模电第二章三极管练习题
模电第二章习题答案
习题2-5 设图中的三极管β =100，U BEQ =0.6V ，V CC =12 V ，R C =3 k Ω，R b =120 k Ω。
求静态工作点处的I BQ I CQ 和U CEQ 值。
习题2-15 设图中三极管的β =100，U BEQ =0.6V ，V CC =10V ，R C =3 k Ω，Rb b’=100 Ω。
V CC =10V ,，R C =3 k Ω，Re=1.8 k Ω，RF=200Ω，Rb1=33 k Ω，Rb2=100 k Ω，RL=3 k Ω C1，C2和Ce 足够大。
①求静态工作点②画微变等效电路如图(3)求Oiu U A U =；(4)设Rs =4 k Ω，求osus U A U =(5)求o i R R 和① 2.48,0.94, 5.3E U I I mA U =≈=≈BQCQ Q CEQ V V②微变等效电路如图③be 2.9r ≈ k Ω，Lbe = 6.5(1)u FR A r R ββ'-≈-++(4)12i r ≈ k Ω，= 4.9ius u i sr A A r R -≈-+(5) R i ≈12 k Ω，R o ≈3 k Ω习题2-17 画出如图放大电路的微变等效电路，写出计算电压放大倍O1O2i iU U U U 和数的表达式，并画出当c e RR =时的两个输出电压o1o1U U 和的波形（与正弦波i U 相对应）。
微变等效电路如下图解O1i be (1)ceU R U r R ββ=-++e c O1O2O1O2R u u R U U =≈当时，，和的波形如下图ebe e *02*)1(1R r R U U Au iββ+++==）（习题2-21在下图所示的放大电路已知V DD = 30V，R d = 15 kΩ，R d =1 kΩ，R g=20 MΩ，R1=30kΩ，R2=200kΩ，R L= 1 MΩ，A和输入和输出的电阻Ri，R o场效应试估算电压放大倍数u管g m=1.5mS。
模电第二章习题参考答案
第二章自我检测题参考答案一、填空题1.三极管用来放大时，应使发射结处于正向偏置，集电结处于反向偏置。
2.型号为3CG4D的三极管是PNP型高频小功率管。
3.温度升高时，三极管的电流放大系数β增大，反向饱和电流I CBO增大，正向结电压U BE下降。
4. 有两只三极管：A管β=200，I CEO=200μA；B管β=80，I CEO=10μA，其他参数大致相同，一般应选B管。
5.共射基本电路电压放大倍数为负值，说明输出信号与输入信号相位相差180o。
6.放大电路未输入信号时的状态称为静态，其在特性曲线上的点称为静态工作点；有输入信号时的状态称为动态，动态工作点移动的轨迹称为交流负载线。
7.在放大电路的下限截止频率处，幅度的放大倍数为中频处的0.707倍，这主要是由电路的频率失真引起的。
8.场效应晶体管是通过改变栅源电压来改变漏极电流（输出电流），所以它是一个电压控制电流源（或电压控制）器件。
二、判断题1.由于放大的是变化量，所以在输入直流信号时，任何放大电路的输出量都没有变化。
（×）提示：直接耦合放大电路就有变化。
2.阻容耦合多级放大电路的点相互独立，（√）它只能放大交流信号。
（√）3.放大电路中各电量的交流成分是由交流信号源提供的。
（×）提示：增加的幅度所需能量是由直流电源提供的。
4.通常，JFET在漏极与源极互换时，仍有正常放大作用。
（√）三、选择题1.测得某放大电路中三极管三个管脚对地电压分别为U1=2V，U2=6V，U3=2.7V，则三极管三个电极为（B）。
A.①管脚为发射极，②管脚为基极，③管脚为集电极；B.①管脚为发射极，②管脚为集电极，③管脚为基极；C.①管脚为集电极，②管脚为基极，③管脚为发射极；D. ①管脚为发射极，②管脚为集电极，③管脚为基极。
2.在共射基本放大电路中，集电极电阻R C的作用是（C）。
A.放大电流B.调节I BQC.防止输出信号交流对地短，把放大了的电流转换成电压。
模电电子线路第二章习题课
不能实现正常放大。因为输入信号被CB短 路了，所以不能进行电压放大。
不能正常放大，集电结正偏，发射结正偏，晶体管 饱和
(c)不能实现正常放大。错在静态工作点IBQ=0， 放大器截止失真；
(d)能实现小信号正常放大。
2-14 试画出图P2-14所示电路的直流通路和交流通 路。
直流通路
交流通路
(1)如工作点变为图(b)中的Q’和Q”，试分 析是出电路中哪一元件参数改变而引起的?
(2)如工作点变为图 (c)中的Q’和Q”，又是 电路中哪一元件参数改变而引起的?
解：(1)UCC不变．RB不变，IBQ不变，而变化， 工作点的变化可见(b)。若原工作点为Q， RC减小 时，移至Q’，RC增加时，移至Q”。
(2) RC不变，负载线斜率不变，UCC和RB同时变 化，上作点的变化如图(c)所示。若原工作点为Q，
UCC增加，RB也增加，工作点可移至Q’，反之， UCC下降，RB也下降．工作点可移至Q”。
2—19 放大电路如图P2—19(a)所示，已知β=50，
UBE＝0.7V，UCES=0V，RC＝2kΩ， RL＝20k Ω ，UCC＝12V。
2—13 试判别回P2—13各电路是否具有正常放 大作用?若无放大作用则说明理由并将错误处加 以改正。
因c极短接电路不能正常放大。应在c极到Ucc 之间接集电极负载电阻Rc。
因IB=0，管子截止，电路不能正常放大。应将RB 改接在b极与UCC之间。
(4)会使e结烧坏且输入信号短路，因而电路不能正 常放大，应在b极到Ucc之间接偏置电阻RB。
R1 20KΩ R2 80KΩ
R3 3KΩ
10V
V RL
31)若要求放大电路有最大的输出动态范围，问 RB应调到多大?
模拟电子技术第二章习题解答
模拟电子技术第二章习题解答-标准化文件发布号：（9456-EUATWK-MWUB-WUNN-INNUL-DDQTY-KII习题题 2-1试判断图P2-1中各放大电路有无放大作用，简单说明理由。
图 P2-1题2-1解 (a) 无放大作用，不符合“发射结正偏，集电结反偏”的外部直流偏置要求；(b) 不能正常放大，三极管发射结没有偏置（正偏）；(c) 无放大作用，三极管集电结没有偏置（反偏）；(d) 无放大作用，三极管发射结没有偏置（正偏）；(e) 有放大作用；(f) 无放大作用，输入信号的负半轴不能加到放大电路中去；(g) 无放大作用，电容C2使输出端对地交流短路，输出交流电压信号为0；(h) 无放大作用，电容Cb使三极管基极对地交流短路，输入交流信号无法加至三极管基极；本题的意图是掌握放大电路的组成原则和放大原理。
题 2-2 已知图P2-2(a)中：R b=510kΩ，R c=10kΩ，R L=1.5kΩ，V CC＝10V。
三极管的输出特性如图(b)所示。
①试用图解法求出电路的静态工作点，并分析这个工作点选得是否合适；②在V CC和三极管不变的情况下，为了把三极管的静态集电极电压U CEQ提高到5V左右，可以改变哪些参数如何改法③在V CC和三极管不变的情况下，为了使I CQ=2mA，U CEQ=2V，应改变哪些参数改成什么数值（a ）题2-2解：① 先由估算法算出I BQ CC BEQBQ b100.7mA 0.02mA 20μA 510V U I R --=≈≈= 然后，由式Cc C CC CE i R i V u 1010-=-=，在输出特性曲线上画出直流负载线，其与横、纵两个坐标轴的交点分别未（10V ，0）和（0，1mA ），直流负载线与i B =20uA 的一条输出特性曲线的交点Q1即为静态工作点。
由Q1可得，U CEQ ≈0.5V ，I CQ =0.95mA 。
可见，Q1点靠近饱和区，位置不太合适，容易产生饱和失真。
模电第二章习题课
UOPP=?
解：（1）要求动态范围最大，应满足
I CQ RL U CEQ U CES U CC I CQ RC U CES 即I CQ ( 2 // 20 ) 12 2 I CQ 3 解得I CQ 3mA, I BQ 0.06mA 50 U U BE 12 0.7 RB CC 188K I BQ 0.06 I CQ
（2）RE短路时ICQ、UCEQ的值。
R （3） UB=0V ，RB开路时ICQ、UCEQ的值。
E
解：（1）要求UBQ=0，则有
IE U EE U BE RE 12 0.2 1mA 12
U CC I E RC RB U CC
IE RB 1 I E RC 1 12 1 1 51 561k IE 1
2.12电路如题图2.12所示。已知晶体管的β
＝50,UBE＝-0.2V，试求：
（1）UBQ=0时,RB的值。
（2）RE短路时ICQ、UCEQ的值。
（3） UB=0V ，RB开路时ICQ、UCEQ的值。
( 2) I BQ U EE U CC U BE 12 12 0.2 0.039mA RB (1 ) RC 561 51 1
第二章习题课
2.1 已知晶体管工作在线性放大区，并测得各电极对 地电位如题图2.1所示。试画出各晶体管的电路符号， 确定每管的b、e、c极，并说明是锗管还是硅管。
-8V
8V 0.7V 硅NPN 0V 题图（a） -0.7V 硅PNP 0V 题图（b） 9V 4.3V 锗NPN 4V 题图（d）
1V
2.26 电路如题图2.26所示，其中所有电容对信号可视为短路；
模电(李国立)2章习题答案
2 半导体三极管自我检测题一．选择和填空1. 三极管工作在放大区时，发射结为_A_，集电结为_B_，工作在饱和区时，发射结为_A_，集电结为_A_。
（A ．正向偏置，B ．反向偏置，C ．零偏置）2. NPN 和PNP 型三极管的区别取决于 D 。
（A ．半导体材料硅和锗的不同，B ．掺杂元素的不同，C ．掺杂浓度的不同，D ．P 区和N 区的位置不同）3. 三极管的共射交流电流放大系数定义为I C 变化量（或ΔI C ）与I B 变化量（或ΔI B ）之比，共基交流电流放大系数定义为I C 变化量（或ΔI C ）与I E 变化量（或ΔI E ）之比。
已知某三极管的＝0.99，那么该管的 99 。
4. 三极管的I CBO 是指_发射_极开路时，集电_极与 基 极间的反向饱和电流；I CEO 是指基 极开路时，_集电_极与_发射__极之间的穿透电流。
5. 随着温度升高，三极管的电流放大系数_A_，穿透电流CEO I _A_，在I B 不变的情况下b-e 结电压V BE_ B _。
（ A ．增大，B ．减小，C ．不变）6．对于同一个三极管来说，CBO I A CEO I ；BR(CBO)V B BR(CEO)V 。
（A ．小于， B ．大于，C ．等于）7. 随着温度升高，三极管的共射正向输入特性曲线将 C ，输出特性曲线将 A ，输出特性曲线的间隔将 E 。
（A ．上移， B ．下移，C ．左移，D ．右移，E ．增大，F ．减小，G ．不变）8. 已知某三极管的P CM ＝800mW ，I CM ＝500mA,，BR(CEO)V ＝30V 。
若该管子在电路中工作电压V CE ＝10V ，则工作电流I C 不应超过 80 mA ；若V CE ＝1V ，则I C 不应超过 500 mA 。
若管子的工作电流I C ＝10mA ，则工作电压V CE 不应超过 30 V ；若I C ＝200mA ，则V CE 不应超过 4 V 。
模电一、二章练习
该试卷总分100分一、填空题1. 型半导体中的多数载流子是空穴；型半导体中的多数载流子是自由电子。
PN结具有性。
2.当温度升高时，二极管的反向饱和电流将。
3.在一实际放大电路中，测得三极管三个管脚的对地电位分别是: VA=-10V，VB = -5V,VC=-5.7V。
则A脚为极，B脚为极，C脚为极；该管是型三极管。
4.三极管的发射结正偏，集电结反偏，则三极管工作在区；三极管的发射结正偏，集电结正偏，则三极管工作在区；三极管的发射结反偏，集电结反偏，则三极管工作在区。
5.场效应管按结构分为和。
6.三极管是一种控制器件；二场效应管是一种控制器件。
7.基本放大电路有三种组态，分别是、和组态。
8.N型半导体是在本征半导体中加入微量的元素构成的。
9.本征半导体具备、和特性。
10.当稳压二极管的输出电压为其稳定电压时，工作状态是。
11.基本放大电路中，经过三极管的信号有（）。
A、直流成分；B、交流成分；C、交直流成分均有；D、都没有。
12.工作在放大区的某三极管，如果当IB 从12μA增大到22μA时，IC从1mA变为2mA，那么它的β约为。
13.在基本放大电路中具有电压跟随作用的电路是。
14.3种组态放大电路中，组态电路具有电压反相作用；组态电路输入阻抗比较高；组态电路输出电阻比较小。
15.放大电路的非线性失真包含和两种。
四、分析及画图题1.写出图示各电路的输出电压值，U Z1=7.5V ，U Z2=8V ，设二极管是理想的。
2. 判断下图四个三极管的工作状态。
（a ） 区，（b ） 区，（c ） 区，（d ） 区。
3. 下图电路中，U i =10Sin ωt ，E=5V ，请画出对应的输出波形。
忽略二极管正向压降。
4.输入电压ui 为幅度为10V 的正弦波，电路中使用两个稳压管对接，已知U Z1=6V ，U i /Vωt105ωt0 U o /VU Z2=3V，稳压二极管的正向导通压降为0.7V，试对应输入电压ui画出输出电压u o 的波形。
电子技术第二章习题及答案
第二章晶体三极管及其放大电路一、填空题1.三极管有二个PN结，即结和结，在放大电路中结必须正偏，结必须反偏。
2.三极管有型和型，前者的图形符号是后者的图形符号是。
3.三极管各电极电流的分配关系是。
4.三极管输出特性，曲线可分为三个区域，即区、区和区。
当三极管工作在区时，关系式IC =βIB才成立；当三极管工作在区时，IC =0；当三极管工作在区时，UCE=05.有两只三极管，A管的β=200，ICEO =100μA；B管的β=60，ICEO=15μA；管比管性能好。
6.三极管的反向饱和电流ICBO 随温度升高而，穿透电流ICEO随温度升高而，β值随温度的升高而。
7.某三极管的管压降UCE 保持不变，基极电流IB=30uA时，IC=1.2mA,则发射极电流IE=如果基极电流IB 增大到50uA时，IC增加到2mA，则三极管的电流放大系数β= 。
8.工作在放大状态的三极管可作为器件，工作在截止状态和饱和状态的三极管可作为器件。
9.处于放大状态的三极管，IC 与IB的关系是，处于饱和状态的三极管IC不受I B 控制，了放大作用，处在截止状态的三极管IC。
10.PNP型三极管处于放大状态时，三个电极中极电位最高，极电位最低。
11.放大电路的功率放大倍数为100，功率增益为。
12.输入电压为400mV，输出电压为4V，放大电路的电压增益为。
13.晶体三极管放大电路中，当输入信号达到一定时，静态工作点设置太低将使信号产生失真。
14.在共射极放大电路中，当RC减小，而其它条件不变，则晶体三极管负载线变。
共射极放大电路的输出信号是取自于三极管的极。
15.用NPN管的分压式偏置放大电路中，如果把上偏置电阻减小而其它不变，则三极管的集电极电流将。
16.在NPN管放大电路中，当集电极电流减少时，它的UCE电压是。
17.两级放大电路第一级电压放大倍数为100，第二极电压放大倍数为60，则总的电压放大倍数为。
18、多级放大电路常用的耦和方式有、和三种形式。
模拟电子技术基础 第二章练习题
注意：答案仅供参考！ 一、填空题1. 半导体三极管属于 电流 控制器件，而场效应管属于 电压 控制器件。
2. 放大器有两种不同性质的失真，分别是 线性 失真和 非线性 失真。
3. 共射极放大电路中三极管集电极静态电流增大时，其电压增益将变 大 ；若负载电阻R L 变小时，其电压增益将变 小 。
4. 单级共射极放大电路产生截止失真的原因是 静态Ic 偏小 ；产生饱和失真的原因是 Ic 偏大 ；若两种失真同时产生，其原因是 输入信号太大 。
5.静态工作点Q 点一般选择在 交流 负载线的中央。
6.静态工作点Q 点选得过低会导致 截止 失真；Q 点选得过高会导致 饱和 失真。
7.对于下图所示电路，设V CC =12V ，R b =510k Ω，R c =8 k Ω，V BE =0.7V ，V CE （sat ）=0.3V,当β=50，静态电流I BQ = 22μA ，I CQ = 1.1mA ，管压降V CEQ = 3.2V ；若换上一个当β=80，静态电流I BQ = 22μA ，I CQ = 1.46mA ，管压降V CEQ = 0.3V ，三级管工作在 饱和 状态。
8.对于下图所示电路，设V CC =12V ，三级管β=50，V BE =0.7V ，若要求静态电流I CQ =2mA ，V CEQ =4V ，则电路中的R b = 282.5 k Ω ，R C = 4 k Ω 。
9.对于下图所示电路，已知VCC =12V，Rb1=27 kΩ，Rc=2 kΩ,Re=1 kΩ,VBE=0.7V,现要求静态电流ICQ =3mA，则Rb2= 12 kΩ。
10.已知图示的放大电路中的三级管β=40，V BE=0.7V，稳压管的稳定电压V Z=6V，则静态电流IBQ = 0.275mA ，ICQ= 11mA ，管压降VCEQ= 3V 。
11. 当环境温度升高时，三极管的下列参数变化的趋势是：电流放大系数β增大，穿透电流I CEO增加，当I B不变时，发射结正向压降|U BE|减小。
第二章 南邮通达模电习题答案
习题：一．填空题1. 半导体的导电能力与温度、光照强度、掺杂浓度和材料性质有关。
2. 利用PN结击穿时的特性可制成稳压二极管，利用发光材料可制成发光二级管，利用PN结的光敏性可制成光敏（光电）二级管。
3.在本征半导体中加入＿＿5价＿＿元素可形成N型半导体，加入＿3价＿元素可形成P型半导体。
N型半导体中的多子是_自由电子_______；P型半导体中的多子是___空穴____。
4. PN结外加正向电压时导通外加反向电压时截止这种特性称为PN结的单向导电性。
5. 通常情况下硅材料二极管的正向导通电压为0.7v ，锗材料二极管的正向导通电压为0.2v 。
6..理想二极管正向电阻为__0______，反向电阻为_______，这两种状态相当于一个___开关____。
7..晶体管的三个工作区分别为放大区、截止区和饱和区。
8.. 稳压二极管是利用PN结的反向击穿特性特性制作的。
9.. 三极管从结构上看可以分成 PNP 和 NPN 两种类型。
10. 晶体三极管工作时有自由电子和空穴两种载流子参与导电，因此三极管又称为双极型晶体管。
11.设晶体管的压降U CE不变，基极电流为20μA时，集电极电流等于2mA，则β=__100__。
12. 场效应管可分为绝缘栅效应管和结型两大类，目前广泛应用的绝缘栅效应管是MOS管，按其工作方式分可分为耗尽型和增强型两大类，每一类中又分为N沟道和P沟道两种。
13. 查阅电子器件手册，了解下列常用三极管的极限参数，并记录填写题表2-1在下表中题表2-1二．选择题1.杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于 A 。
A、杂质浓度B、温度C、输入D、电压2.理想二极管加正向电压时可视为 B ，加反向电压时可视为＿＿A＿＿。
A.开路B.短路C.不能确定3.稳压管的稳压区是二极管工作在＿＿D＿＿状态。
A.正向导通B.反向截止C.反向导通D.反向击穿4.当温度升高时，二极管的反向饱和电流将＿＿A＿＿。
模拟电子技术课后习题答案第二章交流放大电路基础答案
习题2-1 如图2-51所示，判断三极管处于截止、放大还是饱和状态？ 解：a 放大状态。
b 饱和状态。
c 截止状态。
d 放大状态。
2-2 在电路中，三极管各管脚对地电位，试分析三极管A 、B 、C 各是什么电极，该管是NPN 还是PNP ，硅管还是锗管？（1）U A =3.8V ，U B =3.1V ，U C =8V ； （2）U A =7.2V ，U B =7V ，U C =3V 。
解：（1）A 是三极管基极；根据三极管发射结正偏，导通的特点，导通压降为0.7V ，则B 是三极管发射极，C 是三极管集电极；该管是NPN 型硅管。
（2）B 是三极管基极；根据三极管发射结正偏，导通的特点，导通压降为0.2V ，则A 是三极管发射极，C 是三极管集电极；该管是PNP 型锗管。
2-3 某三极管的极限参数I CM =20mA ，P CM =100mW ，U （BR ）CEO =15V ，试分析下列条件下，三极管能否正常工作？（1）I C =15m A ，U CE =8V ； （2）I C =19mA ，U CE =3V ； （3）I C =30mA ，U CE =4V 。
解：（1）U CE =8V ＜U （BR ）CEO ，I C =15mA ＜I CM ，P C =U CE I C =120mW ＞P CM ，所以不能正常工作。
（2）U CE =3V ＜U （BR ）CEO ，I C =19m A ＜I CM ， P C =U CE I C =57mW ＜P CM ，所以能正常工作。
（3）U CE =4V ＜U （BR ）CEO ，但I C =30mA ＞I CM ，所以不能正常工作。
2-4试判断图2-52中各电路有无放大作用，简单说明理由。
图2-51 习题2-1图abcd2V解：a 无放大作用。
电源极性与三极管不符。
b 无放大作用。
I B =0。
c 无放大作用。
交流通路输入短路。
d 无放大作用。
模电练习 二极管三极管推荐文档
第一部份二极管三极管一、选择正确答案填入空内。
（1） PN 结加正向电压时，空间电荷区将。
A. 变窄B. 基本不变C. 变宽（2）稳压管的稳压区是其工作在。
A. 正向导通B.反向截止C.反向击穿（3）当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为。
A. 前者反偏、后者也反偏B. 前者正偏、后者反偏C. 前者正偏、后者也正偏（4）当 NPN 型三极管的 V CE > V BE且 V BE >0.5V 时，则三极管工作在（）A 、截止区B、放大区C、饱和区D、击穿区（5）在本征半导体中加入元素可形成 N 型半导体，加入元素可形成 P 型半导体。
A. 五价B. 四价C. 三价（6）当温度升高时，二极管的反向饱和电流将。
A. 增大B. 不变C.减小（7）工作在放大区的某三极管，如果当 I B从 12μ A 增大到 22μ A 时，I C从 1mA 变为 2mA ，那么它的β约为。
A. 83B. 91C. 100（8）一个正常工作放大器中，测得某个三极管各管脚电位是3V ，12V ，3.7V ，则该管是（）A 、PNP 管B 、NPN 管C、不知道D、都有可能V1（9）、上题中的三极管是什么材料做的（）V2A 、硅管B、锗管C、金属D、不知道－（10）、二极管电路如右图所示，则V 1、 V 2的状态为（）2V＋＋＋A、V 1、 V2均导通B、V1导通， V 2截止4V Rv o＋3KC、V 1截止， V2导通 D 、V 1、 V2均截止－－－（11）、固定偏置放大器如右图，测试电路的静态时，测得V C＝12V ，则（）A 、电路在放大状态B 、电路在截至状态Rc RbC、电路在饱和状态 D 、 R B已经短路Vo （12）、若用万用表测二极管的正、反向电阻的方法来判断二极管的好坏，好的管子应为 ()。
ViA、正、反向电阻相等B 、正向电阻大，反向电阻小C、反向电阻比正向电阻大很多倍D、正、反向电阻都等于无穷大（13）测得某 PNP型三极管各极点位为:UB=-3V UE=-4V UC=-6V,则该管工作于 ( ) A 、放大状态 B 、饱和状态 C 、截止状态（14）当温度增加时，本征半导体中的自由电子和空穴的数量（）A、增加B、减少C、不变二、写出下图所示各电路的输出电压值，设二极管为理想二极管。
模电第二章三极管练习题
第二章三极管练习题一、填空题：1．晶体管工作在饱和区时发射结偏；集电结偏。
2．三极管按结构分为_ 和两种类型，均具有两个PN结，即______和______。
3.三极管是___________控制器件，场效应管是控制器件。
4.晶体管放大电路的性能指标分析，主要采用等效电路分析法。
5.放大电路中，测得三极管三个电极电位为U1=,U2=,U3=15V，则该管是______类型管子，其中_____极为集电极。
6.场效应管输出特性曲线的三个区域是________、___________和__________。
7．三极管的发射结和集电结都正向偏置或反向偏置时，三极管的工作状态分别是__ __和______。
8．场效应管同三极管相比其输入电阻_________，热稳定性________。
9.采用微变等效电路法对放大电路进行动态分析时，输入信号必须是________的信号。
10.三极管有放大作用的外部条件是发射结________，集电结______。
11.在正常工作范围内，场效应管极无电流12．三极管按结构分为______和______两种类型，均具有两个PN结，即___________和_________。
13.晶体三极管是一种＿＿＿控制＿＿＿器件，而场效应管是一种＿＿＿控制＿＿＿器件。
14．若一晶体三极管在发射结加上反向偏置电压，在集电结上也加上反向偏置电压，则这个晶体三极管处于＿＿＿＿＿＿状态。
15．作放大作用时，场效应管应工作在＿＿＿＿(截止区，饱和区，可变电阻区)。
16．晶体三极管用于放大时，应使发射极处于＿＿偏置，集电极处于＿＿偏置。
二、选择题：1.有万用表测得PNP晶体管三个电极的电位分别是V C=6V，V B=，V E=1V则晶体管工作在（）状态。
A、放大B、截止C、饱和D、损坏2、三级管开作在放大区，要求（??? ）A、发射结正偏，集电结正偏????????B、发射结正偏，集电结反偏C、发射结反偏，集电结正偏?????????D、发射结反偏，集电结反偏3、在放大电路中，场效应管应工作在漏极特性的哪个区域（）A 可变线性区B 截止区C 饱合区 D击穿区4.一NPN型三极管三极电位分别有V C=，V E=3V，V B=，则该管工作在（）A．饱和区 B．截止区C．放大区 D．击穿区5.三极管参数为P CM=800mW, I CM=100mA, U BR(CEO)=30V,在下列几种情况中，（）属于正常工作。
模拟电子技术模电-第2章答案(含大题)
第二章训练题一、判断题：1.只有电路既放大电流又放大电压，才称其有放大作用。
（×）2. 放大电路中输出的电流和电压都是由有源元件提供的。
（×）3.电路中各电量的交流成份是交流信号源提供的；（× ）4.放大电路必须加上合适的直流电源才能正常工作。
5. 由于放大的对象是变化量，所以当输入信号为直流信号时，任何放大电路的输出都毫无变化。
（×）6. 当单级放大电路的静态工作点过高时，根据I b=I c/β，可选用β大的晶体三极管来减小I b 。
（×）7. 只要是共射放大电路，输出电压的底部失真都是饱和失真。
（×）8. 若单管共射放大电路中的三极管为NPN型，输出电压的底部失真时为饱和失真。
（√）9. 在共射放大电路中，若晶体管为NPN，输出电压u o出现底部失真，则该失真为截止失真。
（×）10. 由于放大的对象是变化量，所以当输入信号为直流信号时，任何放大电路的输出都毫无变化。
（×）11.可以说任何放大电路都有功率放大作用；（√）12.若单管共射放大电路出现截止失真，可适当增大基极电阻R B消除失真。
（ × ）13.某二级电压放大电路中，已知A u1=－10、A u2=－50 ，则总的电压放大倍数为500。
（√）14. 某二级电压放大电路中，已知Au1=50、Au2=100 ，则总的电压放大倍数为150。
（√）15. 现测得两个共射放大电路空载时的电压放大倍数均为－100，将它们连成两级放大电路，其电压放大倍数应为10000。
（×）16. 有人测得晶体管的U BE=0.7V, I B=20µA，因此推算出：be r=U BE/I B=0.7V/20µA=35KΩ。
（×）17.放大电路如图1所示，已知：U CC＝12V，R B＝240kΩ，R C＝3kΩ，晶体管β＝40，且忽略U BE。
模拟电路总复习题二(三极管)
电子电路调试与应用总复习题二班级 姓名 学号晶体三极管1．如图1所示，三极管的三个极E 、B 、C 分别叫 、 、 、其中NPN 型是 、PNP 型是 。
（a ） （b ）图1 三极管电路符号2．三极管的输出特性曲线如图2所示，三极管具有三种主要的工作特性是 、 、 ；其中CBI I β∆=∆称为 ；图2 三极管输出特性曲线3．如图3所示三极管为硅管，试判断其工作状态。
图3 三极管的工作状态放大工作状态是，截止工作状态是，饱合工作状态是。
4．放大电路中某三极管三个管脚电位分别为3.5V、2.8V、5V，试判断此管的三个电极，并说明它是NPN管还是PNP管，是硅管还锗管？5．图4所示各三极管，试判断其三个电极，并说明它是NPN管还是PNP管，估算其β值。
图46．如图5所示电路中，三极管均为硅管，β=100，试判断各三极管的工作状态，并求各管的I B、I C、U CE。
图5三极管不同的直流偏置7．放大电路的主要性能指标参数是、、、；理想放大电路主要性能指标参数要求是、、、；8．R S=50Ω是信号源内电阻，放大器1输入电阻Ri1=100Ω，放大器2输入电阻Ri2=100KΩ，现用U S=10mV信号源给放大器提供输入信号，则放大器1从信号源得到的输入信号为mV，则放大器2从信号源得到的输入信号为mV，相比之下，输入电阻越大的放大器性能。
（填好或不好）放大器1 放大器2图6 放大器输入电阻特性9．放大电路如图所示，电流电压均为正弦波，已知R S =600Ω，U S =30mV U i =20mV ，R L =1K Ω，U O =1.2V 。
求该电路的电压、电流、功率放大倍数及其分贝数和输入电阻R i 。
当R L 开路时，测得UO=1.8V ，求输出电阻。
图710．放大电路如图8所示，已知三极管100β=，'200rbb =Ω，0.7BEQ U V=。
试求（1）计算静态工作点I CQ 、U CEQ 、I BQ （2）画出H 参数小信号等效电路，求AU 、Ri 、Ro 。
三极管复习题
第二章 半导体三极管一、单选题1. （ ）具有不同的低频小信号电路模型。
A. NPN 管和PNP 管B. 增强型场效应管和耗尽型场效应管C. N 沟道场效应管和P 沟道场效应管D. 三极管和二极管2. 放大电路如图所示，已知三极管的05=β，则该电路中三极管的工作状态为（ ）。
A. 截止B. 饱和C. 放大D. 无法确定3. 已知场效应管的转移特性曲线如图所示，则此场效应管的类型是（ ）。
A. 增强型PMOSB. 增强型NMOSC. 耗尽型PMOSD. 耗尽型NMOS 4. 硅三极管放大电路中，静态时测得集-射极之间直流电压U CE =0.3V ，则此时三极管工作于（ ） 状态。
A. 饱和B. 截止C. 放大D. 无法确定5. 放大电路如图所示，已知硅三极管的50=β，则该电路中三极管的工作状态为（ ）。
A. 截止B. 饱和C. 放大D. 无法确定6. 三极管当发射结和集电结都正偏时工作于（ ）状态。
A. 放大B. 截止C. 饱和D. 无法确定7. 某三极管的V 15,mA 20,mW 100(BR)CEO CM CM ===U I P ，则下列状态下三极管能正常工作的是（ ）。
A. mA 10,V 3C CE ==I UB. mA 40,V 2C CE ==I UC. mA 20,V 6C CE ==I UD. mA 2,V 20C CE ==I U8. 下面的电路符号代表（ ）管。
A. 耗尽型PMOSB. 耗尽型NMOSC. 增强型PMOSD. 增强型NMOS9. 关于三极管反向击穿电压的关系，下列正确的是（ ）。
A. EBO BR CBO BR CEO BR U U U )()()(>>B. EBO BR CEO BR CBO BR U U U )()()(>>C. CEO BR EBO BR CBO BR U U U )()()(>>D. CBO BR CEO BR EBO BR U U U )()()(>>10. 在三极管放大电路中，下列等式不正确的是（ ）。
模拟电子技术教程第2章复习题答案
第2章习题答案1. 概念题：（1）常温下，N型半导体在导电时有空穴载流子参与吗？（有） P型半导体在导电时有电子载流子参与吗？（有）（2）在不加外电压时，PN结内部有没有电子的运动？（有）将P极和N极相连并串接电流表会有电流指示吗？（无）（3）PN结加正向电压时空间电荷区将变宽吗（不是）P+N结加反向电压哪边将变得更宽（N边）（4）作漂移运动的一定是少数载流子吗？（不一定）处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的吗？（是）（5）拿2个二极管可否组成1个三极管？（不行）三极管可否当二极管用？（可以）（6）下列哪些元件为双极型器件？（A、B）哪些元件为单极型器件？（C、D）A. 二极管、稳压管B.三极管C. 结型场效应管D. MOS管（7）H参数等效模型适合（ A、C、D ）。
A. 中低频电路B. 高频电路C. 小信号输入D. 交流分析（8）U GS＝0V时，能够工作在恒流区的场效应管有（ A、C ）。
A. 结型场效应管B. 增强型MOS管C. 耗尽型MOS管（9）半导体导电特征和金属导电的特征的不同点是电子和空穴都参与导电。
（10）二极管主要的特点是单向导电性，确保二极管安全工作的两个主要参数分别是最大整流电流和最大反向电压。
（11）在常温下，硅二极管的门槛电压约为 0.5 V，导通后在较大电流下的正向压降约为 0.7 V；锗二极管的门槛电压约为0.1 V，导通后在较大电流下的正向压降约为0.2 V。
（12）某稳压管具有正的电压温度系数，那么当温度升高时，稳压管的稳压值将上升。
（13）将3V和6V的两个稳压管以正反方向及串并联进行组合，可得到5种有效的形式，等效稳压值分别为3V、9V、3.7V、6.7V 、0.7。
（14）PN结具有结电容效应，凡用PN结组成的电子元件，在信号频率较高时必须考虑这种效应。
（15）变容二极管在工作时也要加偏置电路吗？（需要）发光二极管在工作时要串联一个电阻，否则会因电流过大而损坏。
模电课外练习二140917
模电课外练习二一、填空题1．三极管具有 作用。
2．三极管共发射极交流电流放大系数β= 。
放大作用的内因为 ；外因为 放大过程中能量转换的实质是 。
3．某三极管的发射极电流等于lmA ，基极电流等于20A μ，则集电极电流等于 mA 。
4．某三极管B I =30μA ，C I =1.2mA ，则E I =____mA 。
若B I 增大到50μA 时C I 增大到2mA ，则该三极管交流电流放大倍数β= __________。
5．测得放大状态的三极管各极对地电位如题图2-1所示，试判断各三极管的材料、管型与电极。
题图2-16．共发射极基本放大电路由电源电压CC U 、 、 、和 组成。
7．共发射极基本放大电路中，输入电压i u 与输出电流o i 相位 ，与输出电压o u 相位 。
8．三极管各极对地电位如题图2-2所示，试判断各三极管处于哪种工作状态。
题图2-2二、选择题1．处于放大状态时，加在硅材料三极管的发射结正偏压为 。
（A ）0.1～0.3 V （B ）0.5～0.8 V （C ）0.9～1.0 V （D ）1.2V2．NPN 三极管工作在放大状态时，其两个结的偏压为 。
（A ）BE U ＞0、BE U ＜CE U （B ）BE U ＜0、BE U ＜CE U（C ）BE U ＞0、BE U ＞CE U （D ）BE U ＜0、BE U ＞CE U3．三极管的反向电流CBO I 是由 组成的。
（A ）多数载流子 （B ）少数载流子 （C ）多数载流子和少数载流子共同4．已知一个三极管的 CEO I 为 200A μ，当基极电流为 20A μ时，集电极电流为 lmA ，则该管的CBO I 约等于 。
（A ）8mA （B ）10mA （C ）5A μ （D ）4A μ5．为使三极管处于放大工作状态，应加的偏置电压是 。
（A ）发射结加正向电压，集电结加正向电压（B ）发射结加反向电压，集电结加反向电压（C ）发射结加正向电压，集电结加反向电压（D ）发射结加反向电压，集电结加正向电压6．三极管组成的单管放大电路中，若输入信号（非地端）接至基极，输出信号（非地端）取自集电极，则该放大电路为 。
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第二章三极管练习题
一、填空题：
1．晶体管工作在饱和区时发射结偏；集电结偏。
2．三极管按结构分为_ 和两种类型，均具有两个PN结，即______和______。
3.三极管是___________控制器件，场效应管是控制器件。
4.晶体管放大电路的性能指标分析，主要采用等效电路分析法。
5.放大电路中，测得三极管三个电极电位为U1=,U2=,U3=15V，则该管是______类型管子，其中_____极为集电极。
6.场效应管输出特性曲线的三个区域是________、___________和__________。
7．三极管的发射结和集电结都正向偏置或反向偏置时，三极管的工作状态分别是__ __和______。
8．场效应管同三极管相比其输入电阻_________，热稳定性________。
9.采用微变等效电路法对放大电路进行动态分析时，输入信号必须是________的信号。
10.三极管有放大作用的外部条件是发射结________，集电结______。
11.在正常工作范围内，场效应管极无电流
12．三极管按结构分为______和______两种类型，均具有两个PN结，即___________和_________。
13.晶体三极管是一种＿＿＿控制＿＿＿器件，而场效应管是一种＿＿＿控制＿＿＿器件。
14．若一晶体三极管在发射结加上反向偏置电压，在集电结上也加上反向偏置电压，则这个晶体三极管处于＿＿＿＿＿＿状态。
15．作放大作用时，场效应管应工作在＿＿＿＿(截止区，饱和区，可变电阻区)。
16．晶体三极管用于放大时，应使发射极处于＿＿偏置，集电极处于＿＿偏置。
二、选择题：
1.有万用表测得PNP晶体管三个电极的电位分别是V C=6V，V B=，V E=1V则晶体管工作在（）状态。
A、放大
B、截止
C、饱和
D、损坏
2、三级管开作在放大区，要求（）
A、发射结正偏，集电结正偏
B、发射结正偏，集电结反偏
C、发射结反偏，集电结正偏
D、发射结反偏，集电结反偏
3、在放大电路中，场效应管应工作在漏极特性的哪个区域（）
A 可变线性区
B 截止区
C 饱合区D击穿区
4.一NPN型三极管三极电位分别有V C=，V E=3V，V B=，则该管工作在（）
A．饱和区B．截止区
C．放大区D．击穿区
5.三极管参数为P CM=800mW, I CM=100mA, U BR(CEO)=30V,在下列几种情况中，（）属于正常工作。
A．U CE=15V，I C=150 mA B．U CE=20V，I C=80 mA
C．U CE=35V，I C=100 mA D．U CE=10V，I C=50mA
6.下列三极管各个极的电位，处于放大状态的三极管是（）
A V C=，V E=0V，V B=
B V C=-4V，V E=，V B=
C V C =6V ， V E =0V ， V B =-3V
D V C =2V ， V
E =2V ， V B = 7.如果三极管工作在截止区，两个PN 结状态（ ）
A ．均为正偏
B ．均为反偏
C ．发射结正偏，集电结反偏
D ．发射结反偏，集电结正偏 8.场效应管工作在恒流区即放大状态时，漏极电流ID 主要取决于（ ） A 、栅极电流 B 、栅源电压 C 、漏源电压 D 、栅漏电压。
9.场效应管是一种（ ）器件
A 、电压控制 双极型
B 、电压控制 单极型
C 、、电流控制 双极型
D 、电流控制 单极型、 10. 有万用表测得PNP 晶体管三个电极的电位分别是V C =6V ，V B =，V
E =1V 则晶体管工作在（ ）状态。
A 、 放大
B 、截止
C 、饱和
D 、损坏
11、工作在放大区的某三极管，如果当IB 从12μA 增大到22μA 时，
IC
从1mA
变为2mA ，那么它的β约为( ) 。
A. 83
B. 91
C. 100
12、工作于放大状态的PNP 管，各电极必须满足（ ）
A ．ＵC > U
B > UE B 。
ＵC< UB < UE
C 。
UB >ＵC > UE
D 。
ＵC > U
E > UB 13．下列场效应管，哪一个是耗尽型NMOS 管 （ ）
A ．
B 。
C 。
D 。
14、UGS ＝0V 时，能够工作在恒流区的场效应管有( ) 。
A. 结型管 B. 增强型MOS 管 C. 耗尽型MOS 管 三、判断题 1、
判断图示三极管的工作状态。
2、 判断图示电路对交流信号有无放大作用。
若无放大作用，请予改正。
3、如图示，试判断工作在饱和状态的管子（ ）。
3V
2V
6V
(c)
5V
0V
(a)
-5V
(b)
3V
(d)
＋V
CC
u o u i R C
R B
C 1
C 2
V。
。
。
(a) 。
＋V CC
u o u i R C R B
C 1
C 2
V。
。
+
+
+
-8V
+
+5V
+
(a) + -3V
(b) +
+4V (c) +5V
0V (d)
4.工作在放大区的三极管，集电结正偏。
5.晶体三极管的C 、E 可以交换使用。
6．三极管是电压放大元件。
7．处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成
8、若耗尽型N 沟道MOS 管的U GS 大于零，则其输入电阻会明显变小。
9、绝缘栅型场效应管是利用改变栅源电压来改变导电沟道宽窄的 。
10、三极管按结构分为硅型和锗型三极管。
11、如图示，试判断工作在放大状态的管子（ ）。
四、识别题
1、用万用表测的放大电路中某个三极管两个电极的电流值如图. （1）求另一个电极的电流大小，在图上标出实际方向 （2）判断是PNP 还是NPN 管 （3）图上标出管子的极 （4）估算管子的ß值.
2、某晶体三极管的极限参数为：V（BR）CEO=25V，I CM=130mA，P CM=130mW，
问在以下工作条件中，哪些是允许的哪些是不允许的为什么
⑴I C=2mA，V CE=10V ⑵I C=20mA，V CE=10V
⑶I C=130mA，V CE=3V ⑷I C=40mA，V CE=50V
3、处在放大状态的某三极管各电极对地电位分别为V A= —6V，V B= ，V C= 5V，试分析：⑴A、B、C 三电极的名称是什么⑵该三极管为何种材料，属哪种类型
4、在晶体管放大电路中，当I B=10μA时，I C=；当I B=20μA时，I C=2mA，求：β、I CBO、I CEO
5、已知某场效应管的输出特性曲线如图所示，试判断：
（1）该场效应管的类型（6分）
或开户电压V GS(th)大约是多少（6分）
（2）它的夹断电压V GS
（off）
（3）若是耗尽型它的I DSS
-i
-V DS/V。