数字电子技术实验指导书 新
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数字电子技术基础
实验指导书
(适用于数字逻辑、数字电子技术基础、数字电子技术等课程)
北京印刷学院
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北京印刷学院
信息与机电工程学院
信息工程系
《数字电子技术基础实验》
指
导
书
(适用于数字逻辑、数字电子技术基础、数字电子技术等课程)
电路教研室编
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实验一 示波器的实验研究
一、实验目的与要求
1.掌握COS5020型或V —212E 型双踪示波器的使用方法 2.掌握用示波器测量脉冲波形主要参数的方法 3.熟悉TPE —D6数字电路学习机的使用 二、实验设备与器材
1.双踪示波器 2.数字电路学习机 三、实验内容与步骤
1.双线显示示波器内的CAL 信号
通过检验该信号的周期与幅度,熟悉示波器各旋钮的作用,并测量该信号的周期与幅度。
=CAL V =C A L T
2.示波器测量
用示波器测量数字电路学习机中CP 脉冲的周期(开关放在可调连续脉冲Ⅰ、Ⅱ位置,电位器顺逆时针旋转到底位置),以及该脉冲的逻辑高电平。
=I ax m V =I min T = ax m V = min T
3.观察与测量RC 网络对矩形波信号的响应
本实验所用的电路形式如图1-1所示。
图1-1 RC 实验电路
v I 为输入方波信号,其周期为T =0.1ms 。
(1)RC 微分电路 实验电路中的Z 1和Z 2分别是电容C 和电阻R ,元件参数按表1-1选取,观察与测量输出信号v O 的波形,并测量其脉冲宽度。
(2)RC 积分电路 实验电路中的Z 1和Z 2分别是电阻R 和电容C ,元件参数按表1-2选取,观察与测量输出信号v O 的波形,并测量其脉冲上升时间。
四、预习要求
预习RC微分电路和RC积分电路的原理
五、实验报告要求
记录实验中所观察到的波形及其参数,把输入、输出波形按时间的对应关系画在坐标纸上。定量和定性分析图1-1电路,输出与输入波形的关系。
表1-1RC微分电路测试纪录
表1-2 RC积分电路测试纪录
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实验二 晶体管开关特性的研究
一、实验目的与要求
1.了解晶体管的开关特性
2.了解电路参数对晶体管开关时间的影响 二、实验设备与器材
1.双踪示波器 2.数字电路学习机 3.数字万用表 三、实验内容与要求
1.晶体二极管开关特性的观察与测试 (1)连接电路
连接电路如图2-1(a )所示,输入ƒ = 100kHz 、V =3~5V 的方波信号,用双踪示波器直流档(DC )观察并画下V i 与V o 的对应时间关系波形于图2-1(b ),标明各点电压值。
(2)测试与比较 将R C 改为1kΩ,画输出波形于图2-1(b )。将R C 改为10kΩ,画输出波形于图2-1(b )。R C 为不同值时的输出波形进行比较。
i
V
图2-1 二极管开关特性测量
D
v i
v
v v
o R C =1kΩ R C =5.1kΩ R C =10kΩ
2.晶体三极管开关特性研究
(1)连接电路如图2-2所示,图中T 采用开关管3DK ,输入ƒ = 20kHz 、V =3~5V 的方波,用双踪示波器直流档(DC )观察并画下V i 与V o 的波形,标明电压值。
V o
+5V
图2-2 三极管开关特性测量
V i
V V f =20kHz f =100kHz
(b ) 三极管为开关管时的波形图
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改变输入频率为ƒ = 100kHz 、V =3~5V 的方波,用双踪示波器直流档(DC )观察并画下V i 与V o 的波形,标明电平值。
(2)将图中T 改用低频管3BX ,输入ƒ = 20kHz 、V =3~5V 的方波时,记录输出波形。 改变输入频率ƒ = 100kHz 、V =3~5V 的方波,记录输出波形,如图2-3。
图2-3 三极管为低频管时的输出波形
V i
V V t
t
t
f =20kHz f =100kHz
(3)加速电容作用观察
在图2-2电路基极电阻R 两端并接加速电容C (100pF 或200 pF ),改变电容值观察输出波形V O 的变化,与未接加速电容时进行比较。并记录当三极管为低频管(3BX )时的波形于图2-4。
图2-4 三极管为低频管时并接加速电容时的输出波形
V i
V V t t
t
f =20kHz f =100kHz
(4)对于图2-2电路,若图中T 改用PNP 管的开关管(3CK )和低频管(3AX ),输入、输出波形如何?
四、预习要求
预习二极管、三极管的开关特性 五、实验报告要求
1.总结二极管、三极管的开关特性 2.加速电容对输出波形的影响
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实验三 集成与非门电路的测试
一、实验目的与要求
1.熟悉与非门主要技术指标的实际测量方法 2.认识与非门的逻辑功能
3.进一步熟悉电路学习机的使用方法 二、实验设备与器材 1.双踪示波器 2.数字电路学习机 3.数字万用表 三、实验内容和步骤 1.认识元件及管脚 认识与非门74LS10芯片的逻辑符号,如图3-1。
2.主要指标的测量
(1)空载导通电源电流I E1及空载导通功耗P ON ,电路如图3-2。 P ON = V CC •I E1 < 120 mw (典型值50 mw )即I E1< 14 mA 实测I E1 = ( mA )
(2)空载截止电源电流I E2及空载截止功耗P OFF ,电路如图3-3。 P OFF = V CC •I E2 < P ON 实测I E2 = ( mA ) (3)输入短路电流I I S
将“与非门”任一输入端经mA 表接地,其余悬空测出的I I S 应小于2 mA ,电路如图3-4。
实测I IS = ( mA )
图3-2 P ON 的测量
1 2 4
Z 图3-1 “与非门”逻辑符号 (a ) 3输入正与非门 74LS10
1A 1B 2A 2B 2C 2Y GND
图3-1(b )
图3-3 P OFF 的测量
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