黄光制程工艺流程
黄光制程_??????
黄光制程
黄光制程（also known as黄色光刻技术）是一种微电子制程中常用的制造技术，它广泛应用于芯片制造和半导体工业。
黄光制程利用光刻和影像传输来定义微电子设备中的图案和结构。
黄光制程包括以下几个步骤：
1. 制备底片：将待制造的芯片涂覆在一个平坦的基片（通常是硅片）上。
2. 涂覆光刻胶：将光刻胶均匀涂覆在芯片上。
光刻胶可以在曝光后形成所需的图案。
3. 曝光：使用光刻机将芯片暴露在特定的光源下，光刻胶将在所暴露的区域发生化学反应。
4. 显影：用显影剂将未暴露的部分光刻胶去除，形成所需的图案。
5. 蚀刻：使用化学或物理的腐蚀方法去除裸露的芯片表面材料，形成所需的结构。
6. 清洗和检验：将芯片清洗干净并进行质量检验，以确保芯片制造的质量与要求相符。
黄光制程是制造集成电路和其他微电子器件的核心技术之一，它可以实现高精度和高分辨率的图案定义。
随着微电子技术的不断发展，黄光制程也在不断改进和演进，以满足日益复杂和精细的设备制造需求。
黄光工艺流程
黄光工艺流程黄光工艺流程是指在半导体制造过程中，使用光照将光刻胶曝光到硅片或其他材料表面，然后通过化学处理和蚀刻来形成图形的一种工艺流程。
下面将详细介绍黄光工艺流程的步骤。
第一步是准备硅片。
将硅片清洗干净，并使用酸洗去除硅片表面的污染物。
然后，在硅片上涂覆一层光刻胶，通常是聚甲基丙烯酸甲酯（PMMA）。
第二步是光刻胶的曝光。
将硅片放入光刻机中，然后使用遮罩或掩膜来控制光照的位置和形状。
光刻机会使用紫外线或其他光源照射光刻胶，使其在受到光的作用下发生化学反应。
在曝光后，光刻胶的部分区域会发生化学变化，变得溶解性或不溶解性。
第三步是光刻胶的显影。
将曝光后的硅片放入显影剂中，显影剂会溶解或去除未曝光的光刻胶，而曝光后的光刻胶会保留下来。
根据需要，可以使用不同的显影剂，如碱性显影剂或酸性显影剂。
第四步是光刻胶的固化。
为了保护曝光后的光刻胶不受到污染或损害，可以使用紫外线照射或热处理来固化光刻胶。
固化后的光刻胶会变得更加耐久和稳定。
第五步是蚀刻。
将固化后的光刻胶保护住的部分区域暴露在蚀刻剂中，蚀刻剂会溶解或去除这些区域下的材料。
根据需要，可以使用不同的蚀刻剂，如湿法蚀刻剂或干法蚀刻剂。
蚀刻剂的选择取决于要制作的图形和所使用的材料。
第六步是去除光刻胶。
在完成蚀刻后，需要将剩余的光刻胶从硅片上去除。
这可以通过使用溶剂或清洗剂来实现，将硅片浸泡在其中，以溶解光刻胶并清洗硅片表面。
通过以上步骤，黄光工艺流程可以在硅片或其他材料上形成期望的图形。
这些图形可以用于制造微芯片、光学元件、显微镜、传感器等。
黄光工艺流程的精度和重复性较高，成本较低，因此在电子、光电子学和半导体工业中得到广泛应用。
总之，黄光工艺流程是一种通过曝光、显影、固化和蚀刻等步骤来制造精密图形的工艺流程。
这种工艺流程在半导体制造和其他领域具有重要的应用价值，可以实现微米级甚至纳米级的结构制造。
OGS制程工艺讲解
检验仪器图解
FPC拉力测试仪：
1、主要检验热压后产品的FPC的拉力测 试是否满足生产要求。
检验仪器图解
UV能量测试仪：
1、主要应用于UV机能量测试
检验仪器图解
显微镜： 1、主要检验黄光显影后产品的显影效果， 【短路、断路】
检验仪器图解
2D投影测试仪： 1、主要用于IQC来料检验产品的尺寸，
检验仪器图解
注：a、IPQC在巡检过程中一旦发现异常立即开启 品质异常单，并跟踪致结果确认正常。
b、首检3次不合格立即开启品质异常单并跟 踪致结果确认正常。
黄光工艺流程 ITO
镀膜来料清洗
脱膜
光胶
涂布
蚀刻
曝光 显影
黄光管控点
涂布前清洗： 1、 去除玻璃表面的脏污、油污等，使玻璃 表面洁净，以保证后续光阻的涂布效果及结 合力。主要控制清洗液的浓度以及清洗机的 速度。主要检测方法，达应笔，满足要求继 续生产，一旦不符要求从洗。
注：a、IPQC在巡检过程中一旦发现异常立即开启 品质异常单，并跟踪致结果确认正常。
b、首检3次不合格立即开启品质异常单并跟 踪致结果确认正常。
镀膜管控点
镀膜控制机台：
1、主要管控镀膜工艺参数是否与实际设定的 工艺参数相符。IPQC巡检/首检记录主要依据产线 工艺参数点检表与《镀膜工艺参数》相符、一旦发 现实际参数设定与《镀膜工艺参数》不符、立即通 知当站的负责人、及QC组组长。并及时跟踪结果、 直至确认正常。
黄光管控点
蚀刻：
1、用强酸（盐酸）将玻璃中未受光阻保护的那部 分ITO腐蚀，留下所需要的图形的过程 2、主要控制参数：蚀刻液浓度、蚀刻传导速度、 喷淋压力。 3、主要异常：蚀刻不净、ITO过蚀、以及由涂布 异常而引起的蚀刻异常。
黄光工艺介绍
4.黄光制程与传统制程的优劣2-流程工艺能力
耐酸印刷制程
制程规 耐酸印 格项目 刷制程
评判
线宽线 0.3*0.3
距
mm
一般
蚀刻痕 明显
一般
是否扩 散
产品设 计图形 复杂的
程度
精度
印刷容 易扩散
设计图 形简单
0.1mm
一般 一般 一般
黄光制程
制程规 黄光制 格项目 程
，容易扩散。 容易受ITO图案复杂性
影响
良率高不受其它影响
Remark： 黄光制程相对耐酸印刷制程良率较高。
黄光工艺介绍 Profile of Photo process
2012-12-29
1、黄光制程定义-核心技术及名称的来源
黄光工艺使用的技术 黄光使用的技术为微影 (Lithography) 技术，使用的材料为感光材料，这
种材料称之为光阻（PR,photo resistance)。PR具有独特的特性，在UV光的作 用下，会发生化学变化，变成易容与酸或者碱的新物质。
微影 (Lithography) 技术是将光罩 (Mask) 上的图案先转移至PR上，再以 溶剂浸泡将PR受光照射到的部份加以溶解或保留，形成和光罩完全相同或呈互 补的光阻图。
黄光制程名称的来源 由于微影制程的环境照明光源是黄光，而非一般摄影暗房的红光，所以这
一制程常被简称为“黄光”制程。 黄光制程线路精准度水平高，被广泛应用在电容式触摸屏sensor的加工。
Remark：黄光制程采用干膜代替耐酸制程能力进一步提升，可以提升产品层次。 镭雕工艺有效率和爆点的问题，复杂ITO图案产品的批量性低。
4.黄光制程与传统制程的优劣3—批量能力
黄光设备工作流程简介
黄光工艺触摸屏
黄光工艺触摸屏是一种可接收触头等输入讯号的感应式液晶显示装置，当接触了屏幕上的图形按钮时，屏幕上的触觉反馈系统可根据预先编程的程式驱动各种连结装置，可用以取代机械式的按钮面板，并借由液晶显示画面制造出生动的影音效果。
原理特征
利用压力感应进行控制触摸屏。
触摸屏作为一种最新的电脑输入设备，它是目前最简单、方便、自然的一种人机交互方式。
它赋予了多媒体以崭新的面貌，是极富吸引力的全新多媒体交互设备。
黄光工艺
微影技术说起，即可略知一二。
微影技术是将光罩上的主要图案先转移至感光材料上，利用光线透过光罩照射在感光材料上，再以溶剂浸泡将感光材料受光照射到的部份加以溶解或保留，如此所形成的光阻图案会和光罩完全相同或呈互补。
由于微影制程的环境是采用黄光照明而非一般摄影暗房的红光，所以这一部份的制程常被简称为“黄光”。
微影制程很好地实现了黄光工艺触摸屏视觉上的精准度。
应用
主要应用于公共信息的查询、领导办公、工业控制、军事指挥、电子游戏、点歌点菜、多媒体教学、房地产预售等。
iphone5感应线路就是采用黄光工艺的触摸电容屏，此种电容屏有助于手机在超窄边框上面布线，使手机工艺如钟表般精细，更薄，身材更漂亮，更有利于超窄边款手机的散热，更是贴合技术的绝配。
黄光制程工艺流程
黄光制程工艺流程黄光制程工艺是一种在半导体加工中常用的工艺流程，它主要用于芯片制造中的光刻步骤。
光刻是一种将芯片设计的图案转移到硅片表面的关键工序。
在黄光制程中，光刻胶和光罩的使用对于芯片的质量和性能起着至关重要的作用。
下面是关于详细的描述，以帮助读者更好地理解这个过程。
第一步：准备光罩首先，我们需要准备好用于光刻的光罩。
光罩是一种具有所需图案的透明薄片，其材料通常是玻璃或石英。
光罩上的图案由芯片设计师根据芯片功能需求制作。
光罩的制作通常使用电子束曝光或激光曝光等方法。
第二步：准备硅片准备好待加工的硅片。
这些硅片通常经过前期的清洗和抛光等处理。
在准备硅片时，必须确保其表面平整且干净，以便后续的光刻步骤可以获得最佳效果。
第三步：涂覆光刻胶将硅片放置在旋涂机上，然后将光刻胶均匀地涂覆在硅片表面。
光刻胶可以保护硅片表面不受氧化和污染物的侵蚀，并提供一个平坦的表面用于将图案转移到硅片上。
涂覆光刻胶后，通常使用烘烤等方法进行固化，以确保光刻胶的性能和稳定性。
第四步：对齐和曝光将准备好的光罩放置在光刻机上，并将其与涂覆了光刻胶的硅片对准。
通过微调光罩和硅片的位置，确保图案的精确对齐。
然后，使用紫外线或深紫外线等光源对光罩进行照射，以将图案转移到光刻胶上。
照射时间和强度的控制非常重要，可影响芯片的精度和分辨率。
第五步：显影曝光后，将硅片放入显影机中进行显影。
显影是使用显影液将未曝光的光刻胶部分溶解掉，从而暴露出硅片上的图案。
显影液的选择和浸泡时间需要根据光刻胶和芯片制造的要求进行优化。
第六步：清洗将经过显影的硅片进行清洗，去除残余的光刻胶和显影液。
清洗过程通常使用化学溶剂和超声波技术，以确保芯片表面的干净和平整。
第七步：检验和测量对清洗过的芯片进行检验和测量。
这可以包括检查图案的完整性和准确性，以及芯片上不同部分的厚度、尺寸和形状等参数的测量。
第八步：后续处理根据芯片的具体用途，可能需要进行一些附加的工艺步骤，如沉积金属层、刻蚀等等。
黄光生产工艺流程详解和注意事项
黄光生产工艺流程详解和注意事项下载温馨提示:该文档是我店铺精心编制而成，希望大家下载以后，能够帮助大家解决实际的问题。
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黄光工艺流程
黄光工艺流程
《黄光工艺流程》
黄光工艺是一种常用的光刻工艺，主要用于半导体器件制造。
它通过使用紫外线光源和光刻胶来将图案投射到硅片上，形成微米级别的结构。
黄光工艺的流程可以分为几个主要步骤。
首先，将硅片进行表面清洁处理，以确保光刻胶可以均匀地附着在硅片上。
接下来，将光刻胶涂覆在硅片表面，然后使用旋转涂覆机将光刻胶均匀地分布在整个表面。
一旦光刻胶涂覆完成，需要将硅片置于紫外线光源下。
通过光刻胶上的光掩模，紫外线光源可以将图案投射到硅片表面。
这个过程是非常精密的，精细的图案需要准确地投射到硅片上。
经过光刻曝光之后，硅片需要进行显影处理。
这一步是将硅片浸泡在显影液中，以去除未曝光的光刻胶。
这样就可以形成所需的图案结构。
最后，需要对硅片进行清洗、干燥和固化处理，以确保光刻胶牢固地附着在硅片上，并且形成微米级别的结构。
完成这些步骤之后，硅片就可以用于半导体器件的制造了。
总的来说，黄光工艺流程是一种复杂且精密的制造工艺，它为微电子器件的制造提供了重要的工艺支撑。
随着技术的不断发
展，黄光工艺也在不断地完善和创新，为半导体工业的发展做出了重要贡献。
电容屏ITO黄光制程工艺
电容屏ITO黄光制程工艺流程第一步：ITO GLASS参数规格：长宽：14*16 厚度：0.55，0.7，1.1规格：普通，钢化等，特性：AR(抗反射)，AG（防眩光），AS（防水防污），AF（防指纹）等电容玻璃：安可，冠华，正达，正太等。
第二步：素玻璃参数规格：素玻璃：康宁，旭硝子等。
500*500规格第三步：清洗参数规格：1.将GLASS 表面的脏污，油污，杂质等去除并干燥。
2.将素玻璃表面的脏污，油污，杂质等去除并干燥，然后过镀膜线镀ITO 层形成GLASS。
第四步：背保丝印参数规格：膜厚：10-20μM，250-420 目聚酯网，此背保要求高，不能有一点脏污，油污，杂质等，要不回影响到在这面处理ITO 图案和银浆走线的附着力等。
日本朝日，丰阳等，热固型。
第五步：光刻胶整版丝印参数规格：膜厚：5-10μM，300-420 目聚酯网.需在温度20 度-25 度的范围和黄灯的环境下进行。
光刻胶：田菱THC-29（耐酸曝光显影型光刻胶）等。
第六步：前烘参数规格：让印有光刻胶的材料在一定的温度，时间下固化。
温度：80-90 度。
时间15-20 分钟。
第七步：曝光参数规格：通过紫外线和菲林的垂直照射，让光刻胶形成反应。
光能量：60-120MJ/C ㎡，时间：6-9s第八步：显影参数规格：用弱KOH 溶解液去除材料上被曝光过的光刻胶，留下没有曝光的光刻胶。
弱碱：0.05-0.2 MOL.温度：20±3 度，压力：0.02-0.05KG，速度：5.5±2.5M/MIN。
第九步：坚膜参数规格：让显影留下的光刻胶经高温处理，让光刻胶完全固化。
温度：120-150度，时间：20-30.第十步：蚀刻参数规格：酸度：3.5-6.5MOL，温度：45±5 度，压力：1-2KG，速度：0.8-1.5M/MIN。
碱度：0.5-0.8MOL，温度：35±5 度，压力：1-2KG，速度：1.5-3.5M/MIN。
露光(黄光)制程介绍
正型光阻
Original
曝光 (照光處)
顯影
長鏈(強壯)
裂解
曝光處—洗掉光阻
負型光阻
短鏈(弱)
聚合(Cross Link)
曝光處—光阻留著
光阻 光罩/底片
光阻
正負光阻Pattern說明
基板
基板
紫外線
曝光
負光阻 正光阻
基板
顯影後
基板
正光阻優點：高解析(解析能力3um)、負光阻(乾膜解析約15 um) 負光阻優點：便宜
2.鄰接式曝光機(Proximity Mode) 備註：適用油墨曝光、感光銀膠曝光、RBM曝光
3.投影式曝光機(Stepper) 備註：半導體、LCD、超細線路、超高解析、高對
位精度 4.LDI曝光系統(Laser Direct Imaging)
備註：無需光罩、高對位精度
12
曝光波長
曝光機感光光譜
I-Line H-Line G-Line
G-line: 436 nm H-line: 405 nm I-line: 365 nm
乾膜感光光譜 適合感光光譜365nm
➢每支乾膜需確認其感光範圍，再確認該乾膜 是否可適用於該曝光機。
➢一般曝光機為I、H、G Line共存or單一波長 I Line為主。
接觸式曝光機(Contact Mode)
底片製作說明-----RD、繪圖必知
底片組成：PET+藥膜 底片製作流程： 快速記憶PET上正型光阻+曝光+顯影
PET塗藥膜(正型光阻)雷射繪片(曝光)顯影乾燥 正片
底片構造
藥膜 PET
YLO出圖
For 正型光阻、印刷製程
黄光工艺介绍-20121230
4.黄光制程与传统制程的优劣3—批量能力
制程类别 耐酸印刷制程 镭雕工艺 黄光制程 良率 98.5% 95% 99%以上 备注 容易受印刷品质的制约 ，容易扩散。 容易受ITO图案复杂性 影响 良率高不受其它影响
Remark： 黄光制程相对耐酸印刷制程良率较高。
镭雕制程
制程规 格项目 线宽线 距 蚀刻痕 是否扩 散 产品设 计图形 复杂的 程度 精度 镭雕制 程 50*50u m 无 无 设计图 形不可 以更复 杂 50um 评判 较好 较好 较好
一般 一般 一般
是否扩 散 产品设 计图形 复杂的 程度 精度
一般
较好
பைடு நூலகம்
较好
一般
较好
较好
Remark：黄光制程采用干膜代替耐酸制程能力进一步提升，可以提升产品层次。 镭雕工艺有效率和爆点的问题，复杂ITO图案产品的批量性低。
曝 光
4
光阻图案 ITO film 基材 光阻图案 5 ITO 图案 基材 ITO 图案 基材
显 影
蚀 刻
6
褪光阻
4.黄光制程与传统制程的优劣1-流程
耐酸 印刷 制程
黄光 制程
镭雕 制程
Remark：黄光制程与耐酸制程工艺的对比主要是用干膜代替了耐酸印刷制程，后续工站相同。
5.黄光制程与传统制程CTQ—关键工序控制点
黄光工艺 Photo
1.设计：大片上制作专 用标准测试图案， 2.监控点：线距 1.拉力测试 2.有效导电粒子数 3.作业风险(下文专述)
工艺 CTQ
ITO图案间距
酸刻工艺 Wet etching
1.监控点：开短路测试 。ITO间距为PR制程8~10 倍，风险极低 1.拉力测试 2.有效导电粒子数
黄光制程简介
俯视图
侧面图
Litho
涂胶的步骤
第 4 步:涂胶(COATING), 把晶圆涂上一层光阻胶. E.B.R.(Edge Bead Removal)
光阻胶
俯视图 侧面图
Litho
涂胶的步骤
第5步: 预烘 (SOFTBAKE),用加热法把光阻中的溶 剂蒸发掉.
俯视图 侧面图
Litho
涂胶的步骤
第 6 步: 冷却(COOLING), 把晶圆冷却到室温.
俯视图
侧面图
Litho
曝光机的外形
Litho
曝光的作用
Light Reticle Lens Resist Wafer 俯视图 侧面图
Litho
曝光机的分类
• 按光源分类: DUV (波长=248) ; I-line (波长=365nm)
• 按运作分类: 扫描机(SCANNER); 步进机(STEPPER)
Litho
什么是光罩?
光罩是有很多图形(Pattern）的模板设计图形
+ +
Test Key Barcode Scribe Line
Fiducial Test Line
Main Pattern
+
+
Global Mark
QA Cell
检测 ADI
检测 CD SEM
检测 Overlay
冷却
Litho
1. 曝光机(Duv,I-line,g-line)
• ASML的Scanner:
Litho
Scanner
Stepper
Litho
曝光机的种类(Scanner ,Stepper) 工作方式区分： 1 .步进式曝光机：Stepper 主要机台： Cannon iZ01 2 .扫描式曝光机：Scanner 主要机台： Cannon ES3 ,ASML /400 ,/750, /850,/1100 工作光源区分： 1 .I-Line 曝光机：365nm (Hg-Arc) 主要机台： Cannon iZ01 ,ASML /400, 2 . DUV 曝光机：248nm ,193nm (Laser) 主要机台： Cannon ES3 ,ASML /750, /850,/1100
黄光制程工艺流程
根据光敏材料的性质，选择合适的光 源波长和功率。
显影设备
显影设备
用于将光固化后的膜进行显影，去除未固化的材 料。
显影方式
可以采用浸泡显影、喷淋显影等方式。
显影剂选择
根据光敏材料的性质，选择合适的显影剂。
蚀刻设备
1 2
蚀刻设备
用于对硅片进行蚀刻处理，形成电路和图形。
蚀刻方式
可以采用化学蚀刻、物理蚀刻等方式。
技术挑战
光刻机精度要求高
黄光制程需要高精度的光刻机，以确保图案的精确复制和加工。
制程控制难度大
黄光制程涉及多种材料和复杂的化学反应，对制程参数和环境条件 要求极高，控制难度较大。
设备维护与升级成本高
黄光制程设备昂贵且维护成本高，同时随着技术更新换代，设备升 级也面临较大压力。
环境影响与可持续发展
特点
黄光制程具有高精度、高稳定性和高效率的特点。在微电子、精密机械、光学 等领域中，黄光制程广泛应用于表面处理、光刻、曝光等关键工艺环节。
黄光制程的重要性
提高产品质量
黄光制程能够有效地提高产品的质量和性能，降低不良率，提高 生产效率。
满足高精度需求
随着科技的发展，产品对精度的要求越来越高，黄光制程能够满足 高精度、高稳定性的制造需求。
03
聚酯
聚酯是一种常用的高分子材料，具有良好的透明性和机械性能，常用于
制造中低端光掩膜和光刻胶。
光敏材料
光敏材料
光敏材料是黄光制程中的核心材料之一，用于制造光掩膜和光刻胶。它们在受到特定波长 的光线照射后，会发生化学反应，从而产生交联或降解等变化。
光刻胶
光刻胶是光敏材料的一种，分为正性胶和负性胶两种类型。正性胶在受到光线照射后会变 得可溶，而负性胶则会变得不溶。它们在光刻工艺中起到关键的作用。
黄光制程工艺流程
总 流 程 图
2
Glass BM制程 ITO1制程 OC1制程 ITO2制程 MAM制程 OC2制程
黄光制程：通过对涂覆在玻璃表面的光敏性物 质(又称为光刻胶或光阻)，经曝光、显影后留 下的部分对底层起保护作用，然后进行蚀刻脱 膜并最终获得永久性图形的过程。
3
制 程 流 程
4
Glass Clean Sputter Clean IR/UV/CP
EXPO
Exposure
16
曝光波长：i线（365nm）， h线（405nm）， g线（436nm）。
Mask：也叫掩膜板。电路图即是通过曝光从 Mask上转移到玻璃上。
高压汞灯发光原理：在真空的石英管中加入 定量的高纯汞，通过对两端电极提供高电压 差，产生高热，将汞汽化，汞蒸气在高电位 差下，受激发而放电，从而产生紫外线辐射。 内部的卤素元素，就有催化及保护的功用。
13
BM&OC1用的是Inkjet印刷，而OC2用的是APR凸版 印刷。
Pre-bake
Pre-Bake
Pre-Bake ：也叫soft bake。将光阻中的大部 分有机溶剂烘烤到4%~7%，使原本液态的光 阻固化。
主要控制参数:烘烤时间，烘烤温度，烘烤 热板Pin高度。 主要品质异常：玻璃受热不均，使光阻局部 过烤或烘烤不足，造成后续的显影不净或显 影过显。
主要控制参数：Roller的前挤量及下压量，涂布速度，
抽泵频率，抽泵强度。
主要参考参数：膜层厚度(属过渡光阻,膜厚1.4~2.3um)，
膜层均匀性。
主要品质异常：涂布针孔、涂布箭影。
12
CT
Coating
Coater一般分为Roll Coater，Slit Coater，Spin
黄光工艺介绍-20121230
批附光阻
3
UV光源 光罩图案 PR 光阻 ITO film 基材
UV通过光罩上的图案，照射到 光阻膜上去，制出光阻图案 （PR被UV照射后，发生化学变 化，但是物理形态没有变化，所 以生成的光阻图案肉眼不可见） 碱性溶液中，在光阻膜上形成与 光罩图案相同或者互补的光阻图 案 酸性溶液中，未被光阻图案遮 挡住的ITO被溶解，形成ITO图 案 酸性溶液中清晰掉光阻图案， 保留ITO图案。Sensor制作完 成
曝 光
4
光阻图案 ITO film 基材 光阻图案 5 ITO 图案 基材 ITO 图案 基材
显 影
蚀 刻
6
褪光阻
4.黄光制程与传统制程的优劣1-流程
耐酸 印刷 制程
黄光 制程
镭雕 制程
Remark：黄光制程与耐酸制程工艺的对比主要是用干膜代替了耐酸印刷制程，后续工站相同。
4.黄光制程与传统制程的优劣2-流程工艺能力 耐酸印刷制程
制程规 格项目 线宽线 距 蚀刻痕 是否扩 散 产品设 计图形 复杂的 程度 精度 耐酸印 刷制程 0.3*0.3 mm 明显 印刷容 易扩散 设计图 形简单 0.1mm 评判
黄光制程
制程规 格项目 线宽线 距 蚀刻痕 黄光制 程 40*4 0um 无 无 设计图 形可以 更复杂 ，性能 强大 40um 评判 好 好 较好
曝光前
Mask光罩
曝光后
PR 光阻 ITO film 未被mask遮挡的PR曝 光后变成不溶于碱的物 质，形成负性光阻图案 未被mask遮挡的PR曝 光后变成溶于碱的物 质，形成正性光阻图案
3、黄光制程的流程
1 2
ITO 基材 基材退火
ITO缩水 压干膜
PR 光阻 ITO 基材
黄光蚀刻ag工艺
黄光蚀刻ag工艺
黄光蚀刻 AG 工艺是一种半导体制造中非常重要的工艺技术，它主要用于制作光刻胶图案以及图案转移至硅片表面的过程。
AG 工艺的主要步骤包括：前处理、光刻、蚀刻和清洗。
在前处理阶段，首先对硅片进行清洗，除去表面的杂质，然后进行氧化处理，形成一层氧化硅薄膜。
接着在氧化硅膜上涂覆一层光刻胶，使其表面变得均匀光滑。
在光刻阶段，使用光刻机进行曝光，将图案转移至光刻胶表面。
曝光后，使用显影液将未曝光的光刻胶去除，留下光刻胶图案。
在蚀刻阶段，将硅片放入蚀刻机中，蚀刻液会溶解未被光刻胶保护的硅片表面，留下光刻胶所保护的区域，形成精密的图像结构。
最后，进行清洗阶段，使用化学溶剂将光刻胶和残留的蚀刻液去除，使硅片表面干净透明。
AG 工艺在半导体制造中有着广泛的应用，例如制作集成电路、液晶显示器以及太阳能电池等领域。
它具有适应性强、制作精度高、可控性好等优点，成为了半导体工业中不可或缺的一环。
尽管 AG 工艺在制造过程中存在一些缺陷，例如光刻胶残留、图案偏移等问题，但通过不断的改进和优化，这些问题可以被有效地解决。
总之，黄光蚀刻 AG 工艺作为半导体制造中重要的工艺技术，在现代电子产业中发挥着重要的作用。
未来，随着技术不断的进步，AG 工艺将会更加高效、智能化，为电子制造产业的发展注入新的活力。
黄光制程工艺流程
1、PR前清洗ITOGLASS清洗指用物理的方法（磨刷喷洗）和化学的方法（去离子水DI 水和KOH）将玻璃表面的脏污和油污、杂质除去并干燥的过程2、PR涂佈指在玻璃的导电层表面均匀涂上一层光刻胶3. 前烘指在一定温度下将涂有光刻胶的玻璃烘一段时间、使光刻胶的溶剂挥发，形行成固体的PR层4. 曝光指用紫外线通过预先设置好的菲林垂直照射光刻胶表面，使被照射部分的光刻胶发生反应5、显影指用弱KOH溶液去离玻璃表面将径光照射部分的光刻胶除去，保留未照射部分的光刻胶6、坚膜指将玻璃在径一次高温处理，使光刻胶膜更加坚固。
7、蚀刻指用适当的酸液将无光刻胶覆盖的ITO层除去，这样就得到了我们所需要的ITO 电极图形。
8、脱膜指用较强的KOH剥膜液将残留光刻胶除去，将玻璃表面清洗干燥1. PR前清洗A.清洗：指清除吸附在玻璃表面的各种有害杂质或油污。
清洗方法是利用各种化学浓剂（KOH）和有机浓剂与吸附在玻璃表面上的杂质及油污发生化学反应和浓解作用，或以磨刷喷洗等物理措施，使杂质从玻璃表面脱落，然后用大量的去离子水（DI水）冲洗，从而获得洁净的玻璃表面。
（风切是关键）B.干燥：因经过清洗后的玻璃，表面沾有水或有机浓剂等清洗液。
这样会对后续工序造成不良影响，特别是对后续光刻工艺会产生浮胶、钻蚀、图形不清晰等不良现象。
因此，清洗后的玻璃必须经过干燥处理。
目前常采用的方法是烘干法，而是利用高温烘烤，使玻璃表面的水分气化变为水蒸气而除去的过程，此方法省时又省力。
但是如果水的纯度不变，空气净化等不多或干燥机温度不够，玻璃表面残存的水分虽经气化为蒸气，但在玻璃表面还会留下水珠，这种水珠将直接影响后续工序的产品质量C. 十槽清洗机PR清洗机制程参数设定1---3槽KOH溶液为0.4~0.7N，温度为60±5℃，浸泡时间为2~3min／槽纯水溢流量为0.5±0.2㎡／n. KOH溶度为1.0N~1.6N,温度为40±5℃,喷洗压为0.2~1.0kgf/c㎡,传动速度为3.0~4.5m/min,磨刷转速为85~95rpm,压力为0.2~1.0kg/c㎡，纯水温度为40±5℃，干燥机1.2.3段温度为110℃±10℃。
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DEV
Developing
Developing：将(正性)光阻中的被曝光的那部分 光阻溶解快速显影液中(负性光阻正好与之相反, 是未曝光的部分溶于显影液中),未曝光的那部 分光阻溶解速度缓慢，从而通过控制显影时间， 可以显现出光罩上的图形。 主要控制参数：显影时间，显影液浓度，显影 温度，显影喷压。 主要品质异常：显影不净，显影过显，光阻回 黏。
阻。
光阻(Photo resist，简称PR)：光阻是利用材料光化
Coating
学反应进行图形转移的媒体，有正性光阻和负性光阻之分。 正性光阻经过紫外曝光后，被曝光的区域发生光分解或降 解反应，使性质发生变化优先溶于正性显影液，未曝光的 部分则被保留形成正型图形。负性光阻的性质正好与之相 反，是未被曝光的部分溶于负性显影液中。 主要控制参数：Roller的前挤量及下压量，涂布速度， 抽泵频率，抽泵强度。 主要参考参数：膜层厚度(属过渡光阻,膜厚1.4~2.3um)， 膜层均匀性。 主要品质异常：涂布针孔、涂布箭影。
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3
Glass
Strip
制 程 流 程
Clean
Etch
Sputter
Post-bake
Clean
Dev
IR/UV/CP
Expo
CT
Pre-bake
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12
CT
Coating
Coater一般分为Roll Coater，Slit Coater，Spin Coater。我 们公司用的是Roller。我们公司的BM&OC1用的是Inkjet印 刷，而OC2用的是APR凸版印刷。
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13
Pre-bake
Pre-Bake
Pre-Bake ：也叫soft bake。将光阻中的大部 分有机溶剂烘烤到4%~7%，使原本液态的光 阻固化。 主要控制参数:烘烤时间，烘烤温度，烘烤 热板Pin高度。 主要品质异常：玻璃受热不均，使光阻局部 过烤或烘烤不足，造成后续的显影不净或显 影过显。
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6
Clean
Cleaning
成膜前清洗流程：入料→液切→洗涤剂喷淋→ 洗涤剂刷洗→液切→冲洗→纯水刷洗→高压喷 淋→中压喷淋→二流体喷淋→末端DI水喷淋→ 风刀吹干→出料
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18
Post-bake
Post Bake
Post Bake：也叫Hard bake。使经显影后的 光阻固化，从而使其图形稳定。 主要控制参数：烘烤温度，烘烤时间。
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14
EXPO
Exposure
Exposure：此步骤是黄光制程中的关键所在， 通过曝光，使受到光照的部分光阻溶解于显 影液的速度异于未曝光的那部分光阻，从而 达到转移光罩上图形的过程。曝光方式有三 种：接触式、接近式和投影式。其中投影式 又分scan和step。我们公司采用的曝光方式为 接近式，曝光GAP值 一般为100~250μm。 主要控制参数：曝光能量，曝光GAP，曝光 机plate stage温度。 主要品质异常：曝光偏移，固定光阻残留异 常，过曝。
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21
SR
SR
Resist Thickness：光阻的厚度测量。
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Etch
Etching
Etching ：用强酸将玻璃中未受光阻保护的 那部分ITO腐蚀，留下所需图形的过程。 主要控制参数：蚀刻液浓度 ，蚀刻液温度， 蚀刻时间，喷淋压力。 主要品质异常：蚀刻不净，ITO过蚀，以及 由涂布异常而引起的蚀刻异常。
24
Strip
Stripping
Stripping：有机溶液将玻璃上面的光阻除 去的过程。 主要控制参数：剥膜时间，剥膜液浓度。 主要参考参数：剥膜不净，光阻回黏，剥 膜药液残留。
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25
AEI
AEI
After Etching Inspection：检查玻璃品质。
主要参考参数：镀膜厚度，膜层附着力。
8
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Clean
Cleaning
Glass Cleaning：去除玻璃表面的脏污、油污等， 使玻璃表面清洁，以保证后续光阻的涂布效果 及结合力。 主要控制参数：清洗液浓度，清洗速度，脱脂 毛刷压入量。
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26
谢谢
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7
Sputter 溅镀原理：靶材接阴极，玻璃接正极或接地，导入氩气。
Sputter
电子在电场的作用下加速飞向玻璃的过程中与Ar原子发 生碰撞，电离出大量的Ar+和e-，形成等离子体(电浆)。 Ar+在电场的作用下加速轰击靶材，溅射出大量的靶材 原子，呈中性的靶原子(或分子)玻璃沉积成膜。
ITO (Indium Tin Oxide):是一种N类型的宽能隙的半导
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9
Clean
Cleaning
清洗流程：入料→液切→洗涤剂喷淋→洗涤剂 刷洗→液切→冲洗→纯水刷洗→高压喷淋→中 压喷淋→二流体喷淋→末端DI水喷淋→风刀吹 干→出料
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10
IR/UV/CP
IR
UV
CP
IR：高温烘干玻璃表面水分。 UV：去除玻璃的表面的有机物，使玻 璃被进一步清洁。 CP：将玻璃温度冷却至室温。 主要控制参数：IR温度，传导速度。
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CT Coating：在玻璃正面均匀的涂上一层感光物质——光
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Etch
Etching
蚀刻液：ITO我们用HNO3与HCl的混酸。MAM 我们用HNO3，H3PO4和HAc的混酸。
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EXPO
Exposure
曝光波长：i线（365nm）， h线（405nm）， g线（436nm）。
Mask：也叫掩膜板。电路图即是通过曝光从 Mask上转移到玻璃上。 高压汞灯发光原理：在真空的石英管中加入 定量的高纯汞，通过对两端电极提供高电压 差，产生高热，将汞汽化，汞蒸气在高电位 差下，受激发而放电，从而产生紫外线辐射。 内部的卤素元素，就有催化及保护的功用。
4
Glass
Glass
素玻璃经过清洗、烘烤后进入真空室进行 溅镀ITO/MAM。
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Clean
Cleaning
Glass Cleaning：去除玻璃表面的脏污、油污等， 使玻璃表面清洁，以保证后续光阻的涂布效果 及结合力。 主要控制参数：清洗液浓度，清洗速度，脱脂 毛刷压入量。
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DEV
Developing
显影液：TMAH (Tetramethyl Ammonium Hydroxide)，四甲基氢氧化铵，分子式 (CH3)4NOH,是一种有机弱碱，浓度为2.38% （ITO1&ITO2&MAM)或者0.4%（BM&OC1)。 我们公司用的是KOH。
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ADI
ADI
After Developing Inspection：检查玻璃 品质。
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CDC
Hale Waihona Puke CDCCritical Dimension：关键尺寸，线宽。 Overlay：套合度。 Total Pitch：第一层的套合度。