二极管与三极管练习
第14章二极管和三极管试题及答案
二极管和三极管1、半导体的导电能力（）。
A. 与导体相同B. 与绝缘体相同C. 介乎导体和绝缘体之间【答案】C当温度升高时，半导体的导电能力将（）。
A. 增强B. 减弱C. 不变【答案】A======================================================================题目编号:13881 知识点:14二极管和三极管题型:单项选择题难度:中P 型半导体中空穴数量远比电子多得多，因此该半导体应（）。
A. 带正电B. 带负电C. 不带电【答案】C======================================================================题目编号:13882 知识点:14二极管和三极管题型:单项选择题难度:中. N 型半导体的多数载流子是电子，因此它应（）。
A. 带负电B. 带正电C. 不带电【答案】C======================================================================题目编号:13883 知识点:14二极管和三极管题型:单项选择题难度:中将PN 结加适当的正向电压，则空间电荷区将（）。
A. 变宽B. 变窄C. 不变【答案】B======================================================================题目编号:13884 知识点:14二极管和三极管题型:单项选择题难度:中. 将PN 结加适当的反向电压，则空间电荷区将（）。
A. 变窄B. 变宽C. 不变【答案】B======================================================================题目编号:13885 知识点:14二极管和三极管题型:单项选择题难度:中. 在PN 结中形成空间电荷区的正、负离子都带电，所以空间电荷区的电阻率（）。
电子焊接练习件
1、电阻器：电子焊接练习件一、简介本电子焊接练习件内含常用的电阻，电容，晶体二极管，晶体三极管等 电子元器件和焊接练习印刷板，使初学者能够认识和辨别并测量袋内提供的电阻阻值、电容容量、晶体二极管正负极性、晶体三极管脚位排列，以及电子线路中的符号和在印刷线路板出现的相应图形符号位置。
用本电子焊接练习件中阻容器件，按焊接练习板图形符号，接入相应元件进行插件操作，电烙铁焊接训练，了解和掌握电子元器件的种类 ，性能及应用等方面的知识，学会正确选择和使用电子元器件，培养提高焊接技术水平，保障电子产品质量，性能稳定可 靠和正常运行，打下坚实基础。
二、元件介绍具有一定的电阻值，在电路中对电流起限流阻碍作用，又能导电的元件称为电阻器。
简称“电阻”，用字母“R ”表示，在电子线路中用图形符号“”表示。
电阻器的单位是欧姆(Ω)简称欧,常用单位还有千欧（K Ω），兆欧（MΩ）。
单位换算关系为：1KΩ=1000Ω 1MΩ=1000KΩ 电阻器的标称方法：色环电阻器阻值标色：棕、红、橙、黄、绿、蓝、紫、灰、白、黑十种，分别代表 1、2、3、4、5、6、7、8、9、0。
详见表1图1-2 各种阻值电阻图1-1 电子焊接练习板3、 晶体二极管电阻器测量方法：检测电阻器时先将三用表“Ω”电阻档换到中间×100Ω档，将黑红两表笔棒短接调整“调零”旋钮，使指针移至右端电阻刻度“0”的位置，将两表笔与电阻器金属引脚二端相接，表针指示的刻度乘以三用电表欧姆档位的倍率，就是被测电阻器的阻值。
如指针靠近刻度右侧应把“Ω”电阻档换至较小档位，指针靠近刻度“∞”，应把“Ω”电阻档换到较大的档位，重新调零测量以求准确阻值。
注意：测量时手不可接触电阻器金属引脚，避免与人体阻值产生并联，造成测量误差。
在电路中起通交流讯号隔直流和储存电能作用,并释放电能容量的元件，简称“电容”，用字母“ C”表示。
在电路中用图形符号“、”或“表示。
电容器的单位是法拉，简称法，常用单位还有微法(μF).纳法(nF),皮法(pF).换算单位为: 1F=106μF 1μF=1000nF 1nF=1000PF电容器的容量值和额定电压一般都直接标在电容器外壳上，常用的有瓷介电容器，电解电容器，绦纶电容器等。
二极管三极管练习题
二极管三极管练习题一、选择题1. 二极管的主要功能是：A. 放大信号B. 开关电路C. 电压稳定D. 电流放大2. 二极管的PN结在正向偏置时，其特性是：A. 电阻增大B. 电阻减小C. 电流增大D. 电流减小A. 半导体器件B. 电子元件C. 电阻元件D. 电容元件4. 三极管中的基极、发射极和集电极分别对应：A. 输入端、输出端、控制端B. 控制端、输出端、输入端C. 输入端、控制端、输出端D. 输出端、输入端、控制端5. 三极管工作在放大状态时，其集电极电流与基极电流的关系是：A. 集电极电流等于基极电流B. 集电极电流小于基极电流C. 集电极电流大于基极电流D. 集电极电流与基极电流无关二、填空题1. 二极管正向导通的条件是______。
2. 三极管放大电路中，基极电压比发射极电压______。
3. 三极管在放大状态时，______电流控制______电流。
4. 二极管的伏安特性曲线在______区域内表示正向导通。
三、判断题1. 二极管在反向偏置时，电流会迅速增大。
（）2. 三极管工作在饱和状态时，基极电压高于发射极电压。
（）3. 二极管具有单向导电性，可以用来实现整流功能。
（）4. 三极管放大电路中，集电极电流与基极电流成反比关系。
（）四、简答题1. 简述二极管的主要特性。
2. 简述三极管的三种工作状态及其特点。
3. 解释什么是三极管的放大作用。
4. 简述二极管整流电路的工作原理。
五、计算题1. 已知二极管正向压降为0.7V，正向电流为10mA，求二极管的正向电阻。
2. 一个三极管放大电路中，基极电流为1mA，集电极电流为10mA，求电流放大倍数。
3. 在一个简单的放大电路中，输入信号电压为1V，输出信号电压为10V，求电压放大倍数。
六、分析题1. 分析二极管在电路中的作用，并举例说明其在实际应用中的几个典型应用。
2. 分析三极管在不同工作状态下的电流和电压关系，并解释为什么三极管能够实现信号放大。
第一章 二极管试题打印
一.选择题(60分)1.如图1.1.1所示电路图中,当电源V1=5V 时,测得I=1mA 。
若把电源电压调到V1=10V ，则电流的大小将是___。
A 、I=2mAB 、I<2mAC 、I>2mA2.图1.1.1中，设电路中V1=5保持不变，当温度为20°C 时，测得二极管的电压Vd=0.7V,当温度上升到40°C 时， 则Vd 的大小将是___。
A 、Vd=0.7V B 、Vd>0.7V C 、Vd<0.7V5.如图1.1.3所示电路中，D1-D3为理想二极管，A 、B 、C 白炽灯泡功率相同，其中最暗的灯是___。
A 、B B 、C C 、A6.如图1.1.4所示电路中，二极管是理想的，电阻R=6欧姆。
当普通指针式万用表置于R*1欧姆档时，用黑表笔（带正电）接A 点，红表笔（带负电接B 点），则万用表的指示值为___.A 、18欧姆B 、6欧姆C 、3欧姆D 、2欧姆7.在同一测试电路中，分别测得A,B 和C 三个二极管的电流如下表所示.你认为哪一个二极管的性能最好？A 、AB 、BC 、C10.设硅稳压管DZ1和DZ2的稳定电压分别为5V 和8V,正向压降均为0.7V,求图1.1.7中电路的输出电压Vo 。
A 、Vo=13VB 、Vo=1.4VC 、Vo=5VD 、Vo=0.7V1.场效应管属于__ 控制型器件。
2.在图1.1.9所示电路中，已知稳压管Dz1和Dz2的稳定电压分别为6V 和7V,且具有理想稳压特性，求输出电压Vo=__。
3.在图1.1.10所示电路中，已知稳压管Dz1和Dz2的稳定电压分别为6V 和7V,且具有理想稳压特性，求输出电压Vo=__。
4.设硅稳压管Dz1和Dz2的稳定电压分别为5V 和8V,正向压降均为0.7V,求图1.1.11中电路的输出电压Vo=__。
5.如图1.1.8所示。
试估算A 点的电位为__。
第一章二极管及其应用（1）第一章二极管及其应用（2）1、填空：（每空1分40分）（1）、半导体是一种导电能力介于 与 之间的物体。
《电工与电子技术基础》电子部分习题
第四章晶体二极管和二极管整流电路第一节晶体二极管（第一课时）一、选择题1、当晶体二极管的PN结导通后参加导电的是（）A.少数载流子B.多数载流子B.既有少数载流子又有多数载流子2、半导体中的空穴和自由电子数目相等，这样的半导体称为（）A.P型半导体B.本征半导体C.N型半导体二、填空题1、半导体是一种导电能力介于和之间的物体。
2、PN结具有的性能，即：加电压时PN结导通；加的电压时PN结截止。
三、解答题1、图所示的电路中，哪些灯泡能发亮？第一节晶体二极管（第二课时）一、选择题1、晶体二极管的正极电位是-10V，负极电位是-5V，则该二极管处于（）A. 零偏B. 反偏C. 正偏2、面接触型晶体二极管比较适用于（）A.小信号检波B.大功率整流C.大电流开关3、用万用表欧姆挡测量小功率晶体二极管性能好坏时，应该把欧姆挡拨到（）A. R×100Ω或R×1kΩ挡B. R×1Ω挡C. R×10kΩ挡4、当晶体二极管工作在伏安特性曲线的正向特性区，而且所受正向电压大于其门槛电压，则晶体二极管相当于（）A.大电阻B.断开的开关C.接通的开关5、当硅二极管加上0.3V的正向电压时，该二极管相当于（）A.小阻值电阻B.阻值很大的电阻C.内部短路二、填空题1、当晶体二极管导通后，则硅二极管的正向压降为V，锗二极管的正向压降为V。
2、晶体二极管因所加电压过大而。
并出现的现象，称为热击穿。
3、下面每小题后面的括号内，提供几种答案，选择正确的填在相应的横线上。
（1）简单的把一块P型半导体和一块N型半导体接触在一起形成PN结？（能；不能；不一定）（2）二极管导通时，则二极管两端所加的是电压。
（正向偏置；反向偏置；无偏置）（3）当二极管两端的正向偏置电压增大于电压时，二极管才能导通。
（击穿；饱和；门槛）（4）二极管两端的反向偏置电压增高时，在达到电压以前，通过的电流很小。
（击穿；最大；短路）第二节二极管整流电路1、在如图所示的电路中，试分析输入端a、b间输入交流电压υ时，通过R1、R2两电阻上的是交流电，还是直流电？2、若将单相桥式电路接成如图的形式，将会出现什么结果，应如何改正？3、如图所示两个电路中，设V1、V2均为理想二极管（即正向导通时其正向电阻和正向压降为零，反向截止时其反向电阻无穷大的二极管），试判断两图中的二极管是截止的还是导通的，A、B两端的电压V AB=？C、D端的电压V CD=？4、画出半波整流电路图。
二极管和三极管试题及答案
题目编号:13879 知识点:14二极管和三极管题型:单项选择题难度:中半导体的导电能力（）。
A. 与导体相同B. 与绝缘体相同C. 介乎导体和绝缘体之间【答案】C======================================================================题目编号:13880 知识点:14二极管和三极管题型:单项选择题难度:中当温度升高时，半导体的导电能力将（）。
A. 增强B. 减弱C. 不变【答案】A======================================================================题目编号:13881 知识点:14二极管和三极管题型:单项选择题难度:中P型半导体中空穴数量远比电子多得多，因此该半导体应（）。
A. 带正电B. 带负电C. 不带电【答案】C======================================================================题目编号:13882 知识点:14二极管和三极管题型:单项选择题难度:中. N 型半导体的多数载流子是电子，因此它应（）。
A. 带负电B.带正电C.不带电【答案】C======================================================================题目编号:13883 知识点:14二极管和三极管题型:单项选择题难度:中将PN 结加适当的正向电压，则空间电荷区将（）。
A.变宽B. 变窄C. 不变【答案】B======================================================================题目编号:13884 知识点:14二极管和三极管题型:单项选择题难度:中. 将PN结加适当的反向电压，则空间电荷区将（）。
二极管与三极管的简单测试一、实验目的-中山火炬职业技术学院
一、实验目的： 1、常用二极管的类型及简单测试方法， 2、常用三极管的类型及简单测试方法， 3、指针万用表和数字万用表测试二极管及三极管的方法。
二、实验器材：二极管、三极管[实验箱提供]若干，指针万用表，数字万用表
三、预习要求： 1.PN 结的伏安特性曲线，外电压对耗尽层的宽窄的影响，耗尽层宽窄对电阻大小的影响 2.二极管的伏安特性曲线，网络搜索二极管资料 3.三极管的输入输出特性曲线，网络搜索三极管资料
四、实验内容及步骤 1、指针万用表测量二极管三极管的要点。 将刻度旋钮置于电阻×100 欧姆档，此时万用表等效为电压源与电阻串联，黑表笔为高电位，红表笔为
低电位，电流从黑表笔流出，流入红表笔，表头指针偏转的角度代表流过表笔电流的大小。 电阻量程值小，则内阻小，提供电流较大，量程值大，则内阻大，提供的电流较小。 指针万用表处于电阻档时会消耗电源，不用时旋钮处于 OFF 档或 AC 最高电压档。 2、数字万用表测试二极管及三极管的要点。 将刻度旋钮置于二极管档位，此时红表笔为高电位，黑表笔为低电位，连接正确情况下，屏幕显示值
为什么？
五、思考题 从外加电场对 PN 结耗尽层宽窄影响的角度分析实验现象？ 如何用简单的方法判断常见半导体二极管、三极管的好坏？
-3-
向导通，角度小或者几乎观察不到，表明流过 PN 结的电流微弱。（注意：稳压管的测试现象）
万用表（电阻档等效为实际电压源）和二极管构成回路，根据表笔电流的流向及 PN 结电流的流向，判
别出二极管或三极管的 P 极和 N 极。
中山火炬职业技术学院电子工程系
测试小结：
模拟电子线路实践教程
（2）发光二极管的测试（指针万用表、发光二极管） A、测试依据：发光亮度与流过 PN 结的电流成正比。 B、指针万用表刻度指向×10 或 1 欧姆档，红黑表笔交换测试发光二极管，观察发光亮度与指针偏转角
电子技术练习题库
半导体二极管练习题1一、单选题1. 杂质半导体中（）的浓度对温度敏感。
A. 少子B. 多子C. 杂质离子D. 空穴2. 在PN结外加正向电压时，扩散电流漂移电流，当PN结外加反向电压时，扩散电流漂移电流。
A. 小于，大于B. 大于，小于C. 大于，大于D. 小于，小于3. 杂质半导体中多数载流子的浓度主要取决于（）。
A. 温度B. 掺杂工艺C. 掺杂浓度D. 晶体缺陷4. 下列符号中表示发光二极管的为（）。
A B C D5. 从二极管伏安特性曲线可以看出，二极管两端压降大于（）时处于正偏导通状态。
A. 0B. 死区电压C. 反向击穿电压D. 正向压降二、判断题1. 因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。
（）2. 稳压管正常稳压时应工作在正向导通区域。
（）三、填空题1. 普通二极管工作时通常要避免工作于，而稳压管通常工作于。
2. 本征半导体掺入微量的五价元素，则形成型半导体，其多子为，少子为。
3. PN结正偏是指P区电位 N区电位。
4. 纯净的具有晶体结构的半导体称为，采用一定的工艺掺杂后的半导体称为。
5. PN结的内电场对载流子的扩散运动起作用，对漂移运动起作用。
6. PN结在时导通，时截止，这种特性称为。
7. 二极管P区接电位端，N区接电位端，称正向偏置，二极管导通；反之，称反向偏置，二极管截止，所以二极管具有性。
8. 在本征半导体中掺入价元素得N型半导体，掺入价元素则得P 型半导体。
9. 半导体中有和两种载流子参与导电，其中带正电，而带负电。
三极管练习题一、填空题：1．晶体管工作在饱和区时发射结偏；集电结偏，工作在放大区时发射结发射结偏；集电结偏，工作在截止区时发射结偏；集电结偏。
2．三极管按结构分为_ 和两种类型，均具有两个PN结，即______和______。
3.放大电路中，测得三极管三个电极电位为U1=6.5V,U2=7.2V,U3=15V，则该管是______类型管子，其中_____极为集电极。
(整理)电子电路基础习题册参考答案
电子电路基础习题册参考答案免费提供（第三版）全国中等职业技术第一章常用半导体器件§1-1 晶体二极管一、填空题1、物质按导电能力的强弱可分为导体、绝缘体和半导体三大类，最常用的半导体材料是硅和锗。
2、根据在纯净的半导体中掺入的杂质元素不同，可形成N 型半导体和P 型半导体。
3、纯净半导体又称本征半导体，其内部空穴和自由电子数相等。
N型半导体又称电子型半导体，其内部少数载流子是空穴；P型半导体又称空穴型半导体，其内部少数载流子是电子。
4、晶体二极管具有单向导电性，即加正向电压时，二极管导通，加反向电压时，二极管截止。
一般硅二极管的开启电压约为0.5 V，锗二极管的开启电压约为0.1 V；二极管导通后，一般硅二极管的正向压降约为0.7 V,锗二极管的正向压降约为0.3 V。
5.锗二极管开启电压小，通常用于检波电路，硅二极管反向电流小，在整流电路及电工设备中常使用硅二极管。
6.稳压二极管工作于反向击穿区，稳压二极管的动态电阻越小，其稳压性能好。
7在稳压电路中，必须串接限流电阻，防止反向击穿电流超过极限值而发生热击穿损坏稳压管。
8二极管按制造工艺不同，分为点接触型、面接触型和平面型。
9、二极管按用途不同可分为普通二极管、整流二极管、稳压二极管、开关、热敏、发光和光电二极管等二极管。
10、二极管的主要参数有最大整流电流、最高反向工作电压、反向饱和电流和最高工作频率。
11、稳压二极管的主要参数有稳定电压、稳定电流和动态电阻。
12、图1-1-1所示电路中，二极管V1、V2均为硅管，当开关S与M 相接时，A点的电位为无法确定V,当开关S与N相接时，A点的电位为0 V.13图1-1-2所示电路中，二极管均为理想二极管，当开关S打开时，A点的电位为10V 、流过电阻的电流是4mA ；当开关S闭合时，A点的电位为0 V，流过电阻的电流为2mA 。
14、图1-1-3所示电路中，二极管是理想器件，则流过二极管V1的电流为0.25mA ，流过V2的电流为0.25mA ,输出电压U0为+5V。
二极管三极管练习题(学生用)
一、填空题1．纯净的具有晶体结构的半导体称为，采用一定的工艺掺杂后的半导体称为。
2．本征半导体的主要特性有、、。
3．杂质半导体中有和两种载流子参与导电，其中带正电，而带负电。
4．N型半导体是在本征半导体中掺入__ _价元素，其多数载流子是_ ___，少数载流子是__ _。
5．P型半导体是在本征半导体中掺入___价元素，其多数载流子是____ _，少数载流子是__ __ _。
6．已知杂质半导体中的载流子和离子如图0001所示，请指出各为何种类型的杂质半导体：(a)为；(b为。
图0001 杂质半导体中的载流子和离子7．PN结正向偏置时，内、外电场方向；PN结反向偏置时，内、外电场方向。
8．PN结具有性，______偏置时导通，______偏置时截止。
9．PN结的电击穿包括和两类。
10．按材料不同，二极管可分为和两类。
11．按制造工艺及结构不同，二极管可分为、两类。
12．二极管P区接（高，低）电位端，N区接（高，低）电位端，称正向偏置，二极管导通；反之，称反向偏置，二极管截止，所以二极管具有性。
13．U T为温度的电压当量，当温度为室温时，U T≈mV。
14．三极管属控制型器件。
15．在构建放大电路时，双极型三极管应工作于区，即发射结应为偏置，集电结应为偏置。
16．根据器件的符号填上器件的名称：7．某三极管，当测得A I B μ30=时，mA I C 2.1=，则发射极电流=E I mA18．根据图0014填空（设晶体管处于放大状态）。
图001419．某处于放大状态的三极管，测得三个电极的对地电位为U 1=-9V ，U 2=-6V ，U 3=-6.2V ，则三极管为 型管。
单项选择题1．杂质半导体中多数载流子的浓度主要取决于（ ）。
A. 温度B. 掺杂工艺C. 掺杂浓度D. 晶体缺陷2．当环境温度降低时，二极管的反向电流（ ）A. 不变B. 增大C. 减小D. 无法判断3．用万用表检测某二极管时，发现其正、反电阻均约等于1k Ω，说明该二极管（ ）。
(完整word版)电子技术基础
《电子技术基础》课程学习指导书第14章 半导体二极管和三极管一、选择题：14.1 半导体的导电能力（ c )。
(a) 与导体相同 （b) 与绝缘体相同 (c) 介乎导体和绝缘体之间14。
2 P 型半导体中空穴数量远比电子多得多，因此该半导体应（ c )。
(a ） 带正电 (b ） 带负电 （c) 不带电 14。
3 N 型半导体的多数载流子是电子，因此它应（ c ）. （a) 带负电 （b ） 带正电 (c) 不带电14.4 将PN 结加适当的反向电压，则空间电荷区将（ b ）。
(a ） 变窄 （b ） 变宽 (c) 不变 14。
5 普通半导体二极管是由( a )。
(a ）一个PN 结组成 （b ）两个PN 结组成 （c ）三个PN 结组成14。
6 电路如图所示，直流电压U I =10 V,稳压管的稳定电压U Z =6 V ，则限流电阻R 上的压降U R 为（ c ）。
(a)10V （b ）6V （c)4V (d ）—4VRO14。
7 电路如图所示，已知u I=3V，则晶体管T此时工作在（ b )。
（a)放大状态 (b）截止状态 (c）饱和状态10V1kΩβ=50二、填空题：14。
8 半导体二极管的主要特点是具有单向导电性 .14。
9 理想二极管的正向电阻为 0 .14.10 理想二极管的反向电阻为无穷大 .14。
11 二极管导通的条件是加在二极管两端的电压是正向电压大于PN结的死区电。
14。
12 N型半导体中的多数载流子是自由电子。
14。
13 P型半导体中的多数载流子是空穴。
三、计算题14.14 电路如图所示，二极管D为理想元件，U S=5 V，求电压u O。
u OUo=Us=5V14.15 电路如图所示，二极管为理想元件，u i=3sin ωt V ，U =3V ，当ωt =0瞬间,求输出电压u O 。
u OUo=0v14。
16 电路如图所示，输入信号u i=6sin ωt V 时，求二极管D 承受的最高反向电压。
(完整版)电子电路基础习题册参考答案-第一章
电子电路基础习题册参考答案（第三版）全国中等职业技术第一章常用半导体器件§1-1 晶体二极管一、填空题1、物质按导电能力的强弱可分为导体、绝缘体和半导体三大类，最常用的半导体材料是硅和锗。
2、根据在纯净的半导体中掺入的杂质元素不同，可形成N 型半导体和P 型半导体。
3、纯净半导体又称本征半导体，其内部空穴和自由电子数相等。
N型半导体又称电子型半导体，其内部少数载流子是空穴；P型半导体又称空穴型半导体，其内部少数载流子是电子。
4、晶体二极管具有单向导电性，即加正向电压时，二极管导通，加反向电压时，二极管截止。
一般硅二极管的开启电压约为0.5 V，锗二极管的开启电压约为0.1 V；二极管导通后，一般硅二极管的正向压降约为0.7 V,锗二极管的正向压降约为0.3 V。
5.锗二极管开启电压小，通常用于检波电路，硅二极管反向电流小，在整流电路及电工设备中常使用硅二极管。
6.稳压二极管工作于反向击穿区，稳压二极管的动态电阻越小，其稳压性能好。
7在稳压电路中，必须串接限流电阻，防止反向击穿电流超过极限值而发生热击穿损坏稳压管。
8二极管按制造工艺不同，分为点接触型、面接触型和平面型。
9、二极管按用途不同可分为普通二极管、整流二极管、稳压二极管、开关、热敏、发光和光电二极管等二极管。
10、二极管的主要参数有最大整流电流、最高反向工作电压、反向饱和电流和最高工作频率。
11、稳压二极管的主要参数有稳定电压、稳定电流和动态电阻。
12、图1-1-1所示电路中，二极管V1、V2均为硅管，当开关S与M相接时，A点的电位为无法确定V,当开关S与N相接时，A点的电位为0 V.13图1-1-2所示电路中，二极管均为理想二极管，当开关S打开时，A点的电位为10V 、流过电阻的电流是4mA ；当开关S闭合时，A点的电位为0 V，流过电阻的电流为2mA 。
14、图1-1-3所示电路中，二极管是理想器件，则流过二极管V1的电流为0.25mA ，流过V2的电流为0.25mA ,输出电压U0为+5V。
二极管三极管练习题
二极管三极管练习题一、选择题1. 下列哪种器件属于半导体器件？A. 二极管B. 稳压管C. 晶体管2. 二极管的正向导通电压约为多少？A. 0.1VB. 0.2VC. 0.7VD. 1.5V3. 下列哪种类型的二极管具有稳压功能？A. 普通二极管B. 发光二极管C. 稳压二极管D. 变容二极管4. 三极管的工作原理是基于哪种效应？A. 光电效应B. 热电效应C. 晶体管效应D. 二极管效应5. 三极管的三个工作区域分别是：A. 放大区、饱和区、截止区B. 放大区、截止区、饱和区C. 饱和区、放大区、截止区D. 截止区、饱和区、放大区6. 三极管放大状态下，基极电流与集电极电流的关系是：A. Ib = IcB. Ib < IcC. Ib > IcD. Ib = 07. 下列哪种电路属于三极管放大电路？A. 共发射极电路B. 共集电极电路C. 共基极电路8. 三极管放大电路中，输入信号与输出信号相位关系为：A. 同相B. 反相C. 90°相位差D. 180°相位差二、填空题9. 二极管的主要特性是________和________。
10. 三极管的工作原理是基于________、________和________。
11. 三极管放大电路有________、________和________三种基本接法。
12. 二极管正向导通时，其正向电阻________，反向截止时，其反向电阻________。
13. 三极管在放大状态时，基极电流________，集电极电流________。
14. 三极管放大电路中，输入信号与输出信号的相位关系为________。
三、判断题15. 二极管具有单向导电性。
（）16. 三极管可以工作在放大、饱和和截止三种状态。
（）17. 二极管的反向电流随温度升高而减小。
（）18. 三极管放大电路中，输入信号与输出信号相位相同。
（）19. 二极管和三极管都是半导体器件。
1半导体器件复习练习题二极管三极管场效应管差动放大电路集成运放
半导体基本知识和半导体器件（二极管、三极管、场效应管、集成运放）一、选择题：1、PN结外加正向电压时，其空间电荷区（）。
A.不变B.变宽C.变窄D.无法确定2、PN结外反正向电压时，其空间电荷区（）。
A.不变B.变宽C.变窄D.无法确定3、当环境温度升高时，二极管的反向饱和电流I s将增大，是因为此时PN结内部的（）A. 多数载流子浓度增大B.少数载流子浓度增大C.多数载流子浓度减小D.少数载流子浓度减小4、PN结反向向偏置时，其内电场被（）。
A.削弱B.增强C.不变D.不确定5、在绝对零度（0K）和没有外界激发时，本征半导体中( ) 载流子。
A.有B.没有C.少数D.多数6、集成运放的输入级采用差分放大电路是因为可以（）。
A．减小温漂B. 增大放大倍数C. 提高输入电阻D. 减小输出电阻7、以下所列器件中，（）器件不是工作在反偏状态的。
A、光电二极管B、发光二极管C、变容二极管D、稳压管8、当晶体管工作在放大区时，（）。
A. 发射结和集电结均反偏B.发射结正偏，集电结反偏C. 发射结和集电结均正偏D.发射结反偏，集电结正偏9、稳压二极管稳压时，其工作在( )，A．正向导通区B．反向截止区C．反向击穿区 D.不确定10、抑制温漂（零漂）最常用的方法是采用（）电路。
A.差放B.正弦C.数字D.功率放大11、在某放大电路中，测得三极管三个电极的静态电位分别为0 V，-10 V，-9.3 V，则这只三极管是（）。
A．NPN 型硅管 B.NPN 型锗管ArrayC.PNP 型硅管D.PNP 型锗管12、某场效应管的转移特性如右图所示，该管为（）。
A．P沟道增强型MOS管 B.P沟道结型场效应管C.N沟道增强型MOS管D.N沟道耗尽型MOS管13A．输入电阻高 B.输出电阻低C.共模抑制比大D.电压放大倍数大14、如右图所示复合管，已知V1的β1 = 30，V2的β2 =50，则复合后的β约为（）。
A．1500 B.80 C.50 D.3015、发光二极管发光时，工作在( )。
二极管、三极管练习题
二极管、三极管习题一、填空题1、晶体三极管通过改变来控制。
2、对半导体三极管，测得发射结反偏，集电结反偏，此时该三管处于_______ 状态。
3、一个三极管有两个PN结，分别称为结和结。
4、ＰＮ结具有性，即加正向电压时，ＰＮ结，加反向电压时，ＰＮ结5、半导体二极管按其所使用的材料可分为管和管两类。
6、硅管的死区电压约为V，锗管的死区电压约为V。
7、半导体三极管的结构分为三个区，分别是区、区、区。
8、三极管按其内部结构分为和两种类型9、三极管三个电极的电流存在关系。
10、三极管有三个工作状态，即、和状态，状态具有放大作用。
11、、三极管工作在截止状态时，相当于开关；工作在饱和状态时，相当于开关。
二、选择题1、晶体三极管处于放大状态时，集电结和发射结的偏置情况为（）。
(a) 发射结反偏，集电结正偏(b) 发射结、集电结均反偏(c) 发射结、集电结均正偏(d) 发射结正偏，集电结反偏2、半导体二极管的主要特点是具有（）。
(a) 电流放大作用 (b) 单向导电性(c) 电压放大作用3、稳压管起稳压作用，是利用它的（）。
A 正向特性B 单向导电性C 双向导电性D 反向击穿特性4、二极管两端加上正向电压时（）A 一定导通B 超过死区电压才导通C 超过0.7V才导通D 超过0.3V才导通5、测得NPN型三极管上各电极对地电位分别为V E＝2.1V，V B＝2.8V，V C＝4.4V，说明此三极管处在（）。
A、放大区；B、饱和区；C、截止区；D、反向击穿区。
晶体二极管和三极管的基本特性
NO1.晶体二极管和三极管的基本特性一、填空题Ａ类１．半导体是一种导电能力介于与之间的物质。
２．半导体按导电类型分为型半导体与型半导体。
３．Ｎ型半导体主要靠来导电，Ｐ型半导体主要靠来导电。
４．ＰＮ结具有性能，即加正向电压时，ＰＮ结，加反向电压时，ＰＮ结。
５．晶体二极管主要参数是与。
６．晶体二极管按所用的材料可分为和两类，按ＰＮ结的结构特点可分为和两种。
7 ．PＮ结的正向接法是Ｐ型区接电源的极，Ｎ型区接电源的极。
８．晶体二极管的伏安特性可简单理解为导通，截止的特性。
导通后，硅管的管压降约为，锗管约为。
9．Ｐ型半导体中的多数载流子是，少数载流子是。
１０．Ｎ型半导体中的多数载流子是、少数载流子是。
１１．晶体三极管三个电极分别称为极、极和极，它们分别用字母＿、和表示。
１２．为了使晶体三极管在放大器中正常工作，发射结须加电压，集电结须加电压。
１３．由晶体三极管的输出特性可知，它在、和三个区域。
1 ４、晶体三极管是由两个ＰＮ结构成的一种半导体器件，其中一个ＰＮ结叫做，另一个叫做。
１５．晶体三极管有型和型两种，硅管以型居多，锗管以型居多。
１６．晶体三极管具有电流放大作用的条件是:第一，使区的多数载流子浓度高，区的面积大，区尽可能地薄；第二，使结正向偏置，结反向偏置。
１７．晶体三极管发射极电流Ie、基极电流Ib和集电极电流Ic之间的关系是。
其中Ic/Ib叫做，用字母表示;ΔI e/ΔIb叫做，用字母表示。
１８．晶体三极管的电流放大作用，是通过改变电流来控制电流的，其实质是以电流控制电流。
１９．硅晶体三极管的饱和电压降为，锗晶体三极管的饱和电压降为。
2０．硅晶体三极管发射结的导通电压约为，锗晶体三极管发射结的导通电压约为。
２１．当晶体三极管截止时，它的发射结必须是偏置，集电结必须是或偏置。
２２．当晶体三极管处于饱和状态时，它的发射结必定加电压，集电结必定加或电压。
２３．当晶体三极管的队Ｕce一定时，基极与发射极间的电压Ｕbe与基极电流Ｉb间的关系曲线称为;当基极电流Ib一定时，集电极与发射极间的电压Uce与集电极电流人Ic关系曲线称为。
(完整版)二极管习题
二极管电路习题一、选择题1、在题 1.1 图所示电路中，U A0 电压为（ ） （a ）12V （b ）-9V （c ）-3V2 在题 1.2 图所示电路中，所有二极管均为理想元件，则 D1、D2、D3 的工作状 态为（ ） 。
（a ）D1 导通，D2、D3 截止 （b ）D1、D2 截止，D3 导通 （c ）D1、D3 截止，D2 导通3 在题 1.3 图所示电路中，所有二极管均为理想元件，则 D1、D2 的工作状态为 （ ） 。
（a ）D1 导通，D2、截止 （b ）D1、D2 均导通 （c ）D1、截止，D2 导通4 在题 1.4 图所示电路中，D1、D2 为理想元件，则电压 U0 为（ ） （a ）3V （b ）5V （c ）2V5 电路如题 1.5 图（a ）所示，二极管 D 为理想元件，输入信号 ui 为图（b ）所 示的三角波，则输出电压 u0 的最大值为（ ） 。
（a ）5V （b ）17V （c ）7V6 在题 1.6 图所示电路中，二极管为理想元件，uA=3v,uB=2sinωtV ,R=4KΩ,则 uF 等于( ). （a ）3V （b ）2sinωtV （c ）3+2sinωtV7 在题 1.7 图所示电路中，二极管为理想元件，则输出电压 U0 为（ ） （a ）3V （b ）0V （c ）－12V8 在题 1.8 图（1）所示电路中，二极管 D 为理想元件，设 u1=2sinωtV,稳压二 极管 DZ 的稳定电压为 6V ，正向压降不计，则输出电压 u0 的波形为图（2）中的 波形（ ）12V9V(c) RV O题1.1图9 在题1.9 图所示电路中，稳压二极管DZ2 的稳定电压为6V，DZ2 的稳定电压为12V，则输出电压U0 等于（）。
（a）12V （b）6V （c）18V10 在题1.10 图所示电路中，稳压二极管DZ1 和DZ2 的稳定电压分别为6V 和9V，正向电压降都是0.7V。
二极管、三极管放大电路练习题
R
Ui
D
VD＋ = Ui = 5V
+
U0
_
VD－ =0V
R
+
Ui
D U0
_
(2)求出断开两点间的 电位差VD 。
VD= VD＋ － VD－ =5V
例1：设二极管为理想二极管，试求出Ui=5V时
的输出电压U0的大小。
(3)判断二极管的导通状态
R
+
Ui
D
U0
_
∵ VD= 5V>0 ∴ 二极管D导通
R
+
UD+－UD－≥UF，二极管导通，等效为UF恒压源； UD+－UD－<UF，二极管截止，等效为断路。 • 折线模型
UD+－UD－≥Uth，二极管导通，等效为Uth恒压源串联电阻； UD+－UD－<Uth，二极管截止，等效为断路。
例1：设二极管为理想二极管，试求出Ui=5V时
的输出电压U0的大小。
解:(1)断开二极管D
二极管及其基本电路、三极管练习
二极管复习
1、二极管基本电路的分析方法：
关键是判断二极管的导通与截止
首先假设二极管断开，然后求得二极管正极和负极之 间的电压。如该电压大于导通电压，则说明该二极管导通， 两端的实际电压为二极管的导通电压；如果该电压小于导 通电压，则说明该二极管截止。然后进一步计算所要求的 各物理量。
可见，二极管接入后，反向偏置，VD处于截止状态。电 路中电流为0，电阻上压降为0，所以
Vo=VB=VC=-5V
3：设二极管为理想二极管，试判断各个二极管 的工作状态，求输出电压U0的大小。
(1)设D1、D2都断开，设0电位点
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二极管、三极管练习
一、是非题：（8分）
（）1、二极管是根据PN结的单向导电特性制成的，因此，二极管也具有单向导电性。
（）2、二极管的电流—电压特性关系可大概理解为反向偏置导通、正向偏置截止。
（）3、用万用表识别二极管的极性时，若侧的是二极管的正向电阻，那么和标有“+”号的测试笔相连的是二极管的正极，另一端是负极。
（）4、一般来说，硅二极管的死区电压小于锗二极管的死区电压。
（）5、晶体管由两个PN结组成，所以，能用两个二极管反向连接起来充当晶体管使用。
（）6、晶体管相当于两个反向连接的二极管，所以，基极断开后还可以作为二极管使用。
（）7、发射结处于正向偏置的晶体管，一定是工作在放大状态。
（）8、既然晶体管的发射区和集电区是由同一种类型的半导体构成，故E极和C极可以互换使用。
二、选择题：（20分）
1、如果二极管的正、反向电阻都很大，则该二极管（）。
A、正常
B、已被击穿
C、内部断路
2、如果二极管的正、反向电阻都很小或为零，则该二极管（）。
A、正常
B、已被击穿
C、内部断路
3、用万用表电阻档测量小功率二极管的特性好坏时，应把电阻档拨到（）。
A、R*100或R*1000档
B、R*1档
C、R*10K档
4、用万用表电阻档测试二极管的电阻时，如果用双手分别捏紧测试笔和二极管引线的接触处，测得二极管正、反向电阻，这种测试方法引起显著误差的是（）。
A、正向电阻
B、反向电阻
C、正、反向电阻误差同样显著
D、无法判断
5、当晶体管的两个PN结都反偏时，晶体管处于（）。
A、饱和状态
B、放大状态
C、截止状态
6、当晶体管的两个PN结都正偏时，晶体管处于（）。
A、饱和状态
B、放大状态
C、截止状态
7、当晶体管的发射结正偏，集电结反偏时，晶体管处于（）。
A、饱和状态
B、放大状态
C、截止状态
8、当晶体管处于饱和状态时，它的集电极电流将（）。
A、随基极电流的增加而增加
B、随基极电流的增加而减小
C、与基极电流变化无关，只取决于U CC和R C
9、NPN型硅晶体管各电极对地电位分别为U C=9V，U B=0.7V，U E=0V，则该晶体管的工作状态是（）。
A、饱和状态
B、放大状态
C、截止状态
10、用万用表红表笔“+”接触某晶体管的一只引脚，黑表笔“-”分别接触另两只引脚时，测得的电阻均较小，则说明该晶体管是（）。
A、NPN型
B、PNP型
C、不能确定
三、填空题：（33分）
1、二极管按所用材料可分为和两类；按PN结的结构特点可分为和两种。
2、PN结的正向接法是P型区接电源的极，N型区接电源的极。
3、二极管的电压—电流关系可简单理解为导通，截止的特性。
导通后，硅管管压降约为，锗管管压降约为。
4、在判别锗、硅二极管时，当测出正向压降为，此二极管为锗二极管；当测出正向压降为，此二极管为硅二极管。
5、当加到二极管上的反向电压增大到一定数值时，反向电流会突然增大，此现象称为现象。
6、理想二极管正向导通时，其管压降为V；反向截止时，其电流为A。
7、晶体管的三个电极分别称为极、极和极，它们分别用字母、和来表示。
8、为了使晶体管工作在放大状态，发射结必须加电压，集电结必须加电压。
9、晶体管是由两个PN结构成的一种半导体器件，其中一个PN结称为，另一个称为。
10、硅晶体管的饱和电压降为，锗晶体管的饱和电压降为。
11、晶体管被当作放大元件使用时，要求其工作在状态，而被当作开关元件使用时，要求其工作在状态和状态。
12、NPN型晶体管的发射区是型半导体，集电区是型半导体，基区是型半导体。
四、计算题：（39分）
1.判断下列三极管的工作状态。
（12分）
2.以下列的晶体三极管均处于放大状态，分析判断管脚名称、所用材料及管型。
（5分）
3.测得三极管各极电流如图，判断（1）、（2）、（3）管脚名称、管型及它的β（8分）
=
?
4．如图，回答以下各问题：（14分）
（1）填出此电路的名称 。
（2）已知2U =220V ，求输出电压O U = 。
（3）已知输入电压波形， 画出输出电压波形。
（4）若有一只二极管极性被接反，会出现的现象是 。
（5）若任一只二极管脱焊或开路，会出现的现象是 。