的形狀，各制程如有新品的試制可 以采用。
23 22/22
12/22
黄光PHOTO制程问答.
黄光PHOTO制程问答PHOTO 流程?答：上光阻→曝光→顯影→顯影後檢查→CD量測→Overlay量測何为光阻？其功能为何？其分为哪两种？答：Photoresist(光阻).是一种感光的物质，其作用是将Pattern从光罩(Reticle)上传递到Wafer上的一种介质。
其分为正光阻和负光阻。
何为正光阻?答：正光阻，是光阻的一种，这种光阻的特性是将其曝光之后，感光部分的性质会改变，并在之后的显影过程中被曝光的部分被去除。
何为负光阻?答：负光阻也是光阻的一种类型，将其曝光之后，感光部分的性质被改变，但是这种光阻的特性与正光阻的特性刚好相反，其感光部分在将来的显影过程中会被留下，而没有被感光的部分则被显影过程去除。
什幺是曝光？什幺是显影？答：曝光就是通过光照射光阻，使其感光；显影就是将曝光完成后的图形处理，以将图形清晰的显现出来的过程。
何谓 Photo?答：Photo=Photolithgraphy,光刻，将图形从光罩上成象到光阻上的过程。
Photo主要流程为何?答：Photo的流程分为前处理，上光阻，Soft Bake, 曝光，PEB，显影，Hard Bake 等。
何谓PHOTO区之前处理?答：在Wafer上涂布光阻之前，需要先对Wafer表面进行一系列的处理工作，以使光阻能在后面的涂布过程中能够被更可靠的涂布。
前处理主要包括Bake，HDMS 等过程。
其中通过Bake将Wafer表面吸收的水分去除，然后进行HDMS工作，以使Wafer表面更容易与光阻结合。
何谓上光阻?答：上光阻是为了在Wafer表面得到厚度均匀的光阻薄膜。
光阻通过喷嘴（Nozzle）被喷涂在高速旋转的Wafer表面，并在离心力的作用下被均匀的涂布在Wafer的表面。
何谓Soft Bake?答：上完光阻之后，要进行Soft Bake，其主要目的是通过Soft Bake将光阻中的溶剂蒸发，并控制光阻的敏感度和将来的线宽，同时也将光阻中的残余内应力释放。
露光(黄光)制程介绍
正型光阻
Original
曝光 (照光處)
顯影
長鏈(強壯)
裂解
曝光處—洗掉光阻
負型光阻
短鏈(弱)
聚合(Cross Link)
曝光處—光阻留著
光阻 光罩/底片
光阻
正負光阻Pattern說明
基板
基板
紫外線
曝光
負光阻 正光阻
基板
顯影後
基板
正光阻優點：高解析(解析能力3um)、負光阻(乾膜解析約15 um) 負光阻優點：便宜
2.鄰接式曝光機(Proximity Mode) 備註：適用油墨曝光、感光銀膠曝光、RBM曝光
3.投影式曝光機(Stepper) 備註：半導體、LCD、超細線路、超高解析、高對
位精度 4.LDI曝光系統(Laser Direct Imaging)
備註：無需光罩、高對位精度
12
曝光波長
曝光機感光光譜
I-Line H-Line G-Line
G-line: 436 nm H-line: 405 nm I-line: 365 nm
乾膜感光光譜 適合感光光譜365nm
➢每支乾膜需確認其感光範圍，再確認該乾膜 是否可適用於該曝光機。
➢一般曝光機為I、H、G Line共存or單一波長 I Line為主。
接觸式曝光機(Contact Mode)
底片製作說明-----RD、繪圖必知
底片組成：PET+藥膜 底片製作流程： 快速記憶PET上正型光阻+曝光+顯影
PET塗藥膜(正型光阻)雷射繪片(曝光)顯影乾燥 正片
底片構造
藥膜 PET
YLO出圖
For 正型光阻、印刷製程
黄光制程简介
俯视图
侧面图
Litho
涂胶的步骤
第 4 步:涂胶(COATING), 把晶圆涂上一层光阻胶. E.B.R.(Edge Bead Removal)
光阻胶
俯视图 侧面图
Litho
涂胶的步骤
第5步: 预烘 (SOFTBAKE),用加热法把光阻中的溶 剂蒸发掉.
俯视图 侧面图
Litho
涂胶的步骤
第 6 步: 冷却(COOLING), 把晶圆冷却到室温.
俯视图
侧面图
Litho
曝光机的外形
Litho
曝光的作用
Light Reticle Lens Resist Wafer 俯视图 侧面图
Litho
曝光机的分类
• 按光源分类: DUV (波长=248) ; I-line (波长=365nm)
• 按运作分类: 扫描机(SCANNER); 步进机(STEPPER)
Litho
什么是光罩?
光罩是有很多图形(Pattern）的模板设计图形
+ +
Test Key Barcode Scribe Line
Fiducial Test Line
Main Pattern
+
+
Global Mark
QA Cell
检测 ADI
检测 CD SEM
检测 Overlay
冷却
Litho
1. 曝光机(Duv,I-line,g-line)
• ASML的Scanner:
Litho
Scanner
Stepper
Litho
曝光机的种类(Scanner ,Stepper) 工作方式区分： 1 .步进式曝光机：Stepper 主要机台： Cannon iZ01 2 .扫描式曝光机：Scanner 主要机台： Cannon ES3 ,ASML /400 ,/750, /850,/1100 工作光源区分： 1 .I-Line 曝光机：365nm (Hg-Arc) 主要机台： Cannon iZ01 ,ASML /400, 2 . DUV 曝光机：248nm ,193nm (Laser) 主要机台： Cannon ES3 ,ASML /750, /850,/1100
黄光制程工艺流程
根据光敏材料的性质，选择合适的光 源波长和功率。
显影设备
显影设备
用于将光固化后的膜进行显影，去除未固化的材 料。
显影方式
可以采用浸泡显影、喷淋显影等方式。
显影剂选择
根据光敏材料的性质，选择合适的显影剂。
蚀刻设备
1 2
蚀刻设备
用于对硅片进行蚀刻处理，形成电路和图形。
蚀刻方式
可以采用化学蚀刻、物理蚀刻等方式。
技术挑战
光刻机精度要求高
黄光制程需要高精度的光刻机，以确保图案的精确复制和加工。
制程控制难度大
黄光制程涉及多种材料和复杂的化学反应，对制程参数和环境条件 要求极高，控制难度较大。
设备维护与升级成本高
黄光制程设备昂贵且维护成本高，同时随着技术更新换代，设备升 级也面临较大压力。
环境影响与可持续发展
特点
黄光制程具有高精度、高稳定性和高效率的特点。在微电子、精密机械、光学 等领域中，黄光制程广泛应用于表面处理、光刻、曝光等关键工艺环节。
黄光制程的重要性
提高产品质量
黄光制程能够有效地提高产品的质量和性能，降低不良率，提高 生产效率。
满足高精度需求
随着科技的发展，产品对精度的要求越来越高，黄光制程能够满足 高精度、高稳定性的制造需求。
03
聚酯
聚酯是一种常用的高分子材料，具有良好的透明性和机械性能，常用于
制造中低端光掩膜和光刻胶。
光敏材料
光敏材料
光敏材料是黄光制程中的核心材料之一，用于制造光掩膜和光刻胶。它们在受到特定波长 的光线照射后，会发生化学反应，从而产生交联或降解等变化。
光刻胶
光刻胶是光敏材料的一种，分为正性胶和负性胶两种类型。正性胶在受到光线照射后会变 得可溶，而负性胶则会变得不溶。它们在光刻工艺中起到关键的作用。
黄光制程工艺流程
总 流 程 图
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Glass BM制程 ITO1制程 OC1制程 ITO2制程 MAM制程 OC2制程
黄光制程：通过对涂覆在玻璃表面的光敏性物 质(又称为光刻胶或光阻)，经曝光、显影后留 下的部分对底层起保护作用，然后进行蚀刻脱 膜并最终获得永久性图形的过程。
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制 程 流 程
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Glass Clean Sputter Clean IR/UV/CP
EXPO
Exposure
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曝光波长：i线（365nm）， h线（405nm）， g线（436nm）。
Mask：也叫掩膜板。电路图即是通过曝光从 Mask上转移到玻璃上。
高压汞灯发光原理：在真空的石英管中加入 定量的高纯汞，通过对两端电极提供高电压 差，产生高热，将汞汽化，汞蒸气在高电位 差下，受激发而放电，从而产生紫外线辐射。 内部的卤素元素，就有催化及保护的功用。
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BM&OC1用的是Inkjet印刷，而OC2用的是APR凸版 印刷。
Pre-bake
Pre-Bake
Pre-Bake ：也叫soft bake。将光阻中的大部 分有机溶剂烘烤到4%~7%，使原本液态的光 阻固化。
主要控制参数:烘烤时间，烘烤温度，烘烤 热板Pin高度。 主要品质异常：玻璃受热不均，使光阻局部 过烤或烘烤不足，造成后续的显影不净或显 影过显。
主要控制参数：Roller的前挤量及下压量，涂布速度，
抽泵频率，抽泵强度。
主要参考参数：膜层厚度(属过渡光阻,膜厚1.4~2.3um)，
膜层均匀性。
主要品质异常：涂布针孔、涂布箭影。
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CT
Coating
Coater一般分为Roll Coater，Slit Coater，Spin
黄光PHOTO制程问答
黄光PHOTO制程问答PHOTO 流程?答：上光阻→曝光→顯影→顯影後檢查→CD量測→Overlay量測何为光阻？其功能为何？其分为哪两种？答：Photoresist(光阻).是一种感光的物质，其作用是将Pattern从光罩(Reticle)上传递到Wafer上的一种介质。
其分为正光阻和负光阻。
何为正光阻?答：正光阻，是光阻的一种，这种光阻的特性是将其曝光之后，感光部分的性质会改变，并在之后的显影过程中被曝光的部分被去除。
何为负光阻?答：负光阻也是光阻的一种类型，将其曝光之后，感光部分的性质被改变，但是这种光阻的特性与正光阻的特性刚好相反，其感光部分在将来的显影过程中会被留下，而没有被感光的部分则被显影过程去除。
什幺是曝光？什幺是显影？答：曝光就是通过光照射光阻，使其感光；显影就是将曝光完成后的图形处理，以将图形清晰的显现出来的过程。
何谓 Photo?答：Photo=Photolithgraphy,光刻，将图形从光罩上成象到光阻上的过程。
Photo主要流程为何?答：Photo的流程分为前处理，上光阻，Soft Bake, 曝光，PEB，显影，Hard Bake 等。
何谓PHOTO区之前处理?答：在Wafer上涂布光阻之前，需要先对Wafer表面进行一系列的处理工作，以使光阻能在后面的涂布过程中能够被更可靠的涂布。
前处理主要包括Bake，HDMS 等过程。
其中通过Bake将Wafer表面吸收的水分去除，然后进行HDMS工作，以使Wafer表面更容易与光阻结合。
何谓上光阻?答：上光阻是为了在Wafer表面得到厚度均匀的光阻薄膜。
光阻通过喷嘴（Nozzle）被喷涂在高速旋转的Wafer表面，并在离心力的作用下被均匀的涂布在Wafer的表面。
何谓Soft Bake?答：上完光阻之后，要进行Soft Bake，其主要目的是通过Soft Bake将光阻中的溶剂蒸发，并控制光阻的敏感度和将来的线宽，同时也将光阻中的残余内应力释放。
黄光工艺介绍-20121230
批附光阻
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UV光源 光罩图案 PR 光阻 ITO film 基材
UV通过光罩上的图案，照射到 光阻膜上去，制出光阻图案 （PR被UV照射后，发生化学变 化，但是物理形态没有变化，所 以生成的光阻图案肉眼不可见） 碱性溶液中，在光阻膜上形成与 光罩图案相同或者互补的光阻图 案 酸性溶液中，未被光阻图案遮 挡住的ITO被溶解，形成ITO图 案 酸性溶液中清晰掉光阻图案， 保留ITO图案。Sensor制作完 成
曝 光
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光阻图案 ITO film 基材 光阻图案 5 ITO 图案 基材 ITO 图案 基材
显 影
蚀 刻
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褪光阻
4.黄光制程与传统制程的优劣1-流程
耐酸 印刷 制程
黄光 制程
镭雕 制程
Remark：黄光制程与耐酸制程工艺的对比主要是用干膜代替了耐酸印刷制程，后续工站相同。
4.黄光制程与传统制程的优劣2-流程工艺能力 耐酸印刷制程
制程规 格项目 线宽线 距 蚀刻痕 是否扩 散 产品设 计图形 复杂的 程度 精度 耐酸印 刷制程 0.3*0.3 mm 明显 印刷容 易扩散 设计图 形简单 0.1mm 评判
黄光制程
制程规 格项目 线宽线 距 蚀刻痕 黄光制 程 40*4 0um 无 无 设计图 形可以 更复杂 ，性能 强大 40um 评判 好 好 较好
曝光前
Mask光罩
曝光后
PR 光阻 ITO film 未被mask遮挡的PR曝 光后变成不溶于碱的物 质，形成负性光阻图案 未被mask遮挡的PR曝 光后变成溶于碱的物 质，形成正性光阻图案
3、黄光制程的流程
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ITO 基材 基材退火
ITO缩水 压干膜
PR 光阻 ITO 基材
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黄光制程
黄光制程（also known as黄色光刻技术）是一种微电子制程中常用的制造技术，它广泛应用于芯片制造和半导体工业。
黄光制程利用光刻和影像传输来定义微电子设备中的图案和结构。
黄光制程包括以下几个步骤：
1. 制备底片：将待制造的芯片涂覆在一个平坦的基片（通常是硅片）上。
2. 涂覆光刻胶：将光刻胶均匀涂覆在芯片上。
光刻胶可以在曝光后形成所需的图案。
3. 曝光：使用光刻机将芯片暴露在特定的光源下，光刻胶将在所暴露的区域发生化学反应。
4. 显影：用显影剂将未暴露的部分光刻胶去除，形成所需的图案。
5. 蚀刻：使用化学或物理的腐蚀方法去除裸露的芯片表面材料，形成所需的结构。
6. 清洗和检验：将芯片清洗干净并进行质量检验，以确保芯片制造的质量与要求相符。
黄光制程是制造集成电路和其他微电子器件的核心技术之一，它可以实现高精度和高分辨率的图案定义。
随着微电子技术的不断发展，黄光制程也在不断改进和演进，以满足日益复杂和精细的设备制造需求。