简单实用的交流调压电路—双向可控硅调压电路
可控硅调压电路原理
可控硅调压电路原理_可控硅调压器电路图_晶闸管交流调压电路分析图1 交流可控硅调压电路原理方框图（1）整流电路采用桥式整流,将220伏,50赫兹交流电压变为脉动直流电。
（2）抗干扰电路为普通电源抗干扰电路。
（3）可控硅控制电路采用可控硅和降压电阻组成。
（4）张弛振荡器由单结晶体管和电阻组成。
（5）冲放电电路有电阻和可变电阻及电容组成。
图2 交流可控硅调压电路的原理图3. 可控硅(晶闸管)交流调压电路工作原理图中TVP抗干扰普通电源电路。
采用双向TVP管子。
它对于电网的尖脉冲电压和雷电叠加电压等等干扰超过去额定的数值量,都能有效的吸收。
整流电路采用桥式整流,由4只二极管组成,D1,D2,D3,D4组成。
双基极二极管组成张弛真振荡器作为可控硅的同步触发电路。
当调压器接上市电后220伏交流电通过负载电阻Rc,二极管D1到D4整流,在可控硅SCH的A ,K两极形成一个脉动的直流电压。
该电压由电阻R1降压后作为触发电路的直流电源。
在交流的正半周时,整流电路通过电阻R1,可变电阻W1对电容充电。
当充电电压T1管的峰值电压Up时,管子由截止变为导通。
于是电容C通过T1管的e1,b1结和R2迅速的放电,结果在R2上获得一个尖脉冲。
这个脉冲作为控制信号送到可控硅SCR的控制极,使可控硅导通。
可控硅导通后的管压降很低,一般小于1伏,所以张弛振荡器停止工作。
当交流电通过0点时,可控硅自行关断。
当交流电在负半周时C又重新充电…周而复始。
改变可变电阻的阻值可改变电容的冲放电时间,从而改变可控硅的导通时刻,来改变负载上的的输出电压。
4. 可控硅(晶闸管)交流调压电路元件参数的选择（1）二极管D1,D2,D3,D4于300伏,整流电流大于安的硅流二极管。
型号2CZ21B, 2CZ83E。
（2）晶闸管选用正向与反向电压大于300伏,额定平均电流大于1安的可控硅整流器件。
型号国产3CT。
（3）调压电位器选用阻值围470千欧的WH114—1型的合成炭膜电位器。
可控硅资料
可控硅交流调压器电路2010-07-03 19:14可控硅是一种新型的半导体器件，它具有体积小、重量轻、效率高、寿命长、动作快以及使用方便等优点，目前交流调压器多采用可控硅调压器。
这里介绍一台电路简单、装置容易、控制方便的可控硅交流调压器，这可用作家用电器的调压装置，进行照明灯调光，电风扇调速、电熨斗调温等控制。
这台调压器的输出功率达100W，一般家用电器都能使用。
1：电路原理：电路图如下可控硅交流调压器由可控整流电路和触发电路两部分组成，其电路原里图如下：从图中可知，二极管D1—D4组成桥式整流电路，双基极二极管T1构成张弛振荡器作为可控硅的同步触发电路。
当调压器接上市电后，220V交流电通过负载电阻RL经二极管D1—D4整流，在可控硅SCR的A、K两端形成一个脉动直流电压，该电压由电阻R1降压后作为触发电路的直流电源。
在交流电的正半周时，整流电压通过R4、W1对电容C充电。
当充电电压Uc达到T1管的峰值电压Up时，T1管由截止变为导通，于是电容C通过T1管的e、b1结和R2迅速放电，结果在R2上获得一个尖脉冲。
这个脉冲作为控制信号送到可控硅SCR的控制极，使可控硅导通。
可控硅导通后的管压降很低，一般小于1V，所以张弛振荡器停止工作。
当交流电通过零点时，可控硅自关断。
当交流电在负半周时，电容C又从新充电……如此周而复始，便可调整负载RL上的功率了。
2：元器件选择调压器的调节电位器选用阻值为470KΩ的WH114-1型合成碳膜电位器，这种电位器可以直接焊在电路板上，电阻除R1要用功率为1W的金属膜电阻外，其佘的都用功率为1/8W的碳膜电阻。
D1—D4选用反向击穿电压大于300V、最大整流电流大于0.3A的硅整流二极管,如2CZ21B、2CZ83E、2DP3B等。
SCR选用正向与反向电压大于300V、额定平均电流大于1A的可控硅整流器件，如国产3CT系例。
可控硅应用集锦2010-07-03 19:13本文介绍的这种延时照明灯非常简单，安装也十分方便，将它直接连接于普通开关的两端即可。
双向可控硅的工作原理及原理图
双向可控硅的工作原理及原理图双向可控硅的工作原理1.可控硅是P1N1P2N2四层三端结构元件，共有三个PN结，分析原理时，可以把它看作由一个PNP管和一个NPN管所组成 当阳极A加上正向电压时，BG1和BG2管均处于放大状态。
此时，如果从控制极G输入一个正向触发信号，BG2便有基流ib2流过，经BG2放大，其集电极电流ic2=β2ib2。
因为BG2的集电极直接与BG1的基极相连，所以ib1=ic2。
此时，电流ic2再经BG1放大，于是BG1的集电极电流ic1=β1ib1=β1β2ib2。
这个电流又流回到BG2的基极，表成正反馈，使ib2不断增大，如此正向馈循环的结果，两个管子的电流剧增，可控硅使饱和导通。
由于BG1和BG2所构成的正反馈作用，所以一旦可控硅导通后，即使控制极G的电流消失了，可控硅仍然能够维持导通状态，由于触发信号只起触发作用，没有关断功能，所以这种可控硅是不可关断的。
由于可控硅只有导通和关断两种工作状态，所以它具有开关特性，这种特性需要一定的条件才能转化 2,触发导通 在控制极G上加入正向电压时（见图5）因J3正偏，P2区的空穴时入N2区，N2区的电子进入P2区，形成触发电流IGT。
在可控硅的内部正反馈作用（见图2）的基础上，加上IGT的作用，使可控硅提前导通，导致图3的伏安特性OA 段左移，IGT越大，特性左移越快。
TRIAC的特性什么是双向可控硅:IAC(TRI-ELECTRODE AC SWITCH)为三极交流开关，亦称为双向晶闸管或双向可控硅。
TRIAC为三端元件，其三端分别为T1 (第二端子或第二阳极)，T 2(第一端子或第一阳极)和G(控制极)亦为一闸极控制开关，与SCR最大的不同点在于TRIAC无论于正向或反向电压时皆可导通，其符号构造及外型，如图1所示。
因为它是双向元件，所以不管T1 ,T2的电压极性如何，若闸极有信号加入时，则T1 ,T2间呈导通状态；反之，加闸极触发信号，则T1 ,T2间有极高的阻抗。
可控硅调压调温
可控硅调压调温本例介绍的温度控制器，具有SB260取材⽅便、性能可靠等特点，可⽤于种⼦催芽、⾷⽤菌培养、幼畜饲养及禽蛋卵化等⽅⾯的温度控制，也可⽤于控制电热毯、⼩功率电暖器等家⽤电器。
1．电路图温度控制器电路如图7.116所⽰。
2．⼯作原理220V交流电压经Cl降压、VD，和VD。
整流、C2滤波及VS稳压后，⼀路作为IC(TL431型三端稳压集成电路)的输⼊直流电压；另⼀路经RT、R3和RP分压后，为IC提供控制电压。
在被测温度低于RP的设定温度时，NTC502型负温度系数热敏电阻器Rr的电阻值较⼤，IC的控制电压⾼于其开启电压，IC导通，使LED点亮，VS受触发⽽导通，电热器EH通电开始加热。
随着温度的不断上升，Rr的电阻值逐渐减⼩，同时IC的控制电压也随之下降。
当被测温度⾼于设定温度时，IC截⽌，使LED熄灭，VS关断，EH断电⽽停⽌加热。
随后温度⼜开始缓慢下降，当被测温度低于设定温度时，IC⼜导通，EH⼜开始通电加热。
如此循环不⽌，将被测温度控制在设定的范围内。
简单实⽤的⼤功率可控硅触发电路图⼀般书刊介绍的⼤功率可控硅触发电路都⽐较复杂，⽽且有些元件难以购买。
笔者仅花⼏元钱制作的触发电路已成功触发100A以上的可控硅模块，⽤于⼯业淬⽕炉上调节380V电压，⼜装⼀套⽤于⼤功率⿎风机作⽆级调速⽤，效果⾮常好。
本电路也可⽤作调节220V交流供电的⽤电器。
电路见图。
将两只单向可控硅SCRl、SCR2反向并联．再将控制板与本触发电路连接，就组成了⼀个简单实⽤的⼤功率⽆级调速电路。
这个电路的独特之处在于可控硅控制极不需外加电源，只要将负载与本电路串联后接通电源，两个控制极与各⾃的阴极之间便有5V~8V脉动直流电压产⽣，调节电位器R2即可改变两只可控硅的导通⾓，增⼤R2的阻值到⼀定程度,便可使两个主可控硅阻断，因此R2还可起开关的作⽤。
该电路的另⼀个特点是两只主可控硅交替导通，⼀个的正向压降就是另⼀个的反向压降，因此不存在反向击穿问题。
双向可控硅mac97a6详解及其的应用电路
双向可控硅mac97a6详解及其的应用电路引言:双向可控硅mac97a6是一种常用的功率半导体器件，它在电力控制和调节中扮演着重要的角色。
它具有双向触发特性，可以用来控制交流电路中的功率开关。
在本文中，我们将深入探讨双向可控硅mac97a6的基本原理、特性及其在电路中的应用。
一、双向可控硅mac97a6的基本原理1. 双向可控硅mac97a6的结构：双向可控硅mac97a6是由两个晶闸管反向并联组成，其结构简单而有效。
它的触发特性使得它能够在正负半周均能进行导通和关断。
2. 双向可控硅mac97a6的工作原理：当双向可控硅mac97a6的控制端处于导通状态时，只有当施加的触发脉冲正负半周达到一定电压时，双向可控硅mac97a6才能导通，实现功率的控制和变换。
3. 双向可控硅mac97a6的特性：双向可控硅mac97a6具有较高的工作频率、耐高压、低功耗等特点，使得它在电路中具有广泛的应用前景。
二、双向可控硅mac97a6的应用电路1. 交流电路中的应用：双向可控硅mac97a6常常被用在交流电路中，如交流调压器、交流调速器等。
它通过对电压进行控制，使得交流电路在不同负载条件下能够自动调节输出电压和频率，实现电力的高效利用。
2. 电磁场中的应用：双向可控硅mac97a6还可以被应用在电磁场控制中，如变压器、感应加热等设备中。
通过对电路的控制，可以实现电磁场的精确调节，保证设备的稳定运行。
三、个人观点和理解双向可控硅mac97a6作为一种重要的功率半导体器件，在电力控制和调节领域具有重要的地位。
它的双向触发特性使得它能够适用于不同的电路和场合，实现精确的功率控制和调节。
在未来，随着电力电子技术的不断发展，双向可控硅mac97a6的应用领域将会进一步拓展，为电力系统的稳定运行和高效利用提供更多可能。
总结本文从双向可控硅mac97a6的基本原理、特性到其在电路中的应用进行了全面的阐述，希望能够为读者提供一个深入了解和掌握这一重要器件的机会。
双向可控硅的工作原理及原理图
双向可控硅的⼯作原理及原理图标签：可控硅(358)双向可控硅的⼯作原理1.可控硅是P1N1P2N2四层三端结构元件，共有三个PN结，分析原理时，可以把它看作由⼀个PNP管和⼀个NPN管所组成 当阳极A加上正向电压时，BG1和BG2管均处于放⼤状态。
此时，如果从控制极G输⼊⼀个正向触发信号，BG2便有基流ib2流过，经BG2放⼤，其集电极电流ic2=β2ib2。
因为BG2的集电极直接与BG1的基极相连，所以ib1=ic2。
此时，电流ic2再经BG1放⼤，于是BG1的集电极电流ic1=β1ib1=β1β2ib2。
这个电流⼜流回到BG2的基极，表成正反馈，使ib2不断增⼤，如此正向馈循环的结果，两个管⼦的电流剧增，可控硅使饱和导通。
由于BG1和BG2所构成的正反馈作⽤，所以⼀旦可控硅导通后，即使控制极G的电流消失了，可控硅仍然能够维持导通状态，由于触发信号只起触发作⽤，没有关断功能，所以这种可控硅是不可关断的。
由于可控硅只有导通和关断两种⼯作状态，所以它具有开关特性，这种特性需要⼀定的条件才能转化 2,触发导通 在控制极G上加⼊正向电压时（见图5）因J3正偏，P2区的空⽳时⼊N2区，N2区的电⼦进⼊P2区，形成触发电流IGT。
在可控硅的内部正反馈作⽤（见图2）的基础上，加上IGT的作⽤，使可控硅提前导通，导致图3的伏安特性OA段左移，IGT越⼤，特性左移越快。
⼀、可控硅的概念和结构？晶闸管⼜叫可控硅。
⾃从20世纪50年代问世以来已经发展成了⼀个⼤的家族，它的主要成员有单向晶闸管、双向晶闸管、光控晶闸管、逆导晶闸管、可关断晶闸管、快速晶闸管，等等。
今天⼤家使⽤的是单向晶闸管，也就是⼈们常说的普通晶闸管，它是由四层半导体材料组成的，有三个PN结，对外有三个电极〔图2(a)〕：第⼀层P型半导体引出的电极叫阳极A，第三层P型半导体引出的电极叫控制极G，第四层N型半导体引出的电极叫阴极K。
从晶闸管的电路符号〔图2(b)〕可以看到，它和⼆极管⼀样是⼀种单⽅向导电的器件，关键是多了⼀个控制极G，这就使它具有与⼆极管完全不同的⼯作特性。
pic单片机控制双向可控硅调节交流电压的电路设计
p i c单片机控制双向可控硅调节交流电压的电路设计Company Document number：WTUT-WT88Y-W8BBGB-BWYTT-19998由于项目需要根据光照传感器采集到的光照强度或上位机的指令调节交流灯泡的亮度。
最好的方式便是调节供电的交流电压。
参考了许多资料，最后决定采用采集交流信号的同步信号，并根据此交流信号输出延时脉冲控制可控硅导通角的方式进行交流调压。
1.交流电压过零点信号提取图1 交流同步信号提取如上图1所示，左侧为两个30K/2W的电阻，这样限制输入电流为：220V/60K=,由于该路仅仅是为了提取交流信号，因此小电流输入即可。
整流桥芯片采用小功率（2W）的KBP210，之后接入一个光耦（P521）,这样如图1整流后信号电压值超过光耦前段二极管的导通电压时，即产生一次脉冲，光耦右侧为一上拉电路，VCC为单片机供电电压：+。
光耦三极管导通时，输出低电平，关闭时输出高电平。
输出同步信号如上图1同步信号。
2.PIC单片机的输入信号及输出脉冲图2 单片机的输入同步信号及输出脉冲如上图2所示，采集到的同步信号进入PIC单片机的一个数值I/O口，作为外部中断的触发信号，每触发一次，单片机进一次中断，然后人为定义一个延时，一定导通角后输出可控硅触发信号，延时时间越长（注意应小于半个周期的时间：10ms），一个周期内的导电时间越短，即输出电压平均值越小，灯泡越暗。
3.双向可控硅驱动电路图3双向可控硅驱动电路如上图3所示，PIC单片机的数字输出口DO，输出触发信号。
此处考虑到单片机引脚的输出电流有限，电路用单片机引脚输出触发三极管，控制电路的通断。
（此处电路可考虑进一步精简，如单片机引脚串联一小电阻：200Ω，直接驱动光耦可控硅）触发信号为高电平时，光耦可控硅MOC3021基极触发已承受压降的集电极和发射极导通，使用一30K/2W的电阻限制双向可控硅TLC336A的基极电流最大为：220V/30K=。
双向可控硅调光电路图
双向可控硅调光电路图上图为双向可控硅调光电路图,其工作原理为:接通电源,220V经过灯泡VR4 R19对C23充电...由于电容二端电压是不能突变的...充电需要一定时间的...充电时间由VR4和R19大小决定...越小充电越快...越大充电越慢...当Ｃ２３上电压充到约为33V左右的时候...DB1导通..可控硅也导通...可控硅导通后...灯泡中有电流流过...灯泡就亮了... 随着DB1导通...C23上电压被完全放掉...DB1又截止...可控硅也随之截止...灯泡熄灭...C23上又进行刚开始一样的循环...因为时间短人眼有暂留的现象,所以灯泡看起来是一直亮的,充放电时间越短...灯泡就越亮,反之...R20 C24能保护可控硅...如果用在阻性负载上可以省掉.如果是用在感性负载,比如说电动机上就要加上去,这个电路也可以用于电动机调速上.简易混合调光电路图调光电路图如附图所示,其工作原理是:根据电学原理可知，电容器接入正弦交流电路中，电压与电流的最大值在相位上相差90°。
根据这一原理，把C1 和C2串联联接，并从中间取出该差为我所用，这比电阻与电容串联更稳定。
电路中，D1和D2分别对电源的正半波及负半波进行整流，并加到A触发和C1或 C2充电。
进一步用W来改变触发时间进行移相，只要调整W的阻值，就可达到改变输出电压的目的。
D1和D2还起限制触发极的反相电压保护双向可控硅的作用。
常用调光方法的工作原理核心提示: 1、脉冲宽度调制（ PWM ）调光法这种调光控制法是利用调节高频逆变器中功率开关管的脉冲占空比，从而实现灯输出功率的调节。
半桥逆变器的最大占空比为 0.5 ，以确保半桥逆变器中的两个功率开关管之间有一个死时间，以避免两个功率开关管由于共态导通1、脉冲宽度调制（PWM）调光法这种调光控制法是利用调节高频逆变器中功率开关管的脉冲占空比，从而实现灯输出功率的调节。
半桥逆变器的最大占空比为0.5，以确保半桥逆变器中的两个功率开关管之间有一个死时间，以避免两个功率开关管由于共态导通而损坏。
触发双向可控硅调压电路
过零触发双向可控硅调压电路图新一代晶闸管触发模块KTM2011A的原理及应用摘要：KTM2011A是青岛珠峰科技有限公司推出的新一代晶闸管触发模块，具有体积小、重量轻、触发动率大及波形对称性对等优点。
文中详细介绍了KTM2011A的内部结构、工作原理、设计特点及具体的应用电路。
关键词：触发电路隔离脉冲KTM2011A1 概述KTM2011A是青岛珠峰科技有限公司经过优化设计和精心研制的新一代晶闸管触发模块，具有体积小、重量轻、触发功率大及波形对称性好等优点。
其输出可触发单相电路中两个相位互差180°的晶闸管，可广泛用于单相交流调压、单相桥式半控整流电路中作为晶闸管的触发电路，由于模块内部集成有隔离单元，故使用中不需要外接脉冲变压器。
KTM2011具有如下特点：2.2 极限参数KTM2011A的极限工作参数如下：●输入交流同步电压：15～17V；●输出直流电压V+：22V；●输入移相电压VK：0～+10V；●输出触发电流：≤750mA；●输出脉冲幅度：18～21V；●移相范围：0～180°；●脉冲宽度：≮2ms ；●需配变压器容量：5～10VA ；●输入、输出间隔离电压：2500VDC ； ●工作温度范围：-10～+70℃。
●工作电源电压VCC ：+16V ；3 结构及原理 KTM2011A 的内部结构及工作原理框图如图2所示。
它由同步环节、锯齿波形成、整流电路、脉冲形成、脉冲放大及隔离整形环节共五个单元电路组成。
工作时，KTM2011A 首先将来自同步电流变压器副边的电压信号经整流电路整流，并通过引脚4的内部送给脉冲放大与隔离整形电路，同时将滤波稳压后的电压经引脚3输入给锯齿波形成和脉冲形成部分作为供电电源。
另一方面，来自同步电源变压器副边的电压信号经同步环节检测出过零点，并在锯齿波形成环节根据用户在引脚7所接电阻的大小而决定的斜率形成锯齿波。
将该锯齿波与引脚9输入的控制电压 Uk 相比较以形成对应于同步信号的正、负半周脉冲。
交流调压原理—可控硅
6.1 交流调压电路交流调压电路采用两单向晶闸管反并联（图6-1(a)）或双向晶闸（图6-1（b）），实现对交流电正、负半周的对称控制，达到方便地调节输出交流电压大小的目的，或实现交流电路的通、断控制。
因此交流调压电路可用于异步电动机的调压调速、恒流软起动，交流负载的功率调节，灯光调节，供电系统无功调节，用作交流无触点开关、固态继电器等，应用领域十分广泛。
图6-1 交流调压电路交流调压电路一般有三种控制方式，其原理如图6-2所示。
图6-2 交流调压电路控制方式（1）通断控制通断控制是在交流电压过零时刻导通或关断晶闸管，使负载电路与交流电源接通几个周波，然后再断开几个周波，通过改变导通周波数与关断周波数的比值，实现调节交流电压大小的目的。
通断控制时输出电压波形基本正弦，无低次谐波，但由于输出电压时有时无，电压调节不连续，会分解出分数次谐波。
如用于异步电机调压调速，会因电机经常处于重合闸过程而出现大电流冲击，因此很少采用。
一般用于电炉调温等交流功率调节的场合。
（2）相位控制与可控整流的移相触发控制相似，在交流的正半周时触发导通正向晶闸管、负半周时触发导通反向晶闸管，且保持两晶闸的移相角相同，以保证向负载输出正、负半周对称的交流电压波形。
相位控制方法简单，能连续调节输出电压大小。
但输出电压波形非正弦，含有丰富的低次谐波，在异步电机调压调速应用中会引起附加谐波损耗，产生脉动转矩等。
（3）斩波控制斩波控制利用脉宽调制技术将交流电压波形分割成脉冲列，改变脉冲的占空比即可调节输出电压大小。
斩波控制输出电压大小可连续调节，谐波含量小，基本上克服了相位及通断控制的缺点。
由于实现斩波控制的调压电路半周内需要实现较高频率的通、断，不能采用晶闸管，须采用高频自关断器件，如GTR、GTO、MOSFET、IGBT等。
实际应用中，采取相位控制的晶闸管型交流调压电路应用最广，本章将分别讨论单相及三相交流调压电路。
6.1.1 单相交流调压电路单相交流调压电路原理图如图6-1所示，其工作情况与负载性质密切相关。
双向可控硅的工作原理
双向可控硅的⼯作原理双向可控硅的⼯作原理BT137 800E 8A 800V TO-220中间为阳极A，左边为阴极K，右边为控制极GBTA41 800B 41A 800V TO-3P左边为阳极A，中间为阴极K，右边为控制极GBTA24-1200B左边为阳极A，中间为阴极K，右边为控制极G可调电炉原理：从中间阳极A进，通过电阻，从电位器下进，中间出，（1、进⼊电容。
2、进另⼀电阻，⾄控制极G，控制阴极输出）。
1.可控硅是P1N1P2N2四层三端结构元件，共有三个PN结，分析原理时，可以把它看作由⼀个PNP管和⼀个NPN管所组成当阳极A加上正向电压时，BG1和BG2管均处于放⼤状态。
此时，如果从控制极G输⼊⼀个正向触发信号，BG2便有基流ib2流过，经BG2放⼤，其集电极电流ic2=β2ib2。
因为BG2的集电极直接与BG1的基极相连，所以ib1=ic2。
此时，电流ic2再经BG1放⼤，于是BG1的集电极电流ic1=β1ib1=β1β2ib2。
这个电流⼜流回到BG2的基极，表成正反馈，使ib2不断增⼤，如此正向馈循环的结果，两个管⼦的电流剧增，可控硅使饱和导通。
由于BG1和BG2所构成的正反馈作⽤，所以⼀旦可控硅导通后，即使控制极G的电流消失了，可控硅仍然能够维持导通状态，由于触发信号只起触发作⽤，没有关断功能，所以这种可控硅是不可关断的。
由于可控硅只有导通和关断两种⼯作状态，所以它具有开关特性，这种特性需要⼀定的条件才能转化2,触发导通在控制极G上加⼊正向电压时（见图5）因J3正偏，P2区的空⽳时⼊N2区，N2区的电⼦进⼊P2区，形成触发电流IGT。
在可控硅的内部正反馈作⽤（见图2）的基础上，加上IGT的作⽤，使可控硅提前导通，导致图3的伏安特性OA段左移，IGT越⼤，特性左移越快。
⼀、可控硅的概念和结构？晶闸管⼜叫可控硅。
⾃从20世纪50年代问世以来已经发展成了⼀个⼤的家族，它的主要成员有单向晶闸管、双向晶闸管、光控晶闸管、逆导晶闸管、可关断晶闸管、快速晶闸管，等等。
可控硅调压电路原理
可控硅调压电路原理_可控硅调压器电路图_晶闸管交流调压电路分析图1 交流可控硅调压电路原理方框图（1）整流电路采用桥式整流,将220伏,50赫兹交流电压变为脉动直流电。
（2）抗干扰电路为普通电源抗干扰电路。
（3）可控硅控制电路采用可控硅和降压电阻组成。
（4）张弛振荡器由单结晶体管和电阻组成。
（5）冲放电电路有电阻和可变电阻及电容组成。
图2 交流可控硅调压电路的原理图3. 可控硅(晶闸管)交流调压电路工作原理图中TVP抗干扰普通电源电路。
采用双向TVP管子。
它对于电网的尖脉冲电压和雷电叠加电压等等干扰超过去额定的数值量,都能有效的吸收。
整流电路采用桥式整流,由4只二极管组成,D1,D2,D3,D4组成。
双基极二极管组成张弛真振荡器作为可控硅的同步触发电路。
当调压器接上市电后220伏交流电通过负载电阻Rc,二极管D1到D4整流,在可控硅SCH的A ,K两极形成一个脉动的直流电压。
该电压由电阻R1降压后作为触发电路的直流电源。
在交流的正半周时,整流电路通过电阻R1,可变电阻W1对电容充电。
当充电电压T1管的峰值电压Up时,管子由截止变为导通。
于是电容C通过T1管的e1,b1结和R2迅速的放电,结果在R2上获得一个尖脉冲。
这个脉冲作为控制信号送到可控硅SCR的控制极,使可控硅导通。
可控硅导通后的管压降很低,一般小于1伏,所以张弛振荡器停止工作。
当交流电通过0点时,可控硅自行关断。
当交流电在负半周时C又重新充电…周而复始。
改变可变电阻的阻值可改变电容的冲放电时间,从而改变可控硅的导通时刻,来改变负载上的的输出电压。
4. 可控硅(晶闸管)交流调压电路元件参数的选择（1）二极管D1,D2,D3,D4于300伏,整流电流大于0.3安的硅流二极管。
型号2CZ21B, 2CZ83E。
（2）晶闸管选用正向与反向电压大于300伏,额定平均电流大于1安的可控硅整流器件。
型号国产3CT。
（3）调压电位器选用阻值围470千欧的WH114—1型的合成炭膜电位器。
双向可控硅的工作原理及原理图
双向可控硅的工作原理及原理图引言概述：双向可控硅（Bilateral Switch）是一种常用的电子元件，广泛应用于电路控制和功率调节中。
本文将详细介绍双向可控硅的工作原理和原理图。
一、双向可控硅的基本概念1.1 双向可控硅的定义双向可控硅是一种半导体器件，具有双向导通特性。
它可以在正向和反向电压下都能够控制电流的通断，具有较高的电流承受能力和较低的导通压降。
1.2 双向可控硅的结构双向可控硅由两个PN结组成，形成了一个四层结构。
其中，两个PN结分别称为主结和辅助结。
主结的结型（P型或N型）决定了双向可控硅通电时的导通方向。
1.3 双向可控硅的特性双向可控硅具有以下特性：- 双向导通：在正向和反向电压下都能够控制电流的通断。
- 高电流承受能力：能够承受较大的电流，适用于高功率电路。
- 低导通压降：导通时的电压降低，减少能量损耗。
二、双向可控硅的工作原理2.1 正向导通状态当正向电压施加在主结上时，主结处于正向偏置状态。
此时，主结与辅助结之间的PN结处于反向偏置状态，阻止电流流动。
只有当触发电压施加在控制端时，主结才能导通，电流流过双向可控硅。
2.2 反向导通状态当反向电压施加在主结上时，主结处于反向偏置状态。
此时，主结与辅助结之间的PN结处于正向偏置状态，允许电流流动。
只有当触发电压施加在控制端时，主结才能导通，电流流过双向可控硅。
2.3 关断状态当没有触发电压施加在控制端时，无论正向还是反向电压施加在主结上，双向可控硅都处于关断状态，电流无法通过。
三、双向可控硅的原理图双向可控硅的原理图如下所示：（在此插入双向可控硅的原理图）在原理图中，双向可控硅的主结和辅助结分别用P和N表示。
控制端通过触发电压来控制双向可控硅的导通状态。
四、双向可控硅的应用领域4.1 电路控制双向可控硅可以用于电路的开关控制，例如用于触发器、计时器和触摸开关等电路中。
4.2 电源调节双向可控硅可以用于电源调节，例如用于电压调节器、电流控制器和电能调节器等电路中。
双向可控硅的工作原理及原理图
双向可控硅的工作原理及原理图双向可控硅（Bilateral Controlled Silicon, BCT）是一种常用的半导体器件，广泛应用于电力电子领域。
它具有双向导通特性，可以在正向和反向电压下控制电流的导通和截止。
本文将详细介绍双向可控硅的工作原理及原理图。
一、双向可控硅的工作原理双向可控硅由四个层状结构的半导体材料构成，分别是P型半导体（P），N 型半导体（N），P型半导体（P）和N型半导体（N）。
其中，两个P型半导体层分别与两个N型半导体层形成PN结。
在正向电压作用下，当P1区域施加正向电压，P1-N1结处于正向偏置状态，电子从N1区域注入到P1区域，形成电流。
同时，P2-N2结处于反向偏置状态，电子不能从N2区域注入到P2区域，无法形成电流。
此时，双向可控硅处于导通状态。
在反向电压作用下，当P2区域施加反向电压，P2-N2结处于反向偏置状态，电子从P2区域注入到N2区域，形成电流。
同时，P1-N1结处于正向偏置状态，电子不能从P1区域注入到N1区域，无法形成电流。
此时，双向可控硅处于截止状态。
双向可控硅的导通与截止状态可以通过控制终端之间的触发电压和触发电流来实现。
当触发电压和触发电流达到一定的阈值时，双向可控硅将从截止状态切换到导通状态。
当触发电压和触发电流降低到一定的阈值时，双向可控硅将从导通状态切换到截止状态。
二、双向可控硅的原理图下图为双向可控硅的原理图示意图：```+---|>|---|<|---+| |+---|<|---|>|---+```其中，箭头表示PN结的方向。
在实际电路中，双向可控硅通常由两个PNP型晶体管和两个NPN型晶体管组成。
在原理图中，上方的PNP型晶体管与下方的NPN型晶体管共同构成一个双向可控硅。
当上方的PNP型晶体管的基极接收到正向触发电压时，PNP型晶体管将导通，形成正向电流。
当下方的NPN型晶体管的基极接收到反向触发电压时，NPN型晶体管将导通，形成反向电流。
双向可控硅调压电路元器件的选择
双向可控硅（bidirectional controlled silicon, BCR）调压电路是一种常见的电子调压电路，它能够实现直流电压的调节和控制。
在设计双向可控硅调压电路时，选择合适的元器件对于电路的性能和稳定性至关重要。
本文将针对双向可控硅调压电路元器件的选择进行详细讨论。
一、双向可控硅双向可控硅是一种半导体器件，具有双向触发功能，能够进行正、负向的电压调节。
它的主要特点包括触发电压低、响应速度快、耐绝缘能力强等。
在双向可控硅调压电路中，合适的双向可控硅能够有效提高电路的稳定性和可靠性。
二、双向可控硅调压电路元器件的选择1. 双向可控硅在选择双向可控硅时，需要考虑其额定电压和电流、触发电压、耐压能力等参数。
一般来说，选择额定电压和电流略大于实际需要的数值，以确保电路能够正常工作并具有一定的过载能力。
2. 电容器电容器在双向可控硅调压电路中起着滤波和稳压的作用。
选择电容器时，需要考虑其电压等级、容量、频率响应等参数。
合适的电容器能够减小电路的波纹电压和干扰，提高电路的稳定性。
3. 电感电感也是双向可控硅调压电路中常用的元器件之一，主要用于滤波和能量存储。
选择电感时，需要考虑其电流、电感值、耐压能力等参数。
合适的电感能够减小电路的电磁干扰和输出波纹，并提高电路的效率。
4. 整流二极管整流二极管用于将交流电转换为直流电，并起着保护电路的作用。
在选择整流二极管时，需要考虑其额定电压、电流、反向漏电流等参数。
合适的整流二极管能够有效减小功率损耗和提高电路的效率。
5. 电阻电阻用于限流和分压，是双向可控硅调压电路中不可或缺的元器件。
在选择电阻时，需要考虑其阻值、功率、稳定性等参数。
合适的电阻能够确保电路的稳定性和安全性。
6. 负载负载是双向可控硅调压电路中直接影响输出性能的元器件，包括电机、灯泡、电炉等。
在选择负载时，需要考虑其功率、阻抗、响应速度等参数。
合适的负载能够确保电路的输出稳定并能够适应不同的工作环境。
十二篇可控硅交流调压电路解析
第一篇：可控硅是一种新型的半导体器件，它具有体积小、重量轻、效率高、寿命长、动作快以及使用方便等优点,目前交流调压器多采用可控硅调压器。
这里介绍一台电路简单、装置容易、控制方便的可控硅交流调压器，这可用作家用电器的调压装置，进行照明灯调光，电风扇调速、电熨斗调温等控制。
这台调压器的输出功率达100W，一般家用电器都能使用。
1：电路原理：电路图如下可控硅交流调压器由可控整流电路和触发电路两部分组成，其电路原里图如下图所示。
从图中可知，二极管D1-D4组成桥式整流电路，双基极二极管T1构成张弛振荡器作为可控硅的同步触发电路.当调压器接上市电后，220V 交流电通过负载电阻RL经二极管D1—D4整流,在可控硅SCR的A、K两端形成一个脉动直流电压，该电压由电阻R1降压后作为触发电路的直流电源.在交流电的正半周时，整流电压通过R4、W1对电容C充电。
当充电电压Uc达到T1管的峰值电压Up时，T1管由截止变为导通，于是电容C通过T1管的e、b1结和R2迅速放电,结果在R2上获得一个尖脉冲。
这个脉冲作为控制信号送到可控硅SCR的控制极, 使可控硅导通.可控硅导通后的管压降很低,一般小于1V，所以张弛振荡器停止工作。
当交流电通过零点时，可控硅自关断.当交流电在负半周时,电容C又从新充电……如此周而复始，便可调整负载RL上的功率了。
2：元器件选择调压器的调节电位器选用阻值为470KΩ的WH114—1型合成碳膜电位器,这种电位器可以直接焊在电路板上，电阻除R1要用功率为1W的金属膜电阻外,其佘的都用功率为1/8W的碳膜电阻.D1—D4选用反向击穿电压大于300V、最大整流电流大于0.3A的硅整流二极管，如2CZ21B、2CZ83E、2DP3B等。
SCR选用正向与反向电压大于300V、额定平均电流大于1A的可控硅整流器件，如国产3CT系例。
第二篇：本例介绍的温度控制器，具有SB260取材方便、性能可靠等特点，可用于种子催芽、食用菌培养、幼畜饲养及禽蛋卵化等方面的温度控制，也可用于控制电热毯、小功率电暖器等家用电器。
双向晶闸管交流调压的工作原理
双向晶闸管交流调压的工作原理双向晶闸管（Bidirectional Thyristor，简称Triac）是一种四层半导体器件，具有两个PN结和一个NPN结。
它可以同时控制正半周期和负半周期的电流，实现交流电压的调节。
双向晶闸管通过控制电流的触发角来实现电压控制。
双向晶闸管是一个三极管开关。
当控制电压大于触发电压时，双向晶闸管处于导通状态，即工作在低电阻状态；当控制电压小于触发电压时，双向晶闸管处于关断状态，即工作在高电阻状态。
双向晶闸管交流调压的基本原理是利用触发角控制输入电压的导通角度，从而控制输出电压的大小。
1.基本电路：双向晶闸管交流调压的基本电路由三个部分组成，即输入电源、加载电阻和双向晶闸管。
输入电源提供交流电压，加载电阻将电流限制在一个可控范围内，双向晶闸管则控制电压的导通角度。
2.触发电路：为了控制双向晶闸管的导通角度，需要设计一个触发电路。
触发电路根据输入电压变化生成触发脉冲信号，并通过控制脉冲的宽度和相位来控制双向晶闸管的导通时间。
触发电路通常由耦合元件、隔直电路和定时电路组成。
3.工作原理：当输入电压正半周期大于控制电压时，双向晶闸管导通，电流通过双向晶闸管和加载电阻，输出电压为输入电压。
当输入电压正半周期小于控制电压时，双向晶闸管关断，电流不再通过加载电阻，输出电压为零。
通过控制触发角度，可以改变双向晶闸管导通时间，从而改变输出电压的大小。
4.调压方式：双向晶闸管交流调压主要有两种方式，即相位控制方式和频率控制方式。
在相位控制方式下，通过改变触发脉冲的相位来控制双向晶闸管的导通角度，从而改变输出电压的大小。
在频率控制方式下，通过改变触发脉冲的宽度来控制双向晶闸管的导通时间，从而改变输出电压的大小。
相位控制方式适用于需要精确控制输出电压的场合，而频率控制方式适用于需要大范围调节输出电压的场合。
5.优缺点：双向晶闸管交流调压具有调节范围广、操作简单、响应速度快等优点。
然而，双向晶闸管交流调压也存在一些缺点，如容易产生电磁干扰、功率损耗大等。