半导体专有名词解释
半导体技术名词解释题
半导体技术名词解释题1、半导体：半导体指常温下导电性能介于导体与绝缘体之间的材料。
2、本征半导体：本征半导体是完全不含杂质且无晶格缺陷的纯净半导体。
3、直接带隙半导体：直接带隙半导体是导带底和价带顶在k空间中处于同一位置的半导体。
4、间接带隙半导体：间接带隙半导体材料导带底和价带顶在k空间中处于不同位置。
5、极性半导体：在共价键化合物半导体中，含有离子键成分的半导体为极性半导体。
6、能带、允带、禁带：当N个原子相互靠近结合成晶体后，每个电子都要受到周围原子势场的作用，其结果是每个N度简并的能级都分裂成N个彼此相距很近的能级，这N个能级组成一个能带。
此时电子不再属于某个原子而是在晶体中做共有化运动，分裂的每个能带都称为允带，允带包含价带和导带两种。
允带间因为没有能级称为禁带。
7、半导体的导带：半导体的导带是由自由电子形成的能量空间。
即固体结构内自由运动的电子所具有的能量范围。
8、半导体的价带：价带是指半导体或绝缘体中，在0K时能被电子占满的最高能带。
9、禁带宽度：禁带宽度是指导带的最低能级和价带的最高能级之间的能。
10、带隙：带隙是导带的最低点和价带的最高点的能量之差。
11、宽禁带半导体材料：一般把禁带宽度E g≥ 2.3 eV的半导体材料归类为宽禁带半导体材料。
12、绝缘体的能带结构：绝缘体中导带和价带之间的禁带宽度比较大，价带电子难以激发并跃迁到导带上去，导带成为电子空带，而价带成为电子满带，电子在导带和价带中都不能迁移。
13、杂质能级：杂质能级是指半导体材料中的杂质使严格的周期性势场受到破坏，从而有可能产生能量在带隙中的局域化电子态,称为杂质能级。
14、替位式杂质：杂质原子进入半导体硅以后，杂质原子取代晶格原子而位于晶格点处，称为替位式杂质。
15、间隙式杂质：杂质原子进入半导体以后，杂质原子位于晶格原子间的间隙位置，称为间隙式杂质。
16、施主杂质比晶格主体原子多一个价电子的替位式杂质，它们在适当的温度下能够释放多余的价电子，从而在半导体中产生非本征自由电子并使自身电离。
半导体专业名词解释
Cd cadmium
AWS advanced wet station
Manufacturing and Science
Sb antimony
===B===
B billion; boron
Ba barium
BARC bottom antireflective coating
BASE Boston Area Semiconductor Education (Council)
ACF anisotropic conductive film
ACI after-clean inspection
ACP anisotropic conductive paste
ACT alternative control techniques; actual cycle time
Al aluminum
ALD atomic layer deposition
ALE atomic layer epitaxy; application logic element
ALS advanced light source; advanced low-power Schottky
===A===
A/D analog to digital
AA atomic absorption
AAS atomic absorption spectroscopy
ABC activity-based costing
ABM activity-based management
AC alternating current; activated carbon
半导体行业常用名词解释
系統
設備/材料
其他
常用名詞解釋
項次 簡稱 PCW DIWS DIWR CW GEX SEX VEX AEX PV CV GIS GDS GMS SCADA HPCDA C/R L/C EFS DPS DPG EMO GALV AP BA BAS EP EPS V+V C-22 SS MSDS SL1/SL2 NO NC CQC SPEC 英文名稱 Process Cooling Water Deionized Water Supply Deionized Water Return City Water General Exhaust Scrubber Exhaust Solvent Exhaust Ammonia Exhaust Process Vacuum Clean Vacuum Gas Information System Gas Detector System Gas Monitoring System Supervisory Control And Data Acquisiton High Pressure Compress Dry Air Clean Booth Clean Room Load Cell(Scale) Excel Flow Sensor Differential Pressure Switch Differential Pressure Gauge Emergency Menual Shut-Off Galvanized Acid Pickled Bright Annealing Bright Annealing+Super Micro Cleaning Electro Polishing Electro Polishing+Super Micro Cleaning Vim(Vacuum Induction Melting)+Var(Vacuum Arc Remelting) Hastelloy Stainless Steel Material Safety Data Sheet Safety Level 1/2 Normally Open Normally Close Continue Quality Control Specification 中文說明 製程冷卻水 純水（去離子水）供應端 純水（去離子水）回水端 自來水 一般排 酸鹼排 有機排 氨排 製程真空 清潔用真空 氣體監控系統 電力遙控系統 高壓壓縮乾燥空氣 無塵隔間 無塵室 磅秤 過流量計 差壓計 差壓表 緊急開斷裝置 鍍鋅管材 化學酸洗 鈍化處理 鈍化處理＋精密洗淨 電解拋光 電解拋光＋精密洗淨 真空二重溶解超清淨鋼 耐腐蝕性（材料） 不銹鋼 物質安全資料表 安全等級1/2 常開 常關(閉) 連續品質控制 規範 備註
半导体器件名词解释汇总
半导体器件名词解释汇总
半导体器件是一种基于半导体材料制造的电子元件，用于控制电流和电压。
以下是一些常见的半导体器件名词解释：
1. 二极管（Diode）：由P型半导体和N型半导体组成，用于
限制电流的流动方向。
2. 整流器（Rectifier）：将交流电转换为直流电的装置，常由
二极管组成。
3. 可变电阻（Varistor）：一种电阻值可变的器件，用于保护
其他元件免受电压过高的损坏。
4. 三极管（Transistor）：由三个区域组成的半导体器件，用
于放大和控制电流。
5. 场效应晶体管（Field-Effect Transistor，FET）：一种三极管，其电流控制通过操控电场。
6. 绝缘栅双极型场效应晶体管（Insulated-Gate Bipolar Transistor，IGBT）：一种在功率控制电路中广泛应用的高压、大功率半导体器件。
7. 集成电路（Integrated Circuit，IC）：在一块半导体芯片上
集成了多个电子元件，如晶体管、电容和电阻。
8. 电容（Capacitor）：用于存储电荷的器件，由两个导体之间
的绝缘层组成。
9. 电阻（Resistor）：用于控制电流流过的器件，阻碍电流流动。
10. 电感（Inductor）：通过电磁感应产生电动势的元件，能够抵抗电流变化。
这些是一些常见的半导体器件名词解释，实际上还有许多其他类型的半导体器件。
半导体专业术语
专业术语1 Active Area 主动区（工作区）主动晶体管（ACTIVE TR ANSISTOR）被制造的区域即所谓的主动区（ACTI VE AREA）。
在标准之MOS制造过程中ACTIVE AREA是由一层氮化硅光罩即等接氮化硅蚀刻之后的局部场区氧化所形成的，而由于利用到局部场氧化之步骤，所以ACTI VE AREA会受到鸟嘴（BIRD’S BEAK）之影响而比原先之氮化硅光罩所定义的区域来的小，以长0.6UM之场区氧化而言，大概会有0.5UM之BIRD’S BEAK 存在，也就是说ACTIVE AREA比原在之氮化硅光罩所定义的区域小0.5UM。
2 ACTONE 丙酮 1. 丙酮是有机溶剂的一种，分子式为CH3COCH3。
2. 性质为无色，具刺激性及薄荷臭味之液体。
3. 在FAB内之用途，主要在于黄光室内正光阻之清洗、擦拭。
4. 对神经中枢具中度麻醉性，对皮肤黏膜具轻微毒性，长期接触会引起皮肤炎，吸入过量之丙酮蒸汽会刺激鼻、眼结膜及咽喉黏膜，甚至引起头痛、恶心、呕吐、目眩、意识不明等。
5. 允许浓度1000PPM。
3 ADI 显影后检查 1.定义：After Developing Inspection 之缩写2.目的：检查黄光室制程；光阻覆盖→对准→曝光→显影。
发现缺点后，如覆盖不良、显影不良…等即予修改，以维护产品良率、品质。
3.方法：利用目检、显微镜为之。
4 AEI 蚀刻后检查 1. 定义：AEI即After Etching Inspection，在蚀刻制程光阻去除前及光阻去除后，分别对产品实施全检或抽样检查。
2.目的：2-1提高产品良率，避免不良品外流。
2-2达到品质的一致性和制程之重复性。
2-3显示制程能力之指针2-4阻止异常扩大，节省成本3.通常AEI检查出来之不良品，非必要时很少作修改，因为重去氧化层或重长氧化层可能造成组件特性改变可靠性变差、缺点密度增加，生产成本增高，以及良率降低之缺点。
半导体相关的名词解释
半导体相关的名词解释引言在当今高科技时代，半导体技术得到了广泛应用，成为现代社会的重要支柱。
然而，对于普通大众来说，半导体技术可能还比较陌生。
因此，本文将为您解释一些半导体相关的名词，帮助您更好地了解这一领域的知识。
一、半导体半导体是指电阻介于导体与绝缘体之间的物质，其电导率介于导体与绝缘体之间。
它的特殊之处在于，其导电性能可以通过施加外加电场或温度的改变而发生显著变化。
半导体材料常用的有硅（Silicon）和锗（Germanium），其在电子学和光电子学等领域具有广泛的应用。
二、PN结PN结是半导体器件中常见的一种结构，由P型（正型）半导体和N型（负型）半导体结合而成。
P型半导体中的“P”代表的是正电荷载体空穴（holes），而N型半导体中的“N”代表的是负电荷载体电子。
PN结的作用是将半导体划分为两个区域，形成电场和不同的导电性质，常用于二极管和晶体管等电子元件中。
三、二极管二极管是半导体器件中最简单也是最基本的一种。
它由PN结组成，电流在正向偏置（即P端为正，N端为负）时能够被导通，而在反向偏置时则能够阻断电流的流动。
二极管常用于电路中的整流和信号检测等功能。
四、晶体管晶体管是一种三端的半导体器件，由PNP或NPN三层结构组成。
它是电子技术领域的重要基石，被广泛应用于放大、开关、模拟信号处理和数字信号处理等电路中。
晶体管的工作原理是利用电场和电子流控制电流的放大和传输。
五、集成电路集成电路是将大量的晶体管、二极管和其他元件集成在一起的电路。
与传统的离散式电路相比，集成电路具有体积小、功耗低和可靠性高的优点。
它是现代电子设备的核心组成部分，广泛应用于计算机、手机、电视等电子产品中。
六、半导体光电子学半导体光电子学是指将半导体材料应用于光电子技术的领域。
在半导体材料中，电子和空穴之间的能级距离较小，因此半导体具有良好的光电转换特性。
半导体激光器、光电二极管和太阳能电池等都是半导体光电子学领域的重要应用。
半导体行业的名词解释
半导体行业的名词解释半导体行业是当今科技领域中最为重要和繁荣的行业之一。
在日常生活和工业中，我们无时无刻不在接触和使用各种半导体设备和产品。
然而，对于非专业人士来说，半导体行业的术语和名词可能会让人感到迷惑。
在本文中，我将解释一些常见的半导体行业术语，以帮助读者更好地了解这个行业。
1.半导体半导体是指电阻和导体之间导电性能介于两者之间的固态材料。
它具备当外界电压或电流作用时，具有可控电阻特性的独特材料。
半导体的电子行为可以在常温下进行自由转换，这使得半导体成为现代电子器件的基础。
2.集成电路集成电路是在半导体材料上由大量电子器件（如晶体管、电阻器和电容器等）组成的一个整体。
它的功能可以达到现有电子器件总和的几十倍，大大提高了电路的性能和可靠性。
集成电路被广泛应用于计算机、通信和消费电子等领域。
3.芯片芯片是集成电路的核心部件，是将晶圆上千亿级的器件制作于一个微小的硅片上。
它具有超高密度和微小尺寸的特点，可以嵌入各种电子设备中。
芯片的制造过程包括层叠、刻蚀、电镀和切割等工序。
4.硅晶圆硅晶圆是制备芯片的基础材料。
它通常由单晶硅制成，外形呈圆盘状。
硅晶圆的直径越大，可以容纳的芯片数量越多，生产效率也就越高。
制备硅晶圆需要经过多道工艺，如涂胶、曝光和腐蚀等。
5.光刻光刻是制备芯片的关键工艺之一。
它使用特殊的掩膜和紫外光源，将芯片上设计好的电路图案复制到硅晶圆上。
通过多次光刻步骤，可以形成电路的不同层次和结构。
光刻技术的高分辨率和精度对芯片性能起着至关重要的作用。
6.掩膜在光刻过程中，掩膜是用来遮挡或传递光线的透明薄膜。
它是按照芯片上的电路图案制作和定制的。
通过逐层堆叠和对位，掩膜可以准确地传递电路图案，并起到保护和光刻目的。
7.晶体管晶体管是半导体行业中最为重要的器件之一。
它是一种控制电流流动的装置，可以将输入信号转换为输出信号。
晶体管在计算机、通信和消费电子等领域中广泛应用，如微处理器、放大器和开关等。
半导体行业专业英语名词解释
英文名称
中文名称
1
Active Area
主动区（工作区）
2
ACETONE
丙酮
3
ADI
显影后检查
4
AEI
蚀刻后检查
5
AIR SHOWER
空气洗尘室
6
ALIGNMENT
对准
7
ALLOY/SINTER
熔合
8
AL/SI
铝/硅靶
9
AL/SI/CU
铝/硅/铜
10
ALUMINUN
铝
11
ANGLE LAPPING
63
ESD
ELECTROSTATIC DAMAGE
ELECTROSTATIC DISCHARGE
静电破坏
静电放电
64
ETCH
蚀刻
65
EXPOSURE
曝光
66
FABRICATION（FAB）
制造
67
FBFC（FULL BIT FUNCTION CHIP）
全功能芯片
68
FIELD/MOAT
场区
69
FILTRATION
生产周期时间
41
DEFECT DENSITY
缺点密度
42
DEHYDRATION BAKE
去水烘烤
43
DENSIFY
密化
44
DESCUM
电浆预处理
45
DESIGN RULE
设计规范
46
EDSIGN RULE
设计准则
47
DIE BY DIE ALIGNMENT
每FIELD均对准
48
DIFFUSION
半导体物理名词解释
1、离子晶体：正负离子交替排列在晶格格点上，靠离子键结合成的晶体。
共价晶体：由共价键结合形成的晶体。
2、布拉菲点阵：实际晶体可以看作基元在空间的周期性重复排列。
把基元看作是一个几何点，按晶体相同的周期在空间进行排列得到的点阵称为这种晶体的布拉菲点阵。
3、原胞：构成布拉菲点阵的最小平行六面体，格点只能在顶点。
晶胞：布拉菲点阵中能反映其对称性前提下的体积最小的重复单元。
4、施主杂质：能够释放电子而产生导电电子并形成正电中心的杂质。
受主杂质：能够接受电子而产生导电空穴，并形成负电中心的杂质。
施主电离能：多余的一个价电子脱离施主杂质而成为自由电子所需要的能量。
受主电离能：使空穴挣脱受主杂质束缚成为导电空穴所需要的能量。
5、量子态密度：单位K空间中的量子态数目称为量子态密度。
状态密度：单位能量间隔内的量子态数目称为状态密度。
有效状态密度：所有有可能被电子占据的量子态数。
6、深杂质能级：能在半导体中形成深能级的杂质元素。
将其引入半导体中，形成一个或多个能级。
该能级距离导带底、价带顶较远，且多位于禁带的中央区域。
浅杂质能级：能在半导体中形成浅能级的杂质元素。
在半导体禁带中靠近导带边缘的杂质。
7、空穴：在电子挣脱价键的束缚成为自由电子，其价键中所留下来的空位。
8、有效质量：粒子在晶体中运动时具有的等效质量，它概括了半导体内部势场的作用。
有效质量表达式为：9、理想半导体：晶格原子严格按周期性排列并静止在格点位置上，纯净不含杂质的，晶格结构是完整的。
实际半导体：原子不是静止的，而是在其平衡位置附近振动，含有若干杂质，存在点缺陷，线缺陷和面缺陷等。
10、直接复合：导带中的电子越过禁带直接跃迁到价带，与价带中的空穴复合，这样的复合过程称为直接复合。
间接复合：导带中的电子通过禁带的复合中心能级与价带中的空穴复合，这样的复合过程称为间接复合。
11、复合率：单位时间单位体积内复合掉的电子-空穴对数。
非平衡载流子的复合率（净复合率）：产生率：单位时间单位体积内所产生的电子-空穴对数。
半导体行业名词解释
项次简称英文名称中文说明产业 IC Intergr ated Circuit集成电路TFT Thin Film Transis tor 薄膜晶体管LCD LiquidCrystal Display液晶显示器CF Color Filter彩色滤光片0LTPS Low Tempera ture Poly Silicon低温多晶硅PDP PlasmaDisplay Panel 电浆显示器LCM LiquidCrystal Module液晶显示器模块MEMS Micro Electro-Mechani cal System微机电系统OLED Organic Light Emittin g Diode 有机发光二极管LED Light Emittin g Diode 发光二极管LD Laser Diode 雷射二极管系统 UPWS Utility Cooling Water Supply制程冷却水供应端UPWR Utility Cooling Water Return制程冷却水回水端DIWS Deioniz ed Water Supply纯水(去离子水)供应端DIWR Deioniz ed Water Return纯水(去离子水)回水端CW City Water 自来水GEX General Exhaust一般排SEX Scrubbe r Exhaust酸碱排VEX Solvent Exhaust有机排AEX Ammonia Exhaust氨排PV Process Vacuum制程真空CV Clean Vacuum清洁用真空8GIS Gas Informa tion System气体监控系统GDS Gas Detecto r System0GMS Gas Monitor ing SystemSCADA Supervi sory Control And Data Acquisi tion 电力遥控系统 HPCDA High Pressur e Compres sor Dry Air 高压压缩干燥空气Clean Booth 无尘隔间C/R Clean Room 无尘室设备/材料 GC Gas Cabinet气瓶柜GR Gas Rack 气瓶架0VMB Valve Manifol d Box 特气分流箱VMP Valve Manifol d Panel 特气分流盘T-Box Tee- Box 化学分流箱SMB SampleBox 化学取样箱DP Distrib uction Panel 惰气分流盘BSGS Bulk Special ty Gas System大宗特殊气体系统0HAPA High Efficie ncy Particu late Air Filter高性能空气过滤器ULPA Ultra Low Penetra tion Air Filter超高性能空气过滤器SMIF Standar d Mechani cal Interfa ce 机械标准接口L/C Load Cell (Scale) 磅秤EFS Excel Flow Sensor过流量计DPS Differe ntialPressur e Switch差压计DPG Differe ntialPressur e Gauge 差压表EMO Emergen cy MenualShut-Off 紧急关断装置GALV Galvani zed 镀锌管材AP Acid Pickled化学酸洗BA BrightAnneali ng 钝化处理BAS BrightAnneali ng+Super Micro Cleanin g 钝化处理+精密洗净0EP Electro Polishi ng 电解抛光EPS Electro Polishi ng+Super Micro Cleanin g 电解抛光+精密洗净V+V Vim(VacuumInducti on Melting)+Var(VacuumArc Remelti ng) 真空二重溶解超清静钢C-22 Hastell oy 耐腐蚀性(材料)SS Stainle ss Steel 不锈钢0数值 T.O.C. Total Organic Carbon总和有机物T.D.S. Total Dissolv en Solids总和溶解物HPM Hazardo us Process Materia ls 高危害性物质TLV Thresho ld Limit V alve 最大危险浓度TWA Time Weighte d Average工作日时量平均容许浓度STEL Short Term Exposur e Limit 短时间时量平均容许浓度6Ceiling最高容许浓度LD50 LethalDose Fifty 半致死剂量LC50 LethalConcent ration Fifty 半致死浓度5MTBF Mean Time Between Failure平均故障间隔时间0MTTR Mean Time To Repair平均修复时间0其它 MSDS Materia l SafetyData Sheet 物质安全数据表SL1/SL2 SafetyLevel 1/2 安全等级1/2NO Normall y Open 常开NC Normall y Close 常关(闭)CQC Continu e Quality Control连续质量控制SPEC Specifi cation规范。
半导体名词解释(精)
1. 何谓PIE? PIE的主要工作是什幺?答：Process Integration Engineer(工艺整合工程师), 主要工作是整合各部门的资源, 对工艺持续进行改善, 确保产品的良率（yield）稳定良好。
2. 200mm，300mm Wafer 代表何意义?答：8吋硅片(wafer)直径为 200mm , 直径为 300mm硅片即12吋.3. 目前中芯国际现有的三个工厂采用多少mm的硅片(wafer)工艺？未来北京的Fab4(四厂)采用多少mm的wafer工艺？答：当前1~3厂为200mm(8英寸)的wafer, 工艺水平已达0.13um工艺。
未来北京厂工艺wafer将使用300mm(12英寸)。
4. 我们为何需要300mm?答：wafer size 变大，单一wafer 上的芯片数(chip)变多，单位成本降低200→300 面积增加2.25倍,芯片数目约增加2.5倍5. 所谓的0.13 um 的工艺能力(technology)代表的是什幺意义？答：是指工厂的工艺能力可以达到0.13 um的栅极线宽。
当栅极的线宽做的越小时，整个器件就可以变的越小，工作速度也越快。
6. 从0.35um->0.25um->0.18um->0.15um->0.13um 的technology改变又代表的是什幺意义？答：栅极线的宽（该尺寸的大小代表半导体工艺水平的高低）做的越小时，工艺的难度便相对提高。
从0.35um -> 0.25um -> 0.18um -> 0.15um -> 0.13um 代表着每一个阶段工艺能力的提升。
7. 一般的硅片(wafer)基材(substrate)可区分为N,P 两种类型（type）,何谓 N, P-type wafer?答：N-type wafer 是指掺杂 negative元素(5价电荷元素，例如：P、As)的硅片, P-type 的wafer 是指掺杂 positive 元素(3价电荷元素, 例如：B、In)的硅片。
半导体基础知识
半导体基础知识 Prepared on 24 November 2020一．名词解释：1..什么是半导体半导体具有那些特性导电性介于导体与绝缘体之间的物质称为半导体热敏性：导电能力受温度影响大，当环境温度升高时，其导电能力增强。
可制作热敏元件。
光敏性：导电能力受光照影响大，当光照增强时候，导电能力增强。
可制作光敏元件。
掺杂性：导电能力受杂质影响极大，称为掺杂性。
2.典型的半导体是SI和Ge , 它们都是四价元素。
Si是一种化学元素，在地壳中含量仅次于氧，其核外电子排布是。
3.半导体材料中有两种载流子，电子和空穴。
电子带负电，空穴带正电，在纯净半导体中掺入不同杂质可得到P型和N型半导体，常见P型半导体的掺杂元素为硼，N型半导体的掺杂元素为磷。
P型半导体主要空穴导电， N型半导体主要靠电子导电。
4. 导体：导电性能良好，其外层电子在外电场作用下很容易产生定向移动，形成电流，常见的导体有铁，铝，铜等低价金属元素。
5.绝缘体：一般情况下不导电，其原子的最外层电子受原子核束缚很强，只有当外电场达到一定程度才可导电。
惰性气体，橡胶等。
6.半导体：一般情况下不导电，但在外界因素刺激下可以导电，例如强电场或强光照射。
其原子的最外层电子受原子核的束缚力介于导体和绝缘体之间。
Si,Ge等四价元素。
7. 本征半导体：无杂质的具有稳定结构的半导体。
8晶体：由完全相同的原子，分子或原子团在空间有规律的周期性排列构成的有一定几何形状的固体材料，构成晶体的完全相同的原子，分子，原子团称为基元。
9.晶体结构：简单立方，体心立方，面心立方，六角密积， NACL结构，CSCL结构，金刚石结构。
10.七大晶系：三斜，单斜，正交，四角，六角，三角，立方。
11.酸腐蚀和碱腐蚀的化学反应方程式：SI+4HNO3+HF=SIF4+4NO2+4H2OSI+2NaOH+H2O=Na2SiO3+2H212.自然界的物质，可分为晶体和非晶体两大类。
半导体制造的常用名词
半导体制造的常用名词发表于: 2007-5-07 17:10 作者: luhaoxinglhx 来源: 半导体技术天地Ingot - A cylindrical solid made of polycrystalline or single crystal silicon from which wafers are cut.晶锭- 由多晶或单晶形成的圆柱体，晶圆片由此切割而成。
Laser Light-Scattering Event - A signal pulse that locates surface imperfections on a wafer.激光散射- 由晶圆片表面缺陷引起的脉冲信号。
Lay - The main direction of surface texture on a wafer.层- 晶圆片表面结构的主要方向。
Light Point Defect (LPD) (Not preferred; see localized light-scatterer)光点缺陷(LPD) （不推荐使用，参见“局部光散射”）Lithography - The process used to transfer patterns onto wafers.光刻- 从掩膜到圆片转移的过程。
Localized Light-Scatterer - One feature on the surface of a wafer, such as a pit or a scratch that scatters light. It is also called a light point defect.局部光散射- 晶圆片表面特征，例如小坑或擦伤导致光线散射，也称为光点缺陷。
Lot - Wafers of similar sizes and characteristics placed together in a shipment.批次- 具有相似尺寸和特性的晶圆片一并放置在一个载片器内。
半导体部分名词解释
1.单电子近似：即假设每个电子是周期性排列且在固定不动的原子核势场及其它电子的平均势场中运动。
该势场是具有与晶格同周期的周期势场。
2.电子共有化运动：电子不再完全局限在某一个原子上，可以由一个原子转移到相邻的原子上去。
因而电子将可以在整个晶体中运动，这种运动称为电子的共有化运动。
电子的共有化运动只发生在能量相同的壳层，其中最外层电子的公有化运动最显著。
3.电子在晶体内的共有化运动：晶体中电子不再完全局限在某一个原子上，而是可以从晶胞中某一点自由地运动到其它晶胞内的对应点，因而电子可以在整个晶体中运动。
这种运动称为电子在晶体内的共有化运动。
4.准自由电子：组成晶体的原子的外层电子共有化运动较强，其行为与自由电子近似，称为准自由电子。
5.本征激发：价带上的电子激发成为准自由电子。
亦即价带电子激发成为导带电子的过程称为本征激发。
6.有效质量的意义：它概括了半导体内部势场的作用，使得在解决半导体中电子在外力作用下的运动规律时，可以不涉及到半导体内部势场的作用。
7.间隙式杂质：杂质原子进入半导体后，杂质原子位于晶格原子间的间隙位置称为间隙式杂质。
通常外来杂质半径臂、比原晶格原子半径小很多。
8.替位式杂质：杂志原子进入半导体后，杂质原子取代晶格原子而位于晶格点处，常称为替位式杂质。
通常外来杂质半径与原晶格原子半径大小比较相近。
9.杂质电离：电子脱离杂志电子的束缚成为导电电子的过程称为杂质电离。
10.施主电离：施主杂质释放电子的过程叫做施主电离。
11.受主电离：空穴挣脱受主杂志束缚的过程称为受主电离。
12.施主杂质：杂质电离时，能够释放电子而产生导电电子并形成正电中心，称它们为施主杂质或n型杂质。
13.n型半导体：通常把主要依靠导带电子导电的半导体称为电子型或n型半导体。
14.受主杂质：杂质在纯净半导体中能够接受电子而产生导电空穴并形成负电中心，称它们为受主杂质或p型杂质。
15.施主能级：被施主杂质束缚的电子的能量状态称为施主能级。
半导体行业术语
反向的直流电压，如此残留在晶粒上氧化层与金属层之外来杂质离子或
腐蚀性离子将容易游离而使故障模式（Failure Mode）提早显现出来， 达到筛选、剔除「早期夭折」产品之目的。预烧试验分为「静态预烧」
（Static Burn in）与「动态预烧」（Dynamic Burn in）两种，前者在试验 时，只在组件上加上额定的工作电压即消耗额定的功率，而后者除此外
半导体行业术语
1 Active Area 主动区（工作区） 主动晶体管（ACTIVE TRANSISTOR）被制 造的区域即所谓的主动区（ACTIVE AREA）。在标准之MOS制造过程中 ACTIVE AREA是由一层氮化硅光罩即等接氮化硅蚀刻之后的局部场区氧 化所形成的，而由于利用到局部场氧化之步骤，所以ACTIVE AREA会受 到鸟嘴（BIRD’S BEAK）之影响而比原先之氮化硅光罩所定义的区域来的 小，以长0.6UM之场区氧化而言，大概会有0.5UM之BIRD’S BEAK存在， 也就是说ACTIVE AREA比原在之氮化硅光罩所定义的区域小0.5UM。 2 ACTONE 丙酮 1. 丙酮是有机溶剂的一种，分子式为CH3COCH3。2. 性质为无色，具刺激性及薄荷臭味之液体。3. 在FAB内之用途，主要在 于黄光室内正光阻之清洗、擦拭。4. 对神经中枢具中度麻醉性，对皮肤 黏膜具轻微毒性，长期接触会引起皮肤炎，吸入过量之丙酮蒸汽会刺激
鼻、眼结膜及咽喉黏膜，甚至引起头痛、恶心度1000PPM。 3 ADI 显影后检查 1.定义：After Developing Inspection 之缩写2.目 的：检查黄光室制程；光阻覆盖→对准→曝光→显影。发现缺点后，如 覆盖不良、显影不良…等即予修改，以维护产品良率、品质。3.方法： 利用目检、显微镜为之。
半导体专业名词
tapeout 流片fabout 产出半导体英语词汇5. Active device：有源器件，如MOS FET（非线性，可以对信号放大）6. Align mark(key)：对位标记8. Aluminum：铝9. Ammonia：氨水10. Ammonium fluoride：NH4F11. Ammonium hydroxide：NH4OH12. Amorphous silicon：α-Si，非晶硅（不是多晶硅）13. Analog：模拟的14. Angstrom：A（1E-10m）埃15. Anisotropic：各向异性（如POLY ETCH）16. AQL(Acceptance Quality Level)：接受质量标准，在一定采样下，可以95%置信度通过质量标准（不同于可靠性，可靠性要求一定时间后的失效率）17. ARC(Antireflective coating)：抗反射层（用于METAL等层的光刻）18. Antimony(Sb)锑19. Argon(Ar)氩20. Arsenic(As)砷21. Arsenic trioxide(As2O3)三氧化二砷22. Arsine(AsH3)23. Asher：去胶机24. Aspect ration：形貌比（ETCH中的深度、宽度比）25. Autodoping：自搀杂（外延时SUB的浓度高，导致有杂质蒸发到环境中后，又回掺到外延层）26. Back end：后段（CONTACT以后、PCM测试前）27. Baseline：标准流程28. Benchmark：基准32. Character window：特征窗口。
用文字或数字描述的包含工艺所有特性的一个方形区域。
36. CIM：computer-integrated manufacturing的缩写。
用计算机控制和监控制造工艺的一种综合方式。
37. Circuit design ：电路设计。
半导体专业名词
1 backplane 背板2 Band gap voltage reference 带隙电压参考3 benchtop supply 工作台电源4 Block Diagram 方块图5 Bode Plot 波特图6 Bootstrap 自举7 Bottom FET Bottom FET8 bucket capcitor 桶形电容9 chassis 机架10 Combi-sense Combi-sense11 constant current source 恒流源12 Core Sataration 铁芯饱和13 crossover frequency 交*频率14 current ripple 纹波电流15 Cycle by Cycle 逐周期16 cycle skipping 周期跳步17 Dead Time 死区时间18 DIE Temperature 核心温度19 Disable 非使能，无效，禁用，关断20 dominant pole 主极点21 Enable 使能，有效，启用22 ESD Rating ESD额定值23 Evaluation Board 评估板24 Exceeding the specifications below may result in permanent damage to the device, or device malfunction. Operation outside of the parameters specified in the Electrical Characteristics section is not implied. 超过下面的规格使用可能引起永久的设备损害或设备故障。
建议不要工作在电特性表规定的参数范围以外。
25 Failling edge 下降沿26 figure of merit 品质因数27 float charge voltage 浮充电压28 flyback power stage 反驰式功率级29 forward voltage drop 前向压降30 free-running 自由运行31 Freewheel diode 续流二极管32 Full load 满负载33 gate drive 栅极驱动34 gate drive stage 栅极驱动级35 gerber plot Gerber 图36 ground plane 接地层37 Henry 电感单位：亨利38 Human Body Model 人体模式39 Hysteresis 滞回40 inrush current 涌入电流41 Inverting 反相42 jittery 抖动43 Junction 结点44 Kelvin connection 开尔文连接45 Lead Frame 引脚框架46 Lead Free 无铅47 level-shift 电平移动48 Line regulation 电源调整率49 load regulation 负载调整率50 Lot Number 批号51 Low Dropout 低压差52 Miller 密勒53 node 节点54 Non-Inverting 非反相55 novel 新颖的56 off state 关断状态57 Operating supply voltage 电源工作电压58 out drive stage 输出驱动级59 Out of Phase 异相60 Part Number 产品型号61 pass transistor pass transistor62 P-channel MOSFET P沟道MOSFET63 Phase margin 相位裕度64 Phase Node 开关节点65 portable electronics 便携式电子设备66 power down 掉电67 Power Good 电源正常68 Power Groud 功率地69 Power Save Mode 节电模式70 Power up 上电71 pull down 下拉72 pull up 上拉73 Pulse by Pulse 逐脉冲（Pulse by Pulse）74 push pull converter 推挽转换器75 ramp down 斜降76 ramp up 斜升77 redundant diode 冗余二极管78 resistive divider 电阻分压器79 ringing 振铃80 ripple current 纹波电流81 rising edge 上升沿82 sense resistor 检测电阻83 Sequenced Power Supplys 序列电源84 shoot-through 直通，同时导通85 stray inductances. 杂散电感86 sub-circuit 子电路87 substrate 基板88 Telecom 电信89 Thermal Information 热性能信息90 thermal slug 散热片91 Threshold 阈值92 timing resistor 振荡电阻93 Top FET Top FET94 Trace 线路，走线，引线95 Transfer function 传递函数96 Trip Point 跳变点97 turns ratio 匝数比，＝Np / Ns。
半导体名词解释
突变结近似：认为从中性半导体区到空间电荷区的空间电荷密度有一个突然的不连续。
内建电势差：热平衡状态下pn结内p区与n区的静电电势差。
耗尽层电容：势垒电容的另一种表达。
耗尽区：空间电荷区的另一种表达。
超突变结：一种为了实现特殊电容-电压特性而进行冶金结处高掺杂的pn结，其特点为pn结一侧的掺杂浓度由冶金结处开始下降。
势垒电容（结电容）：反向偏置下pn结的电容。
线性缓变结：冶金结两侧的掺杂浓度可以由线性分布近似的pn结。
冶金结：pn结内p型掺杂与n型掺杂的分界面。
单边突变结：冶金结一侧的掺杂浓度远大于另一侧的掺杂浓度的pn结。
反偏：pn结的n区相对于p区加正电压，从而使p区与n区之间势垒的大小超过热平衡状态时势垒的大小。
空间电荷区：冶金结两侧由于n区内施主电离和p区内受主电离而形成的带净正电与负电的区域。
空间电荷区宽度：空间电荷区延伸到p区与n区内的距离，它是掺杂浓度与外加电压的函数。
变容二极管：电容随着外加电压的改变而改变的二极管。
第八章雪崩击穿：电子和（或）空穴穿越空间电荷区时，与空间电荷区内原子的电子发生碰撞产生电子-空穴对，在pn结内形成一股很大的反偏电流，这个过程就成为雪崩击穿。
载流子注入：外加偏压时，pn结体内载流子穿过空间电荷区进入p区或n区的过程。
临界电场：发生击穿时pn结空间电荷区的最大电场强度。
扩散电容：正偏pn结内由于少子的存储效应而形成的电容。
扩散电导：正偏pn结的低频小信号正弦电流与电压的比值。
扩散电阻：扩散电导的倒数。
正偏：p区相对于n区加正电压。
此时结两侧的电势差要低于热平衡时的值。
产生电流：pn结空间电荷区内由于电子-空穴对热产生效应形成的反偏电流。
长二极管：电中性p区与n区的长度大小少子扩散长度的二极管。
复合电流：穿越空间电荷区时发生复合的电子与空穴所产生的正偏pn结电流。
反向饱和电流：pn结体内的理想反向电流。
短二极管：电中性p区与n区中至少有一个区的长度小于少子扩散长度的pn结二极管。
半导体专有名词解释
英 SALES CUSTOMER VENDOR PRODUCTION CONTROL DEVICE TYPE LOT NO SUBLOT ISSUE SCHEDULE TRALEL CARD SUMMARY TOTAL FORECAST CAPACITY CAPABILITY LOADING UNLOADING CONFIRM COMPLAIN AUDIT CHECK VERIFY DUMMY SAMPLE CODE WAFER MOUNT FOIL CASSETTE PROBING SAW 2/0(SECOND OPTICAL) DIE EPOXY DIE ATTACH REJECT SORTING 文 中 業務 客戶 廠商 生產管制 型號 批號 子批 投料 排程 /時間表 路單 彙總 全部 預測 產能 能力 負荷/上料 下料 證實/認可 抱怨 稽核 核對 鑑定 空的樣品 帶號 晶圓 黏著 膠膜 放晶片盒 探針印 切割刀 第二光學總檢 晶粒 膠液 黏晶 退貨 篩選 文 INK WIRE BOND GOLD WIRE 3/0(TIIIRD OPTICAL) MOLD COMPOUND PREHEATER LASER MASK DEJUNK TRIM FORM SINCULATION MACHINE CHASE MOLD TOOL SPARE PART MAGAZINE CARRIER TRAY OVEN ELECTRONIC DEFLASII SOLDER PLATING UV LAMP STRIP MARK TEST FINAL INSPECTION LEAD SCANNER PACK QUAL RUN MONITOR GATE SAMPLE SIZE PASS SENSOR HOLD 英 文 中 墨水 銲線 金線 第三光學總檢 模子/鑄造 膠餅 烤餅機 鐳射 光罩 去膠 去緯 成型 去框 (單一) 機器 方塊模 工具 零件 彈夾/叮架盒 搬運的工具 盤子 烤箱 電解去膠 錫鉛電鍍 紫外線燈 整條蓋印 測試 最後總檢 檢腳機 包裝 工程實驗 檢試/偵測 關卡 抽樣數 允收 感應器 暫停 文
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放行 發文/備忘錄 暫用/暫行 良品率 品質 數量 鑑定合格 推動 拉動 移動 結束 出貨 部分 完整的 操作員 儲備組長 組長 主任 經理 產出 佈置 效率 環境整潔 原因 改善行動 人為疏忽 紀律 潛在性 表現/績效
MATERIAL HANDLER(M.H) 全能工
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★備註: 01.WIP ＝WORKING IN PROCESS 在製品 02. IPPC＝IN PROCESS PRODUCTION CONTROL 03. IPQA＝IN PROCESS QUALITY ASSURANCE 04.QDN ＝QUALITY DEVIATION NOTICE 品質異常通知書 05.MRB ＝MATERIAL REVIEW BOARD 06.C/T ＝CYCLE TIME 07.UPH ＝UNIT PER HOUR 08.ECN ＝ENGINEERING CHANGE NOTICE 工程變更通知書 09.PPM ＝PARTS PER MILLION 10.SPC ＝STATISTIC PROCESS CONTROL 統計製程品管 11.QYPT＝QUALITY YIELD PROCESS TEAM 12.TCM ＝TOTAL CONTROL METHODOLOGY 整合管制方法 13.QCC ＝QUALITY CONTROL CIRCLE 品管圈
報廢 重作 訓練 自主檢查 規格/說明書 標準/準繩 重要關鍵 主要的 次要的 規劃 方案 日常事務 製造程序 流程 站別/階段 現狀 全開 待料 平穩的 平衡 優先順序 緊急的 正常/常態的 加緊/加嚴 延誤 細節 班 每日的 每週的 每月的 報告 困擾/麻煩 缺點 認知
RELEASE MEMORANDUM WAIVE YIELD QUALITY QUANTITY QUALIFY PUSH PULL MOVE CLOSE SHIP PARTIAL COMPLETE OPERATOR ASSIT.FORELADY FORELADY/FOREMAN SUPERVISOR MANAGER OUT PUT LAY OUT EFFICIENCY HOUSEKEEPING CAUSE CORRECT ACTION HUMAN ERROR DISCIPLINE POTENTIAL PERFORMANCE
★ BGA專有名詞 1. SBSTRATE 2. THROUGH HOLE (VIA HOLE) 3. SOLDER MASK 4. SOLDER BALL 5. FLUX 6. PLASMA CLEAN 7. SOLDER BALL MOUNTER 8. REFLOW
8-D: Eight-Disciplines of Problem Solving EMR: Excursion Management Report FMEA: Failure Modes& Effects Analysis APQP : Advance Product Quality Planning DOE : Design of Experiments FTA : Fault Tree Analysis CI : Continuous Improvement CA: Corrective Action QFD : Quality Function Deployment SPC : Statistical Process Control OCAP:
பைடு நூலகம்
基板 穿孔 拒銲劑 錫球 助銲劑 電漿清洗 植球 迴銲
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專有名詞解釋
英 文 中 文
1
英
文
中
文
SCRAP REWORK TRAINING SELF CHECK SPECIFICATION CRITERIA CRITICAL MAJOR MINOR PLAN PROJECT ROUTINE PROCESS FLOW STAGE STATUS FULL RUN IDLE SMOOTH BALANCE PRIORITY URGENT NORMAL TIGHTEN DELAY DETAIL SHIFT DAILY WEEKLY MONTHLY REPORT TROUBLE DEFECT SENSE
專有名詞解釋
英 SALES CUSTOMER VENDOR PRODUCTION CONTROL DEVICE TYPE LOT NO SUBLOT ISSUE SCHEDULE TRALEL CARD SUMMARY TOTAL FORECAST CAPACITY CAPABILITY LOADING UNLOADING CONFIRM COMPLAIN AUDIT CHECK VERIFY DUMMY SAMPLE CODE WAFER MOUNT FOIL CASSETTE PROBING SAW 2/0(SECOND OPTICAL) DIE EPOXY DIE ATTACH REJECT SORTING 文 中 業務 客戶 廠商 生產管制 型號 批號 子批 投料 排程 /時間表 路單 彙總 全部 預測 產能 能力 負荷/上料 下料 證實/認可 抱怨 稽核 核對 鑑定 空的樣品 帶號 晶圓 黏著 膠膜 放晶片盒 探針印 切割刀 第二光學總檢 晶粒 膠液 黏晶 退貨 篩選 文 INK WIRE BOND GOLD WIRE 3/0(TIIIRD OPTICAL) MOLD COMPOUND PREHEATER LASER MASK DEJUNK TRIM FORM SINCULATION MACHINE CHASE MOLD TOOL SPARE PART MAGAZINE CARRIER TRAY OVEN ELECTRONIC DEFLASII SOLDER PLATING UV LAMP STRIP MARK TEST FINAL INSPECTION LEAD SCANNER PACK QUAL RUN MONITOR GATE SAMPLE SIZE PASS SENSOR HOLD 英 文 中 墨水 銲線 金線 第三光學總檢 模子/鑄造 膠餅 烤餅機 鐳射 光罩 去膠 去緯 成型 去框 (單一) 機器 方塊模 工具 零件 彈夾/叮架盒 搬運的工具 盤子 烤箱 電解去膠 錫鉛電鍍 紫外線燈 整條蓋印 測試 最後總檢 檢腳機 包裝 工程實驗 檢試/偵測 關卡 抽樣數 允收 感應器 暫停 文