电磁屏蔽室屏蔽效能基本原理、数学公式、其他的有关信息、测量技术选择指南、初测和改进
屏蔽效能实验的实验原理
屏蔽效能实验的实验原理屏蔽效能实验是一种广泛用于研究电磁波屏蔽性能的实验方法。
其基本原理是将待测试的电子设备（被称为“发射端”）和试验用的电磁波接收系统（被称为“接收端”）分别放置于屏蔽室内，然后分别测量发射端和接收端的电磁波信号强度，在不同的频率下进行比较，以此评估屏蔽效能。
本文将介绍屏蔽效能实验的详细步骤和注意事项，以及如何解释实验结果。
一、实验步骤1、选择实验设备：首先需要选择待测试的电子设备和电磁波接收系统。
建议在实验开始前对设备进行充分的调试和漏洞修复，确保实验的稳定性和准确性。
2、设置实验条件：将待测试的电子设备放置于一个特制的屏蔽机箱内，保证在测量期间完全隔离环境中的干扰源。
同时将电磁波接收系统放置于另一个屏蔽机箱内，以确保只有要测试的信号能够被接收到。
3、准备实验设备：在测试前需要将所有的设备进行标定和测试，并确保发射端和接收端的信号源频率相同。
4、开始测量：开始测试前，需要确定测试频率、测试距离以及输入功率等参数。
在测量过程中，需要记录下发射端和接收端的信号强度，并计算出屏蔽效率。
5、分析实验结果：根据实验数据，可以绘制出屏蔽效率与频率的关系曲线。
通过分析曲线可以了解到电磁波在测试条件下的传输特性和屏蔽效能的优劣。
二、注意事项1、实验室环境：要求实验室内干燥、温度稳定，避免杂波和电磁干扰因素的干扰。
2、测试距离：测试距离与测试结果的准确性直接相关，太近会忽略屏蔽效应，而太远则会有其他因素影响结果。
3、添加加噪声：如果需要更准确的测试结果，则可以添加一定程度的加噪声来模拟现实环境中的实际情况，提高实验结果的可信度。
三、结果分析1、屏蔽效率：最终结果以屏蔽效率值作为评价指标，屏蔽效率值越高，表示该屏蔽室的屏蔽效能越好。
2、频率谱分析：通过频率谱分析可以了解到不同频段屏蔽效能的表现，对于研究电磁波屏蔽特性具有指导意义。
结论：在实际生产中，电子设备的屏蔽性能是非常重要的。
屏蔽效能实验是评估电子设备屏蔽效能的标准方法。
磁屏蔽技术及其应用
磁屏蔽技术及其应用文章介绍了磁屏蔽的意义与应用，分析了磁屏蔽技术的基本原理与方法以及所采用的材料，同时还介绍了目前磁屏蔽技术应用的具体装置形式和未来的发展趋势。
标签：磁屏蔽；零磁空间；磁屏蔽室引言随着工业、交通、电力及生活等设施的急剧增加，人们正处在一个日益复杂的电磁环境中，地磁场在区局部范围内也已变得越来越复杂，图1为某地的地磁场变化情况。
然而，随着科技水平的发展，在精密测量、地球物理、地质勘探、航空航天、计量测试等诸多领域里，对外界环境磁场的要求却有越来越高，许多精密电子设备与测试仪器，要求空间环境不能存在干扰磁场。
比如，在航空航天及船舶中导航用的陀螺仪，干扰磁场严重影响着其导航精度，必须对干扰磁场进行消除或降低；作为时间基准的原子钟，为了保证精准性，也必须将地磁场消除；还有高分辨率的电子显微镜，环境中的波动磁场也影响着其电子成像质量，同样需要消除环境磁场的变化。
另外，在许多与磁性有关的科学研究领域里，需要营造一个零磁场环境。
例如磁性探测仪器的零磁场标定，材料或器件的无磁性检测，生物在无磁环境里的生理反应研究等等，均需要一个相对的零磁场空间。
这就要求我们必须利用磁屏蔽技术，在一定范围内屏蔽或消除外界的干扰磁场，从而营造一个相对的零磁场或静磁场空间。
1 磁屏蔽的基本原理1.1 磁屏蔽的概念电磁屏蔽，就是将电磁场干扰源至仪器设备的传输途径“切断”，从而达到消除或减弱干扰源对仪器设备的不良影响效果。
根据被屏蔽的对象不同，可将其分为两大类：一类是对电磁场干扰源进行屏蔽，使其传播到屏蔽外的干扰电磁场减弱，如对医学上核磁共振仪的屏蔽；另一类是对特定的仪器设备进行屏蔽，使其不受外界环境电磁场的干扰，保证其正常工作，如对导航用的陀螺仪的屏蔽。
根据电磁场的性质及屏蔽机理的不同，电磁屏蔽分为静电屏蔽、电磁屏蔽和静磁屏蔽。
静电屏蔽主要是对电场的屏蔽，利用的是导体静电平衡原理；电磁屏蔽主要是对高频电磁场屏蔽，利用涡电流原理；而静磁屏蔽（简称磁屏蔽）则是对静磁场或低频电磁场进行屏蔽，利用的是磁路分流原理。
第四部分电磁屏蔽技术
平面波 E 1/ r H 1/ r
磁场为主 H 1/ r3
E 1/ r2
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/ 2
到观测点距离 r
吸收损耗的计算
入射电磁波E0 0.37E0
t
剩余电磁波E1 E1 = E0e-t/ dB dB dB
A ＝ 20 lg ( E0 / E1 ) = 20 lg ( e t / ) A ＝ 8.69 ( t / )
SE = 1 + R0/RS
H1
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R0
低频磁场屏蔽产品
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（3）磁屏蔽材料的频率特性
r 10 3
15 10 镍钢 5 金属 坡莫合金
冷轧钢
1
0.01
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0.1
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低频： 由于趋肤深度很大。吸收损耗很小，屏蔽效能主要取决于 反射损耗。而反射损耗与电磁波的波阻抗关系很大，因此，低 频时不同的电磁波的屏蔽效能相差很大。电场波的波阻抗较高， 因此电场波屏蔽效能远高于磁场波。 高频： 随着频率升高，电场波的反射损耗降低，而磁场波的反射 损耗增加。另一方面，随着频率升高，趋肤深度减小，电磁波 的吸收损耗增加，当频率高到一定程度时，吸收损耗已经很大 ，屏蔽效能主要由吸收损耗决定。由于屏蔽的吸收损耗与电磁 波的种类（波阻抗）无关，在高频时，不同种类的电磁波的屏 蔽效能几乎相同。
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2磁屏蔽 （1）怎样屏蔽低频磁场？ 低频磁场是最难屏蔽的一种电磁波。这是由于其自身特性所 决定的，首先低频意味着趋肤深度很深，这决定了吸收损耗很小； 磁场意味着电场波的波阻抗很低，这决定了反射损耗也很小。由 于屏蔽材料的屏蔽效能是由吸收损耗和反射损耗两部分构成的， 当这两部分都很小时，总的屏蔽效能也很低。另外，对于磁场， 多次反射造成的泄漏也是不能忽略的。 改善低频磁场屏蔽效能的方法： 想办法增加材料对低频磁场的反射损耗和吸收损耗。要增加 反射损耗，需要提高材料的导电性。要提高吸收损耗，一种方法 是增加屏蔽材料厚度，另一种方法是选择适当的材料。 改进的方法： 为了能同时对电场和磁场有效的屏蔽，希望既能增加吸收损 耗，又不损失反射损耗，可以在高导磁材料的表面增加一层高导 电率材料，增加电磁波在屏蔽材料与空气界面上的反射损耗。
电磁屏蔽技术
靠近辐射源
r = 30 m
磁场 r = 1 m
靠近辐射源
综合屏蔽效能 (0.5mm铝板)
150
250
平面波
0
0.1k 1k 10k 100k 1M 10M
高频时 电磁波种类 的影响很小
电场波 r = 0.5 m
磁场波 r = 0.5 m
电源线
缝隙
远场区孔洞的屏蔽效能
L
L
SE = 100 – 20lgL – 20lg f + 20lg（1 + 2.3lg(L/H)) = 0 dB 若 L / 2
H
孔洞在近场区的屏蔽效能
若ZC （7.9/Df）：（说明是电场源） SE = 48 + 20lg ZC – 20lg L f + 20lg ( 1 + 2.3lg (L/H) ) 若ZC （7.9/Df）：（说明是磁场源） SE = 20lg ( D/L) + 20lg (1 + 2.3lg (L/H) ) （注意：对于磁场源，屏效与频率无关！）
r 103
磁导率随场强的变化
磁通密度 B
磁场强度 H
饱和
起始磁导率
最大磁导率
= B / H
强磁场的屏蔽
高导磁率材料：饱和
低导磁率材料：屏效不够
低导磁率材料
高导磁率材料
加工的影响
20
40
60
80
100
10 100 1k 10k
跌落前
跌落后
良好电磁屏蔽的关键因素
屏蔽体 导电连续
没有穿过屏 蔽体的导体
屏蔽效能高的屏蔽体
不要忘记： 选择适当的屏蔽材料
你知道吗： 与屏蔽体接地与否无关
电磁屏蔽室的屏蔽计算及屏蔽方案选择
电磁屏蔽室的屏蔽计算及屏蔽方案选择【摘要】针对某工程电磁屏蔽室的屏蔽要求进行屏蔽计算及屏蔽方案的选择，并简单介绍了电磁屏蔽设计的原理，对今后同类工程具有一定的参考和借鉴作用。
【关键词】电磁屏蔽室；屏蔽计算；屏蔽方案1.引言在进行某工程设计时，建设单位提出个别实验室的电磁场强度需小于15mG。
针对此要求，需对此实验室进行屏蔽计算及屏蔽方案的选择。
2.电磁屏蔽基本知识电磁波是电磁能量传播的主要方式，高频电路工作时，会向外辐射电磁波，对邻近的其它设备产生干扰。
电磁屏蔽的作用是切断电磁波的传播途径，用电磁屏蔽的方法来解决电磁干扰问题的最大好处是不会影响电路的正常工作，因此不需要对电路做任何修改。
同一个屏蔽体对于不同性质的电磁波，其屏蔽性能不同屏蔽体的有效性用屏蔽效能（SE）来度量。
屏蔽效能的定义如下：式中：E1=没有屏蔽时的场强E2=有屏蔽时的场强如果屏蔽效能计算中使用的是磁场强度，则称为磁场屏蔽效能，如果屏蔽效能计算中使用的是电场强度，则称为电场屏蔽效能。
屏蔽效能的单位是分贝（dB）。
电磁屏蔽室利用金属板体（金属网）制成六面体，由于金属板（网）对入射电磁波的吸收损耗、界面反射损耗与板内反射损耗，使其电磁波的能量大大的减弱，而使屏蔽室产生屏蔽作用[1]。
3.电磁屏蔽效能选择本工程该电磁屏蔽实验室附近生产设备主要为一些机械加工类设备，其产生的电磁场相对较小。
为满足上述设备运行，在电磁屏蔽实验室周边配置了10kV 变配电间和排放机房等辅助设施。
查相关资料，该类厂房变配电间的变压器为主要电磁源，因此主要针对变配电间产生的电磁场进行屏蔽设计。
根据国家电网网站提供的1999年上海市辐射环境监理所对位于大楼内的10kV配电站的工频磁场实测值，10kV配电站对周边造成的最大工频磁感应强度为11.69μT（1T=10000G）。
考虑周边其他杂散磁场的影响，取1.5的系数作为未进行电磁屏蔽前的电磁场强度进行计算。
该实验室针对变配电间的屏蔽效能应为：4.电磁屏蔽方案选择及屏蔽效能计算电磁屏蔽室的做法一般有以下几种：铜网式电磁屏蔽室、拼装式电磁屏蔽室、钢板直贴式电磁屏蔽室、整体焊接式电磁屏蔽室。
电磁屏蔽室屏蔽效能的测量方法
电磁屏蔽室屏蔽效能的测量方法电磁屏蔽室（EMC）是一种专门用于测试电子设备对电磁干扰容忍度的实验室。
其内部有特殊的金属屏蔽结构，可以屏蔽外部电磁波干扰，以保证实验结果的准确性。
然而，电磁屏蔽室的屏蔽效能需要得到精确的测量，本文将介绍电磁屏蔽室屏蔽效能的测量方法。
一、屏蔽效能的定义屏蔽效能是指电磁屏蔽室内部对外部电磁波的屏蔽能力。
通常使用衰减（dB）来表示，即单位长度内电磁波功率的减少量。
例如，衰减10dB表示电磁波功率降低了10倍。
二、屏蔽效能的测量方法1. 磁场测量法磁场测量法是一种常用的屏蔽效能测量方法。
该方法通过在电磁屏蔽室内放置一组磁场探头，分别测量屏蔽室内外的磁场强度，并计算出屏蔽效能。
由于磁场的传播特性与电场不同，因此该方法适用于低频电磁波的屏蔽效能测量。
2. 频域扫描法频域扫描法是一种基于电场测量的屏蔽效能测量方法。
该方法通过在电磁屏蔽室内放置一组电场探头，分别测量不同频率下的电场强度，并计算出相应的屏蔽效能。
该方法适用于高频电磁波的屏蔽效能测量。
3. 平面波激励法平面波激励法是一种基于传输线理论的屏蔽效能测量方法。
该方法通过在电磁屏蔽室外部放置一组电磁波发生器，并将发生器输出的电磁波通过传输线输入到电磁屏蔽室内部，然后测量屏蔽室内部的电磁波功率，并计算出相应的屏蔽效能。
该方法适用于电磁波频率较高的情况。
三、屏蔽效能的评价屏蔽效能的评价通常采用以下两种指标：1. 透过波比透过波比是指电磁波穿过电磁屏蔽室时的衰减量。
该指标越大，说明屏蔽效能越好。
2. 反射波比反射波比是指电磁波在电磁屏蔽室内部被反射的程度。
该指标越小，说明屏蔽效能越好。
四、注意事项在进行电磁屏蔽室屏蔽效能测量时，需要注意以下事项：1. 测量前需要将电磁屏蔽室内部的杂物清理干净，以保证测量结果的准确性。
2. 测量时需要保证电磁屏蔽室内部没有电子设备运行，以避免干扰测量结果。
3. 不同测量方法的适用范围不同，需要根据具体情况选择合适的测量方法。
电磁屏蔽效能
<14>
在工程中，当需要考虑如何应用吸收特性时，可以考虑如下原则： • 屏蔽材料越厚，吸收损耗越大。 • 磁导率越高，吸收损耗越大。 • 电导率越高，吸收损耗越大。 • 频率越高，吸收损耗越大。
<15>
影响反射损耗的因素
• 材料特性。屏蔽材料的电导率越高，磁导率越低，反射损耗就越 大。 • 场源特性。对于同一屏蔽材料， 不同的场源特性有不同的反射 损耗。通常，磁场反射损耗小于平面波反射损耗和电场反射损 耗，即Rm<Rw<Re； 因此从可靠性考虑，计算种的屏蔽效能时， 应以磁场反射损耗代入计算。
r
5.82 107 S/m
<13>
在具体应用中，由于前面的吸收损耗关系将损耗值与金属层厚度联 系起来，因此，可以对金属厚度的确定提供指导。若A=100dB， μr=1，σr=1，则当频率为1MHz时，屏蔽壳体的厚度为t=0.76mm。随 着频率的增加，获得一定屏蔽效能所需的金属层的厚度会随之减少。 若将其它损耗因素再考虑在内，则所需厚度可能更小。因此，在高 频情况下，选择屏蔽壳体的厚度时，一般并不需要从电磁屏蔽效果 考虑，而只要从工艺结构和机械性能考虑即可。
平面波源 电场源 磁场源 -
Rw 168.1 10lg(r f / r )
Re 321.7 10lg(r r 2 f 3 / r ) Rm 14.56 10lg( r r 2 f / r )
• 多次反射修正：
Z m Z w 2 0.1 A j 0.23 A B 20 lg 1 ( ) 10 e Zm Zw 10 lg[1 2 10 0.1 A cos(0.23 A) 10 0.2 A ]
SE 20 lg | pe t (1 qe 2t ) 1 e 1t | 20 lg | e t | 20 lg | p | 20 lg | 1 qe 2t | A R B
电磁屏蔽室屏蔽效能的测量方法
电磁屏蔽室屏蔽效能的测量方法一、简介电磁屏蔽室的屏蔽效能测量是检测电磁屏蔽室对外部电磁场的屏蔽效果的重要手段，其目的是为了判定电磁屏蔽室是否能够达到预期的屏蔽效能。
二、屏蔽效果的测量原理屏蔽效能的测量是利用电磁屏蔽室内部的电压池及电流池在外部电磁场的作用下产生的失真电压与失真电流，使用示波器来测量电压与电流的正常电压和电流，从而计算出屏蔽室内的失真电压和失真电流，从而计算出屏蔽室内的屏蔽效能。
三、测量方法1、准备工作：安装相应的测试设备，如示波器、屏蔽室内部的电压池及电流池，外部电磁场生成装置等。
2、测量步骤：（1）用示波器记录电压池及电流池内的正常电压与电流；（2）打开外部电磁场生成装置，记录放电后屏蔽室内的电压池及电流池内的失真电压与失真电流；（3）计算出屏蔽室内的屏蔽效能。
四、实际测量在实际测量中，主要采用的方法是幅度法、相位法和峰值法。
它们的具体测量步骤如下：（1）幅度法：①首先，设定一定的频率。
②然后，用示波器记录屏蔽室内电压池及电流池内的正常电压与电流。
③将外部电磁场的强度依次增大，当外部电磁场的强度达到某一固定值时，记录屏蔽室内的电压池及电流池内的失真电压与失真电流，然后计算出屏蔽室内的屏蔽效能。
（2）相位法：①首先，设定一定的频率，用示波器记录屏蔽室内电压池及电流池内的正常电压与电流。
②然后，将外部电磁场的强度依次增大，当外部电磁场的强度达到某一固定值时，记录屏蔽室内的电压池及电流池内的失真电压与失真电流，并计算它们的相位差，最后计算出屏蔽室内的屏蔽效能。
（3）峰值法：①首先，设定一定的频率，用示波器记录屏蔽室内电压池及电流池内的正常电压与电流。
②然后，将外部电磁场的强度依次增大，当外部电磁场的强度达到某一固定值时，计算屏蔽室内失真电压与失真电流的峰值，然后计算出屏蔽室内屏蔽效能。
五、总结电磁屏蔽室的屏蔽效能的测量是植基于外部电磁场对其内部的影响，通过测量电压池及电流池内的正常电压与电流，以及外部电磁场影响下的失真电压与失真电流计算出屏蔽室内的屏蔽效能。
电磁屏蔽基本原理介绍
之阳早格格创做正在电子设备及电子产品中，电磁搞扰（Electromagnetic Interference）能量通过传导性耦合战辐射性耦合去举止传输.为谦脚电磁兼容性央供，对付传导性耦合需采与滤波技能，即采与EMI滤波器件加以压制；对付辐射性耦合则需采与屏蔽技能加以压制.正在目前电磁频谱日趋聚集、单位体积内电磁功率稀度慢遽减少、下矮电仄器件大概设备洪量混同使用等果素而引导设备及系统电磁环境日益逆转的情况下，其要害性便隐得更为超过.屏蔽是通过由金属制成的壳、盒、板等屏蔽体，将电磁波限制于某一天区内的一种要领.由于辐射源分为近区的电场源、磁场源战近区的仄里波，果此屏蔽体的屏蔽本能依据辐射源的分歧，正在资料采用、结构形状战对付孔缝揭收统制等圆里皆有所分歧.正在安排中要达到所需的屏蔽本能，则需最先决定辐射源，精确频次范畴，再根据各个频段的典型揭收结构，决定统制果素，从而采用妥当的屏蔽资料，安排屏蔽壳体.屏蔽体对付辐射搞扰的压制本领用屏蔽效能SE（Shielding Effectiveness）去衡量，屏蔽效能的定义:不屏蔽体时，从辐射搞扰源传输到空间某一面(P)的场强1（1）战加进屏蔽体后，辐射搞扰源传输到空间共一面(P)的场强2（2）之比，用dB（分贝）表示.图1 屏蔽效能定义示企图屏蔽效能表白式为 (dB) 大概（dB）工程中，本量的辐射搞扰源大概分为二类：类似于对付称振子天线的非关合载流导线辐射源战类似于变压器绕组的关合载流导线辐射源.由于电奇极子战磁奇极子是上述二类源的最基础形式，本量的辐射源正在空间某面爆收的场，均可由若搞个基基础的场叠加而成(图2).果此通过对付电奇极子战磁奇极子所爆收的场举止分解，便可得出本量辐射源的近近场及波阻抗战近、近场的场个性，从而为屏蔽分类提供劣良的表里依据.图2 二类基基础正在空间所爆收的叠加场近近场的区分是根据二类基基础的场随1/r（场面至源面的距离）的变更而决定的，为近近场的分界面，二类源正在近近场的场个性及传播个性均有所分歧.表1 二类源的场与传播个性场源典型近场（）近场( )场个性传播个性场个性传播个性电奇极子非仄里波以衰减仄里波以衰减磁奇极子非仄里波以衰减仄里波以衰减波阻抗为空间某面电场强度与磁场强度之比，场源分歧、近近场分歧，则波阻抗也有所分歧，表2与图3分别用图表给出了的波阻抗个性.表2 二类源的波阻抗波阻抗（Ω）场源典型近场（）近场（）电奇极子120π120π磁奇极子120π120π能量稀度包罗电场分量能量稀度战磁场分量能量稀度，通过对付由共一场源所爆收的电场、磁场分量的能量稀度举止比较，不妨决定场源正在分歧天区内何种分量占主要成份，以便决定简曲的屏蔽分类.能量稀度的表白式由下列公式给出:电场分量能量稀度磁场分量能量稀度场源总能量稀度表3 二类源的能量稀度能量稀度比较场源典型近场（）近场（）电奇极子磁奇极子表3给出了二种场源正在近、近场的能量稀度.从表中不妨瞅出，二类源的近场有很大的辨别，电奇极子的近场能量主要为电场分量，可忽略磁场分量；磁奇极子的近场能量主要为磁场分量，可忽略电场分量；二类源正在近场时，电场、磁场分量均必须共时思量.屏蔽典型依据上述分解不妨举止以下分类：表4 屏蔽分类场源典型近场（）近场（）电奇极子（非关合载流导线）电屏蔽（包罗静电屏蔽）电磁屏蔽磁奇极子（关合载流导线）磁屏蔽（包罗恒定磁场屏蔽）电磁屏蔽电屏蔽的真量是减小二个设备（大概二个电路、组件、元件）间电场感触的效用.电屏蔽的本理是正在包管劣良交天的条件下，将搞扰源所爆收的搞扰末止于由良导机制成的屏蔽体.果此，交天劣良及采用良导体搞为屏蔽体是电屏蔽是可起效用的二个关键果素.磁屏蔽的本理是由屏蔽体对付搞扰磁场提供矮磁阻的磁通路，从而对付搞扰磁场举止分流，果而采用钢、铁、坡莫合金等下磁导率的资料战安排盒、壳等启关壳体成为磁屏蔽的二个关键果素.电磁屏蔽的本理是由金属屏蔽体通过对付电磁波的反射战吸支去屏蔽辐射搞扰源的近区场，即共时屏蔽场源所爆收的电场战磁场分量.由于随着频次的删下，波少变得与屏蔽体上孔缝的尺寸相称，从而引导屏蔽体的孔缝揭收成为电磁屏蔽最关键的统制果素.屏蔽体的揭收耦合结构与所需压制的电磁波频次稀切相关，三类屏蔽所波及的频次范畴及统制果素如表5所示：表5 揭收耦合结构与统制果素本量屏蔽体上共时存留多个揭收耦合结构（n个），设机箱交缝、透气孔、屏蔽体壁板等各揭收耦合结构的单独屏蔽效能（如只思量交缝）为SEi（i=1,2,…，n），则屏蔽体总的屏蔽效能由上式不妨瞅出，屏蔽体的屏蔽效能是由各个揭收耦合结构中爆收最大揭收耦合的结构所决断的，即由屏蔽最单薄的关节所决断的.果此举止屏蔽安排时，精确分歧频段的揭收耦合结构，决定最大揭收耦合果素是其主要的安排准则.正在三类屏蔽中，磁屏蔽战电磁屏蔽的易度较大.更加是电磁屏蔽安排中的孔缝揭收压制最为关键，成为屏蔽安排中应沉面思量的主要果素.图4 典型机柜结构示企图根据孔耦合表里，决断孔缝揭收量的果素主要有二个：孔缝里积战孔缝最大线度尺寸.二者皆大，则揭收最为宽沉；里积小而最大线度尺寸大则电磁揭收仍旧较大.图4所示为一典型机柜示企图，上头的孔缝主要分为四类：●机箱（机柜）交缝该类缝虽然里积不大，然而其最大线度尺寸即缝少却非常大，由于维建、开开等节制，以致该类缝成为电子设备中屏蔽易度最大的一类孔缝，采与导电衬垫等特殊屏蔽资料不妨灵验天压制电磁揭收.该类孔缝屏蔽安排的关键正在于：合理天采用导电衬垫资料并举止适合的变形统制.●透气孔该类孔里积战最大线度尺寸较大，透气孔安排的关键正在于透气部件的采用与拆置结构的安排.正在谦脚透气本能的条件下，应尽大概采用屏效较下的屏蔽透气部件.●瞅察孔与隐现孔该典型孔里积战最大线度尺寸较大，其安排的关键正在于屏蔽透光资料的采用与拆置结构的安排.●连交器与机箱交缝那类缝的里积与最大线度尺寸均不大，然而由于正在下频时引导连交器与机箱的交触阻抗慢遽删大，从而使得屏蔽电缆的共模传导收射变大，往往引导所有设备的辐射收射出现超标，为此应采与导电橡胶等连交器导电衬垫.综上所述，孔缝压制的安排重心归纳为：●合理采用屏蔽资料；●合理安排拆置互连结构.电磁屏蔽电磁屏蔽是办理电磁兼容问题的要害脚法之一.大部分电磁兼容问题皆不妨通过电磁屏蔽去办理.用电磁屏蔽的要领去办理电磁搞扰问题的最大用处是不会效用电路的仄常处事，果此不需要对付电路搞所有建改.1 采用屏蔽资料屏蔽体的灵验性用屏蔽效能去度量.屏蔽效能是不屏蔽时空间某个位子的场强E1与有屏蔽时该位子的场强E2的比值，它表征了屏蔽体对付电磁波的衰减程度.用于电磁兼容脚法的屏蔽体常常能将电磁波的强度衰减到本去的百分之一至百万分之一，果此通时常使用分贝去表述屏蔽效能，那时屏蔽效能的定义公式为：SE = 20 lg ( E1/ E2 ) (dB) 用那个定义式只可尝试屏蔽资料的屏蔽效能，而无法决定该当使用什么资料搞屏蔽体.要决定使用什么资料制制屏蔽体，需要相识资料的屏蔽效能与资料的什么个性参数有关.工程中真用的表征资料屏蔽效能的公式为：SE = A + R (dB) 式中的A称为屏蔽资料的吸支耗费，是电磁波正在屏蔽资料中传播时爆收的，估计公式为：A=3.34t（fμrσr）(dB) t = 资料的薄度，μr = 资料的磁导率，σr = 资料的电导率，对付于特定的资料，那些皆是已知的.f = 被屏蔽电磁波的频次.式中的R称为屏蔽资料的反射耗费，是当电磁波进射到分歧媒量的分界里时爆收的，估计公式为：R=20lg（ZW/ZS）(dB) 式中，Zw=电磁波的波阻抗，Zs=屏蔽资料的个性阻抗.电磁波的波阻抗定义为电场分量与磁场分量的比值：Zw = E / H.正在距离辐射源较近（<λ/2π，称为近场区）时，波阻抗的值与决于辐射源的本量、瞅测面到源的距离、介量个性等.若辐射源为大电流、矮电压（辐射源电路的阻抗较矮），则爆收的电磁波的波阻抗小于377，称为矮阻抗波，大概磁场波.若辐射源为下电压，小电流（辐射源电路的阻抗较下），则波阻抗大于377，称为下阻抗波大概电场波.关于近场区内波阻抗的简曲估计公式本文不予叙述，免得冲浓中心，感兴趣的读者不妨参照有关电磁场圆里的参照书籍.当距离辐射源较近（>λ/2π，称为近场区）时，波波阻抗仅与电场波传播介量有关，其数值等于介量的个性阻抗，气氛为377Ω.屏蔽资料的阻抗估计要领为：｜ZS｜=3.68×107(fμr/σr) (Ω) f=进射电磁波的频次(Hz），μr=相对付磁导率，σr=相对付电导率从上头几个公式，便不妨估计出百般屏蔽资料的屏蔽效能了，为了便当安排，底下给出一些定性的论断.●正在近场区安排屏蔽时，要分别思量电场波战磁场波的情况；●屏蔽电场波时，使用导电性好的资料，屏蔽磁场波时，使用导磁性好的资料；●共一种屏蔽资料，对付于分歧的电磁波，屏蔽效能使分歧的，对付电场波的屏蔽效能最下，对付磁场波的屏蔽效能最矮，也便是道，电场波最简单屏蔽，磁场波最易屏蔽；●普遍情况下，资料的导电性战导磁性越好，屏蔽效能越下；●屏蔽电场波时，屏蔽体尽管靠拢辐射源，屏蔽磁场源时，屏蔽体尽管近离磁场源；有一种情况需要特天注意，那便是1kHz以下的磁场波.那种磁场波普遍由大电流辐射源爆收，比圆，传输大电流的电力线，大功率的变压器等.对付于那种频次很矮的磁场，只可采与下导磁率的资料举止屏蔽，时常使用的资料是含镍80%安排的坡莫合金.2 孔洞战漏洞的电磁揭收与对付策普遍除了矮频磁场中，大部分金属资料不妨提供100dB 以上的屏蔽效能.然而正在本量中，罕睹的情况是金属搞成的屏蔽体，并不那样下的屏蔽效能，以至险些不屏蔽效能.那是果为许多安排人员不相识电磁屏蔽的关键.最先，需要相识的是电磁屏蔽与屏蔽体交天与可并不关系.那与静电场的屏蔽分歧，正在静电中，只消将屏蔽体交天，便不妨灵验天屏蔽静电场.而电磁屏蔽却与屏蔽体交天与可无关，那是必须精确的.电磁屏蔽的关键面有二个，一个是包管屏蔽体的导电连绝性，即所有屏蔽体必须是一个完备的、连绝的导电体.另一面是不克不迭有脱过机箱的导体.对付于一个本量的机箱，那二面真止起去皆非常艰易.最先，一个真用的机箱上会有很多孔洞战孔缝：透气心、隐现心、拆置百般安排杆的开心、分歧部分分离的漏洞等.屏蔽安排的主要真量便是怎么样妥擅处理那些孔缝，共时不会效用机箱的其余本能（好瞅、可维性、稳当性）.其次，机箱上经常会有电缆脱出（进），起码会有一条电源电缆.那些电缆会极天里妨害屏蔽体，使屏蔽体的屏蔽效能落矮数格中贝.妥擅处理那些电缆是屏蔽安排中的要害真量之一（脱过屏蔽体的导体的妨害奇尔比孔缝的妨害更大）.当电磁波进射到一个孔洞时，其效用相称于一个奇极天线（图1），当孔洞的少度达到λ/2时，其辐射效用最下（与孔洞的宽度无关），也便是道，它不妨将激励孔洞的局部能量辐射进去.对付于一个薄度为0资料上的孔洞，正在近场区中，最坏情况下（制成最大揭收的极化目标）的屏蔽效能（本量情况下屏蔽效能大概会更大一些）估计公式为：SE=100 20lgL 20lg f + 20lg [1 + 2.3lg(L/H)] (dB) 若L ≥λ/2，SE = 0 (dB) 式中各量：L = 漏洞的少度（mm），H = 漏洞的宽度（mm），f = 进射电磁波的频次（MHz）.正在近场区，孔洞的揭收还与辐射源的个性有关.当辐射源是电场源时，孔洞的揭收比近场时小（屏蔽效能下），而当辐射源是磁场源时，孔洞的揭收比近场时要大（屏蔽效能矮）.近场区，孔洞的电磁屏蔽估计公式为：若ZC >（7.9/D·f）：SE = 48 + 20lg ZC 20lgL·f+ 20lg [1 + 2.3lg (L/H) ] 若Zc<（7.9/D·f）：SE = 20lg [ (D/L) + 20lg (1 + 2.3lg (L/H) ]式中：Zc=辐射源电路的阻抗（Ω），D = 孔洞到辐射源的距离（m），L、H = 孔洞少、宽（mm），f = 电磁波的频次（MHz）证明：● 正在第二个公式中，屏蔽效能与电磁波的频次不关系.● 大普遍情况下，电路谦脚第一个公式的条件，那时的屏蔽效能大于第二中条件下的屏蔽效能.● 第二个条件中，假设辐射源是杂磁场源，果此不妨认为是一种正在最坏条件下，对付屏蔽效能的守旧估计.● 对付于磁场源，屏蔽效能与孔洞到辐射源的距离有关，距离越近，则揭收越大.那面正在安排时一定要注意，磁场辐射源一定要尽管近离孔洞.多个孔洞的情况当N个尺寸相共的孔洞排列正在所有，而且相距很近（距离小于λ/2）时，制成的屏蔽效能下落为20lgN1/2.正在分歧里上的孔洞不会减少揭收，果为其辐射目标分歧，那个个性不妨正在安排中用去预防某一个里的辐射过强.除了使孔洞的尺寸近小于电磁波的波少，用辐射源尽管近离孔洞等要领减小孔洞揭收以中，减少孔洞的深度也不妨减小孔洞的揭收，那便是停止波导的本理.普遍情况下，屏蔽机箱上分歧部分的分离处不可能真足交触，只可正在某些面交触上，那形成了一个孔洞阵列.漏洞是制成屏蔽机箱屏蔽效能落级的主要本果之一.减小漏洞揭收的要领有：● 减少导电交触面、减小漏洞的宽度，比圆使用板滞加工的脚法（如用铣床加工交触表面）去减少交触里的仄坦度，减少紧固件（螺钉、铆钉）的稀度；● 加大二块金属板之间的沉叠里积；● 使用电磁稀启衬垫，电磁稀启衬垫是一种弹性的导电资料.如果正在漏洞处拆置上连绝的电磁稀启衬垫，那么，对付于电磁波而止，便如共正在液体容器的盖子上使用了橡胶稀启衬垫后不会爆收液体揭收一般，不会爆收电磁波的揭收.3 脱过屏蔽体的导体的处理制成屏蔽体做废的另一个主要本果是脱过屏蔽体的导体.正在本量中，很多结构上很周到的屏蔽机箱（机柜）便是由于有导体曲交脱过屏蔽箱而引导电磁兼容考查波折，那是缺累电磁兼容体味的安排师感触狐疑的典型问题之一.推断那种问题的要领是将设备上正在考查中不需要连交的电缆拔下，如果电磁兼容问题消得，证明电缆是引导问题的果素.办理那个问题有二个要领：● 对付于传输频次较矮的旗号的电缆，正在电缆的端心处使用矮通滤波器，滤除电缆上不需要的下频频次身分，减小电缆爆收的电磁辐射（果为下频电流最简单辐射）.那共样也能预防电缆上感触到的环境噪声传进设备内的电路.● 对付于传输频次较下的旗号的电缆，矮通滤波器大概会引导旗号得真，那时只可采与屏蔽的要领.然而要注意屏蔽电缆的屏蔽层要360°拆交，那往往是很易的.正在电缆端心拆置矮通滤波器有二个要领● 拆置正在线路板上，那种要领的便宜是经济，缺面是下频滤波效验短好.隐然，那个缺面对付于那种用途的滤波器是格中致命的，果为，咱们使用滤波器的脚法便是滤除简单引导辐射的下频旗号，大概者空间的下频电磁波正在电缆上感触的电流.● 拆置正在里板上，那种滤波器曲交拆置正在屏蔽机箱的金属里板上，如馈通滤波器、滤波阵列板、滤波连交器等.由于曲交拆置正在金属里板上，滤波器的输进、输出之间真足断绝，交天劣良，导线上的搞扰正在机箱端心上被滤除，果此滤波效验格中理念.缺面是拆置需要一定的结构协共，那必须正在安排初期举止思量.由于新颖电子设备的处事频次越去越下，对付付的电磁搞扰频次也越去越下，果此正在里板上拆置搞扰滤波器成为一种趋势.一种使用格中便当、本能格中劣良的器件便是滤波连交器.滤波连交器的形状与一般连交器的形状真足相共，不妨曲交替换.它的每根插针大概孔上有一个矮通滤波器.矮通滤波器不妨是简朴的单电容电路，也不妨是较搀杂的电路.办理电缆上搞扰的一个格中简朴的要领是正在电缆上套一个铁氧体磁环，那个要领虽然往往灵验，然而是有一些条件.许多人对付铁氧体寄予了过下憧憬，只消一逢到电缆辐射的问题，便正在电缆上套铁氧体，往往会得视.铁氧体磁环的效验预测公式为：共模辐射革新 =20lg（加磁环后的共模环路阻抗/加磁环前的共模环路阻抗）比圆，如果出加铁氧体时的共模环路阻抗为100Ω，加了铁氧体以去为1000Ω，则共模辐射革新为20dB.证明：奇尔套上铁氧体后，电磁辐射并不明隐的革新，那本去纷歧定是铁氧体不起效用，而大概是除了那根电缆以中，另有其余辐射源.正在电缆上使用铁氧体磁环时，要注意下列一些问题：● 磁环的内径尽管小● 磁环的壁尽管薄● 磁环尽管少● 磁环尽管拆置正在电缆的端头处金属屏蔽效用可用屏蔽效用(SE)对付屏蔽罩的适用性举止评估，其单位是分贝，估计公式为SEdB=A+R+B 其中A：吸支耗费(dB) R：反射耗费(dB) B：矫正果子(dB)(适用于薄屏蔽罩内存留多个反射的情况)一个简朴的屏蔽罩会使所爆收的电磁场强度落至最初的格中之一，即SE 等于20dB；而有些场合大概会央供将场强落至为最初的十万分之一，即SE要等于100dB. 吸支耗费是指电磁波脱过屏蔽罩时能量耗费的数量，吸支耗费估计式为AdB=1.314(f×σ×μ)1/2×t其中f：频次(MHz) μ：铜的导磁率σ：铜的导电率t：屏蔽罩薄度反射耗费(近场)的大小与决于电磁波爆收源的本量以及与波源的距离.对付于杆状大概曲线形收射天线而止，离波源越近波阻越下，而后随着与波源距离的减少而下落，然而仄里波阻则无变更(恒为377). 差异，如果波源是一个小型线圈，则此时将以磁场为主，离波源越近波阻越矮.波阻随着与波源距离的减少而减少，然而当距离超出波少的六分之一时，波阻不再变更，恒定正在377处.反射耗费随波阻与屏蔽阻抗的比率变更，果此它不然而与决于波的典型，而且与决于屏蔽罩与波源之间的距离.那种情况适用于小型戴屏蔽的设备. 近场反射耗费可按下式估计R(电)dB=321.8(20×lg r)(30×lg f)[10×lg(μ/σ)] R(磁)dB=14.6+(20×lg r)+(10×lg f)+[10×lg(μ/σ)]其中r：波源与屏蔽之间的距离. SE算式末尾一项是矫正果子B，其估计公式为B=20lg[exp(2t/σ)]此式仅适用于近磁场环境而且吸支耗费小于10dB的情况.由于屏蔽物吸功效用不下，其里里的再反射会使脱过屏蔽层另部分的能量减少，所以矫正果子是个背数，表示屏蔽效用的下落情况.EMI压制战术惟犹如金属战铁之类导磁率下的资料才搞正在极矮频次下达到较下屏蔽效用.那些资料的导磁率会随着频次减少而落矮，其余如果初初磁场较强也会使导磁率落矮，另有便是采与板滞要领将屏蔽罩做成确定形状共样会落矮导磁率.综上所述，采用用于屏蔽的下导磁性资料非常搀杂，常常要背EMI屏蔽资料供应商以及有关接洽机构觅供办理规划. 正在下频电场下，采与薄层金属动做中壳大概内衬资料可达到劣良的屏蔽效验，然而条件是屏蔽必须连绝，并将敏感部分真足覆挡住，不缺心大概漏洞(产死一个法推第笼).然而正在本量中要制制一个无交缝及缺心的屏蔽罩是不可能的，由于屏蔽罩要分成多个部分举止创制，果此便会有漏洞需要交合，其余常常还得正在屏蔽罩上挨孔以便拆置与插卡大概拆置组件的连线.安排屏蔽罩的艰易正在于制制历程中不可预防会爆收孔隙，而且设备运止历程中还会需要用到那些孔隙.制制、里板连线、透气心、中部监测窗心以及里板拆置组件等皆需要正在屏蔽罩上挨孔，从而大大落矮了屏蔽本能.纵然沟槽战漏洞不可预防，然而正在屏蔽安排中对付与电路处事频次波少有关的沟槽少度做小心思量是很有用处的. 任一频次电磁波的波少为: 波少(λ)=光速(C)/频次(Hz) 当漏洞少度为波少(停止频次)的一半时，RF波开初以20dB/10倍频(1/10停止频次)大概6dB/8倍频(1/2停止频次)的速率衰减.常常RF收射频次越下衰减越宽沉，果为它的波少越短.当波及到最下频次时，必须要思量大概会出现的所有谐波，不过本量上只需思量一次及二次谐波即可.一朝相识了屏蔽罩内RF辐射的频次及强度，便可估计出屏蔽罩的最大允许漏洞战沟槽.比圆如果需要对付1GHz(波少为300mm)的辐射衰减26dB，则150mm的漏洞将会开初爆收衰减，果此当存留小于150mm的漏洞时，1GHz辐射便会被衰减.所以对付1GHz频次去道，若需要衰减20dB，则漏洞应小于15 mm(150mm的1/10)，需要衰减26dB时，漏洞应小于7.5 mm(15mm的1/2以上)，需要衰减32dB 时，漏洞应小于 3.75 mm(7.5mm的1/2以上).可采与符合的导电衬垫使漏洞大小规定正在确定尺寸内，从而真止那种衰减效验. 定正在确定尺寸内，从而真止那种衰减效验.。
低频磁场屏蔽效能计算公式
低频磁场屏蔽效能计算公式引言。
在现代社会中，我们经常会接触到各种电子设备，例如手机、电脑、电视等等。
这些电子设备产生的电磁辐射对人体健康可能会造成一定的影响。
因此，研究电磁辐射的屏蔽效能就显得尤为重要。
本文将介绍低频磁场屏蔽效能的计算公式，帮助人们更好地评估和控制电磁辐射对人体的影响。
低频磁场屏蔽效能计算公式。
低频磁场屏蔽效能是指材料对低频磁场的屏蔽能力。
在实际应用中，我们通常使用屏蔽效能来评估材料的屏蔽性能。
低频磁场屏蔽效能的计算公式如下：SE = 20log(μ/μ')。
其中，SE表示屏蔽效能，μ表示未屏蔽时的磁导率，μ'表示屏蔽后的磁导率。
磁导率是材料对磁场的响应能力，是衡量材料屏蔽性能的重要参数。
通过这个公式，我们可以计算出材料的屏蔽效能，进而评估材料对低频磁场的屏蔽能力。
应用举例。
为了更好地理解低频磁场屏蔽效能的计算公式，我们可以通过一个具体的应用举例来说明。
假设我们有一种材料，其未屏蔽时的磁导率为1.5，屏蔽后的磁导率为0.5。
根据上面的公式，我们可以计算出这种材料的屏蔽效能为20log(1.5/0.5) ≈9.54dB。
这意味着这种材料对低频磁场的屏蔽效能约为9.54dB，屏蔽能力较强。
影响因素。
低频磁场屏蔽效能受到多种因素的影响，主要包括材料的磁导率、材料的厚度、磁场的频率等。
首先，磁导率是衡量材料对磁场响应能力的重要参数，磁导率越大，材料的屏蔽效能越高。
其次，材料的厚度也会影响屏蔽效能，一般来说，材料的厚度越大，屏蔽效能越高。
最后，磁场的频率也会对屏蔽效能产生影响，不同频率下材料的屏蔽效能可能会有所不同。
实际应用。
低频磁场屏蔽效能的计算公式在实际应用中具有重要意义。
首先，通过计算屏蔽效能，我们可以评估材料对低频磁场的屏蔽能力，选择合适的材料来保护人体免受电磁辐射的影响。
其次，我们可以通过计算屏蔽效能来优化材料的设计，提高材料的屏蔽性能。
最后，通过计算屏蔽效能，我们可以对不同材料的屏蔽性能进行比较，选择最适合的材料来满足特定的应用需求。
电磁屏蔽室屏蔽效能基本原理、数学公式、其他的有关信息、测量技术选择指南、初测和改进
附录A(资料性附录)基本原理A.1概述本标准规定的测量方法保证了技术的有效性，简化了测量过程，可以避免财力和物力的浪费。
这些明确规定的测量方法构成了本标准的基础。
A.2一些考虑A.2.1标准测量在标准频率范围内(表1)的测量结果可用来比较不同屏蔽室的屏蔽效能特性。
标准测量位置如下：1）屏蔽室入口屏蔽壁上预选的门缝和结合部位；2）所有屏蔽面上穿墙装置可接近的部位。
A.2.2初测在正式测量开始之前可以先进行初测，以便找到屏蔽效能比较差的部位。
如果屏蔽效能达不到要求，可以对其进行改进。
经验表明：在低频段，磁场屏蔽效能已经体现了最严格的要求，本标准没有给出电场屏蔽效能的测量方法，因此，低频段电场屏蔽效能可不测量。
A.2.3非线性特性在强发射情况下，可能出现显著的非线性特性,这将导致屏蔽效能的变化。
附录C提供了在规定照射范围内界定明显非线性特性的可选方法。
A.2.4扩展的频率范围按照本标准正文推荐的方法，并使用下面三个频率范围内的任何非典型频率，可得到附加的测量结果：——低频频段：50Hz～20MHz；——谐振频段：20MHz～300MHz；——高频频段：300MHz～100GHz。
A.3腔体谐振A.3.1腔体谐振的考虑在屏蔽室谐振频率范围内进行测量时，应考虑结果是否正确。
该频率范围大概从0.8r f到3r f, f是指屏蔽室的最低固有谐振频率。
在该频段测量时，应考虑采取专门的预防措施。
对尺寸比较r大的屏蔽室，其最低固有谐振频率可能在20MHz以下。
由于屏蔽室壁面呈电连续性，因此其是一个谐振腔体。
在一定条件下，当电磁波注入到屏蔽室内时，在高于其最低固有谐振频率r f的频段内将产生驻波。
由于驻波的影响，屏蔽室内部的电磁场不再均匀，出现了与该激励频率相关的极大值和极小值。
谐振频率和模式取决于屏蔽室的几何尺寸和形状。
几乎任何形状的屏蔽室都可以产生谐振，但通常只对相对简单的长方体、圆柱体和球体屏蔽室的谐振频率进行数学分析。
屏蔽效能的计算
——导体平板的屏蔽效能
一
单层屏蔽体
1. 电磁波在屏蔽体x＝0界面处的传播公式 2.单层屏蔽体的有效传输系数
3. 电场和磁场的有效传输系数
4. 单层屏蔽体的屏蔽效能
二 多层平板屏蔽体的屏蔽效能
三. 屏蔽效能的计算 1 吸收损耗
2 反射损耗 3 多次反射损耗 四 平面波模型推广到非理想屏蔽结构
E3 (L) E2 (L)T23
E 3( L) T 12T 23 e 2 L E 1(0)
T12 2Z2 / (Z1 Z2 ), T23 2Z3 / (Z2 Z3 )
(2).计入分界面对电磁波的多次反射
E1（0）
E2i（0）
E2（0）
设E2i(0)为区域2中界面X=0 处沿+X方向（从左向右） 传播的第i次反射波，那么
距离
一
单层屏蔽体
1
具有下标（ 1,2,3 ）的 μ 、 ε 、E （0） σ分别依次表示各区域中媒 质的磁导率、介电常数和 E1 γ 1 电导率； γ 、 Z 分别依次表 示各区域中平面电磁波的 H1 传播常数、媒质的本征阻 2 Z1 抗，且
E2i（0）
E2（0）
E3 (L）
T12 ρ21
ρ
23
T23 H3
E1（0）
E2i（0）
E2（0）
Etotal e ，它透过区域2和区域3
的分界面，在区域3中X=L
E1 γ H1 Z1 γ 2
μ 1ε 1σ
1
2 L
E3 (L）
T12 ρ21
ρ
1 1 23
T23 H3 Z3 2 γ
2
E3
γ
处理涉密信息电磁屏蔽室技术要求和测量方法
涉密信息的保护对于国家安全和企业的正常运行至关重要。
其中，涉密信息电磁屏蔽室技术的处理尤为重要。
本文将结合实际应用情况，对涉密信息电磁屏蔽室技术的要求和测量方法进行详细的介绍。
1. 涉密信息电磁屏蔽室技术要求1.1 电磁屏蔽室的设计要求电磁屏蔽室通常用于保护涉密信息免受外部电磁干扰。
其设计要求包括但不限于：建筑结构的选择、材料的选择、内部设备的布置等方面。
电磁屏蔽室的设计需要符合相关行业标准，确保其在使用过程中能够有效地屏蔽外部电磁信号。
1.2 电磁屏蔽室的使用要求除了设计要求外，电磁屏蔽室在使用过程中也有一些要求。
对于人员进出的管控、设备的维护保养、应急预案等方面需要有相应的规定，并且要求严格执行，以确保电磁屏蔽室的有效使用。
1.3 电磁屏蔽室的性能要求电磁屏蔽室的性能包括传导性能、屏蔽性能等方面。
传导性能指的是电磁屏蔽室内部对电磁波的传导能力，而屏蔽性能则是指电磁屏蔽室对外部电磁干扰的屏蔽效果。
这些性能要求需要通过严格的测试和测量方法来验证。
2. 涉密信息电磁屏蔽室技术测量方法2.1 电磁屏蔽室的传导性能测试方法电磁屏蔽室的传导性能测试是指对其内部传导电磁波的能力进行测试。
一般采用传导性能测试仪器，通过将电磁波输入电磁屏蔽室内部，再通过测试仪器对其传导性能进行测试。
测试结果需要符合相关标准和规定，才能证明电磁屏蔽室具有良好的传导性能。
2.2 电磁屏蔽室的屏蔽性能测试方法电磁屏蔽室的屏蔽性能测试是指对其对外部电磁干扰的屏蔽效果进行测试。
一般采用屏蔽性能测试仪器，通过对电磁屏蔽室进行外部电磁干扰的模拟，再通过测试仪器对其屏蔽性能进行测试。
测试结果需要符合相关标准和规定，才能证明电磁屏蔽室具有良好的屏蔽性能。
2.3 电磁屏蔽室的辐射安全测试方法电磁屏蔽室在运行过程中需要防止内部辐射对外部环境和人员造成危害。
需要对电磁屏蔽室的辐射安全进行测试。
一般采用辐射安全测试仪器，通过对电磁屏蔽室内部辐射进行测试，以确保其符合相关安全标准和规定。
,电磁屏蔽效能
,电磁屏蔽效能电磁屏蔽是指通过一系列措施将电磁辐射或电磁波束缚在特定的区域内，防止其对周围环境和设备产生干扰的技术手段。
在现代社会中，电磁辐射已经成为无处不在的存在，而电磁屏蔽则是保障我们生活和工作环境的重要手段之一。
本文将从多个角度探讨电磁屏蔽效能，并介绍常见的电磁屏蔽方法和材料。
我们来了解电磁辐射的产生和危害。
电磁辐射是指电流通过导线或电器设备时所产生的电磁波，它在空间中传播并具有一定的穿透力。
在人们日常生活中，电磁辐射主要来自于通信设备、电子产品和电力线路等。
虽然电磁辐射对人体健康的影响尚无定论，但过度暴露在强电磁场下可能会引发一些不适症状，如头痛、失眠和疲劳等。
此外，电磁辐射还可能对敏感的电子设备产生干扰，影响其正常工作。
为了降低电磁辐射带来的潜在危害，电磁屏蔽技术应运而生。
电磁屏蔽的基本原理是通过屏蔽材料来吸收或反射电磁波，使其不再向外传播。
常见的电磁屏蔽材料包括金属、导电胶粘剂、导电涂料等。
这些材料具有良好的导电性能，能够有效地吸收电磁波，从而达到屏蔽的效果。
此外，电磁屏蔽还可以通过改变电磁波传播的路径来降低辐射强度，例如使用屏蔽罩、屏蔽房等。
在实际应用中，电磁屏蔽效能的评估是非常重要的。
常用的评估方法包括屏蔽效能测试和电磁辐射测量。
屏蔽效能测试是通过测量屏蔽材料的反射和透射特性来评估其屏蔽效果的。
而电磁辐射测量则是通过测量电磁辐射场的强度来评估电磁屏蔽的效果。
这些评估方法可以帮助人们了解电磁屏蔽的效果，从而采取相应的措施来改进屏蔽效果。
除了屏蔽材料和评估方法，电磁屏蔽的效能还受到其他因素的影响。
首先是电磁波的频率和波长。
不同频率和波长的电磁波对屏蔽材料的穿透能力不同，因此需要选择合适的材料来进行屏蔽。
其次是屏蔽材料的厚度和导电性能。
厚度越大、导电性能越好的材料屏蔽效果越好。
此外，屏蔽结构的设计也是影响屏蔽效能的重要因素，如屏蔽罩的形状、连接方式等。
总结起来，电磁屏蔽是一项重要的技术手段，用于降低电磁辐射对人体健康和电子设备的影响。
处理涉密信息电磁屏蔽室技术要求和测量方法
处理涉密信息电磁屏蔽室技术要求和测量方法涉密信息的保护对于国家安全和商业机密的安全至关重要。
为了防止机密信息泄露给非授权人员，涉密信息电磁屏蔽室被广泛用于军事、政府和商业领域。
本文将介绍涉密信息电磁屏蔽室的技术要求和测量方法，以确保其有效的屏蔽性能。
涉密信息电磁屏蔽室技术要求可分为以下几个方面：1. 电磁屏蔽效果要求：电磁屏蔽室的主要目的是防止外部电磁波的干扰。
因此，其屏蔽效果是评估其性能的首要指标。
一般来说，涉密信息电磁屏蔽室应具备高屏蔽效果，以保护内部机密信息免受外界电磁辐射的影响。
2. 耐久性和可靠性要求：电磁屏蔽室需要具备耐久性和可靠性，能够在长期使用中保持其屏蔽效果。
这包括抗氧化、防锈、抗腐蚀等性能要求。
同时，电磁屏蔽室还应具备稳定的电磁屏蔽能力，不受温度、湿度等环境因素的影响。
3. 机械强度和结构设计要求：电磁屏蔽室需要具备足够的机械强度和稳定的结构设计，能够承受外部冲击和振动。
同时，其结构设计应合理，便于安装和维修。
涉密信息电磁屏蔽室的测量方法主要包括以下几个方面：1. 电磁屏蔽效果测量：电磁屏蔽室的屏蔽效果可以通过测量内外场强度差来评估。
一般采用电磁波功率测量仪器进行测量，分别在屏蔽室内外测量电磁场强度，然后计算差值，以确定屏蔽效果。
2. 电磁衰减测量：电磁衰减是评估电磁屏蔽室屏蔽能力的重要指标。
可以通过电磁波传输损耗测试仪器进行测量，测试仪器通过发射一定的电磁波信号，在屏蔽室内外分别测量信号强度，然后计算衰减值。
3. 结构参数测量：对于涉密信息电磁屏蔽室的结构参数，如金属板的电阻、电感、电容等，可以使用相应的测试仪器进行测量。
这些参数的测量可以用来评估电磁屏蔽室的设计和制造质量。
测量结果的评估应参考相应的国家标准或行业规范。
例如，美国军事标准MIL-STD-285定义了电磁屏蔽室屏蔽性能的测量方法和评估标准。
在测量结果不符合要求时，需要采取相应的调整和改进措施，以提高电磁屏蔽室的屏蔽性能。
电磁屏蔽效能检测实验
图 4.1 信号源 2. 标准环形天线介绍
实验中采用的是 ZN30403 环状天线。该天线运用于调整、测试、计量具有磁性天线 的接收机之用。一个 受人为控制的 信号源与环状天 线配合使用， 能产生一个可 控制的磁 场信号， 从而 能测量 接收机 的各 项电气 技术指 标。 该环形 天线的 频率范 围为 0.01MHz~30MHz，其输入阻抗为 50Ω。
七、实验设备：金属板，频谱仪，信号源，标准环形天线。 八、实验原理：
1. 信号源的使用 实验中采用的是 ZN1061A 标准信号发生器。该信号源是一个数字显示的新型产品，
仪器内部具有频率计 ，可对输出频 率进行显示，提 高了输出频率 的准确度。该 仪器内部 采用了自动电平控制电路，使整个输出频率范围内输出电平的频率响应特性十分平稳。
图 4.2 磁场环天线
3. 电磁屏蔽效能检测实验原理 屏蔽效能是同一地 点无屏蔽存在 时的电磁场强 度与加屏蔽体 后的电磁场强 度之比。
测量原理图如图 4.3 所示。
图 4.3 小环法磁屏蔽效能测试原理图
九、实验步骤：
1． 按原理图连接测试系统，其中发射环与接收环共面放置，发射环边和接收环边的距离 为 60cm。（注：在实验中，为了使得屏蔽效果明显，易于测量，可以将发射环和接收 环相对平行放置，间距为 60cm。）屏蔽体居中，注意检查信号发生器和频谱仪各自的 衰减器的位置是否都放在最大衰减刻度处，信号源应处在关的位置。
6． 经检查实验数据无误后，将信号发生器和频谱仪各自的衰减器位置都放在最大衰减刻 度处并关机，断电源。
7． 将十组数据分别作 H0(dB)-H1(dB)的运算，所得结果即为各个频点处的屏蔽效能值 SH(dB)（以电压幅度 dB 值表示）。
8． 以频率为横坐标，屏蔽效能 dB 值为纵坐标，用坐标纸绘制屏蔽效能随频率变化的曲 线。
电磁屏蔽室屏蔽效能检测作业指导书
电磁屏蔽室屏蔽效能检测作业指导书一、目的为规范实施电磁屏蔽室屏蔽效能检测，参照国标《电磁屏蔽室屏蔽效能的测量方法》（GB /T 12190-2006），结合我单位检测设备，制定《电磁屏蔽室屏蔽效能检测作业指导书》。
二、范围测试频率范围为9kHz~18GHz。
根据需要，频率向两端可以扩展到50Hz和100GHz。
三、测量方法环形天线检测（30MHz以下频段）1、连接①发射部分发射时，请将发射机通过电缆和发射环HR2030A连接，请确保是正确的无损的连接.我公司的成套设备HR1612A,是发射机的良好设备，信号输出强度为25dbm，可以保证，接收频谱仪最高可接收到18dbm的信号，最高可以测试到140db的衰减值.②接收部分接收时，请将接收通过电缆和接收环HR2030A连接，请确保是正确的无损的连接.我公司的成套设备接收机,是作为接收频谱的良好设备，信号灵敏度最高可达158dbm，可以保证，接收频谱仪最高可接收到18dbm的信号，最高可以测试到140db的衰减值.如果使用灵敏度更高的频谱设备，可以测试更低的衰减值。
但如果选用接手灵敏度低的接收机或者频谱仪，测试的衰减值会显著降低。
所有的要求，都是需要紧密连接，并保证信号在传输过程中无泄漏低衰减。
③支撑三脚架三脚架应选用木制品，不可选用金属构件，因为传导到地面会导致非常结果的出现，请特别注意。
如果不便选型，可以向我们购买。
其中底座的配套螺钉和我们购买的是一致的，如果自行购买，请确定紧固螺钉是否合适，如果不合适，请加转换螺钉，以便于和三脚架牢固和紧密连接2、检测①按医院给定的频率设计检测方案，确定天线选择。
要保证比对测试环境的空旷，事实上要做到完全空旷是有困难的，但应该做到，前后左右1.2米范围内，没有墙体和遮挡物。
根据GB12190-2006对30MHz以下频段的测试要求，作为模拟场比较数据时，环形天线之间应相距60cm加墙体厚度。
调谐范围约为100KHZ,在调谐是务必注意，精心细调。
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附录A(资料性附录)基本原理A.1概述本标准规定的测量方法保证了技术的有效性，简化了测量过程，可以避免财力和物力的浪费。
这些明确规定的测量方法构成了本标准的基础。
A.2一些考虑A.2.1标准测量在标准频率范围内(表1)的测量结果可用来比较不同屏蔽室的屏蔽效能特性。
标准测量位置如下：1）屏蔽室入口屏蔽壁上预选的门缝和结合部位；2）所有屏蔽面上穿墙装置可接近的部位。
A.2.2初测在正式测量开始之前可以先进行初测，以便找到屏蔽效能比较差的部位。
如果屏蔽效能达不到要求，可以对其进行改进。
经验表明：在低频段，磁场屏蔽效能已经体现了最严格的要求，本标准没有给出电场屏蔽效能的测量方法，因此，低频段电场屏蔽效能可不测量。
A.2.3非线性特性在强发射情况下，可能出现显著的非线性特性,这将导致屏蔽效能的变化。
附录C提供了在规定照射范围内界定明显非线性特性的可选方法。
A.2.4扩展的频率范围按照本标准正文推荐的方法，并使用下面三个频率范围内的任何非典型频率，可得到附加的测量结果：——低频频段：50Hz～20MHz；——谐振频段：20MHz～300MHz；——高频频段：300MHz～100GHz。
A.3腔体谐振A.3.1腔体谐振的考虑在屏蔽室谐振频率范围内进行测量时，应考虑结果是否正确。
该频率范围大概从0.8r f到3r f, f是指屏蔽室的最低固有谐振频率。
在该频段测量时，应考虑采取专门的预防措施。
对尺寸比较r大的屏蔽室，其最低固有谐振频率可能在20MHz以下。
由于屏蔽室壁面呈电连续性，因此其是一个谐振腔体。
在一定条件下，当电磁波注入到屏蔽室内时，在高于其最低固有谐振频率r f的频段内将产生驻波。
由于驻波的影响，屏蔽室内部的电磁场不再均匀，出现了与该激励频率相关的极大值和极小值。
谐振频率和模式取决于屏蔽室的几何尺寸和形状。
几乎任何形状的屏蔽室都可以产生谐振，但通常只对相对简单的长方体、圆柱体和球体屏蔽室的谐振频率进行数学分析。
大部分屏蔽室是六面长方体结构。
这种形状的屏蔽室的谐振频率用公式（A.1）计算：22200)()()(21ck b j a i f ijk ++=εμ（MHz）………………………………(A.1)式中：0μ——屏蔽室内部的磁导率；0ε——屏蔽室内部的介电常数；a ——屏蔽室的长度，单位为米（m）；b ——屏蔽室的宽度，单位为米（m）；c ——屏蔽室的高度，单位为米（m）。
i 、j 、k ——0，1，2……等整数，但i 、j 、k 三者中每次最多只能有一个数取0值。
上式中a >b >c 。
在理想条件下，谐振频率为：222)()()(150ckb j a i f ijk ++=（MHz）………………………………(A.2)令i 、j 、k 中与最短边长（如c ）对应的系数为0，另外两个系数（如i 、j ）为1，则可得最低谐振频率：22110r )1()1(150ba f f +==（MHz）………………………………(A.3)当频率高于r f 时，屏蔽室才会维持谐振；而频率低于r f 时则不会维持谐振。
对长、宽、高都为2m 的最小屏蔽室，三个最低模式（例如TM 110、TE 011和TE 101）有同样的谐振频率r f =110f =106MHz；屏蔽室尺寸越大，谐振频率越低。
腔体内能量损耗用品质因数Q 表示。
Q 为一个周期内储存的能量与损耗的能量的比值。
在空屏蔽室内，能量损耗是屏蔽壁所用金属材料电导率的函数，因此当使用铜等一类高电导率材料时，能量损耗最小。
屏蔽室内的任何金属物体都会增加能量损耗。
A.3.2缝隙谐振的考虑除腔体谐振外，其他的谐振也会影响屏蔽效能的测量结果，其中就有缝隙谐振。
穿过导电平面上缝隙的电磁场随着频率而变化。
缝隙谐振可能在比腔体最低固有谐振频率r f 低的频率上产生。
这些谐振效应是屏蔽室的固有特性，也应加以考虑。
A.3.3注意事项大量的试验证明：接收天线与测量设备之间的连接电缆会影响屏蔽室内的场强，对屏蔽效能的结果产生影响。
因此需要给天线加平衡/不平衡变换器，给电缆上套磁环加载以尽量降低电缆自身对测量结果的影响。
建议试验人员在屏蔽室内只用同一根长电缆用于测量。
如果使用不同的电缆可能得出不同的测量值，影响测量结果的重复性。
应将电缆的长度写入试验报告中。
如果怀疑谐振效应对屏蔽室的屏蔽效能产生了显著影响，可以在有关的频点左右进行频率扫描；在该相关频点左右选一些频点测量也能达到同样目的。
如果在该频段内屏蔽效能的值变化6dB以上，则认为谐振的影响是明显的。
通常谐振效应在频率低于0.8r f 时达到最小。
在该频段内，应尽量在算出的固有谐振频率rf 的80%或更低的频率处测量。
如果接收天线的位置距离屏蔽壁太近，天线本身的特性将受到影响。
测量时，接收天线的摆放位置可参考图A.1。
在复杂的腔体里，例如高频激励的屏蔽室，天线的方向性不明；再加上因腔体品质因数Q 而使场强增加的影响，这些将导致错误的测量结果。
本标准对屏蔽效能的定义不包括复合场强的情况。
作为一种替代措施，本标准推荐使用标准增益天线以得到一致的测量方法，进而得出可比较的屏蔽室屏蔽效能。
如果想对这方面的影响进行修正，可用公式(A.4)和(A.5)计算参考场强1E 和屏蔽室内测量场强2E ，并代入附录B 的屏蔽效能计算公式中。
G P E 2r 1/4377λπ⨯=（V/m）………………………………(A.4)2r 2/8377λπP E ⨯=（V/m）………………………………(A.5)式中：r P ——接收的功率，单位为瓦（W）；λ——波长，单位为米（m）；G ——接收天线增益。
图A.1天线到屏蔽壁的最小距离A.4测量位置A.4.1受试屏蔽室附近的测量位置通常，建筑物内的屏蔽室除了地板和顶棚外还有一到两个面是测量过程中不易接近的，因此对所有的面都进行测量是不切实际的，只能对那些可以接近的表面进行测量。
但在较高频段的现场测量表明，外部反射的射频能量可以通过不易接近的屏蔽面的缝隙或接缝，造成屏蔽效能的下降。
因此对这一部分也必须要用不直接照射的方式来验证有无明显的泄漏。
对大部分屏蔽室，所有入口所在的壁面都是可接近的，应在本标准规定的部位进行测量。
对入口所在屏蔽室壁面有部分或全部装饰处理（包括但不限于：无浆砌墙和/或无金属衬底的绝缘、声音吸波材料、木制或金属龙骨材料）的屏蔽室，设置发射天线与接收天线之间的间距时应将装饰结构作为屏蔽室一部分，同时应根据频率范围选用合适的测量方法。
由于入口所在壁面不会包含所有的穿墙口，因此在该壁面进行的测量不能用于推测出屏蔽室所有的屏蔽效能。
因此在所有紧邻穿墙口的可接近壁面上都应进行测量。
对不能接近的穿墙口，应用间接、反射检查的方式来检查从外部不能接近的穿墙口处有无泄漏。
A.2.1汇总了标准的测量位置。
A.4.2测量位置的影响使用宽天线口面时信号产生区域存在反射。
当对无吸波材料的屏蔽室测量时，最好在无被测屏蔽室的情况下为该位置建立基准参考电平。
A．5测量设备测量程序已考虑：a)在非理想情况下（例如在屏蔽室所在的典型建筑物）使用现有商用设备进行测量；b)尽量减小天线固有阻抗的变化（由于临近屏蔽体造成）对测量数据的影响。
0.3m0.3m0.3m0.3m0.3m0.3m附录B (资料性附录)数学公式B.1专门的数学公式通常,穿透屏蔽室的场强来自入射在屏蔽壁上电磁波的电场分量和磁场分量。
如果分别对磁场和电场进行测量，可证明它们是入射波的函数。
此外，电磁波在穿透屏蔽壁时波阻抗将完全发生变化，测量可能会受到传感器位置的影响。
除非非常细致地控制测量步骤，否则测量过程的细节对测量的结果可能会有较大影响。
因此，在以下条款中针对各有关测量方法提出了专门测量屏蔽室效能的定义。
B.2低频频段(50Hz～20MHz)的屏蔽效能在低频频段(50Hz ～20MHz)，屏蔽效能可用磁场表达如下：21H lg20H H SE =………………………………（B.1）式中：H 1——无屏蔽室时的磁场强度（参考读数），单位为分贝微特[dBμT]；H 2——屏蔽室内的磁场强度，单位为分贝微特[dBμT]。
如果与磁场强度H 1、H 2成正比的检测仪器指示值是电压读数1V 、2V ，则式（B.1）也可更方便地表示为：21H lg20V V SE =………………………………（B.2）式中：V 1——无屏蔽室时的电压读数（参考读数），单位为分贝微伏[dBμV]；V 2——屏蔽室内的电压读数，单位为分贝微伏[dBμV]。
如果测量结果以对数单位表示，则可利用公式（B.5b ）或公式(B.5c)直接计算屏蔽效能。
B.3谐振频段(20MHz～300MHz)的屏蔽效能在谐振频段，可以用电场强度或功率的形式表示屏蔽效能，见公式（B.3）、(B.4)。
21E lg20E E SE =………………………………（B.3）1E ——无屏蔽室时的电场强度，单位为分贝微伏每米[dBμV/m]；2E ——屏蔽室内的电场强度，单位为分贝微伏每米[dBμV/m]。
或者表示为：21E lg10P P SE =………………………………（B.4）1P ——无屏蔽室时的功率，单位为分贝毫瓦[dBm]；2P ——屏蔽室内的功率，单位为分贝毫瓦[dBm]。
如果测量结果以对数单位表示，则可利用(B.5a)、(B.5c)或(B.5d)直接计算屏蔽效能。
B.4高频频段(300MHz～100GHz)的屏蔽效能在高频频段（300MHz ～100GHz ），屏蔽效能可以直接用公式(B.2)、(B.3)、(B.4)或(B.5a)、(B.5c)、(B.5d)计算。
B.5用非线性单位(对数）计算如果使用非线性单位，则屏蔽效能可以直接用下式表示。
21E E E SE -=………………………………(B.5a)21H H H SE -=………………………………(B.5b)21V V SE -=………………………………(B.5c)21P P SE -=………………………………(B.5d)1E 、1H 、1V 和1P 分别是无屏蔽室时测得的电场强度、磁场强度、电压和功率，单位分别用dBμV/m 、dBμT 、dBμV 和dBm 表示。
2E 、2H 、2V 和2P 分别是在屏蔽室内测得的电场强度、磁场强度、电压和功率，单位分别用dBμV/m 、dBμT 、dBμV 和dBm 表示。
B.6动态范围的考虑测试系统的动态范围与下列因素有关：激励信号强度、发射和接收天线性能、电缆损耗、衰减器和/或预放大器的性能、测量设备的背景噪声。
通常情况下，信号发生器的功率可以足够大（如果屏蔽效能在120dB 以上，则需要更大的发射功率）。
标准规定使用的无源天线，它对系统动态范围的影响不大。
在频率低于1GHz 时，除了在测量比较大的屏蔽室时需要使用长电缆外，一般长度的电缆损耗对动态范围的影响都不明显。