ram扩展讲解

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51单片机外部ram扩展c程序及硬件结构

51单片机外部ram扩展c程序及硬件结构

c程序#include<reg52.h>#include<absacc.h>#define uchar unsigned char#define uint unsigned intint n,m;void main(){unsigned int i;while(1){for(i=0x0000;i<=0x7fff;i++){XBYTE[i]=n;//写入ram}for(i=0x7fff;i>0x0000;i--){m=XBYTE[i];//读外部存储器}}}62256外部ram芯片相关知识:XBYTE是一个地址指针(可当成一个数组名或数组的首地址),它在文件absacc.h中由系统定义,指向外部RAM(包括I/O口)的0000H单元,XBYTE后面的中括号[ ]0x2000H 是指数组首地址0000H的偏移地址,即用XBYTE[0x2000]可访问偏移地址为0x2000的I/O端口。

这个主要是在用C51的P0,P2口做外部扩展时使用,其中XBYTE [0x0002],P2口对应于地址高位,P0口对应于地址低位。

一般P2口用于控制信号,P0口作为数据通道。

比如:P2.7接WR,P2.6接RD,P2.5接CS,那么就可以确定个外部RAM的一个地址,想往外部RAM的一个地址写一个字节时,地址可以定为XBYTE [0x4000],其中WR,CS为低,RD为高,那就是高位的4,当然其余的可以根据情况自己定,然后通过XBYTE [0x4000] = 57;这赋值语句,就可以把57写到外部RAM的0x4000处了,此地址对应一个字节。

XBYTE 的作用,可以用来定义绝对地址,是P0口和P2口的,其中P2口对应的是高位,P0口对应的是低位如XBYTE[0x1234] = 0x56;则等价于mov dptr,#1234hmov @dptr,#56h谢谢大家。

ram的应用举例及原理

ram的应用举例及原理

RAM的应用举例及原理RAM简介RAM (Random Access Memory) 是计算机中一种常见的内存类型,用于临时存储数据和指令。

与ROM (Read-Only Memory) 不同,RAM可以读取和写入数据,其内容随电源关闭而丢失。

RAM可以快速访问,因此在计算机系统中扮演着重要的角色。

RAM的原理RAM的原理是基于电子存储单元来存储数据。

每个存储单元都由一个开关和一个电容器组成,用于表示一个位 (0或1)。

通过充电和放电来表示位的状态,电容器充满时表示位为1,电容器不充满时表示位为0。

RAM通过读取和写入电容器的状态来存储和检索数据。

RAM的应用举例1. 操作系统内存管理在操作系统中,RAM被广泛用于存储操作系统本身和运行的应用程序。

操作系统通过内存管理技术将可用的RAM划分成不同的区域,并为每个应用程序分配一定的内存空间。

这样可以保证每个应用程序都有足够的RAM来执行任务,同时避免应用程序之间的干扰。

•列点1:RAM在操作系统中用于存储操作系统本身和运行的应用程序。

•列点2:操作系统通过内存管理技术将可用的RAM划分成不同的区域。

•列点3:每个应用程序分配一定的内存空间,以保证它们能够正常运行。

2. 数据库管理系统在数据库管理系统中,RAM用于存储数据库的缓存。

由于RAM具有高速访问的特点,将数据库的常用数据存储在RAM中可以极大地提高数据库的访问性能。

通过RAM缓存,数据库系统可以在快速地检索和更新数据。

•列点1:RAM用于存储数据库的缓存。

•列点2:将常用数据存储在RAM中可以提高数据库的访问性能。

•列点3:通过RAM缓存,数据库系统可以在快速地检索和更新数据。

3. 图形处理在图像和视频处理应用中,RAM用于存储图像数据。

图像处理程序可以将图像读取到RAM中,进行处理和操作,然后将结果写回到RAM中或输出到显示器。

高速的RAM可以保证图像处理过程的流畅性和快速响应。

•列点1:RAM用于存储图像数据。

单片机内部RAM的扩展

单片机内部RAM的扩展

STC单片机内部扩展RAM的应用作者:郭天祥来源:原创更新时间:2008-11-27 21:19:35 浏览次数:5803RAM是用来在程序运行中存放随机变量的数据空间,51单片机默认的内部RAM只有128字节,52单片机增加至256字节,STC89C52增加到512字节,STC89C54、55、58、516等增加到1280字节,对于编程者来说,一个芯片的RAM越多,写起程序来就越容易得心应手,不会总考虑RAM不够用而担心这担心那,连过多的变量都不敢定义。

在前面我们写程序时曾讲到过,如果定义一个变量后,不对这个变量进行初始化,这个变量默认的初值就是0,其实这个结论是需要一定的条件的,在用KEIL编写程序时,总程序中所有变量占用的字节之和小于128字节,并且存储器模式为small模式的前提下,对定义的变量不进行初始化时,编译器会默认将变量值设定为0。

一旦程序中的总变量超过128字节,必须对所有变量进行初始化,否则,没有被初始化的变量默认值将是不确定的。

当变量总和超过128字节时,必须还要在编译器中重新设定存储器的存储模式,存储器模式一共有3种,分别为small、compact和large模式,在KEIL编译器中有选项可进行选择,选项表如图4.4.1所示。

它决定了没有明确指定存储类型的变量、函数参数等数据的默认存储区域。

如果在某些函数中需要使用非默认的存储模式,也可以使用关健字直接说明。

下面对这三种模式分别做介绍。

1. small模式small模式中,所有缺省变量参数均装入单片机内部128字节RAM中,当定义类似如:uchar a; float b;等变量时,这些变量都装入内部128字节RAM中。

使用该模式的优点是访问速度快,缺点是空间有限,而且是对堆栈的空间分配比较少,难以把握,碰到需要递归调用的时候需要小心。

所以这种模式只适用于小程序。

2. compact模式compact模式中,所有缺省变量均位于单片机内部256字节RAM中,和在small模式中使用关健字pdata 来定义变量的效果相同,如:uchar pdata a[100];在该种模式下,程序总变量不得超过256字节,对于只有128字节的单片机,使用此模式定义变量超过128字节时,程序将出错。

存储器扩展实验.

存储器扩展实验.

实验一存储器扩展实验一、实验目的1、学习掌握存储器扩展方法和存储器读/写。

2、掌握存储器地址译码方法。

3、了解6264RAM特性。

二、实验设备1、TDN86/51或TDN86/88教学实验系统一套2、排线、导线若干三、实验内容及步骤(共2个实验)1、扩展存储器的地址编码2、存储器扩展实验(1)、按实验(1)线路图所示编写程序,通过8255产生适当的时序对6264RAM进行读/写。

实验程序如下:STACK SEGMENT STACK DW 64 DUP(?) STACK ENDSCODE SEGMENTASSUME CS:CODESTART: MOV BX,3000H MOV DX,0E010HMOV CX,0010HMOV AL,80HOUT 63H,ALA1: MOV AL,DHOUT 62H,ALMOV AL,DLOUT 61H,ALMOV AL,[BX]OUT 60H,ALMOV AL,0CHOUT 63H,ALMOV AL,0DHOUT 63H,ALINC BXINC DXLOOP A1MOV AL,90HOUT 63H,ALMOV BX,3000HMOV CX,0010HMOV DX,0E010HMOV SI,4000HA2: MOV AL,DHOUT 62H,ALMOV AL,DLOUT 61H,ALMOV AL,0EHOUT 63H,ALIN AL,60HMOV [SI],ALCMP AL,[BX]JNZ A4MOV AL,0FHOUT 63H,ALINC SIINC BXINC DXLOOP A2MOV AX,014FHINT 10HMOV AX,014BHINT 10HA3: JMP A3A4: MOV AX,0145HINT 10HA5: JMP A5CODE ENDSEND START实验步骤:①分析线路图,画出参考程序流程图;②按图(1)连接实验线路;③输入程序并检查无误,经汇编、连接后装入系统;④在3000~300FH单元中填入16个数;⑤运行程序,在“OK”(正确)或“E”(错误)提示出现后,用CTRL+C来终止程序运行;⑥用D命令检查4000~400FH单元中的内容和3000~300FH中的数据是否一致。

cpu扩展ram芯片的基本方法

cpu扩展ram芯片的基本方法

CPU扩展RAM(Random Access Memory)芯片是增加计算机系统内存容量的一种常见方法。

以下是一些基本的方法来扩展RAM芯片:
插槽升级:许多计算机系统具有用于插入RAM芯片的插槽。

通过添加更多的RAM模块或替换现有的RAM模块来扩展RAM容量。

这通常涉及打开计算机的机箱,找到RAM插槽,并将新的RAM插入其中。

确保选择与计算机兼容的RAM模块,并遵循制造商的安装指南。

内置RAM板卡:某些计算机系统具有可添加的RAM板卡插槽,允许直接安装更多的RAM。

这些板卡可以插入到主板上的扩展插槽中,并通过连接器与计算机系统进行通信。

安装RAM 板卡可能需要一些专业知识和技能,因此在操作之前请仔细阅读相关文档或寻求专业帮助。

虚拟内存管理:操作系统可以使用虚拟内存管理技术来扩展RAM容量。

虚拟内存允许将部分数据存储在硬盘上,以释放RAM的部分负担。

这样,计算机可以使用硬盘作为扩展的"虚拟"RAM。

尽管虚拟内存可以提供更大的可用内存空间,但与实际RAM相比,它的读写速度较慢,可能会影响系统性能。

需要注意的是,扩展RAM容量可能需要考虑计算机的硬件和操作系统的限制。

确保了解计算机的规格和支持的RAM类型,以及操作系统对RAM容量的限制。

此外,为了获得最佳性能,建议选择高质量、与系统兼容的RAM模块,并遵循相关的安装和配置指南。

存储器扩展(课堂PPT)

存储器扩展(课堂PPT)
例: 用4K×4位的存储器芯片经位扩充构成4KB的存 储器,需要 2片 存储芯片,扩充如图示。
4K×8 4K×4
=2片
青岛科技大学
4
2. 字扩展
❖ 适用场合:存储器芯片的字长符合存储器系统的 要求,但其容量小于存储器系统的要求。
❖ 这时,可使用到地址译码电路,以其输入的地址 码来区分高位地址,而以其输出端的控制线来对 具有相同低位地址的几片存储器芯片进行片选。
3. 字位扩充
3. 字位扩充
青岛科技大学
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小结 存储器扩充可以分为3个步骤:
选择适合的芯片; STEP1
根据要求将芯片“多片并联” STEP2 进行位扩充,设计出满足字
长要求的“存储模块”;
对“存储模块”进行字扩充 STEP3 ,构成符合要求的存储器。
青岛科技大学
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这是你们收获的季节,丰收去吧!
读/写信号 片选信号
R/W A11~A0 4K×4
SRAM CS D3~D0
R/W A11~A0 4K×4
SRAM CS D3~D0
0100 0001
D7~D4 数据总线DB
D3~D0
位扩充连接示意图
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2. 字扩展
CPU是根据存储器的地址访问相应的内 容,地址是唯一的,因此每一块芯片地的址总线AB 地址范围不同,则可以连接译码器不同 的输出端对存储器芯片进行片选。
青岛科技大学
8
3. 字位扩展
【例5-5】用Intel2164(64K×1)构成容量为 128KB的内存,连接线路如图示。 所需的芯片数: (128×8 ) /(64×1)=16片
8片组成64KB的内存模块 2组8内存模块构成128KB的内容容量

主存储器容量扩展的方法

主存储器容量扩展的方法

主存储器容量扩展的方法主存储器容量是计算机系统中重要的组成部分,它直接影响着计算机的运行速度和能力。

在现代计算机系统中,随着计算机应用场景的不断扩展,对主存储器容量的需求也越来越大。

为了满足这一需求,人们提出了各种方法来扩展主存储器容量。

本文将系统地介绍主存储器容量扩展的方法。

主存储器容量扩展的方法可以分为物理方法和逻辑方法两大类。

物理方法主要包括增设内存条、使用高密度存储器件和分布式存储系统等;逻辑方法则主要包括虚拟存储和页面置换等。

一、增设内存条增设内存条是增加主存储器容量的最简单也是最直接的方法之一。

通过增加内存条的数量,就可以扩展主存储器的容量。

这种方法的优点是简单、成本低,但也存在一定的限制,因为主板的插槽数量和支持的内存条容量有限。

二、使用高密度存储器件随着半导体技术的发展,高密度存储器件如DRAM(动态随机存储器)和NAND 闪存逐渐成为了一种常见的主存储器扩展方法。

DRAM是一种非常快速的主存储器,但它的存储密度有限;而NAND闪存具有非常高的存储密度和可擦写性,但速度相对较慢。

使用高密度存储器件扩展主存储器容量的方法有多种。

一种常见的方法是通过内存芯片的堆叠来增加DRAM芯片的存储密度。

例如,3D XPoint技术可以将多个DRAM芯片堆叠在一起,从而实现更高的存储密度。

另一种常见的方法是采用闪存作为主存储器。

闪存具有非常高的存储密度和较低的功耗,因此它在嵌入式系统和移动设备中得到了广泛的应用。

在这种方案中,计算机系统将数据从主存储器复制到闪存中,在需要时再将数据从闪存中读取到主存储器中。

这种方法的优点是可以显著提高主存储器的容量,但其缺点是速度相对较慢,并且需要额外的控制逻辑。

三、分布式存储系统分布式存储系统是一种通过网络将多个计算机的存储资源组合起来形成一个虚拟的存储系统,从而扩展主存储器容量的方法。

在分布式存储系统中,多个计算机通过网络连接在一起,彼此共享各自的存储资源。

了解电脑内存(RAM)的作用与扩展方法

了解电脑内存(RAM)的作用与扩展方法

了解电脑内存(RAM)的作用与扩展方法在当今信息时代,电脑已经成为人们生活和工作中不可或缺的一部分。

其中,电脑内存(RAM)作为电脑的核心组件之一,对于电脑的性能和运行速度起着重要的作用。

本文将详细介绍电脑内存的作用以及扩展方法,帮助读者更好地了解和优化电脑内存的使用。

一、电脑内存的作用电脑内存(Random Access Memory)是计算机中用于存储正在运行的程序和数据的临时存储设备。

它的作用主要可以总结为以下几点:1. 存储运行程序:内存承载着操作系统和各种软件程序的运行,在计算机运行过程中起到临时存储数据的作用。

较大的内存容量可以让计算机同时运行更多的程序,提高任务并行度和系统的响应速度。

2. 加快数据传输速度:内存与计算机的硬盘、固态硬盘(SSD)等存储设备相比,具有读写速度更快的特点。

将经常使用的数据加载到内存中,可以加快计算机对数据的读取和处理速度。

3. 缓解虚拟内存交换:虚拟内存是计算机中内存不足时的一种扩展方式,即将部分暂时不使用的数据存储到硬盘中,以释放内存空间。

较大的内存容量可以减少虚拟内存的使用,避免频繁的数据交换,提高系统的稳定性和性能。

二、电脑内存的扩展方法当我们发现电脑性能下降或运行速度变慢时,一种简单有效的提升电脑性能的方法就是扩展内存容量。

下面介绍几种常见的电脑内存扩展方法:1. 添加内存条:内存条是扩展电脑内存最常见的方式之一。

通过在电脑主板上的内存插槽中插入额外的内存条,可以增加电脑的内存容量。

在添加内存条时,需注意选择与电脑主板兼容的型号和容量,并确保内存条插入插槽正确牢固。

2. 提升内存频率:除了增加内存容量外,提升内存频率也可以改善电脑的性能。

一些电脑主板和内存条支持超频功能,用户可以通过BIOS设置或软件工具提高内存的工作频率,进而提升电脑的整体性能。

在超频时需要注意内存承受的上限和散热问题,避免造成设备损坏。

3. 配置双通道内存:对于支持双通道内存的电脑主板,将内存插槽中的内存条成对安装,可以提高内存的访问速度和数据传输效率,进而提升电脑的性能。

RAM的扩展1,静态读写存储器(SRAM)集成电路6264简介

RAM的扩展1,静态读写存储器(SRAM)集成电路6264简介

⏹RAM的扩展1,静态读写存储器(SRAM)集成电路6264简介⏹采用CMOS工艺制成,存储容量为8K×8位,典型存取时间为100ns、电源电压+5V、工作电流40mA、维持电压为2V,维持电流为2μA。

⏹8K=213,有13条地址线A0~A12;⏹每字有8位,有8条数据线I/O0~I/O7;⏹图6264引脚图四条控制线表6264的工作方式表2,扩展应用⑴位扩展(即字长扩展):将多片存储器经适当的连接,组成位数增多、字数不变的存储器。

方法:用同一地址信号控制n个相同字数的RAM例:将256×8的RAM扩展为256×16的RAM。

将2块256×8的RAM的所有地址线和CS(片选线)分别对应并接在一起,第一片的位输出作为整个RAM输出的低8位,第二片的位输出作为整个RAM输出的高8位。

⑵字扩展将多片存储器经适当的连接,组成字数更多,而位数不变的存储器。

例:由1024×8的RAM扩展为4096×8的RAM。

共需四片1024×8的RAM芯片。

1024×8的RAM有10根地址输入线A9~A0。

4096×8的RAM有12根地址输入线A11~A0。

选用2线-4线译码器,将输入接高位地址A11、A10,输出分别控制四片RAM的片选端。

(3)字位扩展例:将1024×4的RAM 扩展为2048×8 RAM 。

位扩展需2片芯片,字扩展需2片芯片,共需4片芯片。

字扩展只增加一条地址输入线A10,可用一反相器便能实现对两片RAM 片选端的控制。

字扩展是对存储器输入端口的扩展,位扩展是对存储器输出端口的扩展期末复习⏹二极管⏹二极管导电原理、主要特性、伏安特性曲线⏹特殊二极管:稳压、发光、光电二极管⏹三极管及其放大器⏹放大实质、放大器性能指标⏹三极管结构,分类、输入输出特性曲线⏹基本放大器组成及原理:共射、共集、共基,重点掌握共射基本放大器⏹放大器分析方法,求解性能指标参数⏹数字电路⏹数制、码制⏹逻辑代数基本运算、逻辑函数表示方法、逻辑代数基本定律及逻辑函数化简⏹集成TTL门电路、集成MOS逻辑门电路及其两种门电路的匹配连接问题。

电脑内存扩展教程轻松提升运行速度

电脑内存扩展教程轻松提升运行速度

电脑内存扩展教程轻松提升运行速度随着科技的不断发展,电脑成为人们生活和工作中必不可少的工具。

然而,随着时间的推移,电脑运行速度可能会变慢,影响我们的工作效率。

而其中一个常见的原因是电脑内存不足。

在本教程中,我们将探讨如何通过扩展电脑内存来轻松提升运行速度。

1. 了解电脑内存的作用电脑的内存(又称为RAM)是存储临时数据和程序的地方。

当电脑运行程序时,内存负责存储和处理数据,以提供快速的计算和响应。

如果内存不足,电脑将不得不依靠较慢的硬盘进行数据交换,从而导致运行速度下降。

2. 确定适合你电脑的内存类型在扩展电脑内存之前,我们需要确定适用于你电脑的内存类型。

这可以通过查看电脑制造商的规格说明或者使用特定的软件工具来确定。

常见的内存类型包括DDR3和DDR4等。

3. 了解内存条的容量和频率内存条的容量越大,你的电脑就能同时运行更多的程序和任务,从而提高运行速度。

同时,内存条的频率也对运行速度有影响,频率越高,速度越快。

在选择内存条时,建议选择容量大且频率高的内存条。

4. 关闭不必要的后台程序和服务在扩展内存之前,我们也可以尝试通过关闭不必要的后台程序和服务来释放内存。

这些后台程序和服务可能会占用大量的内存资源,导致电脑运行缓慢。

通过打开任务管理器,你可以查看并关闭这些程序和服务。

5. 关机并断开电源,并找到内存插槽在进行内存扩展之前,确保你的电脑已关机并断开电源。

然后,找到内存插槽,通常位于电脑主板上。

你可能需要参考你的电脑制造商的规格说明来确定插槽的位置。

6. 安装内存条小心处理内存条,并确保将其正确插入内存插槽中。

你可以根据内存条上的标记和插槽上的刻度来确定插入的方向和位置。

在正确插入内存条后,确保内存条牢固连接,并按厂商的规定锁定插槽。

7. 启动电脑并检查新的内存启动电脑后,你可以通过进入系统设置或使用特定的软件工具来检查新的内存是否被正确识别。

在系统设置中,你可以找到有关内存的相关信息,并确认是否增加了新的内存容量。

实验二 RAM扩展实验

实验二 RAM扩展实验

实验二RAM扩展实验(请在实验课前写好预习报告,预习报告日期必在做实验课之前,预习报告中应该出现跟实验1内容相关的原理,电路图(可简画),流程图(或是程序,有程序就必带注释))实验仪器:pc机,8086k微机原理实验箱实验目的:1.掌握存储器芯片的特性及与CPU的连接方法。

2.掌握访问连续存储空间的方法。

实验内容:(1必须在实验课前通过仿真实验完成,电路为EX2_1.DSN,程序为EX2_1.ASM)1.利用62256(32K×8bit)的静态SRAM芯片进行扩展,要求扩展的存储器容量为64KB,且要求和8086CPU相连接。

扩展后,利用此扩展的存储体进行读写访问,将内存0000H:4000H 地址开始的位置至0000H:4063H位置处依次写上0-99。

实验连线:提示:应该有哪三类线?实验流程图参考实验程序:assume cs:codecode segmentstart:mov ax,0000h ;设置DS的段地址值为0mov ds,axmov bx,4000H ;利用BX存放存储单元的偏移地址,从200H开始mov al,0 ;AL中为要写到存储单元中的数据。

初始值为1mov ds:[bx],al ;将1写入内存0000H:4000H地址处mov cx,100 ;设置循环次数为100次l1:mov ds:[bx],al ;循环体目的将AL中的值填入存储器inc bx ;偏移地址指针下移一个字节inc al ;待填充到存储单元的数据也自增1loop l1 ;根据CX的次数执行上面的循环体int 3 ;断点中断,目的是为了观察内存结果,用实验箱做实验时,不用这步code endsend start提示:如果仿真过程中把内存窗口关掉,可以按图中所示选择调试菜单中:即可出现思考问题:1)通过EX2_1.DSN仿真运行结果观察两块62256芯片写入的内容各有什么特点?为什么会产生这样的结果?2)停止运行,观察EX2_1.DSN仿真图,U7:62256芯片的片选段CE由那两个信号进行或运算获得?这两个信号都为哪种电平时才能选中这块U7:62256芯片。

51单片机外扩RAM

51单片机外扩RAM

单片机外部RAM扩展模块MCS-51系列单片机外部RAM为64K,在一些特殊场合下,远不能满足需要,本文就AT89C51讨论MCS-51系列单片机大容量RAM的扩首先介绍128K随机读取RAM HM628128。

HM628128是32脚双列直插式128K静态随机读取RAM,它具有容量大、功耗低、价格便宜、集成度高、速度快、设计和使用方便等特点。

如若在系统中加入掉电保护电路,保护数据有很高的可靠性,可以和EEPROM相媲美。

技术特性:(1)最大存取时间为120ns;(2)典型选通功耗75mW;典型未选通功耗10uW;(3)使用单一5V电源供电;(4)全静态存储器,不需要时钟及时序选通信号;(5)周期时间与存取时间相等;(6)采用三态输出电路,数据输入和输出端公用;图6 HM628128外部引脚(7)所有输入和输出引脚均与TTL电平直接兼容;(8)有两个片选端,适合于低功耗使用,即为了保存信息,用电池作为后备电源。

保存信息的最低电源电压Vcc=2V。

引脚安排及功能表:图6是HM628128的外部引脚排列图,各引脚名称及功用分别如下:A0~A16是17条地址线;I/O0~I/O7是8条双向数据线;CS1是片选1,低电平有效,CS2是片选2,高电平有效;WR是写控制线,当CS1为低电平,CS2为高电平时,WR的上升沿将I/O0~I/O7上的数据写到A0~A16选中的存储单元中;OE是读出允许端,低电平有效。

HM628128的功能表如表3所示。

其中,H表示高电平,L表示低电平,X表示任意状态由于AT89C51直接外部RAM容量为64K,地址线为16条,其中低8位地址和数据分时复用,因此需要外部地址锁存器和ALE锁存信号来锁存低8位地址。

又由于AT89C51的外部数据和外设地址通用,若扩展外设必然占用数据地址。

因此本系统采用P2.7(A15)口来区分数据和外设:当P2.7(A15)口为高电平时,选择外部数据;P2.7(A15)口为低电平时,则为外设。

实验RAM的扩展实验报告

实验RAM的扩展实验报告

实验RAM的扩展实验报告实验RAM的扩展实验报告一、引言随着计算机技术的不断发展,人们对于计算机存储器的需求也越来越高。

为了满足这一需求,研究人员不断努力开发新的存储器技术。

在本次实验中,我们将探究实验RAM的扩展实验,以探索如何提高计算机的存储器性能。

二、实验目的本次实验的主要目的是通过扩展实验RAM来提高计算机的存储器性能。

我们将通过增加RAM的容量,以及优化数据访问方式来实现这一目标。

三、实验步骤1. 扩展RAM容量:我们首先将原有的RAM容量扩大两倍,以增加计算机的存储空间。

通过增加RAM的容量,可以提高计算机处理大量数据的能力。

2. 优化数据访问方式:我们将尝试使用不同的数据访问方式,以提高计算机的存储器性能。

例如,我们可以使用缓存技术来减少数据访问的延迟时间。

此外,我们还可以尝试使用预取技术,提前将可能需要的数据加载到RAM中,以减少数据访问的等待时间。

3. 实验数据收集:在实验过程中,我们将记录不同数据访问方式下的存储器性能指标,如访问延迟时间、数据吞吐量等。

通过对比不同数据访问方式下的性能指标,我们可以评估扩展RAM对计算机性能的影响。

四、实验结果与分析根据我们的实验数据,我们发现扩展RAM的容量可以显著提高计算机的存储器性能。

当RAM容量增加时,计算机可以存储更多的数据,从而减少了数据的交换和加载时间,提高了计算机的运行速度。

此外,通过优化数据访问方式,我们也取得了一定的性能提升。

使用缓存技术可以减少数据访问的延迟时间,提高数据的读取速度。

使用预取技术可以提前将可能需要的数据加载到RAM中,减少了数据访问的等待时间。

这些优化措施都对计算机的存储器性能产生了积极的影响。

然而,我们也发现在实验过程中存在一些挑战。

扩展RAM的容量需要更高的成本投入,而且对于某些应用场景来说,并不一定能够带来明显的性能提升。

此外,优化数据访问方式也需要考虑到不同的应用需求,选择合适的优化策略。

五、结论通过本次实验,我们深入探究了实验RAM的扩展实验。

单片机扩展外部ROM或RAM读写时序

单片机扩展外部ROM或RAM读写时序


27512 Vcc A14 A13 A8 A9 A11 OE/Vpp A10 CE Q7 Q6 Q5 Q4 Q3
2764 27128 27256 27512
EPROM存储器扩展电路:
P2.0-P2.4 ALE P0 G D7 : : D0 OE Q7 : : Q0
A8-A12
74LS373
80C31
6116 62256 62128 6264 A14 A12 A7 A6 A4 A4 A3 A2 A1 A0 D0 D1 D2 GND NC NC A12 A12 A7 A7 A6 A6 A4 A4 A4 A4 A3 A3 A2 A2 A1 A1 A0 A0 D0 D0 D1 D1 D2 D2 GND GND 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 28 27 26 25 24 23 22 21 20 19 18 17 16 15 6266 62128 62256 Vcc WE CS A8 A9 A11 OE A10 CE D7 D6 D5 D4 D3 Vcc Vcc WE WE A13 A13 A8 A8 A9 A9 A11 A11 OE OE/RFSH A10 A10 CE CE D7 D7 D6 D6 D5 D5 D4 D4 D3 D3
3、信号转换 信号类型(数字与模拟、电流与电压)、信号电 平(高与低、正与负)、信号格式(并行与串行)等 的转换。 4、时序协调 不同的I/O设备定时与控制逻辑是不同的,并与 CPU的时序往往是不一致的,这就需要I/O接口进行 时序的协调。
10.2.2 单片机与I/O设备的数据传送方式 一、无条件传送
2864A
28 27 26 25 24 23 22 21 20 19 18 17 16 15

内存扩展技术原理

内存扩展技术原理

内存扩展技术原理
内存扩展技术是指通过各种方式将计算机的内存容量进行扩展,从而提高计算机的处理能力。

常见的内存扩展技术有虚拟内存、内存映射、内存缓存、内存互联等。

1. 虚拟内存:虚拟内存是一种利用硬盘作为辅助存储器的内存管理技术。

它通过将计算机内存分成若干个大小相等的页面或帧,将进程的逻辑地址空间映射到物理地址空间中的某个页面或帧上。

当进程访问的页面不在内存中时,系统会将需要的页面从硬盘读取到内存中,以满足进程的需求。

这样,虚拟内存能够使得计算机具有比物理内存更大的容量,提高计算机的处理能力。

2. 内存映射:内存映射是指将外部设备的寄存器或存储器映射到计算机的内存地址空间中。

通过内存映射,计算机可以像访问内存一样访问外部设备,从而简化了对外部设备的访问操作。

内存映射技术可以扩展计算机的内存容量,将外部设备的存储空间作为计算机的一部分来使用。

3. 内存缓存:内存缓存是指在CPU和内存之间插入高速的缓
存存储器,用来提高数据访问的速度。

内存缓存可以存储最近被访问过的数据块,当CPU访问内存时,先在缓存中查找数据,如果找到则直接返回,否则才访问主存。

内存缓存能够减少CPU与内存之间的数据传输次数,加快数据的读取和写入
速度,提高计算机的运行效率。

4. 内存互联:内存互联是指通过互联技术将多台计算机的内存
连接起来,共同组成一个更大的内存空间。

内存互联可以通过网络、总线等方式实现,通过将多台计算机的内存进行集成,扩展了计算机的内存容量,提高计算机的处理能力。

第7讲 存储容量的扩展

第7讲 存储容量的扩展

256K ×8
D
1#
256K ×8 D 2#
256K ×8
D
7#
D7 ~D0
D7 ~D0
D7 ~D0
(3)字位同时扩展法
一个存储器的容量假定为M× 位 一个存储器的容量假定为 ×N位, 若使用L× 位的芯片(L< 若使用 ×K 位的芯片 <M,K<N),需 < , 要在字向和位向同时进行扩展。 要在字向和位向同时进行扩展。此时共 需要(M/L)×(N/K)个存储器芯片。 个存储器芯片。 需要 × 个存储器芯片
(3)字扩展连接图 )
访存信号,只在需要访问主存 时才产生译码输出。
MREQ# A20-18 A20-0 R/W# OE# ramsel0 3-8 译码 ramsel1 A17-0 ramsel2 … ramsel7
CPU
WE A CE
WE A CE
WE A CE
WE A CE
256K ×8 D 0# # D7 ~D0 D7 ~D0
解: (1)218 = 256K,则该机所允许的最大 主存空间是256K×8位(或256KB); (2)模块板总数 = 256K×8 / 32K×8 = 8块; (3)板内片数 = 32K×8位 / 4K×4位 = 8×2 = 16片; (4)总片数 = 16片×8 = 128片; (5)CPU通过最高3位地址译码选板,次 高3位地址译码选片。地址格式分配如下:
CS0
D7
••••
••••
•••
例如: 例如:
用256Kx8位芯片构成2Mx8位的存储器。 256Kx8位芯片构成2Mx8位的存储器。 位芯片构成2Mx8位的存储器 芯片的地址线数:18; 芯片的地址线数:18; 容量: 容量:2MB CPU的有效地址位数:21位地址 CPU的有效地址位数:21位地址 的有效地址位数 (1)芯片数 =8( (2M×8位)/(256K×8位)=8(片) (2)采用字扩展

RAM分析报告模板

RAM分析报告模板

引言:在计算机技术发展的过程中,随着软件和数据量的不断增长,随之而来的是对计算机内存需求的不断增加。

RAM (RandomAccessMemory)是计算机的主要内存存储器之一,是计算机系统运行的关键组件之一。

为了更好地了解和分析RAM的性能和使用情况,本文将针对RAM进行详细的分析报告。

概述:本文将从五个大点来阐述RAM的性能和使用情况,通过分析这些大点,可以更好地了解RAM在计算机系统中的作用和性能表现。

正文内容:1.RAM的基本原理1.1RAM的概念和作用1.2RAM的分类和特点1.3RAM与其他存储器的区别1.4RAM的工作原理和数据存取方式1.5RAM的容量和速度指标2.RAM的性能分析2.1RAM的读写速度2.2RAM的响应时间2.3RAM的稳定性和可靠性2.4RAM的并发访问性能2.5RAM的传输速率和带宽3.RAM的使用情况分析3.1RAM用于操作系统3.2RAM用于应用程序3.3RAM用于数据存储和交换3.4RAM的利用率和优化策略3.5RAM的资源分配和管理4.RAM的发展趋势4.1RAM的技术改进和创新4.2RAM的容量和速度的提升4.3RAM的成本和功耗控制4.4RAM的新兴技术和趋势4.5RAM与计算机系统发展的关系5.RAM的挑战与解决方案5.1RAM的容量限制和扩展方案5.2RAM的功耗和散热问题5.3RAM的故障和可靠性管理5.4RAM的数据安全和架构设计5.5RAM与其他硬件组件的协调和优化总结:通过对RAM的分析,我们可以更好地了解和把握计算机系统中内存存储器的重要性和性能指标。

同时,也可以在实际应用和系统设计过程中,针对RAM的特点和使用情况制定相应的优化和管理策略,以提高系统的整体性能和稳定性。

结构采取引言概述正文内容总结的方式,正文分为五个大点,每个大点下分为五至九个小点进行详细阐述。

通过此结构,可以系统全面地了解RAM的性能和使用情况,并对相应的挑战和解决方案进行分析和总结。

RAM的扩展

RAM的扩展

“RAM 的扩展”,其定义和分类与“ROM 的扩展”相同,指通过增大字线、位线的数量,提高其存储容量,也包括字扩展和位扩展两类情况。

RAM 的字扩展、位扩展的方法思路与ROM 也基本相同,读者可首先复习一下ROM 的扩展方法,前后对照,既有助于掌握这里要介绍的RAM 的扩展方法,又可以巩固已学知识。

★ 基本思路:
◆ RAM 字扩展时,通过存储器芯片的输入控制端,扩展输入地址码,
从而扩展RAM 所存储的字的数量,此时,同样常用译码器芯片。

◆ RAM 位扩展时,不需要扩展输入地址码,输入地址端、控制端均对
位共接,所用各片RAM 输出端并行输出(即增加输出位线)即可。

★ 与ROM 扩展不同的是:
RAM 提供了ROM 没有的读写控制端 ,而有的RAM 器件的读、写控制信号是分开的两个。

不论上述那种类型的RAM ,不论是字扩展还是位扩展,读写控制端都共接即可,以保证整个系统中,所有RAM 同时读、写操作。

图10.3.5、图10.3.6分别给出了RAM 的字扩展、位扩展的电路图示例,具体设计过程不再赘述,读者可分别对比图10.2.17和图10.2.18所示的ROM 的字扩展、位扩展的电路图,以理解两种存储器扩展应用时的异同之处。

图10.3.5 使用64×8b RAM 实现256×8b RAM (字扩展)的电路图
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RAM的讲解

RAM的讲解

RAM的讲解问题1:什么是DRAM、SRAM、SDRAM?答:名词解释如下DRAM--------动态随即存取器,需要不断的刷新,才能保存数据,⽽且是⾏列地址复⽤的,许多都有页模式SRAM--------静态的随机存储器,加电情况下,不需要刷新,数据不会丢失,⽽且⼀般不是⾏列地址复⽤的SDRAM-------同步的DRAM,即数据的读写需要时钟来同步问题2:为什么DRAM要刷新,SRAM则不需要?答:这是由RAM的设计类型决定的,DRAM⽤了⼀个T和⼀个RC电路,导致电容会漏电和缓慢放电,所以需要经常刷新来保存数据问题3:我们通常所说的内存⽤的是什么呢?这三个产品跟我们实际使⽤有什么关系?答:内存(即随机存贮器RAM)可分为静态随机存储器SRAM,和动态随机存储器DRAM两种。

我们经常说的“内存”是指DRAM。

⽽SRAM⼤家却接触的很少。

问题4:为什么使⽤DRAM⽐较多、⽽使⽤SRAM却很少?答:1)因为制造相同容量的SRAM⽐DRAM的成本⾼的多,正因为如此,才使其发展受到了限制。

因此⽬前SRAM基本上只⽤于CPU内部的⼀级缓存以及内置的⼆级缓存。

仅有少量的⽹络服务器以及路由器上能够使⽤SRAM。

2)存储单元结构不同导致了容量的不同:⼀个DRAM存储单元⼤约需要⼀个晶体管和⼀个电容(不包括⾏读出放⼤器等),⽽⼀个SRAM存储单元⼤约需要六个晶体管。

DRAM和SDRAM由于实现⼯艺问题,容量较SRAM⼤,但是读写速度不如SRAM。

问题5:⽤得最多的DRAM有什么特点呢?它的⼯艺是什么情况?(通常所说的内存就是DRAM)答:1)DRAM 需要进⾏周期性的刷新操作,我们不应将SRAM与只读存储器(ROM)和Flash Memory相混淆,因为SRAM是⼀种易失性存储器,它只有在电源保持连续供应的情况下才能够保持数据。

“随机访问”是指存储器的内容可以以任何顺序访问,⽽不管前⼀次访问的是哪⼀个位置。

2)DRAM和SDRAM由于实现⼯艺问题,容量较SRAM⼤。

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第4章 MCS-51单片机系统功能的扩展
(1) 部分译码:所谓部分译码就是存储器芯片的地址线与单 片机系统的地址线顺次相接后,剩余的高位地址线仅用一部分 参加译码。参加译码的地址线对于选中某一存储器芯片有一个 确定的状态,而与不参加译码的地址线无关。也可以说,只要 参加译码的地址线处于对某一存储器芯片的选中状态,不参加 译码的地址线的任意状态都可以选中该芯片。正因如此,部分 译码使存储器芯片的地址空间有重叠,造成系统存储器空间的 浪费。
第4章 MCS-51单片机系统功能的扩展
2.扩展的一般方法
存储器除按读写特性不同区分为程序存储器和数据存储器外, 每种存储器还有不同的种类。程序存储器又可分为掩膜ROM、 可编程ROM(PROM)、可擦除ROM(EPROM或EEPROM);数据 存储器又可分为静态RAM和动态RAM。因此,存储器芯片有多 种。即使是同一种类的存储器芯片,容量的不同,其引脚数目 也不同。尽管如此,存储器芯片与单片机扩展连接具有共同的 规律。不论何种存储器芯片,其引脚都呈三总线结构,与单片 机连接都是三总线对接。另外,电源线应接对应的电源线上。
第4章 MCS-51单片机系统功能的扩展
4.2.3 3-8译码器74LS138
图4.8 74LS138引脚图
第4章 MCS-51单片机系统功能的扩展 表4.2 74LS138的译码逻辑关系
第4章 MCS-51单片机系统功能的扩展
4.3 存储器的扩展
4.3.1 存储器扩展概述
1.MCS-51单片机的扩展能力
第4章 MCS-51单片机系统功能的扩展
(2) 系统扩展的基本方法:一般来讲,所有与计算机扩展连 接芯片的外部引脚线都可以归属为三总线结构。扩展连接的一 般方法实际上是三总线对接。要保证单片机和扩展芯片协调一 致地工作,即要共同满足其工作时序。
第4章 MCS-51单片机系统功能的扩展
4.2 常用扩展器件简介
存储器芯片的数据线:数据线的数目由芯片的字长决定。1 位字长的芯片数据线有一根;4位字长的芯片数据线有4根;8位 字长的芯片数据线有8根;存储器芯片的数据线与单片机的数据 总线(P0.0~P0.7)按由低位到高位的顺序顺次相接。
第4章 MCS-51单片机系统功能的扩展
存储器芯片的地址线:地址线的数目由芯片的容量决定。容 量(Q)与地址线数目(N)满足关系式:Q=2N。存储器芯片的地址线 与单片机的地址总线(A0~A15)按由低位到高位的顺序顺次相接。 一般来说,存储器芯片的地址线数目总是少于单片机地址总线的 数目,如此相接后,单片机的高位地址线总有剩余。剩余地址线 一般作为译码线,译码输出与存储器芯片的片选信号线相接。存 储器芯片有一根或几根片选信号线。对存储器芯片访问时,片选 信号必须有效,即选中存储器芯片。片选信号线与单片机系统的 译码输出相接后,就决定了存储器芯片的地址范围。因此,单片 机的剩余高位地址线的译码及译码输出与存储器芯片的片选信号 线的连接,是存储器扩展连接的关键问题。
第4章 MCS-51单片机系统功能的扩展 存储器芯片的控制线:对于程序存储器,一般来说,具有 读操作控制线(OE),它与单片机的PSEN信号线相连。除此之外, 对于EPROM芯片还有编程脉冲输入线(PRG)、编程状态线 (READY/BUSY)。PRG应与单片机在编程方式下的编程脉冲输 出线相接;READY/BUSY在单片机查询输入/输出方式下,与一 根I/O口线相接;在单片机中断工作方式下,与一个外部中断信 号输入线相接。
第4章 MCS-51单片机系统功能的扩展
第4章 MCS-51单片机系统功能的扩展
4.1 系统扩展概述 4.2 常用扩展器件简介 4.3 存储器的扩展 4.4 I/O扩展
第4章 MCS-51单片机系统功能的扩展
4.1 系统扩展概述
4.1.1 最小应用系统
图4.1 MCS–51单片机最小化系统 (a) 8051/8751最小系统结构图;(b) 8031最小系统结构图
根据MCS-51单片机总线宽度(16位),在片外可扩展的存储器最 大容量为64 KB,地址为0000H~FFFFH。
因为MCS-51单片机对片外程序存储器和数据存储器的操作使 用不同的指令和控制信号,所以允许两者的地址空间重叠,故片外 可扩展的程序存储器与数据存储器分别为64 KB。
为了配置外围设备而需要扩展的I/O口与片外数据存储器统一编 址,即占据相同的地址空间。因此,片外数据存储器连同I/O口一起 总的扩展容量是64 KB。
表4.1 常用的扩展器件
第4章 MCS-51单片机系统功能的扩展 表4.1 常用的扩展器件
第4章 MCS-51单片机系统功能的扩展
4.2.1 8D锁存器74LS373
图4.3 74LS373结构示意图
第4章 MCS-51单片机系统功能的扩展 图4.4 74LS373用作地址锁存器
第4章 MCS-51单片机系统功能的扩展
第4章 MCS-51单片机系统功能的扩展
4.1.2 单片机系统扩展的内容与方法
1.单片机的三总线结构
图4.2 MCS–51单片机的三总线结构形式
第4章 MCS-51单片机系统功能的扩展
2.系统扩展的内容与方法 (1) 系统的扩展一般有以下几方面的内容: ① 外部程序存储器的扩展。 ② 外部数据存储器的扩展。 ③ 输入/输出接口的扩展。 ④ 管理功能器件的扩展(如定时器/计数器、键盘/显示器、中 断优先级编码器等)。
4.2.2 74LS244和74LS245芯片
图4.5 74LS244内部逻辑与引脚图
第4章 MCS-51单片机系统功能的扩展 图4.6 74LS245内部逻辑与引脚图
第4章 MCS-51单片机系统功ห้องสมุดไป่ตู้的扩展
图4.7 总线驱动器的连接图 (a) P2外接74LS244; (b) P0外接74LS245
第4章 MCS-51单片机系统功能的扩展 图4.9 地址译码关系图
第4章 MCS-51单片机系统功能的扩展
图4.9中与存储器芯片连接的低11位地址线的地址变化范围为 全"0"~ 全"1"。参加译码的4根地址线的状态是唯一确定的。不参 加译码的A15位地址线有两种状态都可以选中该存储器芯片。
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